JPS59190931A - ジスチリル誘導体及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｕ分野 本発明は新規なジスチリル誘導体及びその製造法に関し
、電子写真用の有機光導電性素）オ及び螢光増白剤とし
て使用することができ、特に電子写真用の有機光２９電
性材料として有用な材料を提供するものである。

Ｉｉ 従来、電子写真方式において使用される感光体の有機光
導電性素材としてポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールをはじ
め数多くの材料が提案されている。

ここにいう「電子写真方式」とは一般に光導電性の感光
体を、まず暗所で例えばコロナ放電などにより帯電せし
め、ついで露光部のみの電荷を選択的に放電させること
により静電潜像を得て、この潜像部をトナーなどを用い
た現像手段で可視化して画像を形成するようにした画像
形成法の一つである。このような電子写真方式にお１プ
る感光体に要求される基本的な特性としては、１）暗所
において適当な電位に帯電されること、２）暗所におけ
る電荷の放電が少ないこと、３）光照射により速やかに
電荷を放雷すること、などが挙げられる。しかし、従来
の光導電性有機材料はこれらの要求をかならずしも満足
していないのが実状である。

一方、セレンや酸化亜鉛は光Ｓ電性無機材料として知ら
れており、中でもセレンは広く実用に供されている。し
かし、最近電子写真のプロセスの点から、感光体に対す
る種々の要求、即わち一例どして前述の基本的特性に加
えて、例− えばその形状についても可撓性のあるベルト状の感光体
などが要求されるようになってきている。しかし、セレ
ンの場合は一般にこのような形状のものに作成でること
は困難である。

目　　　　的 本発明の目的は上記のような感光体における光導電性素
材の持つ欠点を除去した、特に光導電性素材として有用
な新規なジスチリル誘導体及びその製造法を提供するこ
とである。

構　　　成 第１の発明は、一般式（Ｔ） ５− （式中、Ｒ１及びＲ２は低級アルキル基、ベンジル基、
または置換もしくは無置換の）工二ル基を表わす）を表
わし、ｎは２または３の整数である。） で示されるジスチリル誘導体である。

第２の発明は、一般式（ＩＩ） ７°はハロゲンイオンを示す）で表わされるトリフェニ
ルホスホニウム基、又は −ＰＯ（ＯＲ）２　　（ここでＲは低級アルキル基を示
す）で表わされるジアルキル亜ｖＡ酸基である１ で表わされるフェニル誘導体と、下記一般式（） Ａ　ｒ　　＋　ＣＨ＝　ＣＩ」−）−ｍ　Ｃｔ−Ｉ　Ｏ
−−（ＩＩＩ　）（式中、Ａｒは置換もしくは無置換の
ナフチル（式中Ｒ１及び１で２は低級アルギル基、ベン
ジル基、または置換もしくは無置換の〕■ニル基を表わ
す）を表わし、像はＯまたは１の整数である。） で表わされるアルデヒド化合物とを反応させることを特
徴とするト記一般式（Ｉ） （式中、Ａｒは置換もしくは無置換のナフチル２ （式中、Ｒ１及びＲ２は低級アルキル基、ベンジル基、
または置換もしくは無置換のフェニル基を表わす）を表
わし、ｎは２または３の整数である。） で表わされるジスチリル誘導体の製造法である。

前記一般式（丁）ならびに（ＩＩＴ）中、Ｒ１またはＲ
７におけるフェニル基上の置換基としては、アルキル基
、アルコキシ基、チオアルコキシ基、ヂオフエノキシ基
、ハロゲン原子、ジアルキルアミノ基、ヒドロキシ基、
カルボキシ基及びそのエステル、アシル基、アリールオ
キシ基、アラルキルオキシ基、トリフルオロメチル基、
ニトロ基またはシアノ基などが挙げられる。

本発明で用いる一般式（Ｉ［）で表わされるフェニル誘
導体は対応するハロメチル化合物と亜リン酸トリアルキ
ル又はトリフェニルホスフィンとを直接あるいはトルエ
ン、テトラハイドロフラン、Ｎ　　、Ｎ−ジメチルホル
ムアミドなどの溶媒中で加熱することにより容易に製造
される。

ここで亜リン酸トリアルキルとしては炭素数１〜４のア
ルキル基、特にメチル基、エチル基が好ましい。

こうして１ｑられた一般式（Ｉ）で表わされるフェニル
誘導体と一般式（Ｉ）で表わされるアルデヒド化合物と
を１ｎ基性触媒の存在下、室温から１００℃程度の温度
において反応させる。

塩基性触媒としては苛性ソーダ、苛性カリ、ナ１〜リウ
ムアミド水素化ナトリウム及びナトリウムメチラート、
カリウム−１−ブトキサイドなどのアルコラードを挙げ
ることができる。また、反応溶媒どしてはメタノール、
エタノール、イソプロパツール、ブタノール、２−メト
キシエタノール、１．２−ジメトキシエタン、ビス（２
−メトキシエチル）エーテル、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホキシド
、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メヂルビロリド
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどを挙
げることができる。中でも極性溶媒、例えばＮ１Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、及びジメチルスルホキシドが好適
である。

反応温度は１）使用する溶媒の塩基性触媒に一〇一 対する安定性、２）縮合成分く一般式（Ｉ）及び（ＩＩ
）の化合物）の反応性、３）前記塩基性触媒中における
縮合剤としての反応性によって広範囲に選択することが
できる。例えば極性溶媒を用いるときは実際には室温か
ら１００℃好しくは室温から８０℃である。しかし反応
時間の短縮又は活性の低い縮合剤を使用するときはさら
に高い温度でもよい。このようにして得られる本発明に
かかわる新規なジスチリル誘導体を例示すれば次の通り
である。

１０− 本発明にかかわる新規なジスチリル誘導体ｔま、電子写
真用感光体に於ける光導電性素材として極めて有用であ
り、染料やルイス酸などの増感剤によって光学的あるい
は化学的に増感される。

また有機顔料あるいは無機顔料を電荷発生物質とするい
わゆる機能分離型感光体に於ける電荷移動物質としてと
りわけ有用である。

上記増感剤として例えばメチルバイオレット、クリスタ
ルバイオレット等のトリアリルメタン染料、ローズベン
ガル、エリスロシン、ローダミンＢ等のサンテン染利、
メチレンブルー等のアジン染料、２，４．７−　ｔ−リ
ニトロー９−フルオレノン、２，４−ジニトロ−９−フ
ルオレノン等が挙げられる。

また有機顔料としてはシーアイピグメントブルー２５　
（ＣＩ　　Ｎｏ、２１１８０　）　、シーアイピグメン
トレッド４１　（ＣＩ　　Ｎｏ、２１２００　）　、シ
ーアイベーシックレッド３　（ＣＩ　　Ｎｏ、　４５２
１０）等のアゾ系顔料、シーアイビグメンシブルー１６
　（ＣＩ　　Ｎｏ、　７４１００）等のフタロシアニン
系顔料、シーアイバラミーブラウン５（ＣＩＮｏ、　７
３４１０）　、シーアイバイオレットダイ（ＣＩ　　Ｎ
　ｏ、７３０３０）等のインジゴ系顔料、アルゴスカー
レットＢインタンスレンスカーレットＲ等のペリレン系
顔静１が挙げられる。又、セレン、セレン−テルル、硫
化カドミウム、α−シリコン等の無機材料も使用できる
。

次に実施例により本発明を更に詳細に説明する。

実施例１ トランス　シンナミルホスホン酸ジエチル５．０９　ｇ
　　（０，０２モル）と、４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミ
ノベンズアルデヒド５．４７　（］（００，０２モルを
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド４０　ｍρに溶解し、こ
れにナトリウムメトキシドの２８％メタノール溶′ｆ１
４，６３　ｆｌを２７〜３５℃で４０分を要して滴下し
た。滴を後、室温で３時間攪拌を行ない、６０　Ｉｎ℃
のメタノールで希釈し結晶を濾取、水洗、乾燥し黄色結
晶６．２０（］（収率８３．０％）を得た。融点は１５
７．５〜１５９．０℃で１３− あった。

次いで、ジオキサン−エタノールの混合溶媒から再結晶
し、黄色針状結晶、融点１５８．５〜１６０．５℃の１
−フェニル−４，−（４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノフ
ェニル）−１，３−ブタジェンの純品を得た。

元素分析値は、 ０％　　Ｈ％　Ｎ％ Ｃ２ｅ　Ｈ２３Ｎ としての計算値　　　　９０．０３　６，２２　３．７
５実測値　　　　　　　　９０．１６　６，２２　３．
８４赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図に示し
たが、９８５ｃｍ−’にトランスのＣＨ−面外変角振動
に基づく吸収帯が認められた。

実施例２ トランス　トリフェニルホスホニウムシンナミルクロラ
イド８．３０　（Ｊ　　（０，０２モル）と、４−Ｎ。

Ｎ−ジフェニルアミノベンズアルデヒド５．４７　（］
（００，０２モルをＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド４０
＋Ｊに溶解し、これにナトリウムメトキシドの１４− ２８％メタノール溶液４，６３　！ＩＩを２５〜３０℃
τ・３０分を要（）て滴下した。滴下後、室温で４時間
攪拌を行ない、４０ｍｆ！、の水で希釈した。生成物を
水洗、次いでメタノール洗浄後、乾燥した。

次いで、機部のヨウ素と共に１〜ルＴンーｎ−ヘキサン
の混合溶媒から再結晶し、黄色針状結晶、融点１５７．
５〜１５９，５°Ｃの１−ノ■ニル−４−（４−Ｎ、Ｎ
−ジフェニルアミノフ丁ニル）−１，３＝ブタジエンの
純品５．ｏ８ｇ（収率６８．０％）を１りｌこ　。

元素分析顧は、 ０％　　Ｈ％　Ｎ％ Ｃｚｅｌ−１７ａＮ としての泪算値　　　　９０．０３　６．２２　３．７
’、＋実測値　　　　　　　　９０，１２　　ｆ’ｉ、
１９　３．８２赤外線吸収スペク１〜ル（ＫＢｒ錠剤法
）は実施例１のものと一致した。

実施例３〜１２ 実施例１において、ｌ−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノベン
ズアルデヒドのかわりに下記表１に示すアルデヒドを用
いる他は実施例１と同様に操作し、新規なジスチリル誘
導体を得た。結果を表２に示す。

表２ 効　　　　果 以上の説明から明らかなように、本発明に係るジスチリ
ル誘導体は新規な化合物であって、特に電子写真用の有
機光導電性材料として有効なものである。

【図面の簡単な説明】

図は１−フェニル−４−（４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミ
ノフェニル）−１，３−ブタジェンの赤外線吸収スペク
トル図である。 特許出願人　株式会社　リコー 代理人　弁理士　　小松　秀岳

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　一般式（■） （式中、Ａ「は置換もしくは無置換のナフチル２ （式中、Ｒ１及びＲ７は低級アルキル基、ベンジル基、
   または置換もしくは無置換の〕工二ル基を表わす）を表
   わし、ｎは２または３の整数である。） で示されるジスチリル誘導体。
2. （２）　　一般式（Ｉ） Ｚｏはハロゲンイオンを示す）で表わされる◆ トリフェニルホスホニウム基、又は −ＰＯ（ＯＲ）２　　（ここでＲは低級アルキル基を示
   す）で表わされるジアルキル亜燐Ｍ基である１ で表わされるフェニル誘導体と、下記一般式（） ％式％（） （式中、Ａｒは置換もしくは無置換のナフチル（式中Ｒ
   １及びＲ２は低級アルキル基、ベンジル基、または置換
   もしくは無置換のフェニル基を表わす）を表わし、ｍは
   Ｏまたは１の整数である。） で表わされるアルデヒド化合物とを反応させることを特
   徴とする下記一般式（Ｉ） ２− （式中、八「は置換もしくは無置換のブーフチＪしく式
   中、Ｒ１及びＲ７は低級アルキル基、ベンジル基、また
   は置ｅ！：ｔ）１ツクは無置換のフェニル塞を表わす）
   を表わし、ｎは２また（ま３の整数である。） で表わされるジスチリル誘導体の製造”。