JPS6042225B2 - 液晶化合物 - Google Patents
液晶化合物Info
- Publication number
- JPS6042225B2 JPS6042225B2 JP51116849A JP11684976A JPS6042225B2 JP S6042225 B2 JPS6042225 B2 JP S6042225B2 JP 51116849 A JP51116849 A JP 51116849A JP 11684976 A JP11684976 A JP 11684976A JP S6042225 B2 JPS6042225 B2 JP S6042225B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- methyl
- butyloxy
- benzoic acid
- formula
- Prior art date
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な液晶化合物に関し、更にくわしくは、そ
の光学活性体はコレステリツク液晶となり、又そのラセ
ミ体はネマチツク液晶となる化合物に関する。
の光学活性体はコレステリツク液晶となり、又そのラセ
ミ体はネマチツク液晶となる化合物に関する。
叶１１ぐ■Ｒ（Ｉ）
Ｌ”
近時、液晶の表示素子への応用ならびにその実用化が大
いに進み、それに従つて既に多数の液晶化合物が見出さ
れて来ているが、実用的見地、即ち液晶表示素子の各分
野への利用の立場から見れば、更に各用途に適した液晶
化合物が要望されており、特に苛酷な使用条件下での長
期使用に耐え得る液晶材料が多く望まれている。
いに進み、それに従つて既に多数の液晶化合物が見出さ
れて来ているが、実用的見地、即ち液晶表示素子の各分
野への利用の立場から見れば、更に各用途に適した液晶
化合物が要望されており、特に苛酷な使用条件下での長
期使用に耐え得る液晶材料が多く望まれている。
現在、単一の化合物でこの様な要求を満たすものは殆ん
どなく、従つて、この様な目的のためには安定な、かっ
いろいろな液晶温度領域を有する液晶化合物を複数種混
合して、使用目的に応じた好適な液晶組成物を得ること
が行なわれている。本発明はこの様な目的に対して有効
に利用し得る新規な液晶化’合物に関するものである。
即ち、本発明の化合物は次の一般式 （但し式中Ｒは炭素数１〜Ｗ個の直鎖のアルキル基又は
アルキルオキシ基を示し、来印は不整炭素原子を示す）
で表わされるＰ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香
酸フェニルエステル類である。
どなく、従つて、この様な目的のためには安定な、かっ
いろいろな液晶温度領域を有する液晶化合物を複数種混
合して、使用目的に応じた好適な液晶組成物を得ること
が行なわれている。本発明はこの様な目的に対して有効
に利用し得る新規な液晶化’合物に関するものである。
即ち、本発明の化合物は次の一般式 （但し式中Ｒは炭素数１〜Ｗ個の直鎖のアルキル基又は
アルキルオキシ基を示し、来印は不整炭素原子を示す）
で表わされるＰ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香
酸フェニルエステル類である。
本化合物は宋印の炭素原子が不斉炭素原子であつて、一
方の対掌体のみからなる光学活性体はコレステリツク液
晶相を与え、又、ラセミ体ではネマチツク液晶相を与え
る。
方の対掌体のみからなる光学活性体はコレステリツク液
晶相を与え、又、ラセミ体ではネマチツク液晶相を与え
る。
又本化合物はシッフ化合物の様に水分に対して不安定で
あるという様な欠点を持たず、又アゾキシ化合物のよう
に光に対して不安定であるという欠点も特たず化学的に
極めて安定な化合物である。化学的に安定なコレステリ
ツク化合物として既に知られているものの例としては次
の様なものがあげらる。
あるという様な欠点を持たず、又アゾキシ化合物のよう
に光に対して不安定であるという欠点も特たず化学的に
極めて安定な化合物である。化学的に安定なコレステリ
ツク化合物として既に知られているものの例としては次
の様なものがあげらる。
（特開昭５１−７８７９１）
しかしこれ等は種々の通常使用目的に用いる液晶物質と
しては充分な広さのコレステリツク温度範囲を有してい
ないため、いずれも混合物として利用する必要があり、
そのためより好適な温度範囲に於てコレステリツク相を
呈する物質が要求される。
しては充分な広さのコレステリツク温度範囲を有してい
ないため、いずれも混合物として利用する必要があり、
そのためより好適な温度範囲に於てコレステリツク相を
呈する物質が要求される。
更に上記の各化合物は光学活性を有するアルキル基がベ
ンゼン核に直接結合した構造を有するために安価に工業
生産するには適さない。従つてこれ等製造困難な化合物
を数種類製造し、それ等の混合物である液晶化合物を調
合することは経済的に非実際的であることは明らかであ
る。本発明者等は特にこの点に注目し、製造のより容易
なコレステリツク化合物を種々探索した結果、前記（１
）式の化合物を見出して本発明に到達した。一般式（１
）で表わされる化合物類は光学活性を有するアルキル基
が酸素原子を介してベンゼン核に結合したＰ−（２−メ
チルーブチルオキシ）安息香酸のエステルであるため製
造が容易であり、かつ一つの中間原料であるＰ−（２−
メチルーブチルオキシ）安息香酸から一連の化合物が誘
導されるという経済的利点がある。本発明の化合物（■
）に於て光学活性のものはコレステリツク液晶となるが
、そのコレステリツク液晶温度範囲は比較的低いところ
にあるのでこの化合物類だけの混合物では特殊な低温で
の用途以外には不適当であるが、他のネマチツク液晶化
合物との併用には却つて好適である。
ンゼン核に直接結合した構造を有するために安価に工業
生産するには適さない。従つてこれ等製造困難な化合物
を数種類製造し、それ等の混合物である液晶化合物を調
合することは経済的に非実際的であることは明らかであ
る。本発明者等は特にこの点に注目し、製造のより容易
なコレステリツク化合物を種々探索した結果、前記（１
）式の化合物を見出して本発明に到達した。一般式（１
）で表わされる化合物類は光学活性を有するアルキル基
が酸素原子を介してベンゼン核に結合したＰ−（２−メ
チルーブチルオキシ）安息香酸のエステルであるため製
造が容易であり、かつ一つの中間原料であるＰ−（２−
メチルーブチルオキシ）安息香酸から一連の化合物が誘
導されるという経済的利点がある。本発明の化合物（■
）に於て光学活性のものはコレステリツク液晶となるが
、そのコレステリツク液晶温度範囲は比較的低いところ
にあるのでこの化合物類だけの混合物では特殊な低温で
の用途以外には不適当であるが、他のネマチツク液晶化
合物との併用には却つて好適である。
もし実質上１００％コレステリツク化合物より成りかつ
通常の温度範囲でコレステリツク相を呈するコレステリ
ツク液晶材料が必要な場合にはコレステリツク温度範囲
が比較的高い領域にある化合物と混合することによつて
目的を達することが出来る。例えば本出願人が先に出願
した（特願昭５１−９５８７４（特開昭５３−２１１４
８））次式（■）の化合物のコレステリツク温度範囲は
１２６〜２３０℃であるので本化合物との混合に好適で
ある。コレステリツク液晶はその散乱光の派長が温度に
よつて変化することを利用して温度表示等に利用される
ほか、コレステリツクニネマチツクの相５変化を利用し
た表示素子としての利用も有望視されている。
通常の温度範囲でコレステリツク相を呈するコレステリ
ツク液晶材料が必要な場合にはコレステリツク温度範囲
が比較的高い領域にある化合物と混合することによつて
目的を達することが出来る。例えば本出願人が先に出願
した（特願昭５１−９５８７４（特開昭５３−２１１４
８））次式（■）の化合物のコレステリツク温度範囲は
１２６〜２３０℃であるので本化合物との混合に好適で
ある。コレステリツク液晶はその散乱光の派長が温度に
よつて変化することを利用して温度表示等に利用される
ほか、コレステリツクニネマチツクの相５変化を利用し
た表示素子としての利用も有望視されている。
又ねじれた液晶を有する電界効果型表示素子（ＦＥＴＮ
方式）に用いるＮｐ液晶（誘電異方性が正のネマチツク
液晶）に小量（４）．５〜２％程度）添加することによ
つて表示の均一性を増大させることにも使用される。こ
のＦＥＴＮ方式の表示の均一性の増大の目的に本発明の
化合物は単独で有効に使用できる。基本になるＮｐ液晶
とそしては、１４−シアノー４″−アルキルビフェニル
、４−シアノー４″−アルコキシビフェニル、４−シア
ノー４″−アルキルターフエニルよりなる混合液晶、２
Ｐ−アルコキシベンジリデンーＰ−アルキルアニリン類
とＰ−アルコキシベンジリデンーＰ−シアノアニリンよ
りなる混合液晶、３Ｐ−アルキル安息香酸Ｐ′−シアノ
フェニルエステルの混合液晶、４Ｐ−アルキルオキシ安
息香酸Ｐ″−シアノフェニルエステルとＰ−アルキル安
息香酸Ｐ′−シアノフェニルエステルとの混合液晶、５
Ｐ−アルコキシＰ″ーアゾキシベンゼン類にＰ−アルキ
ル安息香酸Ｐ″−シアノフェニルエステルを添加したも
の、等がある。この場合添加量が２％以下程度の少量で
あるので、たとえば化合物（１）の中でもコレステリツ
クーアイソトロビツク転移点の低い化合物（例えば（１
）式に於てＲがＣ２Ｈ５のもの）を添加した場合でも混
合液晶の透明点が著るしく低下することはなく実用上あ
まり問題がないが、出来るだけ透明点の低下を防ぎたい
場合には（１）の化合物の中からなるべく透明点の高い
ものをえらべばよい（例えば（１）式でＲ＝Ｃ６Ｈｌ３
Ｏ又はＣ７Ｈｌ５のもの）。
方式）に用いるＮｐ液晶（誘電異方性が正のネマチツク
液晶）に小量（４）．５〜２％程度）添加することによ
つて表示の均一性を増大させることにも使用される。こ
のＦＥＴＮ方式の表示の均一性の増大の目的に本発明の
化合物は単独で有効に使用できる。基本になるＮｐ液晶
とそしては、１４−シアノー４″−アルキルビフェニル
、４−シアノー４″−アルコキシビフェニル、４−シア
ノー４″−アルキルターフエニルよりなる混合液晶、２
Ｐ−アルコキシベンジリデンーＰ−アルキルアニリン類
とＰ−アルコキシベンジリデンーＰ−シアノアニリンよ
りなる混合液晶、３Ｐ−アルキル安息香酸Ｐ′−シアノ
フェニルエステルの混合液晶、４Ｐ−アルキルオキシ安
息香酸Ｐ″−シアノフェニルエステルとＰ−アルキル安
息香酸Ｐ′−シアノフェニルエステルとの混合液晶、５
Ｐ−アルコキシＰ″ーアゾキシベンゼン類にＰ−アルキ
ル安息香酸Ｐ″−シアノフェニルエステルを添加したも
の、等がある。この場合添加量が２％以下程度の少量で
あるので、たとえば化合物（１）の中でもコレステリツ
クーアイソトロビツク転移点の低い化合物（例えば（１
）式に於てＲがＣ２Ｈ５のもの）を添加した場合でも混
合液晶の透明点が著るしく低下することはなく実用上あ
まり問題がないが、出来るだけ透明点の低下を防ぎたい
場合には（１）の化合物の中からなるべく透明点の高い
ものをえらべばよい（例えば（１）式でＲ＝Ｃ６Ｈｌ３
Ｏ又はＣ７Ｈｌ５のもの）。
コレステリツクニネマチツクの相変化を利用して表示素
子を利用するためには本発明の（１）式の化合物をＮｐ
液晶に１０％程度添加する。
子を利用するためには本発明の（１）式の化合物をＮｐ
液晶に１０％程度添加する。
この場合（１）式の化合物の２種以上を組み合せて使用
するのが、通常の使用温度範囲に於ける利用に適する。
Ｌ 次に本発明の化合物（１）のラセミ体は化学的に安
定なネマチツク液晶として有用である。
するのが、通常の使用温度範囲に於ける利用に適する。
Ｌ 次に本発明の化合物（１）のラセミ体は化学的に安
定なネマチツク液晶として有用である。
この場合（１）式に於てＲがアルキル基のものにあつて
は結晶化温度が低いため、多くの既存液晶組成物に少量
添加することによつてその結晶化温度を７下げ表示素子
が低温にさらされた場合の液晶の結晶化を防ぐのに役立
つ。この目的には（１）式でＲ＝Ｃ７Ｈｌ５のものが好
適である。その理由はこのものを用いた場合に液晶の透
明点を下げる程度が最も小さいからてある。化合物（１
）を既存温晶つ組成物に少量添加する場合のもう一つの
効果はＦＥＴＮ方式の表示素子に於ける応答シキイ電圧
を必要に応じて上昇させる方向に変動させ得ることであ
る。この様な必要は液晶表示を時分割駆動する際の動作
電圧マージンを有利にすることと関連して生じる。以下
に本発明に係る化合物（１）について、その製造方法及
びその利用方法についての実施例を示し、更に詳細に説
明する。
は結晶化温度が低いため、多くの既存液晶組成物に少量
添加することによつてその結晶化温度を７下げ表示素子
が低温にさらされた場合の液晶の結晶化を防ぐのに役立
つ。この目的には（１）式でＲ＝Ｃ７Ｈｌ５のものが好
適である。その理由はこのものを用いた場合に液晶の透
明点を下げる程度が最も小さいからてある。化合物（１
）を既存温晶つ組成物に少量添加する場合のもう一つの
効果はＦＥＴＮ方式の表示素子に於ける応答シキイ電圧
を必要に応じて上昇させる方向に変動させ得ることであ
る。この様な必要は液晶表示を時分割駆動する際の動作
電圧マージンを有利にすることと関連して生じる。以下
に本発明に係る化合物（１）について、その製造方法及
びその利用方法についての実施例を示し、更に詳細に説
明する。
実施例１
〔（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ
″−ヘプチルフェニルエステル（（１）式に於てＲ＝ｎ
−Ｃ７Ｈｌ５のもの）の製造〕ます光学活性中間体であ
るＰ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸を、特開
昭５１−８７１８１記載の方法に従つて、活性アミルア
ルコール即ち（−）２−メチルーブタノールー１を原料
として２−メチルー１−ブロモブタンを経て合成した。
″−ヘプチルフェニルエステル（（１）式に於てＲ＝ｎ
−Ｃ７Ｈｌ５のもの）の製造〕ます光学活性中間体であ
るＰ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸を、特開
昭５１−８７１８１記載の方法に従つて、活性アミルア
ルコール即ち（−）２−メチルーブタノールー１を原料
として２−メチルー１−ブロモブタンを経て合成した。
このＰ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸６０ｙ
に塩化チオニル１００ｙを加え１時間還流下に加熱した
のち、過剰の塩化チオニルを減圧溜去して酸クロライド
を合成する。これにトルエン１００ｍ１を加えたものを
、Ｐ−ｎ−ヘプチルフェノール６０ｇ、ピリジン１００
ｍ１１トルエン２００ｍ１よりなる氷冷混合液に５分間
で滴下し１時間約８０℃で加温後、冷却し、氷水中に注
いだ。それを分液し、その油層を稀塩酸→稀苛性ソーダ
水→水の順で洗浄したのちトルエンを溜去した。残留物
を減圧蒸溜し、その沸点２３０〜２４０。Ｃ／１．５ｍ
ｎＨｙの留分をとつてエタノールより再結晶し、冷所で
淵過し、そ−の結晶物を再び減圧蒸溜して沸点２３４〜
２３５℃／１．５ｗ０ＩｔＨｙの無色液体３２１を得た
。この化合物、即ち（＋）Ｐ−（２−メチルブチルオキ
シ）安息香酸Ｐ５−ヘプチルフェニルエステルは１５安
Ｃでコレステリツク液晶となり、冷所に保存すると結晶
す！る。結晶の融点は１８℃である。又このものの元素
分析の結果は次に示す通りよく理論値と一致している。
又、その赤外線吸収スペクトルを第１図に示す。実施例
２ 〔（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息ク香酸
Ｐ′−オクチルフェニルエステル（（１）式に於てＲ＝
ｎ−Ｃ８Ｈｌ７のもの）の製造〕実施例１と同様にして
Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸６０ｇｒ′
．からその酸クロライドを合成し、これにトルエン１０
０ｍ１を加えたものを、Ｐ−ｎ−オクチルフェノール６
２ｑ１ピリジン１００瓦ｔ１トルエン２００ｎＬｔより
なる氷冷混合液に５分間で滴下し、１時間約８０℃に加
温後冷却し、氷と塩酸の混合物中に注ぐ。
に塩化チオニル１００ｙを加え１時間還流下に加熱した
のち、過剰の塩化チオニルを減圧溜去して酸クロライド
を合成する。これにトルエン１００ｍ１を加えたものを
、Ｐ−ｎ−ヘプチルフェノール６０ｇ、ピリジン１００
ｍ１１トルエン２００ｍ１よりなる氷冷混合液に５分間
で滴下し１時間約８０℃で加温後、冷却し、氷水中に注
いだ。それを分液し、その油層を稀塩酸→稀苛性ソーダ
水→水の順で洗浄したのちトルエンを溜去した。残留物
を減圧蒸溜し、その沸点２３０〜２４０。Ｃ／１．５ｍ
ｎＨｙの留分をとつてエタノールより再結晶し、冷所で
淵過し、そ−の結晶物を再び減圧蒸溜して沸点２３４〜
２３５℃／１．５ｗ０ＩｔＨｙの無色液体３２１を得た
。この化合物、即ち（＋）Ｐ−（２−メチルブチルオキ
シ）安息香酸Ｐ５−ヘプチルフェニルエステルは１５安
Ｃでコレステリツク液晶となり、冷所に保存すると結晶
す！る。結晶の融点は１８℃である。又このものの元素
分析の結果は次に示す通りよく理論値と一致している。
又、その赤外線吸収スペクトルを第１図に示す。実施例
２ 〔（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息ク香酸
Ｐ′−オクチルフェニルエステル（（１）式に於てＲ＝
ｎ−Ｃ８Ｈｌ７のもの）の製造〕実施例１と同様にして
Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸６０ｇｒ′
．からその酸クロライドを合成し、これにトルエン１０
０ｍ１を加えたものを、Ｐ−ｎ−オクチルフェノール６
２ｑ１ピリジン１００瓦ｔ１トルエン２００ｎＬｔより
なる氷冷混合液に５分間で滴下し、１時間約８０℃に加
温後冷却し、氷と塩酸の混合物中に注ぐ。
それを分液しその油層を稀苛性ソーダ水、次いで水で洗
浄したのち減圧にしてトルエンを溜去した。それをエタ
ノールより再結晶し６５ｑの無色の結晶を得た。このも
の、即ち（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息
″香酸Ｐ″−オクチルフェニルエステルは融点３１〜３
２℃で等方性液体となり、等方性液体を冷却すると通常
２０℃付近で結晶化しコレステリツク相は表われない。
しかし実施例１で得られたヘプチルエステルとの混合物
はコレステリツク相を呈し、その混合物のコレステリツ
クーアイソトロピツク転移点より外挿法によつて求めた
この化合物のコレステリツクーアイソトロピツク転移点
は１０．５℃であつた。又、このものの元素分析値は次
の如く計算とよく一致している。又、このものの赤外線
吸収スペクトルを第２図に示す。
浄したのち減圧にしてトルエンを溜去した。それをエタ
ノールより再結晶し６５ｑの無色の結晶を得た。このも
の、即ち（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息
″香酸Ｐ″−オクチルフェニルエステルは融点３１〜３
２℃で等方性液体となり、等方性液体を冷却すると通常
２０℃付近で結晶化しコレステリツク相は表われない。
しかし実施例１で得られたヘプチルエステルとの混合物
はコレステリツク相を呈し、その混合物のコレステリツ
クーアイソトロピツク転移点より外挿法によつて求めた
この化合物のコレステリツクーアイソトロピツク転移点
は１０．５℃であつた。又、このものの元素分析値は次
の如く計算とよく一致している。又、このものの赤外線
吸収スペクトルを第２図に示す。
実施例３〔（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安
息香酸Ｐ５−ペンチルフェニルエステル（（１）式でＲ
＝ｎ−Ｃ５Ｈｌｌのもの）の製造〕実施例２に於けるＰ
−ｎ−オクチルフェノールの代りにＰ−ｎ−ペンチルフ
ェノールを使用する以外は実施例２に準する方法で製造
し無色の結晶を得た。
息香酸Ｐ５−ペンチルフェニルエステル（（１）式でＲ
＝ｎ−Ｃ５Ｈｌｌのもの）の製造〕実施例２に於けるＰ
−ｎ−オクチルフェノールの代りにＰ−ｎ−ペンチルフ
ェノールを使用する以外は実施例２に準する方法で製造
し無色の結晶を得た。
このもの即ち（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）
安息香酸Ｐ″−ペンチルフェニルエステルは融点２４℃
で等方性液体となり、これを冷却すると−１４℃でコレ
ステリツク液晶となる。元素分析値を次に示す。
ν豐Ｖν′υ
Ｕ◆０／０又、その赤外線吸収スペ
クトルを第３図に示す。
安息香酸Ｐ″−ペンチルフェニルエステルは融点２４℃
で等方性液体となり、これを冷却すると−１４℃でコレ
ステリツク液晶となる。元素分析値を次に示す。
ν豐Ｖν′υ
Ｕ◆０／０又、その赤外線吸収スペ
クトルを第３図に示す。
実施例４
〔（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ
″一エチルフェニルエステル（（１）式に３０ｙ（７）
Ｐ−（２−メチルニワチルオキシ）安息香酸、１８ｙ（
７）Ｐ−エチルフェノール、０．５ｙの濃硫酸、０．３
ｙの硼酸を４００ｍ１のトルエンに混合して煮沸し、水
分を分離しつつトルエンを３（ロ）間還流させた。
″一エチルフェニルエステル（（１）式に３０ｙ（７）
Ｐ−（２−メチルニワチルオキシ）安息香酸、１８ｙ（
７）Ｐ−エチルフェノール、０．５ｙの濃硫酸、０．３
ｙの硼酸を４００ｍ１のトルエンに混合して煮沸し、水
分を分離しつつトルエンを３（ロ）間還流させた。
反応液を水一稀苛性ソーダー水で洗浄し、トルエンを溜
去後、減圧蒸溜して１９５〜２００℃／１．５圏Ｈｙの
溜分をとり、それを再結晶して１０ｇの無色結晶を得た
。このもの即ち（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ
）安息香酸Ｐ″エチルフェニルエステルは融点３８℃で
等方性液体となりコレステリツク相は観察出来ない。し
かし実施例１で得られたヘプチルエステルとの混合物は
コレステリツク相を示し、その混合物のコレステリツク
ーアイソトロピツク転移点より外挿法により求めたこの
もののコレステリツク転移点は−２ＴＣであつた。この
ものの元素分析を次に示す。又、このものの赤外線吸収
スペクトルを第４図に示す。
去後、減圧蒸溜して１９５〜２００℃／１．５圏Ｈｙの
溜分をとり、それを再結晶して１０ｇの無色結晶を得た
。このもの即ち（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ
）安息香酸Ｐ″エチルフェニルエステルは融点３８℃で
等方性液体となりコレステリツク相は観察出来ない。し
かし実施例１で得られたヘプチルエステルとの混合物は
コレステリツク相を示し、その混合物のコレステリツク
ーアイソトロピツク転移点より外挿法により求めたこの
もののコレステリツク転移点は−２ＴＣであつた。この
ものの元素分析を次に示す。又、このものの赤外線吸収
スペクトルを第４図に示す。
実施例５〔（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安
息香酸Ｐ″一エトキシフェニルエステル（（１）式一に
於てＲ＝Ｃ２ｌｌ５Ｏのもの）の製造〕２０ｙ（７）Ｐ
−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸より実施例１
と同様にしてその酸クロリドを合成し、これにトルエン
５０Ｔｎ１を加え、これをＰ−エトキシフェノール１３
．４ｑ１ピリジン３０ｍ１１トルエン６０ｍ１よりなる
氷冷混合物に滴下し１時間約８０℃で加熱後冷却し、氷
一塩酸混合物に注ぐ。
息香酸Ｐ″一エトキシフェニルエステル（（１）式一に
於てＲ＝Ｃ２ｌｌ５Ｏのもの）の製造〕２０ｙ（７）Ｐ
−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸より実施例１
と同様にしてその酸クロリドを合成し、これにトルエン
５０Ｔｎ１を加え、これをＰ−エトキシフェノール１３
．４ｑ１ピリジン３０ｍ１１トルエン６０ｍ１よりなる
氷冷混合物に滴下し１時間約８０℃で加熱後冷却し、氷
一塩酸混合物に注ぐ。
分液後、稀苛性ソーダ水→水で洗浄してのちトルエンを
減圧溜去すると固体となり、これをエタノールより再結
晶すると２３Ｖの無色結晶を得た。このもの即ち（＋）
Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ″一エト
キシフェニルエステルは融点７７℃で等方性液体となり
、これは冷却すると４２′Ｃでコレステリツク液晶とな
る。元素分析体を次に示す。又、その赤外線吸収スペク
トルを第５図に示す。
減圧溜去すると固体となり、これをエタノールより再結
晶すると２３Ｖの無色結晶を得た。このもの即ち（＋）
Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ″一エト
キシフェニルエステルは融点７７℃で等方性液体となり
、これは冷却すると４２′Ｃでコレステリツク液晶とな
る。元素分析体を次に示す。又、その赤外線吸収スペク
トルを第５図に示す。
実施例６
〔（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ
′−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステル（（１）式で
Ｒ＝ｎ−Ｃ６Ｈｌ３Ｏのもの）の製造〕６０ｑ０Ｐ−（
２−メチルーブチルオキシ）安息香酸より、実施例２に
於けるＰ−ｎ−オクチルフェノール６２ダの代りにＰ−
ｎ−ヘキシルオキシフェノール５７９を使用する以外は
実施例２の方法とほぼ同じ方法で７５ｙの無色の結晶を
得た。
′−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステル（（１）式で
Ｒ＝ｎ−Ｃ６Ｈｌ３Ｏのもの）の製造〕６０ｑ０Ｐ−（
２−メチルーブチルオキシ）安息香酸より、実施例２に
於けるＰ−ｎ−オクチルフェノール６２ダの代りにＰ−
ｎ−ヘキシルオキシフェノール５７９を使用する以外は
実施例２の方法とほぼ同じ方法で７５ｙの無色の結晶を
得た。
このもの即ち（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）
安息香酸Ｐ″−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステルは
融点６１〜６１．５℃で等方性液体になり、その等方性
液体を冷却すると４６．５℃でコレステリツク相になる
。元素分析値は次の通りである。又、赤外線吸収スペク
トルを第６図に示す。
安息香酸Ｐ″−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステルは
融点６１〜６１．５℃で等方性液体になり、その等方性
液体を冷却すると４６．５℃でコレステリツク相になる
。元素分析値は次の通りである。又、赤外線吸収スペク
トルを第６図に示す。
実施例７〔（±）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安
息香酸Ｐ５−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステル（（
１）に於てＲ＝ｎ−Ｃ６Ｈｌ３Ｏのものでラセミ体のも
の）の製造〕ＤＬ−２−メチルーブタノールー１５００
ｙを２′の三ツロフラスコに入れて−１０℃に冷やし、
そこへ三臭化燐５３０Ｖを２時間で滴下し、滴下後４０
℃で３紛加熱する。
息香酸Ｐ５−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステル（（
１）に於てＲ＝ｎ−Ｃ６Ｈｌ３Ｏのものでラセミ体のも
の）の製造〕ＤＬ−２−メチルーブタノールー１５００
ｙを２′の三ツロフラスコに入れて−１０℃に冷やし、
そこへ三臭化燐５３０Ｖを２時間で滴下し、滴下後４０
℃で３紛加熱する。
この反応物を１２０順Ｈｙの減圧下で蒸溜して５５〜６
５℃の溜分をとつた。この留分を５０％塩化カルシウム
水で洗浄し、無炭酸カルシウムを加えて乾燥してから再
蒸溜して５９〜６００／９５ｗｒｍＨｙの溜分即ち（±
）２−メチルー１−ブロモブタン５２８ｙを得た。一方
、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチルエステルのナトリウム
塩（ＮａＯ−Ｃ６Ｈ４−ＣＯＯＣＨ３）８６０ｇを１．
７ｅ（７）Ｎ，Ｎ″−ジメチルホルムアジトに溶解し、
還流下に加熱し、そこへ先の５００ｙの（±）２−メチ
ルー１−ブロモブタンを２０分で滴下し、更に６時間加
熱攪拌した。
５℃の溜分をとつた。この留分を５０％塩化カルシウム
水で洗浄し、無炭酸カルシウムを加えて乾燥してから再
蒸溜して５９〜６００／９５ｗｒｍＨｙの溜分即ち（±
）２−メチルー１−ブロモブタン５２８ｙを得た。一方
、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチルエステルのナトリウム
塩（ＮａＯ−Ｃ６Ｈ４−ＣＯＯＣＨ３）８６０ｇを１．
７ｅ（７）Ｎ，Ｎ″−ジメチルホルムアジトに溶解し、
還流下に加熱し、そこへ先の５００ｙの（±）２−メチ
ルー１−ブロモブタンを２０分で滴下し、更に６時間加
熱攪拌した。
冷却後、５ｅの水の中ノに注ぎ込み、分液し、有機層を
稀塩酸で洗浄後、稀苛性ソーダで過剰に存在するＰ−ヒ
ドロキシ安息香酸メチルエステルを除去する。有機層を
苛性ソーダ２５０′、水１．２′、エタノール１２０ｍ
１とともに３時間還流下煮沸してのち塩酸を加えて酸性
にし、析出する固体を枦過して集め水洗した後、ベンゼ
ンより熱沖過再結晶して３５１ダの（±）Ｐ−（２−メ
チルーブチルオキシ）安息香酸を得た。融点は１１３℃
である。この得られた（±）Ｐ−（２−メチルーブチル
オキシ）安息香酸６０ｙを原料として、実施例６に準す
る方法で（±）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息
香酸Ｐ′−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステルの無色
の結晶７３ｙを得た。
稀塩酸で洗浄後、稀苛性ソーダで過剰に存在するＰ−ヒ
ドロキシ安息香酸メチルエステルを除去する。有機層を
苛性ソーダ２５０′、水１．２′、エタノール１２０ｍ
１とともに３時間還流下煮沸してのち塩酸を加えて酸性
にし、析出する固体を枦過して集め水洗した後、ベンゼ
ンより熱沖過再結晶して３５１ダの（±）Ｐ−（２−メ
チルーブチルオキシ）安息香酸を得た。融点は１１３℃
である。この得られた（±）Ｐ−（２−メチルーブチル
オキシ）安息香酸６０ｙを原料として、実施例６に準す
る方法で（±）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息
香酸Ｐ′−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステルの無色
の結晶７３ｙを得た。
融点は６１〜６１．５℃で、その等方性液体を冷却する
と４６．５℃でネマチツク液晶相になる。元素分析値は
次の通りである。 リ◆！Ｊ／Ｕ
υ●０／υ又、その赤外線
吸収スペクトルは第７図に示す。
と４６．５℃でネマチツク液晶相になる。元素分析値は
次の通りである。 リ◆！Ｊ／Ｕ
υ●０／υ又、その赤外線
吸収スペクトルは第７図に示す。
実施例８
〔（±）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ
′−ｎ−ヘプチルフェニルエステル（（１）式でＲ＝ｎ
−Ｃ７Ｈｌ，のもののラセミ体）の製造〕実施例７に於
て得られた（±）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安
息香酸６０ｙを原料として実施例１に準する方法にて無
色の液体３５ｙを得た。
′−ｎ−ヘプチルフェニルエステル（（１）式でＲ＝ｎ
−Ｃ７Ｈｌ，のもののラセミ体）の製造〕実施例７に於
て得られた（±）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安
息香酸６０ｙを原料として実施例１に準する方法にて無
色の液体３５ｙを得た。
このもの即ち（±）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）
安息香酸Ｐ′−ｎ−ヘプチルフェニルエステルの沸点は
２３３〜２３４゜Ｃ／１．５晒Ｈｙｌ又１５゜Ｃにてネ
マチツク液晶となり、冷所に保存すると結晶する。その
融点は１８りＣである。元素分析の結果は次！の通り。
又、このものの赤外線吸収スペクトルを第８図ｊに示す
。
安息香酸Ｐ′−ｎ−ヘプチルフェニルエステルの沸点は
２３３〜２３４゜Ｃ／１．５晒Ｈｙｌ又１５゜Ｃにてネ
マチツク液晶となり、冷所に保存すると結晶する。その
融点は１８りＣである。元素分析の結果は次！の通り。
又、このものの赤外線吸収スペクトルを第８図ｊに示す
。
実施例９〜１３
実施例１〜６と同様にして第１表の実施例９〜１３の欄
に示す光学活性体である（１）式の化合物を製造した。
に示す光学活性体である（１）式の化合物を製造した。
その相転移点を実施例１〜６のそれ４と共）壬第１表に
示す。上表中、Ｃは結晶相を、Ｉは透明相（等方性液体
相）を、Ｃｈはコレステリツク液晶相を示す。
示す。上表中、Ｃは結晶相を、Ｉは透明相（等方性液体
相）を、Ｃｈはコレステリツク液晶相を示す。
又、Ｉ−＋Ｃｈ点はモノトロピツク液晶であることを示
す。実施例１４（応用例） （＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ″
−ｎ−ヘプチルフェニルエステル（実施例１で得られた
もの）とＰ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ
″−ｎ−オクチルフェニルエステル（実施例２て得られ
たもの）とＰ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸
Ｐ″−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステル（実施例６
で得られたもの）を２：２：１の重量比で混合して得た
コレステリツク液晶１ｙを次の組成Ｎｐ型液晶を９ｙと
混合した。
す。実施例１４（応用例） （＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ″
−ｎ−ヘプチルフェニルエステル（実施例１で得られた
もの）とＰ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ
″−ｎ−オクチルフェニルエステル（実施例２て得られ
たもの）とＰ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸
Ｐ″−ｎ−ヘキシルオキシフェニルエステル（実施例６
で得られたもの）を２：２：１の重量比で混合して得た
コレステリツク液晶１ｙを次の組成Ｎｐ型液晶を９ｙと
混合した。
４−シアノー４″−ｎ−ペンチル
ビフェニル ３９％（重量）４−シア
ノー４″−ｎ−ヘプチルビフェニル
２３〃 ４−シアノー４″−ｎ−ペンチル オキシビフェニル ９〃 ４−シアノー４″−ｎ−ヘプチル オキシビフェニル ８．５〃 ４−シアノー４″−ｎ−オクチル オキシビフェニル １２．５〃 ４−シアノー４″″−ｎ−ベンチル ターフエニル ８〃 得られた混合物は５８℃までコレステリツク相を呈し、
冷却しても過冷却状態となつて結晶は困難であり、コレ
ステリツク状態の下限温度は観測されなかつた。
ノー４″−ｎ−ヘプチルビフェニル
２３〃 ４−シアノー４″−ｎ−ペンチル オキシビフェニル ９〃 ４−シアノー４″−ｎ−ヘプチル オキシビフェニル ８．５〃 ４−シアノー４″−ｎ−オクチル オキシビフェニル １２．５〃 ４−シアノー４″″−ｎ−ベンチル ターフエニル ８〃 得られた混合物は５８℃までコレステリツク相を呈し、
冷却しても過冷却状態となつて結晶は困難であり、コレ
ステリツク状態の下限温度は観測されなかつた。
この液晶混合物を電極間隔６ミクロンのセルに封入し周
波数１ＫＨｚの電圧を印加すると、シキイ電圧１１ボル
トでコレステリツクーネマチツク相転移が起り、急激な
光透過率の増大が観察された。ビフェニル系Ｎｐ液晶を
基本液晶とした本実験例以外の他のＮｐ液晶、即ちシッ
フシアノ系液晶、シアノエステル液晶、アゾキシ系液晶
に対しても同様に使用できる。
波数１ＫＨｚの電圧を印加すると、シキイ電圧１１ボル
トでコレステリツクーネマチツク相転移が起り、急激な
光透過率の増大が観察された。ビフェニル系Ｎｐ液晶を
基本液晶とした本実験例以外の他のＮｐ液晶、即ちシッ
フシアノ系液晶、シアノエステル液晶、アゾキシ系液晶
に対しても同様に使用できる。
図面の簡単な説明第１図は実施例１で得られた（十）Ｐ
−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ″−ヘプチ
ルフェニルエステルの、第２図は実施例２で得られた（
＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ′−
オクチルフェニルエステルの、第３図は実施例３で得ら
れた（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸
Ｐ′−ペンチルフェニルエステルの、第４図は実施例４
で得られた（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安
息香酸Ｐ″一エチルフェニルエステルの、第５図は実施
例５で得られた（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ
）安息香酸Ｐ″一エトキシフェニルエステルの、第６図
は実施例６て得られた（＋）Ｐ−（２−メチルーブチル
オキシ）安息香酸Ｐ′−ヘキシルオキシフエ”ニルエス
テルの、第７図は実施例７で得られた（＋）Ｐ−（２−
メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ′−ｎ−ヘキシルオ
キシフェニルエステルの、第８図は実施例８で得られた
（±）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ″
−ｎ−ヘプチルフェニルエステルの各赤外線吸収スペク
トルである。
−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ″−ヘプチ
ルフェニルエステルの、第２図は実施例２で得られた（
＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ′−
オクチルフェニルエステルの、第３図は実施例３で得ら
れた（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸
Ｐ′−ペンチルフェニルエステルの、第４図は実施例４
で得られた（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安
息香酸Ｐ″一エチルフェニルエステルの、第５図は実施
例５で得られた（＋）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ
）安息香酸Ｐ″一エトキシフェニルエステルの、第６図
は実施例６て得られた（＋）Ｐ−（２−メチルーブチル
オキシ）安息香酸Ｐ′−ヘキシルオキシフエ”ニルエス
テルの、第７図は実施例７で得られた（＋）Ｐ−（２−
メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ′−ｎ−ヘキシルオ
キシフェニルエステルの、第８図は実施例８で得られた
（±）Ｐ−（２−メチルーブチルオキシ）安息香酸Ｐ″
−ｎ−ヘプチルフェニルエステルの各赤外線吸収スペク
トルである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中Ｒは
炭素数１〜１０個の直鎖のアルキル基又はアルキルオキ
シ基を示し、＊印は不整炭素原子を示す）で表わされる
Ｐ−（２−メチル−ブチルオキシ）安息香酸フェニルエ
ステル類。 ２ （ I ）式中の＊印の付された不整炭素原子にもと
づく光学活性体であり、単独又は混合状態でコレステリ
ツク相を示すことのできる特許請求の範囲第１項記載の
化合物。 ３ セラミ体でネマチツク相を示すことのできる特許請
求の範囲第１項記載の化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51116849A JPS6042225B2 (ja) | 1976-09-29 | 1976-09-29 | 液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51116849A JPS6042225B2 (ja) | 1976-09-29 | 1976-09-29 | 液晶化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5344535A JPS5344535A (en) | 1978-04-21 |
| JPS6042225B2 true JPS6042225B2 (ja) | 1985-09-20 |
Family
ID=14697138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51116849A Expired JPS6042225B2 (ja) | 1976-09-29 | 1976-09-29 | 液晶化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042225B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0115693B1 (en) * | 1983-01-06 | 1987-08-26 | Chisso Corporation | Liquid crystalline compounds and mixtures thereof |
| JPS6090290A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-21 | Chisso Corp | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS6084388A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-13 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | 液晶化学物質 |
| JPS60203692A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-15 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶組成物 |
| JPS6143A (ja) * | 1984-06-11 | 1986-01-06 | Chisso Corp | 強誘電性液晶化合物及び液晶組成物 |
| JPS6117541A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶化合物 |
| JPH0610170B2 (ja) * | 1984-12-26 | 1994-02-09 | チッソ株式会社 | 新規光学活性化合物及び液晶組成物 |
| JPH0643583B2 (ja) * | 1986-08-30 | 1994-06-08 | キヤノン株式会社 | 乳酸誘導体を含む液晶組成物および液晶素子 |
-
1976
- 1976-09-29 JP JP51116849A patent/JPS6042225B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5344535A (en) | 1978-04-21 |
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