JPS5984542A - 高周波半導体集積回路 - Google Patents
高周波半導体集積回路Info
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- JPS5984542A JPS5984542A JP57195480A JP19548082A JPS5984542A JP S5984542 A JPS5984542 A JP S5984542A JP 57195480 A JP57195480 A JP 57195480A JP 19548082 A JP19548082 A JP 19548082A JP S5984542 A JPS5984542 A JP S5984542A
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- semiconductor integrated
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- H01L2924/301—Electrical effects
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路、特に周波数拳信号レベルが互
に異な多信号干渉の生じやすい複数個の回路プロ、りを
同一の半導体基板上に形成する高周波半導体集積回路に
関する。
に異な多信号干渉の生じやすい複数個の回路プロ、りを
同一の半導体基板上に形成する高周波半導体集積回路に
関する。
高周波集積回路では、各回路ブロックの周波数・信号レ
ベルが異なる場合が多い。例えばカラーテレビでは影像
中間周波信号は約60 MHz 、音声中間周波信号は
4.5MHz、ビデオ周波信号は6■(z。
ベルが異なる場合が多い。例えばカラーテレビでは影像
中間周波信号は約60 MHz 、音声中間周波信号は
4.5MHz、ビデオ周波信号は6■(z。
さらに音声信号とそれぞれ周波数・信号レベルが異なる
回路ブロックにより構成されている0か\る回路プ四、
りをできるかぎり半導体の1チツプ上に集積回路化する
努力が続けられているが、グラウンド配線あるいは電源
(Vcc)配線を一部共通することによる共通インピー
ダンスによる信号干渉、配線間の浮遊容量による干渉、
半導体の基板を介して干渉が生じ易く、1チツプ化は困
難であったO 従来1チツプ化する方法として、グラウンドおよびVc
c t’e ;(i!itを各回路部分からたこ足状
にポンディングパッドまで配線し、布線が共通になる部
分をなくし布綿抵抗による回路ブロック間の干渉をさけ
、あるいはグラウンドおよびVCCCC配回路ブ1コッ
クの間に配置し、降接する回路ブロックの電極配線間の
静電容量による干渉を減少させるレイアウトが行なわれ
ていた。しかし半導体基板を介しての回路ブロック間の
干渉に閤しての対策はなされていなかった。しかもたこ
足状配線ではレイアウト玉名の回路の配線が交叉する場
合もあり案性静電容貝による結合が生ずる。
回路ブロックにより構成されている0か\る回路プ四、
りをできるかぎり半導体の1チツプ上に集積回路化する
努力が続けられているが、グラウンド配線あるいは電源
(Vcc)配線を一部共通することによる共通インピー
ダンスによる信号干渉、配線間の浮遊容量による干渉、
半導体の基板を介して干渉が生じ易く、1チツプ化は困
難であったO 従来1チツプ化する方法として、グラウンドおよびVc
c t’e ;(i!itを各回路部分からたこ足状
にポンディングパッドまで配線し、布線が共通になる部
分をなくし布綿抵抗による回路ブロック間の干渉をさけ
、あるいはグラウンドおよびVCCCC配回路ブ1コッ
クの間に配置し、降接する回路ブロックの電極配線間の
静電容量による干渉を減少させるレイアウトが行なわれ
ていた。しかし半導体基板を介しての回路ブロック間の
干渉に閤しての対策はなされていなかった。しかもたこ
足状配線ではレイアウト玉名の回路の配線が交叉する場
合もあり案性静電容貝による結合が生ずる。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、半導体基板を介し
ての回路ブロック間の干渉を防ぎ、且つグラウンドおよ
びVCC配線を計画的に配置することによって、複数個
の信号干渉の生じ易い回路を一チップに集積化した高周
波半導体集積回路を提供することにある。
ての回路ブロック間の干渉を防ぎ、且つグラウンドおよ
びVCC配線を計画的に配置することによって、複数個
の信号干渉の生じ易い回路を一チップに集積化した高周
波半導体集積回路を提供することにある。
本発明による半導体集積回路は周波数または信号レベル
を異にする複数個の回路ブロックを同一半導体基板上に
形成してなり、前記回路ブロックは半導体基板と連接す
る同−伝導形の高濃度領域によって区画され、且つ各回
路ブ四ツクのグラウンド電極と接続される半導体表面の
絶縁層上の回路ブロック別の金属配線が前記高濃度領域
にオーミック接触するとともに個別に外部グラウンドポ
ンディングパッドに接続されていることを特徴とする。
を異にする複数個の回路ブロックを同一半導体基板上に
形成してなり、前記回路ブロックは半導体基板と連接す
る同−伝導形の高濃度領域によって区画され、且つ各回
路ブ四ツクのグラウンド電極と接続される半導体表面の
絶縁層上の回路ブロック別の金属配線が前記高濃度領域
にオーミック接触するとともに個別に外部グラウンドポ
ンディングパッドに接続されていることを特徴とする。
以下本発明を図面を参照して詳しく説明する。
第1図は本発明の一実施例の平面図、第2図、第3図は
第1図の実施例の一部の断面図である。それぞれ取シ扱
かう周波数および信号レベルを異にする回路ブロック#
1〜#6が第2図、第3図に示すようにP−形半導体基
板7上にN影領域として形成され、各回路ブロックはそ
の周辺に隣接する高濃度のP 影領域22によって区画
されている。この区画は第2図の回路ブロック#2.
#3の間ではただ1つの領域によっているが、第3図の
回路ブロック#4.+5の間では2つの各ブ四ツクに肯
接する高濃度のP+十形領域22その間に存在するN影
領域とからなっている。これらの区画用のP 影領域2
2はその一端t;1、P−形半導体基板7に接するとと
もに他端は半導体表面の酸化膜の窓をとおしてグラウン
ド配線10〜15にオーミック接続される。グラウンド
配線10〜15は各プロ、りから集積回路の中央部に゛
まとめ、左端にあるグラウンドボンTイングパ、ド8に
延長させ、それぞれ個別に該パッド8に接続せしめ共通
配線になる個所はない。各プ0./りのグラワンドは各
ブロック周線に設けた接航端子(図面で小さい正方形で
表示され−〔いる)のうちのクラランド端子を最も近接
した位置でグラウンド配属jに接続してなされる。
第1図の実施例の一部の断面図である。それぞれ取シ扱
かう周波数および信号レベルを異にする回路ブロック#
1〜#6が第2図、第3図に示すようにP−形半導体基
板7上にN影領域として形成され、各回路ブロックはそ
の周辺に隣接する高濃度のP 影領域22によって区画
されている。この区画は第2図の回路ブロック#2.
#3の間ではただ1つの領域によっているが、第3図の
回路ブロック#4.+5の間では2つの各ブ四ツクに肯
接する高濃度のP+十形領域22その間に存在するN影
領域とからなっている。これらの区画用のP 影領域2
2はその一端t;1、P−形半導体基板7に接するとと
もに他端は半導体表面の酸化膜の窓をとおしてグラウン
ド配線10〜15にオーミック接続される。グラウンド
配線10〜15は各プロ、りから集積回路の中央部に゛
まとめ、左端にあるグラウンドボンTイングパ、ド8に
延長させ、それぞれ個別に該パッド8に接続せしめ共通
配線になる個所はない。各プ0./りのグラワンドは各
ブロック周線に設けた接航端子(図面で小さい正方形で
表示され−〔いる)のうちのクラランド端子を最も近接
した位置でグラウンド配属jに接続してなされる。
上記の構造によってブロック図のトランジスタその他の
素子の飽和電流あるいは素子とP−形半導体基板7、P
t形領領域22間靜電容lによる電流(上記の電流を第
2図9条3図で点線で示す)があっても直ちにP十形領
域22に吸収される。
素子の飽和電流あるいは素子とP−形半導体基板7、P
t形領領域22間靜電容lによる電流(上記の電流を第
2図9条3図で点線で示す)があっても直ちにP十形領
域22に吸収される。
従って第2図で回路ブロック間+2.#3を直接流れる
前記電流はない。回路ブロック#2の前記電流が回路プ
ロ、り#3のグラウンド配線12にオーミック接触して
いるP1形領域22に流れるため、P+十形領域22僅
少な抵抗による電圧降下による回路ブロック#2.13
の干渉も考えられるが、P+十形領域22直接外部グラ
ウンドポンディングパッド8に接続し、しかも高濃度P
+形であるから実際上殆ど干渉はない。しかし完全に干
渉を除く必要のある場所では第3図の如く、回路ブ四ツ
クに防接するP゛1゛1゛領域にわければ図示の如く回
路ブ宵ツク#5の前記電流は右側のP+十形領域22介
してグラウンド配線14に、回路プロ、り#4の前記電
流は左側のP 影領域22を介してグラウンド配線15
に流れ、相互の干渉は全くない。すなわち半導体基板を
介しての信号干渉は区画用のP 影領域22をグラウン
ド配線によジグラウンドレベルに保持することで防止す
ることができる。
前記電流はない。回路ブロック#2の前記電流が回路プ
ロ、り#3のグラウンド配線12にオーミック接触して
いるP1形領域22に流れるため、P+十形領域22僅
少な抵抗による電圧降下による回路ブロック#2.13
の干渉も考えられるが、P+十形領域22直接外部グラ
ウンドポンディングパッド8に接続し、しかも高濃度P
+形であるから実際上殆ど干渉はない。しかし完全に干
渉を除く必要のある場所では第3図の如く、回路ブ四ツ
クに防接するP゛1゛1゛領域にわければ図示の如く回
路ブ宵ツク#5の前記電流は右側のP+十形領域22介
してグラウンド配線14に、回路プロ、り#4の前記電
流は左側のP 影領域22を介してグラウンド配線15
に流れ、相互の干渉は全くない。すなわち半導体基板を
介しての信号干渉は区画用のP 影領域22をグラウン
ド配線によジグラウンドレベルに保持することで防止す
ることができる。
次に各プロ、り回路のVCC配!lAl6〜21は第1
図に示すように集積回路の外周部にまとめ、それぞれ個
別にVCCポンディングパッド9に接続される。従って
VCC配線16〜21間の共通インピーダンスによる干
渉はない。また各回路ブロックの電源は各回路の周線に
設けた接続端子を介して、それぞれのVCC配線に接続
されるから、各回路ブロック間に配線がまたがることが
なく、配線の浮遊容量による相互干渉もない。またVC
C配線16〜21は集積回路の外周部に、グラウンド配
線10〜15は集積回路の中央部にまとめられているか
ら、両者の配線浮遊容量による干渉は全くない。
図に示すように集積回路の外周部にまとめ、それぞれ個
別にVCCポンディングパッド9に接続される。従って
VCC配線16〜21間の共通インピーダンスによる干
渉はない。また各回路ブロックの電源は各回路の周線に
設けた接続端子を介して、それぞれのVCC配線に接続
されるから、各回路ブロック間に配線がまたがることが
なく、配線の浮遊容量による相互干渉もない。またVC
C配線16〜21は集積回路の外周部に、グラウンド配
線10〜15は集積回路の中央部にまとめられているか
ら、両者の配線浮遊容量による干渉は全くない。
なお第1図に図示されていないが、半導体チップの切断
周縁部は高度の再結合領域である艇ら、集積回路全体の
電位レベル変動をさけるために、集積回路の最外周部に
集積回路をかこみ、P−形半導体基板7に接する高濃度
のP+領域のコンタクト領域を設けこれを金属配線にオ
ーミック接触させ、金属配線をグラウンドポンディング
パッド8に接続する。
周縁部は高度の再結合領域である艇ら、集積回路全体の
電位レベル変動をさけるために、集積回路の最外周部に
集積回路をかこみ、P−形半導体基板7に接する高濃度
のP+領域のコンタクト領域を設けこれを金属配線にオ
ーミック接触させ、金属配線をグラウンドポンディング
パッド8に接続する。
上記の実施例ではグラウンドボンデイングノくラド8
r VCCポンディングパッド9はそれぞれ1個で回路
ブロックは6個であったが、回路ブロック数あるいは回
路ブロックの取り扱かう機能により前記パッドを2つ以
上にする場合もありうる。
r VCCポンディングパッド9はそれぞれ1個で回路
ブロックは6個であったが、回路ブロック数あるいは回
路ブロックの取り扱かう機能により前記パッドを2つ以
上にする場合もありうる。
以上説明したように本発明による高周波半導体集積回路
は周波数・信号レベルを異にする複数個の回路ブロック
を相互の干渉ガ〈1チツプに集積化することを可能とし
たもので、カラーテレビ・通信用変復調回路など応用範
囲が広い0
は周波数・信号レベルを異にする複数個の回路ブロック
を相互の干渉ガ〈1チツプに集積化することを可能とし
たもので、カラーテレビ・通信用変復調回路など応用範
囲が広い0
第1図は本発明の一実施例の平面図、第2図。
第3図は第1図の回路の一部分の断面図である。
#1〜#6・・・・・・回路ブロック、7・・・・・・
P−形半導体基板、8・・・・・・外部グラウンドポン
ディングパッド、9・・・・・・VCCポンディングパ
ッド、10〜15・・・・・・各ブロックのグラウンド
配線、16〜21・・・・・・各プロ、りの■cc配線
、22・・・・・・P 影領域。
P−形半導体基板、8・・・・・・外部グラウンドポン
ディングパッド、9・・・・・・VCCポンディングパ
ッド、10〜15・・・・・・各ブロックのグラウンド
配線、16〜21・・・・・・各プロ、りの■cc配線
、22・・・・・・P 影領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、周波数または信号レベルを異にする複数個の回路ブ
ロックを同一半導体基板上に形成してなる半導体集積回
路において、前記回路ブロックは半導体基板と接続する
同一伝導形の高濃度領域によって区画され、且つ各回路
ブロックのグラウンド電極と接続される半導体表面の絶
縁層上の回路プ四ツク別の金属配線が前記高濃度領域に
オーミック接触するとともに個別に外部グラウンドボン
ディングパッドに接続されでいることを特徴とする半導
体集積回路。 2、半導体集積回路の外周部に電源用金属配線を設ける
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集
積回路。 3、半導体集積回路の最外周部全周に半導体基板と連接
する同一伝導形の高濃度領域および該高濃度領域とオー
ミック接触する金属配線を備えることを特徴とする特許
請求の範囲第2項記載の半導体集積回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57195480A JPS5984542A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 高周波半導体集積回路 |
US06/846,822 US4628343A (en) | 1982-11-08 | 1986-03-31 | Semiconductor integrated circuit device free from mutual interference between circuit blocks formed therein |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57195480A JPS5984542A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 高周波半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5984542A true JPS5984542A (ja) | 1984-05-16 |
JPH0151065B2 JPH0151065B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=16341781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57195480A Granted JPS5984542A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 高周波半導体集積回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4628343A (ja) |
JP (1) | JPS5984542A (ja) |
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JP2019179840A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2019065494A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2020-06-18 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 回路基板、回路基板の設計方法、及び半導体装置 |
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KR102447435B1 (ko) | 2016-03-11 | 2022-09-23 | 삼성전자주식회사 | Emi 감소를 위한 전력 전송 네트워크를 포함하는 기판과 이를 포함하는 장치들 |
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1982
- 1982-11-08 JP JP57195480A patent/JPS5984542A/ja active Granted
-
1986
- 1986-03-31 US US06/846,822 patent/US4628343A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0151065B2 (ja) | 1989-11-01 |
US4628343A (en) | 1986-12-09 |
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