JPH0220615B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0220615B2 JPH0220615B2 JP11518182A JP11518182A JPH0220615B2 JP H0220615 B2 JPH0220615 B2 JP H0220615B2 JP 11518182 A JP11518182 A JP 11518182A JP 11518182 A JP11518182 A JP 11518182A JP H0220615 B2 JPH0220615 B2 JP H0220615B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trans
- cyclohexyl
- benzene
- liquid crystal
- ethylcyclohexyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 24
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- -1 4-substituted-bromobenzene Chemical class 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OQXMLPWEDVZNPA-UHFFFAOYSA-N 1,2-dicyclohexylbenzene Chemical compound C1CCCCC1C1=CC=CC=C1C1CCCCC1 OQXMLPWEDVZNPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010531 catalytic reduction reaction Methods 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M potassium bisulfate Chemical compound [K+].OS([O-])(=O)=O CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910000343 potassium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAAUOVMTXOIVCL-SVUQGIOBSA-N CC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)CC Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)CC KAAUOVMTXOIVCL-SVUQGIOBSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- RBWRWAUAVRMBAC-UHFFFAOYSA-M magnesium;methoxybenzene;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].COC1=CC=[C-]C=C1 RBWRWAUAVRMBAC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZBTMRBYMKUEVEU-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(Br)C=C1 ZBTMRBYMKUEVEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJPJQTDYNZXKQF-UHFFFAOYSA-N 4-bromoanisole Chemical compound COC1=CC=C(Br)C=C1 QJPJQTDYNZXKQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYAQXUKCGICWQE-OPMHRUBESA-N C(C)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1CCC(CC1)=O Chemical compound C(C)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1CCC(CC1)=O KYAQXUKCGICWQE-OPMHRUBESA-N 0.000 description 1
- PNEMADQUGOZZBF-YPEOYVRZSA-N C(C)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1CCC(CC1)O Chemical compound C(C)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1CCC(CC1)O PNEMADQUGOZZBF-YPEOYVRZSA-N 0.000 description 1
- XXUSEPRYHRDKFV-CTYIDZIISA-N C1C[C@@H](CCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 XXUSEPRYHRDKFV-CTYIDZIISA-N 0.000 description 1
- FURZYCFZFBYJBT-JCNLHEQBSA-N C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 FURZYCFZFBYJBT-JCNLHEQBSA-N 0.000 description 1
- NSGMZTNTQKRAFA-UAPYVXQJSA-N C1C[C@@H](CCCCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCCCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 NSGMZTNTQKRAFA-UAPYVXQJSA-N 0.000 description 1
- ICCIOWLZPJIEBA-HAQNSBGRSA-N CC[C@H]1CC[C@@H](CC1)C1CCC(=O)CC1 Chemical compound CC[C@H]1CC[C@@H](CC1)C1CCC(=O)CC1 ICCIOWLZPJIEBA-HAQNSBGRSA-N 0.000 description 1
- PXJUQCGLZRFSHB-KQUKSJNGSA-N COC1=CC=C(C=C1)C1(CCC(CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)CC)O Chemical compound COC1=CC=C(C=C1)C1(CCC(CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)CC)O PXJUQCGLZRFSHB-KQUKSJNGSA-N 0.000 description 1
- JLYZFSNVLQTHAM-VVPTUSLJSA-N COC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)CC Chemical compound COC1=CC=C(C=C1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)[C@@H]1CC[C@H](CC1)CC JLYZFSNVLQTHAM-VVPTUSLJSA-N 0.000 description 1
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000564 Raney nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N [methyl(oxido){1-[6-(trifluoromethyl)pyridin-3-yl]ethyl}-lambda(6)-sulfanylidene]cyanamide Chemical compound N#CN=S(C)(=O)C(C)C1=CC=C(C(F)(F)F)N=C1 ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010520 demethylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- BVUQKCCKUOSAEV-UHFFFAOYSA-M magnesium;methylbenzene;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].CC1=CC=[C-]C=C1 BVUQKCCKUOSAEV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は広い温度範囲で液晶相を示す低粘性な
液晶物質及びそれを含有する組成物に関する。
液晶物質及びそれを含有する組成物に関する。
液晶表示素子は液晶物質が有する光学異方性及
び誘電方性を利用したものであるが、その表示方
式にはTN型、DS型、ゲスト・ホスト型、DAP
型、ホワイト・チイラー型など各種の方式があ
り、それぞれの方式により使用される液晶物質に
要求される性質も異る。例えば表示素子の種類に
よつて、液晶物質として誘電異方性Δεが正のも
のを必要としたり、負のものを必要としたり、或
はその中間的な値のものが適したりする。しかし
いずれにしても使用される液晶物質はできるだけ
広い温度範囲で液晶相を示し、又水分、熱、空
気、光などに対して安定である必要がある。現在
のところ単一化合物でこの様な条件をすて満たす
ものはなく、数種の液晶化合物や非液晶化合物を
混合して一応実用に耐えるものを得ているのが現
状である。
び誘電方性を利用したものであるが、その表示方
式にはTN型、DS型、ゲスト・ホスト型、DAP
型、ホワイト・チイラー型など各種の方式があ
り、それぞれの方式により使用される液晶物質に
要求される性質も異る。例えば表示素子の種類に
よつて、液晶物質として誘電異方性Δεが正のも
のを必要としたり、負のものを必要としたり、或
はその中間的な値のものが適したりする。しかし
いずれにしても使用される液晶物質はできるだけ
広い温度範囲で液晶相を示し、又水分、熱、空
気、光などに対して安定である必要がある。現在
のところ単一化合物でこの様な条件をすて満たす
ものはなく、数種の液晶化合物や非液晶化合物を
混合して一応実用に耐えるものを得ているのが現
状である。
近年、広い温度範囲、即ち−30℃から90位まで
動作する液晶表示素子が要求されて来ている。こ
の様な要求を満たすためには、より広い温度範囲
で液晶相を示し、かつ低粘性な液晶化合物が必要
とされている。
動作する液晶表示素子が要求されて来ている。こ
の様な要求を満たすためには、より広い温度範囲
で液晶相を示し、かつ低粘性な液晶化合物が必要
とされている。
本発明はこのような要求を満たすものである。
即ち、一般式
（上式中ＲとR′は水素原子又は炭素数１〜10の
アルキル基を示す） で表わされる４−置換−｛トランス−4′−〔トラン
ス−4″−（トランス−４−アルキルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル〕シクロヘキシル｝ベンゼ
ンである。
アルキル基を示す） で表わされる４−置換−｛トランス−4′−〔トラン
ス−4″−（トランス−４−アルキルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル〕シクロヘキシル｝ベンゼ
ンである。
本発明の化合物、例えば４−メチル−｛トラン
ス−4′−〔トランス−4″−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキ
シル｝ベンゼンは結晶−スメクチツク点71.0℃、
スメクチツク−ネマチツク点254℃、ネマチツク
−透明点293℃と広い温度範囲で液晶相を示し、
少量の添加で液晶温度範囲の広い、低粘性なネマ
チツク液晶組成物をつくるのに非常に適した物で
ある。又水分、熱、光、空気に対しても安定であ
る。
ス−4′−〔トランス−4″−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキ
シル｝ベンゼンは結晶−スメクチツク点71.0℃、
スメクチツク−ネマチツク点254℃、ネマチツク
−透明点293℃と広い温度範囲で液晶相を示し、
少量の添加で液晶温度範囲の広い、低粘性なネマ
チツク液晶組成物をつくるのに非常に適した物で
ある。又水分、熱、光、空気に対しても安定であ
る。
つぎに本発明の製造法を示す。４−メトキシプ
ロモベンゼンにマグネシウムを作用させ４−メト
キシフエニルマグネシウムプロミドとし、それに
４−（トランス−4′−アルキルシクロヘキシル）
シクロヘキサノンを反応させ４−メトキシ−
〔4′−（トランス−4″−アルキルシクロヘキシル）
シクロヘキセン−1′−オール〕ベンゼン（）を
得る。これを脱水して４−メトキシ−〔4′−（トラ
ンス−4″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキ
セン−1′−イル〕ベンゼン（）を得る。これを
ラネーNiを接触として還元し再結晶して４−メ
トキシ−〔トランス−4′−（トランス−4″−アルキ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン
（）を得る。これを臭化水素酸で脱メチル反応
を行ない４−ヒドロキシ−〔トランス−4′−（トラ
ンス−4″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル〕ベンゼン（）を得る。つぎにこれを
Ru／Ｃを触媒として150℃50Kg／cm2で接触還元を
行ない４−〔トランス−4′−（トランス−4″−アル
キルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘ
キサノール（）が得られる。これをアセトン
中、クロム酸−硫酸混液で酸化反応を行ない４−
〔トランス−4′−（トランス−4″−アルキルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキサノン
（）を得る。つぎに４−置換−ブロモベンゼン
をマグネシウムと反応させグリニヤール試薬とし
たものに（）を滴下し、４−置換−１−｛4′−
〔トランス−4″−（トランス−４−アルキルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン−
1′−オール｝ベンゼン（）を得る。これを脱水
すると４−置換−｛4′−〔トランス−4″−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル〕シクロヘキセン−1′−イル｝ベンゼン
（）が得られる。これをラネーNi触媒で還元
し、再結晶を施し、目的物の４−置換−｛トラン
ス−4′−〔トランス−4″−（トランス−４−アル
キルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘ
キシル｝ベンゼン（）を得る。
ロモベンゼンにマグネシウムを作用させ４−メト
キシフエニルマグネシウムプロミドとし、それに
４−（トランス−4′−アルキルシクロヘキシル）
シクロヘキサノンを反応させ４−メトキシ−
〔4′−（トランス−4″−アルキルシクロヘキシル）
シクロヘキセン−1′−オール〕ベンゼン（）を
得る。これを脱水して４−メトキシ−〔4′−（トラ
ンス−4″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキ
セン−1′−イル〕ベンゼン（）を得る。これを
ラネーNiを接触として還元し再結晶して４−メ
トキシ−〔トランス−4′−（トランス−4″−アルキ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン
（）を得る。これを臭化水素酸で脱メチル反応
を行ない４−ヒドロキシ−〔トランス−4′−（トラ
ンス−4″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル〕ベンゼン（）を得る。つぎにこれを
Ru／Ｃを触媒として150℃50Kg／cm2で接触還元を
行ない４−〔トランス−4′−（トランス−4″−アル
キルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘ
キサノール（）が得られる。これをアセトン
中、クロム酸−硫酸混液で酸化反応を行ない４−
〔トランス−4′−（トランス−4″−アルキルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキサノン
（）を得る。つぎに４−置換−ブロモベンゼン
をマグネシウムと反応させグリニヤール試薬とし
たものに（）を滴下し、４−置換−１−｛4′−
〔トランス−4″−（トランス−４−アルキルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン−
1′−オール｝ベンゼン（）を得る。これを脱水
すると４−置換−｛4′−〔トランス−4″−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル〕シクロヘキセン−1′−イル｝ベンゼン
（）が得られる。これをラネーNi触媒で還元
し、再結晶を施し、目的物の４−置換−｛トラン
ス−4′−〔トランス−4″−（トランス−４−アル
キルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘ
キシル｝ベンゼン（）を得る。
以上を化学式で示すと次のようになる。
以下、実施例により本発明の化合物につきさら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
実施例 １
〔４−メチル−｛トランス−4′−〔トランス−
4″−（トランス−4′−エチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル｝ベンゼンの
製造〕 マグネシウム切片1.2g（0.049モル）を３つ口フ
ラスコに入れ、４−ブロモアニソール9.2g（0.049
モル）をテトラヒドロフランに溶かした溶液30ml
を、窒素気流中で反応温度を30〜35℃に保ち、撹
拌しながらゆつくり滴下して行くと反応して３時
間でマグネシウムは溶けて均一なり４−メトキシ
フエニルマグネシウムブロミドを生ずる。これに
４−（トランス−4′−エチルシクロヘキシル）シ
クロヘキサノンの10.2g（0.049モル）をテトラヒ
ドロフランに溶かして50mlとしたものを、反応温
度を５〜10℃に保ちつつなるべく速かに滴下す
る。滴下後、35℃まで昇温し30分間撹拌し、つい
で3N塩酸50mlを加える。反応液を分液漏斗にと
り200mlのトルエンで３回抽出後、わせたトルエ
ン層を水で洗液が中性になるまで洗浄してからト
ルエンを減圧留去する。残留した油状物は４−メ
トキシ−〔1′−ヒドロキシ−4′−（トランス−4″−
エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼ
ンである。
4″−（トランス−4′−エチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル｝ベンゼンの
製造〕 マグネシウム切片1.2g（0.049モル）を３つ口フ
ラスコに入れ、４−ブロモアニソール9.2g（0.049
モル）をテトラヒドロフランに溶かした溶液30ml
を、窒素気流中で反応温度を30〜35℃に保ち、撹
拌しながらゆつくり滴下して行くと反応して３時
間でマグネシウムは溶けて均一なり４−メトキシ
フエニルマグネシウムブロミドを生ずる。これに
４−（トランス−4′−エチルシクロヘキシル）シ
クロヘキサノンの10.2g（0.049モル）をテトラヒ
ドロフランに溶かして50mlとしたものを、反応温
度を５〜10℃に保ちつつなるべく速かに滴下す
る。滴下後、35℃まで昇温し30分間撹拌し、つい
で3N塩酸50mlを加える。反応液を分液漏斗にと
り200mlのトルエンで３回抽出後、わせたトルエ
ン層を水で洗液が中性になるまで洗浄してからト
ルエンを減圧留去する。残留した油状物は４−メ
トキシ−〔1′−ヒドロキシ−4′−（トランス−4″−
エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼ
ンである。
これに硫酸水素カリウム6gを加え窒素気流中
160℃で２時間脱水する。冷却後200mlのトルエン
を加えてから硫酸水素カリウムを別し、トルエ
ン層を洗液が中性になるまで水洗する。次いでト
ルエンを減圧留去し、残る油状物をエタノールで
再結晶して得られるのが目的の４−メトキシ−
〔4′−（トランス−4″−エチルシクロヘキシル）シ
クロヘキセン−1′−イル〕ベンゼンである。この
もの7.0gをラネーニツケル触媒1.0gと共にエタノ
ール120mlに溶かし常圧50℃で接触還元を行ない、
水素500mlを吸収させた。触媒を別し、そのま
ま再結晶させる。得られたものはシス体とトラン
ス体の混合物なので、さらにエタノールで再結晶
をくり返し、トラン体を単離する。得られた４−
メトキシ−〔トランス−4′−（トランス−4″−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン
80gを酢酸450mlに溶かし臭化水素酸（47％）450
mlを加え30時間還流する。反応後冷却して結晶を
析出別し、過物をエタノールで再結晶させ４
−ヒドロキシ−〔トランス−4′−（トランス−4″−
エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼ
ンを得る。
160℃で２時間脱水する。冷却後200mlのトルエン
を加えてから硫酸水素カリウムを別し、トルエ
ン層を洗液が中性になるまで水洗する。次いでト
ルエンを減圧留去し、残る油状物をエタノールで
再結晶して得られるのが目的の４−メトキシ−
〔4′−（トランス−4″−エチルシクロヘキシル）シ
クロヘキセン−1′−イル〕ベンゼンである。この
もの7.0gをラネーニツケル触媒1.0gと共にエタノ
ール120mlに溶かし常圧50℃で接触還元を行ない、
水素500mlを吸収させた。触媒を別し、そのま
ま再結晶させる。得られたものはシス体とトラン
ス体の混合物なので、さらにエタノールで再結晶
をくり返し、トラン体を単離する。得られた４−
メトキシ−〔トランス−4′−（トランス−4″−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン
80gを酢酸450mlに溶かし臭化水素酸（47％）450
mlを加え30時間還流する。反応後冷却して結晶を
析出別し、過物をエタノールで再結晶させ４
−ヒドロキシ−〔トランス−4′−（トランス−4″−
エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼ
ンを得る。
このもの20gをオートクレーブに入れエタノー
ル400mlを加えRu／Ｃ 3gを加え180℃50Kg／cm2
で接触還元を行なう。触媒を別し溶媒を減圧留
去し４−〔トランス−4′−（トランス−4″−エチル
シクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキサ
ノールを得る。これにアセトン３を加え、０℃
〜３℃に保ちながら、そこへ無水クロム酸14.5g
と濃硫酸23.6gに水を加えて50mlにしたものを２
時間で滴下する。反応終了後、過剰の酸化剤をイ
ソプロピルアルコールを加えて分解し、更に炭酸
水素ナトリウムを加えて中性にし沈澱物を別
し、過物をアセトンで洗う。液と洗液を合わ
せアセトンを減圧留去し、トルエン500mlで３回
抽出する。合わせたトルエン層を硫酸ナトリウム
で乾燥後、トルエンを減圧留去し、新しいトルエ
ン50mlで再結晶する。得られた４−〔トランス−
4′−（トランス−4″−エチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキサノンを加熱真空乾燥
する。このもの11.6gをテトラヒドロフラン100ml
に溶かした液を、窒素気流中Mg片1.2gとｐ−ブ
ロモトルエンと反応させて４−メチルフエニルマ
グネシウムブロミドとした液に速やかに滴下して
いく。３時間還流させた後冷却し3N−塩酸を加
え、トルエン300mlで抽出し洗液が中になるまで
水洗をくり返す。溶媒を減圧留去し残つた油状物
に硫酸水素カリウム4gを加え、160℃で２時間窒
素雰囲気下で脱水する。冷却後硫酸水素カリウム
を別しトルエン300mlを加え、水洗する。溶媒
を減圧留去し、新しいトルエン70mlで再結晶して
得られたのが４−メチル−｛4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼ
ンである。このもの3.2gをトルエン300mlに溶か
しラネーNi触媒1.5gを加え常温常圧で接触還元
を行ない、ガスクロマトグラフイーで原料の消失
する点で反応を終了した。溶媒留去後、トルエン
で再結晶をくり返し目的物である４−メチル−
｛トランス−4′−〔トランス−4″−（トランス−４
−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シ
クロヘキシル｝ベンゼンを得た。収量0.8g、収率
25％。その結晶−スメクチツク点は71.0℃、スメ
クチツク−ネマチツク点は254℃、ネマチツク−
透明点は293℃であつた。
ル400mlを加えRu／Ｃ 3gを加え180℃50Kg／cm2
で接触還元を行なう。触媒を別し溶媒を減圧留
去し４−〔トランス−4′−（トランス−4″−エチル
シクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキサ
ノールを得る。これにアセトン３を加え、０℃
〜３℃に保ちながら、そこへ無水クロム酸14.5g
と濃硫酸23.6gに水を加えて50mlにしたものを２
時間で滴下する。反応終了後、過剰の酸化剤をイ
ソプロピルアルコールを加えて分解し、更に炭酸
水素ナトリウムを加えて中性にし沈澱物を別
し、過物をアセトンで洗う。液と洗液を合わ
せアセトンを減圧留去し、トルエン500mlで３回
抽出する。合わせたトルエン層を硫酸ナトリウム
で乾燥後、トルエンを減圧留去し、新しいトルエ
ン50mlで再結晶する。得られた４−〔トランス−
4′−（トランス−4″−エチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキサノンを加熱真空乾燥
する。このもの11.6gをテトラヒドロフラン100ml
に溶かした液を、窒素気流中Mg片1.2gとｐ−ブ
ロモトルエンと反応させて４−メチルフエニルマ
グネシウムブロミドとした液に速やかに滴下して
いく。３時間還流させた後冷却し3N−塩酸を加
え、トルエン300mlで抽出し洗液が中になるまで
水洗をくり返す。溶媒を減圧留去し残つた油状物
に硫酸水素カリウム4gを加え、160℃で２時間窒
素雰囲気下で脱水する。冷却後硫酸水素カリウム
を別しトルエン300mlを加え、水洗する。溶媒
を減圧留去し、新しいトルエン70mlで再結晶して
得られたのが４−メチル−｛4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼ
ンである。このもの3.2gをトルエン300mlに溶か
しラネーNi触媒1.5gを加え常温常圧で接触還元
を行ない、ガスクロマトグラフイーで原料の消失
する点で反応を終了した。溶媒留去後、トルエン
で再結晶をくり返し目的物である４−メチル−
｛トランス−4′−〔トランス−4″−（トランス−４
−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シ
クロヘキシル｝ベンゼンを得た。収量0.8g、収率
25％。その結晶−スメクチツク点は71.0℃、スメ
クチツク−ネマチツク点は254℃、ネマチツク−
透明点は293℃であつた。
以下の化合物も実施例１と同様の方法で製造で
きる。
きる。
４−エチル−〔トランス−4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−プロピル−〔トランス−4′−〔トランス−
4″−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
4″−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−メトキシ−〔トランス−4′−〔トランス−
4″−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
4″−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
トランス−4′−〔トランス−4″−（トランス−４
−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シ
クロヘキシルベンゼン。
−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シ
クロヘキシルベンゼン。
トランス−4′−〔トランス−4″−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕
シクロヘキシルベンゼン。
−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕
シクロヘキシルベンゼン。
４−メチル−〔トランス−4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−エチル−〔トランス−4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−プロピル−〔トランス−4′−〔トランス−
4″−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕ベンゼン。
4″−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−ブチル−〔トランス−4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン。
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−メトキシ−〔トランス−4′−〔トランス−
4″−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
4″−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
トランス−4′−〔トランス−4″−（トランス−４
−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シ
クロヘキシルベンゼン。
−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シ
クロヘキシルベンゼン。
４−メチル−〔トランス−4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−エチル−〔トランス−4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−プロピル−〔トランス−4′−〔トランス−
4″−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
4″−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−ブチル−〔トランス−4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−ペンチル−〔トランス−4′−〔トランス−
4″−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
4″−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
トランス−4′−〔トランス−4″−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕
シクロヘキシルベンゼン。
−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕
シクロヘキシルベンゼン。
４−メチル−〔トランス−4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−エチル−〔トランス−4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−プロピル−〔トランス−4′−〔トランス−
4″−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
4″−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−ブチル−〔トランス−4′−〔トランス−4″−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−ペンチル−〔トランス−4′−〔トランス−
4″−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
4″−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
４−メトキシ−〔トランス−4′−〔トランス−
4″−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
4″−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベンゼン。
実施例 ２
（使用例）
トランス−４−プロピル−（4′−シアノフエニ
ル）シクロヘキサン 28％ トランス−４−ペンチル−（4′−シアノフエニ
ル）シクロヘキサン 42％ トランス−４−ヘプチル−（4′−シアノフエニ
ル）シクロヘキサン 30％ なる組成の液晶組成物のネマチツク液晶温度範囲
は−３〜52℃である。この液晶組成物をセル厚
10μmのTNセル（ねじれネマチツクセル）に封
入したものの動作しきい電圧は1.53V、飽和電圧
は2.12Vであつた。又粘度は20℃23cpであつた。
ル）シクロヘキサン 28％ トランス−４−ペンチル−（4′−シアノフエニ
ル）シクロヘキサン 42％ トランス−４−ヘプチル−（4′−シアノフエニ
ル）シクロヘキサン 30％ なる組成の液晶組成物のネマチツク液晶温度範囲
は−３〜52℃である。この液晶組成物をセル厚
10μmのTNセル（ねじれネマチツクセル）に封
入したものの動作しきい電圧は1.53V、飽和電圧
は2.12Vであつた。又粘度は20℃23cpであつた。
上記の液晶組成物95部に本発明の実施例１の４
−メチル−｛トランス−4′−〔トランス−4″−（ト
ランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル〕シクロヘキシル｝ベンゼン５部を加えた
液晶組成物のネマチツク液晶温度範囲は、−３〜
61.5℃に拡大し、20℃の粘度も25cpとあまり上昇
せず、上記セルに封入したものの動作しきい電圧
1.5V、飽和電圧2.1Vと電圧を全く上昇させずに
ネマチツク温度範囲を拡げることができた。
−メチル−｛トランス−4′−〔トランス−4″−（ト
ランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル〕シクロヘキシル｝ベンゼン５部を加えた
液晶組成物のネマチツク液晶温度範囲は、−３〜
61.5℃に拡大し、20℃の粘度も25cpとあまり上昇
せず、上記セルに封入したものの動作しきい電圧
1.5V、飽和電圧2.1Vと電圧を全く上昇させずに
ネマチツク温度範囲を拡げることができた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （上式中ＲとR′は水素原子又は炭素数１〜10の
アルキル基を示す） で表わされる４−置換−｛トランス−4′−〔トラン
ス−4″−（トランス−４−アルキルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル〕シクロヘキシル｝ベンゼ
ン。 ２ 一般式 （上式中ＲとR′は水素原子又は炭素数１〜10の
アルキル基を示す） で表わされる４−置換−｛トランス−4′−〔トラン
ス−4″−（トランス−４−アルキルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル〕シクロヘキシル｝ベンゼ
ンを少なくとも１種含有することを特徴とする液
晶組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11518182A JPS597122A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | ４−置換−｛トランス−４′−〔トランス−４″−（トランス−４′′′−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキシル｝ベンゼン |
| US06/460,071 US4477369A (en) | 1982-01-22 | 1983-01-21 | New high temperature liquid-crystalline substances consisting of 4 or 5 six-member-rings and liquid-crystalline compositions containing same |
| EP19830300354 EP0084974B1 (en) | 1982-01-22 | 1983-01-24 | Carbocyclic compounds with liquid-crystal properties |
| DE8383300354T DE3362745D1 (en) | 1982-01-22 | 1983-01-24 | Carbocyclic compounds with liquid-crystal properties |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11518182A JPS597122A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | ４−置換−｛トランス−４′−〔トランス−４″−（トランス−４′′′−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキシル｝ベンゼン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597122A JPS597122A (ja) | 1984-01-14 |
| JPH0220615B2 true JPH0220615B2 (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=14656355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11518182A Granted JPS597122A (ja) | 1982-01-22 | 1982-07-02 | ４−置換−｛トランス−４′−〔トランス−４″−（トランス−４′′′−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキシル｝ベンゼン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597122A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1897928B1 (en) | 2006-09-06 | 2010-10-27 | Chisso Corporation | Chlorofluorobenzene liquid crystal compound, liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| KR101510912B1 (ko) | 2007-09-10 | 2015-04-10 | 제이엔씨 석유 화학 주식회사 | 액정성 화합물, 액정 조성물 및 액정 표시 소자 |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP11518182A patent/JPS597122A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS597122A (ja) | 1984-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6239136B2 (ja) | ||
| US4477369A (en) | New high temperature liquid-crystalline substances consisting of 4 or 5 six-member-rings and liquid-crystalline compositions containing same | |
| JPS6344132B2 (ja) | ||
| JPS6313411B2 (ja) | ||
| JPS5916840A (ja) | ３−フルオロ−４−置換−〔トランス−４′−（トランス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン | |
| JPH0220615B2 (ja) | ||
| JPH0359050B2 (ja) | ||
| JPH0121817B2 (ja) | ||
| JPS6361292B2 (ja) | ||
| JPH0212455B2 (ja) | ||
| JPH0229055B2 (ja) | Jishikurohekishirubenzenjudotai | |
| JPH0359884B2 (ja) | ||
| JPS644496B2 (ja) | ||
| JPH0158168B2 (ja) | ||
| JPS64372B2 (ja) | ||
| JPS5859930A (ja) | ４−〔トランス−４′−（トランス−４′′−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕基を有するヨ−ドベンゼン誘導体 | |
| JPH0212454B2 (ja) | ||
| JPH0244289B2 (ja) | ||
| JPS5910553A (ja) | ペンタフルオロ安息香酸−４−〔トランス−４′−（トランス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フエニルエステル | |
| JPH0136812B2 (ja) | ||
| JPS597123A (ja) | ４−置換−｛４′−〔トランス−４″−（トランス−４′″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕シクロヘキセン−１′−イル｝ベンゼン | |
| JPS6360011B2 (ja) | ||
| JPH0232269B2 (ja) | Toransuu44arukiruutoransuu4****44shianofueniru**toransuuokutadekahidorooppterufueniru | |
| JPH0233698B2 (ja) | Futsusoganjushikurohekishiruansokukosanfueniruesuterujudotai | |
| JPH0150212B2 (ja) |