JPH02228A - 光学活性化合物および液晶組成物と光学活性化合物合成用中間体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明は新規な光学活性化合物およびこれを用いた液晶
組成物と、光学活性化合物を合成するための中間体とに
関する。 ［従来の技術］ 液晶表示素子は低駆動電圧、低消費型ツバ薄形・軽量等
の特徴があり、電卓、時計、テレビ等に適用されている
。これらの表示材料には現在ネマチプク型液晶が広く用
いられているが、応答速度が数十５ｓｅｃ、と遅いとい
う欠点があった。この点の改善の試みの一つとして、強
誘電性液晶を利用する表示方式が提案されている。（Ｎ
、＾、　Ｃ１ａｒｋら：Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓ、　
ＬｅｔＬ、、３６．８９９　［１９８Ｇ］　）この方式
は強誘電性液晶のカイラルスメチックＣ相（以下Ｓｃ”
相と略記する）を利用するものであり、強誘電性液晶材
料にはＳｃ”１１１が室温を含む広い温度範囲にあるこ
と、応答速度が大きいこと、らせんピッチが長いこと等
が要求される。 ［発明が解決しようとする課題］ これらの条件は通常、強誘電性液晶単独では達成不可能
であることから、Ｓｃ”相温度範囲の調節や液晶組成物
の低粘度化等の目的のためにも、他の強誘電性液晶ない
し非強誘電性液晶を数種混合することが通常行われてい
る。しかし、従来このようにして得られた強誘電性液晶
材料も実用に供するには応答速度が十分に速くないなど
の問題があった。 ［課題を解決するための手段］ 本発明で；よ、下記　数式（１）： （式中、Ｒ１は炭素数４〜２２のアルキル基またはのア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基の
いずれか　Ｑ　ＩＩは光学活性炭素、鴎は０または１．
ｎはθ〜６の整数である。（ただしＹが水素原子でＸが
番または一＠−ｅ−であり、かつＲ１がアルキル基の場
合、ｎは０である。））で表わされる光学活性化合物お
よびこの光学活性化合物を含有する液晶組成物を用いる
こと、また上記一般式（１）で表わされる光学活性化合
物を得るために、下記一般式（ｒｉ）で表わされる光学
活性化合物合成用中間体を用いることにより、上記課題
を解決するようにしに０ （Ｑはハロゲン原子、ニトリル基または水酸基）のいず
れか、Ｙは水素原子、水酸基、ハロゲン原子、メチル基
、ニトリル基のいずれか、Ｚはメチル基、ハロゲン原子
またはＣＰｓ、Ｒ”は炭素数１０以下（式中、Ｙは水酸
基、ハロゲン原子、メチル基、ニトリル基のいずれか、
Ｚはメチル基、ハロゲン原子、ＣＦ”のいずれか％Ｒ”
は炭素数１０以下のアルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アラルキル基のいずれか、Ｃ＊は光学活性炭素、
讃は０または１％ｎは０〜６の整数である。）［作用］ 強誘電性液晶の自発分極は液晶性化合物の分子軸に垂直
な双極子に起因しているので、分子軸に垂直な双極子と
してコアに直結したカルボニルを利用する。さらにカル
ボニルと光学活性炭素とを直結させることにより自発分
極を増大させる。 またカルボニルと光学活性炭素°とを直結しｆ二液品性
化合物のコアに置換基を導入することにより、多様な性
質を持つ液晶性化合物を多数提供できる。 さらに」二足液晶性化合物のカルボニルのオルト位に水
酸基を導入すると、カルボニルと水酸基の双極子の方向
が揃うので液晶性化合物の自発分極を増大できる。 以下、本発明の詳細な説明する。 強誘電性液晶の自発分極は液晶の分子軸に垂直な双極子
に起因している。本発明の第１の特徴は、分子軸に垂直
な双極子としてコアに直結したカルボニルを利用してい
ることにある。 コアと光学活性炭素でカルボニルを挾む形の部分構造を
持つ強誘電性液晶はこれまで２件の例があるにすぎない
。（Ｉ、１１．Ｇｏｏｄｂｙら、Ｊ、Ａｍ、Ｃｈｅｓ、
Ｓｏｃ、。 １９８６．４７３６　、斎藤ら、特開昭６１−６３６３
３号）これら２件の報告においては、カルボニルを＋ｈ
つ強誘電性液晶の自発分極について何もふれていない。 しかし、いずれもカルボニルと光学活性炭素とが離れて
いるために自発分極は小さいと推定される。 事実、本発明者らが合成した類似化合物の自発分極は表
１に示したように小さな値しか示していない、カルボニ
ルと光学活性炭素の間にあるメチレンの敗を２→１→０
と変化させることによって、Ｓｃ”相を示す温度範囲は
やや狭くなるが、自発分極は大きく変化する。すなわち
カルボニルと光学活性炭素を直結させると自発分極は顕
著に増大する。この関係は、表１中に示したようにカル
ボニルのオルト位に水酸基等が導入されている後述の場
合にも役に立つ。カルボニルと光学活性炭素を直結させ
ることが自発分極を増大させるうえでいかに大きな効果
があるかは、表１から明らかである。 従来報告されている強誘電性液晶では、コアと光学活性
炭素に挾まれた。双極子としてエーテルまたはエステル
を利用するものがほとんどであった。 コアと光学活性炭素に挾まれた双極子をエーテル、エス
テルからカルボニルに替え不ことによる自発分極の変化
を表２に示す。双極子モーメントととらに自発分極が増
大することがわかる。 本発明の第二の特徴は、上記特徴を有ずろコアに置換基
を導入することにより、多様な性質を持つ液晶性化合物
を多数提供できることにある。これら置換基のうら、カ
ルボニルのオルト位に導入された水酸基は特に顕著な効
果を発揮する。すなわちカルボニルのオルト位への水酸
基の導入により、自発分極をさらに増大させることがで
きるだけでなく、表３に示したようにＳｃ”温度範囲が
広く、かつ低温側にシフトした強誘電性液晶を実現する
ことができる。水酸基の導入による自発分極の増大は、
カルボニルと水酸基の分子内水素結合（その存在は赤外
吸収スペクトルにおいて、１６３０〜１６４０ｃｍ−’
にカルボニルの吸収が現れることから明らかである）に
よってカルボニルと水酸基の双極子の方向が揃うためで
ある。 強誘電性液晶分子に水ｉＩｉ！２居を導入すると、水酸
基の分子間水素結合のため、一般に高温域に液晶相を示
す強誘電性液晶を得ることができる。水酸基をカルボニ
ルのオルト位に導入する場合には、分子内水素結合の形
成により、表３に示したように逆（こＳｃ′″温度範囲
を低温側に大きくシフトさＵ・ることができろ。 カルボニル基をコアと光学活性炭素で直接挟む形の部分
構造を持つ強誘電性液晶に、さらにカルボニルのオルト
位に水酸基を導入することの有利性は上記にとどまらな
い。すなわち表３から明らかなように、水酸基の導入に
よりＳｃ”相の低温側にある高次のスメクチック相が消
失することである。これは、この強誘電性液晶を表示材
料として利用する場合に有利なことである。 上記一般式（りで表される本発明の化合物群は、次のよ
うな性質の化合物群に分類することができる。 ■大きな自発分極を持つ強誘電性液晶、■自発分極は小
さいが、広い温度範囲でＳｃ”相を示す強誘電性液晶、
■それ自身強誘電性は示さないが、スメクチックＣ相を
持つカイラルでない液晶に添加することにより強誘電性
を誘起する化合物、■シクロヘキサン環やピリミジン環
を持つために回転粘度の比較的小さい化合物、等である
。したがって上記一般式（１）で表される本発明の化合
物群は、実用性のある強誘電性液晶組成物の実現に必要
な各種の構成成分を多数提供できる点で極めて有用であ
る。 一般式（りの化合物は下記（Ｉ［Ｉ）式の経路に上り（
ただし、Ｒ１、Ｒ１、ＸＳＹ、　　Ｚ％Ｃ”　％ＩＩ、
ｉ　ｎｌ、を上記と同じ意味である。） すなわち（Ｗ）のような酸ハロゲン化物と一般式（ＩＩ
）で表わされる光学活性基を有する置換フェノール類と
をピリジンのような塩基性溶媒の存在下で反応さＵ゛る
ことにより製造できる。 一方の原料である酸ハロゲン化物（Ｗ）は、対応するカ
ルボン酸に塩化ヂオニルを作用させろことにより容易に
製造できる。 他方の原料である一般式（■）で表されろ請求項１３記
載の光学活性化合物合成用中間体のうち、ｇ＋＝０でＹ
が水素原子またはＣＨｓである化合物は、（ＩＶ）式の
ようなフリーデルクラフッ反応により製造される。 請求項１３記載の中間体のうち員＝０でＹがハロゲン原
子である化合物は（Ｖ）式のようなフリーデルクラフッ
反応により製造される。 −−−−−−−−−（Ｖ） 請求項１３記載の中間体のうち−＝０でカルボニルのオ
ルト位にＯＮのある化合物は（Ｖｌ）式のよニルのメタ
位にＯＨのある化合物は（ＩＶ）式と同様の反応で製造
される。 置換フェノール（Ｐ）のうち、識＝ｉの化合物は（■）
式のような反応経路により製造される。 （以下、余白） さらに光学活性基を有する請求項！３記載の中間体は、
（■）式のような反応経路によって製造することもでき
る。 （以下、余白） として好適に用いられるものとしては次のものがあげら
れる。 （以下、余白） 一般式（＋）で表される本発明の請求項１ないし６記載
の光学活性化合物を含有する本発明の請求項７ないし１
２記載のカイラル液晶組成物の他の成分は、強誘電性の
液晶性化合物であってもよく、また光学活性炭素を含ま
ない非強誘電性液晶性化合物であってしよい。本発明の
カイラル液晶組成物に使用される一般式（１）で表され
る化合物以外の化合物の例を以１・゛に示オ。 強誘電性液晶性化合物 Ｒ−０−＠−Ｃｏｏ−＠−Ｃｏｏ−ＣＨｚ−Ｃ”ｌ（（
ＣＨ：１）−ＣｚＨｓ（以下、余白） Ｒ−０舎ｏｃｏ魯号０−ＣＨ２−Ｃ”Ｈ（ＣＨ：１）−
Ｃ２Ｈ４゜式中０１は光学活性炭素を示し、Ｒ３は炭素
数６〜１４の直鎖状アルキル基、Ｒ４は炭素数２〜６の
直鎖状アルキル基またはイソブチル基である。 ｂ）非強誘電性液晶性化合物 Ｒ５０−＠−Ｃｏｏ　−＠−０Ｒ６゜ Ｒ５０−＠−Ｃｏｏ−＠−Ｒｅ Ｒ５−＠−Ｃｏｏ−＠−０Ｒ６゜ Ｒ５ＣＯＯ−＠−Ｃｏｏ　−＠−Ｒ６ Ｒ５ＣＯＯ−＠−Ｃｏｏ　−＠−ｏＲｓＲ５（（洲−＠
−ｃｏｏ÷ＯＲ６゜ Ｒ５０−＠−ｅ−Ｃｏｏ−＠−０Ｒ６を式中、Ｒ％、　
ｎ　＠はそれぞれ炭素数４〜１０のアルキル基である。 ［実施例］ 以下、本発明を実施例および製造例によりさらに詳細に
説明するが、もちろん本発明の主旨と適用範囲はこれら
の実施例によって限定されるものではない。なお、以下
の実施例においては原料の光学活性カルボン酸としてＳ
型の物質を使用した例だけを記載するが、Ｒ型の光学活
性カルボン酸を原料とした場合にもそれぞれ同一の相転
移温度の物質が得られる。これは理論上からも当然のこ
とである。ただし、旋光度、螺旋の捻じれ向き、自発分
極の向きはＳ型とＲ型では逆になる。 （実施例１〜３３） 一般式（１）で示される化合物の具体例を合成し、その
相転移温度ならびに自発分極（Ｐｓ）を表４に示す。表
４においてＹの欄で２−ＯＨ，２−ＣＱ。 ２−　ＣＨｓとあるのはカルボニルに対して２−位（オ
ルト位）に置換基があることを示す。また相転移温度は
ＤＳＣならびに偏光顕微鏡観察によって決定した。自発
分極（Ｐｓ）は三角波法により測定し、Ｓｃ”相の上限
温度から１０℃低い温度での値を表４に示した。 （製造例１）　（実施例２の化合物） ４−（４°−オクチルオキシフェニル）安息香酸３−ヒ
ドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェ
ニルの合成 ■３−ヒドロキシー４−（ｌ−オキソ−２−メチルブチ
ル）フェノールの合成 １０．３ｙのＳ−（＋）−２−メチルブタン酸に無水の
塩化亜鉛１６．３９を混合し、１１０℃に加熱して溶解
させた後、レゾルシン１３．２９を加え、撹拌しながら
３０分で１５０℃まで加熱した。その後室温まで冷却し
、濃塩酸２５ｓｉ２と水２５−ｇの混合液を加え、５０
ｓ１２のエチルエーテルで３回抽出した。合体したエー
テル抽出液を炭酸水素ナトリウム水溶液で３回、水で３
回洗浄したのち、無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、溶媒
を除去して９．２９の液状反応混合物を得た。この反応
混合物をシリカゲルカラム（充填剤：ワコーゲルＣ−２
０Ｏ１和光純薬、溶離液：クロロホルム）により精製し
て、６．２ｇの３−ヒドロキシ−４−（ｌ−オキソ−２
−メチルブチル）フェノールを液状物質として得た。 ＩＲ（ａｍ−’）：　３３６１％１６２９．１６０１、
＋５１４．１４４３．１３８３、＋２３１、＋１３２ ’ＩＩＮＭＲ６ｐｐｆｆｉ　（ＣＤＣｆｆａ）：０．９
に３１１．Ｌ、−ｅｌｌ、ｅｌｌ、）、１゜２０（３１
１，ｄ、−ＣｌｌＣ１ｌ＊）、１．５１および１．８３
（２１１，ｍ、−ＣＩＩＣＩＩ、Ｃ１１３）、３．３３
（ｌ１１．ｍ、−Ｃ”１１−）、０１「 ■４−（４°−オクチルオキシフェニル）安息香酸３−
ヒドロキシ−４−（ｌ−オキソ−２−メチルブチル）フ
ェニルの合成 ■項で得た３−ヒトＣｌキシ−４−（１−オキソ−２−
メチルブチル）フェノール０．５ｇを無水ピリジン１５
＋ａ１２に溶かし、この溶液＋、：、ｌ　　（、ヒオク
チルオキシフＪ、ニル）安息香酸塩化物０．７９を無水
塩化メチレン２（Ｉｍ（！に溶かしたものを、＋５！　
ｒｌ’下に約１時間で滴下した。二の反応混合物を室ｌ
！＋ａで４０時間撹拌したのら、；３０〇−稀塩酸中に
投入し、クロロホルム％　５０　ｅｌｌとエーテル５０
ｍ１！を加え、よ＜Ｉｍ盪した後、白°機層を分離した
。この有機層を稀塩酸で２回、炭酸水素ナトリウム水溶
液で１回、３％塩化ナトリウム水溶液で３回洗浄した後
、無水Ｆ＆酸ナトリウムで乾燥、乾燥剤を濾別後、溶媒
を除いてｔｕ生成物０．２５９を得た。この１ｎ生成物
をシリカゲルカラム（充填剤：ワコーゲルＣ−２００，
溶離液：クロロホルム）で精製した後、クロロホルム１
０−ｎヘキサン９０の混合溶媒から再結晶して０．０Ｂ
ｙの４−（４°−オクチルオキシフェニル）安息香酸３
−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）
フェニルを得た。 ＩＲ（Ｋ［ｌｒ、　ｃｍ−’）：　２９２９．１７３６
．１６３８．１６０５．１２５６．８２８．７６６ ’ＩＩＮＭＲδｐｐｍ　（ＣＤＣＩ＋）：０．９０．０
，９５、■、２４、！、３０〜１．３４．１．３９〜１
．６０゜１．７８〜１．８４．３．４１．４．０２．６
．８３．６．８９．７．００．７．５９．７．７０、？
、８６．８．２１ （製造例２）（実施例９の化合物） （Ｓ）−３−フルオロ−４−オクチルオキシ安息香酸３
−ヒドロキシ−４−（ｌ−オキソ−２−メチルブチル）
フェニル ３−フルオロ−４−オクチルオキシ安息香酸塩化物（３
−フルオロ−４−オクチルオキシ安息香酸を塩化チオニ
ルと処理して得た）０．７９と（Ｓ）−３−ヒドロキシ
−４−（＋−オキソ−２−メチルブチル）フェノール０
．５１Ｆを上記製造例１と間諜に処゛理して、（Ｓ）−
３−フルオロ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）
フェニルの粗製物１．３２ｙを得た。これをピリジン−
滴を加えたエタノールから再結晶した後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー　（溶離液；クロロホルム）に
掛け、さらにエタノールから２回再結晶することにより
液体クロマトグラフ（ＯＤ　Ｓ　：溶離液ＴＨＦ／メタ
ノール）で純度１００％の目的物３８０＋９を白色結晶
として得た。 ＩＲ（ａｍ−’）：　　２９２ｇ、　２８５６、１７３
６、１６３８、１６１６．１２８４．１１８６．１１２
６．７５４’Ｉｔｌ１ＭＲδｐｐｍ　（ＣＤＣｅａ）：
０．８９（３＋１．Ｌ、−Ｃ１１，Ｃ旺）、０．９５（
３１１，ｄ、−ＣＩＩＩＣω、１．２３（３１１，ｄ、
ＣｌＩＣ１ｌａ）　、　１．２５〜１．８７（１４Ｈ，
ｍ、Ｃ１１ｔ）　、３．４０（ｌＨ，ｓ、−Ｃ１１−）
、４．１２（２＋１．ｔ、−ＣＩ＋１０Ｐｈ）、（製造
例３） （Ｓ”）−３，４°−ジヒドロキシー４−（ｌ−オキソ
−２−メチルブチル）−１，１°−ジフェニル（一般式
（ＩＩ）において、Ｙ　＝　ＯＨｌＺ　＝　ＣＨｍ、Ｒ
””　Ｃ雪Ｈｓ、ｎｘＱである化合物）■３．４°−ジ
メトキシー！、ビー゛ジフェニルの合成 一−ヨードアニソール７０．２９（０，３モル）および
ｐ−ヨードアニソール７０．２９（０，３モル）を、６
０±５℃に加熱し、これに銅粉末１６５ｇを加えて２０
０〜２２０℃で１２時間反応した。ついで反応混合物に
トルエン４５０ｍ１２を注入し、不溶物を濾別し、溶媒
留去して得た？Ｉｌ結晶をカラム分離（充填剤：ワコー
ゲルＣ−２００、溶離液二〇−ヘキサン／酢酸エチル＝
２０／ｌ）Ｌ、さらにエタノールより再結晶して３．４
°−ジメトキシ−１゜ｌｏ−ビフェニルＩＴ、４９を白
色結晶として得た。 （収率：　２７％）　　　ａ、ｐ、：５９．５〜６１．
０℃■３．４”−ジヒドロキシ−１，１’−ジフェニル
の合成 ■項で得た３、４°−ジメトキシ−！、１°−ジフェニ
ル１５．９９（０，０７５モル）および塩化アルミニウ
ム４５９をトルエン２２５ｍ１２中、撹拌還流を８時間
行った。反応液を希塩酸水溶液中に注入し、酢酸エチル
抽出した。有機層を分取し、水洗後無水硫酸すトリウｌ
、て乾燥しｌ為乾燥剤を沌則し、溶媒留去して得られた
褐色油状物をカラム分離（充填剤：ワ＝コーゲルＣ−２
００、溶離液：ｎ−ヘキサン）し、さらに水より再結晶
して３．４°−ジヒドロキシ−１、ｌ’−ジフェニル７
．２ｇを白色結晶として得た。 （収率：５２％）　ｓ、ｐ、：１９３．０〜１９４．５
℃。 ■（Ｓ）−３，４°−ジヒドロキシ−４−（ｌ−オキソ
−２−メチルブチル）−１，ｓｏ−ジフェニルの合成 ニトロベンゼン１５−ｅに塩化アルミニウム、５　、７
９および０項で得た３、４′″−ジヒドロキシ−１，１
°−ビフェニル６．５１ＦＣ３５ミリモル）を加え７０
℃に加熱し、これにＳ−（＋）−２−メチルブタン酸塩
化物４．Ｂｙ（４０ミリモル）を注入した。 次いで１３０〜１３５℃で４時間撹拌反応させ、冷後、
希塩酸水溶液中に注入し、酢酸エチルで抽出した。有機
層を分取し、水洗、乾燥（乾燥剤：無水硫酸マグネシウ
ム）、溶媒留去して褐色油状物を得た。次いで油状物を
カラム分離（充填剤：ワコーゲルＣ−２００、溶離液：
ｎ−ヘキサン／アセトン＝ＩＯ／１）Ｌ、（Ｓ）−３，
４°−ジヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−メチルブ
チル）−１，ビージフェニル２．０９を淡黄色の油状物
として得た。 （収率２２％） ＩＲ（ｃｍ−’）　：　Ｈ２Ｏ，２９６Ｇ、１６１Ｇ’
ＩＩＩＩＭＲδｐｐｍ　（ＣＤＣＩ！ｓ）：０．９６（
３１１，ｔ、−Ｃ１１ｍＣ１１ｓ）、１．２５（３１１
，ｄ、−ＣＩＩＣＩＩｓ）、１．５０＝　１．９３（２
１１，ｍ、ＣＩＩＣＩＩｍＣＩＩｓ）、３．４６（ＩＩ
ｌ、ｖｒ、Ｃ１１）、５．３４（ＩＨ，Ｓ、夛昏）、　
ｓ、５ｏｔ２＋、ｃ＋、ｓｏ菱＋。 １２．７０（ＩＨ，Ｓ、４　（：Ｏ−３元素分析値（Ｃ
Ｉ？Ｈ１８０ｓ） 計算ｌ：　Ｃニア５．５３＄　　ＩＩ：　６．７１％実
測値：　Ｃニア５．ＳＯ襲　ＩＩ：　６．８１％（？Ｊ
造例４）（実施例１０の化合物）（Ｓ）−３，４°−ジ
ヒドロキシ−４−（ｌ−オキソ−２−メチルブチル）−
１，１”−ジフェニルと４−オクチルオキシ安息呑酸塩
化物とを製造例１と同様に反応させて４−オクチルオキ
シ安息香酸３°−ヒドロキシ−４°＝（１−オキソ−２
−メチルブチル）−１，１°−ジフェニルを得た。 比旋光ｔｅ　　［ａｌ”：　＋１２，７°（Ｃ□２．Ｏ
ＣｌＩＣ１２＊）ＩＲ（ＩＩ：Ｉｌｒ　　ｃｍ−１）：
　　ｌ？２０（Ｃｏｏ）　、菫６３４（Ｃ＝Ｏ）　、１
６０８、’ＩＩＩＩＭＲδｐｐｍ　（ＣＤＣ２＊）：０
．８７〜０．９９（６１１，ｓ、２ＣＨｓ）、１．２ｓ
（３Ｈ，ｄ、Ｃ’ＨＣＨｓ）、１．３０＝　１．９１（
１４Ｈ，ｓ、ｃＨ＊）、３．４６（ＩＨ，ｓ、Ｃ″ｎ）
、４．０５（２１１，Ｌ　、Ｃ１１，０）、Ｈ （製造例５）（実施例！２の化合物） トランス−４−（４°−ノニルオキシフェニル）シクロ
へキシルカルボン酸４−（ｔ−オキソ−２−メチルブチ
ル）−３−ヒドロキシフェニルエステルの合成 容量ｔリットルの三ロフラスコにイソアミルアルコール
１５０ｍ１！および４−（４°−ノニルオキシフェニル
）安息香ｍ２．０６９をいれ、加熱撹拌し溶解させた。 還流させながら、イソアミルアルコール７０ｓｅに加熱
溶解させた金属ナトリウム８２を滴下した。２０分間還
流した後、金属ナトリウム８ｇを加え、３０分後にイソ
アミルアルコール６０＠Ｑに金属ナトリウム１２９を溶
解した溶液を加え、さらに４０分後イソアミルアルコー
ル２５ＩＩＱを加えた。１時間還流した後、室温に戻し
、水５００＋ｅｌ！を加えて一夜放置した。クロロホル
ム２００ｍ１！で抽出することにより、トランス−４（
４゛−ノニルオキシフェニル）シクロへキシルカルボン
酸０．９９を得た。 得られたトランス−４−（４°−ノニルオキシフェニル
）シクロヘキシルカルボン酸０．６ｇをトルエン中、塩
化チオニル５ｍ１２と加熱し、その後、溶媒を常圧およ
び減圧下に加熱留去して４−（４°−ノニルオキシフェ
ニル）シクロへキシルカルボン酸塩化物を得た。これを
四塩化炭素４０ｔａＱに溶かし、（Ｓ）−３−ヒドロキ
シ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェノール
０．５６ｙを四塩化炭素１０ｍＱに溶かした溶液、およ
びピリジン５ａ１２を加えて、室温で一昼夜撹拌した。 ついで、１時間加熱還流した後、水を加えて有機層を分
取した。希塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和
食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウム上で一夜乾燥
した。溶媒を留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶離液：クロロホルム）により分離し、エタノー
ルから２回再結晶することにより、目的とする（Ｓ）−
）ランス−４−（４°−ノニルオキシフェニル）シフＵ
へキシルカルボン酸４−（１−オキソ−２−メチルブチ
ル）−３−ヒドロキシフェニルエステル０．０４９を得
た。同定は赤外吸収スペクトルおよび核磁気共鳴スペク
トルを測定することにより行った。 ＩＲ（Ｋｌｌｒ　ｃｍ−１）　：　２９２４．１７６Ｑ
（Ｃｏｏ）、１６３８ｒｃ＝ｏ）、１６２０．１５！０ １！！口Ｒ６ｐｐｍ　（ＣＤＣＩ２３）　：０．８８（
３１１，Ｌ、Ｃ１１３）、０．９３（３１１，Ｌ、ＣＩ
＋３）、１．２１（３１１，ｄ、−Ｃ１１−Ｃ１１ｓ）
、１．２８（１２１１，ａ、（ＣＩＩ＊）ｓ）、１．４
〜１．５（劃１．１１．−Ｃ１１”ＣＨｔＣｌｌｓの１
１１＋ｅｑ、−Ｃ１ｌ＊）、１　、６〜１．９（５１１
，ｖｂ、　ａｘ−Ｃ１１ｍ＋ＣｌＩＣｌ１ｔＣ１ｌｓの
１１１゜◆ＣＨ＊ＣＩｌ＊Ｐｈ）、 ２、０２（２１１，ａ、ｅｑ、　−Ｃ１１ｍ）　、２．
２５（２１冒、ａ、ａｘ−Ｃ１１ｇ）　、２．５〜２．
６（４Ｈ，ｍ、ａｘ−Ｃ１１）　、３．３７（ＩＩＩ、
ｑ、−Ｃ１ｌ−）　、１２．７８　（ＩＨ，Ｓ、ＯＨＩ （製造例６）（実施例１３の化合物） （Ｓ）−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェニ
ル４−（５−オクチル−２−ピリミジニル）ベンゾエー
トの合成 ２０（ｌａ１２のナス形フラスコに四塩化炭素ｌｏｍＱ
。 ４−（５−オクチル−２−ピリミジニル）安息香酸２．
０９、塩化チオニル５ｓｉ２およびＤＭＦ’−滴を加え
、撹拌しながら３時間加熱、還流させた。常圧ついで減
圧下に溶媒を留去し、４−（５−オクチル−２−ピリミ
ジニル）安息香酸塩化物２．２９を無色板状晶として得
た。 ４−（５−オクチル−２−ピリミジニル）安息香酸塩化
物１．２９、四塩化炭素２０ｓ＋ｌｌ、無水ピリジン５
１１２を２００ｍ１！ナス形フラスコ中で撹拌し、溶解
させた。この溶液に（Ｓ）−４−（１−オキソ−２−メ
チルブチル）フェノール０．７ｇを四塩化炭素１０＠ｉ
Ｆに溶かした溶液を加え、室温で１夜撹拌した。ついで
、３時間加熱、還流さＵｏて反応さＵ・た。反応溶液に
水２００−とエーテル＋００１１ｉ２を１ｊ１１え、撹
拌した後、有機層を分取した。ついで、希塩酸、炭酸水
素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナ
トリウム上で乾燥させた。 −夜放置後、乾燥剤を濾別し、溶媒を留：Ｊ−ずろこと
により、粗製物１．８６ｙを得た。粗製物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサンと酢酸エ
チルの混合溶媒（体積比８：２））およびエタノールか
らの再結品により精製して、目的とする（Ｓ）−４−（
１−オキソ−２−メチルブチル）フェニル４−（５−オ
クチル−２−ピリミジニル）ベンゾエート２００Ｂを無
色結晶として得た。 ＩＲ（ａｓ−”）　　：　　２９４０，１７４０（ＣＯ
Ｏ）、１６８０（Ｃ□Ｏ）’ＩＩＮＭＲδＰＰ１（ＣＤ
ＣＩ２ｓ）　　：　　０．８８（３１１，Ｌ、Ｃ１１＊
）、０．９４（３１１，ｔ、Ｃ１１ｓ）、１．１６（３
１１，ｄ、ＣＩＩＣＩＩｓ）、１．２〜１．４（１０１
１，ｍ、（ＣＩｌｍ）ｓ）、１．５２＋１．８６（２Ｈ
，ｌ＋、−ＣＩＣＨ＊Ｃｌｌ５）。 １．６８（２１１，ｍ、Ｃ１１，Ｃ１１１ＰＦ）、２．
６６（２１１，Ｌ、−ＣＩＩｔＰｙ）ｓ／ｅ　　：　　
４７２（Ｍ＋）、２９６（製造例７）（実施例１５の化
合物） ■２−クロロー４−（１−オキソ−２−メチルブチル）
フェノールの合成 ｍ−クロロアニソール１１．３９（７９ミリモル）を無
水１．２−ジクロロエタン１００ｍ５に溶かし、０℃以
下に冷却しこれにＩＯ，５ｙ（７９ミリモル）の粉砕し
た塩化アルミニウムを少しずつ投入した。 これに、Ｓ−（＋）−２−メチルブタン酸塩化物９．４
Ｂｙ（７９ミリモル）、を無水１．２−ジクロロエタン
５０１に溶かしたものを１時間で撹拌下に滴下した。滴
下終了後、さらに１０．５ｇの粉砕した塩化アルミニウ
ムを加えた後、この反応混合物を４時間還流し、室温ま
で冷却後°、５００１の粉砕した水上に注入し、２００
ｓ１２のクロロホルム、を加え“て橙黄色の有機層を分
離した。このｆｆ機溶液を水洗し、硫酸ナトリウムで乾
燥後、乾燥剤を濾別し、溶媒をとばして粘稠な液状生成
物５．５曾を得た。この液状物質からシリカゲルク

【！
マドグラフィ（充填剤：ワコーゲルＣ−２００、和光純
薬、溶離液：クロロホルム）により２−クロロ−４−（
１−オキソ−２−メチルブチル）フェノール２．３９を
液状物質として得た。 ＩＲ（ａｓ−”）：３３４０．２９ｇ０．１６？０１１
５９７．１５６９．１２９５．１２２１．１Ｇ５３．９
（１’ｍ ’）Ｉ）ＩＭＲδｐｐｍ　　（ＣＤＣＩ２ｓ）：０．９
２．１．１？、１．４５．１．７９．３．２６．５．８
８．６．７７．６．９０．７．３７ ■４−（４°−オクチルオキシフェニル）安息香酸２−
クロロ４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェニル
の合成 ０項で得た２−クロロ−４−（ｌ−オキソ−２−メチル
ブチル）フェノール４５０１を無水ピリジン１５−ｇに
溶かし、この溶液に４−（ｌｌｏ−オクチルオキシフェ
ニル）安息香酸塩化物７００ｓ９を無水塩化メチレン２
０ｍ（！に溶かしたものを、撹拌下に約重時間で滴下し
た。この反応混合物を室温で４０時間撹拌したのち、３
時間煮沸させ、室温まで冷却後、希塩酸３００−ａ中に
投入し、りＣ１（Ｉホルム５０−ａとエチルエーテル５
０ｍ（！を加え、よく振盪した後、有機層を分離した。 この有機層を希塩酸で２回、炭素水素ナトリウム水溶液
で１回、３％塩化ナトリウム水溶液で３回洗った後、無
水硫酸ナトリウムで乾燥、乾燥剤を濾別後、溶媒をとば
して９００ｓ９の反応混合物を得た。これをシリカゲル
カラムクロマトグラフィ、−（充填剤：ワコーゲルＣ−
２００、和光純薬、溶離液：クロロホルム）により精製
し、エチルアルコールから３回再結晶して、２４３ｓ９
の４−（４°−オクチルオキシフェニル）安息香酸２−
クロロ−４−（１−オキソ−２−メチルブチル）フェニ
ルを得た。 ＩＲ（ＫＢｒ）（ａｍ−’）：　２９５７．１７４０，
１６９５．１６０３．１２６３．１１９７．１０６Ｂ、
８３０．７６６ ’ＩＩＮＭＲδ　ｐｐ霞　（ＣＤＣＩ！コ）　：０．９
０．０．９３．１．２１．１．２ｇ、４．０２、？、０
３、？、２４、？、３５．７、ＳＬ’１．５９．７４２
Ｊ、２２ （製造例８）（実施テ１１６の化合物）４−（４°−オ
クチルオキシフェニル）　安Ｑ、　Ｎ　Ｈ３−メチル−
４−（ｌ−オキソ−２−メチフレブチル）フェニルエス
テルの合成 ■３−メチルー４−（Ｉ−オキソ−２メグ・ルブチル）
フェノールの合成 一−クレゾール１．Ｑｖ（９，３ミリモル）を無水塩化
メチレン５０識１２にとかし、０℃以下；こ冷却し、こ
れに２．５ｙ（１８，７ミリモル）の粉砕した塩（ヒア
ルミニラムを少しずつ投入した。これζこ（Ｓ）−（＋
）−２−メチルブタン酸塩化物１．０９（８，３ミリモ
ル）を無水塩化メチレン３０−Ｑにと／１篇シた溶液を
１時間で撹拌下に滴下した。滴下終了後、この反応混合
物を４時間還流し、室温まで冷却後、２００９の粉砕し
た水上に注入し、さらに１００ｍＣの塩化メチレンを加
えて橙黄色の有機層を分離した。この塩化メチレン溶液
から５％Ｎａ０ＩＩ水溶’ＷＪｔ　Ｉ　ＯＯｔａ（ｌで
２回、フェノール性生成物を抽出し、合体したアルカリ
性水溶液を希塩酸でｐｕｓとし、エチルエーテル１０Ｑ
＋ａ（ｌで２回抽出しｊ為このエーテル溶液を水洗し、
硫酸マグネシラノ、で乾燥後、乾燥剤を濾別し、溶媒を
除去して粗生成物１．５９を得た。この粗生成物か＾シ
リカゲルカラムクロマト（充填剤：ワコーゲルＣ−２０
０、溶離液：クロロホルム）により３−メチル−４−（
＋−オキソ−２メチルブチル）フェノール０．３４９を
得た。 ＩＲ（ａｍ−’）：　３３５０．１６５８．１６１１５
．１５７６．１２２０’ＩＩ　　ＮＭＲδ　ｐｐｍ　　
（ＣＤＣＩｓ）：０．９０（ｔ、３１１．Ｃ１１ｔＣ１
１ｓ）、１．１４（ｄ、３Ｈ，ＣＩＩＣＩＩｓ）、１．
４３および１．７９（ｓ、２Ｈ，ｃＩＩｃＩＩｔｃｌＩ
ｓ）酸３−メチル−４−（１−オキソ−２−メチルブチ
ル）フェニルエステルの合成 ０項で得た３−メチル−４−（！−オキソー２メチルブ
ヂル）フェノール３４０ｍｇを無水ピリジン２０ｓ＋１
２にとかし、この溶液に４−（４°−オクチルオキシフ
ェニル）安息香酸塩化物８６Ｏ＠９を無水塩化メチレン
５０１に溶かしたものを、撹拌下に約１時間で滴下した
。この反応混合物を１０時間加熱還流させ、室温に冷却
後、３００ｍ１２希塩酸中に投入、クロロホルム１００
ｓ（！を加え、良く振盪した後、Ｒ１８層を分離した。 この有機層を希塩酸で２卯、炭酸水素ナトリウム水溶液
で１回、３％塩化ナトリウム水溶液で３回洗浄した後、
無水硫酸ナトリウムで乾燥、乾燥剤を濾別後、溶媒を除
いて粗生成物７００＠ｆを得た。この粗生成物をシリカ
ゲルカラム（充填剤：ワコーゲルＣ−２００、溶離液：
クロロホルム）で精製した後、エチルアルコールから３
回再結晶して５４ａ９の４−（４°−オクチルオキシフ
ェニル）安息香酸３−メチル−４−（１−才キソー２−
メチルブチル）フェニルエステルを得た。 ＩＲ（ＫＢｒ）（ａｍ−’）　　：　　２９２９．１７
４０．ｌＨ６，１６０８，１２７７、ｔｏｇｏ、ｇａｓ
、７６５ ’ＩＩＩＩＭＲδｐｐｍ　（ＣＤＣＱ２）：０．９０（
ｔ、３１１）、０．９３（ｔ、３１１）、１．１５（ｄ
、３１１）、１．２６〜１．５５（ｍ、１３１１）、１
．７８（＋＋＋、ｌ１１）、２．４５（ｓ、３１１）、
３．２２（鳳、Ｌｌｌ）、４．０５（Ｌ、２１１）、６
．９７（ａ、２１１）、７．３１（ｄ、２１１）、７．
６０（ｄ、１１１）、７．７０（ｄ、２１１）、８．０
３（ｄ、２１１）、８．１４（（１，２＋１）（製造例
９）（実施例２９の化合物） （Ｓ　）−（−）−２−クロロ−３−メチルブタン酸塩
化物とフェノールを出発原料とし、製造例８と同様の方
法で（Ｓ）−４−（１−オキソ−２−クロロ−３−メチ
ルブチル）フェノールを得た。このフェノールに４−（
４°−オクチルオキシフェニル）安息香酸塩化物を作用
８什て、４−（４°−オクチルオキシフェニル）安息８
酸４−（１−オキソ−２−クロロ−３−メチルブチル）
フェニルを得た。 ＩＲ（む−−’）　　：　　１７３８（Ｃ００）、１６
９５（Ｃ・Ｏ）、１６０４．１０７８．８３５．７７０ ’ＨＩＭＲδ井５（ＣＤＣｅｓ）： ０．９０（３１１，ｔ、ＣＨ＊Ｃ１１ｓ）、１．０４（
３１１，ｄ、ＣＩＩＣＩＬｓ）、１．１４（３１，ｄ、
ｃｌｌｃｌｌｓ）、１．２５〜１．６（１０Ｈ，（Ｃ１
１ｍ）、１．８２（２１１，ｓ、０ｃ１１倉Ｃ１１ｔ）
、２．５１（ｌ１１．＊、ＣＬＣｌｌｓ）、４．０２（
２１１，Ｌ、０ＣＩＩ＊）、４．９１（ＩＩＩ、ｄ、ｃ
ｉｊｃｌり、７．０１（２１１，ｄ）、７．３８（２１
１，ｄ）、７．６０（２１１，ｄ）、？、７０（２１１
，ｄ）、８．０９（２＋１．ｄ）、８．２３（２１１，
ｄ）（製造例１０）（実施例３３の化合物）（ｓ　）−
（＋　）−２−フェニルプロピオン酸３．０９（２０ミ
リモル）に無水の酸化亜鉛３．：１（２４ミリモル）を
混合し、１１０℃に加熱して溶解させた後、レゾルシン
２．６４９（２４ミリモル）を加え、撹拌しながら２０
分で１５０℃まで加熱した。 その後、室温まで冷却し、濃塩酸１０ｍ（２と水５０ｍ
１を加え、５０ｓＱのエチルエーテルで３回抽出した０
合体したエーテル抽出液を炭酸水素ナトリウム水溶液で
２回、水で３回洗浄したのち、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、溶媒を除去して３．６９の粗生成物を得た。この
粗生成物をシリカゲルクロマト（充填剤：ワコーゲルＣ
−２００、溶離液：クロロホルム）により精製して、２
．Ｏｆの３−ヒドロキシ−４−（１−オキソ−２−フェ
ニルプロピル）フェノールを得た。 ＩＲ（ｃｍ−’）：　　３３５２，１６２８．１４５２
．１，３７６、．１２３０．１１？０゜このフェノール
６００ｍ９（２，５ミリモル）に、製造例菖の０項の方
法により４−（４°−オクヂルオキシフェらル）安息香
酸塩化物８３０　Ｂ（２，４ミリモル）を反応させて、
９６０ｓ９の祖生廖物を得た。この粗生成物をシリカゲ
ルクロマト（充填剤：ワコーゲルＣ−２００、溶離液：
クロロホルム５０／ヘキサン５０の混合溶媒）により精
製したのち、クロロホルム２０／エチルアルコール８０
の混合溶媒から再結晶して１５３Ｑの４−（４゜−オク
チルオキシフェニル）安息香酸３−ヒドロキシ−４−（
１−オキソ−２−）、エニルプロピル）フェニルを得た
。 ＩＲ（ａｍ−’）：　２９２４，１７３８，１６３４．
１６０６．１４９８．１２４８゜１１３２．１０６Ｂ、
８２４，７６４ （実施例３４） 一般式（１）の液晶性化合物のうち、実施例４の化合物
と下記の液晶性化合物を用いて液晶組成物を調製した。 Ｃ５Ｊｚｓ÷＠−ｃｏｏ−＠（ｌ−島−ＣＩ（（Ｏｌａ
）−ＣＪｓ　　（Ａ）組成物の調製法は、上記２種の液
晶性化合物を所定の１ｆｆｆｆｉ秤量し、２種の化合物
を加熱溶解しながら混合するものである。この化合物Ａ
の添加ｍと液晶温度範囲との関係を第１図に示す。化合
物へを添加することによって室温を含む広い温度範囲で
Ｓｃ’″相を示す強誘電性液晶組成物を得ろことができ
る。 （実施例３５） 実施例３４と同様の方法で・・数式（１）の液晶性化合
、物のうち、実施例４の化合物と下記の液晶性化合物を
用いて液晶組成物を調製した。 この化合物Ｂの添加量と液晶温度範囲との関係を第２図
に示す、化合物Ｂを添加することによって、室温を含む
広い温度範囲でＳｃ”相を示す強誘電性液晶組成物を得
ることができる。 （実施ＰＪ３６） 実施例３４と同様の方法で一般式（１）の液晶性化合物
のうち、実施例４と５の化合物を用いて液晶組成物を調
製した。実施例４の化合物の添加量と液晶温度範囲との
関係を第３図に示す。実施例４の化合物を８０ｗＬ％含
有ず・る強誘電性液晶組成物は、５０〜２０℃の温度範
囲で５ｃ１１相を示した。 （実施例３７） 実施例３４と同様の方法で一般式（１）の液晶性組成物
のうち、実施例２の化合物と下記の液晶性化合物（Ｂ）
どの等景況合物（ｉｉｆｎ比）を調製した。 この液晶組成物の相転移温度は、次のとおりであった。 Ｃｒ−２：Ｉ　Ｓｃ”　４９８ａ　９６１（実施例３８
） 実施例３４と同様の方法で一般式（夏）の液晶性組成物
のうち、実施例４の化合物と下記の液晶性化合物（Ｃ）
との等景況合、物（重量比）を調製した。 この液晶組成物の相転移温度は、次のとおりであった。 Ｃｒ　３　Ｓｃ”　５８３Ａ　　９６　Ｉ（実施例３９
） 実施例３４と同様な方法で一般式（１）の液晶性組成物
のうち、実施例２の化合物と下記の液晶性化合物を用い
て液晶組成物を調製した。 実施例２の化合物　　　　　　　　：２５ｗＬ％この液
晶組成物の相転移温度は、次のとおりであった。 Ｃｒ　１４　Ｓｃ”　３９　ＳＡ　１１７　Ｃｈ　１２
０１こ、の液晶組成物はコレステリック（Ｃｈ）相を有
し、かつ、室温を含む広い温度範囲でＳｃ”相を示した
。 （実施例４０） 実施例３４の液晶組成物のうち化合物へを３３ｗＬ％含
イｒする液晶組成物を用いて実験用液晶素子を作製した
。すなわち、透明電極が設けられているガラス基板上に
ポリイミド膜を設け、一定方向にラビングし、２枚のＪ
ｋ板のラビング方向が平行になる。１、うにガラスピー
ズ（ｉ■２μｆｆ１）をスペーサとして液晶セルを組み
立て、これに上記液晶を封入しｊ二らのである。このｉ
（＆品素子を２枚の直交°４゛ろ偏光子の間に設置し、
２５℃で、±ＩＯＶの電界を印加したところ透過光強度
が観測された。この時の透過光強度の変化から求めた応
答時間は、４２０μ秒であった。また、２０℃における
自発分極（Ｉ’ｓ）は５０　ｎＣ／ｃｍ’であった。 （実施例４１） 実施例４０と同様な方法で、実施例３５の液晶組成物の
うち化合物Ｂを５０ｗｔ％含有する液晶組成物を用いて
実験用液晶素子を作製した。±５ｖ／μ龍の電界を印加
して、透過光強度の変化を観測したところ、透過光強度
の変化から求めた応答時間は、３５℃で４０μ秒、３０
℃で５５μ秒、２５℃で７０μ秒であった。また、２５
℃における自発分極（Ｐｓ）は２０　ｎＣ／ｃｙｚ”で
あった。 （実施例４２） 実施例４０と同様な方法で、実施例３７の液晶組成物を
用いて実験用液晶素子を作製した。±５Ｖ　／　Ｂ　ｍ
の電界を印加して、透過光強度の変化を観測したところ
、透過光強度の変化から求めた応答時間は、４０　”Ｃ
テ８　：（Ｂ秒、；（５℃テ１４０　ｐ秒、３０℃で２
００μ秒であ−）た。 また３０℃における自発分極（Ｐｓ）は４０　ｎＣ／ｃ
Ｒ″であった。 （実施例４３） 下記の液晶組成物は２９℃に融点を持ち、６９℃までス
メクチックＣ相、８（１’ＣまでスメクチックＡ相、８
６℃までネマチック相を示す。 ２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−ヘプヂルオキ
シビリミジン　　　　　　　　　　　　　　３３％２−
（４−へキシルオキシフェニル）−５−オクチルピリミ
ジン　　　　　　　　　　　　　　　　３３％２−（４
−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオキシピリ
ミジン　　　　　　　　　　　　３３％この組成物に実
施例１２の化合物を１０％添加したところ、冷却時に、
８６℃〜８　／ｌ　’Ｃでコレステリック相、８４℃〜
５４℃でスメクチックＡ相、５４℃から室温以下までカ
イラルスメクチックＣ相を示した。 この液晶組成物を試験用液晶セル（１’Ｉ’　Ｏを蒸着
したガラス板、１−にポリイミド膜を設け、一定方向に
ラビングし、ポリエステルフィルノ、（厚み１２μ＋＝
）をスペーサに用いて、２枚の基板を張り合わせた）中
に封入しＯ、ｌ　’（”　ｍ分で冷却して、ＬＬ：験用
素子を作製した。この試験用素子に土３０Ｖの電圧を印
加し、偏光顕微鏡により観察したところ、透過光強度の
高速な変化が認められた。 （実施例４４） 下記の比で混合し、液晶組成物を作製した。 ２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−へブチルピリ
ミジン　　　　　　　　　　　　　　　　２２．２５２
−（４−へキシルオキシフェニル）−５−オクチルピリ
ミジン　　　　　　　　　　　　　　２２．２％２−（
４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオキシピ
リミジン　　　　　　　　　　　２２．２’、＊４−ペ
ンチルオキシフェニル４−オクヂルオキシベンゾエー）
　　　　　　　　　　　　　　　７．１ｍ４４−ヘキシ
ルオキシフェニル４−オクチルオキシベンゾエート　　
　　　　　　　　　　　　７．已４−へキシルオキシフ
ェニル４−デシルオキシベンゾエート７、已 ４−へキシルオキシフェニル４ペンチルベンゾエート　
　　　　　　　　　　　　　　　　７．１５実施例１３
の化合物　　　　　　　　　５．０−この組成物は、−
３，６℃〜４２℃でカイラルスメクチックＣ相、４２℃
〜６６℃でスメクヂックへ相、６６℃〜７７．５℃でコ
レステリック相を示した。 この液晶組成物を試験用液晶セル（ＩＴＯを蒸着したガ
ラス板上にポリイミド膜を設、け、一定方向に゛ラビン
グし、ガラスピーズ（径４μｍ）をスペーサに用いて、
２枚の基板を張り合わせた）中に封入して、試験用素子
を作製した。この試験用素子に±ＩＯＶの電圧を印加し
、偏光顕微鏡により［ＩＪＩＧしたところ、透過光強度
の高連な変化が認められた。その強度変化から、応答時
間を求めたところ、２５℃において７７０μ秒であった
。 （実施例４５） 下記の比で混合し、液晶組成物を作成した。 ２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−ヘプチルオキ
シピリミジン　　　　　　　　　　　　　３１　、７　
’ａ２−（４−へキシルオキシフェニル）−５−オクチ
ルピリミジン　　　　　　　　　　　　　　　３１．７
’＃ト（４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチル
オキシピリミジン　　　　　　　　　　　　　３１．７
−実施例Ｉ６の化合物　　　　　　　　　　４．９５こ
の組成物は、！２〜５９℃でカイラルスメクチックＣ相
、５９〜８２℃でスメクヂックへ相、８２〜８６．５℃
でコレステリック相を示した。 この液晶組成物を試験用液晶セル（ＩＴＯを蒸着したガ
ラス基板上にポリイミド膜を設け、一定方向にラビング
し、径４μｍのガラスピーズをスペーサに用いて、２枚
の基板を張り合わせた）中に封入して、試験用素子を作
製した。この試験用素子に±１０ｖの電圧を印加し、偏
光顕微鏡により観察したところ２、透過光強度の変化が
認められた。 （実施例４Ｇ） 本発明の（１）式の液晶性化合物のうち、実施例３の化
合物を用いて実験用液晶素子を作製した。 すなわち、透明電極が設けられているガラス基板上にポ
リイミド膜を設け、一定方向にラビングし、２枚の基板
のラビング方向に平行になるようにガラスピーズ（径２
μｍ）をスペーサとして液晶セルを組み立て、これに上
記液晶を封入したものである。この液晶素子を２枚の直
交ずろ偏光子の間に設置し、±ＩＯＶの電界を印加した
ところ、透過光強度の変化が観測された。この時の透過
光強度の変化から応答時間を求めたところ９２℃で５０
μ秒であった。 （実施例４７） 本発明の（１）式の液晶性化合物のうち、実施例６の化
合物と、４−ウンデシロキシ安息６酸４−ヘキシルオキ
シフェニルエステルを用いて、下記の組成の液晶組成物
を調製した。 Ｃ＋＋ＨＨＯ＠ＣＯ＠ＯＣ＊Ｈ＋ｓ ９４．３ｆｆｉｆｆｉ％ 組成物の調製法は、上記２ＦＩｉの液晶性化合物を所定
の！１１　ｌｉｔ秤ｍし、２種の化合物を加熱溶解しな
がら混合するものである。得られた組成物の相転移温度
（’Ｃ）は１・記のとおりであった。 Ｃｒ　４７　Ｓｃ”　　？Ｔ　ＳＡ　８８　Ｎ　９１１
また、５７℃でのＰｓはｌ　、　８５　ｎｃ／ｃｍ”ｔ
’　ア−）た。 （実施例４８） 本発明の（１）式の液晶性化合物のうち、実施例３２の
化合物を用いて、下記の組成の液晶組成物を調製した。 ２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−ヘプチルオキ
シピリミジン　　　　　　　　　　　　　３１．５％２
−（４−へブチルオキシフェニル）−５−才クヂルビリ
ミジン　　　　　　　　　　　　　　　３１．５％２−
（４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオキシ
ピリミジン　　　　　　　　　　　　３１．５％実施例
３２の化合物　　　　　　　　　　５．５％この組成物
は、５〜４３℃でカイラルスメクチックＣ相、４３〜８
３℃でスメクチックＡ１１′］、８３〜８６℃でコレス
テリック相を示した。 この液晶組成物を試験用液晶セル（１’ｒＯを蒸着した
ガラス板上にポリイミド膜を設け、一定方向にラビング
し、径１０μｍのガラスピーズをスペーサに用いて、２
枚の基板を張り合わせた）中に封入して、試験用素子を
作製した。この試験用素子に±２５Ｖの電圧を印加し、
偏光顕微鏡に、！、り観察したところ、透過光強度の変
化が認められた。 その強度変化から応答時間を求めたところ、３３℃で４
２０μ秒であった。また、３３℃における自発分極は２
　、９　ｎＣ／ａｍ”であった。 （実施例４９） 実施例３３の化合物を用いて、下記の組成の液晶組成物
を調製した。 ２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−ヘプチルオキ
シピリミジン　　　　　　　　　　　　　３０．０％２
−（４−へキシルオキシフェニル）−５−オクチルピリ
ミジン　　　　　　　　　　　　　　　３０．０％２−
（４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオキシ
ピリミジン　　　　　　　　　　　　３０．０％実施例
３３の化合物　　　　　　　　　１０．０％この組成物
は、１０〜５０℃でカイラルスメクチックＣ相、５０〜
８２．５℃でスメクチックＡ相、８２，５〜８５℃でコ
レステリック相を示した。 この組成物を用いて、実施例４０と同様の方法で試験用
素子を作製し、±２５Ｖの電圧を印加し、偏光顕微鏡に
より観察したところ、透過光強度の変化が認められた。 その強度変化から応答時間を求めたところ、４０℃で３
４０μ秒であった。 （実施例５０） 実施例３１の化合物を用いて、下記組成の液晶組成物を
調製した。 ２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−へブチルオキ
シピリミジン　　　　　　　　　　　　　３１．７％２
−（４−へキシルオキシフェニル）−５−オクチルピリ
ミジン　　　　　　　　　　　　　　　３１．７％２−
（４−オクチルオキシフェニル）−５−オクチルオキシ
ピリミジン　　　　　　　　　　　　３１．７％実施例
３１の化合物　　　　　　　　　４．９Ｓこの組成物は
、４〜５９℃でカイラルスメクチックＣ相、５９〜７５
℃でスメクチックＡ相、７５〜８２℃でコレステリック
相を示した。 （実施例５１） 下記の液晶組成物は４℃に融点を持ち、５０”Ｃまでス
メクチックＣ相、６４℃までスメチックＡ相、７３℃ま
でネマチック相を示す。 ２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−へブチルピリ
ミジン　　　　　　　　　　　　　　　　３３．３％２
−（４−ヘキシルオキシフェニル）−５−オクチルピリ
ミジン　　　　　　　　　　　　　　　３３．３％２−
（４−オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピリミジ
ン　　　　　　　　　　　　　　　　３３．３％この組
成物に実施例３の化合物７．５％および下記の強誘電性
液晶を７．５％添加したところ、ＣＨ３ Ｃ２）１５−〇”Ｈ−ＣＨ２−＠−Ｃｏｏ　−＠−＠−
０−ＣａＨ＋ｙ７７℃〜７１’Ｃでコレステリック相、
７１’Ｃ〜４６℃でスメクチックＡ相、４６℃〜１℃で
カイラルスメチックＣ相を示した。 この液晶組成物を試験用液晶セル（ＩＴＯを蒸着したガ
ラス板上にポリイミド膜を設け、一定方向にラビングし
、外径２μｍのガラスピーズをスペーサに用いて、２枚
の基板を張り合わせた）中に封入して、試験用素子を作
製した。この試験用素子に±ＩＯＶの電圧を印加し、偏
光顕微鏡により観察したところ、透過光強度の変化が認
められた。 その強度変化から応答時間を求めたところ、３０℃で３
００μ秒であった。 （実施例５２） 下記の比で液晶組成物を調製した。 ２−（４−ノニルオキシフェニル）−５−ヘプチルピリ
ミジン　　　　　　　　　　　　　　　　２６．６％２
−（４−へキシルオキシフェニル）−５−オクチルピリ
ミジン　　　　　　　　　　　　　　　２６．６＄２−
（４−オクチルオキシフェニル）−５−ノニリピリミジ
ン　　　　　　　　　　　　　　　　２６．６％Ｈ３ Ｃ２Ｈ３−Ｃ”Ｈ−ＣＨ２−＠−Ｃｏｏ　ｌ訓０−Ｃｅ
Ｈ警７１゜、。。 実施例６の化合物　　　　　　　　　　１０．０％この
組成物は、６９〜６４℃でコレステリック相、６４〜３
９℃でスメクチックＡＩｔＩ、３９〜０℃でカイラルス
メクヂックーＣ１１１を示した。 この液晶組成物を試験用液晶セル（ＩＴＯを蒸若したｔ
ラス板上にポリイミド膜を設け、一定方向にラビングし
、外径２μ−のガラスピーズをスペーサに用いて、２枚
の基板を張り合わせた）中に封入して、試験用素子を作
製した。この試験用素子に±１０ｖの電圧を印加し、偏
光顕微鏡により観察したところ、透過光強度の変化が認
められた。 その強度変化から応答時間を求めたところ、３０℃にお
いて１６０μ秒であった。 【発明の効果】 本発明により、大きな自発分極をもち、カイラルスメク
チックＣ相を広い温度範囲で示す非常に優れた強誘電性
液晶化合物、を提供することができる。また、本発明の
光学活性化合物を用いることにより、高速で応答する液
晶組成物を提供することができる。 （以下、余白）

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図はそれぞれ実施例４の化合物と化合
物Δ、実施例４の化合物と化合物１〕、実施例４の化合
物と実施例５の化合物の二成分混合系の相図である。図
中、Ｃｒ、Ｓｃ”　、Ｓ＾、１はそれぞれ結晶■１、カ
イラルスメクチック０相、スメタチブクＡ相、及び等方
性液相を示す。 出願人　１１本電信電話株式会社 代理人　　弁理士　志ｒＨｌ正武 ０発 明 者 丸 野 透 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 会社内 日本電信電話株式

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼−−−−−−−（
   I ） （式中、Ｒ＾１は炭素数４〜２２のアルキル基またはア
   ルコキシ基、 Ｘは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｑはハロゲン原子、ニトリル基または水酸基）のいず
   れか、Ｙは水素原子、水酸基、ハロゲン原子、メチル基
   、ニトリル基のいずれか、Ｚはメチル基、ハロゲン原子
   またはＣＦ＿３、Ｒ＾２は炭素数１０以下のアルキル基
   、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基のいずれか
   、Ｃ＾＊は光学活性炭素、ｍは０または１、ｎは０〜６
   の整数である。（ただし、Ｙが水素原子で、Ｘが▲数式
   、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表
   等があります▼ であり、かつＲ＾２がアルキル基の場合、ｎは０である
   。））で表わされる光学活性化合物
2. （２）請求項１記載の一般式（ I ）において、Ｒ＾１
   は炭素数４〜２２のアルキル基またはアルコキシ基、 Ｘは、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｑはハロゲン原子、ニトリル基または水酸基）のいず
   れか、Ｙは水酸基、ハロゲン原子、メチル基、ニトリル
   基のいずれか、Ｚはメチル基、ハロゲン原子またはＣＦ
   ＿３、Ｒ＾２は炭素数１０以下のアルキル基、アルコキ
   シ基、アリール基、アラルキル基のいずれか、Ｃ＾＊は
   光学活性炭素、ｍは０または１、ｎは０〜６の整数であ
   ることを特徴とする光学活性化合物
3. （３）請求項１記載の一般式（ I ）において、Ｒ＾１
   は炭素数４〜２２のアルキル基またはアルコキシ基、 Ｘは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｑはハロゲン原子、ニトリル基または水酸基）のいず
   れか、Ｙは水素原子、Ｚはメチル基、ハロゲン原子また
   はＣＦ＿３、Ｒ＾２は炭素数１０以下のアルキル基、ア
   ルコキシ基、アリール基、アラルキル基のいずれか、Ｃ
   ＾＊は光学活性炭素、ｍは０または１、ｎは０〜６の整
   数であることを特徴とする光学活性化合物
4. （４）請求項１記載の一般式（ I ）において、Ｒ＾１
   は炭素数４〜２２のアルキル基またはアルコキシ基、Ｘ
   は▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化
   学式、表等があります▼、Ｙは水素原子、Ｚはハロゲン
   原子またはＣＦ＾３、Ｒ＾２は炭素数１０以下のアルキ
   ル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基のいず
   れか、Ｃ＾＊は光学活性炭素、ｍは０または１、ｎは０
   〜６の整数であることを特徴とする光学活性化合物
5. （５）請求項１記載の一般式（ I ）において、Ｒ＾１
   は炭素数４〜２２のアルキル基またはアルコキシ基、Ｘ
   は▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化
   学式、表等があります▼、Ｙは水素原子、Ｚはメチル基
   、Ｒ＾２は炭素数１０以下のアルコキシ基、アリール基
   、アラルキル基のいずれか、Ｃ＾＊は光学活性炭素、ｍ
   は０または１、ｎは０〜６の整数であることを特徴とす
   る光学活性化合物
6. （６）請求項１記載の一般式（ I ）において、Ｒ＾１
   は炭素数４〜２２のアルキル基、Ｘは▲数式、化学式、
   表等があります▼または▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、Ｙは水素原子、Ｚはメチル基、Ｒ＾２は炭素数１
   ０以下のアルキル基、Ｃ＾＊は光学活性炭素、ｍは０ま
   たは１、ｎは０であることを特徴とする光学活性化合物
7. （７）請求項１記載の光学活性化合物を少なくとも１成
   分以上含有する液晶組成物
8. （８）請求項２記載の光学活性化合物を少なくとも１成
   分以上含有する液晶組成物
9. （９）請求項３記載の光学活性化合物を少なくとも１成
   分以上含有する液晶組成物
10. （１０）請求項４記載の光学活性化合物を少なくとも１
    成分以上含有する液晶組成物
11. （１１）請求項５記載の光学活性化合物を少なくとも１
    成分以上含有する液晶組成物
12. （１２）請求項６記載の光学活性化合物を少なくとも１
    成分以上含有する液晶組成物
13. （１３）下記一般式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼−−−−−−−−−
    −−−（II） （式中、Ｙは水酸基、ハロゲン原子、メチル基、ニトリ
    ル基のいずれか、Ｚはメチル基、ハロゲン原子、ＣＦ＾
    ３のいずれか、Ｒ＾２は炭素数１０以下のアルキル基、
    アルコキシ基、アリール基、アラルキル基のいずれか、
    Ｃ＾＊は光学活性炭素、ｍは０または１、ｎは０〜６の
    整数である。）で表わされる光学活性化合物合成用中間
    体