JPS644496B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS644496B2 JPS644496B2 JP6802981A JP6802981A JPS644496B2 JP S644496 B2 JPS644496 B2 JP S644496B2 JP 6802981 A JP6802981 A JP 6802981A JP 6802981 A JP6802981 A JP 6802981A JP S644496 B2 JPS644496 B2 JP S644496B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- trans
- difluoro
- biphenyl
- toluene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 19
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M potassium bisulfate Chemical compound [K+].OS([O-])(=O)=O CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910000343 potassium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- YMQPKONILWWJQG-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,2-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC=C(Br)C=C1F YMQPKONILWWJQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 propylcyclohexyl Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKCZQKBKWXBJOF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-propylcyclohexyl)cyclohexan-1-one Chemical compound C1CC(CCC)CCC1C1CCC(=O)CC1 AKCZQKBKWXBJOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UISZWYORHKBZTP-UHFFFAOYSA-N 7-methoxy-n,n-dimethyl-1h-indazole-3-carboxamide Chemical compound COC1=CC=CC2=C1NN=C2C(=O)N(C)C UISZWYORHKBZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XXUSEPRYHRDKFV-CTYIDZIISA-N C1C[C@@H](CCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 XXUSEPRYHRDKFV-CTYIDZIISA-N 0.000 description 1
- FURZYCFZFBYJBT-JCNLHEQBSA-N C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 Chemical compound C1C[C@@H](CCCCC)CC[C@@H]1C1=CC=C(C#N)C=C1 FURZYCFZFBYJBT-JCNLHEQBSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical class [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は正の誘電異方性を有する新規な液晶物
質に関する。 液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び
誘電異方性を利用したものであるが、その表示様
式によつてTN型（ねじれネマチツク型）、DS型
（動的散乱型）、ゲスト・ホスト型、DAP型など
各種の方式に分けられ、夫々の使用に適する液晶
物質の性質は異なる。しかしいずれの液晶物質も
水分、空気、熱、光等に安定であることが必要で
あることは共通しており、又、室温を中心として
出来るだけ広い温度範囲で液晶相を示すものが求
められている。しかし現在のところ単一化合物で
はこの様な条件を満たす物質はなく、数種の液晶
化合物や非液晶化合物を混合して得られる液晶組
成物を使用しているのが現状であ。 本発明の目的はこの様な液晶組成物の一成分と
して有用な、比較的低粘度で、広い温度範囲で液
晶相を示す新規な液晶化合物を提供することにあ
る。 即ち、本発明は一般式 （上式中、Ｒは炭素数１〜10のアルキル基を示
す） で表わされる３，４−ジフルオロ−4′−（トラン
ス−4″−アルキルシクロヘキシル）ビフエニル及
び少なくともそれを１種含有する液晶組成物であ
る。 本発明の化合物は約60〜100℃の間で液晶相を
示し、又粘度が比較的低いので本発明の化合物を
含有する液晶組成物は粘度の上昇を低く抑えるこ
とができる。 つぎに本発明の化合物の製造法を示すと、まず
１−ブロモ−３，４−ジフルオロベンゼンと金属
マグネシウムを反応させて３，４−ジフルオロフ
エニルマグネシウムプロミドとし、これを４−
（トランス−4′−アルキルシクロヘキシル）シク
ロヘキサノンと反応させて１，２−ジフルオロ−
４−〔4′−トランス−4″−アルキルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサン−1′−オール〕ベンゼンとす
る。次にこれを硫酸水素カリウムで脱水して１，
２−ジフルオロ−４−〔4′−（トランス−4″−アル
キルシクロヘキシル）シクロヘキセン−1′−イ
ル〕ベンゼンを得る。ついでクロラニルで脱水素
反応して目的の３，４−ジフルオロ−4′−（トラ
ンス−4″−アルキルシクロヘキシル）ビフエニル
を得る。 以上を化学式で示すと、 以下、実施例により本発明の化合物の製法及び
使用例について更に説明する。 実施例 １ 〔３，４−ジフルオロ−4′−（トランス−4″−
プロピルシクロヘキシル）ビフエニルの製造〕。 削り状マグネシウム1.2ｇ（0.049モル）を３つ
口フラスコに入れ、１−ブロモ−３，４−ジフル
オロベンゼン9.5ｇ（0.049モル）をテトラヒドロ
フランに溶かした溶液25mlを、N2気流中で反応
温度を30〜35℃に保ちながらゆつくり滴下して行
くと反応して３時間でマグネシウムは溶けて均一
になり１，２−ジフルオロフエニルマグネシウム
ブロミドを生ずる。これに４−（トランス−4′−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノンの
9.0ｇ（0.041モル）をテトラヒドロフランを溶か
して50mlとしたものを、反応温度を５〜10℃に保
ちつつなるべく速かに滴下する。滴下後、室温ま
で昇温し１時間撹拌し、ついで3N塩酸100mlを加
える。反応液は分液斗にとり100mlのトルエン
で３回抽出後、合わせたトルエン層を飽和食塩水
で洗液が中性になるまで洗浄してからトルエンを
減圧留去する。残留した油状物は１，２−ジフル
オロ−４−〔4′−トランス−4″−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキセン−1′−オール〕ベンゼ
ンであり、これに硫酸水素カリウム2.0ｇを加え
N2気流中150℃で１時間脱水する。冷却後200ml
のトルエンを加えてから硫酸水素カリウムを別
し、トルエン層を洗液が中性になるまで水洗す
る。次いでトルエンを減圧留去し、残る油状物を
エチルアルコールで再結晶して得られるのが１，
２−ジフルオロ−４−〔4′−（トランス−4″−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキセン−1′−イ
ル〕ベンゼンである。よく乾燥したその3.0ｇを
キシレン130mlに溶解してからクロラニル5.1ｇを
加え20時間還流させる。ついでトルエン200mlで
抽出し、それを少量の6N塩酸、2N水酸化ナトリ
ウムで順次洗い、トルエン層を洗液が中性になる
まで水洗する。溶媒を減圧留去し、トルエンで再
結晶させて得られる結晶物が３，４−ジフルオロ
−4′−（トランス−4″−プロピルシクロヘキシル）
ビフエニルである。このものの融点、即ち結晶−
スメクチツク点（Ｃ−Sm点）は60.0℃、スメク
チツク−ネマチツク点（Sm−Ｎ点）は67.8℃、
ネマチツク−透明点（Ｎ−Ｉ点）は103.4℃であ
つた。又収量は0.15ｇ（5.1％）であつた。 実施例 ２、３ 実施例１と同様にして他のアルキル基を有する
３，４−ジフルオロ−4′−（トランス−4″−ブチ
ルシクロヘキシル）ビフエニル、３，４−ジフル
オロ−4′−（トランス−4″−ヘキシルシクロヘキ
シル）ビフエニルを製造した。その収率、物性値
などを実施例１の結果と共に第１表に示す。
質に関する。 液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び
誘電異方性を利用したものであるが、その表示様
式によつてTN型（ねじれネマチツク型）、DS型
（動的散乱型）、ゲスト・ホスト型、DAP型など
各種の方式に分けられ、夫々の使用に適する液晶
物質の性質は異なる。しかしいずれの液晶物質も
水分、空気、熱、光等に安定であることが必要で
あることは共通しており、又、室温を中心として
出来るだけ広い温度範囲で液晶相を示すものが求
められている。しかし現在のところ単一化合物で
はこの様な条件を満たす物質はなく、数種の液晶
化合物や非液晶化合物を混合して得られる液晶組
成物を使用しているのが現状であ。 本発明の目的はこの様な液晶組成物の一成分と
して有用な、比較的低粘度で、広い温度範囲で液
晶相を示す新規な液晶化合物を提供することにあ
る。 即ち、本発明は一般式 （上式中、Ｒは炭素数１〜10のアルキル基を示
す） で表わされる３，４−ジフルオロ−4′−（トラン
ス−4″−アルキルシクロヘキシル）ビフエニル及
び少なくともそれを１種含有する液晶組成物であ
る。 本発明の化合物は約60〜100℃の間で液晶相を
示し、又粘度が比較的低いので本発明の化合物を
含有する液晶組成物は粘度の上昇を低く抑えるこ
とができる。 つぎに本発明の化合物の製造法を示すと、まず
１−ブロモ−３，４−ジフルオロベンゼンと金属
マグネシウムを反応させて３，４−ジフルオロフ
エニルマグネシウムプロミドとし、これを４−
（トランス−4′−アルキルシクロヘキシル）シク
ロヘキサノンと反応させて１，２−ジフルオロ−
４−〔4′−トランス−4″−アルキルシクロヘキシ
ル）シクロヘキサン−1′−オール〕ベンゼンとす
る。次にこれを硫酸水素カリウムで脱水して１，
２−ジフルオロ−４−〔4′−（トランス−4″−アル
キルシクロヘキシル）シクロヘキセン−1′−イ
ル〕ベンゼンを得る。ついでクロラニルで脱水素
反応して目的の３，４−ジフルオロ−4′−（トラ
ンス−4″−アルキルシクロヘキシル）ビフエニル
を得る。 以上を化学式で示すと、 以下、実施例により本発明の化合物の製法及び
使用例について更に説明する。 実施例 １ 〔３，４−ジフルオロ−4′−（トランス−4″−
プロピルシクロヘキシル）ビフエニルの製造〕。 削り状マグネシウム1.2ｇ（0.049モル）を３つ
口フラスコに入れ、１−ブロモ−３，４−ジフル
オロベンゼン9.5ｇ（0.049モル）をテトラヒドロ
フランに溶かした溶液25mlを、N2気流中で反応
温度を30〜35℃に保ちながらゆつくり滴下して行
くと反応して３時間でマグネシウムは溶けて均一
になり１，２−ジフルオロフエニルマグネシウム
ブロミドを生ずる。これに４−（トランス−4′−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノンの
9.0ｇ（0.041モル）をテトラヒドロフランを溶か
して50mlとしたものを、反応温度を５〜10℃に保
ちつつなるべく速かに滴下する。滴下後、室温ま
で昇温し１時間撹拌し、ついで3N塩酸100mlを加
える。反応液は分液斗にとり100mlのトルエン
で３回抽出後、合わせたトルエン層を飽和食塩水
で洗液が中性になるまで洗浄してからトルエンを
減圧留去する。残留した油状物は１，２−ジフル
オロ−４−〔4′−トランス−4″−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキセン−1′−オール〕ベンゼ
ンであり、これに硫酸水素カリウム2.0ｇを加え
N2気流中150℃で１時間脱水する。冷却後200ml
のトルエンを加えてから硫酸水素カリウムを別
し、トルエン層を洗液が中性になるまで水洗す
る。次いでトルエンを減圧留去し、残る油状物を
エチルアルコールで再結晶して得られるのが１，
２−ジフルオロ−４−〔4′−（トランス−4″−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキセン−1′−イ
ル〕ベンゼンである。よく乾燥したその3.0ｇを
キシレン130mlに溶解してからクロラニル5.1ｇを
加え20時間還流させる。ついでトルエン200mlで
抽出し、それを少量の6N塩酸、2N水酸化ナトリ
ウムで順次洗い、トルエン層を洗液が中性になる
まで水洗する。溶媒を減圧留去し、トルエンで再
結晶させて得られる結晶物が３，４−ジフルオロ
−4′−（トランス−4″−プロピルシクロヘキシル）
ビフエニルである。このものの融点、即ち結晶−
スメクチツク点（Ｃ−Sm点）は60.0℃、スメク
チツク−ネマチツク点（Sm−Ｎ点）は67.8℃、
ネマチツク−透明点（Ｎ−Ｉ点）は103.4℃であ
つた。又収量は0.15ｇ（5.1％）であつた。 実施例 ２、３ 実施例１と同様にして他のアルキル基を有する
３，４−ジフルオロ−4′−（トランス−4″−ブチ
ルシクロヘキシル）ビフエニル、３，４−ジフル
オロ−4′−（トランス−4″−ヘキシルシクロヘキ
シル）ビフエニルを製造した。その収率、物性値
などを実施例１の結果と共に第１表に示す。
【表】
実施例 ４（応用例）
トランス−４−プロピル−（4′−シアノフエニル）
シクロヘキサン 26％ トランス−４−ペンチル−（4′−シアノフエニル）
シクロヘキサン 35％ トランス−４−ヘプチル−（4′−シアノフエニル）
シクロヘキサン 26％ トランス−４−ペンチル−（4″−シアノビフエニ
ル）シクロヘキサン 13％ なる割合の液晶組成物のネマチツク液晶温度範囲
は−６〜72.3℃である。この液晶組成物をセル厚
10μｍのTNセル（ねじれネマチツクセル）に封
入したものの動作しきい電圧は1.69V、飽和電圧
は2.31Vであつた。又粘度は20℃で27.6cPであつ
た。 上記の液晶組成物90部に本発明の化合物の１つ
である３，４−ジフルオロ−4′−（トランス−
4″−ブチルシクロヘキシル）ビフエニル10部を加
えた液晶組成物のネマチツク液晶温度範囲は−６
〜73.0℃になり、これを先と同じ10μｍのセル厚
のTNセルに封入したものの動作しきい電圧は
1.71V、飽和電圧は2.33V、20℃での粘度は30.0cp
であつた。このように本発明の化合物を加えるこ
とにより粘度をあまり上げることなくネマチツク
液晶温度範囲を広げることが出来た。
シクロヘキサン 26％ トランス−４−ペンチル−（4′−シアノフエニル）
シクロヘキサン 35％ トランス−４−ヘプチル−（4′−シアノフエニル）
シクロヘキサン 26％ トランス−４−ペンチル−（4″−シアノビフエニ
ル）シクロヘキサン 13％ なる割合の液晶組成物のネマチツク液晶温度範囲
は−６〜72.3℃である。この液晶組成物をセル厚
10μｍのTNセル（ねじれネマチツクセル）に封
入したものの動作しきい電圧は1.69V、飽和電圧
は2.31Vであつた。又粘度は20℃で27.6cPであつ
た。 上記の液晶組成物90部に本発明の化合物の１つ
である３，４−ジフルオロ−4′−（トランス−
4″−ブチルシクロヘキシル）ビフエニル10部を加
えた液晶組成物のネマチツク液晶温度範囲は−６
〜73.0℃になり、これを先と同じ10μｍのセル厚
のTNセルに封入したものの動作しきい電圧は
1.71V、飽和電圧は2.33V、20℃での粘度は30.0cp
であつた。このように本発明の化合物を加えるこ
とにより粘度をあまり上げることなくネマチツク
液晶温度範囲を広げることが出来た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （上式中、Ｒは炭素数１〜10のアルキル基を示
す） で表わされる３，４−ジフルオロ−4′−（トラン
ス−4″−アルキルシクロヘキシル）ビフエニル。 ２ 一般式 （上式中、Ｒは炭素数１〜10のアルキル基を示
す） で表わされる３，４−ジフルオロ−4′−（トラン
ス−4″−アルキルシクロヘキシル）ビフエニルを
少なくとも一種含有することを特徴とする液晶組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6802981A JPS57185230A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | 3,4-difluoro-4'-(trans-4"-alkylcyclohexyl)biphenyl |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6802981A JPS57185230A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | 3,4-difluoro-4'-(trans-4"-alkylcyclohexyl)biphenyl |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57185230A JPS57185230A (en) | 1982-11-15 |
| JPS644496B2 true JPS644496B2 (ja) | 1989-01-25 |
Family
ID=13361967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6802981A Granted JPS57185230A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | 3,4-difluoro-4'-(trans-4"-alkylcyclohexyl)biphenyl |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57185230A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3086228B2 (ja) * | 1989-02-14 | 2000-09-11 | チッソ株式会社 | 液晶組成物 |
| JP3579728B2 (ja) | 1994-06-23 | 2004-10-20 | チッソ株式会社 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| JP5359522B2 (ja) | 2009-04-27 | 2013-12-04 | Ｊｎｃ株式会社 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| TWI461512B (zh) | 2009-05-11 | 2014-11-21 | Jnc Corp | 液晶顯示元件 |
-
1981
- 1981-05-06 JP JP6802981A patent/JPS57185230A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57185230A (en) | 1982-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6239136B2 (ja) | ||
| JPS6144863B2 (ja) | ||
| JPS644497B2 (ja) | ||
| JPS644496B2 (ja) | ||
| JPS6313411B2 (ja) | ||
| JPS6344132B2 (ja) | ||
| JPH0244290B2 (ja) | ||
| JPH0359050B2 (ja) | ||
| JPS6353177B2 (ja) | ||
| JPH0229055B2 (ja) | Jishikurohekishirubenzenjudotai | |
| JPH0359884B2 (ja) | ||
| JPS6355496B2 (ja) | ||
| JPS5859930A (ja) | ４−〔トランス−４′−（トランス−４′′−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕基を有するヨ−ドベンゼン誘導体 | |
| JP2000229893A (ja) | ジアルケニル化合物 | |
| JPS64372B2 (ja) | ||
| JPH0212455B2 (ja) | ||
| JP2822079B2 (ja) | シクロプロパン誘導体 | |
| JPS59110641A (ja) | アルキルエ−テル結合を有する液晶物質 | |
| JPS597149A (ja) | ４−シアノ安息香酸−４−〔トランス−４′−（トランス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フエニルエステル | |
| JPH033650B2 (ja) | ||
| JPH0220615B2 (ja) | ||
| JPS5995230A (ja) | 側鎖にメトキシ基を有する液晶化合物 | |
| JPS6261017B2 (ja) | ||
| JPS632245B2 (ja) | ||
| JPH021811B2 (ja) |