JPS61225147A - ハロゲノ芳香族化合物 - Google Patents
ハロゲノ芳香族化合物Info
- Publication number
- JPS61225147A JPS61225147A JP6461485A JP6461485A JPS61225147A JP S61225147 A JPS61225147 A JP S61225147A JP 6461485 A JP6461485 A JP 6461485A JP 6461485 A JP6461485 A JP 6461485A JP S61225147 A JPS61225147 A JP S61225147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- liquid crystal
- compound
- alkyl
- trans
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は新規な液晶化合物であるノ・ロゲノ芳香族化合
物および該化合物を含有する液晶組成物に関する。
物および該化合物を含有する液晶組成物に関する。
液晶を使用した表示素子は液晶物質の光学異方性および
誘電異方性を利用したものであり、液晶相にはネマチッ
ク相、スメクチック相、コレステリック相があり、その
うちネマチック液晶を利用したものが、現在、最も広く
実用化されている。
誘電異方性を利用したものであり、液晶相にはネマチッ
ク相、スメクチック相、コレステリック相があり、その
うちネマチック液晶を利用したものが、現在、最も広く
実用化されている。
それらにはＴＮ型（ねじれネマチック型）、ＤＢ型（動
的散乱型）、ゲスト・ホスト屋、ＤＡＰ型などがあり、
それぞれに使用される液晶防電体に要求される性質は異
る。しかし、いずれにしてもこれら表示素子に使用され
る液晶防電体はなるべく広い温度範囲で液晶相を示すも
のが望ましく、また水分、光、熱、空気等に対しても安
定であることが要求される。しかし現在のところ単一の
化合物でそのような条件を全てみたすものはなく、数種
の液晶化合物または液晶類似化合物を混合して得られる
液晶組成物を実用に供しているのが現状である。
的散乱型）、ゲスト・ホスト屋、ＤＡＰ型などがあり、
それぞれに使用される液晶防電体に要求される性質は異
る。しかし、いずれにしてもこれら表示素子に使用され
る液晶防電体はなるべく広い温度範囲で液晶相を示すも
のが望ましく、また水分、光、熱、空気等に対しても安
定であることが要求される。しかし現在のところ単一の
化合物でそのような条件を全てみたすものはなく、数種
の液晶化合物または液晶類似化合物を混合して得られる
液晶組成物を実用に供しているのが現状である。
本発明の目的は主としてＴＮ型表示素子用液晶組成物の
成分として使用するのに適する新規な液晶化合物を提供
することにある。
成分として使用するのに適する新規な液晶化合物を提供
することにある。
即ち、本発明は一般式
（（１）式において炭素数１〜１２個のアルキル基を示
し、ａ 、ｂ 、ｃ 、ｄ 、ｅそれぞれＨ、Ｆ、 Ｃ
１またはＢｒを示すが、少くともその一つが７・ロゲン
原子である） で表わされるハロゲノ芳香族液晶化合物および該化合物
を含有する液晶組成物である。
し、ａ 、ｂ 、ｃ 、ｄ 、ｅそれぞれＨ、Ｆ、 Ｃ
１またはＢｒを示すが、少くともその一つが７・ロゲン
原子である） で表わされるハロゲノ芳香族液晶化合物および該化合物
を含有する液晶組成物である。
本発明の化合物の中では０）式においてＣ又はｂが、或
はＣとｂのいずれもがＦｉるいはＣ１であるものが粘度
が低いので好ましい。
はＣとｂのいずれもがＦｉるいはＣ１であるものが粘度
が低いので好ましい。
また（１）式におけるＲ１即ちアルギル基は直鎖のもの
が好ましいがＲが分枝鎖の化合物も、既に広く利用され
ている他の液晶化合物または液晶組成物との相溶性が直
鎖のものより良好なので、場合によっては有用である。
が好ましいがＲが分枝鎖の化合物も、既に広く利用され
ている他の液晶化合物または液晶組成物との相溶性が直
鎖のものより良好なので、場合によっては有用である。
本発明の化合物は高い透明点を有する、液晶温度範囲の
広い高温液晶であり、又、他の液晶化合物との相溶性に
すぐれており、液晶組成物の成分に用いて、その透明点
を高める作用をもつ。また比較的低粘度であるので得ら
れる液晶材料の粘度上昇をわずかにおさえることができ
る。
広い高温液晶であり、又、他の液晶化合物との相溶性に
すぐれており、液晶組成物の成分に用いて、その透明点
を高める作用をもつ。また比較的低粘度であるので得ら
れる液晶材料の粘度上昇をわずかにおさえることができ
る。
本発明の（１）式の化合物の少くとも１つ以上の化合物
を例えば次に示す既知の液晶化合物１つ以上の化合物と
混合することにより表示素子用に有用な液晶組成物が得
られる。
を例えば次に示す既知の液晶化合物１つ以上の化合物と
混合することにより表示素子用に有用な液晶組成物が得
られる。
崗ｉ） Ｒ（）ＣＨ２０（ｙＹ
又はＯＲ’を示し、またＲ、Ｒ／けアルキル基を示す）
。
。
（１１式の化合物は次の様な工程で製造することができ
る。
る。
ＲＯＣＨ２→く）−く＝）−ＣＯＣｌ ＋Ｒ２００Ｈ→
ＲＯＣＨ２℃）〇−Ｃｏ Ｒ” （Ｉｆ） （上式でＲ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは前記と同じ意味を有
し、Ｒ２はアルギル基であるが第３ブチル基が好ましい
） 即ち、まず酸クロリドとアルキルヒドロペルオキシドを
反応させて（■）式のエステルを生成させ、次いでこの
（■）式のエステルに（ＩＩＩ）式のノ・ロゲノベンゼ
ンを反応させることにより（１）式の化合物が得られる
。
ＲＯＣＨ２℃）〇−Ｃｏ Ｒ” （Ｉｆ） （上式でＲ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは前記と同じ意味を有
し、Ｒ２はアルギル基であるが第３ブチル基が好ましい
） 即ち、まず酸クロリドとアルキルヒドロペルオキシドを
反応させて（■）式のエステルを生成させ、次いでこの
（■）式のエステルに（ＩＩＩ）式のノ・ロゲノベンゼ
ンを反応させることにより（１）式の化合物が得られる
。
この反応は一般に不活性溶剤、例えばベンゼンの存在下
に、約Ｏ〜約１５０℃好ましくは６０〜１１０℃の温度
で行うことが好ましい。又、過エステルを酸クロリドか
ら生成させる反応では、ピリジンまたはトリエチルアミ
ンの様な塩基を加えて生成した塩化水素を中和する事が
望ましい。
に、約Ｏ〜約１５０℃好ましくは６０〜１１０℃の温度
で行うことが好ましい。又、過エステルを酸クロリドか
ら生成させる反応では、ピリジンまたはトリエチルアミ
ンの様な塩基を加えて生成した塩化水素を中和する事が
望ましい。
式ＲＯＣＨ２Ｋ〕Ｒコ刈ＣＯＣｌの酸クロリドは特開昭
５８−１２１２６６号公報に記載の方法に準じて製造し
た。
５８−１２１２６６号公報に記載の方法に準じて製造し
た。
弐（１）の化合物は式（Ｖ）のグリニヤー試薬と式ＱＶ
）のノ・ロゲノベンゼン誘導体とを適当なる触媒の存在
下においてカップリング反応させ□ることにより製造す
ることもできる。これを反応式で示すと、（め
（Ｖ） （上記反応式においてｈａｌはハロゲン原子を示し、ａ
、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは前記と同じ意味を有する。）この反
応は一般にジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等の
エーテル系の溶媒中、０°〜約４０℃の温度で行なうと
好ましい。本反応における適当なる触媒としてはニッケ
ルーホスフィン系の触媒が好ましい。尚、弐〇Ｖ）のハ
ロゲノベンゼン誘導体は特開昭５８−５９９５６号公報
に記載の方法に準じて製造した。
）のノ・ロゲノベンゼン誘導体とを適当なる触媒の存在
下においてカップリング反応させ□ることにより製造す
ることもできる。これを反応式で示すと、（め
（Ｖ） （上記反応式においてｈａｌはハロゲン原子を示し、ａ
、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは前記と同じ意味を有する。）この反
応は一般にジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等の
エーテル系の溶媒中、０°〜約４０℃の温度で行なうと
好ましい。本反応における適当なる触媒としてはニッケ
ルーホスフィン系の触媒が好ましい。尚、弐〇Ｖ）のハ
ロゲノベンゼン誘導体は特開昭５８−５９９５６号公報
に記載の方法に準じて製造した。
以下に実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、
本発明はこれらの例に限定されるものではない。
本発明はこれらの例に限定されるものではない。
実施例１
〔トランス−４−メチルオキシメチル−１−（４′−フ
ルオロビフェニリル−４’）シクロヘキサン（（Ｉ）式
でＲがＣＨ３、ａ、ｂ、ｄ、ｅがＪ ｃがＦののもの）
の製造〕 トランス−４−メチルオキシメチル−１−（４’ −ヨ
ードフェニル）シクロヘキサン５ ｆ （０，０１５ｍ
ｏｌ）ビス−トリフェニルホスフィンニッケル（ｎ）
クロリド０．Ｉ Ｗ （０，１５ｍｍｏＡ’ ）を乾燥
したジエチルエーテル２０ｍ１に溶解し、フラスコの周
囲を氷水にて冷却し５℃以下に保つ。ここへ、フルオロ
ブロムベンゼン２．９ ｔ （１６，７ｍｍｏｌ）、マ
グネシウム０．４９ （１６，７ｍｍｏｌ）から常法に
より潤製したグリニヤー試薬のエーテル溶液を反応温度
が１０℃を超えない様な速度で滴下する。滴下終了後、
２０〜２５℃にて１時間撹拌した後に続いて４時間加熱
還流反応させた。反応終了後、反応液を水１００ｍ／中
に加えた。析出した油状物をトルエン２０１にて抽出し
、抽出トルエン層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。
ルオロビフェニリル−４’）シクロヘキサン（（Ｉ）式
でＲがＣＨ３、ａ、ｂ、ｄ、ｅがＪ ｃがＦののもの）
の製造〕 トランス−４−メチルオキシメチル−１−（４’ −ヨ
ードフェニル）シクロヘキサン５ ｆ （０，０１５ｍ
ｏｌ）ビス−トリフェニルホスフィンニッケル（ｎ）
クロリド０．Ｉ Ｗ （０，１５ｍｍｏＡ’ ）を乾燥
したジエチルエーテル２０ｍ１に溶解し、フラスコの周
囲を氷水にて冷却し５℃以下に保つ。ここへ、フルオロ
ブロムベンゼン２．９ ｔ （１６，７ｍｍｏｌ）、マ
グネシウム０．４９ （１６，７ｍｍｏｌ）から常法に
より潤製したグリニヤー試薬のエーテル溶液を反応温度
が１０℃を超えない様な速度で滴下する。滴下終了後、
２０〜２５℃にて１時間撹拌した後に続いて４時間加熱
還流反応させた。反応終了後、反応液を水１００ｍ／中
に加えた。析出した油状物をトルエン２０１にて抽出し
、抽出トルエン層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。
このトルエン溶液をクロマトグラフィー（シリカゲル）
により処理して、得られたトルエン溶液からトルエンを
留去し、得ロビフエニリル−４′）シクロヘキサン２．
１ ｆ（４５，２チ）を得た。この物は液晶相を示しＣ
−Ｎ点（結晶相−ネマチック相転移点）１０４．１℃、
Ｎ−４点（ネマチック相−等方液相転移点）］、４６．
０℃であった。
により処理して、得られたトルエン溶液からトルエンを
留去し、得ロビフエニリル−４′）シクロヘキサン２．
１ ｆ（４５，２チ）を得た。この物は液晶相を示しＣ
−Ｎ点（結晶相−ネマチック相転移点）１０４．１℃、
Ｎ−４点（ネマチック相−等方液相転移点）］、４６．
０℃であった。
実施例２
〔トランス−４−メチルオキシメチルー］−（３＃、４
Ｎ）フルオロビフェニリル−４′）シクロヘキサン（（
Ｉ）式でＲ＝ＣＨ３，ａ、ｄ、ｅがＨＸｂ、ｃがＦのも
の）の製造〕 第三ブチルヒドロペルオキシド９ｖおよびピリジン７．
９２を、ベンゼン１００＃ｌ／中のトランス−４−メチ
ルオキシメチルシクロヘキンル安廂香酸クロリド２．７
１の溶液に１０℃で加える。
Ｎ）フルオロビフェニリル−４′）シクロヘキサン（（
Ｉ）式でＲ＝ＣＨ３，ａ、ｄ、ｅがＨＸｂ、ｃがＦのも
の）の製造〕 第三ブチルヒドロペルオキシド９ｖおよびピリジン７．
９２を、ベンゼン１００＃ｌ／中のトランス−４−メチ
ルオキシメチルシクロヘキンル安廂香酸クロリド２．７
１の溶液に１０℃で加える。
１０℃で１時間撹拌した後に、生成したピリジン−塩酸
塩を吸引ヂ過にて除去した。Ｆ液の過エステルの溶液に
オルトジフルオロベンゼン１１．４９を加える。この後
に２０時間加熱還流反応させた。
塩を吸引ヂ過にて除去した。Ｆ液の過エステルの溶液に
オルトジフルオロベンゼン１１．４９を加える。この後
に２０時間加熱還流反応させた。
反応終了後、反応液を水で洗浄した後に、無水硫酸す）
ＩＪウム上で乾燥した。乾燥溶液からベンゼンを留去
し、残った粗結晶を酢酸エチルから再結晶精製を行い、
目的物であるトランス−４−メチルオキシメチル−１−
（３’、４’−ジフルオロビフェニリル−４′）シクロ
ヘキサン１６．５９ （収率５２チ）を得た。この物は
モノトロピック液晶で、その相転移点はｃ−ｒ点９８．
３℃、Ｎ−Ｉ点８６．７℃であった。
ＩＪウム上で乾燥した。乾燥溶液からベンゼンを留去
し、残った粗結晶を酢酸エチルから再結晶精製を行い、
目的物であるトランス−４−メチルオキシメチル−１−
（３’、４’−ジフルオロビフェニリル−４′）シクロ
ヘキサン１６．５９ （収率５２チ）を得た。この物は
モノトロピック液晶で、その相転移点はｃ−ｒ点９８．
３℃、Ｎ−Ｉ点８６．７℃であった。
実施例３〜５
実施例１及び２に準する方法にて次に示す化合物を得た
。
。
トランス−４−メチルオキシメチル−１−（４’−クロ
ルビフェニリル−４′）シクロヘキサン：Ｃ−Ｎ点１４
１゜３℃、Ｎ−４点１７ ’ｉ’、０℃。
ルビフェニリル−４′）シクロヘキサン：Ｃ−Ｎ点１４
１゜３℃、Ｎ−４点１７ ’ｉ’、０℃。
トランス−４−エチルオキシメチル−１−（３’ −フ
ルオロビフェニリル−４１）シクロヘキサン；Ｃ−１点
７６．５℃。
ルオロビフェニリル−４１）シクロヘキサン；Ｃ−１点
７６．５℃。
トランス−４−エチルオキシメチル−１−（４’−フル
オロビフェニリル−４′）シクロヘキサン；Ｃ−Ｎ点８
０．２℃、Ｎ−Ｉ点１２２゜８℃。
オロビフェニリル−４′）シクロヘキサン；Ｃ−Ｎ点８
０．２℃、Ｎ−Ｉ点１２２゜８℃。
実施例６
なる液晶組成物のＮ−Ｉ点は５２℃、訪電率の異方性△
εは１１．２２０℃における粘度は２３゜４ｅｐであっ
た。この液晶組成物（Ａ） ８５重量％に対し、本発明
の化合物である実施例１で製造したトランス−４−メチ
ルオキシメチル−１−（４’−フルオロビフェニリル−
４′）シクロヘキサン１５ＪｉＦＩＴＳを加えた液晶組
成物のＮ−１点は６２℃に上昇し、△εは１３．０に増
大した。また２０℃における粘度は２５ ｃｐとわずか
の上昇であった。
εは１１．２２０℃における粘度は２３゜４ｅｐであっ
た。この液晶組成物（Ａ） ８５重量％に対し、本発明
の化合物である実施例１で製造したトランス−４−メチ
ルオキシメチル−１−（４’−フルオロビフェニリル−
４′）シクロヘキサン１５ＪｉＦＩＴＳを加えた液晶組
成物のＮ−１点は６２℃に上昇し、△εは１３．０に増
大した。また２０℃における粘度は２５ ｃｐとわずか
の上昇であった。
実施例７
実施例６に於ける液晶組成物Ａ８５％に実施例３の化合
物、トランス−４−メチルオキシメチル−１−（４’−
クロロビフェニリル−４７）シクロヘキサンを１５％加
えて得られた液晶組成物のＮ −１点は６２．６℃に上
昇し、２０℃における粘度は２５．７ ｃｐであった。
物、トランス−４−メチルオキシメチル−１−（４’−
クロロビフェニリル−４７）シクロヘキサンを１５％加
えて得られた液晶組成物のＮ −１点は６２．６℃に上
昇し、２０℃における粘度は２５．７ ｃｐであった。
１３一
実施例８
実施例６に於ける液晶組成物Ａ８５％に実施例２の化合
物、トランス−４−メチルオキシメチル−１−（３’、
４’−ジフルオロビフェニリル−４／）シクロヘキサ
ンを１５チ加えて得られる液晶組成物のＮ−Ｉ点は５４
℃、２０℃における粘度は２５．６ ｅｐであった。
物、トランス−４−メチルオキシメチル−１−（３’、
４’−ジフルオロビフェニリル−４／）シクロヘキサ
ンを１５チ加えて得られる液晶組成物のＮ−Ｉ点は５４
℃、２０℃における粘度は２５．６ ｅｐであった。
実施例９
実施例６に於ける液晶組成物Ａ８５％に実施例５の化合
物、トランス−４−エチルオキシメチル−１−（４’−
フルオロビフェニリル−４１）シクロヘキサンを１５％
加えて得られた液晶組成物のＮ−１点は５５．１℃、２
０℃における粘度は２５．３ｅｐであった。
物、トランス−４−エチルオキシメチル−１−（４’−
フルオロビフェニリル−４１）シクロヘキサンを１５％
加えて得られた液晶組成物のＮ−１点は５５．１℃、２
０℃における粘度は２５．３ｅｐであった。
以上
Claims (2)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （上式中Ｒは炭素数１〜１２個のアルキル基を示し、ａ
、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはそれぞれいずれもがＨ、Ｆ、Ｃｌ、
またはＢｒを示すが、少くともその一つはハロゲン原子
である） で表わされるハロゲノ芳香族化合物。 - （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （上式中Ｒは炭素数１〜１２個のアルキル基を示し、ａ
、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはそれぞれいずれもがＨ、Ｆ、Ｃｌま
たはＢｒを示すが、少くともその一つはハロゲン原子で
ある） で表わされるハロゲノ芳香族化合物を含有することを特
徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6461485A JPS61225147A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | ハロゲノ芳香族化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6461485A JPS61225147A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | ハロゲノ芳香族化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225147A true JPS61225147A (ja) | 1986-10-06 |
| JPH0523254B2 JPH0523254B2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=13263309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6461485A Granted JPS61225147A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | ハロゲノ芳香族化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61225147A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5068462A (en) * | 1989-07-28 | 1991-11-26 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Fluorine-substituted compound containing ether bond and intermediate thereof |
| US5389295A (en) * | 1989-08-12 | 1995-02-14 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Benzene derivatives, and a liquid crystal medium |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP6461485A patent/JPS61225147A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5068462A (en) * | 1989-07-28 | 1991-11-26 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Fluorine-substituted compound containing ether bond and intermediate thereof |
| US5389295A (en) * | 1989-08-12 | 1995-02-14 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Benzene derivatives, and a liquid crystal medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0523254B2 (ja) | 1993-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0255700B1 (en) | A tolan derivative and a liquid crystal mixture containing the same | |
| JPH0334987A (ja) | シリル化された安息香酸誘導体、その製法、新規化合物を含有する液晶表示装置 | |
| JPH0581585B2 (ja) | ||
| EP0217354A1 (en) | Novel optically active tolan derivative | |
| GB2271771A (en) | Liquid crystalline naphthalenes | |
| JPH045021B2 (ja) | ||
| EP0563981B1 (en) | Cis-1,4-substituted 2-butene derivative | |
| US5122297A (en) | Tetracyclic benzene derivatives and liquid-crystalline media | |
| JPS61225147A (ja) | ハロゲノ芳香族化合物 | |
| JP3651023B2 (ja) | ヘキセンジイン誘導体および液晶組成物 | |
| JPH02209857A (ja) | アルケニルエーテル化合物及びそれを含む液晶組成物 | |
| JPH0341473B2 (ja) | ||
| JPS59141540A (ja) | 三環カルボン酸エステル誘導体 | |
| JP3841178B2 (ja) | アルケニルベンゼン誘導体及びその製造方法 | |
| JPS59141527A (ja) | 部分還元されたナフタリン誘導体 | |
| JP2646262B2 (ja) | ジフルオロアルキルシクロヘキシルベンゾニトリル誘導体 | |
| JPS6033822B2 (ja) | 液晶相を示す新規ジフエニルエステル | |
| JPS61189263A (ja) | 液晶化合物及びその製造方法並びに液晶組成物 | |
| JPH0518814B2 (ja) | ||
| JP3635433B2 (ja) | エチニルベンゼン誘導体 | |
| JPS6092228A (ja) | ４環からなる４―フルオロビフェニル誘導体 | |
| JPH062696B2 (ja) | トラン型新規液晶化合物 | |
| JPS60215652A (ja) | トランス−４−置換シクロヘキサンカルボン酸β−（４−ハロゲノフエニル）エチルエステル誘導体 | |
| JPS6131A (ja) | ナフタレン誘導体 | |
| JPS615054A (ja) | シクロヘキサンカルボン酸フエネチルエステル誘導体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |