JPS63169348A - セラミツク接合用アモルフアス合金箔 - Google Patents
セラミツク接合用アモルフアス合金箔Info
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- JPS63169348A JPS63169348A JP31584786A JP31584786A JPS63169348A JP S63169348 A JPS63169348 A JP S63169348A JP 31584786 A JP31584786 A JP 31584786A JP 31584786 A JP31584786 A JP 31584786A JP S63169348 A JPS63169348 A JP S63169348A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミック接合用アモルファス合金箔に関す
る。
る。
最近、セラミック材料がその優れた諸特性から構造材料
として広い分野に利用されはじめている。
として広い分野に利用されはじめている。
その多くの場合、セラミ・ツク単体で使われているのが
現状であるが、セラミックの持つ脆性のため、靭性のあ
るメタルとの複合化が必要なことがある。
現状であるが、セラミックの持つ脆性のため、靭性のあ
るメタルとの複合化が必要なことがある。
また複雑な形のセラミックを作るためにセラミック相互
を接合するためのろう材が必要とされている。ところで
、従来からセラミックの接合方法として以下の方法が知
られている。
を接合するためのろう材が必要とされている。ところで
、従来からセラミックの接合方法として以下の方法が知
られている。
■ セラミック母材表面に、Mo、Wを主成分とする粉
末を塗布し、還元雰囲気中で1400〜1700℃に加
熱してセラミック母材上にメタライズ層を形成し、その
後Niめっきした後、銀ろうなどにより金属とセラミッ
クの接合や同様にメタライズ・Niめっき処理したセラ
ミック同志の接合を行う方法。
末を塗布し、還元雰囲気中で1400〜1700℃に加
熱してセラミック母材上にメタライズ層を形成し、その
後Niめっきした後、銀ろうなどにより金属とセラミッ
クの接合や同様にメタライズ・Niめっき処理したセラ
ミック同志の接合を行う方法。
■ セラミック母材表面に配置されたPt 。
Nb、Auなどを介して接合するメタルやセラミックを
組み合せ対向させた後、これらの一方から圧力を加えて
適当な高温下で接合する方法。
組み合せ対向させた後、これらの一方から圧力を加えて
適当な高温下で接合する方法。
■ セラミックを硫酸銅とカオリンの混合粉末で被覆し
、酸化雰囲気中900〜1300℃で加熱して焼付した
後、焼付層を還元処理し、還元層上に塗布された恨ろう
などで他の金属部材と接合する方法。
、酸化雰囲気中900〜1300℃で加熱して焼付した
後、焼付層を還元処理し、還元層上に塗布された恨ろう
などで他の金属部材と接合する方法。
■ S5:I 75とチタン箔とを組み合せたものを接
合すべきセラミックとセラミック、セラミックとメタル
との間にセットし、真空雰囲気中、共晶温度でろう接す
る方法(米国特許第2857663号参照)。
合すべきセラミックとセラミック、セラミックとメタル
との間にセットし、真空雰囲気中、共晶温度でろう接す
る方法(米国特許第2857663号参照)。
しかしながら■の方法の場合、作業工程が4工程と長く
且つ煩雑であるという欠点があるのに加えて加熱温度が
高い欠点がある。■の方法の場合、圧接という簡単な方
法で接合できるが、高価な貴金属を被接合部材間に介在
させる必要があるため経済的でなく、しかも金属母材と
セラミック母材とが十分に接触するように高い圧力を必
要として複雑形状になると接合が困難になるという欠点
がある。■の方法の場合、大気中で前処理ができるため
前処理が簡単であるという良い点がある。しかしながら
、その後の銀ろう付などによりセラミックと被接合物と
の間に応力などが生じるため接合部に微細なりランクが
生じており、みかけの剪断強度は5kg/w”を越える
ものの、気密性がない欠点がある。■の方法の場合、活
性金属ろう打法と言われ、セラミックの接合を容易にす
る方法として知られているが、窒化硅素などファインセ
ラミックと呼ばれるセラミックの場合、酸化物セラミッ
クで有効であった本手法をそのまま利用しても、接合強
度が低かった。
且つ煩雑であるという欠点があるのに加えて加熱温度が
高い欠点がある。■の方法の場合、圧接という簡単な方
法で接合できるが、高価な貴金属を被接合部材間に介在
させる必要があるため経済的でなく、しかも金属母材と
セラミック母材とが十分に接触するように高い圧力を必
要として複雑形状になると接合が困難になるという欠点
がある。■の方法の場合、大気中で前処理ができるため
前処理が簡単であるという良い点がある。しかしながら
、その後の銀ろう付などによりセラミックと被接合物と
の間に応力などが生じるため接合部に微細なりランクが
生じており、みかけの剪断強度は5kg/w”を越える
ものの、気密性がない欠点がある。■の方法の場合、活
性金属ろう打法と言われ、セラミックの接合を容易にす
る方法として知られているが、窒化硅素などファインセ
ラミックと呼ばれるセラミックの場合、酸化物セラミッ
クで有効であった本手法をそのまま利用しても、接合強
度が低かった。
上記した従来法において、■の方法はろう材を使用する
がセラミックの接合がろう材だけで行なわれておらない
。■の方法はろう材による接合法ではない。■、■の方
法はろう接方法である。そこで、本発明者等は、■の方
法を改良すべく前述した米国特許2857663号の方
法を追試したところ、接合部材の強度が、2〜5kg/
鶴”と低くしかも破壊がセラミックで生じる事を見出し
た。
がセラミックの接合がろう材だけで行なわれておらない
。■の方法はろう材による接合法ではない。■、■の方
法はろう接方法である。そこで、本発明者等は、■の方
法を改良すべく前述した米国特許2857663号の方
法を追試したところ、接合部材の強度が、2〜5kg/
鶴”と低くしかも破壊がセラミックで生じる事を見出し
た。
よって、本発明は、ろう材によるセラミックの接合時の
セラミック同士もしくはセラミックと金属の間の熱膨張
差による応力を接合ろう材で吸収できるならば接合部材
の接合強度の上昇が可能であるとの着想を得、これを具
体化する研究を行なった。
セラミック同士もしくはセラミックと金属の間の熱膨張
差による応力を接合ろう材で吸収できるならば接合部材
の接合強度の上昇が可能であるとの着想を得、これを具
体化する研究を行なった。
本発明に係るセラミック接合用ろう材は、活性金属とし
てTiを25〜40原子%(20,0〜31.1重量%
)含有し、さらにAgを0.5〜10原子%(0,9〜
17.5重量%)含有し、残部Cuからなるアモルファ
ス合金箔からなるものである。
てTiを25〜40原子%(20,0〜31.1重量%
)含有し、さらにAgを0.5〜10原子%(0,9〜
17.5重量%)含有し、残部Cuからなるアモルファ
ス合金箔からなるものである。
本発明の構成要件を先ず組成について説明する。
Tiは酸素、窒素等との親和性の高い元素であり、セラ
ミックのO,N等と反応して接合層を形成する。Tiが
25原子%より少ないとアモルファス箔帯の製造が困難
となり、40%を越えると接合部でTiNなどのTi化
合物形成後にろう接部に残留するTi量が多くなる。こ
の場合は、ろう接部のセラミックに応力負荷残留、場合
によってはクラックを発生させるので好ましくない。最
適なTi含有量は、30〜35原子%である。
ミックのO,N等と反応して接合層を形成する。Tiが
25原子%より少ないとアモルファス箔帯の製造が困難
となり、40%を越えると接合部でTiNなどのTi化
合物形成後にろう接部に残留するTi量が多くなる。こ
の場合は、ろう接部のセラミックに応力負荷残留、場合
によってはクラックを発生させるので好ましくない。最
適なTi含有量は、30〜35原子%である。
Agはろう付部の接合強度を高める元素である。
すなわち、銅−チタン2元共晶合金で接合した場合、接
合部が硬くて跪く、接合強度が低(なるが、Agの添加
によってろう件部延性が残る(熱応力を吸収できる)接
合となる。窒化硅素とCu −Ti系ろう材との反応で
は、接合界面では、窒化物側には、主としてTiNが形
成されろう接部には銅冨化層が形成され銅冨化層が多く
なり、接合強度が上昇するが、Agを少量添加する事に
より一層その効果を高める事ができる。
合部が硬くて跪く、接合強度が低(なるが、Agの添加
によってろう件部延性が残る(熱応力を吸収できる)接
合となる。窒化硅素とCu −Ti系ろう材との反応で
は、接合界面では、窒化物側には、主としてTiNが形
成されろう接部には銅冨化層が形成され銅冨化層が多く
なり、接合強度が上昇するが、Agを少量添加する事に
より一層その効果を高める事ができる。
Agの含有量が、0.5原子%未満であるとろう接部の
柔軟性向上に効果がなく、一方10%を越えるとろう接
部の雰囲気中でのAg蒸気量が多くなり好ましくない。
柔軟性向上に効果がなく、一方10%を越えるとろう接
部の雰囲気中でのAg蒸気量が多くなり好ましくない。
また、Agの含有量が10原子%を越えるとアモルファ
ス箔帯の製造が困難となり、Cu −Ti −Ag系合
金は脆い粉末になってしまうので、Agを0.5〜10
原子%とした。
ス箔帯の製造が困難となり、Cu −Ti −Ag系合
金は脆い粉末になってしまうので、Agを0.5〜10
原子%とした。
Cuは量的には主成分であるが、接合に本質的な作用を
するものでなく、ろう何部の充てん状態を良好にするこ
とによって接合強度を高める。またCuは、Cu −T
i−Ag系で高融点金属Ti(1953K)との合金化
でl100K以下に融点を下げる事ができ、ろう付温度
を低下させることによって、ろうの流動性を向上させ、
ひいては接合強度を高める。
するものでなく、ろう何部の充てん状態を良好にするこ
とによって接合強度を高める。またCuは、Cu −T
i−Ag系で高融点金属Ti(1953K)との合金化
でl100K以下に融点を下げる事ができ、ろう付温度
を低下させることによって、ろうの流動性を向上させ、
ひいては接合強度を高める。
次に、本発明の別の構成要件である箔形状とアモルファ
ス組織について説明する。
ス組織について説明する。
従来技術■のろう材の形状は本発明と同じ箔形状である
が銅箔とチタン箔を組み合わせたものであったため、各
金属成分を迅速に均一溶融することが困難であった。本
発明のろう材は合金箔であるために各成分が迅速に均一
溶融できる。合金箔を製造できるCu −Ti Ag
組成範囲について、従来から言われているように、通常
の圧延法では、Ti含有量が原子30%を越えると、箔
の製造は不可能であるが、Cu −Ti−Ag合金をア
モルファス化すると、Ti含有量が原子30%を越えて
も箔の製造が可能であることが確かめられた。
が銅箔とチタン箔を組み合わせたものであったため、各
金属成分を迅速に均一溶融することが困難であった。本
発明のろう材は合金箔であるために各成分が迅速に均一
溶融できる。合金箔を製造できるCu −Ti Ag
組成範囲について、従来から言われているように、通常
の圧延法では、Ti含有量が原子30%を越えると、箔
の製造は不可能であるが、Cu −Ti−Ag合金をア
モルファス化すると、Ti含有量が原子30%を越えて
も箔の製造が可能であることが確かめられた。
さらに、超急冷法によりCu −Ti −Ag合金を微
結晶化することによっても箔の製造は可能であるが、微
結晶箔は脆いために粉末化しないとろう付作業が困難で
あり、仮令箔のままでろう付に使用しても十分な接合強
度が得られないことが確かめられた。ところで、従来技
術■で使用されているMo、W粉末は被接合物上に均一
に塗布することが困難であり、均一塗布のためには有機
ビヒクルが必須になることが多い。しかし、有機ビヒク
ルは接合部にCの残存の危険があるため好ましくない。
結晶化することによっても箔の製造は可能であるが、微
結晶箔は脆いために粉末化しないとろう付作業が困難で
あり、仮令箔のままでろう付に使用しても十分な接合強
度が得られないことが確かめられた。ところで、従来技
術■で使用されているMo、W粉末は被接合物上に均一
に塗布することが困難であり、均一塗布のためには有機
ビヒクルが必須になることが多い。しかし、有機ビヒク
ルは接合部にCの残存の危険があるため好ましくない。
これに対して箔はこのような欠点が全くない。
上記した箔の厚さは20〜80mであることが好ましい
。厚さが20m未満であると、接合部のみがけの強度が
低下し、80mを越えるとろう接部の強度がろう材の強
度に支配されるため、みがけの接合強度は低下する。
。厚さが20m未満であると、接合部のみがけの強度が
低下し、80mを越えるとろう接部の強度がろう材の強
度に支配されるため、みがけの接合強度は低下する。
かかる箔は所定組成の合金溶湯を単ロール法もしくは双
ロール法により超急冷することにより得られる。
ロール法により超急冷することにより得られる。
以下、実施例によりさらに本発明を説明する。
実施例1
接合基材として、φ20mm厚さ5mmとφ10mm厚
さ5龍の窒化硅素を各々75枚用意した。続いて、これ
らの板をトリクレン脱脂層、乾燥炉で100℃30分保
持した。
さ5龍の窒化硅素を各々75枚用意した。続いて、これ
らの板をトリクレン脱脂層、乾燥炉で100℃30分保
持した。
接合用ろう材として表(1)の組成により通常の非晶質
箔帯製造法により厚さ50〜60m幅20mmの箔帯を
作り接合に供した。ろう接方法は次のとおりであった。
箔帯製造法により厚さ50〜60m幅20mmの箔帯を
作り接合に供した。ろう接方法は次のとおりであった。
ろう材を10mmφに加工したのち、φ2o×5龍の窒
化硅素上にろう材を置き、その上にφ1゜×5の窒化硅
素をセットした。加圧は自重とした。
化硅素上にろう材を置き、その上にφ1゜×5の窒化硅
素をセットした。加圧は自重とした。
接合時の温度、雰囲気などは次のとおりであった。
雰囲気: 10−’〜1O−5Torr温度: 105
0±10℃ 時 間:30分保持 冷却速度:5℃/1Ilin ろう接部材の剪断強度を第1図に示す方法で測定した。
0±10℃ 時 間:30分保持 冷却速度:5℃/1Ilin ろう接部材の剪断強度を第1図に示す方法で測定した。
図中1は加圧治具、2はセット治具、3゜4はセラミッ
ク接合体である。
ク接合体である。
結果を第1表に示す。
第1表
比較例の磁1から寛7までTiが減少し、Cuが富化す
るにつれ接合強度が大きくなっている。
るにつれ接合強度が大きくなっている。
また、比較例の阻11、隘5に対し、本発明のろう材で
はAg含有量の増大により接合強度が高くなっている。
はAg含有量の増大により接合強度が高くなっている。
さらに、微結晶が存在する隘8のろう材では接合強度が
本発明のろう材に比較して低い。
本発明のろう材に比較して低い。
実施例2
φ2011、厚さ511の窒化硅素、φ251n厚さ1
0u+のSOS 304 、およびφ20會l厚さ1.
0■■の銅板を用意し、各々をトリクレンで洗浄した後
、100℃で10分乾燥させた。
0u+のSOS 304 、およびφ20會l厚さ1.
0■■の銅板を用意し、各々をトリクレンで洗浄した後
、100℃で10分乾燥させた。
ろう材としては第1表のl1hl (比較例)、ヌ5
(比較例)および患12(本発明)を使用した。
(比較例)および患12(本発明)を使用した。
SOS 304板にNi基ろう材(N i、、 F e
z Cr。
z Cr。
5isB+a)を介挿して銅板を接合し、さらにこの銅
板にろう材Nalを介挿して窒化ケイ素を接合した。ま
た、ろう材隘1の代りに1lh5またはNa12を使用
して接合を行なった。
板にろう材Nalを介挿して窒化ケイ素を接合した。ま
た、ろう材隘1の代りに1lh5またはNa12を使用
して接合を行なった。
接合条件および剪断強度測定条件は実施例1と同じであ
った。
った。
その結果、ろう材隘1を用いたとき0.5 kg /
mm ”ろう材隘5を用いたとき、4.5kg/■12
ろう材階12を用いたとき7kg/am”の接合強度で
あり、Agの効果が認められた。
mm ”ろう材隘5を用いたとき、4.5kg/■12
ろう材階12を用いたとき7kg/am”の接合強度で
あり、Agの効果が認められた。
本発明合金アモルファスろう付箔は、セラミック接合に
極めて有効なろう打付であり、窒化硅素に限らず窒化物
セラミックに有効である。
極めて有効なろう打付であり、窒化硅素に限らず窒化物
セラミックに有効である。
第1図は剪断強度試験方法の説明図である。
1・・・加圧治具、 3,4・・・セラミック接合体。
Claims (1)
- 1、活性金属としてTiを25〜40原子%(重量20
.0〜31.1%)含有し、Ag0.5〜10原子%(
重量0.9〜17.5%)を含有し、残部がCuからな
り、接合強度が高いセラミックろう接用アモルファス合
金箔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31584786A JPS63169348A (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | セラミツク接合用アモルフアス合金箔 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31584786A JPS63169348A (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | セラミツク接合用アモルフアス合金箔 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63169348A true JPS63169348A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=18070297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31584786A Pending JPS63169348A (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | セラミツク接合用アモルフアス合金箔 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63169348A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2594475B2 (ja) * | 1990-04-16 | 1997-03-26 | 電気化学工業株式会社 | セラミックス回路基板 |
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-
1986
- 1986-12-29 JP JP31584786A patent/JPS63169348A/ja active Pending
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