JPS5813546A - 光学活性2−メチルブチルオキシフエニル基を有するカルボン酸エステル誘導体 - Google Patents
光学活性2−メチルブチルオキシフエニル基を有するカルボン酸エステル誘導体Info
- Publication number
- JPS5813546A JPS5813546A JP11315781A JP11315781A JPS5813546A JP S5813546 A JPS5813546 A JP S5813546A JP 11315781 A JP11315781 A JP 11315781A JP 11315781 A JP11315781 A JP 11315781A JP S5813546 A JPS5813546 A JP S5813546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- formula
- optically active
- liquid crystal
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本ia@は小宴な負の鱒電異方*v有し、光学置倫亀ら
諌分子榔**持りた液晶化金物に関すみ。
諌分子榔**持りた液晶化金物に関すみ。
液晶表示素子は液晶物質の譬性で番る光学両方Ik及び
誘電^方性を利用したもので4に種の一示方武04のが
あるが、そのうち翼寵最も実用化璽れでいるのはねじれ
ネマチツク層(〒N臘)、動的散tall (Doll
) *どである。しかし最近は他の方式ell晶I!I
示方法のm発も盛んに行なわれ□、中でもプレステ、リ
ック・ネマチック@@蓼鳳真示及びホワイト・テーラ−
鳳カッーa示などがその代表的なものである。これら0
表示素子に用い、られゐ液晶親成物はいずれもネマチツ
タ液晶に光学活性物質などを添加して、それでれに適し
たブレステリックのら旋ピッtをもり4111Kl11
111fさ九る。添加する光学活性物質の分子はねじa
たら旋備遼をもち、そのら旋ピッtは銀かく、、か?熱
−*、空気、水に安定なものが望まれている。・本発明
の化合物紘以上の様准層辿帆使層して有用な、光学WI
Ikを有し、ねじれた分子榔造をも′)IIt親亀化金
物である・即ち、一本曇−は−jI式 リア身命身1を示す、x半は不斉R素原子を示す) で表わ畜れる8−(+3−4−(2’−メチ身プチルオ
$1/7エエ#)!を有する力身Iン蒙エステJklI
尋体で番る。
誘電^方性を利用したもので4に種の一示方武04のが
あるが、そのうち翼寵最も実用化璽れでいるのはねじれ
ネマチツク層(〒N臘)、動的散tall (Doll
) *どである。しかし最近は他の方式ell晶I!I
示方法のm発も盛んに行なわれ□、中でもプレステ、リ
ック・ネマチック@@蓼鳳真示及びホワイト・テーラ−
鳳カッーa示などがその代表的なものである。これら0
表示素子に用い、られゐ液晶親成物はいずれもネマチツ
タ液晶に光学活性物質などを添加して、それでれに適し
たブレステリックのら旋ピッtをもり4111Kl11
111fさ九る。添加する光学活性物質の分子はねじa
たら旋備遼をもち、そのら旋ピッtは銀かく、、か?熱
−*、空気、水に安定なものが望まれている。・本発明
の化合物紘以上の様准層辿帆使層して有用な、光学WI
Ikを有し、ねじれた分子榔造をも′)IIt親亀化金
物である・即ち、一本曇−は−jI式 リア身命身1を示す、x半は不斉R素原子を示す) で表わ畜れる8−(+3−4−(2’−メチ身プチルオ
$1/7エエ#)!を有する力身Iン蒙エステJklI
尋体で番る。
本1lIIIの化金物はら旋分子構牽を−ち、あるもの
は冨しステ讐ツク・スメクチック譲晶顧を有す為が−え
hILJllによって鋭敏に6置化を示す冨し真テリツ
ク顧のみな有するものが多い。
は冨しステ讐ツク・スメクチック譲晶顧を有す為が−え
hILJllによって鋭敏に6置化を示す冨し真テリツ
ク顧のみな有するものが多い。
F−れもの化金物をネマチック液晶に夕景添加して冨レ
スデリック・ネJチツタII@移臘II示嵩予層叉はホ
ワイト・チー1:ツー臘貴示嵩子層の筐:1 &麺威物を畳みことfla毫る。この化金物をネマチッ
ク液晶に10−添加して一定して得られ為ら旋ピッチの
値から得られるこの化金物自体のら膣ピッチ#12#〜
L−である。又、qa化化金を’TNjllll示嵩子
層のネ!チック液晶銀威物に添加すると表示爾のしま模
様(いゎゆh讐パースドメイン)の電車を少くして、そ
の銖鐘を改善することが出来る。
スデリック・ネJチツタII@移臘II示嵩予層叉はホ
ワイト・チー1:ツー臘貴示嵩子層の筐:1 &麺威物を畳みことfla毫る。この化金物をネマチッ
ク液晶に10−添加して一定して得られ為ら旋ピッチの
値から得られるこの化金物自体のら膣ピッチ#12#〜
L−である。又、qa化化金を’TNjllll示嵩子
層のネ!チック液晶銀威物に添加すると表示爾のしま模
様(いゎゆh讐パースドメイン)の電車を少くして、そ
の銖鐘を改善することが出来る。
次に本発明による化合物の調造法にりいて遮ぺると既知
の化金物であh8−に)−(2′−メチにブチジオキシ
)安息香酸、又a8−に)−4′−(2−/チルブチ嘉
亨中シ)ビフェニx −4−カルボン酸を常t&によ*
tapロリドとし、りいでピリジンの存在下にフェノ−
身あるいはシタ胃へ中ナノーJ−鱒導体を反応して目的
の化金物をlIhことがで會る8以上を化*1Ic−t
’示すと次の過)Kなる。
の化金物であh8−に)−(2′−メチにブチジオキシ
)安息香酸、又a8−に)−4′−(2−/チルブチ嘉
亨中シ)ビフェニx −4−カルボン酸を常t&によ*
tapロリドとし、りいでピリジンの存在下にフェノ−
身あるいはシタ胃へ中ナノーJ−鱒導体を反応して目的
の化金物をlIhことがで會る8以上を化*1Ic−t
’示すと次の過)Kなる。
(上式中、諷、X)紘曽記と同じ)
崗、上記でtFIIJする4−(γに中身シクロヘキシ
ル)2エノーJk#i例えば次の橡にして得る仁とがで
1為、jlち4−メジキシ臭化ベンインに金属マダネシ
ウムを反応させて4−メFキシベンイン!ダネシクムグ
a電ドとし、これに4−ア身命、&−91mへ*tツノ
をXtSせテ4′−アルキ#−1’−シク一へ+1ン−
1′−オールー4−/シdIP つムで脱水して4′−アル考ルー1′ーシク謔へ命竜ン
ー1ーイ&−4−メト・キ□シベンゼンとする。
ル)2エノーJk#i例えば次の橡にして得る仁とがで
1為、jlち4−メジキシ臭化ベンインに金属マダネシ
ウムを反応させて4−メFキシベンイン!ダネシクムグ
a電ドとし、これに4−ア身命、&−91mへ*tツノ
をXtSせテ4′−アルキ#−1’−シク一へ+1ン−
1′−オールー4−/シdIP つムで脱水して4′−アル考ルー1′ーシク謔へ命竜ン
ー1ーイ&−4−メト・キ□シベンゼンとする。
次Keれをエタノール中で・1−/CC触動層いて11
jieLpテ4’ −( 4’−1xsqzvl−ヘ命
yz )メ)キノベンインのトランス体φシス体拠金物
を得、これにミ蟲化ホ?1を作用させて得られ。
jieLpテ4’ −( 4’−1xsqzvl−ヘ命
yz )メ)キノベンインのトランス体φシス体拠金物
を得、これにミ蟲化ホ?1を作用させて得られ。
七の詳−は本出願人のめ履に係わ441all!!!−
8409s嗜及び畳履喝55−10λOOS号の@願書
に遮ぺてhる.又トランス−4 − ( 4’−アルキ
身身フエ!身)シフ−へ中ナノ−、&ll14−”:f
kキ身−4−にドロキシ、゛ビフエニルをエタノ−身中
でラネー−”、ツケ身を触媒として水添還元し、それに
命属ナトリクムを作Nさせることによ参得られ、七の#
顧は本出願人の出願に係わh4I履18シー44Q2号
@細書に述べて.ある。
8409s嗜及び畳履喝55−10λOOS号の@願書
に遮ぺてhる.又トランス−4 − ( 4’−アルキ
身身フエ!身)シフ−へ中ナノ−、&ll14−”:f
kキ身−4−にドロキシ、゛ビフエニルをエタノ−身中
でラネー−”、ツケ身を触媒として水添還元し、それに
命属ナトリクムを作Nさせることによ参得られ、七の#
顧は本出願人の出願に係わh4I履18シー44Q2号
@細書に述べて.ある。
以下、実施lIKよ)本化合物の調造及び物性を1LK
WIIaKtl@fh@ 要論−1(8−(+)−4−(2’−メチ身グチルオキ
シ)安息香&4−()ランス−4′−プ■に’ J#$
/ 7口へ中シシ)フエ晶ルエステル((1)式で鳳は
1,Xがー<=5ド→3=〉−馳が・CsH,のもの)
の調造〕 8−に)−4 − ( 2’−メチルブチ鳥オキシ)安
息香8t21を塩化チオニル10−と共に70〜魯O℃
で2時間加熱し、その後過剰の塩化チオaJ−は減圧で
留去する。これに4−(Fラン”″スー4’ー1.費ビ
身シク■へ1シシ)フェノ−身toyとピリジンLOP
を−水ト身エンso−に連鋳した−のを加え、室温で一
職放置する。
WIIaKtl@fh@ 要論−1(8−(+)−4−(2’−メチ身グチルオキ
シ)安息香&4−()ランス−4′−プ■に’ J#$
/ 7口へ中シシ)フエ晶ルエステル((1)式で鳳は
1,Xがー<=5ド→3=〉−馳が・CsH,のもの)
の調造〕 8−に)−4 − ( 2’−メチルブチ鳥オキシ)安
息香8t21を塩化チオニル10−と共に70〜魯O℃
で2時間加熱し、その後過剰の塩化チオaJ−は減圧で
留去する。これに4−(Fラン”″スー4’ー1.費ビ
身シク■へ1シシ)フェノ−身toyとピリジンLOP
を−水ト身エンso−に連鋳した−のを加え、室温で一
職放置する。
それを水中にあけトルエンを追加して抽出し、)zxン
層@r6N111鹸、つい”1?2N1111/−/水
#1波で洗浄した壁中11に&るまで水洗する。
層@r6N111鹸、つい”1?2N1111/−/水
#1波で洗浄した壁中11に&るまで水洗する。
それを膳水備鹸す)リウムで乾燥後トルエンを減圧で胃
清し、!Iりた圃瀧物をエタノ−身で再績晶すると一一
の1−←)−4−(2’−メチ身ブチにオキシ)t’J
l香#4−()ランス−4−グロビルシクロヘキシ身)
フェニルエステ身が117flIられたく収率62.5
%)*この−のはコレステ管ツタ筐晶で七のc−ch点
(結晶−コレステリツタ相転移点)は112.4〜11
五IC。
清し、!Iりた圃瀧物をエタノ−身で再績晶すると一一
の1−←)−4−(2’−メチ身ブチにオキシ)t’J
l香#4−()ランス−4−グロビルシクロヘキシ身)
フェニルエステ身が117flIられたく収率62.5
%)*この−のはコレステ管ツタ筐晶で七のc−ch点
(結晶−コレステリツタ相転移点)は112.4〜11
五IC。
Ck−I点(ゴレステリツク相−等方脩11E4m転移
点)は16&0〜16&4℃であった。又ネマチック液
晶親成物に仁のものを10−加えて欄定したら旋ピッチ
の値から計算して得られるこの化11 金物自身のら旋ピッチは五4^s?4′:)だ。
点)は16&0〜16&4℃であった。又ネマチック液
晶親成物に仁のものを10−加えて欄定したら旋ピッチ
の値から計算して得られるこの化11 金物自身のら旋ピッチは五4^s?4′:)だ。
痛論112〜13
(!)武で鳳戴2の場合は要論flKJlけるS−(+
)−4−42−メチJh1チhオキシ)安息II鹸の代
bjlK8−←>−4−<i’−メチルプチルオ命シ)
ビフェニル−4−力身ボン駿を使用し′、又実線111
に於ける4−(トランス−4′−グ■ビ^シ/IIヘキ
シ鳥)フェノールの代t)IK^なりたア身キル置換晶
をもつ4−(トランス−4′−ア身キルシクロへ中シル
)フェノ−身(xがR=X()−の場合)あるいはトラ
ンス−4−(4−アル中h7エ二k)シク■ヘキt/−
j(XがX〕HCXの場合)を各々1f112!層する
ことによn、*m例1の化合物とは14なった(1)式
の化合−を製造した。これらの績釆を11めて実施f1
1の紬釆と会わせて11M11I&に示した。
)−4−42−メチJh1チhオキシ)安息II鹸の代
bjlK8−←>−4−<i’−メチルプチルオ命シ)
ビフェニル−4−力身ボン駿を使用し′、又実線111
に於ける4−(トランス−4′−グ■ビ^シ/IIヘキ
シ鳥)フェノールの代t)IK^なりたア身キル置換晶
をもつ4−(トランス−4′−ア身キルシクロへ中シル
)フェノ−身(xがR=X()−の場合)あるいはトラ
ンス−4−(4−アル中h7エ二k)シク■ヘキt/−
j(XがX〕HCXの場合)を各々1f112!層する
ことによn、*m例1の化合物とは14なった(1)式
の化合−を製造した。これらの績釆を11めて実施f1
1の紬釆と会わせて11M11I&に示した。
jFllllに於て収率は各々の4−(トランス−4′
−7身命身シクロヘキシ、−3フェノ−に、 hamい
はトランX−4−(4’ −71+ k 7 :c 二
) ) fクロヘキ賃ノー身を基準にした数値である。
−7身命身シクロヘキシ、−3フェノ−に、 hamい
はトランX−4−(4’ −71+ k 7 :c 二
) ) fクロヘキ賃ノー身を基準にした数値である。
叉★ ・:1:。
ことを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 、 −*武 (上式中、mdl又R2でhL xa(コ8C〉叉紘べ
DRコト を示し、!&紘炭嵩赦1〜1aの1#キJk
1を示す、又は半は不斉炭素原子を示す) で表わ1れる畠−(ホ)−4−((−z?hyテルオ命
ジフニジフェニルを有する力島lン酸ニス?)誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11315781A JPS5813546A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 光学活性2−メチルブチルオキシフエニル基を有するカルボン酸エステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11315781A JPS5813546A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 光学活性2−メチルブチルオキシフエニル基を有するカルボン酸エステル誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5813546A true JPS5813546A (ja) | 1983-01-26 |
JPH0150696B2 JPH0150696B2 (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=14604999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11315781A Granted JPS5813546A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 光学活性2−メチルブチルオキシフエニル基を有するカルボン酸エステル誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5813546A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59219251A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-12-10 | Chisso Corp | 液晶物質及び液晶組成物 |
JPS59231043A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-25 | Chisso Corp | 液晶物質及び液晶組成物 |
US4584120A (en) * | 1982-02-15 | 1986-04-22 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal compound and liquid crystal composition |
US4596667A (en) * | 1983-01-06 | 1986-06-24 | Chisso Corporation | Liquid crystalline compounds and mixtures thereof |
US4622165A (en) * | 1983-07-27 | 1986-11-11 | Alps Electric Co., Ltd | Liquid crystal mixture of a liquid crystal compound having a smectic C phase and an optically active compound |
US4732699A (en) * | 1985-07-01 | 1988-03-22 | Ajinomoto Co., Inc. | Biphenyl carbonic acid ester compounds and liquid crystal composition containing the same |
US4830470A (en) * | 1986-05-22 | 1989-05-16 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline esters |
US5082589A (en) * | 1986-05-22 | 1992-01-21 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline esters |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP11315781A patent/JPS5813546A/ja active Granted
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4584120A (en) * | 1982-02-15 | 1986-04-22 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal compound and liquid crystal composition |
US4596667A (en) * | 1983-01-06 | 1986-06-24 | Chisso Corporation | Liquid crystalline compounds and mixtures thereof |
JPS59219251A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-12-10 | Chisso Corp | 液晶物質及び液晶組成物 |
JPS59231043A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-25 | Chisso Corp | 液晶物質及び液晶組成物 |
US4622165A (en) * | 1983-07-27 | 1986-11-11 | Alps Electric Co., Ltd | Liquid crystal mixture of a liquid crystal compound having a smectic C phase and an optically active compound |
US4732699A (en) * | 1985-07-01 | 1988-03-22 | Ajinomoto Co., Inc. | Biphenyl carbonic acid ester compounds and liquid crystal composition containing the same |
US4830470A (en) * | 1986-05-22 | 1989-05-16 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline esters |
US5082589A (en) * | 1986-05-22 | 1992-01-21 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline esters |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0150696B2 (ja) | 1989-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5813546A (ja) | 光学活性2−メチルブチルオキシフエニル基を有するカルボン酸エステル誘導体 | |
JPH01216967A (ja) | 液晶化合物 | |
JPH0150694B2 (ja) | ||
JPH10114733A (ja) | フッ素化4″−シアノ置換ターフェニル | |
JPS61167671A (ja) | 4−(5−アルキルピリミジン−2−イル)安息香酸−4′−シアノ−3′−ハロゲノフエニル | |
JPS59161348A (ja) | シアノテルシクロヘキサン誘導体 | |
JPS6069046A (ja) | 液晶化合物の製造用ビフェニル類 | |
JPH0150695B2 (ja) | ||
JPH0210819B2 (ja) | ||
JPS59167542A (ja) | 光学活性液晶 | |
JPH0150691B2 (ja) | ||
JPS59141540A (ja) | 三環カルボン酸エステル誘導体 | |
JPH0150693B2 (ja) | ||
JPS588054A (ja) | トランス−4−(4′−置換フエニル)−シクロヘキサンカルボン酸4″ ′−シアノビフエニルエステル | |
JPS58126838A (ja) | 4−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)安息香酸3−クロロ−4−ハロゲノフエニルエステル | |
JPH0233697B2 (ja) | Makenojudenihoseiomotsukogakukatsuseibutsushitsu | |
JPS59148753A (ja) | 光学活性シクロヘキサンカルボン酸のシアノフエニルエステル類 | |
JPS59161334A (ja) | シクロヘキサンカルボン酸のエステル類 | |
JPH039895B2 (ja) | ||
JP3432248B2 (ja) | シクロヘキセン誘導体 | |
JPS5976029A (ja) | フツソ含有ビフエニル誘導体 | |
JPH0251893B2 (ja) | ||
JPS59167538A (ja) | 光学活性4−ハロゲノフエニルエステル類 | |
JPS58188841A (ja) | 3,4−ジクロロ安息香酸トランス−4−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)フエニルエステル | |
JPS6111213B2 (ja) |