JPH04346964A - 液晶化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は新規の液晶化合物、その製法およ
び情報の表示、蓄積のための固状、液状の光学的異方性
媒体としての用途に関するものである。

【０００２】

【技術的背景および従来技術】液晶化合物は、液体と異
なり分子の長距離配列をもたらし、これにより規則正し
く一次元的もしくは二次元的に配列されることができ、
液晶中間相を形成し得る光学的に異方性の物質である。 液晶内における分子構成単位の空間的配列にかんがみて
、ネマチック相、コレステリック相およびスメクチック
相の本質的に異なる３相に区分される。

【０００３】ネマチック相においては、個々の分子が一
次元的に配列され、その構造的特徴は分子重心の統計的
分布を有する、分子長軸の平行配列である。分子は横方
向凝縮を欠き、従って以下に述べるスメクチック相とは
異なる層状構造にはならない。分子はその長軸に関し移
動可能、すなわち相互に自由に平行滑動可能であり、こ
れにより粘度が低い。従ってネマチック相はスメクチッ
ク相に比し、極めて易流動性である。

【０００４】光学活性分子によってのみ存在し得るコレ
ステリック相の構造は、ネマチック相と著しい親近性が
ある。従ってこれはしばしばカイラルネマチック相とも
称される。この液晶化合物の分子長軸は、ネマチック相
の場合と同様に相互に平行に配列されるが、分子長軸の
一般的な方向は、層から層に特定の角度をもって変化す
る。個々の層内においては均等の一般的方向が存在する
が、これに対して隣接する層内においてはこの一般的方
向は特定の角度だけ旋回せしめられる。従って分子長軸
の配列は多層間にわたって螺旋状になされる。螺旋状構
造は関連する分子のカイラル構成によりもたらされる。

【０００５】スメクチック相は二次元的構成を基礎とす
る。分子間の相互作用により細長い棒状の平行に配列さ
れた分子が集合して層を形成し、これが等間隔で積層さ
れている。この場合層内における分子の配列において相
違する種々変形がもたらされ得る。スメクチック相ＳＡ
　からＳＩ　までが公知となっており、例えば層内にお
ける分子重心は統計的に（ＳＡ　およびＳＣ　相）ある
いは均斉に（ＳＢ　相）配列され得る。分子長軸は層平
面に対する垂直線に対して平行にあるいは傾斜して配列
されている。分子端部間において相互作用力が働かない
ので、分子は層平面と平行にはなり得ない。このため層
が相互間において容易に移動せしめられるにもかかわら
ず、高度の配向状態（二次元的構造）のためスメクチッ
ク相の粘度はネマチック相より高い。

【０００６】外部電場の不存在下に電気的自発分極を示
すスメクチック液晶相も知られている。外部電場を賦課
することにより、この分極を逆配向することができ、そ
のためこのような相は強誘電性スメクチック液晶相とも
称される。その典型例はカイラルＳＣ　相（ＳＣ＊相）
である。その異方性光学特性および誘電特性のために、
これは電気光学的表示素子（ディスプレー）として使用
される。ＳＣ＊相を基礎とする強誘電性ディスプレーは
極めて迅速に記号を記入し消去することができる。

【０００７】以下の符号は液晶相ないし液晶挙動を示す
ためのものである。

【０００８】Ｓはスメクチック液晶相ないしスメクチッ
ク液晶挙動を、Ｎはネマチック液晶相ないしネマチック
液晶挙動を、Ｎ＊はコレステリック（カイラルネマチッ
ク）液晶相ないしコレステリック（カイラルネマチック
）液晶挙動を、＊は液晶化合物がカイラル中心、すなわ
ち光学的活性中心を示し、従って光学的活性液晶相を構
成し得ることをそれぞれ意味する。

【０００９】固体状液晶化合物の溶融体においては、ま
ず液晶相、例えばスメクチック相として存在し、これが
温度上昇により、各化合物に特有の相転移温度において
他の相、例えばネマチック液晶相に転移するか、あるい
は清澄化点において光学的等方性溶融体に転移する。溶
融体を冷却することにより、これは対応する転移温度に
おいて液晶相に、さらには液晶に再び転化する。この液
晶化合物の交互の転化を互変性転化と称する。

【００１０】液晶として存在する化合物を冷却して一旦
生起せしめられた液晶相に凍結することができる。この
ために液晶溶融体を一定温度以下に冷却して光学的異方
性固体とするが、これは結晶性ではなくガラス状である
。

【００１１】ガラス状に固化される特性を有する液晶化
合物は、低分子量有機化合物の領域においても、また高
分子有機化合物の領域においても存在する。公知の高分
子液晶の場合、ことにポリアクリル連鎖およびポリメタ
クリル連鎖は重合体主鎖として作用する。低分子量液晶
化合物は重合反応類似の反応により、この重合体主鎖に
対し側鎖として結合される。

【００１２】ヨーロッパ特許出願公告９０２８２号公報
より、アクリル酸およびメタクリル酸のエステルおよび
アミドを基礎とする液晶相形成重合体が公知である。重
合体主鎖に対するエステルおよびアミドの作用により結
合を解かれた、可撓性の間隔を置いた長鎖分子部分（ス
ペーサとも称される）とメソーゲン基ないし多色色素か
ら成る側鎖が液晶相の形成に対して影響をもたらす。

【００１３】このスペーサとしては、

【００１４】

【化１０】 （Ｒ６　は水素あるいは場合により置換されていてもよ
いアルキルである）により切断されてもよい、炭素原子
数２から１２のアルキレン基が挙げられる。

【００１５】メソーゲン基としては、例えば１９８０年
、フェルラーク社刊、ケルカーおよびハッツの「ハンド
ブック、オブ、リクイド、クリスタルズ」６９から１１
３頁に記載されている基が挙げられる。

【００１６】このスペーサおよび／あるいはメソーゲン
に応じて、重合体は液晶相を形成することができ、この
ような重合体液晶相として、また低分子量液晶相と共に
電気光学的インディケータとして使用され得る。

【００１７】電気光学的インディケータは原則として６
から３０μｍ厚さの液晶層を有し、これは２枚のガラス
板で被覆され、これらはそれぞれの内面を電極層で被覆
されている。そのうちの少くとも一方は透明でなければ
ならない。透明の導電性被覆層としては、ことにアンチ
モンでドーピングした酸化錫層および酸化錫でドーピン
グした酸化インジウム層が使用される。

【００１８】西独特許出願公開３９１７１９６号公報か
ら、以下の一般式Ｖ

【００１９】

【化１１】 で表わされる単量体が公知である。この式中のＲ７　は
水素もしくは塩素原子あるいはメチル基を、Ｅは可撓性
、間隔保持分子部分を、Ｆは少くとも３個の直鎖性もし
くはほぼ直鎖性の相互に結合された芳香族核から構成さ
れ、かつ少くとも１個の２，６−ナフチレン基を含有す
るメソーゲン分子部分を、またＧは光学活性カイラル分
子部分をそれぞれ意味する。この単量体は強誘電性スメ
クチック液晶挙動を示す、カイラルメソーゲン側鎖を有
する重合体の製造に使用される。

【００２０】しかしながら、これは重合体液晶が使用さ
れる場合、スイッチング開始が緩慢である欠点を有する
。さらに他の欠点は、単一の確定した分子量を有する低
分子量化合物のように、重合体液晶を合成できないこと
である。なお低分子量液晶のカテゴリーに属するものと
して、特徴的な相特性の故に工業的に電気光学的に使用
可能の、ガラス相を示す液晶化合物が公知になっている
。

【００２１】すなわち、独国特許出願公開３７０３６４
０号公報に、ガラス状液晶である、２−置換１，４−ビ
ス−（４置換ベンジルオキシ）−ベンゼンが記載されて
いる。これは光学的素子を製造するための異方性の固体
光学的媒体として、また室温における熱電気光学的記憶
ディスプレーのために、単独で、これら相互の、もしく
は他の液晶ないし非液晶物質との混合物として使用され
る。

【００２２】上記と同様の用途を、西独特許出願公開３
８３０９６８号公報より公知の、ガラス状固化ネマチッ
ク相を形成する１，４−ビス−（２，３，４−置換ベン
ゾイルオキシ）−ベンゼンも有する。

【００２３】また西独特許出願公開３８２７６０３号公
報により以下の一般式ＶＩ

【００２４】

【化１２】 で表わされるカイラルスメクチック液晶化合物も公知で
ある。式中のＭ１＊　、Ｍ２＊は同じカイラルスメクト
ーゲン基を、ブリッジ員−Ｋ−は二価基をそれぞれ意味
する。これらは冷却処理により同時に液晶相からガラス
状に固化する。

【００２５】しかるにこれまでに公知になっている上述
のガラス相を示す低分子量液晶化合物は、それぞれのガ
ラス相が長時間にわたる安定性を持たず、室温において
短時間後に結晶性配向状態になるという共通の特性を示
す。この結晶化過程においてすでに書込まれている情報
は消失する。さらに、電場内における分子配向の基準と
なる誘電率低異方性Δεがその欠点である。ここで誘電
異方性とは、全分子長軸の配列によりもたらされる優勢
的な方向に平行に、また直角に測定された誘電率ε間の
差違である。優勢方向に平行に測定された誘電率の価を
εＩＩとし、これに直角に測定されたその価をε⊥とし
た場合、誘電率異方性ＤＫ（Δε＝εＩＩ−ε⊥）は、
正であるかあるいは負である。εＩＩがε⊥より大きけ
ればΔεは正であり、この場合液晶はその光学軸が電場
に平行となるように適応する。またΔεが負であればそ
の光学軸が電場に直交するように適応する。

【００２６】そこで本発明の課題は、高い誘電異方性を
示し、それぞれが一定の分子量をもって、低粘度の純粋
な形態で再現的製造可能であり、かつ実際上遭遇するべ
き低温度においても迅速に切換え可能であり、この切換
えの過程において書込まれた情報が記憶され得る液晶化
合物を見出すことである。

【００２７】

【発明の要約】しかるに上述の課題は、以下の一般式Ｉ
および　ＩＩ Ｚ１　−（Ｘ１　−Ｒ１　−Ｙ−Ｍ）ｍ　　　　　　　
ＩＺ２　−（Ｘ２　−Ｒ１　−Ｙ−Ｍ）ｎ　　　　　　
ＩＩにより表われ、かつ Ｚ１　が炭素原子数３から３０のｍ価脂肪族アルコール
もしくはｍ価脂肪族カルボン酸のアルコレート残基もし
くは酸残基Ｚ１　／１を、５員もしくは６員のｍ価脂環
式アルコールもしくはｍ価脂環式カルボン酸のアルコレ
ート残基もしくは酸残基Ｚ１　／２を、ｍが３である場
合には下式（式中ｐは１もしくは２を意味する）の窒素
含有残基Ｚ１　／３を、

【００２８】

【化１３】 ｍが３である場合には下式の残基Ｚ１　／４ａ−ｄ　を
、

【００２９】

【化１４】 ｍが３あるいは４である場合には下式（式中ｑは２ある
いは３を意味する）のニトリロトリ醋酸もしくはエチレ
ンジアミノテトラ醋酸の酸残基Ｚ１　／５を、あるいは
下式（式中ｑは２もしくは３を意味する）の残基Ｚ１　
／６

【００３０】

【化１５】 をそれぞれ意味し、Ｚ２　が下式（式中Ｒ２　はハロゲ
ン、シアノ、ニトロ、Ｃ１　−Ｃ１０アルキル、Ｃ１　
−Ｃ１０アルコキシ、Ｃ１　−Ｃ１０アルコキシカルボ
ニル、Ｃ１　−Ｃ１０アシルオキシあるいは隣位におい
て環に結合される残基であって、γは０から３の数値で
ありγが１より大きい場合、Ｒ２　は互に同じであって
も異なってもよい）

【００３１】

【化１６】 で示されるベンゼンのｎ価残基Ｚ２　／１を、下式（式
中Ｒ３　はＣ１　−Ｃ４　アルキル、Ｃ１　−Ｃ４　ア
ルコキシあるいはハロゲンを意味する）

【００３２】

【化１７】 で示される多環残基Ｚ２　／２を、あるいはｎが３であ
る場合には下式（式中ｓは０もしくは１を意味する）

【００３３】

【化１８】 で示される燐含有残基Ｚ２　／３をそれぞれ意味し、Ｘ
１　が化学結合あるいは−ＣＯ−基を、

【００３４】

【化１９】 （式中Ｒ４　は水素あるいはＣ１　−Ｃ８　アルキルを
意味するが、Ｚ２　が多環残基Ｚ２　／２である場合に
は−Ｏ−もしくは−Ｏ−ＣＯ−のみを意味する）を、ｍ
が３から６の数（ただしＺ１　における炭素数と同じで
あるか、あるいはこれより小さい）を、ｎが３から６を
、Ｒ１　が２から１２個のブリッジ員を有するＣ２　−
Ｃ２０ブリッジ（ただし酸素、硫黄あるいは−ＮＲ４　
−で切断されていてもよく、このヘテロ単位はそれぞれ
少くとも２個の炭素原子で隔離されている）を、Ｙが化
学結合、酸素、硫黄、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−
ＮＲ４　−、−ＣＯ−ＮＲ４　−あるいは−ＮＲ４　−
ＣＯ−を、Ｍが液晶相において０．３より大きい｜Δε
｜を持つ誘電率εの異方性を示し、かつ／もしくは光学
的活性である化合物から誘導されたメソーゲン基をそれ
ぞれ意味することを特徴とする本発明液晶化合物により
解決されることが見出された。

【００３５】さらに液晶化合物ＩおよびＩＩ　を製造す
るための、以下に詳述されるべき種々の方法ならびに、
これら化合物を単独で、あるいはこれら相互の、もしく
は他の液晶化合物もしくは非液晶化合物との混合物を情
報の表示および記憶のための固体もしくは液体状光学的
異方性媒体として使用することが見出された。

【００３６】一般式ＩおよびＩＩ Ｚ１　−（Ｘ１　−Ｒ１　−Ｙ−Ｍ）ｍ　　　　　　　
ＩＺ２　−（Ｘ２　−Ｒ１　−Ｙ−Ｍ）ｎ　　　　　　
ＩＩで表わされる新規液晶化合物は、Ｚ１　およびＺ２
　で示される分子中心部分（中心単位とも称される）に
その基礎を置くものである。Ｘ１　は化学結合もしくは
−ＣＯ基を意味し、Ｘ２　はことにヘテロ単位を意味し
、Ｘ１　と同様に、Ｒ１　で表わされ、スペーサとして
特徴ずけられる、Ｃ２　からＣ２０のブリッジと結合さ
れており、Ｙは化学結合かヘテロ単位を意味し、Ｍは液
晶相において０．３より大きい｜Δε｜を有する誘電率
を示し、かつ／もしくは光学活性である化合物から誘導
されるメソーゲン基を意味する。

【００３７】またｍは３から６の数値を意味するが、ｍ
はＺ１　における炭素原子数と同じであるか、あるいは
これより小さく、ｎは３から６の数値を意味する。

【００３８】

【発明の構成】中心単位Ｚ１　は以下に例示される化合
物から誘導される基である。すなわち、脂肪族アルコー
ル、例えばグリセリン、１，２，４−ブタントリオール
、２−メチル−２−ヒドロキシメチル−１，３−プロパ
ンジオール、２−エチル−２−ヒドロキシメチル−１，
３−プロパンジオール、１，２，３，４−ブタン−テト
ラオール、ペンタエリトリット、キシリット、マンニッ
ト、ソルビット、脂肪族カルボン酸、例えば１，２，３
−プロパントリカルボン酸、１，１，４−ブタントリカ
ルボン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸、
くえん酸、２−ヒドロキシ−ノナデシル−１，２，３−
トリカルボン酸、５もしくは６環員を有する脂環式アル
コール、例えば１，２，３，４−テトラヒドロキシ−シ
クロペンタン、１，２，３−トリヒドロキシ−シクロヘ
キサン、１，２，４−トリヒドロキシ−シクロヘキサン
、１，３，５−トリヒドロキシシクロヘキサン、１，２
，３，４−テトラヒドロキシ−シクロヘキサン、１，２
，３，５−テトラヒドロキシ−シクロヘキサン、１，２
，４，５−テトラヒドロキシ−シクロヘキサン、１，２
，３，４，５−ペンタヒドロキシ−シクロヘキサン、１
，２，３，４，５，６−ヘキサヒドロキシ、５もしくは
６環員を有する脂環式カルボン酸、例えば１，２，３−
シクロペンタントリカルボン酸、１，２，４−シクロペ
ンタントリカルボン酸、２−メチル−１，２，３−シク
ロペンタントリカルボン酸、３−メチル−１，２，４−
シクロペンタントリカルボン酸、１，１，２，２−シク
ロペンタンテトラカルボン酸、１，２，２，４−シクロ
ペンタンテトラカルボン酸、１，１，３，３−シクロペ
ンタンテトラカルボン酸、１，２，３，４−シクロペン
タンテトラカルボン酸、１，２，３，４，５−シクロペ
ンタンペンタカルボン酸、１，１，４−シクロヘキサン
トリカルボン酸、１，２，４−シクロヘキサントリカル
ボン酸、１，３，５−シクロヘキサントリカルボン酸、
１，１，３，３−シクロヘキサンテトラカルボン酸、１
，１，４，４−シクロヘキサンテトラカルボン酸、１，
２，３，４−シクロヘキサンテトラカルボン酸、１，２
，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸、１，１，
３，３，５−シクロヘキサンペンタカルボン酸、１，２
，３，４，５，６−シクロヘキサンヘキサカルボン酸、
アルコールアミン、例えばトリエタノールアミン、トリ
イソプロパノ−ルアミン、アミノエチルエタノールアミ
ン、トリアジン誘導体、例えばシアヌール酸、チオシア
ヌール酸、メラミン、トリスヒドロキシエチルイソシア
ヌレート、ニトリロトリ醋酸、エチレンジアミノテトラ
醋酸および

【００３９】

【化２０】 （ｑは２あるいは３である）の基である。

【００４０】ことに適当な中心単位Ｚ１　はグリセリン
、ペンタエリトリット、マンニットおよびくえん酸であ
る。

【００４１】中心単位Ｚ２　は下式で表わされるベンゼ
ンのｎ価の基Ｚ２　／１である。

【００４２】

【化２１】 式中、Ｒ２　はハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ１　から
Ｃ１０アルキル、Ｃ１　からＣ１０アルコキシ、Ｃ１　
からＣ１０アルコキシカルボニル、Ｃ１　からＣ１０ア
ルコキシ、近接位置において環に結合されている残基を
、γは０から３の数値を意味し、γが２以上の数値を意
味する場合複数のＲ２　は相互に同じであっても異なっ
てもよい。

【００４３】具体的に中心単位Ｚ２　が意味する基Ｚ２
　／１を例示すれば、これらは以下の化合物から誘導さ
れる。すなわち １，２，３−トリヒドロキシベンゼン、１，２，４−ト
リヒドロキシベンゼン、１，３，５−トリヒドロキシベ
ンゼン、１，２，３，４−テトラヒドロキシベンゼン、
１，２，３，５−テトラヒドロキシベンゼン、１，２，
４，５−テトラヒドロキシベンゼン、ヘキサヒドロキシ
ベンゼン、 １，２，３−ベンゼントリカルボン酸、１，２，４−ベ
ンゼントリカルボン酸、１，３，５−ベンゼントリカル
ボン酸、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、３，４
，５−トリヒドロキシ安息香酸メチルエステル、１，２
，３−トリヒドロキシトルエン、２，４，５−トリヒド
ロキシトルエン、２，４，６−トリヒドロキシトルエン
、３，４，５−トリヒドロキシトルエン、ピロメリット
酸無水物、 １，２，３，４−テトラヒドロキシナフタリン、２，３
，４−トリヒドロキシアントラセン、１，２，３−トリ
ヒドロキシ−９，１０−アントラキノン、 １，２，４−トリヒドロキシ−９，１０−アントラキノ
ンから誘導される基である。

【００４４】Ｚ２　はさらに下式

【００４５】

【化２２】 で表わされる二価基Ｚ２　／２である。

【００４６】式中のＲ３　はＣ１　−Ｃ４　アルキル、
Ｃ１　−Ｃ４　アルコキシあるいはハロゲンを意味する
。

【００４７】式　ＩＩ　中のｎが３である場合には、Ｚ
２　は下式の中心単位Ｚ２　／３を意味する。

【００４８】

【化２３】 ただしｓは零あるいは１である。

【００４９】上記中好ましい化合物は１，３，５−トリ
ヒドロキシベンゼン、ピロメリット酸無水物および下式

【００５０】

【化２４】 の基である。

【００５１】式　ＩＩ　中のＸ２　はヘテロ単位として
、

【００５２】

【化２５】 Ｒ４　は水素もしくはＣ１　−Ｃ８　アルキルを意味す
るが、Ｘ２　が多環基Ｚ２　／２の場合には−Ｏ−もし
くは−Ｏ−ＣＯ−のみを意味する。ことに好ましいのは
酸素、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−である。

【００５３】Ｒ１　は酸素、硫黄あるいは−ＮＲ４　−
により中断されていてもよいブリッジ員２から１２個の
Ｃ２　−Ｃ２０ブリッジを意味する。上記ヘテロ単位は
それぞれ２個の炭素原子で隔離される。

【００５４】好ましいブリッジ員Ｒ１　は

【００５５】

【化２６】 このうちことに好ましいのは−（ＣＨ２　）５　−、−
（ＣＨ２　）６　−、−（ＣＨ２）７　−、−（ＣＨ２
　）１０−である。

【００５６】式Ｉ、ＩＩ　中のＹは化学結合、酸素、硫
黄、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＮＲ４　−、−Ｃ
Ｏ−ＮＲ４　−、−ＮＲ４　−ＣＯ−（Ｒ４　は水素も
しくはＣ１　−Ｃ８　アルキルである）であって、こと
に酸素であるのが好ましい。

【００５７】適当なメソーゲン基Ｍは以下の式　ＩＩＩ
−Ａ−（Ｂ−Ａ−）ｔ　（Ｄ１　）ｕ　　　　　　　Ｉ
ＩＩで表わされる基である。

【００５８】この式中のＡは、２個までの窒素原子をヘ
テロ原子として持っていてもよく、また２個までの以下
の置換基、すなわち弗素、塩素、臭素、ニトロ、シアノ
を持っていてもよい１，４−フェニレン基もしくは２，
６−ナフチレン基を、あるいは２個までの以下のヘテロ
原子、すなわち酸素、硫黄あるいは窒素を非隣接位に持
っていてもよい１，４−シクロヘキシレン基を意味し、
Ｂは化学結合あるいは以下のブリッジ員、すなわち

【０
０５９】

【化２７】 Ｄ１　は以下の置換基、すなわち弗素、塩素、臭素、ニ
トロ、シアノ、−ＯＣＦＨ２　−、−ＯＣＦ２　Ｈ、−
ＯＣＦ３　、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ５　あるいは−ＣＯ−Ｏ−
Ｒ５　（このＲ５　は酸素により中断されていてもよく
、また弗素、塩素、臭素、シアノ、メチルで非対象的に
置換されていてもよい直鎖Ｃ１　−Ｃ２０アルキル基で
ある）を意味し、ｔは１から４であるが、ＡとＢとは異
なっていてもよく、またｕはＤ１　が芳香族環と結合さ
れている場合には１を、Ｄ１　がシクロヘキシル環と結
合されている場合には１もしくは２を意味する。

【００６０】好ましいメソーゲン基Ｍは

【００６１】

【化２８】 であり、ことに好ましいメソーゲン基Ｍは、以下の一般
式ＩＶ −Ａ−（Ｂ−Ａ−）ｔ　（Ｄ２　）ｎ　　　　　　　　
　ＩＶで表わされる基である。

【００６２】式中のＤ２　は以下の鏡像体基、すなわち
直鎖Ｃ１　−Ｃ２０アルキル基であって１もしくは２個
の炭素原子が弗素、塩素、臭素、シアノ、トリフルオロ
メチルで非対称的に置換されており、また−ＣＯ−Ｏ−
により１個所中断され、−Ｏ−により１もしくは２個所
中断されていてもよい基、あるいは

【００６３】

【化２９】 で中断されている直鎖Ｃ３　−Ｃ６　アルキル基を意味
する。

【００６４】ただしこれら鏡像体基Ｄ２　は−Ｏ−、−
ＣＯ−Ｏ−あるいは−Ｏ−ＣＯ−はＡと結合されていて
もよい。

【００６５】ことに好ましい鏡像体基を以下に例示する
。

【００６６】

【表１】

【００６７】

【表２】

【００６８】

【表３】 上記中Ｄ２　／６、Ｄ２　／７、Ｄ２　／１１、Ｄ２　
／１５、Ｄ２　／１７からＤ２　／２１およびＤ２　／
２４が特に好ましい。

【００６９】有利なメソーゲン基Ｍは

【００７０】

【化３０】 である。

【００７１】液晶化合物Ｉを製造するため、原則的にア
ルコールＺ１　（Ｈ）ｍ　をカルボン酸ハロゲン化物Ｍ
−Ｙ−Ｒ１　−ＣＯ−Ｈａｌ（Ｈａｌは塩素もしくは臭
素を意味する）と反応させ、あるいはカルボン酸Ｚ（Ｈ
）ｍ　もしくはその誘導体、例えば酸塩化物Ｚ１　（Ｃ
ｌ）ｍ　、無水物（Ｚ１　）２　ＯをアルコールＭ−Ｙ
−Ｒ１　−ＯＨと反応させる。

【００７２】液晶化合物（Ｉ）は具体的に以下のような
各種方法で得られる。

【００７３】カルボン酸Ｍ−Ｙ−Ｒ１　−ＣＯＯＨから
出発して、これを公知の態様でジメチルホルムアミドの
存在下にチオニルクロライドと反応させて酸クロライド
Ｍ−Ｙ−Ｒ１　−ＣＯ−Ｃｌとし、次工程においてピリ
ジンの存在下にこれをアルコールＺ１　（Ｈ）ｍ　と反
応させて、化合物Ｉを得る。

【００７４】カルボン酸クロライドのアルコール化は、
多くの態様で周知であり、従ってここでは詳述しない。 ここでは単にアルコールを定量的に得るためには酸クロ
ライドを過剰量で使用するのが一般的に好ましいことだ
けを附言するに止める。生成物Ｉの単離後、追加的精製
をゲルクロマトグラフィーにより、次いで再結晶により
行なうが、このためには一般にメチレンクロライド／メ
タノール混合溶媒が適当である。

【００７５】液晶化合物Ｉを製造するための他の可能性
として、カルボン酸Ｚ１　（Ｈ）ｍ　、酸クロライドＺ
１　（Ｃｌ）ｍ　および酸無水物（Ｚ１　）２　Ｏをア
ルコールＭ−Ｙ−Ｒ１　−ＯＨにより酸触媒エステル化
する方法がある。このエステル化は酸、温度および反応
時間に関して種々の態様で行なわれる。

【００７６】Ｚ１　（Ｈ）ｍ　とカルボン酸クロライド
の反応の変形として、Ｚ１　（Ｈ）ｍ　をω−ブロモカ
ルボン酸クロライドＢｒ−Ｒ１　−ＣＯ−Ｃｌと反応さ
せ、次いで中間生成物Ｚ１　−ＣＯ−Ｒ１　−Ｂｒをア
ルコール化合物ＨＯ−Ｍでエーテル化して化合物Ｉとす
る方法がある。

【００７７】液晶化合物ＩＩ　の製造方法としては、原
則的にフェノール性化合物Ｚ２　（ＯＨ）ｎ　をＭ−Ｙ
−Ｒ１　−Ｘ２　−Ｈタイプの化合物から誘導される化
合物ないし誘導体と、あるいはアルキルブロマイドＭ−
Ｙ−Ｒ１　−Ｂｒと反応させるのが原則的である。

【００７８】さらに化合物ＩＩ　は、それ自体公知の態
様で化合物Ｚ２　（ＯＨ）ｎ　をω−ズロモカルボン酸
クロライドＢｒ−Ｒ１　−ＣＯ−Ｃｌと反応させて中間
生成物Ｚ２　（−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１　−Ｂｒ）ｎ　とし、
次いでこれを化合物ＨＯ−Ｍによりエーテル化すること
により得られる。

【００７９】さらに化合物ＩＩ　を得るための可能性は
、カルボン酸Ｚ２　（ＣＯＯＨ）ｎ　、酸クロライドＺ
２　（ＣＯＣｌ）ｎ　および酸無水物（Ｚ２　ＣＯ）２
　を常法によりＭ−Ｙ−Ｒ１　−ＯＨ化合物と反応させ
ることである。

【００８０】本発明による新規液晶化合物Ｉ、ＩＩ　は
、高純度、単一分子量で製造可能であり、迅速に切換え
られ、高い誘電異方性を示し、さらに結晶化傾向を示さ
ない。

【００８１】この液晶化合物Ｉ、ＩＩ　は単独で、ある
いはこれら相互の、もしくは他の液晶および／あるいは
非液晶化合物との混合物として、情報の表示および記憶
のための固体もしくは液体状の光学異方性媒体に使用す
るのに適する。さらにこれら化合物は旋光度および電気
光学的記憶表示性を有するコンペンゼイタ、すなわち補
償板、偏光プリズム、偏光板体のような光学的構成素子
のための異方性固状媒体を製造するのに適する。

【００８２】以下の実施例により本発明をさらに具体的
に説明するが、相転移は加熱速度１０°／分で偏光顕微
鏡（ライツ社のＯｒｔｈｏｌｕｘ　　Ｐｏｌ　　ＢＸ、
メトラー社加熱板ＦＰ　　８２　　ＨＴ、同メトラー社
制御装置ＦＰ８０）により、また加熱速度２０℃／分で
ＤＳＣ計測（パーキン、エルマー社のＤＳＣ−７）によ
り測定された。

【００８３】以下の符号は相の特徴を示し、相の変化は
測定された相転移点で生ずる。

【００８４】ｋ＝結晶 ｇ＝ガラス状 ｎ＝ネマチック ｈ＝コレステリック ｓ＝スメクチック ｉ＝同位体 本発明液晶化合物の転移点（℃）は、各実施例において
示される。括弧内の温度は相の単変性転移を示し、これ
により、一方向においてのみ、例えば液晶状態が溶融体
の過冷却によってのみもたらされ得る相移転を意味する
。この場合、融点は清澄点より高い。

【００８５】（液晶化合物Ｉの製造）（実施例１）ペン
タエリトリット−テトラ−（ω−（４′−シアノビフェ
ニル−４−オキシ）−ペンチルカルボキシレート）（ａ
）６−（４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−カプ
ロン酸４１．３ｇ（２１２ミリモル）の４−（４′−ヒ
ドロキシビフェニル）−カルボニトリル、４９．５ｇ（
２５４ミリモル）の６−ブロモカプロン酸、４２．１ｇ
（２５４ミリモル）の沃素カリウム、７０．１ｇ（５０
８ミリモル）の炭酸カリウムおよび４００ミリリットル
の２−ブタノンから成る混合物を３２時間還流加熱した
。冷却により沈澱した残渣を分離し、２−ブタノンで洗
浄し、希釈塩酸中に投入し、数分間撹拌し、分離し、水
で洗浄した。次いで生成物を２回トルエンから再結晶さ
せた。収率３０％、融点１６８℃。

【００８６】（ｂ）６−（４′−シアノビフェニル−４
−オキシ）−カプロン酸クロライド１６．３ｇ（５２．
７ミリモル）の上記６−（４′−シアノビフェニル−４
−オキシ）−カプロン酸、７．５ｇ（６３．３ミリモル
）のチオニルクロライドおよび３滴のジメチルホルムア
ミドおよび１６０ミリリットルのトルエンから成る溶液
を１．５時間沸騰加熱した。真空下８０℃で易揮発性成
分を蒸散させ、残渣を真空下、室温において乾燥した。 収率９０％。

【００８７】（ｃ）ペンタエリトリット−テトラ−（ω
−（４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−ペンタカ
ルボキシレート）０．９ｇ（６．７ミリモル）のペンタ
エリトリット、３．２ｇ（４０ミリモル）のピリジンお
よび９０ミリリットルのメチレンクロライドから成る溶
液に、１０．９ｇ（３３．３ミリモル）の上記６−（４
′−シアノビフェニル−４−オキシ）−カプロン酸クロ
ライドを添加し、高湿度下、室温において一夜撹拌し、
後処理して８．３ｇの粗生成物を得、これをシリカゲル
クロマトグラフィー（展開液トルエン／醋酸エステル、
３／１）およびメチレンクロライド／メタノールからの
再結晶により精製した。収率４０％。

【００８８】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　、ＴＭＳ）
δ（ｐｐｍ）、１．４−１．９（ｍ、２４Ｈ、ＣＨ２　
）、２．３７（ｔ、８Ｈ、ＣＨ２　）、４．０（ｔ、８
Ｈ、ＣＨ２　）、４．２（ｓ、８Ｈ、ＣＨ２　）、６．
９５（ｄ、８Ｈ、芳香族Ｈ）、７．５（ｄ、８Ｈ、芳香
族Ｈ）、７．５５−７．８（ｍ、１６Ｈ、芳香族Ｈ）、
相転移、ｇ−ｎ２５℃、ｎ−ｉ９０℃。

【００８９】（実施例２）ペンタエリトリット−テトラ
−（ω−（４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−ヘ
プチルカルボキシレート） （ａ）８−（４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−
オクタン酸実施例１（ａ）と同様にして、ただし６−ブ
ロモカプロン酸の代りに８−ブロモオクタン酸を使用し
て処理した。収率３０％、融点１４７−１４８℃。

【００９０】（ｂ）８−（４′−シアノビフェニル−オ
キシ）−オクタン酸クロライド 実施例１（ｂ）と同様にして、ただし６−（４′−シア
ノビフェニル−４−オキシ）−カプロン酸の代りに上記
８−（４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−オクタ
ン酸を使用して処理した。収率９５％、融点５７−５８
℃。

【００９１】（ｃ）ペンタエリトリット−テトラ−（ω
−（４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−ヘプチル
カルボキシレート） 実施例１（ｃ）と同様にして、ただし６−（４′−シア
ノビフェニル−４−オキシ）−カプロン酸クロライドの
代りに上記８−（４′−シアノビフェニル−４−オキシ
）−オクタン酸クロライドを使用して処理した。収率３
８％。

【００９２】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　、ＴＭＳ）
δ（ｐｐｍ）、１．１−１．９３（ｍ、４０Ｈ、ＣＨ２
　）、２．３（ｔ、８Ｈ、ＣＨ２　）、４．０（ｔ、８
Ｈ、ＣＨ２　）、４．１２（ｓ、８Ｈ、ＣＨ２　）、７
．０（ｄ、８Ｈ、芳香族Ｈ）、７．５３（ｄ、８Ｈ、芳
香族Ｈ）、７．６−７．８（ｍ、１６Ｈ、芳香族Ｈ）。 相転移、８−ｓ２０℃、ｓ−ｎ８０℃、ｎ−ｉ９５℃。

【００９３】（実施例３）マンニット−ヘキサ−（ω−
（４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−ペンチルカ
ルボキシレート） 実施例１（ａ）、１（ｂ）、１（ｃ）と同様にして、た
だしペンタエリトリットの代わりにマンニットを使用し
て処理した。収率３５％。

【００９４】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　、ＴＭＳ）
δ（ｐｐｍ）、１．３８−１．９（ｍ、３６Ｈ、ＣＨ２
　）、２．２７−２．５２（ｍ、１２Ｈ、ＣＨ２　）、
３．８８−４．１（ｍ、１４Ｈ、ＣＨ２　）、４．２−
４．３８（ｍ、２Ｈ、ＣＨ２　）、５．０−５．２（ｍ
、２Ｈ、ＣＨ）、５．４３−５．５５（ｍ、２Ｈ、ＣＨ
）、６．９−７．０７（ｍ、１２Ｈ、芳香族Ｈ）、７．
４−７．７５（ｍ、３６Ｈ、芳香族Ｈ）。相転移、ｇ−
ｃｈ３４℃、ｃｈ−ｉ１１５℃。

【００９５】（実施例４）マンニット−ヘキサ−（ω−
（４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−ヘプチルカ
ルボキシレート） 実施例２（ａ）、２（ｂ）、２（ｃ）と同様にして、た
だしペンタエリトリットの代りにマンニットを使用して
処理した。収率３６％。

【００９６】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、ＴＭＳ
）、δ（ｐｐｍ）、１．０−１．８（ｍ、６０Ｈ、ＣＨ
２　）、２．１−２．４（ｍ、１２Ｈ、ＣＨ２　）、３
．７−４．１（ｍ、１４Ｈ、ＣＨ２　）、４．２−４．
３２（ｍ、２Ｈ、ＣＨ２　）、４．９−５．１（ｍ、２
Ｈ、ＣＨ）、５．３５−５．５（ｍ、２Ｈ、ＣＨ）、６
．８−７．１（ｍ、１２Ｈ、芳香族Ｈ、７．５−８．０
（ｍ、３６Ｈ、芳香族Ｈ）。相転移、ｇ−ｓ２７℃、ｓ
−ｃｈ１１６℃、ｃｈ−ｉ１１７℃。

【００９７】（実施例５）ビス−１，２，３−プロパン
トリカルボン酸トリ−（４−（４′−ウンデシルオキシ
）−ビフェニルカルボン酸−（Ｓ−２−メチル）−ブチ
ルエステル）−イル−アジペート （ａ）４−（４′−ω−ヒドロキシウンデシルオキシ）
−ビフェニルカルボン酸−（Ｓ−２−メチル）−ブチル
エステル ３６．１ｇ（１２７ミリモル）の４−（４′−ヒドロキ
シビフェニル）−カルボン酸−（Ｓ−２−メチル）−ブ
チルエステル、３２ｇ（１２７ミリモル）の１１−ブロ
モ−１−ウンデカノールおよび２０ｇ（１４５ミリモル
）の無水炭酸カリウムを５００ミリリットルのジメチル
ホルムアミド中において、ヒドロキシビフェニルカルボ
ン酸エステルが完全に反応するまで１００℃において撹
拌した。これは薄層クロマトグラフィーで確認した。 室温に冷却して、副生成物を分離、除去した。濾液から
溶媒を蒸散除去し、固体粗生成物をアセトンから２回再
結晶させた。収率４５％。

【００９８】（ｂ）２−ヒドロキシ−１，２，３−プロ
パントリカルボン酸トリ−（４−（４′−ウンデシルオ
キシ）−ビフェニルカルボン酸−（Ｓ−２−メチル）−
ブチルエステル）−イル−エステル ０．８ｇ（３．６ミリモル）のくえん酸、５ｇ（１１ミ
リモル）の４−（４′−ω−ヒドロキシウンデシルオキ
シ）−ビフェニルカルボン酸−（Ｓ−２−メチル）−ブ
チルエステルおよび１ｇのｐ−トルエンスルホン酸を、
１５０ミリリットルの無水トルエン中において還流加熱
した。蒸気相を凝縮させ、水分を除去し、トルエン相を
返送し、完全反応後、溶媒およびｐ−トルエンスルホン
酸を蒸散除去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー
（展開液トルエン／醋酸エステル５／１）およびメタノ
ールからの再結晶により精製した。収率３０％。

【００９９】（ｃ）ビス−１，２，３−プロパントリカ
ルボン酸トリ−（４−（４′−ウンデシルオキシ）−ビ
フェニルカルボン酸−（Ｓ−２−メチル）−ブチルエス
テル）−イル−アジペート ３．５ｇ（２．３ミリモル）の２−ヒドロキシ−１，２
，３−プロパントリカルボン酸トリ−（４−（４′−ウ
ンデシルオキシ）−ビフェニルカルボン酸−（Ｓ−２−
メチル）−ブチルエステル−イル−エステル、０．３ミ
リリットルのトリエチルアミン、および５０ｍｇの４−
ジメチルアミノピリジンを、−５から−１０℃において
０．２７ミリリットル（１．２ミリモル）のアジピン酸
ジクロライドと共に、１００ミリリットルのメチレンク
ロライドに添加し、この温度で３０分間撹拌し、室温ま
で加熱し、くえん酸誘導体が完全に反応するまで撹拌し
た。

【０１００】次いで反応混合物に水を添加し、有機相を
分離し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を除去した
。残渣をテトラヒドロフランに溶解させ、石油エーテル
で沈澱させた。収率８２％。

【０１０１】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　、ＴＭＳ）
δ（ｐｐｍ）、０．９５−１．９５（ｍ、ＣＨ、ＣＨ２
　、ＣＨ３　）、２．７５−２．９５（ｍ、ＣＨ２　）
、３．９５−４．３０（ｍ、ＯＣＨ２　）、６．９０−
８．１０（ｍ、芳香族Ｈ）。

【０１０２】（実施例６）グリセリン−トリ−（ω−（
４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−ヘプチルカル
ボキシレート） （ａ）グリセリン−トリ−（ω−ブロモヘプチルカルボ
キシレート）９８ｇ（１００ミリモル）のグリセリン、
２６ｇ（３３０ミリモル）のピリジンおよび３００ミリ
リットルのメチレンクロライドから成る溶液に、８０ミ
リリットルのメチレンクロライドに溶解させた８０ｇ（
３３０ミリモル）の８−ブロモオクタン酸クロライドを
添加し、高湿度下、室温において２４時間撹拌し、後処
理して６８ｇの上記生成物を得た。収率９６％。

【０１０３】（ｂ）グリセリン−トリ−（ω−（４′−
シアノビフェニル−４−オキシ）−ヘプチルカルボキシ
レート） ７．１ｇ（１０ミリモル）のグリセリン−トリ−（ω−
ブロモヘプチルカルボキシレート）、６．２ｇ（３２ミ
リモル）の４−（４′−ヒドロキシビフェニル）−カル
ボニトリル、４．４ｇ（３２ミリモル）の磨砕されたば
かりの赤熱炭酸カリウムならびに０．５ｇの沃化カリウ
ムを７０ミリリットルの２−ブタノン中において４８時
間還流加熱した。次いでこれを水中に投入し、有機相を
醋酸で抽出し、後処理して８ｇの粗生成物を得、シリカ
ゲルクロマトグラフィー（展開液トルエン／醋酸エステ
ル）で精製した。収率１７％。

【０１０４】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　、ＴＭＳ）
δ（ｐｐｍ）、１．２−１．３５（ｍ、１８Ｈ、ＣＨ２
　）、１．５５−１．７（ｍ、６Ｈ、ＣＨ２　）、１．
７−１．９（ｍ、６Ｈ、ＣＨ２　）、２．３３（ｔ、６
Ｈ、ＣＨ２　）、３．９７（ｔ、６Ｈ、ＣＨ２　）、４
．１−４．２５（ｍ、２Ｈ、ＣＨ２　）、４．２５−４
．４（ｍ、２Ｈ、ＣＨ２　）、５．３（ｍ、１Ｈ、ＣＨ
）、６．９３（ｄ、６Ｈ、芳香族Ｈ）、７．５（ｄ、６
Ｈ、芳香族Ｈ）、７．５７−７．８（ｍ、１２Ｈ、芳香
族Ｈ）。相転移、ｇ−ｎ１３℃、ｎ−ｉ９１℃。

【０１０５】（実施例７）グリセリン−トリ−（ω−（
４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−デシルカルボ
キシレート） （ａ）グリセリン−トリ（ω−ブロモデシルカルボキシ
レート）実施例５（ａ）におけると同様にして、ただし
８−ブロモオクタン酸クロライドの代りに１１−ブロモ
ウンデカン酸クロライドを使用して処理した。

【０１０６】（ｂ）グリセリン−トリ−（ω−（４′−
ブロモデシルカルボキシレート） 実施例６（ｂ）と同様にして、ただしグリセリン−トリ
−（ω−ブロモヘプチルカルボキシレート）の代りにグ
リセリン−トリ−（ω−ブロモデシルカルボキシレート
）を使用して処理した。収率１５％。

【０１０７】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　、ＴＭＳ）
δ（ｐｐｍ）、１．２−１．４（ｍ、３０Ｈ、ＣＨ２　
）、１．４−１．５（ｍ、６Ｈ、ＣＨ２　）、１．５−
１．７（ｍ、６Ｈ、ＣＨ２　）、１．７−１．９（ｍ、
６Ｈ、ＣＨ２　）、２．３（ｔ、６Ｈ、ＣＨ２　）、４
．０（ｔ、６Ｈ、ＣＨ２　）、４．１−４．２（ｍ、２
Ｈ、ＣＨ２　）、４．２６−４．３５（ｍ、２Ｈ、ＣＨ
２　）、５．２８（ｍ、１Ｈ、ＣＨ）、６．９５（ｄ、
６Ｈ、芳香族Ｈ）、７．５３（ｄ、６Ｈ、芳香族Ｈ）、
７．５５−７．８（ｍ、１２Ｈ、芳香族Ｈ）。相転移、
ｇ−ｓ８℃、ｓ−ｎ８４℃、ｎ−ｉ９０℃。

【０１０８】（液晶化合物ＩＩ　の製造）（実施例８）
３，４，５−トリ−（４−（４′−ヘキシルオキシ）−
ビフェニルカルボニトリル−オキシ）−安息香酸メチル
エステル １．８ｇ（１０ミリモル）の３，４，５−トリヒドロキ
シ安息香酸メチルエステル、１０．７ｇ（３０ミリモル
）の４−（４′−ω−ブロモヘキシルオキシ）−ビフェ
ニルカルボニトリル、４．１ｇ（３０ミリモル）の磨砕
されたばかりの赤熱炭酸カリウム、５ｇ（３０ミリモル
）の沃化カリウムおよび５０ミリリットルの無水ニトロ
ベンゼンを撹拌下に１５０℃で８時間加熱し、室温まで
冷却してから、この懸濁液を濾別し、濾液からニトロベ
ンゼンを蒸散、除去し、残渣をシリカゲルクロマトグラ
フィー（展開液トルエン／醋酸エステル２／１）で精製
した。次いで主留分を３０ミリリットルのメチレンクロ
ライドに溶解させ、撹拌下に２００ミリリットルの冷メ
タノールに滴下し、沈澱生成物を濾別し、冷メタノール
で洗浄し、乾燥した。収率３９％。

【０１０９】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　、ＴＭＳ）
δ（ｐｐｍ）、１．４−１．５（ｍ、１２Ｈ、ＣＨ２　
）、１．５−２．１（ｍ、１２Ｈ、ＣＨ２　）、３．９
２（ｓ、３Ｈ、ＯＣＨ３）、３．８−４．２（ｍ、１２
Ｈ、ＣＨ２　−Ｏ）、６．８−７．１（ｍ、６Ｈ、芳香
族Ｈ）、７．２８（ｓ、２Ｈ、芳香族Ｈ）、７．３−７
．８（ｍ、１８Ｈ、芳香族Ｈ）。相転移Ｋ−ｇ１２７℃
、ｇ−ｎ（２７℃）、ｎ−ｉ（１２５℃）。

【０１１０】（実施例９）１，３，５−トリ−（４−（
４′−ヘキシルオキシ）−ビフェニルカルボニトリル−
オキシ）−ベンゼン 実施例８におけると同様にして、ただし３，４，５−ト
リヒドロキシ安息香酸メチルエステルの代りに１，３，
５−トリヒドロキシベンゼンを使用して処理した。収率
３５％。

【０１１１】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　、ＴＭＳ）
δ（ｐｐｍ）、１．３６−１．７（ｍ、１２Ｈ、ＣＨ２
　）、１．７−２．１（ｍ、１２Ｈ、ＣＨ２　）、３．
９３（ｔ、６Ｈ、ＣＨ２−Ｏ）、４．０２（ｔ、６Ｈ、
ＣＨ２　−Ｏ）、６．０９（ｓ、３Ｈ、芳香族Ｈ）、７
．０（ｄ、６Ｈ、芳香族Ｈ）、７．４−７．８（ｍ、１
８Ｈ、芳香族Ｈ）。相転移、ｇ−ｎ２５℃、ｎ−ｉ１１
６℃。

【０１１２】（実施例１０）フロログルシン−トリ−（
ω−（４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−ヘプチ
ルカルボキシレート） 実施例２（ｃ）におけると同様にして、ただしペンタエ
リトリットの代りに１，３，５−トリヒドロキシベンゼ
ンを８−（４′−シアノビフェニル−４−オキシ）−オ
クタン酸クロライドと反応させて、処理した。収率３５
％。

【０１１３】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＳＯ−ｄ６、ＴＭＳ
）δ（ｐｐｍ）、１．１−１．５５（ｍ、１８Ｈ、ＣＨ
２　）、１．５５−１．９（ｍ、１２Ｈ、ＣＨ２　）、
２．５２（ｔ、６Ｈ、ＣＨ２　）、４．０（ｔ、６Ｈ、
ＣＨ２　）、６．９（ｓ、３Ｈ、芳香族Ｈ）、７．０３
（ｄ、６Ｈ、芳香族Ｈ）、７．６６（ｄ、６Ｈ、芳香族
Ｈ）、７．７２−８．０（ｍ、１２Ｈ、芳香族Ｈ）。相
転移、ｋ−ｇ１１４℃、ｇ−ｎ２２℃、ｎ−ｉ９８℃。

【０１１４】（実施例１１）１，２，４，５−ベンゼン
テトラカルボン酸−テトラ−（４−（４′−ヒドロキシ
）−ビフェニルカルボニトリル）−イル−エステエル１
．１ｇ（５ミリモル）のピロメリット酸無水物、５．２
ｇ（２０ミリモル）の４−（４′−ω−ヒドロキシヒド
ロキシル）−ビフェニルカルボニトリル、０．２ｇのｐ
−トルエンスルホン酸および５０ミリリットルのキシレ
ンを、水分の遮断下に１２時間還流加熱した。冷却後、
１００ミリリットルのメチレンクロライドを添加し、慣
用処理後、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（展開
液トルエン／醋酸、４／１）で、主留分をトルエンから
の再結晶により精製した。収率３２％。

【０１１５】１　Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、ＴＭＳ
）δ（ｐｐｍ）、１．３−１．５２（ｍ、１６Ｈ、ＣＨ
２　）、１．６−１．８（ｍ、１６Ｈ、ＣＨ２　）、３
．９７（ｔ、８Ｈ、ＣＨ２）、４．３（ｔ、８Ｈ、ＣＨ
２　）、７．０（ｄ、８Ｈ、芳香族Ｈ）、７．６５（ｄ
、８Ｈ、芳香族Ｈ）、７．７２−７．９（ｍ、１６Ｈ、
芳香族Ｈ）、８．１（ｄ、２Ｈ、芳香族Ｈ）。相転移、
ｋ−ｎ１４０℃、ｎ−ｉ（９８℃）。

【０１１６】（実施例１２）（切換時間の測定）３種類
の液晶化合物（実施例７、８、９）ならびに下式の単量
体単位

【０１１７】

【化３１】 から構成される重合体液晶の最短切換時間τを測定した
。

【０１１８】この測定のため、それぞれＥＨＣコンパニ
ー、リミテッドの密着ポリアミド層を有する２μｍ厚さ
のセルを使用した。切換え実験はすべて方形波電圧±１
５Ｖ、１ｋＨｚで行なわれた。

【０１１９】

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　以下の一般式Ｉおよび　ＩＩＺ１　−
   （Ｘ１　−Ｒ１　−Ｙ−Ｍ）ｍ　　　　　　　ＩＺ２　
   −（Ｘ２　−Ｒ１　−Ｙ−Ｍ）ｎ　　　　　　ＩＩによ
   り表われ、かつＺ１　が炭素原子数３から３０のｍ価脂
   肪族アルコールもしくはｍ価脂肪族カルボン酸のアルコ
   レート残基もしくは酸残基Ｚ１　／１を、５員もしくは
   ６員のｍ価脂環式アルコールもしくはｍ価脂環式カルボ
   ン酸のアルコレート残基もしくは酸残基Ｚ１　／２を、
   ｍが３である場合には下式（式中ｐは１もしくは２を意
   味する）の窒素含有残基Ｚ１　／３を、 【化１】 ｍが３である場合には下式の残基Ｚ１　／４ａ−ｄ　を
   、【化２】 ｍが３あるいは４である場合には下式（式中ｑは２ある
   いは３を意味する）のニトリロトリ醋酸もしくはエチレ
   ンジアミノテトラ醋酸の酸残基Ｚ１　／５を、あるいは
   下式（式中ｑは２もしくは３を意味する）の残基Ｚ１　
   ／６ 【化３】 をそれぞれ意味し、Ｚ２　が下式（式中Ｒ２　はハロゲ
   ン、シアノ、ニトロ、Ｃ１　−Ｃ１０アルキル、Ｃ１　
   −Ｃ１０アルコキシ、Ｃ１　−Ｃ１０アルコキシカルボ
   ニル、Ｃ１　−Ｃ１０アシルオキシあるいは隣位におい
   て環に結合される残基であって、γは０から３の数値で
   ありγが１より大きい場合、Ｒ２　は互に同じであって
   も異なってもよい）【化４】 で示されるベンゼンのｎ価残基Ｚ２　／１を、下式（式
   中Ｒ３　はＣ１　−Ｃ４　アルキル、Ｃ１　−Ｃ４　ア
   ルコキシあるいはハロゲンを意味する） 【化５】 で示される多環残基Ｚ２　／２を、あるいはｎが３であ
   る場合には下式（式中ｓは０もしくは１を意味する） 【化６】 で示される燐含有残基Ｚ２　／３をそれぞれ意味し、Ｘ
   １　が化学結合あるいは−ＣＯ−基を、 【化７】 （式中Ｒ４　は水素あるいはＣ１　−Ｃ８　アルキルを
   意味するが、Ｚ２　が多環残基Ｚ２　／２である場合に
   は−Ｏ−もしくは−Ｏ−ＣＯ−のみを意味する）を、ｍ
   が３から６の数（ただしＺ１　における炭素数と同じで
   あるか、あるいはこれより小さい）を、ｎが３から６を
   、Ｒ１　が２から１２個のブリッジ員を有するＣ２　−
   Ｃ２０ブリッジ（ただし酸素、硫黄あるいは−ＮＲ４　
   −で切断されていてもよく、このヘテロ単位はそれぞれ
   少くとも２個の炭素原子で隔離されている）を、Ｙが化
   学結合、酸素、硫黄、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−
   ＮＲ４　−、−ＣＯ−ＮＲ４　−あるいは−ＮＲ４　−
   ＣＯ−を、Ｍが液晶相において０．３より大きい｜Δε
   ｜を持つ誘電率εの異方性を示し、かつ／もしくは光学
   的活性である化合物から誘導されたメソーゲン基をそれ
   ぞれ意味することを特徴とする液晶化合物。
2. 【請求項２】　　請求項（１）による液晶化合物であっ
   て、メソーゲン基Ｍが以下の一般式　ＩＩＩ−Ａ−（Ｂ
   −Ａ−）ｔ　（Ｄ１　）ｕ　　　　　　　ＩＩＩで表わ
   され、かつ Ａがヘテロ原子として２個までの窒素原子を有し、置換
   基として弗素、塩素、臭素、ニトロあるいはシアノを持
   っていてもよい１，４−フェニレン基あるいは２，６−
   ナフチレンを、あるいは隣接しない位置にヘテロ原子と
   して酸素、硫黄あるいは窒素を２個まで持っていてもよ
   い１，４−シクロヘキシレン基を意味し、Ｂが化学結合
   あるいは以下のブリッジ員、すなわち 【化８】 Ｄ１　が以下の置換基、すなわち弗素、塩素、臭素、ニ
   トロ、シアノ、−Ｏ−ＣＦＨ２　−、−ＯＣＦ２　Ｈ−
   、−ＯＣＦ３、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ５　あるいは−ＣＯ−Ｏ
   −Ｒ５　（Ｒ５　は酸素により破断されていてもよく、
   また弗素、塩素、臭素、シアノあるいはメチルにより対
   称的に置換されていてもよい直鎖性Ｃ１　−Ｃ２０アル
   キル基を、ｔが１から４の数値（ただしＡとＢとでは異
   なっていてもよい）を、ｕはＤ１　が芳香族環と結合さ
   れているときは１を、Ｄ１　がシクロヘキシレン環と結
   合されているときは１あるいは２をそれぞれ意味するこ
   とを特徴とする化合物。
3. 【請求項３】　　請求項（１）による液晶化合物であっ
   て、メソーゲン基Ｍが以下の一般式　ＩＶ−Ａ−（Ｂ−
   Ａ−）ｔ　（Ｄ２　）ｎ　　　　　　　　　ＩＶで表わ
   され、かつ Ｄ２　が弗素、塩素、臭素、シアノ、トリフルオロメチ
   ルあるいはメチルにより１個もしくは２個の炭素原子に
   対称的に置換されており、−ＣＯ−Ｏ−で１個所あるい
   は−Ｏ−で２個所まで切断されていてもよいＣ１　−Ｃ
   ２０直鎖アルキル基を、あるいは 【化９】 で切断されている直鎖Ｃ１　−Ｃ６　アルキル基を意味
   し、この鏡像体基Ｄ２　がさらに−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−
   あるいは−Ｏ−ＣＯ−によりＡと結合していてもよいこ
   とを特徴とする化合物。