JPS6361292B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6361292B2 JPS6361292B2 JP12907081A JP12907081A JPS6361292B2 JP S6361292 B2 JPS6361292 B2 JP S6361292B2 JP 12907081 A JP12907081 A JP 12907081A JP 12907081 A JP12907081 A JP 12907081A JP S6361292 B2 JPS6361292 B2 JP S6361292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trans
- liquid crystal
- cyclohexylbenzene
- alkylcyclohexyl
- propylcyclohexyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 19
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M potassium bisulfate Chemical compound [K+].OS([O-])(=O)=O CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910000343 potassium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000564 Raney nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- ANRQGKOBLBYXFM-UHFFFAOYSA-M phenylmagnesium bromide Chemical compound Br[Mg]C1=CC=CC=C1 ANRQGKOBLBYXFM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXUSEPRYHRDKFV-CTYIDZIISA-N C1C[C@@H](CCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 XXUSEPRYHRDKFV-CTYIDZIISA-N 0.000 description 1
- FURZYCFZFBYJBT-JCNLHEQBSA-N C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 FURZYCFZFBYJBT-JCNLHEQBSA-N 0.000 description 1
- FRKVGIKPQJABFV-QSPIWVMWSA-N CCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)C1CCCCC1=O Chemical compound CCC[C@H]1CC[C@@H](CC1)C1CCCCC1=O FRKVGIKPQJABFV-QSPIWVMWSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N [methyl(oxido){1-[6-(trifluoromethyl)pyridin-3-yl]ethyl}-lambda(6)-sulfanylidene]cyanamide Chemical compound N#CN=S(C)(=O)C(C)C1=CC=C(C(F)(F)F)N=C1 ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010531 catalytic reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- -1 pentylcyclohexyl Chemical group 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は広い温度範囲で液晶相を示し、かつ安
定で低粘性の新規な液晶物質に関する。 液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び
誘電異方性を利用したものであるが、その表示様
式によつてTN型(ねじれネマチツク型)、DS型
(動的散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型など
各種の方式に分けられ、夫々の使用に適する液晶
物質の性質は異る。しかしいずれの液晶物質も水
分、空気、熱、光等に安定であることが必要であ
ることは共通しており、又、室温を中心として出
来るだけ広い温度範囲で液晶相を示し、更に表示
素子の種類によつて異なる最適な誘電異方性値
(Δε)を有する様にしなければならない。しかし
現在のところ単一化合物ではこの様な条件を満た
す物質はなく、数種の液晶化合物や非液晶化合物
を混合して得られる液晶組成物を使用しているの
が現状である。最近は特に低温(−20℃程度)か
ら高温(80〜90℃位)にわたつて動作する表示素
子が要求される様になつて来ているので、より広
い温度範囲すぐれた動作特性を持つた液晶組成物
が要望されている。 本発明の目的はこの様な液晶組成物の一成分と
して有用な、特に低温特性を改善するに適した新
規な液晶化合物を提供することにある。 即ち、本発明は一般式 (上式に於いてRは炭素数1〜10アルキル基を示
す) で表わされるトランス―4′―(トランス―4″―ア
ルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼン
である。 本発明の化合物は小さい正の誘電異方性値を示
し、液晶温度範囲が広く、特に高い液晶一透明点
(N―I点、又はSm―I点)を持つていて、なお
かつ低粘性の化合物であり、更に熱、空気、水
分、光等に安定であるため、低温から高温まで広
い温度範囲で動作する液晶組成物を得るのに極め
て有用な化合物である。 つぎに本発明の化合物の製造法を示すと、まず
ブロモベンゼンと金属マグネシウムを反応させ
て、フエニルマグネシウムプロミドとし、これを
4―(トランス―4′―アルキルシクロヘキシル)
シクロヘキサノン(対応するシクロヘキサノール
を無水クロム酸で酸化することにより得られる)
と反応させて1′―ヒドロキシ―4′―(トランス―
4″―アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベ
ンゼンとする。次いでこれを硫酸水素カリウム触
媒として脱水して4′―(トランス―4″―アルキル
シクロヘキシル)シクロヘキセン―1′―イル―ベ
ンゼンとする。ついでこれをエタノール溶媒中ラ
ネーニツケル触媒を用いて、常圧、30℃にて還元
すると4′―(トランス―4″―アルキルシクロヘキ
シル)シクロヘキシルベンゼンになる。これはト
ランス体とシス体の混合物であるので、エタノー
ルで再結晶して目的のトランス―4′―(トランス
―4″―アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル
ベンゼンが得られる。 以上を化学式で示すと 以下、実施例により本発明の化合物の製造法及
び使用例について更に詳細に説明する。 実施例 1 1〔トランス―4′―(トランス―4″―プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼン
(()式でR=C3H7の製造〕 削り状マグネシウム3.6g(0.148モル)を3つ
口フラスコに入れ、4―ブロモベンゼン23.2g
(0.148モル)をテトラヒドロフランに溶かした溶
液50mlを、窒素気流中で反応温度を30〜35℃に保
ち、撹拌しながらゆつくり滴下して行くと反応し
て3時間でマグネシウムは溶けて均一になりフエ
ニルマグネシウムプロミドを生ずる。これに4―
(トランス―4′―プロピルシクロヘキシル)シク
ロヘキサノンの26.2g(0.118モル)をテトラヒ
ドロフランに溶かして50mlとしたものを反応温度
を5〜10℃に保ちつつなるべく速かに滴下する。
滴下後、35℃まで昇温し30分撹拌し、ついで3N
塩酸100mlを加える。反応液を分液斗にとり200
mlのn―ヘプタンで3回抽出後、合わせたn―ヘ
プタン層を水で洗液が中性になるまで洗浄してか
らn―ヘプタンを減圧留去する。残留した油状物
は1′―ヒドロキシ―4′―(トランス―4″―プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼンであ
り、これに硫酸水素カリウム19gを加え窒素気流
中170℃で2時間脱水する。冷却後200mlのn―ヘ
プタンを加えてから硫酸水素カリウムを別し、
n―ヘプタン層を洗液が中性になるまで水洗す
る。 次いでn―ヘプタンを減圧留去し、残る油状物
をエタノールで再結晶して得られるのが4′―(ト
ランス―4″―プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キセン―1′―イル―ベンゼンである。ここで得ら
れた全量7.5gをラネ―ニツケル触媒3.2gと共に
エタノール500mlに溶かし常圧50℃で接触還元を
行ない、水素800mlを吸収させた。触媒を別し、
そのまま再結晶させる。得られたものはシス体と
トランス体の混合物なので、さらにエタノールで
再結晶をくり返し、トランス体を単離する。これ
がトランス―4′―(トランス―4″―プロピルシク
ロヘキシル)シクロヘキシルベンゼンである。収
量4.7g、収率(還元反応以降)23%。このもの
のC―Sm点は75.9℃、Sm―N点は91.8℃、N―
I点は100.4℃であつた。 実施例 2〜3 実施例1に於ける4―(トランス―4′―プロピ
ルシクロヘキシル))シクロヘキサノンの代りに
他のアルキル基を有する4―(トランス―4′―ア
ルキルシクロヘキシル)シクロヘキサノンを使用
して、同様にして第1表の実施例2〜3に示す
()式の化合物を得た。それ等の物性値などを
実施例1の結果と共に第1表に示す。
定で低粘性の新規な液晶物質に関する。 液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び
誘電異方性を利用したものであるが、その表示様
式によつてTN型(ねじれネマチツク型)、DS型
(動的散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型など
各種の方式に分けられ、夫々の使用に適する液晶
物質の性質は異る。しかしいずれの液晶物質も水
分、空気、熱、光等に安定であることが必要であ
ることは共通しており、又、室温を中心として出
来るだけ広い温度範囲で液晶相を示し、更に表示
素子の種類によつて異なる最適な誘電異方性値
(Δε)を有する様にしなければならない。しかし
現在のところ単一化合物ではこの様な条件を満た
す物質はなく、数種の液晶化合物や非液晶化合物
を混合して得られる液晶組成物を使用しているの
が現状である。最近は特に低温(−20℃程度)か
ら高温(80〜90℃位)にわたつて動作する表示素
子が要求される様になつて来ているので、より広
い温度範囲すぐれた動作特性を持つた液晶組成物
が要望されている。 本発明の目的はこの様な液晶組成物の一成分と
して有用な、特に低温特性を改善するに適した新
規な液晶化合物を提供することにある。 即ち、本発明は一般式 (上式に於いてRは炭素数1〜10アルキル基を示
す) で表わされるトランス―4′―(トランス―4″―ア
ルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼン
である。 本発明の化合物は小さい正の誘電異方性値を示
し、液晶温度範囲が広く、特に高い液晶一透明点
(N―I点、又はSm―I点)を持つていて、なお
かつ低粘性の化合物であり、更に熱、空気、水
分、光等に安定であるため、低温から高温まで広
い温度範囲で動作する液晶組成物を得るのに極め
て有用な化合物である。 つぎに本発明の化合物の製造法を示すと、まず
ブロモベンゼンと金属マグネシウムを反応させ
て、フエニルマグネシウムプロミドとし、これを
4―(トランス―4′―アルキルシクロヘキシル)
シクロヘキサノン(対応するシクロヘキサノール
を無水クロム酸で酸化することにより得られる)
と反応させて1′―ヒドロキシ―4′―(トランス―
4″―アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベ
ンゼンとする。次いでこれを硫酸水素カリウム触
媒として脱水して4′―(トランス―4″―アルキル
シクロヘキシル)シクロヘキセン―1′―イル―ベ
ンゼンとする。ついでこれをエタノール溶媒中ラ
ネーニツケル触媒を用いて、常圧、30℃にて還元
すると4′―(トランス―4″―アルキルシクロヘキ
シル)シクロヘキシルベンゼンになる。これはト
ランス体とシス体の混合物であるので、エタノー
ルで再結晶して目的のトランス―4′―(トランス
―4″―アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル
ベンゼンが得られる。 以上を化学式で示すと 以下、実施例により本発明の化合物の製造法及
び使用例について更に詳細に説明する。 実施例 1 1〔トランス―4′―(トランス―4″―プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼン
(()式でR=C3H7の製造〕 削り状マグネシウム3.6g(0.148モル)を3つ
口フラスコに入れ、4―ブロモベンゼン23.2g
(0.148モル)をテトラヒドロフランに溶かした溶
液50mlを、窒素気流中で反応温度を30〜35℃に保
ち、撹拌しながらゆつくり滴下して行くと反応し
て3時間でマグネシウムは溶けて均一になりフエ
ニルマグネシウムプロミドを生ずる。これに4―
(トランス―4′―プロピルシクロヘキシル)シク
ロヘキサノンの26.2g(0.118モル)をテトラヒ
ドロフランに溶かして50mlとしたものを反応温度
を5〜10℃に保ちつつなるべく速かに滴下する。
滴下後、35℃まで昇温し30分撹拌し、ついで3N
塩酸100mlを加える。反応液を分液斗にとり200
mlのn―ヘプタンで3回抽出後、合わせたn―ヘ
プタン層を水で洗液が中性になるまで洗浄してか
らn―ヘプタンを減圧留去する。残留した油状物
は1′―ヒドロキシ―4′―(トランス―4″―プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼンであ
り、これに硫酸水素カリウム19gを加え窒素気流
中170℃で2時間脱水する。冷却後200mlのn―ヘ
プタンを加えてから硫酸水素カリウムを別し、
n―ヘプタン層を洗液が中性になるまで水洗す
る。 次いでn―ヘプタンを減圧留去し、残る油状物
をエタノールで再結晶して得られるのが4′―(ト
ランス―4″―プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キセン―1′―イル―ベンゼンである。ここで得ら
れた全量7.5gをラネ―ニツケル触媒3.2gと共に
エタノール500mlに溶かし常圧50℃で接触還元を
行ない、水素800mlを吸収させた。触媒を別し、
そのまま再結晶させる。得られたものはシス体と
トランス体の混合物なので、さらにエタノールで
再結晶をくり返し、トランス体を単離する。これ
がトランス―4′―(トランス―4″―プロピルシク
ロヘキシル)シクロヘキシルベンゼンである。収
量4.7g、収率(還元反応以降)23%。このもの
のC―Sm点は75.9℃、Sm―N点は91.8℃、N―
I点は100.4℃であつた。 実施例 2〜3 実施例1に於ける4―(トランス―4′―プロピ
ルシクロヘキシル))シクロヘキサノンの代りに
他のアルキル基を有する4―(トランス―4′―ア
ルキルシクロヘキシル)シクロヘキサノンを使用
して、同様にして第1表の実施例2〜3に示す
()式の化合物を得た。それ等の物性値などを
実施例1の結果と共に第1表に示す。
【表】
* 還元反応以降の収率
実施例 6 (応用例) トランス―4―プロピル―(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 28% トランス―4―ペンチル―(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 43% トランス―4―ヘプチル―(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 29% なる組成の液晶組成物のネマチツク温度範囲は−
3〜52℃、誘電異方性値Δεは+10.5、しきい値
電圧は1.53V、飽和電圧は2.12Vである。 この液晶組成物60部に実施例1で製造した〔ト
ランス―4′―(トランス―4″―プロピルシクロヘ
キシル)シクロヘキシルベンゼン20部及び実施例
3で製造した〔トランス―4′―(トランス―4″―
ペンチルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベン
ゼン20部を加えた液晶混合物のネマチツク温度範
囲は−5〜73℃に広がり、Δεは+7.2と小さくな
り、しきい電圧は1.75V、飽和電圧は2.30Vにわ
ずかに上昇した。この様に本発明の化合物の添加
により、誘電異方性値は小さくなつたにもかかわ
らずしきい電圧値、飽和電圧値はわずか上昇する
だけでネマチツク温度範囲を広げることがでた。
実施例 6 (応用例) トランス―4―プロピル―(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 28% トランス―4―ペンチル―(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 43% トランス―4―ヘプチル―(4′―シアノフエニ
ル)シクロヘキサン 29% なる組成の液晶組成物のネマチツク温度範囲は−
3〜52℃、誘電異方性値Δεは+10.5、しきい値
電圧は1.53V、飽和電圧は2.12Vである。 この液晶組成物60部に実施例1で製造した〔ト
ランス―4′―(トランス―4″―プロピルシクロヘ
キシル)シクロヘキシルベンゼン20部及び実施例
3で製造した〔トランス―4′―(トランス―4″―
ペンチルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベン
ゼン20部を加えた液晶混合物のネマチツク温度範
囲は−5〜73℃に広がり、Δεは+7.2と小さくな
り、しきい電圧は1.75V、飽和電圧は2.30Vにわ
ずかに上昇した。この様に本発明の化合物の添加
により、誘電異方性値は小さくなつたにもかかわ
らずしきい電圧値、飽和電圧値はわずか上昇する
だけでネマチツク温度範囲を広げることがでた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (上式中Rは炭素数1〜10を有するアルキル基を
示す) で表わされるトランス―4′―(トランス―4″―ア
ルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼ
ン。 2 一般式 (上式中Rは炭素数1〜10を有するアルキル基を
示す) で表わされるトランス―4′―(トランス―4″―ア
ルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼン
を少なくとも一種含有することを特徴とする液晶
組成物。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12907081A JPS5832832A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | トランス―4’―(トランス―4”―アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼン |
US06/358,794 US4422951A (en) | 1981-04-02 | 1982-03-16 | Liquid crystal benzene derivatives |
DE8282301631T DE3260570D1 (en) | 1981-04-02 | 1982-03-29 | Liquid crystal benzene derivatives |
EP82301631A EP0062470B1 (en) | 1981-04-02 | 1982-03-29 | Liquid crystal benzene derivatives |
HK440/89A HK44089A (en) | 1981-04-02 | 1989-05-25 | Liquid crystal benzene derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12907081A JPS5832832A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | トランス―4’―(トランス―4”―アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5832832A JPS5832832A (ja) | 1983-02-25 |
JPS6361292B2 true JPS6361292B2 (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=15000331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12907081A Granted JPS5832832A (ja) | 1981-04-02 | 1981-08-18 | トランス―4’―(トランス―4”―アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5832832A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3211601A1 (de) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | Merck Patent Gmbh | Hydroterphenyle |
US4599654A (en) * | 1984-10-31 | 1986-07-08 | Rca Corporation | Dark current eliminator useful for auto-iris controller |
US5485144A (en) * | 1993-05-07 | 1996-01-16 | Pittway Corporation | Compensated ionization sensor |
-
1981
- 1981-08-18 JP JP12907081A patent/JPS5832832A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5832832A (ja) | 1983-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0062470B1 (en) | Liquid crystal benzene derivatives | |
JPS6239136B2 (ja) | ||
JPH0322855B2 (ja) | ||
JPS64373B2 (ja) | ||
JPS6344132B2 (ja) | ||
JPS6313411B2 (ja) | ||
JPS644497B2 (ja) | ||
JPS6361292B2 (ja) | ||
JPS5916840A (ja) | 3−フルオロ−4−置換−〔トランス−4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゼン | |
JPH0359050B2 (ja) | ||
JPS6353177B2 (ja) | ||
JPS64942B2 (ja) | ||
JPH0229055B2 (ja) | Jishikurohekishirubenzenjudotai | |
JPS5916834A (ja) | 2,4↓−ジメチル↓−1↓−〔トランス↓−4′↓−(トランス↓−4″↓−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゼン | |
JPH0139408B2 (ja) | ||
JPS6360011B2 (ja) | ||
JPH0212455B2 (ja) | ||
JPS64372B2 (ja) | ||
JPH0150212B2 (ja) | ||
JPH0222742B2 (ja) | ||
JPH0158168B2 (ja) | ||
JPH0237333B2 (ja) | ||
JPH0220615B2 (ja) | ||
JPH0212454B2 (ja) | ||
JPS5859930A (ja) | 4−〔トランス−4′−(トランス−4′′−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕基を有するヨ−ドベンゼン誘導体 |