JPS59152959A - スチルベン誘導体及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なスチルベン誘導体及びその製造法に関す
る。

本発明のスチルベン誘導体は電子写真用の有機光導電性
素材及び螢光増白剤どして使用することができ、特に電
子写真用の有機光導電ｆ！ｌ：　＋ａ料として有用なも
のである。

従来、電子写真方式において使用される感光体の有機光
導電性素材としてポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールをはじ
め数多くの材料が提案されている。

ここにいう「電子写真方式Ｊとは一般に光導電性の感光
体を、まず暗所で例えばコロナ放電などにより帯電Ｖし
め、ついで露光部のみの電荷を選択的に放電させること
により静電潜像を得て、この潜像部をトナーなどを用い
た現像手段で可視化して画像を形成するようにした画像
形成法の一つである。このような電子写真方式における
感光体に要求される基本的な特性としては、１）暗所に
おいて適当な電位に帯電されること、２）暗所にお＋ｊ
る電荷の放電が少ないこと、３）光照射により速やかに
電荷を放電すること、などが挙げられる。しかし、従来
の光導電性有１幾ｖＪ利はこれらの要求をかならずしも
満足していないのが実状である。

一方、セレンや酸化亜鉛は光導電性無機材料として知ら
れており、中でもセレンは広く実用に供されている。し
かし、最近電子写真のプロセスの点から、感光体に対す
る種々の要求、即ち一例として前述の基本的特性に加え
て、例えばその形状についても可撓性のあるベルト状の
感光体などが要求されるようになってきている。

しかし、セレンの場合は一般にこのような形状のものに
作成することは困難である。

本発明の目的は上記のような感光体における光導電性素
材の持つ欠点を除去した、特に光導電性素材として有用
な新規なスチルベン誘導体及びその製造法をＩ尼供する
ことである。

即ち、第１の発明は、一般式（Ｉ） （式中、エチル基のＷ換位置はパラ位もしくはオルト位
、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
またはハロゲン原子　Ｒ２及びＲ３は低級アルキル基、
置換もしくは無置換のベンジル基、または置換もしくは
無置換の）工二ル基、Ｒ４は水素原子または置換もしく
は無置換のフェニル基を表わす。）で示されるス５− チルへン誘導体であり、第２の発明は一般式（） で７″はハロゲンイオンを示す）で表わされるトリフェ
ニルホスホニウム基又は −ＰＯ（ＯＲ）２　　（ここでＲは低級アルキル基を示
す）で表わされるジアルキル亜燐酸基であるコで表わさ
れるフェニル誘導体と、下記一般式（Ｉ） （式中、Ｒ）は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基またはハロゲン原子、Ｒ２及びＲ３は低級アルキ
ル基、置換もしくは無置換のベンジル基、または置換も
しくは無置換のフェニル基、Ｒ４は水素原子または置換
もしくは無６− 置換のフェニル基を表わす。） で表わされるカルボニル化合物とを反応させることを特
徴とする下記一般式（Ｉ） く式中、エチル基の置換位置（よパラ位もしくはオルト
位、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基またはハロゲン原子、Ｒ２及びＲ３は低級アルキル基
、置換もしくは無置換のベンジル基、または置換もしく
は無置換の）工二ル基、Ｒ４は水素原子または置換もし
くは無置換のフェニル基を表わす。）示されるスチルベ
ン誘導体の製造法である。Ｒ２またはＲ３のベンジル基
またはフェニル基にお番プる置換基として（ま例えば低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲンなどを、又
Ｒ４の）■ニル基におｔ、Ｊる置換基としては例えば低
級ジアルキルアミノ基を挙げることができる。

本発明で用いる一般式（■）で表わされるフェニル誘導
体は対応するハロメヂル化合物〔例えば、東京化成■よ
り市販されているｐ−エチルベンジルクロライド（約３
０％のオルト体を含有する）〕と亜リす酸トリアルキル
又はトリフェニルボスフィンとを直接あるいはトルエン
、テトラハイドロフラン、Ｎ　　、Ｎ−ジメチルホルム
アミドなどの溶媒中で加熱することにより容易に製造さ
れる。ここで亜リン酸トリアルキルとしては炭素数１〜
４のアルキル基特にメチル基、エチル基が好ましい。

こうして得られた一般式（Ｉ［）で表わされるフェニル
誘導体と一般式（ｌ［）で表わされるカルボニル化合物
とを塩基性触媒の存在下、室温から１００℃程度の湿度
において反応させる。

塩基性触媒としては苛性ソーダ、苛性カリ、ナトリウム
アミド、水素化ナトリウム及びナトリウムメチラート、
カリウム−１−ブトキサイドなどのアルコラードを挙げ
ることができる。

また、反応溶媒どしてはメタノール、エタノール、イン
プロパツール、ブタノール、２−メトキシエタノール、
１．２−ジメトキシエタン、ビスく２−メトキシエチル
）エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、トルエ
ン、キシレン、ジメチルスルホキシド、ＮＸＮ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ−メヂルビロリドン、　１，３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノンなどを挙げることができ
る。中でも極性溶媒、例えばＮ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド及びジメチルスルホキシドが好適である。

反応温度は１）使用する溶媒の塩基性触媒に対する安定
性、２）縮合成分（一般式（Ｉ）及び（Ｉ）の化合物）
の反応性、３）前記塩基性触媒中における縮合剤として
の反応性によって広範囲に選択することができる。例え
ば極性溶媒を用いるときは実際には室温から１００℃、
好ましくは室温から８０℃である。しかし反応時間の短
縮又は活性の低い縮合剤を使用するときはさらに高い温
度でもよい。このようにして得られる本発明にかかわる
新規なスチルベン誘導体を例示すれば次の通りである。

＝９− 本発明にかかわる新規なスヂルベン誘導体は電子写真用
感光体に於ける光導電性素材として極めて有用であり、
染料やルイス酸などの増感剤によって工学的あるいは化
学的に増感される。

また有機顔料あるいは無機顔料を電荷発生物質と覆るい
わゆる機能分前型感光体に於【プる電荷移動物質として
とりわけ有用である。

上記増感剤として例えばメチルバイＡレッ１〜、クリス
タルバイオレン１−等のトリアリルメタン染利、ローズ
′ベンカル、■リスロジン、ローダミンＢ等のキサンチ
ン染料、メチレンブルー等のチアジン染わ１．２，４．
７−１〜リニ１へロー９−フルオレノン、２，４−ジニ
１〜ロー９−フルオレノン等が挙げられる。

また有機顔料としてはシーアイピクメントブルー２５　
（ＣＴ　　Ｎｏ、２１１８０　）　、シーアイピグメン
トレッド４１　（ＣＩ　　Ｎｏ、２１２００　）　、シ
ーアイベーシックレッド３　（ＣＩ　　Ｎｏ、４５２１
０）等のアゾ系顔料、シーアイビグメンシブルー１６　
（ＣＩ　　Ｎｏ、　７４１００）等ノフタロシアニン系
顔料、シーアイバットブラウン５（ＣＩＮＯ，７３４１
０）　、シーアイバットダイ（ＣＩＮ　ｏ、　７３０３
０）等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレッドＢ１イン
ダンスレンスカーレットＲ等のペリレン系顔料が挙げら
れる。又、セレン、セレン−テルル、硫化カドミウム、
α−シリコン等の無機顔料も使用できる。

次に実施例により本発明を更に詳細に説明する。

実施例１ カリウム−ｔ−ブトキサイド１０．１（］をＮ、Ｎ１３
− 一ジメヂルホルムアミド８０　ｍβに分散し、これにエ
チルベンジルホスホン酸ジエチル〈バラ置換体とオルト
置換体の混合物）　１５．４ｇ（０，０６０モル）を水
冷下に加えた。更に、４−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ
）ベンス′アルデ′ヒト１６．４　ｇ（０，０６０モル
）をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド８０　ｎｕに溶解し
た液を加え、室温で約１２時間反応を行なった。

反応混合物を約６００ｍＡの水に投じ、生じた粘ちょう
な黄色固体を１〜ル工ン約２００ｍＪ！に溶解した。こ
の溶液を水洗した後、トルエン相を無水硫酸す１〜リウ
ムで処理し、１−ルエンを留去し、黄色固体を得た。こ
れをシクロヘキサン−エタノール混合溶媒で再結晶を行
ない、淡黄色針状晶１０．２２ｇ（収率４５．４％）を
得た。

融点は１４０．０〜１４１．５℃であり、元素分析値は
下記の通りであった。（泪算値は、４（あるいは２）−
エチル−４”−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）スチルベ
ンＣ２ａＨ２５ＮとしてＨ１瞳したものである。） １４− ０％　　　　　１」％　　　　　Ｎ％ 計算値　　　８９．５６　　　６，７１　　　３．７３
実測１ｉ１’ｌ　　　　８９　、６０　　　６　、８６
　　　３　、　［）／１赤外線吸収スペク１ヘル（ＫＢ
ｒ錠剤法）を第１図に示したが、９６５ｃｍ−’にトラ
ンスのＣ１１＝面外変角振動に基づく吸収が認められた
。

実施例２〜８ 実施例１において４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノベンズ
アルデヒドの代りに下記表１に示すアルデヒドを用いる
他は実施例１と同様に操作し新規なスチルベン誘導体を
得た。結果を表２に示す。

１５− １６− −　１７＝ 表２ 実施例　収率（％）　融点（’Ｃ）　　　元素分析値（
％）　実測値／計算値Ｎｏ、ＣＨＮ ２　　　　２２．４　　　６６．５　　　　８５，７０
　　　　９，３３　　　　４．８９〜６８．５　　　　
　／８５．９７　　　／　９．０２　　　／　５，０１
３　　　　４２．８　　　１２６，０　　　８９，４１
　　　　７，０４　　　　３，３１〜１２７．０　　　
　／８９．２８　　　／　７．２４　　　／　３．４７
４　　　　４３．２　　　１３７，０　　　８８．１３
　　　　７．２９　　　　４．５６〜１３８，０　　　
　／８８．１３　　　／　７．４０　　　／　４．４７
５　　　　３６．６　　　８８，０　　　　８７．８７
　　　　７，７１　　　　４．１２〜８８，５　　　　
　／８８．０３　　　／　７．７０　　　／　４．２８
６　　　　２２．２　　　８３，５　　　　８９．６１
　　　　６，９３　　　　３．６７〜８５，０　　　　
　／８９．４２　　　／　６．９９　　　／　３．６０
７　　　　３０．３　　　１１４，０　　　８５，９３
　　　　６，５０　　　　３．５２〜１１５，５　　　
　／８５，８９　　　／　６．７１　　　／　３．４５
８　　　　３４．７　　　１１４．５　　　８９，５１
　　　　６．９０　　　　３．７６〜１１６．Ｏ／８９
．４２　　　／　６．９９　　　／　３．６０１８−

【図面の簡単な説明】

第１図は４−Ｎ、Ｎ−シフ■ニルアミノスヂルベン、第
２図はα−（４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノフェニル）−
４−ジメチルアミノスチルベンの各々の赤外線吸収スペ
クトル図である。 特許出願人　　株式会社　リコー 代理人　　弁理士　　小松　秀臣 手続補正書 昭和５８年５月３０日 特許庁長官　若杉和夫　殿 １、事件の表示　　　　　特願昭５８−２４６９６号２
、発明の名称　　　　　スチルベン誘導体及びその製造
法３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 名　称　　　（６７４）株式会社リコー５、補正命令の
日付　　（自　発） ６、補正の対象 明細書中、発明の詳細な説明並びに図面の簡単な説明の
欄。 ７、補正の内容 １− （１）明細書中、第７頁下より第８行の１示される］を
１−で示される］と訂正する。 （２）第９頁第６行の１テトラハイドロフラン」を「テ
ｌ−ラヒドロフラン」と訂正する。 （３）第１９頁第２ないし５行の「第１図は６．。 スペクトル図である。」を下記の通り訂正する。 「第１図は４（あるいは２）−エチル−４−−（Ｎ、Ｎ
−ジフェニルアミノ）スチルベン。 第２図は４（あるいは２）−エチル−４−−Ｎ−エヂル
ーＮ−フェニルアミノ）スチルベンの各々の赤外線吸収
スペクトル（ＫＢｒ法）である。」 ２−

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（Ｉ） （式中、エチル基の置換位置はバラ位もしくはオル１へ
   位、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基またはハロゲン原子　Ｒ２及びＲ３は低級アルキル基
   、置換もしくは無置換のベンジル基、または置換もしく
   は無置換の）工二ル基、Ｒ４は水素原子または＠換もし
   くは無置換のフェニル基を表わす。） で示されるスチルベン誘導体。
2. （２）一般式（Ｉ［、） でＺｏはハロゲンイオンを示す）で表わされるトリフェ
   ニルホスホニウム基又は −ＰＯ（ＯＲ＞２　　（ここでＲは低級アルキル基を示
   す）で表わされるジアルキル亜ｖＡ酸基である］で表わ
   されるフェニル誘導体と、下記一般式（Ｉ） （式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
   キシ基またはハロゲン原子　Ｒ２及びＲ３は低級アルキ
   ル基、置換もしくは無置換のべ〉・ジル基、または置換
   もしくは無置換の）工二ル基、Ｒ４は水素原子または置
   換もしくは無置換のフェニル基を表わす。） で表わされるカルボニル化合物とを反応させることを特
   徴とする下記一般式（Ｉ） （式中、エチル基の置換位置はパラ位もしくはオルト位
   、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
   またはハロゲン原子、Ｒ２及びＲ３は低級アルキル基、
   置換もしくは無置換のベンジル基、または置換もしくは
   無置換のフェニル基、Ｒ４は水素原子または置換もしく
   は無置換のフェニル基を表わす。） で示されるスチルベン誘導体の製造法。