JPH0150695B2 - - Google Patents
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- JPH0150695B2 JPH0150695B2 JP11315681A JP11315681A JPH0150695B2 JP H0150695 B2 JPH0150695 B2 JP H0150695B2 JP 11315681 A JP11315681 A JP 11315681A JP 11315681 A JP11315681 A JP 11315681A JP H0150695 B2 JPH0150695 B2 JP H0150695B2
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は小さな負の誘電異方性を有し、光学活
性なら施分子構造を持つた液晶化合物に関する。 液晶表示素子は液晶物質の持主である光学異方
性及び誘電異方性を利用したもので各種の表示方
式のものが、そのうち現在最も実用化されている
のはねじれネマチツク型(TN型)、動的散乱型
(DS型)などである。しかし最近は他の方式の液
晶表示方法の開発も盛んに行なわれ、中でもコレ
ステリツク・ネマチツク相転移型表示及びホワイ
ト・テイラー型カラー表示などがその代表的なも
のである。これらの表示素子に用いられる液晶組
成物はいずれもネマチツク液晶に光学活性物質な
どを添加して、それぞれに適したコレステリツク
のら旋ピツチをもつ様に調節される。添加する光
学活性物質の分子はねじれたら施構造をもち、そ
のら旋ピツチは短かく、かつ熱、光、空気、水に
安定なものが望まれている。本発明の化合物は以
上の様な用途に使用して有用な、光学活性を有
し、ねじれた分子構造をもつ新規な化合物であ
る。 即ち、本発明は一般式 (上式中、nは1又は2であり、Xは
性なら施分子構造を持つた液晶化合物に関する。 液晶表示素子は液晶物質の持主である光学異方
性及び誘電異方性を利用したもので各種の表示方
式のものが、そのうち現在最も実用化されている
のはねじれネマチツク型(TN型)、動的散乱型
(DS型)などである。しかし最近は他の方式の液
晶表示方法の開発も盛んに行なわれ、中でもコレ
ステリツク・ネマチツク相転移型表示及びホワイ
ト・テイラー型カラー表示などがその代表的なも
のである。これらの表示素子に用いられる液晶組
成物はいずれもネマチツク液晶に光学活性物質な
どを添加して、それぞれに適したコレステリツク
のら旋ピツチをもつ様に調節される。添加する光
学活性物質の分子はねじれたら施構造をもち、そ
のら旋ピツチは短かく、かつ熱、光、空気、水に
安定なものが望まれている。本発明の化合物は以
上の様な用途に使用して有用な、光学活性を有
し、ねじれた分子構造をもつ新規な化合物であ
る。 即ち、本発明は一般式 (上式中、nは1又は2であり、Xは
【式】又は
【式】を示し、Rは炭素数1〜
10のアルキル基を示す。又は*は不斉炭素原子を
示す) で表わされるS−(+)−4−(2′−メチルブチル
フエニル)基を有するカルボン酸エステル誘導体
である。 本発明の化合物はら旋分子構造をもち、あるも
のはコレステリツク・スメクチツク液晶相をもつ
が、温度によつて鋭敏に色変化を示すコレステリ
ツク相のみを有するものもある。これらの化合物
をネマチツク液晶に少量添加してコレステリツ
ク・ネマチツク相転移型表示素子用又はホワイ
ト・テーラー型表示素子用の液晶組成物を得るこ
とが出来る。この化合物をネマチツク液晶に10%
添加して測定して得られるら旋ピツチの値から得
られるこの化合物自体のら旋ピツチは0.2μm〜
0.3μmと概して短かく、それだけ分子の配列を捻
る力が大きいことになる。 従つて、この化合物をTN型表示素子用のネマ
チツク液晶組成物に極く少量添加するだけで表示
面のしま模様(いわゆるリバースドメイン)の発
生を少くして、その性能を改善することが出来
る。 次に本発明による化合物の製造法について述べ
ると既知の化合物であるS−(+)−4−(2′−メ
チルブチル)安息香酸、又はS−(+)−4−
(2′−メチルブチル)ビフエニル−4−カルボン
酸を常法により酸クロリドとし、ついでピリジン
の存在下に4−(トランス−4′−アルキルシクロ
ヘキシル)フエノール又はトランス−4−(4′−
アルキルフエニル)シクロヘキサノールを反応し
て目的の化合物を得ることができる。以上を化学
式で示すと次のとおりになる。 尚、上記で使用する4−(アルキルシクロヘキ
シル)フエノールは例えば次の様にして得ること
ができる。即ち4−メトキシ臭化ベンゼンに金属
マグネシウムを反応させて4−メトキシベンゼン
マグネシウムブロミドとし、これに4−アルキル
シクロヘキサノンを反応させて4′−アルキル−
1′−シクロヘキサン−1′−オール−4−メトキシ
ベンゼンとし、ついで酸性硫酸カリウムで脱水し
て4′−アルキル−1′−シクロヘキセン−1′−イル
−4−メトキシベンゼンとする。次にこれをエタ
ノール中でPd/c触媒を用いて還元して4′−
(4′−アルキルシクロヘキシル)メトキシベンゼ
ンのトランス体・シス体混合物を得、これに三臭
化ホウ素を作用させて得られ、その詳細は本出願
人の出願に係わる特願昭55−86095号(特開昭57
−11935号)及び特願昭55−107003号(特開昭57
−31645号)の明細書に述べてある。又トランス
−4−(4′−アルキルフエニル)シクロヘキサノ
ールは4−アルキル−4′−ヒドロキシビフエニル
をエタノール中でラネーニツケルを触媒として水
添還元し、それに金属ナトリウムを作用させるこ
とにより得られ、その詳細は本出願人の出願に係
わる特願昭56−44442号(特開昭57−158729号)
明細書に述べてある。 以下、実施例により、本化合物の製法及び物性
を更に詳細に説明する。 実施例 1 〔S−(+)−4−(2′−メチルブチル)安息香
酸4−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシ
ル)フエニルエステル((1)式でn=1、Xが
示す) で表わされるS−(+)−4−(2′−メチルブチル
フエニル)基を有するカルボン酸エステル誘導体
である。 本発明の化合物はら旋分子構造をもち、あるも
のはコレステリツク・スメクチツク液晶相をもつ
が、温度によつて鋭敏に色変化を示すコレステリ
ツク相のみを有するものもある。これらの化合物
をネマチツク液晶に少量添加してコレステリツ
ク・ネマチツク相転移型表示素子用又はホワイ
ト・テーラー型表示素子用の液晶組成物を得るこ
とが出来る。この化合物をネマチツク液晶に10%
添加して測定して得られるら旋ピツチの値から得
られるこの化合物自体のら旋ピツチは0.2μm〜
0.3μmと概して短かく、それだけ分子の配列を捻
る力が大きいことになる。 従つて、この化合物をTN型表示素子用のネマ
チツク液晶組成物に極く少量添加するだけで表示
面のしま模様(いわゆるリバースドメイン)の発
生を少くして、その性能を改善することが出来
る。 次に本発明による化合物の製造法について述べ
ると既知の化合物であるS−(+)−4−(2′−メ
チルブチル)安息香酸、又はS−(+)−4−
(2′−メチルブチル)ビフエニル−4−カルボン
酸を常法により酸クロリドとし、ついでピリジン
の存在下に4−(トランス−4′−アルキルシクロ
ヘキシル)フエノール又はトランス−4−(4′−
アルキルフエニル)シクロヘキサノールを反応し
て目的の化合物を得ることができる。以上を化学
式で示すと次のとおりになる。 尚、上記で使用する4−(アルキルシクロヘキ
シル)フエノールは例えば次の様にして得ること
ができる。即ち4−メトキシ臭化ベンゼンに金属
マグネシウムを反応させて4−メトキシベンゼン
マグネシウムブロミドとし、これに4−アルキル
シクロヘキサノンを反応させて4′−アルキル−
1′−シクロヘキサン−1′−オール−4−メトキシ
ベンゼンとし、ついで酸性硫酸カリウムで脱水し
て4′−アルキル−1′−シクロヘキセン−1′−イル
−4−メトキシベンゼンとする。次にこれをエタ
ノール中でPd/c触媒を用いて還元して4′−
(4′−アルキルシクロヘキシル)メトキシベンゼ
ンのトランス体・シス体混合物を得、これに三臭
化ホウ素を作用させて得られ、その詳細は本出願
人の出願に係わる特願昭55−86095号(特開昭57
−11935号)及び特願昭55−107003号(特開昭57
−31645号)の明細書に述べてある。又トランス
−4−(4′−アルキルフエニル)シクロヘキサノ
ールは4−アルキル−4′−ヒドロキシビフエニル
をエタノール中でラネーニツケルを触媒として水
添還元し、それに金属ナトリウムを作用させるこ
とにより得られ、その詳細は本出願人の出願に係
わる特願昭56−44442号(特開昭57−158729号)
明細書に述べてある。 以下、実施例により、本化合物の製法及び物性
を更に詳細に説明する。 実施例 1 〔S−(+)−4−(2′−メチルブチル)安息香
酸4−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシ
ル)フエニルエステル((1)式でn=1、Xが
【式】RがC3H7のもの)の
製造〕
S−(+)−4−(2′−メチルブチル)安息香酸
1.0gを塩化チオニル10mlと共に70〜80℃で2時
間加熱し、その後、過剰の塩化チオニルは減圧で
留去する。これに4−(トランス−4′−プロピル
シクロヘキシル)フエノール1.0gとピリジン1.0
gを無水トルエン50mlに溶解したものを加え、室
温で一晩放置する。それを水中にあけ、トルエン
を追加して抽出し、トルエン層を6N塩酸、つい
で2N苛性ソーダ水溶液で洗浄した後中性になる
まで水洗する。それを無水硫酸ナトリウムで乾燥
後トルエンを減圧で留去し、残つた固型物をエタ
ノールで再結晶すると目的のS−(+)−4−
(2′−メチルブチル)安息香酸4−(トランス−
4′−プロピルシクロヘキシル)フエニルエステル
が1.19g得られ(収率66.2%)。このものはコレ
ステリツク液晶でそのC−Ch点(結晶−コレス
テリツク相転移点)は89.7〜90.3℃、Ch−I点
(コレステリツク相−等分性液相転移点)は147.6
〜147.8℃であつた。又、ネマチツク液晶組成物
にこのものを10%加えて測定したら旋ピツチの値
から計算して得られるこの化合物自身のら旋ピツ
チは0.22μmであつた。 実施例 2〜13 (1)式でn=2の化合物の場合は実施例1に於け
るS−(+)−4−(2′−メチルブチル)安息香酸
の代わりにS−(+)−4′−(2″−メチルブチル)
ビフエニル−4−カルボン酸を使用し、又4−
(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)フエ
ノールの代わりに異なつたアルキル置換基をもつ
4−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)
フエノール、あるいはトランス−4−(4′−アル
キルフエニル)シクロヘキサノールを各々1g使
用することにより実施例1の化合物とは異なつた
(1)式の化合物を製造した。これらの結果をまとめ
て、実施例1の結果と合わせて第1表に示した。
第1表に於て収率は各々の4−(トランス−4′−
アルキルシクロヘキシル)フエノール、あるいは
トランス−4−(4′−アルキルフエニル)シクロ
ヘキサノールを基準にした数値である。又S* nは
コレステリツク・スメクチツク相を示しXの欄の
A、BはXが夫々
1.0gを塩化チオニル10mlと共に70〜80℃で2時
間加熱し、その後、過剰の塩化チオニルは減圧で
留去する。これに4−(トランス−4′−プロピル
シクロヘキシル)フエノール1.0gとピリジン1.0
gを無水トルエン50mlに溶解したものを加え、室
温で一晩放置する。それを水中にあけ、トルエン
を追加して抽出し、トルエン層を6N塩酸、つい
で2N苛性ソーダ水溶液で洗浄した後中性になる
まで水洗する。それを無水硫酸ナトリウムで乾燥
後トルエンを減圧で留去し、残つた固型物をエタ
ノールで再結晶すると目的のS−(+)−4−
(2′−メチルブチル)安息香酸4−(トランス−
4′−プロピルシクロヘキシル)フエニルエステル
が1.19g得られ(収率66.2%)。このものはコレ
ステリツク液晶でそのC−Ch点(結晶−コレス
テリツク相転移点)は89.7〜90.3℃、Ch−I点
(コレステリツク相−等分性液相転移点)は147.6
〜147.8℃であつた。又、ネマチツク液晶組成物
にこのものを10%加えて測定したら旋ピツチの値
から計算して得られるこの化合物自身のら旋ピツ
チは0.22μmであつた。 実施例 2〜13 (1)式でn=2の化合物の場合は実施例1に於け
るS−(+)−4−(2′−メチルブチル)安息香酸
の代わりにS−(+)−4′−(2″−メチルブチル)
ビフエニル−4−カルボン酸を使用し、又4−
(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)フエ
ノールの代わりに異なつたアルキル置換基をもつ
4−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)
フエノール、あるいはトランス−4−(4′−アル
キルフエニル)シクロヘキサノールを各々1g使
用することにより実施例1の化合物とは異なつた
(1)式の化合物を製造した。これらの結果をまとめ
て、実施例1の結果と合わせて第1表に示した。
第1表に於て収率は各々の4−(トランス−4′−
アルキルシクロヘキシル)フエノール、あるいは
トランス−4−(4′−アルキルフエニル)シクロ
ヘキサノールを基準にした数値である。又S* nは
コレステリツク・スメクチツク相を示しXの欄の
A、BはXが夫々
【式】又は
【式】であることを示す。
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (上式中、nは1又は2であり、Xは
【式】又は 【式】を示し、Rは炭素数1〜 10のアルキル基を示す。又、*は不斉炭素原子を
示す) で表わされるS−(+)−4−(2′−メチルブチル
フエニル)基を有するカルボン酸エステル誘導
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11315681A JPS5813545A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 光学活性2−メチルブチルフエニル基を有するカルボン酸エステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11315681A JPS5813545A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 光学活性2−メチルブチルフエニル基を有するカルボン酸エステル誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5813545A JPS5813545A (ja) | 1983-01-26 |
JPH0150695B2 true JPH0150695B2 (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=14604976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11315681A Granted JPS5813545A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 光学活性2−メチルブチルフエニル基を有するカルボン酸エステル誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5813545A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6028487A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Alps Electric Co Ltd | 液晶組成物 |
EP0247466B1 (de) * | 1986-05-22 | 1993-11-24 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Flüssigkristalline Derivate von Phenylbenzoat |
US5082589A (en) * | 1986-05-22 | 1992-01-21 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline esters |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP11315681A patent/JPS5813545A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5813545A (ja) | 1983-01-26 |
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