JPH0224864B2

JPH0224864B2 -

Info

Publication number: JPH0224864B2
Application number: JP57080115A
Authority: JP
Inventors: Masaomi Sasaki
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1982-05-14
Filing date: 1982-05-14
Publication date: 1990-05-30
Also published as: JPS58198425A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は新規なα−フエニルスチルベン誘導体
及びその製造法に関する。本発明のα−フエニルスチルベン誘導体は、電
子写真用の有機光導電性素材及び螢光増白剤とし
て使用することができる。特に後述するように電
子写真用の有機光導電性材料として有用である。従来、電子写真方式において使用される感光体
の有機光導電性素材としてポリーＮ−ビニルカル
バゾールをはじめ数多くの材料が提案されてい
る。ここにいう「電子写真方式」とは一般に光導電
性の感光体をまず、暗所で例えばコロナ放電など
により帯電せしめ、ついで露光部のみの電荷を選
択的に放電させる事により静電潜像を得て、この
潜像部をトナーなどを用いた現像手段で可視化し
て画像を形成するようにした画像形成法の一つで
ある。このような電子写真方式における感光体に
要求される基本的な特性としては、１）暗所にお
いて適当な電位に帯電されること、２）暗所にお
ける電荷の放電が少ないこと、３）光照射により
速やかに電荷を放電すること、などが挙げられ
る。しかし従来の光導電性有機材料はこれらの要
求をかならずしも十分に満足していないのが実状
である。一方、セレンや酸化亜鉛は光導電性無機材料と
して知られており、中でもセレンは広く実用に供
されていることは事実である。しかし最近電子写
真のプロセスの点から、感光体に対する種々の要
求、すなわち一例として前述の基本的特性に加え
て、例えばその形状についても可撓性のあるベル
ト状の感光体などが要求されるようになつて来て
いる。しかしセレンの場合は一般にこのような形
状のものに作成することは困難である。本発明の目的は、上述のような感光体に於ける
光導電性素材のもつ欠点を除去した、殊に光導電
性素材として有用な新規なα−フエニルスチルベ
ン誘導体及びその製造法を提供することである。即ち第１の発明は、一般式（）（式中Ａは

【式】９−アントリル基またはＮ−アルキルカルバゾリル基を示し、
Ｒは低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲ
ン原子を示し、R¹及びR²は低級アルキル基、ベ
ンジル基、または無置換あるいは低級アルキル
基、低級アルコキシ基もしくはハロゲン置換のフ
エニル基を示し、ｍは０または１の整数、ｎは０
または１の整数を示す。）で表わされるα−フエ
ニルスチルベン誘導体。第２の発明は、（R³は低級アルキル基を示す）で表わされる
１，１−ジフエニルメチル誘導体と次の一般式（） OHC（−CH＝CH）−nA （）（式中はＡは

【式】９−アントリル基またはＮ−アルキルカルバゾリル基を示
し、Ｒは低級アルキシ基、低級アルコキシ基、ハ
ロゲン原子を示し、R¹およびR²は低級アルキシ
基、ベンジル基、または無置換あるいは低級アル
キル基、低級アルコキシ基もしくはハロゲン置換
のフエニル基を示し、ｍは０または１の整数、ｎ
は０または１の整数を示す。）で表わされるアル
デヒド化合物とを反応させることを特徴とする次
の一般式（）（式中Ａおよびｎは上記で定義したとおりであ
る。）で表わされるα−フエニルスルベン誘導体
の製造法である。本発明で用いる一般式（）で表わされる１，
１−ジフエニルメチル誘導体は、対応するハロメ
チル化合物と亜リン酸トリアルキルとを直接ある
いはトルエン、キシレン等の溶媒中で加熱するこ
とにより容易に製造される。ここで亜リン酸トリ
アルキルとしては炭素数１〜４のアルキル基、特
にメチル基、エチル基が好ましい。こうして得られた一般式（）で表わされる
１，１−ジフエニルメチル誘導体と一般式（）
で表わされるアルデヒド化合物とを塩基性触媒の
存在下、室温から100℃程度の温度において反応
させる。塩基性触媒としては、苛性ソーダ、苛性カリ、
ナトリウムアミド、水酸化ナトリウム及びナトリ
ウムメチラート、カリウム−ｔ−ブトキサイドな
どのアルコラートを挙げることができる。また反
応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ブタノール、２−メトキシエタノ
ール、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メ
トキシエチル）エーテル、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、トルエン、キシレン、ジメチルスル
ホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−
メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミ
ダゾリジノンなどを挙げることができる。中でも
極性溶媒、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドおよびメチルスルホキシドが好適である。反応温度は、１）使用する溶媒の塩基性触媒に
対する安定性、２）縮合成分〔一般式（）及び
（）の化合物〕の反応性、３）前記塩基性触媒
の溶媒中における縮合剤としての反応性によつて
広範囲に選択することができる。例えば極性溶媒
を用いる時は、実際には室温から100℃、好まし
くは室温から80℃である。しかし、反応時間の短
縮又は活性の低い縮合剤を使用する時は更に高い
温度でもよい。この様にして得られる本発明にかかわる新規α
−フエニルスチルベン誘導体を例示すれば次の通
りである。本発明にかかわる新規α−フエニルスチルベン
誘導体は、電子写真用感光体に於ける光導電性素
材として極めて有用であり、染料やルイス酸など
の増感剤によつて光学的あるいは化学的に増感さ
れる。また有機顔料あるいは無機顔料を電荷発生
物質とするいわゆる機能力離型感光体に於ける電
荷移動物質としてとりわけ有用である。上記増感剤として例えばメチルバイオレツト、
クリスタルバイオレツト等のトリアリルメタン染
料、ローズベンガル、エリスロシン、ローダミン
Ｂ等のキサンテン染料、メチレンブルー等のチア
ジン染料、２，４，７−トリニトロ−９−フルオ
レノン、２，４−ジニトロ−９−フルオレノンが
挙げられる。また有機顔料としては、シ−アイピグメントブ
ルー25（C.l.No.21180）、シーアイピグメントレツ
ド41（C.l.No.21200）、シーアイベーシツクレツド
３（C.l.No.45210）等のアゾ系顔料、シーアイピ
グメントブルー16（C.l.No.74100）等のフタロシ
アニン系顔料、シーアイバツトブラウン５（C.l.
No.73410）、シーアイバツトダイ（C.l.No.73030）
等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレツトＢ、イ
ンダンスレンスカーレツトＲ等のペリレン系顔料
が挙げられる。又、セレン、セレン−テルル、硫
化カドミウム、α−シリコン等の無機顔料も使用
できる。次に実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。実施例１１，１−ジフエニルメチルホスホン酸ジエチル
3.04ｇ（0.010モル）と４−Ｎ，Ｎ−ジメチルア
ミノベンズアルデヒド1.49ｇ（0.010モル）を１，
２−ジメトキシエタン20mlに加え、これに50％
水素化ナトリウム0.50ｇを加えた。室温で３時間
かきまぜを行なつた後、30分加熱還流した。室温
迄放冷した後反応混合物を水200mlに注ぎ、生成
した沈澱物を濾取、水洗乾燥した。収量は2.0ｇ
（収率66.7％）であつた。エタノールから再結晶
し、淡黄色板状結晶のα−フエニル−4′−Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノスチルベンの純品を得た。融点
は125.0〜125.5℃であつた。元素分析値はC₂₂H₂₂Nとして下記のとおりであ
つた。

【表】赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法）を第１
図に示した。実施例２〜16 実施例１において４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
ベンズアルデヒドの代わりに下記表に示すアルデ
ヒドを用いる他は実施例１と同様に操作し、新規
なα−フエニルスチルベン誘導体を得た。結果を
表１に示す。又、実施例４で得られたα−フエニ
ル−4′−Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノスチルベンの
赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法）を第２図
に、実施例８で得られたα−フエニル−4′−Ｎ，
N′−ジフエニルアミノスチルベンの赤外線吸収
スペクトル（KBr錠剤法）を第３図に、実施例
10で得られた１，１−ジフエニル−２−（３−Ｎ
−エチルカルバゾリル）エチレンの赤外線吸収ス
ペクトル（KBr錠剤法）を第４図にそれぞれ示
した。

【表】

【表】実施例 17 １，１−ジフエニルメチルホスホン酸ジエチル
6.50ｇ（0.021モル）と、４−Ｎ，Ｎ−ジフエニ
ルアミノベンズアルデヒド5.84ｇ（0.021モル）
をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒド40mlに溶
解し、これにカリウム−ｔ−ブトキサイド2.83ｇ
（0.025モル）を21〜33℃にて20分を要して添加し
た。添加後室温で４時間撹拌を行なつた後、反応
混合物を60mlの氷水に注ぎ生成した沈澱を濾取、
水洗、乾燥し8.20ｇ（収率90.6％）の粗製品を得
た。次いで、トルエン−エタノール混合溶媒から再
結晶液、得られた淡黄色針状結晶を濾取し、メタ
ノールで洗浄した後、乾燥してα−フエニル−
4′−Ｎ，Ｎ−ジフエニルアミノスチルベンの純品
を得た。融点は94.0〜95.0℃であつた。元素分析値はC₃₂H₂₅Nとして下記のとおりであ
つた。

【表】赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法）を第５
図に示した。応用例１電荷発生物質として下記構造式の化合物 76部（重量部、以下同じ）、ポリエステル樹脂
（バイロン200(株)東洋紡績製）の２％テトラヒドロ
フラン溶液1260部およびテトラヒドロフラン3700
部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液
をアルミニウム蒸着したポリエステルフイルムの
アルミニウム面上にドクターブレードを用いて塗
布し、自然乾燥させて厚さ約1μmの電荷発生層を
形成した。一方、電荷輸送物質として、α−フエニル−
4′−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノスチルベン２部、ポ
リカーボネート樹脂（パンライトK1300、(株)帝人
製）２部およびテトラヒドロフラン16部を混合溶
解して溶液とした後、これを前記電荷発生層上に
ドクターブレードを用いて塗布し、80℃で２分
間、ついで105℃で５分間乾燥させ厚さ約20μｍ
の電荷輸送層を形成せしめて感光体No.1を作成
した。応用例２〜７応用例１におけるα−フエニル−4′−Ｎ，Ｎ−
ジエチルアミノスチルベンにかえて、表２に示し
たα−フエニルスチルベン誘導体を用いた以外は
応用例１と同様にして感光体No.2〜７を作成し
た。

【表】

【表】このようにして作成した感光体No.1〜７につ
いて、市販の静電複写試験装置（川口電機製作所
製SP428型）を用いて、−6KVのコロナ放電を20
秒間行なつて帯電せしめた後20秒間暗所に放置
し、その時の表面電位Vpo（ボルト）を測定し、
ついでタングステンランプ光を感光体表面の照度
が20ルツクスになるように照射して、表面電位が
Vpoの２分の１になるまでの時間（秒）を求め、
露光量Ｅ1/2（ルツクス・秒）を算出した。その
結果は表３の通りであつた。

【表】

【表】次に、応用例１のα−フエニル−4′−Ｎ，Ｎ−
ジエチルアミノスチルベンにかえて表４に示す化
合物を用いた以外は応用例１と同様にして比較感
光体No.1〜４を作成し、上記の測定と同様にし
てVpoおよびＥ1/2を求めた。その結果は表５の
通りであつた。

【表】

【表】以上のように、本発明のα−フエニルスチルベ
ン誘導体は、特に電子写真感光体において優れた
性質を示すものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１で得られた化合物の、第２図
は実施例４で得られた化合物の、第３図は実施例
８で得られた化合物の、第４図は実施例１０で得
られた化合物の、第５図は実施例17で得られた化
合物の各々の赤外線吸収スペクトル図（KBr錠
剤法）である。

Claims

【特許請求の範囲】１一般式（）（式中Ａは【式】９−アントリル基またはＮ−アルキルカルバゾリル基を示し、
Ｒは低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲ
ン原子を示し、R¹及びR²は低級アルキル基、ベ
ンジル基、または無置換あるいは低級アルキル
基、低級アルコキシ基もしくはハロゲン置換のフ
エニル基を示し、ｍは０または１の整数、ｎは０
または１の整数を示す。）で表わされるα−フエ
ニルスチルベン誘導体。２一般式（）（R³は低級アルキル基を示す）で表わされる
１，１−ジフエニルメチル誘導体と次の一般式
（） OHC（−CH＝CH）−ｎＡ（）（式中Ａは【式】９−アントリル基またはＮ−アルキルカルバゾリル基を示し、
Ｒは低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲ
ン原子を示し、R¹及びR²は低級アルキル基、ベ
ンジル基、または無置換あるいは低級アルキル
基、低級アルコキシ基もしくはハロゲン置換のフ
エニル基を示し、ｍは０または１の整数、ｎは０
または１の整数を示す。）で表わされるアルデヒ
ド化合物とを反応させることを特徴とする次の一
般式（）（式中Ａおよびｎは上記で定義したとおりであ
る。）で表わされるα−フエニルスチルベン誘導
体の製造法。