JPH08106087A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 反射型液晶表示装置において、アクティブマ
トリクス方式との組み合わせを可能とし、明るく、映り
こみがなく、コントラストが高い表示を得る。 【構成】 透明電極２１が形成されたガラス基板２０
と、表面に多数の凹凸を有する反射電極３０が形成され
た反射基板１０と、前記透明電極２１及び反射電極３０
上にそれぞれ形成された配向膜２２，１２と、前記各配
向膜間に挟まれるように配置された２色性色素を含む液
晶層１と、前記反射電極３０と前記液晶層１との間に設
けられた位相差板２とを有する反射型液晶表示装置にお
いて、前記位相差板２と反射電極３０の間に、前記反射
電極３０表面を平坦化する平坦化膜５０を設けることに
より、位相差板２の膜厚を薄く均一に形成することがで
きる。。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は外光の反射を用いて表示
を行なう反射型液晶表示装置に関し、特に偏光板を用い
ないことにより明るい表示を可能とした反射型液晶表示
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】外部からの入射光を反射させて表示を行
なう反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であ
り、且つ消費電力が少なく、薄型，軽量であるため、ラ
ップトップコンピュ−タ等の携帯情報機器の表示装置と
して広く用いられている。従来の反射型液晶表示装置と
しては、２枚の偏光板の間に液晶を挟さみ液晶の複屈折
を利用して表示を行なうツイストネマチック方式やス−
パ−ツイストネマチック方式が採用されている。これら
の方式では、明表示時において、偏光板により外光の少
なくとも５０％が吸収されるため、表示が暗く視認性が
悪いという問題があった。

【０００３】これに対して、２色性色素の吸収異方性
（ゲスト−ホスト効果）と、１／４波長（以下λ／４）
の位相差をもつ位相差板を利用する表示方式がある（Ｓ
ＩＤ７７ＤＩＧＥＳＴ ｐ９６〜９７参照、以下、「λ
／４ＧＨ方式」という）。λ／４ＧＨ方式の反射型液晶
表示装置によれば、偏光板を用いないため明るい表示が
得られることが知られている。

【０００４】図５を参照しながらλ／４ＧＨ方式による
表示原理について説明する。λ／４ＧＨ方式の反射型液
晶表示装置は、２色性色素を含むＧＨ液晶層１，位相差
板（λ／４板）２，反射板３を順次配置して構成されて
いる。ＧＨ液晶層１が水平配向している状態においては
（図５（ａ））、配向方向と平行な振動面を持つ偏光を
吸収するため、外部から入射した光は、ＧＨ液晶層１を
透過後には、液晶の配向方向と直交方向に振動面を持つ
直線偏光となる。これがλ／４板２により円偏光に変え
られるが、反射板３で反射する際、その回転方向が逆向
きとなるため、再びλ／４板２を透過した後には、液晶
の配向方向と平行な振動面を持つ直線偏光となる。従っ
て、外部から入射した光は、ほとんどＧＨ液晶層１に吸
収されるため暗表示となる。一方、ＧＨ液晶層１が垂直
配向している状態においては（図５（ｂ））、外部から
入射した光は、ＧＨ液晶層１での吸収をほとんど受けな
いため明表示となる。

【０００５】従来、λ／４ＧＨ方式の表示原理に基づく
反射型液晶表示装置は、例えば図６に示すように、ＧＨ
液晶層１を配向膜１１と配向膜２１とで挟み、更に透明
電極１１，２１が形成された２枚の透光性基板１０、２
０間で挟持した成る液晶セル１００と、その外側に位相
差板２及び反射板３を配置して構成されている（特公昭
６０−０１９４９０号参照）。上記構造の反射型液晶表
示装置を用いてドットマトリックス型の表示装置を構成
する場合、ＧＨ液晶層１と位相差板２及び反射板３が透
光性基板１０を隔てて配置されているため、明表示画素
（暗表示画素）を透過して反射板３で反射された光が隣
接する暗表示画素（明表示画素）に入射するといった現
象（画素間クロスト−ク）が生じ、反射板３での反射の
前後で表示状態の異なる画素を通過するため、前記の作
用が働かずコントラスト低下が生じるという問題点があ
る。この画素間クロスト−クは、画素の一辺の長さが、
ＧＨ液晶層１と反射板３との距離と同程度か、それより
小さくなると顕著に現れるため、画素の高精細化が進む
ほどコントラストが低下する。

【０００６】また、λ／４ＧＨ方式では電圧−反射率特
性の立ち上がりが緩慢なため、単純マトリクス方式の構
成では走査線本数が多くなった場合に十分なコントラス
トをとることができない。走査線本数を多くして大量表
示を行なう場合においてもコントラストの低下を招かな
い表示方法として、各画素毎に能動素子を設けるアクテ
ィブマトリクス方式が知られている。アクティブマトリ
クス方式によれば、各画素毎に画素となる電極（画素電
極面積）の他に、スイッチング用の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）、金属膜／絶縁膜／金属膜（ＭＩＭ構造）で
形成される容量部、走査線、データ線等を支持板である
透光性基板１０に形成する必要があるので、全面積に占
める画素電極面積の割合である開口率は４０％程度とな
ってしまう。従って、λ／４ＧＨ方式において透光性基
板１０をアクティブマトリクス基板とした場合、外部か
ら入射した光はＴＦＴ等が形成された透光性基板１０を
透過し、反射板３で反射した後、再度透光性基板１０を
透過する。すなわち、透光性基板１０を２回透過するた
め、液晶表示装置の平均反射率は液晶セル１００の開口
率の二乗に比例する。アクティブマトリクス方式を採用
した場合には、前記したように、液晶セル１００の開口
率は４０％程度にしかならないので、液晶表示装置の反
射率は１６％（０．４の二乗）を超えることはなく、極
めて暗く視認性の低い表示となってしまう。

【０００７】上述のような問題は、図７に示すように，
反射板を反射電極３０と兼用することにより、位相差板
２及び反射板を液晶セル１内に設けることで解決される
が、従来のλ／４ＧＨ方式における位相差板２には、雲
母、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸ストロンチウ
ム等の無機結晶や、ポリビニルアルコ−ル、ポリメチル
メタクリレ−ト、ポリカ−ボネ−ト等の高分子材料の延
伸フィルム等の複屈折性材料が用いられており、これら
の材料は複屈折が小さいため、可視光に対してλ／４の
位相差を得るには、その膜厚を１００μｍ以上に設定す
る必要がある。従って、位相差板２を液晶セル１内に設
けた場合においても、１画素の大きさを１００μｍ以下
として高精細化を図った表示装置に対しては、画素の大
きさとＧＨ液晶層と反射板との隔たりがほぼ等しく、前
述のクロストークによるコントラストの低下を生じるの
で十分な効果が得られなかった。また、膜厚が厚い位相
差板２の外側に反射電極３０を設けているので、液晶表
示装置の駆動電圧が大幅に上昇するという新たな問題を
発生し、実用化には至っていない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】そこで出願人は、上述
の問題を解消するために、図７における位相差板２を高
分子液晶により形成し、位相差板２を液晶セル１００内
に設けた反射型液晶表示装置の構造を見出し、既に出願
を行なった。高分子液晶の複屈折は（△ｎ〜０．２）と
大きく、可視光に対してλ／４の位相差を得るために必
要な膜厚を０．６〜０．８μｍと薄くすることができ
る。尚、図７中、４０は配向膜である。図７に示した反
射型液晶表示装置の構造において、反射電極３０が鏡面
性を示す場合、周囲の情報が表示に映り込み視認性が著
しく低下するという問題が生じるため、反射電極３０に
は光拡散性を有することが好ましい。ところで、前述の
λ／４ＧＨ方式の動作原理より明らかなように、高いコ
ントラストを得るためには、反射電極３０は偏光解消を
生じない特性が要求される。このように、光拡散性を有
しながら偏光解消を生じない特性を満たすためには、反
射電極３０は巨視的に散乱性を示すが微視的には鏡面性
を示す必要がある。

【０００９】光拡散性を有しながら偏光解消を生じない
特性を両立した反射電極３０は、例えば、感光性樹脂に
より微細な凹凸を形成し、その上に鏡面性の金属膜を蒸
着する方法により得られることが知られている（特開平
４−２４３２２６号公報参照）。この方法においては、
高い散乱性を得るため樹脂の凹凸の高さを２μｍ程度と
している。

【００１０】しかしながら、高分子液晶による位相差板
２と、樹脂により凹凸を形成した上に鏡面性の金属膜を
着膜した反射電極３０とを組み合わせた場合、反射電極
３０の表面に２μｍ程度の凹凸が存在し、その上に形成
される位相差板２の膜厚は１μｍ以下と薄いため、位相
差板２の膜厚が均一には形成することができず、位相差
がλ／４とはならない部分が発生し、結果的に暗表示時
の吸収が不十分となってコントラストが低下するという
問題点がある。

【００１１】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、アクティブマトリクス方式との組み合わせを可能と
し、明るく、映りこみがなく、コントラストが高い反射
型液晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解消するた
め本発明は、透明電極が形成された透光性基板と、表面
に多数の凹凸を有する反射電極が形成された反射基板
と、前記透明電極及び反射電極上にそれぞれ形成された
配向膜と、前記各配向膜間に挟まれるように配置された
２色性色素を含む液晶層と、前記反射電極と前記液晶層
との間に設けられた位相差板とを有する反射型液晶表示
装置において、前記位相差板と反射電極の間に、前記反
射電極表面を平坦化する平坦化膜を設けたことを特徴と
している。

【００１３】

【作用】本発明によれば、液晶セル内に位相差板を設け
た反射型液晶表示装置において、位相差板と反射電極の
間に平坦化膜を設けたので、前記反射電極表面を平坦化
させることができ、位相差板の膜厚を薄く均一に形成す
ることができる。従って、凹凸表面により散乱性を有し
且つ偏光解消が生じない反射電極を用いた場合において
も、反射型液晶表示装置に適した（λ／４の位相差とす
る）膜厚の位相差板を形成することができ、液晶セル内
に位相差板を設けたために視差、表示のだぶりがなく、
反射電極に散乱性を有したために表示に映りこみがな
く、且つ、位相差板を画素サイズに比べて十分に薄い膜
厚に形成することによりコントラストの高い表示が得ら
れる。

【００１４】

【実施例】本発明の反射型液晶表示装置の一実施例につ
いて、図１を参照しながら説明する。図中、図６と同一
の構成をとる部分については同一符号を付している。反
射型液晶表示装置は、反射電極基板１０１と透光性電極
基板１０２とによりＧＨ液晶層１を挟んで構成されてい
る。反射電極基板１０１は、ガラス基板１０上に、表面
を凹凸面として反射板を兼ねた反射電極３０、反射電極
３０の表面を平坦化させる平坦化膜５０、配向膜４０、
高分子液晶薄膜から構成される位相差板２、配向膜１２
を順次形成して構成されている。透光性電極基板１０２
は、ガラス基板２０上に、透明電極２１、配向膜２２を
順次形成して構成されている。

【００１５】反射電極２０は、光拡散性を有し且つ偏光
解消しないものである必要があるので、フォトレジスト
をパターニングして凹凸面を形成した凹凸層３１と、こ
の凹凸層３１を被覆する鏡面性反射膜３２との積層構造
としている。平坦化膜５０は、可視光に対して透明であ
る特性を有する材料を使用する。例えば、ポリイミド，
アクリル等の高分子材料によりなる有機膜をスピン塗布
法、ロ−ル−コ−ト法などによって塗布，焼成すること
により形成する。また、酸化シリコン等の無機膜をＳＯ
Ｇ法，Ｏ₃-ＴＥＯＳ法により形成することによっても、
同様な平坦化効果が得られる。平坦化膜５０の膜厚は、
薄いと平坦化効果が十分でなく、厚すぎると液晶表示装
置の駆動電圧を高く設定する必要があるため、１〜１０
μｍ程度が適当であり、さらに好ましくは２〜３μｍ程
度である。

【００１６】位相差板２は、高分子液晶薄膜により構成
されている。高分子液晶には、液晶状態でネマチック配
向し、ガラス転移点以下の温度でガラス状態となる液晶
高分子を用いる。高分子液晶の複屈折は（△ｎ〜０．
２）と大きく、可視光に対してλ／４の位相差を得るた
めに必要な膜厚を０．６〜０．８μｍと薄くすることが
できる。平坦化膜５０と位相差板２との間に形成される
配向膜４０は、位相差板（高分子液晶薄膜）２中の液晶
をある一定方向に揃えて配向状態を決めるためのもので
ある。また、位相差板２のＧＨ液晶層１側に形成された
配向膜１２は、電界無印加時におけるＧＨ液晶層１の配
向方向を規定するためのものである。

【００１７】次に、上記反射型液晶表示装置の製造方法
について説明する。先ず、ガラス基板１０（コ−ニング
社製、商品名＃７０５９）上に、フォトレジスト（東京
応化製、商品名ＯＦＰＲ−８００）を１０００ｒｐｍで
２０秒間スピン塗布し、厚さ２μｍのレジスト膜を形成
し、９０℃で５分間のプリベ−クを行なう。次に、図２
に示すように、複数の正方形パタ−ン（Ｐ１＝Ｐ２＝１
０μｍ、Ｌ１＝Ｌ２＝５μｍ、Ｓ１＝Ｓ２＝５μｍ）が
形成されたフォトマスクで露光を行ない、その後、現像
液（東京応化製、商品名ＮＭＤ−３）によって現像を行
い、更に２００℃、３０分間の熱処理を行って表面に多
数の微細な凹凸パタ−ンを有する凹凸層３１を形成す
る。

【００１８】続いて、凹凸層３１上に鏡面性反射膜３２
を着膜する。この鏡面性反射膜３２としては、Ａｌ，Ａ
ｇ、Ｃｒ等の反射率の高い金属膜が好ましく、鏡面性を
得るためには低温で、高着膜速度で形成するのが好まし
く、その膜厚は０．１〜１μｍとすることが好ましい。
本実施例においては、Ａｌを２００ｎｍの膜厚にスパッ
タ法で着膜し、鏡面性反射膜３２を形成した。このよう
に反射電極３０を凹凸層３１と鏡面性反射膜３２で構成
することにより、散乱性を有し且つ偏光解消が生じない
反射電極とすることができる。

【００１９】このようにしてガラス基板１０上に得られ
た反射電極３０について、その明るさを測定した。すな
わち、液晶層が存在する場合を想定して、反射電極３０
上に液晶層と屈折率（ｎ＝１．５）がほぼ等しいアクリ
ル層（日本合成ゴム製、商品名オプトマ−ＳＳ−１１５
１Ｅ）を１μｍ形成した後、色差計（ＲＤ−１１０：ト
プコン製）で測定したところ、拡散反射率Ｙが６０％と
明るく、映りこみのない外観が得られた。また、図３の
光学系に示すように、レーザ２００から照射された光が
λ／４板２０１及び偏光子２０２を通過し、反射電極３
０に入射角０゜で入射し、反射角３０゜で反射して検光
子２０３，絞り２０４及び集光レンズ２０５を通過し、
光パワーメータ２０６で偏光保持率Ｐを測定したとこ
ろ、偏光保持率Ｐが９０％と高い値が得られた。尚、図
３において、偏光子２０２と検光子２０３の偏光軸が平
行な場合の反射光強度をＩp、偏光子２０２と検光子２
０３の偏光軸が垂直な場合の反射光強度をＩsとした場
合に、偏光保持率はＰ＝（１−Ｉs／Ｉp）×１００
［％］で定義される。

【００２０】次に、上記工程により作製された反射電極
３０上に、アクリル樹脂（日本合成ゴム製、商品名オプ
トマ−ＳＳ-１１５１Ｅ製）を１０００ｒｐｍで２０秒
間スピン塗布し、１８０℃、６０分間の熱処理を施して
約２μｍの平坦化膜５０を形成する。

【００２１】次に、平坦化膜５０上にポリイミド（ＡＬ
-１２５４；日本合成ゴム製）をスピン塗布後、１８０
℃、６０分間の熱処理を施し、膜厚６０ｎｍの配向膜４
０を形成する。そして、配向膜４０の表面を後述するＧ
Ｈ液晶層１が平行配向した場合の配向と４５゜の角度と
なるようにラビング処理を行なう。

【００２２】次いで、配向膜４０上に高分子液晶により
なる位相差板２を形成する。高分子液晶としては、ポリ
エステル、ポリアミド、ポリカ−ボネ−ト、ポリエステ
ルイミド等の主鎖型高分子液晶や、ポリアクリレ−ト、
ポリメタクリレ−ト、ポリシロキサンなどの側鎖型高分
子液晶を用いる。高分子液晶の配向方法は、次のように
して行なわれる。先ず、平坦化膜５０上にポリイミド等
によりなる配向膜４０を形成し、これをラビング処理す
る。次に、前記サ−モトロピック液晶性高分子の溶液を
配向膜４０上に塗布し、溶媒を乾燥させる。こうして得
られた液晶高分子膜を、ガラス転移点以上の温度で熱処
理した後、ガラス転移点以下に冷却してネマチック構造
を固化する。

【００２３】実施例においては、高分子液晶として、次
式に示すように、ポリアクリレ−ト系側鎖型高分子液晶
であるＰoly−６ＣＢＡを用いた。すなわち、ラビング
処理された配向膜４０上に、Ｐoly−６ＣＢＡをシクロ
ヘキサノンに１５ｗｔ％溶解させた溶液を、スピン塗布
した後、真空中で加熱して脱溶媒を行った。脱溶媒後、
Ｐoly−６ＣＢＡがアイソトロピック状態となるまで加
熱した後、室温雰囲気で自然冷却し、位相差板（高分子
液晶薄膜）２を形成した。

【００２４】

【化１】

【００２５】次いで、ポリビニルブチラ−ルをエチレグ
リコ−ルモノエチルエ−テルに５ｗｔ％溶解させた溶液
を、位相差板２上にスピン塗布した後、真空中で加熱し
脱溶媒を行って、膜厚２５０ｎｍの配向膜１２を形成し
た。配向膜１２の表面を、ガラス基板１０の基板端と平
行な方向にラビング処理を行った。このようにして反射
電極基板１０１が形成される。

【００２６】別のガラス基板（コ−ニング社製、商品名
＃７０５９）２０上に、ＩＴＯ（酸化インジウム・ス
ズ）をスパッタ法で１００ｎｍの膜厚に着膜し透明電極
２１を形成する、透明電極２１としては、ＩＴＯの他に
ＳｎＯ₂,In₂Ｏ₃,ＺｎＯ等を用いることができる。次い
で、透明電極２１にポリイミド（ＡＬ-１２５４：日本
合成ゴム製）をスピン塗布後、１８０℃、６０分間の熱
処理を施し、配向膜２２を形成して透光性電極基板１０
２を作製する。配向膜２２の表面は、透光性電極基板１
０２と反射電極基板１０１と張り合わせる際に、ＧＨ液
晶層１がホモジニアス配向となるようにラビング処理を
行なう。ここで、ＧＨ液晶層１の配向は、前記のような
水平配向処理に限定されるものではなく、配向膜２２に
ヘキサデシルアミン、ＳｉＯの回転斜方蒸着法を用いた
垂直配向処理を適用することもできる。

【００２７】上記のようにして作製された透光性電極基
板１０２と反射電極基板１０１とを張り合わせて液晶セ
ル１００を形成する。次いで、液晶セル１００中に２色
性色素を含むネマチック液晶を充填してＧＨ液晶層１を
形成することにより液晶表示装置とする。ネマチック液
晶としては、シップ系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系等の公知の液晶が使用でき、前記した配向処
理方法が水平配向の場合には、誘電異方向が正の液晶を
用い、配向処理方法が垂直配向の場合には、誘電異方性
が負の液晶を用いる。２色性色素としては、アゾ系、ア
ントラキノン系、ペリレン系等の公知の材料を使用でき
る。実施例においては、シアノビフェニル系のネマチッ
ク液晶ＺＬＩ−１８４０（メルク社製）にアントラキノ
ン系黒色２色性色素Ｓ−３４４（三井東圧化学製）を１
ｗｔ％溶解したものを液晶セル中に充填した。

【００２８】上記のようにして作製された反射型液晶表
示装置によれば、液晶セル１００内に位相差板２を設け
たために表示が明るく、反射電極３０の表面を凹凸面と
して散乱性を持たせたために表示に映りこみがなく、且
つ、位相差板２を反射型液晶表示装置に適した膜厚に形
成することによりコントラストの高い表示を得ることが
できる。

【００２９】また、上記実施例において、平坦化膜５０
を、配向膜４０であるポリイミド（ＡＬ−１２５４；日
本合成ゴム製）により膜厚２μｍで形成してもよい。こ
の場合、平坦化膜５０と位相差板２とを兼用することが
でき、製造プロセスを簡略化してコストの低減を図るこ
とができる。

【００３０】図４は、反射型液晶表示装置における反射
電極基板１０１の他の実施例を示すもので、図１と同一
構成をとる部分については同一符号を付している。この
実施例の特徴的な構成は、反射電極３０を構成する凹凸
層３１をエッチングレートが異なる２種類のポリイミド
膜で形成した点である。すなわち、エッチングレートを
適切に選択した下層膜３１ａ及び上層膜３１ｂより成る
（上層膜のほうがエッチング速度が速い）ポリイミド積
層膜で凹凸層３１を形成することにより、凹凸層３１の
側面がガラス基板１０面となす傾斜角度θを小さくする
ことができ、拡散反射率を向上させて明るい表示を得る
ことができる。

【００３１】次に、上記反射電極３０の作製方法につい
て説明する。ガラス基板１０上に、ポリイミド（日立化
成製、商品名ＦＩＸ−１４００）を２０００ｒｐｍで２
０秒間スピン塗布し、１６５℃で４０分間Ｂ−stageベ
−クを行ない、厚さ１μｍのポリイミド膜から成る下層
膜３１ａを形成した。再びポリイミドを２０００ｒｐｍ
で２０秒間スピン塗布し、１５５℃で２０分間Ｂ−stag
eベ−クを行ない、厚さ１μｍのポリイミド膜３から成
る上層膜３１ｂを形成し、下層膜と上層膜との合計の膜
厚が２μｍのポリイミド多層膜を形成した。次に、図２
に示した複数の正方形パターンを有するフォトマスクで
露光を行い、その後、現像液（東京応化製、商品名ＮＭ
Ｄ−３）によってレジスト現像及び前記ポリイミド多層
膜のエッチングを行った。

【００３２】次に、アセトン及びイソプロピロアルコ−
ルの混合液によってレジスト膜を除去すると、多数の微
細な凹凸パタ−ンから成る凹凸層３１が形成される。こ
こにおいて、上層膜と上層膜とのエッチングレ−トの比
を約１２：１とすることにより、凸部パタ−ンの側面が
ガラス基板１０面となす傾斜角度θの平均が約８゜とな
る多数の微細な凹凸層３１を得ることができる。凹凸層
３１上に、スパッタ法でＡｌを２００ｎｍの膜厚に着膜
し、鏡面反射膜３２を形成して反射電極３０を形成す
る。反射電極３０上に、液晶層と屈折率（ｎ＝１．５）
がほぼ等しいアクリル層（日本合成ゴム製、商品名オプ
トマーＳＳ−１１５１Ｅ）を１μｍ形成した後、色差計
（ＲＤ−１１０：トプコン製）で測定したところ、拡散
反射率Ｙが８０％となり、明るく且つ映り込みのない外
観を得ることができた。従って、反射型液晶表示装置に
適用した場合に、反射電極３０で反射した光がガラス基
板２０での全反射により液晶セル１００内にとじ込めら
れるのを防ぎ、図１の実施例に比較して更に明るい表示
を実現することができる。また、前記した図３に示す光
学系により、前記と同様に、０゜入射、３０゜反射の場
合の偏光保持率Ｐを測定したところ、偏光保持率Ｐが９
２％と高い値を得ることができた。従って、この構造に
よる反射電極３０を適用することにより、さらに明るい
表示の反射型液晶表示装置を得ることができる。

【００３３】本発明による効果を確認するため、次のよ
うな比較を行なった。すなわち、図１に示した実施例に
おいて、平坦化膜５０を形成することなく、反射電極３
０上に直接位相差板（高分子液晶薄膜）２を形成したと
ころ、高分子液晶薄膜の膜厚が均一とはならず、オフ時
の吸収が不十分となりコントラストが低下した。また、
図１の実施例において、反射電極３０の鏡面性反射膜３
２としてＡｌを高温で１μｍの膜厚に着膜した散乱性電
極を用いた場合、反射電極３０の表面の凹凸が小さいた
め、平坦化膜５０を用いなくても位相差板（高分子液晶
薄膜）２の膜厚を均一に形成することができた。しか
し、この場合の反射電極３０の偏光保持率を図３に示し
た光学系で測定したところ、偏光保持率Ｐが８０％と低
い値となり、オフ時の吸収が不十分となりコントラスト
が低下した。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、液晶セル内に位相差板
を設けた反射型液晶表示装置において、位相差板と反射
電極の間に平坦化膜を設けたので、前記反射電極表面を
平坦化させることができ、位相差板の膜厚を薄く均一に
形成することができる。従って、凹凸表面により散乱性
を有し且つ偏光解消が生じない反射電極を用いた場合に
おいても、反射型液晶表示装置に適した（λ／４の位相
差とする）膜厚の位相差板を形成することができ、コン
トラストの高い表示を得ることができる。よって、アク
ティブマトリクス方式と組み合わせることにより、高精
細化及び大容量の表示が可能となり、且つ、明るく、映
りこみがなく、コントラストの高い反射型液晶表示装置
とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る反射型液晶表示装置の一実施例
を示す断面説明図である。

【図２】 実施例において、凹凸層を形成するために用
いたフォトマスクの平面図説明図である。

【図３】 実施例の反射電極の偏光保持率を測定するた
めに用いた光学系の模式図である。

【図４】 反射電極基板の他の実施例を示す断面説明図
である。

【図５】 （ａ）及び（ｂ）はλ／４ＧＨ方式の反射型
液晶表示装置の動作原理を説明する模式図である。

【図６】 従来のλ／４ＧＨ方式による反射型液晶表示
装置の断面説明図である。

【図７】 高分子液晶により位相差板を形成した反射型
液晶表示装置の断面説明図である。

【符号の説明】

１…ＧＨ液晶層、 ２…位相差板、 ３…反射板、 １
０…ガラス基板（透光性基板）、 １２…配向膜、 ２
０…ガラス基板（透光性基板）、 ２１…透明電極、
２２…配向膜、 ３０…反射電極、 ３１…凹凸層、
３２…鏡面性反射膜、 ４０…配向膜、 ５０…平坦化
膜、 １００…液晶セル、 １０１…反射電極基板、
１０２…透光性電極基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明電極が形成された透光性基板と、表
   面に多数の凹凸を有する反射電極が形成された反射基板
   と、前記透明電極及び反射電極上にそれぞれ形成された
   配向膜と、前記各配向膜間に挟まれるように配置された
   ２色性色素を含む液晶層と、前記反射電極と前記液晶層
   との間に設けられた位相差板とを有する反射型液晶表示
   装置において、 前記位相差板と反射電極の間に、前記反射電極表面を平
   坦化する平坦化膜を設けたことを特徴とする反射型液晶
   表示装置。