JPS6353177B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6353177B2
JPS6353177B2 JP14710980A JP14710980A JPS6353177B2 JP S6353177 B2 JPS6353177 B2 JP S6353177B2 JP 14710980 A JP14710980 A JP 14710980A JP 14710980 A JP14710980 A JP 14710980A JP S6353177 B2 JPS6353177 B2 JP S6353177B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trans
liquid crystal
point
propylcyclohexyl
cyclohexyl ester
Prior art date
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Expired
Application number
JP14710980A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5770839A (en
Inventor
Shigeru Sugimori
Tetsuhiko Kojima
Masakazu Tsuji
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chisso Corp filed Critical Chisso Corp
Priority to JP14710980A priority Critical patent/JPS5770839A/ja
Priority to US06/303,523 priority patent/US4487954A/en
Publication of JPS5770839A publication Critical patent/JPS5770839A/ja
Publication of JPS6353177B2 publication Critical patent/JPS6353177B2/ja
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  • Liquid Crystal Substances (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な液晶化合物に関し、更に詳しく
は広い温度範囲でスメクチツク液晶相を示す液晶
化合物に関する。
液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び
誘電異方性を利用したものであるが、その表示様
式によつてTN型(ねじれネマチツク型)、DS型
(動的散乱型)、ゲスト・ホスト、DAP型などの
各種の方式に分けられ、夫々の使用に適する液晶
物質の性質は異る。しかしいずれの液晶物質も水
分、空気、熱、光等に安定であることが必要であ
ることは共通しており、又、室温を中心として出
来るだけ広い温度範囲で液晶相を示し、更に表示
素子種類によつて異なる特性を有する様にしなけ
ればならない。しかし現在のところ単一化合物で
はこの様な条件を満たす物質はなく、数種の液晶
化合物や非液晶化合物を混合して得られる液晶組
成物を使用しているのが現状である。最近は特に
広い温度範囲(−20℃〜90℃)にわたつて動作す
る表示素子が要求される様になつて来ているが、
一般に高温液晶物質は粘性が高く、その様なもの
を多く含む液晶組成物は低温ではよく動作しなく
なる。本発明の目的は液晶組成物に加えることに
よつてその液晶温度範囲を高くすると共に低温特
性も改善するに有用な化合物を提供するものであ
る。
即ち本発明は一般式 (但し、上式に於てR,R′は炭素数1〜10の
アルキル基を示し、nは1又は2である) で表わされるトランス―4―置換シクロヘキサン
カルボン酸トランス―4′(トランス―4″―アルキ
ルシクロヘキシルエステルである。
本発明の化合物はスメクチツク液晶相ではある
が非常に広い液晶温度範囲、例えばあるものは室
温付近から200℃或はそれ以上までの液晶温度範
囲を示すもので他のネマチツク液晶化合物又は混
合物にはよく溶解し、低温から高温まで作動する
液晶表示素子に使用するに適した液晶組成物を得
るのに非常に有用である。又透明点(N―I点又
はSm―I点)が高いにもかかわらず粘度は低く
その点でも非常に好ましいものである。
つぎに本発明の()式の化合物の製造法を示
す。まず4―(トランス―4′―アルキルシクロヘ
キシル)フエノールをエタノール中で触媒として
ラネーニツケルを用いて100℃、20気圧で還元し、
それを再結晶してトランス体とシス体を分離して
トランス―4(トランス―4′―アルキルシクロヘ
キシル)シクロヘキサノールを得る。これとトラ
ンス―4―アルキルシクロヘキサンカルボン酸の
酸塩化物とをピリジン中で反応させれば()式
でn=1のトランス―4―アルキルシクロヘキサ
ンカルボン酸トランス―4′(トランス―4″―アル
キルシクロヘキシル)シクロヘキシルエステルが
得られ、又トランス―4(トランス―4′―アルキ
ルシクロヘキシル)シクロヘキサンカルボン酸の
酸塩化物と同じくピリジン中で反応させれば
()式でn=2のトランス―4(トランス―4′―
アルキルシクロヘキシル)シクロヘキサンカルボ
ン酸トランス―4′(トランス―4″―アルキルシク
ロヘキシル)シクロヘキシルエステルが得られ
る。
以下実施例により本発明の化合物の製造法及び
使用例について更に詳細に説明する。
実施例 1 〔トランス―4―プロピルシクロヘキサンカル
ボン酸トランス―4′(トランス―4″―プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキシルエステル
(()式でR=C3H7、R′=C3H7、n=1のも
の)の製造〕 4―(トランス―4′―プロピルシクロヘキシ
ル)フエノール250gに対して10重量%(25g)
のラネーニツケルを加えエタノール1.8に溶解
し100℃で水素圧20Kg/cm2で原料のフエノール1
モルに対し3モルの水素を吸収させた。水素添加
終了後触媒を別し、エタノールをとばして約
0.3まで濃縮したのち新しいエタノールを加え
再結晶し過するとトランス―4(トランス―
4′―プロピルシクロヘキシル)シクロヘキサノー
ルが125g得られた(収率51.4%)。その融点は
120〜124℃であつた。
この2.3gをピリジン20mlに溶かし、そこへあ
らかじめ調製しておいたトランス―4―プロピル
シクロヘキサンカルボン酸酸塩化物1.9gを加え
よく撹拌してから一晩放置する。反応混合物を
500mlの水にあけ、その水層をトルエン50mlで2
回抽出し、それを6N―HCl、ついで2N―NaOH
で洗浄後水洗する。ついで減圧にしてトルエンを
留去し、残つた油状物をエタノール50mlで再結晶
を2回繰り返すと目的のトランス―4―プロピル
シクロヘキサンカルボン酸トランス―4′(トラン
ス―4″―プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシ
ルエステルが1.4g得られた。収率は37%である。
このものは広い温度範囲でスメクチツク液晶相
(Sm)を示し、C(固体)―Sm点は27℃、Sm―
N(ネマチツク)点は194℃、N―I点(透明点)
は201℃であつた。
実施例 2,3 実施例1の原料のアルキル基を変える以外は全
く同様にしてトランス―4―エチルシクロヘキサ
ンカルボン酸トランス―4′(トランス―4″―プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキシルエステル
(収率47%、C―Sm点―15℃、Sm―N点186.0
℃、N―I点186.7℃)トランス―4―プロピル
シクロヘキサンカルボン酸トランス―4′(トラン
ス―4′―ペンチルシクロヘキシル)シクロヘキシ
ルエステル(収率46%、室温でスメクチツク相、
Sm―I点211℃)が得られた。
実施例 4 〔トランス―4(トランス―4′―プロピルシク
ロヘキシル)シクロヘキサンカルボン酸トラン
ス―4″(トランス―4―プロピルシクロヘキ
シル)シクロヘキシルエステル(()式でR
=C3H7、R′=C3H7、n=2のものの製造〕 トランス―4(トランス―4′―プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキサンカルボン酸2.5gと塩
化チオニル20mlを100mlナス型フラスコに入れて
80℃で5時間還流する。反応終了後過剰の塩化チ
オニルを留去して残つた油状物がトランス―4
(トランス―4′―プロピルシクロヘキシル)シク
ロヘキサンカルボン酸酸塩化物である。これを実
施例1で使用したと同じトランス―4(トランス
―4′―プロピルシクロヘキシル)シクロヘキサノ
ール2.2gをピリジン20mlにとかしたものに加え、
よく撹拌してから一晩放置する。反応混合物を
500mlの水にあけ、その水層をトルエン50mlで2
回抽出し、それを6N―HCl、ついで2N―NaOH
で洗浄後水洗する。ついで減圧にしてトルエンを
留去し、残つた油状物をアセトン50mlで再結晶を
2回繰り返すと目的のトランス―4(トランス―
4′―プロピルシクロヘキシル)シクロヘキサンカ
ルボン酸トランス―4″(トランス―4―プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシルエステルが
2.2g得られる。収率は48%であつた。この化合
物もスメクチツク液晶で、そのC―Sm点は74℃、
Sm―I点は283℃であつた。
実施例5 (使用例) トランス―4―プロピル(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 28% トランス―4―ペンチル(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 42% トランス―4―ヘプチル(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 30% からなる液晶混合物のN―I点は52℃、粘度は20
℃で23cp、誘電異方性値△εは+9.9、これを用
いたTNセルのしきい電圧は1.5V、飽和電圧は
2.1Vである。
上記の液晶組成物85部に対し本発明の化合物で
ある実施例1で得られたトランス―4―プロピル
シクロヘキサンカルボン酸トランス―4′(トラン
ス―4″―プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシ
ルエステル15部を加えた液晶組成物のN―I点は
68℃に上昇し、粘度は20℃で24cpで殆ど変らず、
△εは+9.4、これを用いたTNセルのしきい電圧
は1.80V、飽和電圧は2.5Vであつた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (但し、上式に於てR,R′は炭素数1〜10の
    アルキル基を示し、nは1又は2である) で表わされるトランス―4―置換シクロヘキサン
    カルボン酸トランス―4′(トランス―4″―アルキ
    ルシクロヘキシル)シクロヘキシルエステル。
JP14710980A 1980-09-19 1980-10-21 Trans-4-substituted cyclohexanecarboxylic acid trans-4'-(trans-4"-alkylcyclohexyl) cyclohexyl ester Granted JPS5770839A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14710980A JPS5770839A (en) 1980-10-21 1980-10-21 Trans-4-substituted cyclohexanecarboxylic acid trans-4'-(trans-4"-alkylcyclohexyl) cyclohexyl ester
US06/303,523 US4487954A (en) 1980-09-19 1981-09-17 Carboxylic acid cyclohexyl ester derivatives

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JP14710980A JPS5770839A (en) 1980-10-21 1980-10-21 Trans-4-substituted cyclohexanecarboxylic acid trans-4'-(trans-4"-alkylcyclohexyl) cyclohexyl ester

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JPS5770839A JPS5770839A (en) 1982-05-01
JPS6353177B2 true JPS6353177B2 (ja) 1988-10-21

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ID=15422716

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JP14710980A Granted JPS5770839A (en) 1980-09-19 1980-10-21 Trans-4-substituted cyclohexanecarboxylic acid trans-4'-(trans-4"-alkylcyclohexyl) cyclohexyl ester

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58140045A (ja) * 1982-02-15 1983-08-19 Kanto Kagaku Kk 液晶化合物,液晶組成物並びに液晶表示素子
DE3206269A1 (de) * 1982-02-20 1983-09-01 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Bicyclohexylderivate
DE3211601A1 (de) * 1982-03-30 1983-10-06 Merck Patent Gmbh Hydroterphenyle
US4472592A (en) * 1982-07-09 1984-09-18 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Nematic liquid crystalline compounds
DE3364938D1 (en) * 1982-07-28 1986-09-04 Hoffmann La Roche Tetra- and pentacyclic monoesters
DE3231707A1 (de) * 1982-08-26 1984-03-01 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Cyclohexanderivate

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