JPH1184385A - パターン形成されたリターダの製造方法とパターン形成されたリターダ、および照明用光源 - Google Patents

パターン形成されたリターダの製造方法とパターン形成されたリターダ、および照明用光源

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JPH1184385A
JPH1184385A JP10182987A JP18298798A JPH1184385A JP H1184385 A JPH1184385 A JP H1184385A JP 10182987 A JP10182987 A JP 10182987A JP 18298798 A JP18298798 A JP 18298798A JP H1184385 A JPH1184385 A JP H1184385A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 標準的な液晶装置の製造に適合する様式で、
材料とホトリソグラフ技術とを用いるパターン形成され
たリターダを製造する方法を提供する。 【解決手段】 パターン形成されたリターダは、配向層
を設ける工程と、該配向層を第1のラビング方向にラビ
ングする工程と、該配向層の少なくとも1つの第1の領
域をマスクを用いてマスクして、該配向層の少なくとも
1つの第2の領域を露出させる工程と、該第1のラビン
グ方向とは異なる第2のラビング方向に、該マスクを通
して該少なくとも1つの第2の領域をラビングする工程
と、該マスクを除去する工程と、光学軸が該配向層によ
って配向される、複屈折材料で形成される層を、該配向
層上に設ける工程と、該複屈折材料で形成される層の該
光学軸を固定する工程とを包含する方法によって、パタ
ーン形成されたリターダの製造方法によって製造され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願発明は、パターン形成さ
れたリターダの製造方法と、それにより製造されたパタ
ーン形成されるリターダ、および照明用光源に関する。
このような光学装置は、例えば3次元ディスプレイなど
に、広く適用される。また、本願発明は、照明用光源に
も関する。
【0002】
【従来の技術】米国特許第5,327,285号は、化学エッチ
ング、あるいは、ポリビニルアルコール(PVA)のよ
うな複屈折材料の機械的な除去によって、パターン形成
されたリターダを製造する工程を開示している。しかし
ながら、このような技術は、パターンの異なる領域によ
って吸光特性が異なるという欠点を有する。このよう
な、効果を減少させるために、平坦化工程が続いて行わ
れ得る。しかし、これは、更なる処理工程の追加を必要
とする。さらに、その領域のエッジの定義は比較的不十
分である。この技術では、1枚の基板上に異なるリター
ダ配向を有する領域を形成することができない。かわり
に、2枚以上の基板が処理され、また、正確な位置合わ
せ(registration)で、互いの基板が積層されなければな
らない。
【0003】EP0 689 084は、複屈折材料のパターン形
成された配向層として用いら得る、線状光重合性材料を
開示している。リターダ配向の異なる領域を有するリタ
ーダを製造するためには、2回以上のホトリソグラフ工
程が必要とされ、線状光重合性材料は、露光される。こ
れらのホトリソグラフ工程は、互いに正確に位置決めさ
れなければならず、このことは製造の困難さおよび製造
コストを増加させる。さらに、このタイプの材料は、0
あるいは低いプレチルトを有し、このことにより、複屈
折材料中にチルトディスクリネーション壁を形成し得
る。
【0004】液晶装置のパターン形成された配向層
は、"TN-LCD fabricated by reverse rubbing or doubl
e evaporation",Chen et al. SID 95 Digest p865と、"
Two domain 80deg twisted nematic LCD for grey scal
e applications", Yang,JapaneseJournal of Applied P
hisics, vol. 31,part 2, number 11B pL1603および"A
complementary TN LCD with wide viewing angle grey
scale, "Takatori et al.,Japan Display 1992, p591に
開示されている。特に、これらの出版物は、視覚特性が
向上された多層ドメイン液晶装置を開示している。
【0005】"Photoalignment and patterning of LCD
s", SID Information Display 12-97は、マスク工程が
1回で済み、プレチルトを制御できる新材料をを説明し
ている。この論文は、複数のラビング技術が、高い分解
能のパターン形成に適さないことを説明している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、米国特
許第5,327,285号に開示される、パターン形成されたリ
ターダを製造する技術は、パターンの異なる領域によっ
て吸光特性が異なるという欠点を有するために、平坦化
工程を行う必要がある。しかし、これは、更なる処理工
程の追加を必要とし、さらに、その領域のエッジの定義
は比較的不十分である。
【0007】また、EP0 689 084によると、2回以上の
ホトリソグラフ工程が必要とされ、これらのホトリソグ
ラフ工程は、互いに正確に位置合わせされなければなら
ず、さらに、複屈折材料中にチルトディスクリネーショ
ン壁を形成し得る。
【0008】"Photoalignment and patterning of LCD
s", SID Information Display 12-97は、複数のラビン
グ技術が、高い分解能のパターン形成に適さないことを
説明している。
【0009】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、標準的な液晶装置(LCD)の
製造に適合する様式で、材料とホトリソグラフ技術とを
用いるパターン形成されたリターダを製造する方法を提
供することを目的とする。
【0010】また、平坦化層あるいは追加の層が必要と
されない、平坦なリターダを提供することを目的とす
る。
【0011】また、機械的手段あるいは化学的エッチン
グ方法を用いて、材料を選択的に除去させることによっ
て提供されるパターン形成よりも、非常に微細な細部の
パターン形成を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本願発明のパターン形成
されたリターダの製造方法は、配向層を設ける工程と、
該配向層を第1のラビング方向にラビングする工程と、
該配向層の少なくとも1つの第1の領域をマスクを用い
てマスクして、該配向層の少なくとも1つの第2の領域
を露出させる工程と、該第1のラビング方向とは異なる
第2のラビング方向に、該マスクを通して該少なくとも
1つの第2の領域をラビングする工程と、該マスクを除
去する工程と、光学軸が該配向層によって配向される、
複屈折材料で形成される層を、該配向層上に設ける工程
と、該複屈折材料で形成される層の該光学軸を固定する
工程とを包含し、このことにより、上記目的が達成され
る。
【0013】前記少なくとも1つの第1の領域は複数の
第1の領域を含み、前記少なくとも1つの第2の領域は
複数の第2の領域を含み、該第1の領域と該第2の領域
とは、規則的な配列で配置されてもよい。前記第1の領
域と前記第2の領域は、交互に配置された、第1のスト
リップと、第2のストリップとを有する、請求項2に記
載のパターン形成されてもよい。
【0014】前記第1のラビング方向は前記少なくとも
第1の領域の第1の所望の配向方向と実質的に同じであ
り、前記第2のラビング方向は、第2の所望の配向方向
とは異なり、該第2の所望の配向方向は前記少なくとも
1つの第2の領域の該第1の所望の配向方向とは異なっ
てもよい。
【0015】前記第1のラビング方向と前記第2のラビ
ング方向との間の角度が、前記第1の配向方向と前記第
2の配向方向との間の角度よりも大きくてもよい。
【0016】前記第1のラビング方向のラビングが、前
記第2のラビング方向のラビングよりも軽くてもよい。
【0017】前記複屈折材料は重合可能材料あるいは架
橋可能材料を有してもよい。
【0018】前記複屈折材料は照射によって重合可能あ
るいは架橋可能であり、前記固定工程は前記複屈折材料
で形成される層を照射する工程を包含してもよい。
【0019】前記複屈折材料で形成される層は紫外線に
よって照射されてもよい。
【0020】前記複屈折材料は、熱重合あるいはカチオ
ン重合によって重合可能であってもよい。
【0021】前記複屈折材料で形成される層は、重合可
能晶材料を有してもよい。
【0022】前記重合可能液晶材料は、液晶モノマーお
よびオリゴマーのうちの少なくとも1つの物質を有して
もよい。
【0023】前記複屈折材料で形成される層は、反応性
メソゲンを有してもよい。
【0024】前記複屈折材料で形成される層は、ジアク
リレートを含む液晶材料を有してもよい。
【0025】前記複屈折材料で形成される層は、2色性
材料を有してもよい。
【0026】前記2色性材料は、少なくとも1つの2色
性染料を有してもよい。
【0027】前記マスク工程は、前記配向層上にホトリ
ソグラフ技術でマスクを形成する工程を包含してもよ
い。。前記マスク工程は、前記配向層上にあらかじめ形
成されたマスクとしてマスクを設ける工程を包含しても
よい。
【0028】前記配向層は、ポリイミド、ポリアミド、
ポリビニルアセテートおよびポリビニルアルコールから
なる群から選択される物質を有してもよい。
【0029】前記配向層は、基板上に形成されてもよ
い。
【0030】前記基板が、偏光子を備えてもよい。
【0031】前記配向層が、ガラスあるいはプラスチッ
ク基板を有してもよい。
【0032】前記マスク工程と、該マスク工程の後の前
記ラビング工程、除去工程が、異なる方向に対して少な
くとも1回繰り返されてもよい。
【0033】本願発明のパターン形成されたリターダの
製造方法は、配向層を設ける工程と、マスクを用いて該
配向層の少なくとも1つの第1の領域をマスクして、該
配向層の少なくとも1つの第2の領域を露出させる工程
と、第1のラビング方向にマスクを通して該少なくとも
1つの第2の領域をラビングする工程と、マスクを除去
する工程と、該配向層を該第1のラビング方向とは異な
る第2のラビング方向にラビングする工程と、光学軸が
該配向層によって配向される複屈折材料で形成される層
を該配向層上に設ける工程と、該複屈折材料から形成さ
れる層の光学軸を固定する工程とを包含し、このことに
より、上記目的が達成される。
【0034】本願発明のパターン形成されたリターダ
は、上記に記載のパターン形成されたリターダの製造方
法によって形成され、このことにより、上記目的が達成
される。
【0035】本願発明の照明用光源は、光源を備える照
明用光源であって、複数対の第1の偏光ビームスプリッ
タおよび第2の偏光ビームスプリッタと、上記に記載の
パターン形成されたリターダの製造方法によって形成さ
れたリターダを備え、第1の偏光ビームスプリッタのそ
れぞれは、該配向層の第1の領域によって配向される複
屈折材料で形成される層の第1の領域に対して第1の偏
光を透過するように配置され、かつ、各該複数対の第1
の偏光ビームスプリッタおよび第2の偏光ビームスプリ
ッタのうちの該第2のスプリッタに対して該第1の偏光
に直交する第2の偏光を反射するように配置され、該1
対の該第2のスプリッタは該配向層の前記第2の領域に
よって配向される複屈折材料で形成される層の第2の領
域に対して該第2の偏光を反射するように配置され、該
複屈折材料で形成される層の少なくとも1つの該第1の
領域と該第2の領域は、それぞれの該スプリッタからの
偏光を変化させるように配置され、該複屈折材料で形成
される層の該第1の領域と該第2の領域を通る光が実質
的に同じ均一な偏光状態であり、このことにより、上記
目的が達成される。
【0036】以下、作用について説明する。
【0037】本願発明のパターン形成されたリターダの
製造方法によると、配向層を第1のラビング方向にラビ
ングし、配向層の第1の領域をマスクして、配向層の第
2の領域を露出させ、第1のラビング方向とは異なる第
2のラビング方向に、第2の領域をラビングし、光学軸
が該配向層によって配向される、複屈折材料で形成され
る層を配向層上に設け、複屈折材料で形成される層の光
学軸を固定する。
【0038】従って、標準的な液晶装置(LCD)の製
造に適合する様式で、材料とホトリソグラフ技術とを用
いるパターン形成されたリターダを製造する方法を提供
することができる。さらに、例えば、EP 0 689 084のよ
うに、互いに、正確な位置合わせと調整を必要とする複
数のホトリソグラフ工程を使用することを避けることが
できる。任意の標準的な液晶配向層が用いられ得る。液
晶装置の内部素子として用いられる、適当なプレチルト
および電圧保持率特性を有する配向層が知られている。
もし配向層のプレチルトが上述のあらかじめ決められた
レベルを越えれば、その正確な値は重要ではない。
【0039】平坦化層あるいは追加の層が必要とされな
い、平坦なリターダを提供することができる。例えば、
可視スペクトル領域の弱い吸収によって引き起こされる
複屈折材料のあらゆる着色は、配向層の配向方向に関わ
らず、リターダ中で均一である。このように、公知の構
成においては、例えば材料の除去あるいは、後に行われ
る平坦化によって引き起こされる着色の変化を実質的に
避けることができる。
【0040】機械的手段あるいは化学的エッチング方法
を用いて、材料を選択的に除去させることによって提供
されるパターン形成よりも、非常に微細な細部のパター
ン形成を提供することができる。その配向膜は、例えば
0.2のオーダーのような、高い屈折率異方性を有する
複屈折材料と適合するので、PVAに基づく公知の技術
によって製造され得る波長板よりもかなり薄い波長板を
製造することが可能である。例えば、波長が500nm
に対して設計されたPVA半波長板は、約10から20
μm厚である。このような厚い材料上にウエット化学エ
ッチング法を用いると、必然的に明確なエッジを形成で
きない。このことは、ピクセルのピッチが層の厚さと同
じオーダーであるときに、特別な問題となる。本願発明
を用いれば、約1から2μm厚の波長板を提供すること
ができる。このような薄い波長板は、材料を除去する必
要がないので、材料の消費を低減し、マスク視差を低減
することによって、改良されたエッジ定義を提供するこ
とができる。この技術は、従来の液晶装置の製造方法と
適合するので、上記の薄い波長板は、液晶装置の外部あ
るいは内部に設けられ得る。
【0041】
【発明の実施の形態】図1(a)および(b)に図示さ
れるパターン形成されたリターダは、例えばガラスで形
成される基板1、その基板上に後述する方法によって形
成される配向層6および複屈折層8を備える。配向層6
は、規則的に配列された第1の領域Aおよび規則的に配
列された第2の領域Bを備える。領域AおよびBは互い
に、交互のストライプ状に形成される。複数の第1の領
域Aは、同一の配向方向10を有し、複数の第2の領域
Bは、同一の配向方向11を有する。配向方向10およ
び11は互いに異なり、例えば互いに45°異なり得
る。
【0042】複屈折層8の材料は、その光学軸が配向層
6の配向方向によって配向されるタイプであり得る。つ
まり、第1の領域Aの上部にある複屈折層8のストライ
プ状領域の光学軸は、配向方向10に沿って配向され、
一方、第2の領域Bの上部にある複屈折層8のストライ
プ状領域の光学軸は、配向方向11に配向される。後述
するように、複屈折層8は、配向層6による配向に従っ
て固定され、複屈折層8の下の配向方向10および11
に従って光学軸が異なる方向に配向される領域を有す
る、パターン形成されたリターダを提供する。例えば2
50ナノメートルのリターダンスを有する、均一の厚さ
を有する層として、複屈折層8を提供することによっ
て、500ナノメートルの可視光線に対する半波長板を
提供することができる。
【0043】図2は、複数工程のラビング処理を用いて
形成される配向層6のパターン形成によって、図1
(a)および図1(b)のパターン形成されたリターダ
の製造方法を示す。図2(a)に図示される第1の工程
は、基板1上に、後の工程で配向層6になる層2を形成
する工程を含む。基板1は、例えば、脱イオン化水中に
Decon90(RTM; Decon Laboratories Ltdから入
手)を体積分率10パーセント含む清浄剤溶液におい
て、クリーンルームワイプを用いて軽くラビングするこ
とによって清浄にされた研磨ソーダライムガラスを含み
得る。さらに、清浄工程は、例えばアルカリ溶液、脱イ
オン化水およびプロパン−2−オルを用いることによっ
て行われ得る。
【0044】また、代わりに、基板1は液晶装置中に組
み込まれるのに適している部品を備え得る。例えば基板
1は、Corning7059(Corning Incorporated
NewYork USAから入手)のような低アルカリガラスを含
み得る。このようなガラス基板は、層2が設けられる前
に、インジウム錫酸化物(ITO)のような透明導電体
でコーティングされる。また、ブラックマスクおよびカ
ラーフィルタも、層2が設けられる前に、基板に設けら
れ得る。
【0045】あるいは、基板1は、プラスチック材料を
有し得る。
【0046】また、あるいは、基板1は、完成したパタ
ーン形成されたリターダと協同することが必要とされる
偏光子を備え得る。
【0047】層2は、基板1上に設けられ得、複屈折層
8に配向を与える為にラビングされ得るどんな材料をも
含む。例えば、層2は、Du Pontから入手される
P12555として知られる材料のようなポリイミドを
含み得る。この材料はDuPont入手されるT903
9として知られるシンナーに、1:20の比で溶解され
得る。40秒間、1分(rpm)当たり4000回転
で、オープンボールスピナー中でスピンすることによっ
て、その溶液は基板1に付与される。コーティングされ
た基板は、5分間90℃に加熱され、1時間250℃で
硬化される。
【0048】次にポリイミド層2は、その自由表面全体
にわたって1方向にラビングされる。例えば層2は、
0.2mmのパイル変形で(pile deformation)300
0rpmで回転し、前方向に1秒当たり20mmの速度
のローラ上を、ラビング布を用いて3回ラビングされ得
る。ラビング布は2mmパイルのレーヨン(RTM)繊
維を含む布である。図示される実施例においては、第1
のラビングは、基準方向に対して+22.5°の角度で
行われ、図1(b)に図示される第1領域Aに対応する
均一なラビング方向10を有する、図2(b)に図示さ
れる層2aを形成する。
【0049】複屈折層上における、所望の配向方向を示
すようにラビングされ得る他の材料が、層2として用い
られ得る。このような材料は、ポリアミド、ポリビニル
アセテートおよびポリビニルアルコールを含む。代わり
に、もし、配向プレチルトが必要がなければ、層2を省
いてガラス基板1を直接ラビングしても良い。
【0050】第1のラビングの後、標準的なホトリソグ
ラフ技術を用いて、図2(c)から図2(e)に示すよ
うに、層2aがマスクされる。ポリイミド層2aのラビ
ングされた表面は、例えば、Miocroposit EC溶媒(これ
らの材料はShipley, EuropeLimitedから入手される)1
部に対して、ホトレジストMicroposit S1805シリーズ
の体積当たり2部を含むポジのホトレジスト3を用いて
40秒間4500rpmでスピンコートされ、約200
ナノメートル厚の層を提供する。層3は、例えば90℃
で30分間あるいは95℃で2分間、軟焼成され、溶媒
を蒸発させる。続いて、強度6.9mW/cm2で波長
365ナノメートルを有する紫外光を、マスク配列装置
(Karl Sossから入手)上でのハード接触モードにおい
て、ホトマスク4を介して2秒間露光する。これは、図
2(d)に示され、最適のエッジ分解能を与える。その
ような技術が、後述するような例えば5マイクロメート
ルのオーダーの、非常に高い分解能を提供することがで
きても、マスクは、例えば100マイクロメートルのオ
ーダーの形状を有し得る。
【0051】ホトレジスト3の空間選択露光は、マスク
4を用いてあるいは用いずに、適切な照明用光源によっ
て行われ得る。例えば、照射は、紫外線レーザを用い
て、マスクなしに行われ得る。
【0052】露光に続いて、例えば、現像液Microposit
351 CD31(Shipley, Europe Limitedから入手)に1分
間浸し、図2(e)の5で図示されるように第1の領域
を覆う、ホトレジストにおけるマスクパターンの複製を
残すように紫外線に曝された第2の領域からホトレジス
トを除去して、ホトレジストは現像される。基板1と、
その上の層は、例えば脱イオン化水中で2分間洗浄さ
れ、曝されたホトレジストの全ての完全な除去を確実に
し、基板層の汚染を防ぐ。ホトレジストは、後のラビン
グ処理に対してより耐え得るように、例えば50分間1
10℃で硬焼成される。
【0053】ホトリソグラフマスク技術の代わりとし
て、例えば金属あるいは高分子材料を用いてあらかじめ
形成された薄いマスクが、後のラビング処理のために層
2a上に設けられ得る。
【0054】図示した実施例において、配向方向10お
よび11、すなわち領域AおよびBの上方にある複屈折
材料の光学軸が、45°の相対角度であるように、第2
の配向方向11は、基準方向に対して−22.5°であ
ることが要求される。第1のラビングは、ポリイミドの
第2方向の再ラビングが第2のラビング方向とは異なる
結果の配向方向を生じるような残余の影響を生じること
が分かった。それ故に第2のラビングは、このことを補
償するように、第2の配向方向11に対して、オフセッ
トされ得る。例えば、第2のラビングは、−27.5°
で行われ得る。図3の(a)は、所望の配向方向10に
対応する第1のラビング方向を示す。図3の(b)は、
第2のラビング方向12を示し、図3の(c)は、結果
の配向方向を示す。
【0055】第2のラビングは、0.3mmのパイル変
形で、上述した第1のラビングと同じ条件で3回行われ
る。また、2回ラビングされた配向層6は、図2(f)
に示すように形成される。そして、ホトレジスト5は、
除去され、図2(g)に図示されるように、最終的に基
板1と配向層6が残る。標準的なホトレジストストリッ
パーはポリイミドに損傷を与え得るので、残っているホ
トレジスト5は、2分間アセテートに浸し、3分間脱イ
オン化水中で洗浄することによって、除去されている。
この後、イソプロピルアルコール溶媒に浸すことによっ
て、水のマークが脱イオン化水から残される水マークを
避け、更に続いて、窒素気流を用いて乾燥させる。代わ
りにそのレジストは、紫外線の均一な露光および351
CD31現像液に浸すことによって、除去され得る。
【0056】図2に図示される方法は、第1の配向方向
10および第2の配向方向11をそれぞれ有する第1の
領域Aおよび第2の領域Bを提供する。しかしながら、
図2(c)および2(g)に図示される処理工程は任意
の回数だけ繰り返され得、配向方向の異なる領域の複数
のセットを提供する。
【0057】配向層は、20分間170℃で焼成される
ことによって脱水され、パターン形成されたポリイミド
表面上への他の層の接着を向上させるために、室温まで
冷却されることが許容される。
【0058】図2(h)に図示されるように、複屈折層
あるいはリターダンス層を形成するために、層7は、配
向層6の配向表面に付与される。層7は、複屈折反応性
メソゲン溶液をスピンコーティングすることによって形
成される。溶液は、RM257(Merck UK Ltd, Poole
から入手)として知られるジアクリレートを含み、混合
物を含む例えば500nmに対して半波長板になるよう
に設計されたリターダを得る。その反応性メソゲン溶液
は、RM257の1重量部と約1%のDarocur4265
(CIBA GEIGY Ltdから入手され、約365nmに活性ピ
ークを有する)として知られる光開始剤を3部のトルエ
ンに加えることによって調製され、配向が向上される。
さらに、その光開始剤の濃度は、例えば、約0.1%と
約10%との間で可変であり得、あるいは、他の光開始
剤が用いられ得る。
【0059】反応性メソゲン溶液は、数分間撹拌され
て、約80℃まで加熱され、確実に反応性メソゲンが完
全に溶解される。そして、溶液は室温まで冷却される。
スピンコーティングの前に、どんな不溶性の不純物も除
去するように、溶液は0.2マイクロメートルのPTF
Eフィルタを通して濾過され得る。
【0060】いくつかの適用において、配向層6に層7
が付与される前に、2色性染料あるいは他の2色性材料
が溶液に加えられ得る。この場合、2色性染料および複
屈折材料の両方が、下層の配向方向に沿って配向し、パ
ターン形成された偏光子を形成する。
【0061】複屈折材料は配向層の配向を採用し、その
方向に配向を固定できる、どんな材料でもよい。適切な
材料は液晶ポリマー、反応性メソゲン材料および重合可
能な液晶を含む。
【0062】パターン形成された500nm波長の照射
に対する半波長板を得るために、層7は、反応性メソゲ
ン溶液を30秒間1650rpmでスピンコーティング
することによって付与される。結果として得られる装置
は、例えば3分間85℃加熱され、どんな欠陥もアニー
ル除去し、溶媒を蒸発させる。反応性メソゲン材料は、
その光学軸をすぐ近くに隣接する下の配向層の配向方向
に配向する。実質的に酸素のない(例えば窒素)雰囲気
下、例えば、少なくとも5分間約0.5mW/cm2
照射強度で紫外光に露光することによって、その複屈折
材料は重合され、図2(i)に図示される複屈折層8に
よってパターン形成されたリターダを提供する。
【0063】上述したように、スピン速度、温度および
時間は、例として与えられ、例えば異なる材料および異
なる基板サイズの必要に応じて可変である。ロールコー
ティングおよびブレードコーティングを含む、他の公知
のコーティング技術は、どちらか一方だけあるいは互い
に組み合わせて用いら得る。また、ラビング処理条件お
よび材料は、例えばどんな公知の技術をも含むように、
可変であり得る。ある実施例において、第1のラビング
はその効果を減少させるように軽く行われ得、第2のラ
ビング方向を所望の第2の配向方向からオフセットする
必要性を限定する。また、その前に使用されたラビング
方向とは180°異なる方向にラビングすることによっ
て、要求されるオフセット角度は低下され得る。例え
ば、第1のラビングを基準方向に対して+22.5°で
行う前述の実施例においては、第2のラビング方向は、
基準方向に対して−207.5°の方向で行われ得る。
このように、実質的に反対方向へのラビングは、第1の
ラビングの影響を減少させるのを補助し得る。
【0064】図4は、図2に図示される方法を用いて得
られ得るパターンとパターンの形状サイズの2つの実施
例を示す。図4(a)は、100マイクロメートルのオ
ーダーのサイズを有するパターンを示す。しかしなが
ら、その方法は、非常に微細な細部のパターン形成を可
能にし、図4(b)は、10マイクロメートル以下のオ
ーダーのサイズの形状を示す。
【0065】上述したように、パターン形成されたリタ
ーダは、例えば、GB2296151、EP0721132、GB2317295お
よびEP0829744に開示されているような3次元タイプの
ディスプレイに用いられ得る。図5は、他の公知のタイ
プの偏光光源の一部とする、パターン形成されたリター
ダの、他の適用を示す。偏光光源は、小さな光源20と
して概略的に図示される非偏光を発光する構成を有す
る。光源20からの拡散光は、レンズアレイ21によっ
てコリメートされて、偏光ビームスプリッタアレイ22
に供給される。アレイ22は、偏光ビームスプリッタ2
3を有し、偏光ビームスプリッタ23のそれぞれは、パ
ターン形成されたリターダ24のそれぞれの領域に沿っ
て配列される。
【0066】図5において、さらに詳細に拡大スケール
で25に図示されるように、非偏光入射光26は、リタ
ーダ24の第1の領域28に沿って配向され、偏光ビー
ムスプリッタ23のそれぞれの入射表面27に入射され
る。P偏光は、ビームスプリッタを通り抜けて、その光
学軸が偏光方向に対して平行に配置される第1の領域2
8まで伝わる。リターダ24の第1の領域28は、それ
故に、偏光状態には影響を与えず、P偏光29は、第1
の領域28を通り過ぎる。
【0067】S偏光は、それぞれの第1の領域28に対
して配列される各ビームスプリッタ23に沿って反射さ
れ、30で図示される隣接のビームスプリッタによって
再び反射される。それ故、S偏光は、光学軸がS偏光入
射光の偏光方向に対して45°配向される第2のリター
ダ領域31に向けられる。第2の領域を通り抜ける光の
偏光方向は、光学軸の回りに「回転」され、第2の領域
31を通り抜ける光は32で図示されるようにP偏光さ
れている。このように、ビームスプリッタアレイ22お
よびパターン形成されたリターダ24を通り抜ける光の
実質的に全ては、100%P偏光の偏光として照射され
る。それ故に偏光光源は、非偏光光源20によって照射
される光を効果的に使用する。オプショナルのブラック
シールド35は、第2のリターダ領域31からビームス
プリッタ23の反対表面に設けられ、光の直接通路を妨
げる。
【0068】図示されていないが、実質的に100%S
偏光を与えるように、領域29と31は取り替えられて
も良い。偏光ビームスプリッタアレイは、公知のチルト
化材料のスラブを切断および磨くことによっても作製さ
れ得る。この場合、内部表面33は存在しない。
【0069】図6は、図2を参照して上述したパターン
形成されたリターダの製造方法と同じ基本材料および技
術を用いるが、処理工程が異なる順序を有する、パター
ン形成されたリターダの他の製造方法を示す。図6の
(a)から(d)の工程は、それぞれ、実質的に図2
(a)と図2(c)から図2(e)と同じである。しか
しながら、図2(c)に図示されるラビング工程は、図
6に図示される方法から省かれている。そのかわりに、
第1のラビングは、ホトレジスト5によって形成される
マスクを介して行われ、図6(e)に図示されるラビン
グ方向Aを有する領域を提供する。次にホトレジスト5
は、例えば上述と同じ方法で、図6(f)に図示される
ように除去される。次に層6全体が方向Bにラビングさ
れる。このことにより、配向方向Bを有する、先にラビ
ングされていない領域が生じる。一方、上述したような
先にラビングされた領域のラビングの影響のために、方
向Aに先にラビングされた領域は、Aとは異なる実質的
な配向Cを有する。領域BおよびCの実質的な配向の差
は、単に、第1のラビングの残余の影響から生じ、第2
のラビングよりも第1のラビングを強く行うことが都合
がよいであろう。
【0070】
【発明の効果】上述したように、本発明によると、標準
的な液晶装置の製造に適合する様式で、材料とホトリソ
グラフ技術とを用いるパターン形成されたリターダを製
造する方法を提供することができる。また、平坦化層あ
るいは追加の層が必要とされない、平坦なリターダを提
供することができる。
【0071】また、機械的手段あるいは化学的エッチン
グ方法を用いて、材料を選択的に除去させることによっ
て提供されるパターン形成よりも、非常に微細な細部の
パターン形成を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本願発明の実施例のパターン形成され
たリターダの断面概略図、(b)は(a)のリターダの
配向層の概略平面図である。
【図2】(a)から(i)は、図1(a)および(b)
で図示されるパターン形成されたリターダの製造方法を
示す図である。
【図3】(a)から(c)は、図2に図示される製造方
法で用いられるラビング方向を示す図である。
【図4】(a)および(b)は、図2で図示される製造
方法によって製造される、パターン形成されたリターダ
を示す図である。
【図5】偏光光源を提供するために、図1(a)および
(b)のリターダの応用を示す図である。
【図6】(a)から(i)は、本発明の実施形態による
パターン形成されたリターダの他の製造方法を示す図で
ある。
【符号の説明】
1 基板 2 層 2a 層 3 ホトレジスト 4 マスク 5 ホトレジスト 6 配向層 7 層 8 複屈折層 10 配向方向 11 配向方向 A 第1の領域 B 第2の領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エリザベス ジェーン アコスタ イギリス国 オーエックス4 3エヌイー オックスフォード, カウリー, ビュ ーチャンプ レーン, ビューチャンプ プレイス 33 (72)発明者 ジョナサン ハロルド イギリス国 オーエックス4 4エックス エス オックスフォード, サンドフォー ド−オン−テムズ, イエフトリー ドラ イブ 1 (72)発明者 マイケル ジョン タウラー イギリス国 オーエックス2 9エイエル オックスフォード, ボトレー, ザ ガース 20 (72)発明者 ハリー ガース ウォルトン イギリス国 オーエックス33 1エヌジー オックスフォード, ウィートレー, ウエストフィールド ロード 32

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 配向層を設ける工程と、 該配向層を第1のラビング方向にラビングする工程と、 該配向層の少なくとも1つの第1の領域をマスクを用い
    てマスクして、該配向層の少なくとも1つの第2の領域
    を露出させる工程と、 該第1のラビング方向とは異なる第2のラビング方向
    に、該マスクを通して該少なくとも1つの第2の領域を
    ラビングする工程と、 該マスクを除去する工程と、 光学軸が該配向層によって配向される、複屈折材料で形
    成される層を、該配向層上に設ける工程と、 該複屈折材料で形成される層の該光学軸を固定する工程
    とを包含する、パターン形成されたリターダの製造方
    法。
  2. 【請求項2】 前記少なくとも1つの第1の領域は複数
    の第1の領域を含み、前記少なくとも1つの第2の領域
    は複数の第2の領域を含み、該第1の領域と該第2の領
    域とは、規則的な配列で配置されている、請求項1に記
    載のパターン形成されたリターダの製造方法。
  3. 【請求項3】 前記第1の領域と前記第2の領域は、交
    互に配置された、第1のストリップと、第2のストリッ
    プとを有する、請求項2に記載のパターン形成されたリ
    ターダの製造方法。
  4. 【請求項4】 前記第1のラビング方向は前記少なくと
    も第1の領域の第1の所望の配向方向と実質的に同じで
    あり、前記第2のラビング方向は、第2の所望の配向方
    向とは異なり、該第2の所望の配向方向は前記少なくと
    も1つの第2の領域の該第1の所望の配向方向とは異な
    る、請求項1から3のいずれかに記載のパターン形成さ
    れたリターダの製造方法。
  5. 【請求項5】 前記第1のラビング方向と前記第2のラ
    ビング方向との間の角度が、前記第1の配向方向と前記
    第2の配向方向との間の角度よりも大きい、請求項4に
    記載のパターン形成されたリターダの製造方法。
  6. 【請求項6】 前記第1のラビング方向のラビングが、
    前記第2のラビング方向のラビングよりも軽い、請求項
    1から5のいずれかに記載のパターン形成されたリター
    ダの製造方法。
  7. 【請求項7】 前記複屈折材料は重合可能材料あるいは
    架橋可能材料を有する、請求項1から6のいずれかに記
    載のパターン形成されたリターダの製造方法。
  8. 【請求項8】 前記複屈折材料は照射によって重合可能
    あるいは架橋可能であり、前記固定工程は前記複屈折材
    料で形成される層を照射する工程を包含する、請求項7
    に記載のパターン形成されたリターダの製造方法。
  9. 【請求項9】 前記複屈折材料で形成される層は紫外線
    によって照射される、請求項8に記載のパターン形成さ
    れたリターダの製造方法。
  10. 【請求項10】 前記複屈折材料は、熱重合あるいはカ
    チオン重合によって重合可能である、請求項7に記載の
    パターン形成されたリターダの製造方法。
  11. 【請求項11】 前記複屈折材料で形成される層は、重
    合可能晶材料を有する、請求項1から10のいずれかに
    記載のパターン形成されたリターダの製造方法。
  12. 【請求項12】 前記重合可能液晶材料は、液晶モノマ
    ーおよびオリゴマーのうちの少なくとも1つの物質を有
    する、請求項11に記載のパターン形成されたリターダ
    の製造方法。
  13. 【請求項13】 前記複屈折材料で形成される層は、反
    応性メソゲンを有する、請求項1から12のいずれかに
    記載のパターン形成されたリターダの製造方法。
  14. 【請求項14】 前記複屈折材料で形成される層は、ジ
    アクリレートを含む液晶材料を有する、請求項1から1
    3のいずれかに記載のパターン形成されたリターダの製
    造方法。
  15. 【請求項15】 前記複屈折材料で形成される層は、2
    色性材料を有する、請求項1から14のいずれかに記載
    のパターン形成されたリターダの製造方法。
  16. 【請求項16】 前記2色性材料は、少なくとも1つの
    2色性染料を有する、請求項15に記載のパターン形成
    されたリターダの製造方法。
  17. 【請求項17】 前記マスク工程は、前記配向層上にホ
    トリソグラフ技術でマスクを形成する工程を包含する、
    請求項1から16のいずれかに記載のパターン形成され
    たリターダの製造方法。
  18. 【請求項18】 前記マスク工程は、前記配向層上にあ
    らかじめ形成されたマスクとしてマスクを設ける工程を
    包含する、請求項1から16のいずれかに記載のパター
    ン形成されたリターダの製造方法。
  19. 【請求項19】 前記配向層は、ポリイミド、ポリアミ
    ド、ポリビニルアセテートおよびポリビニルアルコール
    からなる群から選択される物質を有する、請求項1から
    18のいずれかに記載のパターン形成されたリターダの
    製造方法。
  20. 【請求項20】 前記配向層は、基板上に形成される、
    請求項1から19のいずれかに記載のパターン形成され
    たリターダの製造方法。
  21. 【請求項21】 前記基板が、偏光子を備える、請求項
    20に記載のパターン形成されたリターダの製造方法。
  22. 【請求項22】 前記配向層が、ガラスあるいはプラス
    チック基板を有する、請求項1から18のいずれかに記
    載のパターン形成されたリターダの製造方法。
  23. 【請求項23】 前記マスク工程と、該マスク工程の後
    の前記ラビング工程、除去工程が、異なる方向に対して
    少なくとも1回繰り返される、請求項1から22のいず
    れかに記載のパターン形成されたリターダの製造方法。
  24. 【請求項24】 配向層を設ける工程と、 マスクを用いて該配向層の少なくとも1つの第1の領域
    をマスクして、該配向層の少なくとも1つの第2の領域
    を露出させる工程と、 第1のラビング方向にマスクを通して該少なくとも1つ
    の第2の領域をラビングする工程と、 マスクを除去する工程と、 該配向層を該第1のラビング方向とは異なる第2のラビ
    ング方向にラビングする工程と、 光学軸が該配向層によって配向される複屈折材料で形成
    される層を該配向層上に設ける工程と、 該複屈折材料から形成される層の光学軸を固定する工程
    とを包含する、パターン形成されたリターダの製造方
    法。
  25. 【請求項25】 請求項1から24のいずれかに記載の
    パターン形成されたリターダの製造方法によって形成さ
    れたパターン形成されたリターダ。
  26. 【請求項26】 光源を備える照明用光源であって、複
    数対の第1の偏光ビームスプリッタおよび第2の偏光ビ
    ームスプリッタと、請求項25に記載のリターダを備
    え、第1の偏光ビームスプリッタのそれぞれは、該配向
    層の第1の領域によって配向される複屈折材料で形成さ
    れる層の第1の領域に対して第1の偏光を透過するよう
    に配置され、かつ、 各該複数対の第1の偏光ビームスプリッタおよび第2の
    偏光ビームスプリッタのうちの該第2のスプリッタに対
    して該第1の偏光に直交する第2の偏光を反射するよう
    に配置され、該1対の該第2のスプリッタは該配向層の
    前記第2の領域によって配向される複屈折材料で形成さ
    れる層の第2の領域に対して該第2の偏光を反射するよ
    うに配置され、該複屈折材料で形成される層の少なくと
    も1つの該第1の領域と該第2の領域は、それぞれの該
    スプリッタからの偏光を変化させるように配置され、該
    複屈折材料で形成される層の該第1の領域と該第2の領
    域を通る光が実質的に同じ均一な偏光状態である、照明
    用光源。
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