JPH0417174B2

JPH0417174B2 -

Info

Publication number: JPH0417174B2
Application number: JP58162766A
Authority: JP
Inventors: Hiromichi Inoe; Shinichi Saito; Kenji Terajima; Takashi Inukai; Kenji Furukawa
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1983-09-05
Filing date: 1983-09-05
Publication date: 1992-03-25
Also published as: EP0136845A3; US4589996A; EP0136845A2; JPS6054341A; EP0136845B1; DE3471685D1

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は新規な液晶性物質及び該液晶性物質を
含有する液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活
性基を有するカイラル液晶性物質及びそれらを含
有するカイラル液晶組成物に関する。現在、液晶表示素子としてはTN（Twisted
Nematic）型表示方式が最も広く用いられてい
るが、反答速度の点に於て発光型表示素子（エレ
クトロルミネツセンス、プラズマデイスプレイ
等）と比較して劣つており、この点に於ける改善
は種々試みられているにも拘らず、大巾な改善の
可能性はあまり残つていない様である。そのため
TN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示
装置が種々試みられているが、その一つに強誘電
性液晶を利用する表示方式がある（N.A.Clarkら
Applied Phys.lett.36，899（1980））。この方式は
強誘電性液晶のカイラルスメクチツクＣ相（以下
SC^*相と略称する）或はカイラルスメクチツクＨ
相（以下SH^*相と略称する）を利用するもので、
それが室温付近にあるものが望ましい。本発明者
らはこの表示方式に利用されるに適した液晶物質
の開発を主たる目的として、光学活性基を含む液
晶物質を種々探索して本発明に到達した。即ち本発明は一般式（但し上式に於てＲは炭素数３〜９の直鎖アル
キル基を示し、ｌは０又は１、ｍはｌ＝０のとき
は１，ｌ＝１のときは１又は２であり、Ｘはｍ＝
１のときはCOO又は−Ｏ−でありｍ＝２のとき
は単結合である。又、＊は光学活性炭素を示す）で表わされる炭酸エステル類である。（）式でｌ＝１の化合物は強誘電性を利用す
る液晶表示方式に適したSC^*相を広い温度範囲で
示す。又、他のSC^*相、SH^*相を呈する化合物及
びコレステリツク相を呈する化合物等との相溶性
にすぐれているのでそれ等と混合して、そのSC^*
相を呈する温度範囲を拡大するために使用でき
る。又（）式でｌ＝０の化合物はスメクチツク液
晶にならないものが多いが、いわゆるカイラル液
晶性物質として、カイラルスメクチツク液晶組成
物を構成する成分として有用なものである。表１に本発明の（）式の化合物の主要なもの
の相転移点を示す。

【表】上表に於いてＣは結晶相を、SAはスメクチツ
クＡ相を、は等方性液体相、Chはコレステリ
ツク相を夫々表わし各相の欄の、及び右側の数字
はその相から右側の相への相転移温度を示し、−
はその相を示さないことを示す。又、（）はモノ
トロピツク転移温度であることを示す。（）式の化合物を使用してカイラルスメクチ
ツク液晶組成物を構成する場合、（）式の複数
の化合物のみより構成することも可能であり、又
（）式の化合物と他のスメクチツク液晶と混合
してSC^*相を呈する液晶組成物を製造することも
可能である。SC^*相の光スイツチング効果を表示
素子として応用する場合TN表示方式にくらべて
３つのすぐれた特徴がある。第１の特徴は非常に
高速で応答し、その応答時間は通常のTN表示方
式の素子と比較すると、応答速度は１／100以下
である。第２の特徴はメモリー効果があることで
あり、上記の高速応答性とあいまつて、時分割駆
動が容易である。第８の特徴はTN表示方式で濃
淡の階調をとるには、印加電圧を調節して行なう
が、しきい値電圧の温度依存性や応答速度の電圧
依存性などの難問がある。しかしSC^*相の光スイ
ツチング効果を応用する場合には極性の反転時間
を調節することにより、容易に階調を得ることが
でき、グラフイツク表示に非常に適している。表示方法としては、２つの方式が考えられ、１
つの方法は２枚の偏光子を使用する複屈折型、他
の１つの方法は二色性色素を使用するゲスト・ホ
スト型である。SC^*相は自発分極をもつため、印
加電圧の極性を反転することにより、らせん軸を
回転軸として分子が反転する。SC^*相を有する液
晶組成物を液晶分子が電極面に平行にならぶよう
に配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶
分子のダイレクターと一方の偏光面を平行になる
ように配置した２枚の偏光子の間に該液晶セルを
はさみ、電圧を印加して、極性を反転することに
より、明視野および暗視野（偏光子の対向角度に
より決まる）が得られる。一方ゲスト・ホスト型
で動作する場合には、印加電圧の極性を反転する
ことにより明視野及び着色視野（偏光板の配置に
より決まる）を得ることができる。一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁
面に平行に配向させることは難かしく、数十キロ
ガウス以上の磁場中で等方性液体から非常にゆつ
くりと冷却する（１℃〜２℃／hr）ことにより、
液晶分子を配向させているが、コレステリツク相
を有する液晶物質では磁場の代わりに50V〜
100Vの直流電圧を印加しながら１℃／minの冷
却速度で冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。（）式の化合物は、又、光学活性炭素原子を
有するため、これをネマチツク液晶を添加するこ
とによつて捩れた構造を誘起する能力を有する。
捩れた構造を有するネマチツク液晶、即ちカイラ
ルネマチツク液晶はTN型表示素子のいわゆるリ
バース・ドメイン（reverse domain、しま模様）
を生成することがないので（）式の化合物はリ
バース・ドメイン生成の防止剤として使用でき
る。尚（）式の光学活性体に対応するラセミ体
は、後記する光学活性体の製法に於いて原料とし
てＳ（−）−２−メチル−１−ブタノールの代りに
ラセミ体の２−メチル−１−ブタノールを使用す
ることによつて、同様に製造され（）とほぼ同
じ相転移点を示す。ラセミ体はSC^*相の代りに
SC相を示し、光学活性体（）に添加してカイ
ラルスメクチツクのピツチの調整に使用できる。本発明の（）式の化合物は次の様な工程によ
り製造することができる。即ち、既知物質である４−ヒドロキシベンズア
ルデヒド（）をピリジン存在下でクロルギ酸ア
ルキルと反応して化合物（）を得る。化合物
（）を酢酸溶媒中、無水クロム酸等の酸化剤を
作用して化合物（）を得る。化合物（）に塩
化チオニルと反応して化合物（）とし、（）
をピリジン存在下で、最終目的化合物に対応する
（）式の光学活性基を有するフエノール類と反
応して目的の（）式の化合物を得る。（）式
の化合物の製造法については実施例中で述べる。以下実施例及び参考例により本発明の液晶性化
合物及びこれを用いた液晶組成物につき更に詳細
に説明する。実施例１〔４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸
−4′−（Ｓ−２−メチルブチルオキシ）フエニル
エステル（（）式に於いてＲ＝C₉H₁₉，ｌ＝０，
ｍ＝１、Ｘ＝−Ｏ−のもの）の製造〕Ａ４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸
クロリドの製造。４−ヒドロキシベンズアルデヒド16g（0.131モ
ル）を乾燥ピリジン100mlに溶解したものに、ク
ロルギ酸ノニル24.7g（0.119モル）を加え反応し
た。よく撹拌し一夜放置後、トルエン100ml、水
100mlを加え6N−塩酸次いで2N−苛性ソーダ溶
液で洗浄し、更に中性になるまで水洗した。トル
エンを留去し残留物33.2gの４−ノニルオキシカ
ルボニルオキシアルデヒドを得た。この４−ノニ
ルオキシカルボニルオキシアルデヒド20.5g
（0.070モル）を酢酸60mlに溶解撹拌したところ
へ、無水クロム酸14g（0.140モル）を水11mlと酢
酸17mlに溶解した溶液を系の温度が30℃以下を保
つ様にしながら滴下した。滴下終了後、水浴上で
内温40℃を４時間保つたのち冷却した。水300ml
を加え析出した結晶を過し結晶を水洗した。結
晶をエタノールより再結晶して４−ノニルオキシ
カルボニルオキシ安息香酸7gを得た。このもの
の融点は118.3〜120.4℃であつた。この４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香
酸7g（0.023モル）に塩化チオニル6g（0.050モル）
を加え１時間加熱還流したのち過剰の塩化チオニ
ルを留去して４−ノニルオキシカルボニルオキシ
安息香酸クロリド7.5gを得た。Ｂハイドロキノンモノ（Ｓ−２−メチルブチ
ル）エーテルの合成まず光学活性なＰ−トルエンスルホン酸−２−
メチルブチルエステルを通常の方法、即ちＰ−ト
ルエンスルホン酸クロリドとＳ（−）−２−メチル
−１−ブタノールとをピリジン中で反応させこと
により合成する。次にハイドロキノン248g（2.252モル）と苛性カ
リ88g（1.571ル）を水30mlと２のエタノールに
溶解させ、そこへ上記のＰ−トルエンスルホン酸
クロリド−２−メチルブチルエステル366g（1.510
モル）を加えて２時間、次いで還流下に７時間加
熱撹拌する。エタノール1.7を留去したのち水
1.9及び6N−塩酸を加えて酸性にすると褐色油
状物が分離する。この褐色油状物を150mlのヘプタンで抽出し、
ヘプタン層を水500mlで３回洗浄したのち溶媒を
留去し、残留物を減圧蒸留して沸点115〜135℃／
2.5mmHgの留分176gを得た。これを300mlのヘプ
タンに溶解させ1N−苛性ソーダ水溶液１で撹
拌抽出し、抽出液をヘブタン100mlで洗浄しての
ちアルカリ性水層に6N−塩酸を加えて酸性にす
る。分離した油状物を水洗したのち、油状物を減
圧蒸留し沸点107〜111℃／２mmｇの留分140gを
得た。これをヘキサン200mlに溶解してから０℃
に保つて結晶を析出させ129gのハイドロキノン
モノ（Ｓ−２−メチルブチル）エーテル（融点41
〜42℃）を得た。Ｃエステル化Ｂ）で合成したハイドロキノンモノ（Ｓ−２−
メチルブチル）エーテル1.4g（0.00モル）をピリ
ジン５mlに溶解し、Ａ）で合成された４−ノニル
オキシカルボニルオキシ安息香酸クロリド2.2g
（0.007モル）を加え反応した。よく撹拌し一夜放
置後、トルエン50ml、水50mlを加え撹拌抽出した
のち分液漏斗に移し有機層を6N−塩酸、次いで
2N−苛性ソーダ水溶液で洗浄し、更に洗液が中
性になるまで水洗した。トルエンを留去し残留物
をメタノールから再結晶（０℃以下で再結晶し
取）して目的の４−ノニルオキシカルボニルオキ
シ安息香酸−4′−（Ｓ−２−メチルブチルオキシ）
フエニルエステル1gを得た。この化合物は液晶
相は示さず、融点は56.7℃であつた。又このもの
の元素分析値は次の如く、計算値とよく一致し
た。実測値計算値（C₂₈H₃₈O₆として）Ｃ 71.4％ 71.46% Ｈ 8.1％ 8.14％実施例２〜５実施例１のＡ）のクロルギ酸ノニルの代りに各
種のクロルギ酸アルキルを用い、他は実施例１に
準じて操作を行い、他の（）式でｌ＝０、ｍ＝
１、Ｘmm−Ｏ−の化合物を得ることができる。そ
れらの融点を実施例１の結果と共に表１の実施例
２〜５に表す。実施例６〔４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸
−4′−（Ｓ−２−メチルブチルオキシカルボニル）
フエニルエステル（（）式に於いてＲ＝C₉H₁₉，
ｌ＝０，ｍ＝１、Ｘ＝COOのもの）の製造〕Ａ４−ヒドロキシ安息香酸（Ｓ−２−メチルブ
チル）エステルの合成。４−ヒドロキシ安息酸209g（1.513モル）とＳ
（−）−２−メチル−１−ブタノール200g（2.269モ
ル）、ベンゼン500mlを撹拌したところへ濃硫酸10
mlを注意深く加え、次いで還流下に17時間加熱撹
拌する（脱水量30ml）。冷却水100mlとトルエン
600mlを加えて撹拌抽出してから分液漏斗に移し、
その有機層を５％の炭酸ナトリウム水溶液で洗浄
し、次いで飽和食塩水で洗浄してから無水硫酸ナ
トリウム100gを入れ乾燥したのち過し、溶媒
を減圧下で留去し、更に過剰のＳ（−）−２−メチ
ル−１−ブタノールも留去すると４−ヒドロキシ
安息香酸（Ｓ−２−メチルブチル）エステル
316gが得られる。Ｂエステル化Ａ）で得られた４−ヒドロキシ安息香酸（Ｓ−
２−メチルブチル）エステル1.7g（0.008モル）を
ピリジン５mlに溶解し４−ノニルオキシカルボニ
ルオキシ安息香酸クロリド2.2g（0.007モル）を加
え反応した。よく撹拌し、一夜放置トルエン50
ml、水50mlを加えて撹拌抽出したのち分液漏斗に
移し、有機層を6N−塩酸次いで2N−苛性ソーダ
溶液で洗浄し、更に洗液が中性になるまで水洗し
た。トルエンを留去し残留物をメタノールから再
結晶、過して目的の４−ノニルオキシカルボニ
ルオキシ安息香酸−4′−（Ｓ−２−メチルブチル
オキカルボニル）フエニルエステル0.9gを得た。
このものはモノトロピツクのスメクチツクＡ液晶
でそのＣ−点は43.0℃、→SA点は41.6であつ
た。又、この化合物の元素分析値は次の如く計算
値とよく一致した。実測値計算値（C₂₉H₂₆O₇として）Ｃ 69.3％、69.85％Ｈ 7.2％ 7.68％実施例７〜９実施例６と同様にして、他のアルキル基を有す
る（Ｉ）式でｌ＝０，ｍ＝１、Ｘ＝COOの化合
物の合成を行うことができる。それらの融点を実
施例６の結果と共に表１の実施例７〜９に示す。実施例 10 〔Ｐ−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸
−４−（Ｓ−３−メチルペンチル）−4′−ビフエニ
リルエステル（（）式に於いてＲ＝C₉H₁₉，ｌ
＝１，ｍ＝２，Ｘ＝単結合のもの）の製造〕Ａ４−（Ｓ−３−メチルペンチル）−4′−ヒドロ
キシビフエニルの合成（第１段階）三口フラスコに乾燥窒素雰囲気下、削り状マグ
ネシウム12.4g（0.510モル）と乾燥エーテル50ml
を入れ、撹拌したところへ（＋）臭化−２−メチ
ルブチル（Ｓ（−）−２−メチル−１−ブタノール
より臭化燐により製造）を乾燥エーテル１に溶
解した溶液を、系の温度が25℃以下になる様に保
ちながら滴下した。滴下終了後、室温で30分を保つたのち市販品の
４−オクチルオキシー4′−シアノビフエニル129g
（0.420モル）を乾燥エーテル１に溶解した溶液
を系の温度が10℃以下になる様に保ちながら滴下
した。滴下終了後、４時間加熱還流してから600
mlの水の中に反応液を注ぎ込み更に稀硫酸（濃硫
酸40mlと水800ml）を加えた。トルエン500mlを加
え撹拌抽出し、トルエン層を水洗し洗液が中性に
なるまで洗浄した。溶媒を留去し残留物を減圧蒸
留し沸点245〜255℃／４mmHgの留分を集め更に、
アセトン30mlから再結晶して４−オクチルオキシ
−4′−（Ｓ−３−メチルペンタノイル）ビフエニ
ル24.6gを得た。このものもスメクチツク液晶相
を示し、そのＣ−SA点は70.4℃、SA−点は
98.3℃、→SC^*点は68.3℃であつた。（第２段階） 500ml三口フラスコに上記で得られた４−オク
チルオキシ−4′−（Ｓ−３−メチルペンタノイル）
ビフエニル24.6g（0.065モル）と80％ヒドラジン
ヒドラート50ml、ジエチレングリコール85mlを入
れ、加熱撹拌し、120℃で１時間を保つたのち冷
却し、50℃に保ちながら、そこへ水酸化カリウム
8.8g（0.157モル）を水５mlに溶解した溶液を一挙
に加えた。系の温度が200℃になる様に水等を留
去し、200℃で４時間反応したのち冷却した。次
いで水200mlとトルエン50mlを加え分液漏斗に移
し有機層を水洗し洗液が中性になるまで洗浄し
た。溶媒を留去し減圧蒸留して沸点210〜213℃／
３mmHgの留分を集めエチルアルコール20mlと酢
酸エチル５mlの混合溶媒から再結晶して４−オク
チルオキシ−4′−（Ｓ−３−メチルペンチル）ビ
フエニル13.5gを得た。このものもスメクチツク
液晶でそのＣ−S₁点は43.0℃、S₁−SH^*点57.9
℃、SH^*−SC^*点62.5℃、SC^*−点65.1℃であ
つた。（ここでS₁は素性が不明なスメクチツク相
である）。（第３段階） 500ml三口フラスコに上記で得られた４−オク
チルオキシ−4′−（Ｓ−３−メチルペンチル）ビ
フエニル13.5g（0.037モル）と酢酸120ml、47％臭
化水素酸15mlを入れ、撹拌しながら40時間還流し
た。冷却し水150mlとトルエン50mlを加え分液漏
斗に移して水洗し、洗液が中性になるまで洗浄し
た。溶媒を留去しヘプタンから再結晶して４−
（Ｓ−３−メチルペンチル）−4′−ヒドロキシビフ
エニル6.5gを得た。融点は120.7〜122.6℃。ＢエステルＡ）で得られた４−（Ｓ−３−メチルペンチル）
−4′−ヒドロキシビフエニル2.0g（0.008モル）を
ピリジン５mlに溶解したものに実施例１のＡ）で
合成した４−ノニルオキシカルボニルオキシ安息
香酸クロリド2.2g（0.007モル）を加え反応した。
よく撹拌し一夜放置後、トルエン10ml、水10mlを
加え分液漏斗に移し有機層を6N−塩酸次いで2N
−苛性ソーダ溶液で洗浄し更に洗液が中性になる
まで水洗した。トルエンを留去し、残留物をメタ
ノールから再結晶して目的のＰ−ノニルオキシカ
ルボニルオキシ安息香酸−４−（Ｓ−３−メチル
ペンチル）−4′−ビフエニリルエステル1.0gを得
た。このものはスメクチツク及びコレステリツク
液晶で、そのＣ−SC^*点は75.0℃、SC^*−Ch点は
105.3℃。Ch−Ｉ点は143.4℃であつた。又、この
化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一致
した。実測値計算値（C₃₅H₄₄O₅として）Ｃ 7.1％、77.17% Ｈ 8.1％、8.14％実施例 11〜14 実施例10と同様にして、他のアルキル基を有す
る（）式でｌ＝１，ｍ＝２，Ｘ＝単結合の化合
物の合成を行うことができる。それらの相転移点
を実施例10の結果と共に表１の実施例11〜14に示
す。実施例 15 〔Ｐ−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸
−４−（Ｓ−２−メチルブチルオキシ）−4′−ビフ
エニリルエステル（（）式に於いてＲ＝C₉H₁₉，
ｌ＝１，ｍ＝１，Ｘ＝−Ｏ−のもの）の製造〕Ａ４−（Ｓ−２−メチルブチルオキシ）−4′−ヒ
ドロキシビフエニルの合成 500gの４，4′−ジヒドロキシビフエニル、7.5
のエタノール、302gの水酸化カリウムの混合
物を還流下に加熱撹拌し、（＋）臭化−２−メチ
ルブチル（Ｓ（−）−２−メチル−１−ブタノール
より臭化燐により製造）530gを滴下し４時間反
応した。エタノールを留去し２の水を加えて
過し不溶物を集めた。この不溶物にトルエンを加
えトルエンに可溶物を除去した。この可溶物はエ
タノールで再結晶して融点80.5℃のリンペン状結
晶となつた。（これは４，4′−ジ（Ｓ−２−メチ
ルブチルオキシ）ビフエニルであることが確認さ
れた。）不溶部分を3N−塩酸と加熱撹拌してのち
冷し固形物を集めこれをトルエン、次いでエタノ
ールより再結晶して融点137.5℃の４−（Ｓ−２−
メチルブチルオキシ）−4′−ヒドロキシビフエニ
ル125を得た。Ｂエステル化上記で得られた４−（Ｓ−２−メチルブチルオ
キシ）−4′−ヒドロキシビフエニル2gをピリジン
５mlに溶解したものに、４−ノニルオキシカルボ
ニルオキシ安息香酸クロリド2.2gを加え反応し
た。よく撹拌し一夜放置後、トルエン50ml、水50
mlを加え撹拌抽出したのち分液漏斗に移し、その
有機層を6N−塩酸、次いで2N−苛性ソーダ溶液
で洗浄し、更に洗浄液が中性になるまで水洗し
た。トルエンを留去し残留物をメタノールから再
結晶して目的のＰ−ノニルオキシカルボニルオキ
シ安息香酸−４−（Ｓ−２−メチルブチルオキシ）
−4′−ビフエニリルエステル1.1gを得た。このも
ののＣ−SC^*点は71.8℃、SC^*−Ch点は106.5℃、
Ch−Ｉ点は157.7℃であつた。又、この化合物の
元素分析値は次の如く計算値とよく一致した。実測値計算値（C₃₄H₄₂O₆として）Ｃ 74.6％ 74.69% Ｈ 7.7％ 7.75％実施例 16，17 実施例15と同様にして、他のアルキル基を有す
る（）式でｌ＝１，ｍ＝１，Ｘ＝−Ｏ−の化合
物の合成を行うことができた。それらの相転移点
を実施例15の結果と共に表１の実施例16，17に示
す。実施例 18 〔Ｐ−ノニルオキシカルボニルオキシ安息香酸
−４−（Ｓ−２−メチルブチルオキシカルボニル）
−4′−ビフエニリルエステル（（）式に於いて
Ｒ＝C₉H₁₉，ｌ＝１，ｍ＝１，Ｘ＝COOのもの）
の製造〕Ａ４−ヒドロキシ−4′−ビフエニルカルボン酸
（Ｓ−２−メチルブチル）エステルの合成。４−ヒドロキシ−4′−ビフエニルカルボン酸
20gとＳ（−）−２−メチル−１−ブタノール30g、
ベンゼン50mlを撹拌したところへ濃硫酸２mlを加
え、次いで還流下に17時間加熱撹拌する。冷却し
水50ml、トルエン100mlを加え撹拌抽出する。有
機層を５％炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、次い
で飽和食塩水で洗浄してから溶媒を留去し、残留
物をベンゼンとヘプタンの混合溶媒から再結晶し
て４−ヒドロキシ−4′−ビフエニルカルボン酸
（Ｓ−２−メチルブチル）エステル7gを得た。融
点は114.2〜115.6℃。Ｂエステル化上記で得られた４−ヒドロキシ−4′−ビフエニ
ルカルボン酸（Ｓ−２−メチルブチル）エステル
2.3gをピリジン５mlに溶解したものに、４−ノニ
ルオキシカルボニル安息香酸クロリド2.2gを加え
反応した。よく撹拌し一夜放置後、トルエン50
ml、水50mlを加え、撹拌抽出したのち分液漏斗に
移し有機層を6N−塩酸、次いで2N−苛性ソーダ
水溶液で洗浄し更に洗液が中性になるまで水洗し
た。トルエンを留去し残留物をメタノールから再
結晶して目的のＰ−ノニルオキシカルボニルオキ
シ安息香酸−４−（Ｓ−２−メチルブチルオキシ
カルボニル）−4′−ビフエニリルエステル0.8gを
得た。このもののＣ−SC^*点は86.0℃、SC^*−Ch
点は111.0℃、Ch−Ｉ点は155.3℃であつた。又、
この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく
一致した。実測値計算値（C₃₅H₄₂O₇として）Ｃ 73.1％ 73.14% Ｈ 7.3％ 7.37％実施例 19〜22 実施例18と同様にして他のアルキル基を有する
（）式でｌ＝１，ｍ＝１，Ｘ＝COOの化合物の
合成を行うことができる。それらの相転移点を実
施例18と共に表１の実施例19〜22に示す。参考例１（使用例１）４−エチル−4′−シアノビフエニル 20重量％４−ペンチル−4′−シアノビフエニル 40重量％４−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル
25重量％４−ペンチル−4′−シアノターフエニル
15重量％からなるネマチツク液晶組成物を、ポリビニルア
ルコール（PVA）を塗布し、その表面をラピン
グして平行配向処理を施して透明電極からなるセ
ル（電極間隔10μm）に注入してTN型表示セル
とし、これを偏光顕微鏡下で観察したところ、リ
バースドメインを生じているのが観察された。上記ネマチツク液晶組成物に本願実施例５の
（）式でｌ＝０、Ｘ＝−Ｏ−，ｍ＝１でＲ＝
C₈H₁₇なる化合物を１重量％添加したものを使用
して同様にTNセルとして観察したところリバー
スドメインは解消され、均一なネマチツク相が観
察された。参考例２（使用例２）（）式に於いてｌ＝１，Ｘ＝単結合，ｍ＝２
でＲ＝C₅H₁₁（実施例12）、Ｒ＝C₇H₁₅（実施例13）、
Ｒ＝C₈H₁₇（実施例14）なる化合物各々30重量％
及びｌ＝１，Ｘ＝COO，ｍ＝１でＲ＝C₅H₁₁（実
施例20）、Ｒ＝C₈H₁₇（実施例22）なる化合物各々
５重量％からなる混合物は87℃までSC^*相を、そ
れ以上の温度でCh相を示し145℃でSA相を経由
することなく直接等方性液体となる。この混合物を、PVAを塗布し、表面をラビン
グして平行配向処理を施した透明電極を備えたセ
ルに注入し、50Vの直流電圧を印加しながら等方
性液体領域よりSC^*相になるまで徐冷したところ
均一なモノドメインセルが得られた。この液晶セ
ルを直交ニコル状態に配置した２枚の偏光子の間
にはさみ15Vの低周波数（0.5Hz）の交流を印加
したところ、明瞭なスイツチング動作が観察さ
れ、非常にコントラストも良く、応答速度が速い
（2msec）液晶表示素子が得られた。尚、この液晶組成物の自発分極の値Psは
2.9nC／cm²であつた。参考例３（使用例３）（）式に於いてｌ＝１，Ｘ＝−Ｏ−，ｍ＝１
でＲ＝C₇H₁₅（実施例16）、Ｒ＝C₈H₁₇（実施例17），
Ｒ＝C₉H₁₉（実施例15）なる化合物各々30，20，
20重量％及びｌ＝０，Ｘ＝COO，ｍ＝１でＲ＝
C₃H₇（実施例７）、Ｒ＝C₉H₁₉（実施例６）なる化
合物各々15重量％からなる混合物は82℃までSC^*
相を示し、それ以上の温度でCh相を示し125℃で
SA相を経由することなく直接等方性液体となる。この混合物にアントラキノン系色素のＤ−16
（BDH社製品）を３重量％添加していわゆるゲス
ト・ホスト型にしたものを実施例24と同様なセル
に注入し、１枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂直
になるように配置し、0.5Hz、15Vの低周波数の
交流を印加したところ、明瞭なスイツチング動作
が観察され、非常にコントラストが良く、応答速
度が速い（2msec）カラー液晶表示素子が得られ
た。尚、この液晶組成物の自発分極の値Psは
3.8nC／cm²であつた。

Claims

【特許請求の範囲】１一般式（但し上式に於てＲは炭素数３〜９の直鎖アル
キル基を示し、ｌは０又は１であり、ｍはｌ＝０
のときは１、ｌ＝１のときは１又は２であり、Ｘ
はｍ＝１のときはCOO又は−Ｏ−であり、ｍ＝
２のときは単結合である。又、＊は光学活性炭素
を示す）で表わされる炭酸エステル類。