JPS62274761A - 集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路装置におげろ機能ブロック間のクロス
トーク防止技術に関し、主として、高周波信号を使用す
る回路を有する半導体装置を対象とする。

〔従来技術〕

集積回路装置の高密度化・高集積化に伴って、全体の回
路を構成する機能回路ブロック間での一部電気信号によ
る干渉、いわゆるクロストークが問題になっており、特
に、一方の回路ブロックに高周波信号を使用する回路が
存在するとき、他方の回路ブロックへ影響が生じやすい
。

高周波電気−信号を使用する集積回路（ＩＣ）の一つと
しての自動車無線については、たとえば電子技術出版株
式会社発行のテレビ技術１９８３年１０月号９２９〜５
０に記載されている。

本発明者は機能ブロック間のクロストーク対策について
検討した。以下は公知とされた技術ではないが、本発明
者によって検討された技術であり、その概要は次のとお
りである。

第４図は一つの半導体基体１上に形成されたバイポーラ
ＩＣの機能ブロックＡと機能ブロックＢとの間のクロス
トークな防止するために、上記プロックＡ、Ｂの動作電
位の１つである接地電位ＧＮＤに接続された配線２を設
けた場合のこれまでの一例を示す平面図である。このう
ち、ブロックＡＫは高周波信号で動作する回路素子（た
とえば分周回路）が設けられ、ブロックＢにはたとえば
ノコギリ波発生回路等が設けられる。

第５図は第４図のｘ−ｘ’線に沿う断面図をより具体化
した場合の断面図である。すなわち、ブロックＡの一つ
の島領域にはバイポーラｎｐｎ）ランジスタＱ、が設け
られ、そのエミッタ電極Ｅ。

は外部接続端子（配線端子又はパッド）３に接続される
。ブロックＢの一つの島領域にはバイポーラｎｐｎ）ラ
ンジスタＱ！が設げられ、そのエミッタ電極Ｅ、は外部
接続端子（配線端子又はパッド）４忙接続されるととも
釦、その一部はクロストーク防止用の配線２に接続され
ている。

第６図は第５図に等価の素子の一部を示すものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記したブロックＡが１００ＭＨｚ以上の高周波電流を
使用するＩＣである場合、第５図に示されるようにトラ
ンジスタＱ、のコレクタ電流の「ゆれ」（高周波分）ｉ
はｎ型エピタキシャル層５とｐ基板６との間の接合容量
Ｃ１を通してｐ基板に流れ、アイソレージ菖ンｐ十層７
を経て、共通のクロストーク防止用配線２に伝わる。配
線２に伝わった電流の「ゆれ」ｉはブロックＢ内のトラ
ンジスタＱ、のエミッタ電極Ｅ、に伝わり、クロストー
クが発生する。このクロストークのため雑音が発生し、
通信障害等の原因となる。この現象は第４図で示すよう
に配線２がブロックＢの接地電位を供給するパッド４に
接続しているために発生することがわかった。

本発明は上記したような問題を解消するためになされた
ものであって、その目的とするところは、半導体装置に
おけるブロック間のクロストークを効果的に防止できる
技術を提供することにある。

本発明の前記ならびｋそのほかの目的と新規な特徴は本
明細書の記述及び添付図面からあきらかになろう。

〔問題点を解決するだめの手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に述べれば下記のとおりである、すなわち、基体
上にいくつかの回路ブロック（Ａ−Ｂ）を有するＩＣに
おいて、各ブロックごとに回路素子に接続された動作電
位の１つであるＧＮＤ（接続電極）配線とパッド（配線
端子）とを有するとともＫ、一つのブロック（Ａ）と他
の一つのブロック（Ｂ）の間にクロストーク防止用の固
定電位（たとえば接地電位）を与える専用の配線とパッ
ドを設ける。

〔作用〕

上記した手段によれば、一方のブロック（Ａ）で発生し
た高周波信号（たとえば電流のゆれ）はブロック（Ａ）
（Ｂ）間に設けられた専用の固定電位配線（ＧＮＰ配線
）を通じて専用のパッドに伝ワリ、各ブロック間でのク
ロストロークを防止でき前記目的を達成するものである
。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例を示すものであって、一つの
基体上に形成されたブロックＡとブロックＢとの間にク
ロストーク防止専用の固定電位配線（ＧＮＤ配線）及び
パッドを設けた集積回路装置の概略平面図である。

同図に示すように、各ブロック（Ａ、Ｂ）にはそれぞれ
に各回路ブロックに動作電位を供給するＧＮＤ配線又は
回路へ接続する配線が設けられ、それぞれにパッド（又
はピン）３．４が接続される。２はクロストーク防止用
の専用の配線でその一部は基板ＩＫコンタクトし、専用
のパッド８に接続されている。

第２図は第１図に対応し、これを具体化した断面図であ
る。Ｑ、はブロックＡ内に設けられた高周波トランジス
タであって、そのエミッタ電極ＥＩは外端子（パッド）
３に接続される。Ｑ２はブロックＢ内に設けられたトラ
ンジスタであってそのエミッタ電極Ｅ、は外端子（パッ
ド）４ＶＣ，接続される。上記外端子３．４は絶縁膜上
にあって基板からは電気的に接続されていない状態とす
ることが好ましい。

クロストーク防止用配線２はアイソレージ３ンｐ層７を
通じて基板に接続され、ブロックＡ、ＢのいずれＫも電
気的に分離された専用の外端子（パッド）８に接続され
る。

上記のようなりロストーク防止専用のＧＮＤ配線２．端
子８を設けることにより、たとえばブロックＡで高周波
電気信号のゆれ（ｉ）が基板にもれた場合忙も、第２図
に点線で示すように専用のＧＮＤ配線を通じて専用のパ
ッド８につたわり、ブロックＢ−・の影響を防止できる
。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

たとえばブロックＡ、ブロックＢにおいて、トランジス
タＱ、、Ｑ、から取り出す配線はＧＮＤに接続しておい
てもよく、又はのぞましくは絶縁膜を介して電気的に浮
かせておくことがよい。

クロストーク防止用の配線はブロックＡ、Ｂの間でアイ
ソレーションｐ＋層にオーミックコンタクトすることＫ
なるが、このコンタクト面積はできるだけ広くとること
がのぞましい。第３図は配線のほとんど全面をコンタク
ト部９とした場合の例を示す平面図である。同図ではブ
ロックＡ、Ｂの各トランジスタ（Ｑ＋　　、Ｑ！　　）
を−そう具体的に示しである。

（発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものＫよっ
て得られる効果を簡単忙説明すれば下記のとおりである
。

すなわち、ブロック間のクロストークを防止でき、信頼
性の高い高周波ＩＣが実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すＩＣチップの概略平面
図である。 第２図は第１図を具体化したチップの一部断面図である
。 第３図は本発明の変形実施例を示すチップの一部平面図
である。 第４図は従来例の一つを示すＩＣの概略平面図である。 第５図は第４図を具体化した一部断面である。 第６図は第５図の一部等価回路図である。 １・・・基体、２・・・クロストーク用ＦｊｉＪＩ、３
．４・・・外端子（パッド）、５・・・エピタキシャル
層、６・・・ｐ−基板、７・・・アイソレーション、８
・・・外端子、９・・・コンタクト部。 第　　１　　図 第　　２　　図 σ　０／ 第　　３　　図 第　　６　　図 第　　４　　図 第　　５　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体の主面上に互いに電気的に分離された所定の動
   作電位で動作する複数の回路ブロックと、前記複数の回
   路ブロックごとに接続された前記各回路ブロックに動作
   電位を供給する配線とこの配線に連らなる配線端子と、
   前記複数の回路ブロックの中の１つの回路ブロックと前
   記１つ以外の回路ブロックとの間に上記基板に電気的に
   接続された固定電位を有する専用の配線とそれに連らな
   る配線端子とを、有することを特徴とする集積回路装置
   。 ２、上記一つの回路ブロックは高周波信号を処理するこ
   とを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の集積回
   路装置。