JP2786513B2 - エステル化合物及びこれを含む液晶組成物 - Google Patents
エステル化合物及びこれを含む液晶組成物Info
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、安定なサーモトロピックな液晶状態をとり
得、例えば、液晶テレビ等のディスプレイ用、光プリン
ターヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等、液
晶やエレクトロケミクロミズムを利用するオプトエレク
トロニクス関連素子の素材として有用な液晶材料として
利用できる新規なエステル化合物及びこの化合物を含む
液晶組成物に関するものである。
得、例えば、液晶テレビ等のディスプレイ用、光プリン
ターヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等、液
晶やエレクトロケミクロミズムを利用するオプトエレク
トロニクス関連素子の素材として有用な液晶材料として
利用できる新規なエステル化合物及びこの化合物を含む
液晶組成物に関するものである。
(従来の技術) 現在、液晶化合物が表示材料として種々の機器で応用
され、時計、電卓、小型テレビ等に実用化されている。
これらは、ネマチック液晶材料を主成分としたセルを用
い、TN型あるいはSTN型と呼ばれる表示方式のものが採
用されている。この場合のセルは、液晶化合物の誘電異
方性Δεと電場Eとの弱い相互作用(ΔεE2/2)に基づ
く作動であり、電場に対する応答速度が数十m secと遅
いことが欠点としてあげられている。そのため、テレビ
に用いた場合、駆動方式として画素ごとにスイッチング
素子を配置、付加したアクティブマトリクス方式が主と
して用いられ、大画面化を図る上での障害の一つになっ
ている。しかし、1975年R.B.Meyerらによって合成され
た4−(4−nデシルオキシベンジリデンアミノ)ケイ
皮酸−2−メチルブチルエステル(DOBAMBC)を代表例
とする強誘電性液晶の出現と、それを用いたN.A.Clark
らの提案した新しい表示方式(Applied Phys.Lett.198
0,36,899)により、μ secオーダーの高速応答性及び電
場を切っても液晶分子の配向が変わらない特性(メモリ
ー性)を有する液晶セルが可能となった。これらの材料
を用いた表示素子を使えば、スイッチング素子などを用
いないマルチプレックス駆動による単純マトリクス方式
による液晶テレビが可能となり、アクティブマトリクス
のものに比べ、生産性やコスト、信頼性さらに大画面化
などの面ではるかに有利なものとなる。
され、時計、電卓、小型テレビ等に実用化されている。
これらは、ネマチック液晶材料を主成分としたセルを用
い、TN型あるいはSTN型と呼ばれる表示方式のものが採
用されている。この場合のセルは、液晶化合物の誘電異
方性Δεと電場Eとの弱い相互作用(ΔεE2/2)に基づ
く作動であり、電場に対する応答速度が数十m secと遅
いことが欠点としてあげられている。そのため、テレビ
に用いた場合、駆動方式として画素ごとにスイッチング
素子を配置、付加したアクティブマトリクス方式が主と
して用いられ、大画面化を図る上での障害の一つになっ
ている。しかし、1975年R.B.Meyerらによって合成され
た4−(4−nデシルオキシベンジリデンアミノ)ケイ
皮酸−2−メチルブチルエステル(DOBAMBC)を代表例
とする強誘電性液晶の出現と、それを用いたN.A.Clark
らの提案した新しい表示方式(Applied Phys.Lett.198
0,36,899)により、μ secオーダーの高速応答性及び電
場を切っても液晶分子の配向が変わらない特性(メモリ
ー性)を有する液晶セルが可能となった。これらの材料
を用いた表示素子を使えば、スイッチング素子などを用
いないマルチプレックス駆動による単純マトリクス方式
による液晶テレビが可能となり、アクティブマトリクス
のものに比べ、生産性やコスト、信頼性さらに大画面化
などの面ではるかに有利なものとなる。
このため、現在まで多くの強誘電性液晶材料が合成さ
れ、提案されてきた。これらの強誘電性液晶材料が表示
材料として用いられるためには、いくつかの物性が要求
されるが、その中でも基本的なものとしては、室温近傍
の広い温度範囲でスメクチックC相を示し、大きな自発
分極を有し、化学的に安定しているという点である。し
かしながら、初期の強誘電性液晶は、自発分極が10nC/c
m2以下と小さく、また分子内にシッフ塩基をもつものが
多かったため、化学的に不安定であった。
れ、提案されてきた。これらの強誘電性液晶材料が表示
材料として用いられるためには、いくつかの物性が要求
されるが、その中でも基本的なものとしては、室温近傍
の広い温度範囲でスメクチックC相を示し、大きな自発
分極を有し、化学的に安定しているという点である。し
かしながら、初期の強誘電性液晶は、自発分極が10nC/c
m2以下と小さく、また分子内にシッフ塩基をもつものが
多かったため、化学的に不安定であった。
ところで、最近、化学的に安定なエステル化合物によ
る大きな自発分極の発現が報告されている。例えば、次
式、 の化合物は、78.7〜103.3℃の温度領域でキラルスメク
チックC相の、また103.3〜120.8℃の温度領域でコレス
テリック相の液晶となるが、この液晶の83℃における自
発分極は89nC/cm2である(特開昭61−43号公報)。
る大きな自発分極の発現が報告されている。例えば、次
式、 の化合物は、78.7〜103.3℃の温度領域でキラルスメク
チックC相の、また103.3〜120.8℃の温度領域でコレス
テリック相の液晶となるが、この液晶の83℃における自
発分極は89nC/cm2である(特開昭61−43号公報)。
一方、キラルスメクチックC相を示す温度を低くする
ために、2環の化合物が合成されている。例えば、次
式、 のビフェニル化合物は、降温時44℃からキラルスメクチ
ックC相を示す(特開昭59−118744号公報)。
ために、2環の化合物が合成されている。例えば、次
式、 のビフェニル化合物は、降温時44℃からキラルスメクチ
ックC相を示す(特開昭59−118744号公報)。
さらに、室温近傍で安定にキラルスメクチックC相を
示すフェニルピリミジン系化合物が報告されている。例
えば、次式、 の化合物は、40.7〜82.8℃の温度領域でキラルスメクチ
ックC相の、82.8〜89.1℃でスメクチックA相の液晶と
なる(特開昭61−200973号公報)。
示すフェニルピリミジン系化合物が報告されている。例
えば、次式、 の化合物は、40.7〜82.8℃の温度領域でキラルスメクチ
ックC相の、82.8〜89.1℃でスメクチックA相の液晶と
なる(特開昭61−200973号公報)。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記エステル化合物は、キラルスメクチ
ックC相の温度範囲が高いという欠点を有している。ま
た、上記ビフェニル化合物はキラルスメクチックC相が
モノトロピックであり、不安定である。さらに、上記フ
ェニルピリミジン系化合物は応答時間が43℃で1500μs
と遅く、自発分極がかなり小さいと推定される。
ックC相の温度範囲が高いという欠点を有している。ま
た、上記ビフェニル化合物はキラルスメクチックC相が
モノトロピックであり、不安定である。さらに、上記フ
ェニルピリミジン系化合物は応答時間が43℃で1500μs
と遅く、自発分極がかなり小さいと推定される。
すなわち、高速応答性を要求される表示装置等の液晶
材料には、大きな自発分極を有すること、低粘性を有す
ること、あるいは室温近傍を含む広い温度範囲でキラル
スメクチックC相を示すこと等の物性が要求されるが、
現在までのところこれらの物性を充分に満足する材料は
未だないのが実状である。
材料には、大きな自発分極を有すること、低粘性を有す
ること、あるいは室温近傍を含む広い温度範囲でキラル
スメクチックC相を示すこと等の物性が要求されるが、
現在までのところこれらの物性を充分に満足する材料は
未だないのが実状である。
しかしながら、近年、不斉炭素上にフッ素やトリフル
オロメチル基を導入した化合物が数多く報告されてい
る。例えば、Heppkeらは、不斉炭素上にフッ素を導入し
た次式、 の化合物がキラルスメクチックC相で自発分極が400nC/
cm2以上を示すことを報告している(第12回国際液晶会
議予稿集)。
オロメチル基を導入した化合物が数多く報告されてい
る。例えば、Heppkeらは、不斉炭素上にフッ素を導入し
た次式、 の化合物がキラルスメクチックC相で自発分極が400nC/
cm2以上を示すことを報告している(第12回国際液晶会
議予稿集)。
また、不斉炭素上にトリフルオロメチル基を導入した
次式、 の化合物は、115.5℃〜93.1℃でキラルスメクチックC
相を示し、自発分極も166nC/cm2を示すことが報告され
ている(特開昭64−3154号公報)。
次式、 の化合物は、115.5℃〜93.1℃でキラルスメクチックC
相を示し、自発分極も166nC/cm2を示すことが報告され
ている(特開昭64−3154号公報)。
本発明は、かかる化合物の液晶物性を向上させるため
に鋭意検討を進めた結果、該化合物は、不斉炭素上にフ
ッ素及びメチル基を導入することにより、単体において
安定なキラルスメクチックC相を示すことを見出した。
に鋭意検討を進めた結果、該化合物は、不斉炭素上にフ
ッ素及びメチル基を導入することにより、単体において
安定なキラルスメクチックC相を示すことを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたものであ
り、本発明の目的は液晶化合物として有用なエステル化
合物及びこれを含む液晶組成物を提供することにある。
り、本発明の目的は液晶化合物として有用なエステル化
合物及びこれを含む液晶組成物を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明は、下記の一般式(I)、 (式中、R1およびR2は同じものでも異なっているもので
もよく、A,Bは単結合、−COO−のいづれかを示す)で表
わされるエステル化合物及びこれを含む液晶組成物から
なるものである。
もよく、A,Bは単結合、−COO−のいづれかを示す)で表
わされるエステル化合物及びこれを含む液晶組成物から
なるものである。
上記式(I)中のR1,R2で示されるアルキル基は実用
的な製造上の見地から、各々炭素数1〜18のものが好ま
しい。
的な製造上の見地から、各々炭素数1〜18のものが好ま
しい。
尚、特には、上記式中、R2が結合している炭素が不斉
炭素で、この炭素を中心に光学活性が付与されると、単
独あるいは他の化合物との混合により強誘電性液晶とな
り、好ましいものとなる。
炭素で、この炭素を中心に光学活性が付与されると、単
独あるいは他の化合物との混合により強誘電性液晶とな
り、好ましいものとなる。
上記式(I)の代表的化合物の例とその理化学的性質
を示すと次の通りである。
を示すと次の通りである。
4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン酸−4
−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)フ
ェニル IR(KBr,cm-1): 2920,2850,1770,1730,1600,1500,1460,1290,1270,11801 H−NMR(CDCl3中、TMS基準,δ値ppm): 8.21(d,2H),7.67(d,4H),7.27(d,4H) 7.00(d,2H),4.00(t,2H),0.73〜2.24(m,29H) 4−オクチルオキシ安息香酸−4′−(2−フルオロ−
2−メチルヘプタノイルオキシ)ビフェニル IR(KBr,cm-1): 2900,2850,1760,1730,1610,1490,1270,12001 H−NMR(CDCl3中、TMS基準,δ値ppm): 8.20(d,2H),7.60(d,4H),7.30(d,2H) 7.18(d,2H),7.00(d,2H),4.10(t,2H) 0.80〜2.30(m,29H) 4−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)
フェニル,4−(4−オクチルオキシフェニル)安息香酸
エステル IR(KBr,cm-1): 2900,2850,1770,1730,1600,1500,1290,11701 H−NMR(CDCl3中、TMS基準,δ値ppm): 8.24(q,4H),7.36(q,6H),7.00(d,2H) 4.1(t,2H),0.80〜2.20(m,29H) 4−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)
−4−ヘキシルオキシターフェニル IR(KBr,cm-1): 2920,2850,1750,1600,1490,1240,1180,1 H−NMR(CDCl3中、TMS基準,δ値ppm): 7.8〜6.8(m,12H),4.0(t,2H) 0.7〜2.8(m,25H) 尚、一般式(I)で示した化合物中のR1及びR2のアル
キル基の炭素鎖の長さは、その化合物が液晶状態を取り
得る温度域、あるいはその化合物の自発分極等の物性に
影響を持つものであり、目的によって適宜選定され得る
ものである。この化合物は単独で用いることは勿論、他
の液晶材料と混合して用いることができることは言うま
でもない。
−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)フ
ェニル IR(KBr,cm-1): 2920,2850,1770,1730,1600,1500,1460,1290,1270,11801 H−NMR(CDCl3中、TMS基準,δ値ppm): 8.21(d,2H),7.67(d,4H),7.27(d,4H) 7.00(d,2H),4.00(t,2H),0.73〜2.24(m,29H) 4−オクチルオキシ安息香酸−4′−(2−フルオロ−
2−メチルヘプタノイルオキシ)ビフェニル IR(KBr,cm-1): 2900,2850,1760,1730,1610,1490,1270,12001 H−NMR(CDCl3中、TMS基準,δ値ppm): 8.20(d,2H),7.60(d,4H),7.30(d,2H) 7.18(d,2H),7.00(d,2H),4.10(t,2H) 0.80〜2.30(m,29H) 4−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)
フェニル,4−(4−オクチルオキシフェニル)安息香酸
エステル IR(KBr,cm-1): 2900,2850,1770,1730,1600,1500,1290,11701 H−NMR(CDCl3中、TMS基準,δ値ppm): 8.24(q,4H),7.36(q,6H),7.00(d,2H) 4.1(t,2H),0.80〜2.20(m,29H) 4−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)
−4−ヘキシルオキシターフェニル IR(KBr,cm-1): 2920,2850,1750,1600,1490,1240,1180,1 H−NMR(CDCl3中、TMS基準,δ値ppm): 7.8〜6.8(m,12H),4.0(t,2H) 0.7〜2.8(m,25H) 尚、一般式(I)で示した化合物中のR1及びR2のアル
キル基の炭素鎖の長さは、その化合物が液晶状態を取り
得る温度域、あるいはその化合物の自発分極等の物性に
影響を持つものであり、目的によって適宜選定され得る
ものである。この化合物は単独で用いることは勿論、他
の液晶材料と混合して用いることができることは言うま
でもない。
上記一般式(I)の本発明の化合物は一般に以下の方
法によって得られる。
法によって得られる。
(a)上記式(I)中のAが単結合、Bが−COO−の場
合: また、この化合物は以下の方法でも合成することがで
きる。
合: また、この化合物は以下の方法でも合成することがで
きる。
尚、上記反応式において用いた(III)及び(IV)式
の化合物は次のようにして、(VI)式の化合物より誘導
することができる。
の化合物は次のようにして、(VI)式の化合物より誘導
することができる。
即ち、光学活性な2−メチル−1,2−エポキシアルカ
ン(VI)にアミン−フッ化水素錯体又は四フッ化ケイ素
を作用させ、光学活性な2−フルオロ−2−メチル−1
−アルカノール(VII)を得(特願昭64−056058号公
報)、これを過マンガン酸カリウム等の酸化剤を用いて
酸化して(III)式の化合物を得、さらにこの酸を塩化
チオニル等の塩素化剤を作用させることより(IV)式の
化合物に変換させることができる。また、(V)式の化
合物の合成においては、ヒドロキシ基、カルボキシル基
に対して適当な保護基を用いることにより、高収率で合
成可能である。
ン(VI)にアミン−フッ化水素錯体又は四フッ化ケイ素
を作用させ、光学活性な2−フルオロ−2−メチル−1
−アルカノール(VII)を得(特願昭64−056058号公
報)、これを過マンガン酸カリウム等の酸化剤を用いて
酸化して(III)式の化合物を得、さらにこの酸を塩化
チオニル等の塩素化剤を作用させることより(IV)式の
化合物に変換させることができる。また、(V)式の化
合物の合成においては、ヒドロキシ基、カルボキシル基
に対して適当な保護基を用いることにより、高収率で合
成可能である。
(b)上記式(I)中のAが−COO−,Bが単結合の場
合: (c)上記式(I)中のA及びBが−COO−の場合: 上記式(VIII)の化合物は以下の反応経路で得ること
ができる。
合: (c)上記式(I)中のA及びBが−COO−の場合: 上記式(VIII)の化合物は以下の反応経路で得ること
ができる。
(実施例) 本発明を下記の実施例及び比較例により具体的に説明
する。
する。
実施例1 4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン酸−4
−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)フ
ェニル 4−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)
フェノールの合成 ハイドロキノン2.7g(0.03mol)、(−)−2−フル
オロ−2−メチルヘプタノイルクロリド1.5g(8.3mmo
l)を乾燥ピリジン25mlに溶解し、室温で1晩攪拌し
た。反応終了後、反応物を酢酸エチル中に移し、1規定
塩酸水溶液、次いで水で洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。硫酸マグネシウムを濾別後、展開液(トル
エン:酢酸エチル=10:1(V/V))を用いたシリカゲル
クロマトグラフィーにより精製し、白色固体1.2g(57
%)を得た。
−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)フ
ェニル 4−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)
フェノールの合成 ハイドロキノン2.7g(0.03mol)、(−)−2−フル
オロ−2−メチルヘプタノイルクロリド1.5g(8.3mmo
l)を乾燥ピリジン25mlに溶解し、室温で1晩攪拌し
た。反応終了後、反応物を酢酸エチル中に移し、1規定
塩酸水溶液、次いで水で洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。硫酸マグネシウムを濾別後、展開液(トル
エン:酢酸エチル=10:1(V/V))を用いたシリカゲル
クロマトグラフィーにより精製し、白色固体1.2g(57
%)を得た。
4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン酸−4
−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)フ
ェニルの合成 上述のようにして得た4−(2−フルオロ−2−メチ
ルヘプタノイルオキシ)フェノール300mg(1.2m mo
l)、4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン
酸390mg(1.2m mol)、N,N′−ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド270mg(1.3m mol)及び4−ジメチルアミノピ
リジン15mg(1.2×10-1m mol)を乾燥塩化メチレン60ml
に溶解し、5時間還流下で攪拌した。反応終了後、析出
した固体を濾別し、濾液を1規定塩酸水溶液、次いで水
で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグ
ネシウムを濾別後、トルエンを展開液に用いたシリカゲ
ルクロマトグラフィーにより精製し、エタノールから再
結晶して、白色固体140mg(21%)を得た。この化合物
は前述の理化学的性質を有していた。
−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)フ
ェニルの合成 上述のようにして得た4−(2−フルオロ−2−メチ
ルヘプタノイルオキシ)フェノール300mg(1.2m mo
l)、4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン
酸390mg(1.2m mol)、N,N′−ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド270mg(1.3m mol)及び4−ジメチルアミノピ
リジン15mg(1.2×10-1m mol)を乾燥塩化メチレン60ml
に溶解し、5時間還流下で攪拌した。反応終了後、析出
した固体を濾別し、濾液を1規定塩酸水溶液、次いで水
で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグ
ネシウムを濾別後、トルエンを展開液に用いたシリカゲ
ルクロマトグラフィーにより精製し、エタノールから再
結晶して、白色固体140mg(21%)を得た。この化合物
は前述の理化学的性質を有していた。
液晶性の評価 上記化合物を、ポリイミドを塗布し、ラビング処理を
施した透明電極付ガラスからなる厚さ3μのセルに注入
し、ホットステージで温度制御を行いながら、偏光顕微
鏡観察を行った。温度変化は1分間に2℃の割合で行っ
た。
施した透明電極付ガラスからなる厚さ3μのセルに注入
し、ホットステージで温度制御を行いながら、偏光顕微
鏡観察を行った。温度変化は1分間に2℃の割合で行っ
た。
降温過程では、156.0℃で液体からスメクチックA相
になり、127.1℃でキラルスメクチックC相になり、90.
0℃で結晶になった。一方、昇温過程では、104.0℃で結
晶からキラルスメクチックC相になった。
になり、127.1℃でキラルスメクチックC相になり、90.
0℃で結晶になった。一方、昇温過程では、104.0℃で結
晶からキラルスメクチックC相になった。
また、セルに100Hz、20Vppの三角波を印加し、分極反
転電流値より自発分極を測定したところ、95.7℃で146.
2nC/cm2という値を示した。
転電流値より自発分極を測定したところ、95.7℃で146.
2nC/cm2という値を示した。
実施例2 4−オクチルオキシ安息香酸−4′−(2−フルオロ−
2−メチルヘプタノイルオキシ)ビフェニル 4−オクチルオキシ安息香酸−4′−ヒドロキシビフェ
ニルの合成 p,p′−ビフェノール11.2g(0.06mol)、4−オクチ
ルオキシ安息香酸より誘導した4−オクチルオキシ安息
香酸クロリド5.4g(0.02mol)を乾燥ピリジン100mlに溶
解し、室温で1晩攪拌した。反応終了後、6規定塩酸水
溶液を用いてpH1以下とし、析出した固体を濾取した。
この固体をエタノールから再結晶し、白色固体4.4g(53
%)を得た。
2−メチルヘプタノイルオキシ)ビフェニル 4−オクチルオキシ安息香酸−4′−ヒドロキシビフェ
ニルの合成 p,p′−ビフェノール11.2g(0.06mol)、4−オクチ
ルオキシ安息香酸より誘導した4−オクチルオキシ安息
香酸クロリド5.4g(0.02mol)を乾燥ピリジン100mlに溶
解し、室温で1晩攪拌した。反応終了後、6規定塩酸水
溶液を用いてpH1以下とし、析出した固体を濾取した。
この固体をエタノールから再結晶し、白色固体4.4g(53
%)を得た。
4−オクチルオキシ安息香酸−4′−(2−フルオロ−
2−メチルヘプタノイルオキシ)ビフェニルの合成 上述のようにして得た4−オクチルオキシ安息香酸−
4′−ヒドロキシビフェニル1.0g(2.5m mol)と(−)
−2−フルオロ−2−メチルヘプタン酸400mg(2.5m mo
l)とを用いて、実施例1と同様の反応、後処理を行
い、白色固体550mg(40%)を得た。この化合物は前述
の理化学的性質を有していた。
2−メチルヘプタノイルオキシ)ビフェニルの合成 上述のようにして得た4−オクチルオキシ安息香酸−
4′−ヒドロキシビフェニル1.0g(2.5m mol)と(−)
−2−フルオロ−2−メチルヘプタン酸400mg(2.5m mo
l)とを用いて、実施例1と同様の反応、後処理を行
い、白色固体550mg(40%)を得た。この化合物は前述
の理化学的性質を有していた。
液晶性の評価 実施例1に記載の方法で液晶性の評価を行ったとこ
ろ、降温過程では129.6℃で液体からスメクチックA相
になり、113.0℃でキラルスメクチックC相になり、87.
5℃で結晶になった。一方、昇温過程では108.0℃で結晶
からキラルスメクチックC相になった。
ろ、降温過程では129.6℃で液体からスメクチックA相
になり、113.0℃でキラルスメクチックC相になり、87.
5℃で結晶になった。一方、昇温過程では108.0℃で結晶
からキラルスメクチックC相になった。
また、実施例1に記載の方法で自発分極を測定したと
ころ、88℃で175.5nC/cm2という値を示した。
ころ、88℃で175.5nC/cm2という値を示した。
実施例3 4−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)
フェニル,4−(4−オクチルオキシフェニル)安息香酸
エステル 4−(4−オクチルオキシフェニルカルボニルオキシ)
ベンズアルデヒドの合成 4−ヒドロキシベンズアルデヒド2.0g(16m mol)、
4−ジメチルアミノピリジン200mg(1.6m mol)、オク
チルオキシ安息香酸4.1g(16m mol)を乾燥塩化メチレ
ン60mlに溶かした。次に乾燥塩化メチレン10mlに溶かし
たN,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド4.0g(19m m
ol)を加え、10時間還流下で攪拌した。反応終了後、析
出した固体を濾別し、濾液を1規定の塩酸水溶液及び水
で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸
マグネシウムを濾別後、濃縮し、残渣をエタノール20ml
から再結晶して、淡黄色針状晶4.6g(81%)を得た。
フェニル,4−(4−オクチルオキシフェニル)安息香酸
エステル 4−(4−オクチルオキシフェニルカルボニルオキシ)
ベンズアルデヒドの合成 4−ヒドロキシベンズアルデヒド2.0g(16m mol)、
4−ジメチルアミノピリジン200mg(1.6m mol)、オク
チルオキシ安息香酸4.1g(16m mol)を乾燥塩化メチレ
ン60mlに溶かした。次に乾燥塩化メチレン10mlに溶かし
たN,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド4.0g(19m m
ol)を加え、10時間還流下で攪拌した。反応終了後、析
出した固体を濾別し、濾液を1規定の塩酸水溶液及び水
で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸
マグネシウムを濾別後、濃縮し、残渣をエタノール20ml
から再結晶して、淡黄色針状晶4.6g(81%)を得た。
4−(4−オクチルオキシフェニルカルボニルオキシ)
安息香酸の合成 上述のようにして得た4−(4−オクチルオキシフェ
ニルカルボニルオキシ)ベンズアルデヒド2.0g(5.6m m
ol)を100mlのアセトンに溶かし、過マンガン酸カリウ
ム900mg(5.6m mol)を約5分で加えた。室温で1夜攪
拌した後、水20mlに溶かした亜硫酸水素ナトリウム1.0g
(9.6m mol)を加え、1規定塩酸水溶液40mlを用いてpH
1以下とした。アセトンを留去した後、析出した白色固
体を濾取し、エタノール60mlから再結晶し、白色固体1.
8g(85%)を得た。
安息香酸の合成 上述のようにして得た4−(4−オクチルオキシフェ
ニルカルボニルオキシ)ベンズアルデヒド2.0g(5.6m m
ol)を100mlのアセトンに溶かし、過マンガン酸カリウ
ム900mg(5.6m mol)を約5分で加えた。室温で1夜攪
拌した後、水20mlに溶かした亜硫酸水素ナトリウム1.0g
(9.6m mol)を加え、1規定塩酸水溶液40mlを用いてpH
1以下とした。アセトンを留去した後、析出した白色固
体を濾取し、エタノール60mlから再結晶し、白色固体1.
8g(85%)を得た。
4−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)
フェニル,4−(4−オクチルオキシフェニル)安息香酸
エステルの合成 上述のようにして得た4−(4−オクチルオキシフェ
ニルオルボニルオキシ)安息香酸300mg(0.18m mol)及
び実施例1で示した4−(2−フルオロ−2−メチルヘ
プタノイルオキシ)フェノール210mg(0.81m mol)を実
施例1と同様の反応、後処理を行い、白色固体260mg(5
3%)を得た。この化合物は前述の理化学的性質を有し
ていた。
フェニル,4−(4−オクチルオキシフェニル)安息香酸
エステルの合成 上述のようにして得た4−(4−オクチルオキシフェ
ニルオルボニルオキシ)安息香酸300mg(0.18m mol)及
び実施例1で示した4−(2−フルオロ−2−メチルヘ
プタノイルオキシ)フェノール210mg(0.81m mol)を実
施例1と同様の反応、後処理を行い、白色固体260mg(5
3%)を得た。この化合物は前述の理化学的性質を有し
ていた。
液晶性の評価 実施例1に記載の方法で液晶性の評価を行ったとこ
ろ、降温過程では、141.1℃で液体からスメクチックA
相になり、100.7℃でキラルスメクチックC相になり、8
7.0℃で結晶になった。一方、昇温過程では、103.0℃で
結晶からスメクチックA相になった。
ろ、降温過程では、141.1℃で液体からスメクチックA
相になり、100.7℃でキラルスメクチックC相になり、8
7.0℃で結晶になった。一方、昇温過程では、103.0℃で
結晶からスメクチックA相になった。
また、実施例1に記載の方法で自発分極を測定したと
ころ、90.2℃で14.5nC/cm2という値を示した。
ころ、90.2℃で14.5nC/cm2という値を示した。
実施例4 4−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)
−4−ヘキシルオキシターフェニルの合成 4′−ブロモ−4−(1−エトキシ)エトキシビフェニ
ルの合成 p−ブロモフェニルフェノール2.0g(8.0m mol)、エ
チルビニルエーテル(32m mol)をジクロロメタン20ml
に溶解した後、室温で一晩攪拌した。反応終了後、水で
洗浄した後に、トルエンを展開溶媒に用いたシリカゲル
カラムクロマトグラフィーによって精製し、白色固体1.
9g(74%)を得た。
−4−ヘキシルオキシターフェニルの合成 4′−ブロモ−4−(1−エトキシ)エトキシビフェニ
ルの合成 p−ブロモフェニルフェノール2.0g(8.0m mol)、エ
チルビニルエーテル(32m mol)をジクロロメタン20ml
に溶解した後、室温で一晩攪拌した。反応終了後、水で
洗浄した後に、トルエンを展開溶媒に用いたシリカゲル
カラムクロマトグラフィーによって精製し、白色固体1.
9g(74%)を得た。
4−ヒドロキシ−4−ヘキシルオキシターフェニルの合
成 窒素気流下、マグネシウム150mgを入れたフラスコ
に、滴下ロートより5mlの乾燥テトラヒドロフランに溶
解した4−ヘキシルオキシブロモベンゼン0.5mlを滴下
し、これにヨウ素片一粒を入れて反応を開始した。反応
開始を確認後、残りの溶液を滴下して50℃で3時間攪拌
した。その後、7mlの乾燥テトラヒドロフランに溶解し
た4′−ブロモ−4−(1−エトキシ)エトキシビフェ
ニル1.9g(5.9m mol)を滴下し、15時間還流下で攪拌し
た。反応終了後、反応物を6規定の塩酸水溶液中に入
れ、そのまま1時間攪拌した。攪拌後、析出した固体を
濾取した。
成 窒素気流下、マグネシウム150mgを入れたフラスコ
に、滴下ロートより5mlの乾燥テトラヒドロフランに溶
解した4−ヘキシルオキシブロモベンゼン0.5mlを滴下
し、これにヨウ素片一粒を入れて反応を開始した。反応
開始を確認後、残りの溶液を滴下して50℃で3時間攪拌
した。その後、7mlの乾燥テトラヒドロフランに溶解し
た4′−ブロモ−4−(1−エトキシ)エトキシビフェ
ニル1.9g(5.9m mol)を滴下し、15時間還流下で攪拌し
た。反応終了後、反応物を6規定の塩酸水溶液中に入
れ、そのまま1時間攪拌した。攪拌後、析出した固体を
濾取した。
次いで、析出固体を、ジクロロメタン250mlに溶解
し、これにエチルビニルエーテル1.9g(26m mol)を滴
下し、室温で2時間攪拌した。反応終了後、水で洗浄
し、次いで展開溶液(クロロホルム:ヘキサン=1:1)
を用いたシリカゲルクロマトグラフィーによって精製
し、白色固体340mgを得た。
し、これにエチルビニルエーテル1.9g(26m mol)を滴
下し、室温で2時間攪拌した。反応終了後、水で洗浄
し、次いで展開溶液(クロロホルム:ヘキサン=1:1)
を用いたシリカゲルクロマトグラフィーによって精製
し、白色固体340mgを得た。
しかる後、この白色固体をテトラヒドロフラン40mlに
溶かし、これに6規定塩酸水溶液40mlを加えた後、室温
で一晩攪拌した。反応終了後、クロロホルムで抽出し、
水で洗浄して白色固体270mg(15%)を得た。
溶かし、これに6規定塩酸水溶液40mlを加えた後、室温
で一晩攪拌した。反応終了後、クロロホルムで抽出し、
水で洗浄して白色固体270mg(15%)を得た。
4−(2−フルオロ−2−メチルヘプタノイルオキシ)
−4−ヘキシルオキシターフェニルの合成 4−ヒドロキシ−4−ヘキシルオキシターフェニル24
0mg(0.7m mol)、(−)−2−フルオロ−2−メチル
ヘキサン酸20mg(0.7m mol)、N,N′−ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド150mg(0.7m mol)及び4−ジメチル
アミノピリジン10mg(0.07m mol)を乾燥ジクロロメタ
ン100mlに溶解し、還流下で7時間攪拌した。反応終了
後、析出した固体を濾別し、1規定塩酸水溶液、水で洗
浄後、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸
マグネシウムを濾別後、トルエンを展開溶媒に用いたシ
リカゲルクロマトグラフィーによって精製した後、エタ
ノール60mlから再結晶して白色固体80mg(24%)を得
た。この化合物は、前述の理化学的性質を有していた。
−4−ヘキシルオキシターフェニルの合成 4−ヒドロキシ−4−ヘキシルオキシターフェニル24
0mg(0.7m mol)、(−)−2−フルオロ−2−メチル
ヘキサン酸20mg(0.7m mol)、N,N′−ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド150mg(0.7m mol)及び4−ジメチル
アミノピリジン10mg(0.07m mol)を乾燥ジクロロメタ
ン100mlに溶解し、還流下で7時間攪拌した。反応終了
後、析出した固体を濾別し、1規定塩酸水溶液、水で洗
浄後、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸
マグネシウムを濾別後、トルエンを展開溶媒に用いたシ
リカゲルクロマトグラフィーによって精製した後、エタ
ノール60mlから再結晶して白色固体80mg(24%)を得
た。この化合物は、前述の理化学的性質を有していた。
液晶性の評価 実施例1に記載の方法で液晶性の評価を行ったとこ
ろ、降温過程では189.2℃で液体からスメクチックA相
になり、173.6℃でキラルスメクチックC相になり、17
0.6℃で結晶になった。一方、昇温過程では172.0℃で結
晶からキラルスメクチックC相になった。
ろ、降温過程では189.2℃で液体からスメクチックA相
になり、173.6℃でキラルスメクチックC相になり、17
0.6℃で結晶になった。一方、昇温過程では172.0℃で結
晶からキラルスメクチックC相になった。
また、実施例1に記載の方法で自発分極を測定したと
ころ、171.6℃で82nC/cm2という値を示した。
ころ、171.6℃で82nC/cm2という値を示した。
実施例5 液晶組成物の作製 スメクチックC相を示すが、強誘電性ではない液晶組
成物としてフェニルピリミジン系液晶組成物を用いた。
成物としてフェニルピリミジン系液晶組成物を用いた。
この組成物の相転移挙動は以下に示すとおりである。
上記組成物に実施例1の次式、 で表わされる化合物を6wt%添加したところ、以下に示
す相転移挙動を示した。
す相転移挙動を示した。
尚、液晶性の評価は、実施例1と同様に行った。
また、この組成物の応答時間は960μsec(10Vpp/μm,
25℃)であた。
25℃)であた。
実施例6 液晶組成物の作製 実施例5と同様のフェニルピリミジン系組成物に実施
例2の次式、 で表される化合物を6wt%添加し、実施例1と同様に液
晶性の評価を行ったところ、以下に示す相転移挙動を示
した。
例2の次式、 で表される化合物を6wt%添加し、実施例1と同様に液
晶性の評価を行ったところ、以下に示す相転移挙動を示
した。
この組成物の応答時間は108μsec(10Vpp/μm,25℃)で
あった。
あった。
実施例7 実施例5と同様のフェニルピリミジン系組成物に実施
例4の次式、 で表わされる化合物を6wt%添加し、実施例1と同様に
液晶性の評価を行ったところ、以下に示す相転移挙動を
示した。
例4の次式、 で表わされる化合物を6wt%添加し、実施例1と同様に
液晶性の評価を行ったところ、以下に示す相転移挙動を
示した。
この組成物の応答時間は、30μsec(10Vpp/μm,25℃)
であった。
であった。
比較例 比較化合物として下記の化合物を合成し、液晶性の評
価を行った。
価を行った。
4′−(2−フロオロ−2−メチルブタノイルオキシ)
−4−オクチルオキシビフェニル (S)−(−)−3−ヒドロキシ−2−フルオロ−2−
メチルプロピオン酸モノエチルエステルの合成 乾燥塩化メチレン40mlに、N,N−ジメチルホルムアミ
ド3.4ml及びオキサリルクロリド8.0mlを加え、窒素気流
下0℃で1時間攪拌した。塩化メチレンを留去後、残渣
を乾燥アセトニトリル30ml及び乾燥テトラヒドロフラン
30mlに溶解し、次いでこれに(S)−(−)−2−フル
オロ−2−メチルマロン酸モノエチルエステル6.0g(0.
03mol)を乾燥テトラヒドロフラン10mlに溶かしたもの
を窒素雰囲気下−30℃で滴下し、−30℃で1時間攪拌
し、しかる後−78℃に冷却した。
−4−オクチルオキシビフェニル (S)−(−)−3−ヒドロキシ−2−フルオロ−2−
メチルプロピオン酸モノエチルエステルの合成 乾燥塩化メチレン40mlに、N,N−ジメチルホルムアミ
ド3.4ml及びオキサリルクロリド8.0mlを加え、窒素気流
下0℃で1時間攪拌した。塩化メチレンを留去後、残渣
を乾燥アセトニトリル30ml及び乾燥テトラヒドロフラン
30mlに溶解し、次いでこれに(S)−(−)−2−フル
オロ−2−メチルマロン酸モノエチルエステル6.0g(0.
03mol)を乾燥テトラヒドロフラン10mlに溶かしたもの
を窒素雰囲気下−30℃で滴下し、−30℃で1時間攪拌
し、しかる後−78℃に冷却した。
次に、上記反応液に、30mlの乾燥テトラヒドロフラン
30mlに溶解した水素化ホウ素ナトリウム3.7g(0.1mol)
を−78℃で滴下し、−20℃にて4時間攪拌した。その
後、再度、−78℃まで冷却し、3規定の塩酸水溶液50ml
を加えて室温に戻し、エーテルで抽出し、1規定塩酸水
溶液、5%炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウ
ムを濾別後、減圧蒸留して、無色透明液体2.3g(45%)
を得た。
30mlに溶解した水素化ホウ素ナトリウム3.7g(0.1mol)
を−78℃で滴下し、−20℃にて4時間攪拌した。その
後、再度、−78℃まで冷却し、3規定の塩酸水溶液50ml
を加えて室温に戻し、エーテルで抽出し、1規定塩酸水
溶液、5%炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウ
ムを濾別後、減圧蒸留して、無色透明液体2.3g(45%)
を得た。
(S)−(−)−3−(p−トルエンスルホニル)−2
−フルオロ−2−メチルプロピオン酸モノエチルエステ
ルの合成 上述のようにして得た(S)−(−)−3−ヒドロキ
シ−2−フルオロ−2−メチルプロピオン酸モノエチル
エステル2.3g(0.02mol)及びトシルクロリド2.9g(0.0
2mol)を20mlの乾燥ピリジン20mlに溶解し、室温で1晩
攪拌した。反応終了後、1規定の塩酸水溶液を加え、酢
酸エチルで抽出し、さらに1規定の塩酸水溶液、水で洗
浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシ
ウムを濾別後、シリカゲルクロマトグラフィー(展開液
トルエン:酢酸エチル=5:1(V/V)によって精製し、淡
黄色の液体3.8g(82%)を得た。
−フルオロ−2−メチルプロピオン酸モノエチルエステ
ルの合成 上述のようにして得た(S)−(−)−3−ヒドロキ
シ−2−フルオロ−2−メチルプロピオン酸モノエチル
エステル2.3g(0.02mol)及びトシルクロリド2.9g(0.0
2mol)を20mlの乾燥ピリジン20mlに溶解し、室温で1晩
攪拌した。反応終了後、1規定の塩酸水溶液を加え、酢
酸エチルで抽出し、さらに1規定の塩酸水溶液、水で洗
浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシ
ウムを濾別後、シリカゲルクロマトグラフィー(展開液
トルエン:酢酸エチル=5:1(V/V)によって精製し、淡
黄色の液体3.8g(82%)を得た。
(S)−(−)−2−フルオロ−2−メチルブタン酸モ
ノエチルエステルの合成 ヨウ化銅4.8g(0.025mol)を乾燥エーテル10ml中に加
え、窒素気流下−25〜−30℃に冷却し、メチルリチウム
36mlを滴下した。次に、−15〜−20℃で乾燥エーテル10
mlに溶解した(S)−(−)−3−(p−トルエンスル
ホニル)−2−フルオロ−2−メチルプロピオン酸モノ
エチルエステル3.8g(0.01mol)を滴下し、0〜5℃で1
0時間攪拌した。反応終了後、固体を濾別し、1規定塩
酸水溶液、水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。硫酸マグネシウムを濾別後、溶媒を留去し、残渣を
そのまま次の反応に使用した。
ノエチルエステルの合成 ヨウ化銅4.8g(0.025mol)を乾燥エーテル10ml中に加
え、窒素気流下−25〜−30℃に冷却し、メチルリチウム
36mlを滴下した。次に、−15〜−20℃で乾燥エーテル10
mlに溶解した(S)−(−)−3−(p−トルエンスル
ホニル)−2−フルオロ−2−メチルプロピオン酸モノ
エチルエステル3.8g(0.01mol)を滴下し、0〜5℃で1
0時間攪拌した。反応終了後、固体を濾別し、1規定塩
酸水溶液、水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。硫酸マグネシウムを濾別後、溶媒を留去し、残渣を
そのまま次の反応に使用した。
(S)−(−)−2−フルオロ−2−メチルブタン酸の
合成 上述のようにして得た(S)−(−)−2−フルオロ
−2−メチルブタン酸モノエチルエステル950mg(6.4×
10-3mol)をアセトン10mlに溶解し、水酸化ナトリウム4
00mg(9.6×10-3mol)を加えて、室温で4時間攪拌し
た。反応終了後、氷冷下水15mlを加えた後、エーテルで
洗浄し、水相を6規定の塩酸水溶液を用いてpH1未満と
した。しかる後、エーテルで抽出し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを濾別後、エーテル
を留去し、無色透明な液体440mg(57%)を得た。
合成 上述のようにして得た(S)−(−)−2−フルオロ
−2−メチルブタン酸モノエチルエステル950mg(6.4×
10-3mol)をアセトン10mlに溶解し、水酸化ナトリウム4
00mg(9.6×10-3mol)を加えて、室温で4時間攪拌し
た。反応終了後、氷冷下水15mlを加えた後、エーテルで
洗浄し、水相を6規定の塩酸水溶液を用いてpH1未満と
した。しかる後、エーテルで抽出し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを濾別後、エーテル
を留去し、無色透明な液体440mg(57%)を得た。
4′−(2−フルオロ−2−メチルブタノイルオキシ)
−4−オクチルオキシビフェニルの合成 上述のようにして得た(S)−(−)−2−フルオロ
−2−メチルブタン酸200mg(1.7×10-3mol)、4′−
ヒドロキシ−4−オクチルオキシビフェニル500mg(1.7
×10-3mol)、N,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド
350mg(1.7×10-3mol)、4−ジメチルアミノピリジン2
0mgを用いて、実施例3と同様の操作を行い、目的化合
物である白色固体30mgを得た。この化合物の構造式及び
理化学性質は下記の通りである。
−4−オクチルオキシビフェニルの合成 上述のようにして得た(S)−(−)−2−フルオロ
−2−メチルブタン酸200mg(1.7×10-3mol)、4′−
ヒドロキシ−4−オクチルオキシビフェニル500mg(1.7
×10-3mol)、N,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド
350mg(1.7×10-3mol)、4−ジメチルアミノピリジン2
0mgを用いて、実施例3と同様の操作を行い、目的化合
物である白色固体30mgを得た。この化合物の構造式及び
理化学性質は下記の通りである。
IR(KBr,cm-1): 2920,2850,1770,1610,1500,1460,1290,1230,1210,11201 H−NMR(CDCl3中、TMS基準,δ値ppm): 7.67(d,2H),7.53(d,2H),7.26(d.2H) 7.00(d,2H),4.00(t,2H),0.80〜2.50(m,23H) 液晶性の評価 実施例1に記載の方法で液晶性の評価を行ったとこ
ろ、降温過程では、77.5℃で等方性液体からスメクチッ
クA相に変わり、69.4℃で同定不能な高次のスメクチッ
ク相になった。昇温過程では、69.5℃で結晶からスメク
チックA相になった。
ろ、降温過程では、77.5℃で等方性液体からスメクチッ
クA相に変わり、69.4℃で同定不能な高次のスメクチッ
ク相になった。昇温過程では、69.5℃で結晶からスメク
チックA相になった。
組成物としての液晶性の評価 スメクチックC相を示すが、強誘電性ではない液晶組
成物として、フェニルピリミジン系液晶組成物を用い
た。この組成物の相転移挙動は以下に示すとおりであ
る。
成物として、フェニルピリミジン系液晶組成物を用い
た。この組成物の相転移挙動は以下に示すとおりであ
る。
この液晶組成物に次式、 で表される上記比較化合物を6wt%添加したところ、以
下に示す相転移挙動を示した。
下に示す相転移挙動を示した。
尚、液晶性の評価は実施例1と同様に行った。
この比較化合物は、先に示した実施例4及び5と比較
して、コレステリック相(Ch)の消失という点で配向状
態等に問題があり、好ましいものとはならない。
して、コレステリック相(Ch)の消失という点で配向状
態等に問題があり、好ましいものとはならない。
(発明の効果) 本発明の化合物は、安定なサーモトロピックの液晶状
態を取り得、自発分極が大きくて応答速度が速い強誘電
性液晶となる等、オプトエレクトロニクス関連素子の素
材として極めて優れた効果を奏するものである。
態を取り得、自発分極が大きくて応答速度が速い強誘電
性液晶となる等、オプトエレクトロニクス関連素子の素
材として極めて優れた効果を奏するものである。
従って本発明は、例えば、液晶テレビ等のディスプレ
イ用、プリンターヘッド、光フーリエ変換素子、ライト
バルブ等、液晶やエレクトロケミクロミズムを利用する
オプトエレクトロニクス関連素子の素材として有用な液
晶材料といえる。
イ用、プリンターヘッド、光フーリエ変換素子、ライト
バルブ等、液晶やエレクトロケミクロミズムを利用する
オプトエレクトロニクス関連素子の素材として有用な液
晶材料といえる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C07M 7:00 (72)発明者 平井 利弘 埼玉県戸田市新曽南3丁目17番35号 日 本鉱業株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07C 69/63 C07C 69/92 C07C 69/94 C09K 19/20 C09K 19/12 CA(STN) REGISTRY(STN)
Claims (3)
- 【請求項1】次の一般式 (式中、R1およびR2はアルキル基で、同じものでも異な
っているものでもよく、A,Bは単結合、−COO−のいづれ
かを示す)で表わされるエステル化合物。 - 【請求項2】前記一般式(I)で表わされる化合物が光
学活性を有する請求項1記載のエステル化合物。 - 【請求項3】請求項1または2記載のエステル化合物を
含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2096320A JP2786513B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-04-13 | エステル化合物及びこれを含む液晶組成物 |
US07/604,827 US5211879A (en) | 1989-11-07 | 1990-10-29 | Ester compounds and liquid crystal compositions containing the same |
EP90121111A EP0427166B1 (en) | 1989-11-07 | 1990-11-05 | Ester compounds and liquid crystal compositions containing the same |
DE69010147T DE69010147T2 (de) | 1989-11-07 | 1990-11-05 | Esterverbindungen und sie enthaltende flüssigkristalline Zusammensetzungen. |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-8505 | 1990-01-19 | ||
JP850590 | 1990-01-19 | ||
JP2096320A JP2786513B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-04-13 | エステル化合物及びこれを含む液晶組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03251554A JPH03251554A (ja) | 1991-11-11 |
JP2786513B2 true JP2786513B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=26343030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2096320A Expired - Lifetime JP2786513B2 (ja) | 1989-11-07 | 1990-04-13 | エステル化合物及びこれを含む液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2786513B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0558989A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-09 | Showa Denko Kk | アルキルチオ安息香酸誘導体 |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP2096320A patent/JP2786513B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03251554A (ja) | 1991-11-11 |
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