JPH04119325A - 強誘電性液晶素子の製造方法 - Google Patents
強誘電性液晶素子の製造方法Info
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- JPH04119325A JPH04119325A JP2239022A JP23902290A JPH04119325A JP H04119325 A JPH04119325 A JP H04119325A JP 2239022 A JP2239022 A JP 2239022A JP 23902290 A JP23902290 A JP 23902290A JP H04119325 A JPH04119325 A JP H04119325A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、強お電性液晶表示素子の製造方法に関するも
のである。
のである。
[従来技術]
強誘電性液晶素子は、透明電極を設けた一対の基板間に
強誘電性液晶を挟持してなる。基板の透明電極上には強
誘電性液晶層と接する層として配向膜か設けられる。配
向膜は液晶表示素子の液晶を配向させるための層である
。
強誘電性液晶を挟持してなる。基板の透明電極上には強
誘電性液晶層と接する層として配向膜か設けられる。配
向膜は液晶表示素子の液晶を配向させるための層である
。
従来、このような配向膜を形成する配向処理方法の一つ
としてラビング法が用いられてきた。ラビング法はパイ
ル糸を有する布等で一方向に基板を擦り、その擦った方
向に液晶を配向させる手法である。ラビングは基板全面
に均一な配向処理を施すことが必要である。また、生産
性の点から、第3図に示すようにラビングが施される。
としてラビング法が用いられてきた。ラビング法はパイ
ル糸を有する布等で一方向に基板を擦り、その擦った方
向に液晶を配向させる手法である。ラビングは基板全面
に均一な配向処理を施すことが必要である。また、生産
性の点から、第3図に示すようにラビングが施される。
同図において、円柱形のラビングローラ301にラビン
グ布302をはりつけ、このラビング布302上のパイ
ル糸を基板101あるいは101′に接触させる。ロー
ラ301はAまたはB方向に回転させ、同時に基板10
1 (101’ )またはラビングローラ301をCま
たはD方向に平行移動することで、基板101(101
′)全面に配向処理を施す。このような手法が従来行な
われていた。
グ布302をはりつけ、このラビング布302上のパイ
ル糸を基板101あるいは101′に接触させる。ロー
ラ301はAまたはB方向に回転させ、同時に基板10
1 (101’ )またはラビングローラ301をCま
たはD方向に平行移動することで、基板101(101
′)全面に配向処理を施す。このような手法が従来行な
われていた。
また、量産にあたり同一の配向処理を行なうため、ラビ
ングローラ301の回転方向(AまたはB方向)、基板
101もしくはラビングローラ301の移動方向(Cま
たはD方向)を固定し、多数の基板をラビング処理する
ことが行なわれている。
ングローラ301の回転方向(AまたはB方向)、基板
101もしくはラビングローラ301の移動方向(Cま
たはD方向)を固定し、多数の基板をラビング処理する
ことが行なわれている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来のラビングローラの回転方向を固定
する方法は、パイル糸の一方向の面のみで基板を擦りつ
づけるため、パイル糸の消耗が激しい。また、パイル糸
が一方向に傾き、基板に付加する一軸性配向規制力が基
板のラビング処理を行なうたびに徐々に弱まっていき、
液晶の均一な配向状態が得られなくなるという問題点が
ある。
する方法は、パイル糸の一方向の面のみで基板を擦りつ
づけるため、パイル糸の消耗が激しい。また、パイル糸
が一方向に傾き、基板に付加する一軸性配向規制力が基
板のラビング処理を行なうたびに徐々に弱まっていき、
液晶の均一な配向状態が得られなくなるという問題点が
ある。
したがって、ラビング布の早期交換が必要であった。
本発明の目的は、上述した従来例における問題点に鑑み
、ラビング布のパイル糸が一方向に傾くことを防ぎ、−
軸性配向規制力を弱めることなくより多くの基板をラビ
ング処理できる強誘電性液晶素子の製造方法を提供する
ことにある。
、ラビング布のパイル糸が一方向に傾くことを防ぎ、−
軸性配向規制力を弱めることなくより多くの基板をラビ
ング処理できる強誘電性液晶素子の製造方法を提供する
ことにある。
[課題を解決するための手段および作用]上記目的を達
成するため、本発明では、2枚の基板間に強読電性液晶
を配置した液晶素子の配向処理のラビング法において、
パイル糸を有するラビング布のパイル糸のある一方向の
面で1枚の基板を擦り、次にラビング処理する基板をパ
イル糸の反対方向の面で擦り、これを交互にくりかえし
ラビング処理を行なうこととしている。
成するため、本発明では、2枚の基板間に強読電性液晶
を配置した液晶素子の配向処理のラビング法において、
パイル糸を有するラビング布のパイル糸のある一方向の
面で1枚の基板を擦り、次にラビング処理する基板をパ
イル糸の反対方向の面で擦り、これを交互にくりかえし
ラビング処理を行なうこととしている。
これにより、パイル糸が傾くことを防き、−軸性配向規
制力を弱めることなく、より多くの基板のラビング処理
を行なうことができる。
制力を弱めることなく、より多くの基板のラビング処理
を行なうことができる。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る液晶素子の平面図であ
り、第2図(A)〜(C)はそれぞれ異なる態様の第1
図のA−A’断面図である。
り、第2図(A)〜(C)はそれぞれ異なる態様の第1
図のA−A’断面図である。
第1図と第2図で示すセル構造体100は、ガラス板ま
たはプラスチック板等からなる一対の基板101と10
1′をスペーサ104で所定の間隔に保持して対向させ
、この一対の基板101と101′をシーリングするた
めに接着剤106で接着したセル構造を有している。さ
らに、基板1O1上には、複数の透明電極102からな
る電極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電
圧印加用電極群)が例えば帯状パターン等の所定パター
ンで形成されている。基板101′の上には、前述の透
明電極102と交差させた複数の透明電極102′から
なる電極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの信号
電圧印加用電極群)が形成されている。103は基板1
01と基板101′に挟持された液晶を示す、このよう
なセル構造体100を1組の偏光子107,108で挟
み液晶表示装置を構成する。
たはプラスチック板等からなる一対の基板101と10
1′をスペーサ104で所定の間隔に保持して対向させ
、この一対の基板101と101′をシーリングするた
めに接着剤106で接着したセル構造を有している。さ
らに、基板1O1上には、複数の透明電極102からな
る電極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電
圧印加用電極群)が例えば帯状パターン等の所定パター
ンで形成されている。基板101′の上には、前述の透
明電極102と交差させた複数の透明電極102′から
なる電極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの信号
電圧印加用電極群)が形成されている。103は基板1
01と基板101′に挟持された液晶を示す、このよう
なセル構造体100を1組の偏光子107,108で挟
み液晶表示装置を構成する。
透明電極102と102′の少なくとも一方にショート
防止用絶縁体膜を用いることができるが、第2図(A)
の素子ではこの絶縁体膜は用いず、透明電極102と1
02′がそれぞれ形成された基板101と101′上に
それぞれ直接配向制御膜105と105′が配置される
。
防止用絶縁体膜を用いることができるが、第2図(A)
の素子ではこの絶縁体膜は用いず、透明電極102と1
02′がそれぞれ形成された基板101と101′上に
それぞれ直接配向制御膜105と105′が配置される
。
第2図(B)の素子では、基板101と101′上にそ
れぞれショート防止用絶縁体膜109と109′並びに
配向制御膜105と105′が配置される。
れぞれショート防止用絶縁体膜109と109′並びに
配向制御膜105と105′が配置される。
第2図(C)の素子では、基板101′上にショート防
止用絶縁体[109’ と配向制御膜105′を配置し
、基板101上には直接配向制御膜105が配置されて
いる。
止用絶縁体[109’ と配向制御膜105′を配置し
、基板101上には直接配向制御膜105が配置されて
いる。
配向制御膜105と105′ としては、例えば−酸化
硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フ
ッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シ
リコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物等の無機
絶縁物質や、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエルテルイミド、ポリパラキシリレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセ
タール、ポリ塩化ビニル1、ポリアミド、ポリスチレン
、セルロース樹脂、メラミン樹脂、エリア樹脂、アクリ
ル樹脂等の有機絶縁物質を用いて、被膜形成したものを
用いることができる。上述の無機絶縁物質の膜は、ショ
ート防止用絶縁体膜の機能を兼ねることができる。特に
、上述したように、第2図(A)に示す液晶表示で用い
た配向制両膜105および105′は、前述した配向制
御とショート防止の機能を併せ持つ無機絶縁体膜によっ
て形成される。
硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フ
ッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シ
リコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物等の無機
絶縁物質や、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエルテルイミド、ポリパラキシリレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセ
タール、ポリ塩化ビニル1、ポリアミド、ポリスチレン
、セルロース樹脂、メラミン樹脂、エリア樹脂、アクリ
ル樹脂等の有機絶縁物質を用いて、被膜形成したものを
用いることができる。上述の無機絶縁物質の膜は、ショ
ート防止用絶縁体膜の機能を兼ねることができる。特に
、上述したように、第2図(A)に示す液晶表示で用い
た配向制両膜105および105′は、前述した配向制
御とショート防止の機能を併せ持つ無機絶縁体膜によっ
て形成される。
この配向制御膜105と105′は、前述の如き無機絶
縁物質または有機絶縁物質を被膜形成した後、表面をパ
イル系を有する布等で一方向に擦る(ラビング)ことに
よって、−軸性配向処理軸が付与される。本発明では、
このラビング処理において、パイル糸のある方向の面で
1枚の基板を擦り、次にラビング処理する基板をパイル
糸の反対方向の面で擦り、これを交互にくりかえしラビ
ング処理を行なう。
縁物質または有機絶縁物質を被膜形成した後、表面をパ
イル系を有する布等で一方向に擦る(ラビング)ことに
よって、−軸性配向処理軸が付与される。本発明では、
このラビング処理において、パイル糸のある方向の面で
1枚の基板を擦り、次にラビング処理する基板をパイル
糸の反対方向の面で擦り、これを交互にくりかえしラビ
ング処理を行なう。
また、ショート防止用絶縁体膜109と109′は20
0人厚以上、好ましくは、500人厚以上の膜厚に設定
され、SiO2、TiO2、AfL203、S i3N
4 、BaT i O3等の無機絶縁物質を成膜するこ
とによって得られる。
0人厚以上、好ましくは、500人厚以上の膜厚に設定
され、SiO2、TiO2、AfL203、S i3N
4 、BaT i O3等の無機絶縁物質を成膜するこ
とによって得られる。
成膜法としては、スパッタ法、イオンヒーム蒸着法ある
いは有機チタン化合物、有機シラン化合物や有機アルミ
ニウム化合物の塗布膜を焼成する方法を用いることがで
きる。この際、有機チタン化合物としては、アルキル(
メチル、エチル、プロピル、ブチル等)チタネート化合
物、有機シラン化合物としては通常のシランカップリン
グ剤等を用いることができる。ショート防止用絶縁体膜
109と109′の膜厚が200Å以下である場合は充
分なショート防止効果を得ることができず、また千〇膜
厚を5000Å以上とすると液晶層に印加される実効的
な電圧が印加されなくなるので、この膜厚は5000Å
以下、好ましくは2000Å以下に設定する。
いは有機チタン化合物、有機シラン化合物や有機アルミ
ニウム化合物の塗布膜を焼成する方法を用いることがで
きる。この際、有機チタン化合物としては、アルキル(
メチル、エチル、プロピル、ブチル等)チタネート化合
物、有機シラン化合物としては通常のシランカップリン
グ剤等を用いることができる。ショート防止用絶縁体膜
109と109′の膜厚が200Å以下である場合は充
分なショート防止効果を得ることができず、また千〇膜
厚を5000Å以上とすると液晶層に印加される実効的
な電圧が印加されなくなるので、この膜厚は5000Å
以下、好ましくは2000Å以下に設定する。
本発明で用いる液晶材料として、特に適したものは、カ
イラルスメクティック液晶であって強誘電性を有するも
のである。具体的には、カイラルスメクティックC相(
SmC”)、カイラルスメクティックG相(SmG″)
、カイラルスメクティックF相(SmF”)、カイラル
スメクテイック■相(SmI”)またはカイラルスメク
ティックH相(SmH” )のγ夜晶を用いることかて
きる。
イラルスメクティック液晶であって強誘電性を有するも
のである。具体的には、カイラルスメクティックC相(
SmC”)、カイラルスメクティックG相(SmG″)
、カイラルスメクティックF相(SmF”)、カイラル
スメクテイック■相(SmI”)またはカイラルスメク
ティックH相(SmH” )のγ夜晶を用いることかて
きる。
強誘電性液晶の詳細については、例えはLEJOIIR
NAL DE PHYSIQUE LETTER
5”36 (L−69)1975゜’Ferroel
ectric Liquid Crystals」;
”AppliedPhysics Letters
36(11) 1980 ’Sub+n1cr。
NAL DE PHYSIQUE LETTER
5”36 (L−69)1975゜’Ferroel
ectric Liquid Crystals」;
”AppliedPhysics Letters
36(11) 1980 ’Sub+n1cr。
5econd Bi−5table Electroo
ptic Switching 1nLiquid C
rystals」; ”固体物理” 16(141)
1981「液晶」、米国特許第4,551.726号公
報、米国特許第4,589,998号公報、米国特許第
4,592,858号公報、米国特許第4,596,6
57号公報、米国特許第4.613,209号公報、米
国特許第4,514,609号公報、米国特許第4,6
22,165号公報等に記載されており、本発明ではこ
れらに開示された強誘電性液晶を用いることができる。
ptic Switching 1nLiquid C
rystals」; ”固体物理” 16(141)
1981「液晶」、米国特許第4,551.726号公
報、米国特許第4,589,998号公報、米国特許第
4,592,858号公報、米国特許第4,596,6
57号公報、米国特許第4.613,209号公報、米
国特許第4,514,609号公報、米国特許第4,6
22,165号公報等に記載されており、本発明ではこ
れらに開示された強誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−p′−アミノ−2−メチルブチルシンナメー
ト(DOBAMBC)、ヘキシルオキシヘンジリデン−
p′−アミノ−2−クロロプロビルシンメナート(HO
BACPC)、4−O−(2−メチル)プチルレゾルシ
リデンー4′−オクチルアニリン(MBR8)等が挙げ
られる。以下、より具体的な実施例を示す。
ジリデン−p′−アミノ−2−メチルブチルシンナメー
ト(DOBAMBC)、ヘキシルオキシヘンジリデン−
p′−アミノ−2−クロロプロビルシンメナート(HO
BACPC)、4−O−(2−メチル)プチルレゾルシ
リデンー4′−オクチルアニリン(MBR8)等が挙げ
られる。以下、より具体的な実施例を示す。
基板として、1.1 mm厚のガラス板を用意し、IT
oのストライブ状電極を形成した。次にショート防止絶
縁体膜としてSiO2をスパッタ法により1000人形
成した。さらに、その上にポリイミド形成液をスピンナ
ーて塗布した。その後、約1時間300℃の加熱焼成処
理を施してポリイミド配向膜を形成した。
oのストライブ状電極を形成した。次にショート防止絶
縁体膜としてSiO2をスパッタ法により1000人形
成した。さらに、その上にポリイミド形成液をスピンナ
ーて塗布した。その後、約1時間300℃の加熱焼成処
理を施してポリイミド配向膜を形成した。
上記の方法で作製した基板を100枚用意し、ナイロン
のパイル糸を有するラビング布を円柱形のローラにはり
つけ、100枚の基板を連続にラビング処理した。ラビ
ングローラの回転方向と基板の移動方向の関係は、第4
図(a)、(b)に示す通りである。
のパイル糸を有するラビング布を円柱形のローラにはり
つけ、100枚の基板を連続にラビング処理した。ラビ
ングローラの回転方向と基板の移動方向の関係は、第4
図(a)、(b)に示す通りである。
第4図(a)を参照して、100枚の基板のうちラビン
グ順序が奇数番目の基板101は、ラビングローラ30
1をへ方向に回転させながら基板101をC方向に平行
移動してラビング処理を行なった。第4図(b)を参照
して、ラビング順序が偶数番目の基板101は、ラビン
グローラ3゜1を逆回転させB方向に回転させながら基
板101をD方向に平行移動してラビング処理を行なっ
た。
グ順序が奇数番目の基板101は、ラビングローラ30
1をへ方向に回転させながら基板101をC方向に平行
移動してラビング処理を行なった。第4図(b)を参照
して、ラビング順序が偶数番目の基板101は、ラビン
グローラ3゜1を逆回転させB方向に回転させながら基
板101をD方向に平行移動してラビング処理を行なっ
た。
これにより、第5図に示すパイル糸302″のE面で奇
数番目の基板を擦り、反対側のF面で偶数番目の基板を
擦ることになる。
数番目の基板を擦り、反対側のF面で偶数番目の基板を
擦ることになる。
次に、ラビング処理を行なった第1番目と2番目、第9
番目と第10番目、第29番目と第30番目、第59番
目と第60番目、第99番目と第100番目の基板を、
平均粒径的1.5μmのアルミナビーズを介して2枚の
ラビング処理による軸性配向軸が平行になるように貼り
合わせた。
番目と第10番目、第29番目と第30番目、第59番
目と第60番目、第99番目と第100番目の基板を、
平均粒径的1.5μmのアルミナビーズを介して2枚の
ラビング処理による軸性配向軸が平行になるように貼り
合わせた。
以上により5つのセルを形成した。
これらの5つの各セルにチッソ(株)社製のrC3−1
014J (商品名)を注入して配向性を観察した。
014J (商品名)を注入して配向性を観察した。
その結果を第1表に示す。
比較例
上記の実施例と同様な方法でポリイミド配向膜を形成し
た基板を100枚作製し、同様にナイロンのパイル糸を
有するラビング布で100枚の基板を連続にラビング処
理した。ラビングローラの回転方向と基板の移動方向の
関係は、第4図(a)の関係とし、100枚の基板すべ
て同じ関係でラビング処理した。これにより第5図に示
すE面でのみラビング処理を行なフたことになる。
た基板を100枚作製し、同様にナイロンのパイル糸を
有するラビング布で100枚の基板を連続にラビング処
理した。ラビングローラの回転方向と基板の移動方向の
関係は、第4図(a)の関係とし、100枚の基板すべ
て同じ関係でラビング処理した。これにより第5図に示
すE面でのみラビング処理を行なフたことになる。
次に、実施例と同様に第1番目と2番目、第一9番目と
第10番目、第29番目と第30番目、第59番目と第
60番目、第99番目と第100番目の基板を用いて、
同様の方法でセル化を行なった。
第10番目、第29番目と第30番目、第59番目と第
60番目、第99番目と第100番目の基板を用いて、
同様の方法でセル化を行なった。
これらの5つの各セルにチッソ(株)社製のrcs−1
014J (商品名)を注入して配向性を観察した。
014J (商品名)を注入して配向性を観察した。
その結果を第2表に示す。
以上の実施例と比較例から、パイル糸の両面を交互に使
いラビングすることにより、−軸性配向規制力を弱める
ことなく、より多くの基板をラビング処理できることが
わかる。
いラビングすることにより、−軸性配向規制力を弱める
ことなく、より多くの基板をラビング処理できることが
わかる。
口発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、ラビング法にお
いてパイル糸を有するラビング布のパイル糸のある一方
向の面で1枚の基板を擦り、次にラビング処理する基板
をパイル糸の反対方向の面で擦り、これを交互にくりか
えしラビング処理を行なうことにより、−軸性配向規制
力を弱めることなく、より多くの基板をラビング処理す
ることができる。
いてパイル糸を有するラビング布のパイル糸のある一方
向の面で1枚の基板を擦り、次にラビング処理する基板
をパイル糸の反対方向の面で擦り、これを交互にくりか
えしラビング処理を行なうことにより、−軸性配向規制
力を弱めることなく、より多くの基板をラビング処理す
ることができる。
第1図は、本発明の一実施例に係る強誘電性液晶素子の
平面図、 第2図(A)〜(C)は、それぞれ異なる実施態様の第
1図のA−A’断面図、 第3図は、ラビング処理方法を模式的に表した図、 第4図は、本発明の一実施例のラビング方法を表す模式
図、 第5図は、ラビング布をはりつけたラビングローラの断
面図である。 105゜ 109゜ 301 : 302 : 302′ 302# 101′ 基板、 102′ 透明電極、 ・ γ夜具、 スペーサ、 105’:配向制御膜、 109’ニジヨード防止用絶縁体膜、 ラビングローラ、 ラビング布、 ニラピング基布、 :パイル糸。 特許比願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 第 図 o5 己巳【0准、・[御弓菓 +02 105品回制(ケP惇 (A) (日) 第 ? 図 \ 第 図 \ (b)
平面図、 第2図(A)〜(C)は、それぞれ異なる実施態様の第
1図のA−A’断面図、 第3図は、ラビング処理方法を模式的に表した図、 第4図は、本発明の一実施例のラビング方法を表す模式
図、 第5図は、ラビング布をはりつけたラビングローラの断
面図である。 105゜ 109゜ 301 : 302 : 302′ 302# 101′ 基板、 102′ 透明電極、 ・ γ夜具、 スペーサ、 105’:配向制御膜、 109’ニジヨード防止用絶縁体膜、 ラビングローラ、 ラビング布、 ニラピング基布、 :パイル糸。 特許比願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 第 図 o5 己巳【0准、・[御弓菓 +02 105品回制(ケP惇 (A) (日) 第 ? 図 \ 第 図 \ (b)
Claims (1)
- (1)2枚の基板間に強誘電性液晶を配置した液晶素子
の配向処理のラビング法において、パイル糸を有するラ
ビング布のパイル糸のある方向の面で1枚の基板を擦り
、次にラビング処理する基板をパイル糸の反対方向の面
で擦り、これを交互にくりかえしラビング処理を行なう
ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2239022A JPH04119325A (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
US07/756,545 US5221981A (en) | 1990-09-11 | 1991-09-09 | Production of liquid crystal device including aligning treatment by rubbing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2239022A JPH04119325A (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04119325A true JPH04119325A (ja) | 1992-04-20 |
Family
ID=17038725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2239022A Pending JPH04119325A (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5221981A (ja) |
JP (1) | JPH04119325A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5353141A (en) * | 1991-10-08 | 1994-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for aligning treatment of liquid crystal device including varying with time the feeding speed of the rubbing roller |
US5455695A (en) * | 1992-01-27 | 1995-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing liquid crystal device including rubbing with two rubbing rollers rotating in same directions at different speeds |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5576864A (en) * | 1984-07-11 | 1996-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Chiral smectic liquid crystal device having fluorine-containing polymeric alignment film with predetermined refractive index anisotropy after rubbing |
JP2759581B2 (ja) * | 1992-05-13 | 1998-05-28 | キヤノン株式会社 | ラビング装置及びラビング方法 |
KR950011956B1 (ko) * | 1992-12-28 | 1995-10-12 | 엘지전자주식회사 | 액정표시소자의 러빙 방법 및 장치 |
US5633740A (en) * | 1993-05-10 | 1997-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Chiral smectic liquid crystal device having at least one orientation film divided into regions with different uniaxial aligning treatment |
DE19514374C2 (de) * | 1994-04-18 | 1997-05-28 | Canon Kk | Flüssigkristallvorrichtung und Flüssigkristallgerät, das dieselbe enthält |
US5718839A (en) * | 1994-08-26 | 1998-02-17 | Fujitsu Limited | Liquid crystalline material operable with low voltages and liquid crystal display panel using the same and liquid crystal display apparatus and manufacturing method of the apparatus |
KR0154770B1 (ko) * | 1994-12-21 | 1998-11-16 | 김광호 | 액정 표시 장치의 시야각 개선을 위한 러빙 장치 |
US5841497A (en) * | 1995-07-28 | 1998-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and liquid crystal apparatus |
JP3155177B2 (ja) * | 1995-09-06 | 2001-04-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子用基板の配向処理装置及びラビング布並びに液晶表示素子の製造方法 |
US5885482A (en) * | 1995-12-28 | 1999-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device, production process thereof and liquid crystal apparatus |
US5676779A (en) * | 1996-01-24 | 1997-10-14 | Samsung Display Devices Co., Ltd. | Device for the surface treatment of alignment film by wet-type friction method |
US6099786A (en) * | 1996-02-23 | 2000-08-08 | Prime View International Co. | Method of making accurate dimension alignment film for LCD |
JPH1090683A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 配向処理方法及び配向膜基板 |
KR100535354B1 (ko) * | 1998-09-28 | 2006-03-14 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정 배향 방법 |
US6143580A (en) * | 1999-02-17 | 2000-11-07 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a mask pattern and methods of forming a field emitter tip mask |
JP3841158B2 (ja) * | 2001-11-22 | 2006-11-01 | 株式会社日立製作所 | 配向処理用ラビング布 |
JP3806340B2 (ja) * | 2001-11-22 | 2006-08-09 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
KR100848556B1 (ko) * | 2002-03-25 | 2008-07-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 패널의 회전 버퍼 및 이를 이용한 러빙장치 |
CN1256617C (zh) * | 2002-12-05 | 2006-05-17 | 联华电子股份有限公司 | 摩擦lcd基底的装置与方法 |
JP2005084200A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Nec Kagoshima Ltd | 液晶表示パネルのラビング配向処理装置およびラビング配向処理方法 |
KR101979011B1 (ko) * | 2012-09-26 | 2019-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러필터기판 및 이를 포함하는 액정표시장치 |
CN104914627B (zh) * | 2015-07-09 | 2017-09-29 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种取向装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6452123A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Seiko Epson Corp | Production of liquid crystal display device |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4192060A (en) * | 1975-09-23 | 1980-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of constructing liquid crystal display |
US4613209A (en) * | 1982-03-23 | 1986-09-23 | At&T Bell Laboratories | Smectic liquid crystals |
EP0115693B1 (en) * | 1983-01-06 | 1987-08-26 | Chisso Corporation | Liquid crystalline compounds and mixtures thereof |
US4614609A (en) * | 1983-06-14 | 1986-09-30 | Chisso Corporation | Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof |
JPS6028487A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Alps Electric Co Ltd | 液晶組成物 |
US4561726A (en) * | 1983-07-29 | 1985-12-31 | At&T Bell Laboratories | Alignment of ferroelectric LCDs |
JPS6054341A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-28 | Chisso Corp | 液晶性炭酸エステル類 |
JPS60218358A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Ajinomoto Co Inc | 液晶 |
JP2530432B2 (ja) * | 1986-07-22 | 1996-09-04 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
JPS6452124A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Seiko Epson Corp | Production of liquid crystal display device |
JPH0369920A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-26 | Fujitsu Ltd | ラビング装置 |
JP2683138B2 (ja) * | 1989-10-26 | 1997-11-26 | アルプス電気株式会社 | 液晶表示素子のラビング配向処理方法 |
-
1990
- 1990-09-11 JP JP2239022A patent/JPH04119325A/ja active Pending
-
1991
- 1991-09-09 US US07/756,545 patent/US5221981A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6452123A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Seiko Epson Corp | Production of liquid crystal display device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5353141A (en) * | 1991-10-08 | 1994-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for aligning treatment of liquid crystal device including varying with time the feeding speed of the rubbing roller |
US5455695A (en) * | 1992-01-27 | 1995-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing liquid crystal device including rubbing with two rubbing rollers rotating in same directions at different speeds |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5221981A (en) | 1993-06-22 |
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