JPS60131875A - セラミツクと金属の接合法 - Google Patents

セラミツクと金属の接合法

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JPS60131875A
JPS60131875A JP58238818A JP23881883A JPS60131875A JP S60131875 A JPS60131875 A JP S60131875A JP 58238818 A JP58238818 A JP 58238818A JP 23881883 A JP23881883 A JP 23881883A JP S60131875 A JPS60131875 A JP S60131875A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、セラミックと金属の接合方法に関する。
従来、セラミックと金属の接合方法として、（１）接着
剤法、（２）メタライジング法、（３）溶射法等が知ら
れているが、それぞれ次のような欠点がある。
Ｃ１）接着剤法は最も簡便な方法であるが、高温におけ
る接着強度が低い。
（２）　メタライジング法はＭＯ、ＭＯ−Ｍｎ　等のＭ
Ｏ系金金属粉末セラミック上に載置し、加湿雰囲気中で
加熱してメタライジングし、その上にＮ１　メッキを施
した後、ろう付で金属と接合する方法などがあるが、セ
ラミックの種類によって適用がむづかしい欠点がある。
また、メタ２イリング温度が高いため、セラミックに冷
却時大きな熱応力がかかシ、割れが発生しやすい欠点が
ある。
（３）溶射法はセラミック粉末を溶融し、金属に吹きつ
けて接着させる方法であるが、接合強度が低く、セラミ
ックが多孔質になるという欠点がある。
このように、従来法では、接合強度が十分でなく、セラ
ミックに割れが発生しやすいことや、適用セラミック材
質に制限がある等多くの欠点がある。
本発明は、斯る欠点を解消するためにガされたもので、
Ａ４０３　、　ＺｒＯ２等酸化物系セラミックと金属の
接合において、該イラミックに、０ｕ２０゜ＮｉＯ、５
ｉ０２　、　Ｆｅ０　、　Ａｇ０　、　ＡＡ２０３　、
　Ｍｏ０　、　ＴｉＯ２゜Ｚｎ０　、　ＡｕＯ、０ｒ２
０３　、　Ｃｏｏ　、　ＺｒＯ２、ＴａＯ、ＷＯ２。
ＮｂＯ、Ｍｈｏ　、　ＯａＯ、Ｙ２Ｏ３のいずれか１つ
と、Ｃ！ｕ　、Ｎ１　、Ｓｉ　、Ｆｅ　、Ａｇ　、ａｔ
　、Ｍｏ　、ｆｆｉ　、Ｚｎ。
Ａｕ　、　（！ｒ　、　Ｃｏ　、　Ｚｒ　、　Ｔａ　、
　Ｗ　、　Ｎｂ　、　Ｍｇ　のいずれか１つを混合した
複合インサートをイオンブレーティング又は溶射て密着
固定した後、加熱反応促進処理してセラミックと複合イ
ンサートを冶金的接合させ、次いで該インサート面と前
記接合金属とを拡散溶接又はろう付することを特徴とす
るセラミックと金属の接合法に関するものである。
本発明方法によれば、イオンブレーティングや溶射法に
よシ複合インサート材をセラミックに密着さぜ、また静
水圧加熱処理（以下、ＨＩＰ）等を含む加熱反応促進処
理を行うことにより、複雑な継手形状の接合を容易に行
うことができ、また接合強度に優れ、かつセラミックに
割れを発生せず、セラミックと金属を接合することがで
きる。
本発明方法は、抄紙機、射出成形機、その他各種機器の
製造に適用できる。
第１図は本発明方法の一実施態様例を工程順に示す図で
ある。
図中、１はＡｔ２０３　、　ＺｒＯ２等酸化物系セラミ
ック、２は接合金属、３は酸化物子金属の複合インサー
ト材（酸化物はＣｕ２Ｏ、Ｂ１１０　、　、、Ｓ、Ａ０
２　。
ＰｅＯ、Ａｇｏ　、　Ａｔ２０３　、　ＭｏＯ、ＴｉＯ
２、Ｚｎ０　、　Ａｕｇ。
０ｒ２０３　、　Ｃｏｏ　、　ＺｒＯ２、ＴａＯ、ＷＯ
２、ＮｂＯ、ＭｇＯ。
ＯａＯ、Ｙ２Ｏ３のいずれか１つ、金属はＯｕ’　、　
Ｎｉ。
Ｓｉ　、　Ｆｅ　、　Ａｇ　、　Ａｔ、　Ｍｏ　、　Ｔ
ｉ　、　Ｚｎ　、　、Ａｕ　、　Ｏｒ。
Ｃｏ　、　Ｚｒ　、　Ｔａ　、　Ｗ　、　Ｎｂ　、　Ｍ
ｇ　のいずれか１つで、金属を５重量％以上含有する。
）、４はインサート材の融点よシ低融点のろう材（ハン
ダ、Ａｔろう、Ａｇ　ろう、Ｃｊｕ　ろう、Ｎ１　ろう
等）である。
先ず、第１図（Ａ）においてセラミック１上に複合イン
サート材５をイオンブレーティングまたは溶射等によシ
固定する（工程Ａ）。次いでサブアセンブリを第１図（
Ｂ）において加熱反応促進処理したあと（工程Ｂ）、接
合金属２と拡散溶接する（工程Ｃ）が、あるいは第１．
図（Ｄ）のようにろう付４する（工程Ｄ）。
工８Ａのイオンブレーティングは、次のようにして行う
。
（リ　酸化物が複合インサート材構成金属の酸化物の場
合（例えは０ｕ４０＋　Ｏｕ　、　Ａｔ２０３　＋Ａｔ
　。
５ｉ０２　＋　８１　、ＭｇＯ＋　Ｍｇ　、ＯａＯ＋　
Ｏａ　、Ｙ２Ｏ１＋Ｙ・・・等） （第１の方法） るつぼに複合インサート構成金属（例えばＣｕ　、　Ａ
ｔ、　８ｉ　、　Ｍｇ　、　Ｏａ　、　Ｙ・・・他）を
挿入し、溶解蒸発せしめて行うが、その際、雰囲気を高
真空雰囲気と酸素雰囲気を交番させて行う（原則として
初層は酸素雰囲気、最終層は真空雰囲気）。即ち、真空
雰囲気では金属が、酸素雰囲気では金属が酸化され酸化
物となり、セラミック上に酸化物＋金属（０ｕ２０　＋
　Ｏｕ　、　Ａｔ２０３　＋　Ａ４　、・・−）の積層
構造の複合インサート材が密着固定される。。
（第２の方法） るつほに複合インサート構成金属（例えばＯｕ　、　Ａ
４　、日１．Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ・・・・他）を挿入し、溶
解蒸発せしめて行うが、その際、真空排気後、一定の酸
素量を室内に流入し、加熱蒸発した金属の一部を酸化さ
せ、所定量の比率をもった酸化物子金属（Ｃ！、ｕ２０
＋　Ｏｕ　、　Ａｔ２ｏ３＋　ｈＬ　−−−’）の複合
インサート材がセラミック上に密着固定される。
（２）酸化物が複合インサート材構成金属の酸化物でな
い場合（例えばｃｏ４ｏ　＋　Ｎｉ　、　ｌ’−２０３
＋Ｎ１．Ａｔ２Ｏ３＋Ｃｕ・・・等） るつは２個用い、一方に酸化物とする金祠（例えばＯｕ
　、　Ａｔ・・・他）、他方に複合インサート構成金属
（例えばＭＬ　、　Ｏｕ・・・他）を入れ、溶解蒸発せ
しめて行う。その際、雰囲気を酸素雰囲気と高真空豚囲
気を交番させて行う（原則として初層は酸素雰囲気、最
終層は真空雰囲気）。即ち、真空雰囲気で複合インサー
ト構成金属（例えばＮｉ　、　Ｏｕ・・・他）を、酸素
雰囲気で酸化物とする金属（例えばＯｕ　、　Ａｔ・・
・他）を溶解蒸発せしめると、前者で金属（例えｉｊ、
Ｎｉ　、　Ｏｕ・・・他）、後者で酸化物（例えば０ｕ
２０　、　Ａｔ、、ｏ、、・・・他）がイオンブレーテ
ィングされ、セラミック上に酸化物＋金属（０ｕ２０　
＋　Ｎｉ　、　Ａｔ２０３＋　Ｎｉ　、　Ａｔ２０３＋
　Ｏｕ　・・・等）の積層構造の複合インサート材が密
着固定される。
一方、溶射の場合は、プラズマ溶射等を採用するが、そ
の際、酸化物粉末と金属粉末の混合粉末を非酸化雰囲気
中で溶射し、セラミック上に上記の酸化物＋金属の複合
インサート材３が密着固定される。
また、工程Ｂの加熱反応促進処理は、イオンブレーティ
ングまたは溶射された複合インサート材６とセラミック
１の接合強度を上昇させるために行うもので、複合イン
サート材の融点（インサート材を構成する酸化物、金属
、および両者−の共晶のうち、最も低い融点が複合イン
サート材の融点となる）の％以上の温度（上限は複合イ
ンサート材の融点）で、不活性ガスまたは真空中で５分
以上加熱するか、またはＨＩＰ処理を行っても良く、そ
の際は上記温度、時を司でＡｒ　等のガス圧を負荷する
。
尚、温度をインサート材の融点の％以上としたのは、こ
れ以下では複合インサート材とセラミックの接合反応が
極めて緩やかで長時間の処理が必要となり、工業的に好
ましくないためである。上限はインサート材が溶融する
と流出してしまうため、その防止の点より複合インサー
ト材の融点未満としている。処理時間を５分以上とした
のは、５分以下では複合インサ−ト材とセラミックの接
合が不十分であるためでおる。
次に、工程Ｃの拡散溶接であるが、複合インサート材ろ
と接合金属２を対向させて真空又は不活性ガス雰囲気中
で加熱加圧して両者を接合する。接合温度は上述の複合
インサート材の融点および接合金属の融点のいずれか低
い方の融点以下とし、下限は複合インサート材の金属成
分および接合金属のいずれか融点の低い方の材料の再結
晶温度以上とする。又、加圧力は５　Ｊ／＋ｎ−以下と
し、接合時間は５時間以つとする。加圧力の上限を５歇
讐　としたのは、これ以上の圧力を負荷すると、−次元
加圧のため偏加圧を発生しやすく、脆いセラミックに割
れが発生しやすいためである。接合時間を５時間以内と
したのは接合は当該時間内で完了するので、これ以上で
は経済面をはじめとして工業的に無駄であるためである
。
又、工程りのろう材４であるが、インサート材３の融点
よシ低融点のろう材を用い、インサート材６と接合金属
２をろう付する。低融点のろう材を用いるのは、ろう材
施工時にセラミック１と接合金属２間の熱膨張係数差に
よシ発生する熱応力を小さくシ、セラミックの割れを防
止するためである。
また、上述のように、複合インサート材において金属成
分を５重：ｔ％以上としたのは、これ以下では金属成分
が少なくなりすぎ、接合金属との接合性が低下すると共
に、インサート材自身の延性がなくなりインサート材に
割れが発生しやすくなるためである、なお、酸化物の含
有量が１重量％以下になるとセラミックへの接合性が劣
化するため、金属の上限はｑｑ重量％とする。
セラミック１と接合金属２が熱膨張係数において差が太
きいときは、セラミックの熱膨張係数に近いＦｅ　−Ｎ
ｉ合金、Ｆｅ　−Ｎｉ　−Ｃｏ　合金を接合金属２に予
め拡散溶接や爆着等で接合しておき、セラミック１に発
生する熱応力を低減せしめて、その割れ発生を阻止する
こともできる。
さらに、上記の工程りにおいて、Ｃｕ　ろう付４を行う
場合、相手側金属が鋼、ステンレス鋼（接合金属）、Ｆ
ｅ　−Ｎｉ　、　Ｆｅ　−Ｎｉ　、　Ｆｅ　−Ｎｉ−０
Ｃ，合金（中間挿入材）の場合には、これらの） 金属にしんちゅう割れが発生しゃすいため、これらの金
属にＮ１　メッキや、拡散溶接又は爆着にてＮ１　コー
ティングして、これを阻止することもできる。
以上詳述した本発明方法による作用効果を以下に説明す
る７、 （１）　Ａｔ２０３　、　ＺｒＯ２等の酸化物系セラミ
ックと金属は物質構造が異なるため（４ｔ２０３　、　
ＺｒＯ□等酸化物系セラミックはイオン結合が主体、金
属は金属結合）、その接合は極めて困難を伴う１、また
、もう一つの問題点はＡｔ２０３　、　ＺｒＯ□等が靭
性に乏しいため、仮に接合しても発生する熱応力でＡｔ
２０３　、　ＺｒＯ２に割れを発生しゃすい点にある。
本発明は、インサート材として酸化物子金属のいわゆる
サーメットを用いることにょシ、複合インサート中の酸
化物成分がＡｔ２０Ｂ　、　ＺｒＯ２等の酸化物系セラ
ミックとすぐれた冶金的接合性を示し、金属成分が接合
金属と良好に接合する、。
即ち、インサート材中の酸化物はセラミックと同様に酸
化物でめることによシ、互いに酸化物反応（例えば、セ
ラミックがＡｔ２０３インサート材中の酸化物が０ｕ２
０　の場合’、Ｃｕ２Ｏ＋　Ａ７４０３−＋　２ＣｕＡ
ｔＯ２なる０ｕＡｔ０２　生成反応）をおこし、強固に
接合する。
そして、インサート材中の金属成分は接合金属と同じ金
属であることにより、基本的に拡散接合又はろう付で良
好な接合ができる一方、酸化物＋金属の複合インサート
はサーメット状態となシ、その熱膨張係数は多くの場合
、複合インサート材の構成金属の熱膨張係数よシ小さく
なシ、小さな熱膨張係数を有するＡｔ２０３　、　Ｚｒ
Ｏ２等の熱膨張係数に近づく。なお、参考のために一部
の材質の熱膨張係数を次に示す。
Ａｔ２０３　・・・７　Ｘ　１０−６／℃ＺｒＯ２・ｅ
ｓ　ａ’　ｘ　１ｏ−’７”ｃ　Ｏｕ・・・１７　ｘ　
１０−”７℃Ｎｉ−・・１３　ｘ　１　ｏ−’／℃ｓＦ
ｅ＊　５　Ｘ　１０−’／℃Ｆｅ＝　１２ｘ１０−’／
ＣＡｇ、・・拳２０ｘｌ　０−６／℃ｈＬ・−２４ｘ１
　ｏ−６／℃Ｍｏ−−−６ｘ１０−’／℃Ｔ１・・・　
９　Ｘ　１０−’／℃ 即ち、Ａｔ２０３　、　ＺｒＯ２等にイオンブレーティ
ングもしくは溶射したあと、次工程（工程Ｂ）で加熱反
応促進処理した時の冷却過程でＡｔ２０３゜Ｚｒ　Ｏ２
とインサート材間に熱膨張係数差が大きいと、大きな熱
応力を発生し、Ａｚ２ｏ３．　ＺｒＯ２の割れ発生確率
が非常に高いが、本発明に係る複合インサートは上述の
如くその構成金属を単にインサート材とした時に比べ、
熱膨張係数が低くなるため、Ａ４”０３　’　、　’Ｚ
ｒＯ２の上記割れ発生防止に大きな効果がある。
また、本発明に係るインサート材は強度の高いａｕ４ｏ
　等の酸化物（０ｕ２０　等の酸化物も一種のセラミッ
ク）と金属のサーメットとなっているため、インサート
材の強度が高くなり、継手強度も上昇する。
（２）本発明は、本複合インサート材を先ずイオンブレ
ーティング又は溶射等によりセラミックに密着させるが
、イオンブレーティング、溶射等を採用することによシ
、セラミックの形状が如何に複雑でもこれに本インサー
ト材を密着固定することができる（箔等では困難）。
、５）本発明は、次いで加熱反応促進処理（前述した加
熱処理又はＨＩＰ処理）を行うが、これによシ、下記の
作用効果がある。
■　作用効果（１）で述べた如く、Ａｚ２ｏ３．　Ｚｒ
Ｏ２の酸化物系セラミックとインサート劇中のＣｕ２Ｏ
が高温加熱によりｍ化物反応が促進され、冶金的接合が
成就する。
又、Ｈ工Ｐ処理を行う際は、圧力負荷によジインサート
材のセラミック界面での微少ボイド（イオンブレーティ
ング又は溶射時に生成する微少ボイド）をクリープ変形
および塑性変形で消滅させ、、接合性をより？にめる。
■　セラミックの形状が如何に複雑でも、本処理が可能
で本インサート材をセラミックに冶金的に強固に接合し
うる。゛ Ｈ工Ｐ処理の場合においては、高温でガス圧が６次元に
均等にかかるため、セラミック形状が如何に複雑でも施
工が可能で、良好な接合を行いうる利点を持つ。また、
加圧が６次元にか＼るため、セラミックの割れ発生の懸
念が全くないという長所もある。
（４）次いで、加熱反応促進処理されたサブアセンブリ
のインサート材と接合金属を拡散溶接（工程Ｃ）又はろ
う付（工程Ｄ）して接合を完了するが、この際の作用効
果として以下の事項が挙けられる。
■　インサート材中の金属成分と接合金属はいずれも金
属であシ、当然ながら金属間の溶接は基本的に極めてす
ぐれており、拡散溶接、ろう付で良好な継手を形成する
ことができる。
■　一般に、セラミック１と接合金属２は、両者の熱膨
張係数差によシ、接合後の冷却過程で発生する熱応力で
セラミックに割れを発生しやすい。
そこで本発明ではセラミック１と接合金属２間の熱膨張
係数差が大きい時、熱膨張係数がセラミック１に近いＦ
ｉ　−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎ１−　ｃｏ金合金ｐｅ　−Ｏ
ｒ金合金予め振付金属２に接合しておくことにより、セ
ラミック）に発生する熱応力を減少させ、その割ｎ発生
に対し極めて有効に対処できる。
以上のように、本発明方法は、酸化物＋金属の複合イン
サート材を用いること、該インサート材を金属とセラミ
ックの接会前にイオンフレーティング又は溶射により密
層させ、かつ加熱反応促進処理で強固に固足した彼、最
終的にインサート材と接合金属を拡散溶接又はろう＋１
で接合を完了せしめることにより、セラミックと金属の
平１ｈｉ重ね継手溶接はもとより、スリー７゜継手溶接
、金属円筒の内外面へのセラミック溶接ほか複雑な接合
を可能とするものであシ、継手性能は高接合強度とセラ
ミックに割れを発生しないという効果を奏し得るもので
める、。
実施例１ 板厚２　ｍｍのＡｚ、ｏ３に０ｕ２０＋　Ｃａ１ｌ　（
ｊａｍ比で（３ｕ２０５０％、０ｕ５０％）を２５μイ
オンブレーテイングしたあと、真空雰囲気で温度１００
０℃。
時間１時間の加熱反応処理を行った。
次いで、接合金属である板厚５１１ｆｌｌのＥ１８４１
板を０ｕ２０　＋　Ｃｕ面と対向でせ、真空雰囲気中で
、旋度９００℃、加圧力ｏ、５　ｋｐ／ｍｍ”　、接合
時間１時間で拡散浴接した。
その結果、Ａｔ、０３に割れ発生がなく、全面に亘って
非接合部のない良好な継手が得られた。
実施例２ 板厚２ＩＩｌＩＩｌのＺｒＯ２にＣａｕ２０＋　Ｎｉ（
Ｊｕｔ比で０ｕ２０６０襲、Ｎ１４０チ）を１００μプ
ジズマ溶射したあと、Ａｒ　雰囲気で温度１１００℃、
処理時間６０分の加熱反応処理を行った。
次いで、接合金属でおる板厚５關の１５Ｏｒ鋼板を（！
ｕ２０＋Ｎｉ面と対向させ、真空雰囲気中で、温度９０
０℃、加圧力１−０　ｋｇ／ｍｒａ”　、接合時間１時
間で拡散溶接した。
その結果、ＺｒＯ２に割れ発生がなく、全面に亘って非
接合部のない喪好な継手が得られた１、実施例６ １０ｍｍφｘ２０ｍｍ長さのＡｔ２０３丸棒に、その外
面に０ｕ２０　＋　（！ｕ　（重量比で０ｕ２０４０％
、Ｃｕ（５０％）を２５μイオンプレーデインクしたあ
と、Ａｒ　雰囲気中で、温ｇｔｏｏｏ℃、Ａｒ　ガス圧
１５　ｋｙ／ｍ六処理時間６０分でＨ工Ｐ処理による加
熱反応処理を行った。。
次いで接合金属である内径１０．２５　ｍｍφ、外径１
６．２５ｍ＋ｎφ、長さ２０肛の５ｓ４ｉ円筒にペース
ト状Ａｇ　ろうを塗布した前記Ａｔ２０３丸俸を挿入し
、ろう付温度８５０℃、雰囲気Ａｒ、ろう何時間５分で
ろう付した。
その結果、Ａｔ２０３に割れ発生がなく、円筒継手全面
に亘って非接合部のない良好な継手が得られた。
実施例４ 板厚６胴のＡｔ２０３に０ｕ２０　＋　Ｏｕ、（重量比
で０ｕ２０５０俤、ａｕ５ｏ％）を３０μイオングレー
テイングしたあと、Ａｒ　雰囲気中で、温度１０００℃
。
Ａｒ　ガス圧１５瞼−２、処理時間６０分でＨ工Ｐ処理
による加熱反応処理を行った。
次いで、予め３　ｍｍ’厚のコバールを拡散溶接した板
厚５馴の５Ｕ８３０４をＣ！ｕ２０　＋Ｏｕ　面と対向
させ、０ｕ２０　＋　Ｃｕとコバール間にＡｇ　ろうを
挿入し、Ａｒ　雰囲気中で、ろう付温度８５０℃、ろう
何時間５分でろう付した。
その結果、ｈｔ２ｏ３に割れ発生がなぐ、全面に亘って
非接合部のない良好な継手が得られた。
実施例５ 板厚５　ｍｍのＺｒＯ２に０ｕ２０　＋　Ａｔ（重鰭比
で０ｕ２０５０％、Ａｔ　５０％）を２５μイオンブレ
ーテインクしたあと、Ａｒ　雰囲気中で、ど度６００℃
、Ａｒ　ガス圧５　ｋｇ７ｍｍ”、処理時間６０分でＨ
ＩＰ処理による加熱反応処理を行った。
次いで、接合金属である板厚５ｍｍのＡｔ板をＣＬ２２
０　＋　Ａ１面と対向させ、その間をＡｔ　−Ｓｉろう
を用い、ろう付温度６００℃、ろう何時間５分、雰囲気
真空中で、ろう付した。
その結果、ＺｒＯ２に割れ発生がなく、全面に亘って非
接合部のない良好な継手が得られた。
実施例６ 板厚２−のＡｔ２０３にＡｔ２ｏ３＋Ｎ１（重１１比で
Ａｔ２０３５０％、Ｎｉ７０％）を１０μノ「オンブレ
ーティングしたあと、真空雰囲気で１’　２００℃、時
間１時間の加熱反応処理を行った。
次いで、接合金属の板厚５門の８８４１板をＡｔ２０３
＋　Ｎｉ面と対向させ、真空雰囲気中で温度９００℃、
加圧力ｆ　ｋｇ／ｒｎｔ？、接合時間１時間で拡散溶接
した。
その結果、Ａｔ２０３に割れ発生がなく、全面に亘って
非接合部のない良好な継手が得られた。。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法の一実施態様例を工程順に示す図で
ある。 復代理人　内　１ｌｉｌ＃ＪＡ 復代理人　萩　原　亮　−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Ａｔ２ｏｓ　、　ＺｒＯ２等酸化物系セラミックと金属
    の接合において、該セラミックに、　０ｕ２０　、　’
    Ｎ１ｏ　。 ５ｉ０２　、　ＦｅＯ、Ａｇｏ　、　Ａｚ、ｏ、　、　
    ＭＯＯ、ＴｉＯ２、ＺｎＯ。 Ａｕ０　、０ｒ２０３　、　ｃｏｏ　、　ＺｒＯ２、Ｔ
    ａＯ、ＷＯ２、ＮｂＯ。 Ｍｇ０　、　ＯａＯ、Ｙ２Ｏ３のいずれか１つと、Ｏｕ
    　。 Ｍ１’　、　Ｓｉ　、　Ｆａ　、　Ａｇ　、　Ａｔ、　
    Ｍｏ　、　Ｔｉ　、　Ｚｎ　、　Ａｕ。 Ｏｒ　Ｃｏ　、　Ｚｒ　、　Ｔａ　、　Ｗ　、　Ｗｂ　
    、　Ｍｇのいずれか１つを混合した複合インサートをイ
    オンブレーティング又は溶射て密着固定した後、加熱反
    応促進処理してセラミックと複合インサートを冶金的接
    合させ、次いで該インサート面と前記接合金属とを拡散
    溶接又はろう付することを特徴とするセラミックと金属
    の接合法。
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