JPH1098014A - エネルギー解放クラック・ストッパおよびその作製方法 - Google Patents
エネルギー解放クラック・ストッパおよびその作製方法Info
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- JPH1098014A JPH1098014A JP9227676A JP22767697A JPH1098014A JP H1098014 A JPH1098014 A JP H1098014A JP 9227676 A JP9227676 A JP 9227676A JP 22767697 A JP22767697 A JP 22767697A JP H1098014 A JPH1098014 A JP H1098014A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エネルギー解放冗長クラック・ストッパおよ
びその作製方法を提供する。 【解決手段】 冗長パターンは、メタライゼーションよ
りなる第１のリングにより吸収されなかったクラック伝
搬エネルギーが、メタライゼーションよりなる第２のラ
インによって吸収できるようにし、クラック伝搬エネル
ギーが拡散できるより大きな表面領域を与える。冗長ク
ラック・ストッパ１０は、チップ２０の表面の配線の残
りとともに、メタライゼーション処理中に作製される。
したがって、ストッパ構造を形成するのに、追加の作製
工程は不必要である。
びその作製方法を提供する。 【解決手段】 冗長パターンは、メタライゼーションよ
りなる第１のリングにより吸収されなかったクラック伝
搬エネルギーが、メタライゼーションよりなる第２のラ
インによって吸収できるようにし、クラック伝搬エネル
ギーが拡散できるより大きな表面領域を与える。冗長ク
ラック・ストッパ１０は、チップ２０の表面の配線の残
りとともに、メタライゼーション処理中に作製される。
したがって、ストッパ構造を形成するのに、追加の作製
工程は不必要である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般には、集積回
路チップの製造方法に関する。特に、本発明は、ウェハ
を個々のチップにダイシングする際に、クラックの伝搬
を防止するための、エネルギー解放クラック・ストッパ
構造に関する。
路チップの製造方法に関する。特に、本発明は、ウェハ
を個々のチップにダイシングする際に、クラックの伝搬
を防止するための、エネルギー解放クラック・ストッパ
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】製造誤差を最小にし、所定の数の集積回
路（ＩＣ）チップを製造するに要する時間を減少させる
ことによって、スループットを最大にし、処理の際に考
慮すべき事項を緩和するためには、ウェハを個々のチッ
プに切断すなわち“ダイシング”する前に、多数のＩＣ
チップをウェハの表面に同時に作製する。しかし、ダイ
シング工程は、ＩＣチップのアクティブすなわち固定記
憶領域にクラックを生じさせ、チップ障害を発生させ
る。ダイシングの際のクラック伝搬によるチップ障害お
よびその結果生じるデバイス障害の量を軽減するには、
“フリースペース”クラック・ストッパ，ダイシング・
チャネル，ダイシング・チャネルからの金属の除去，細
いダイシング・ブレードの使用，損傷チップを廃棄する
ための追加の検査工程の実施を含むいくつかの方法が開
発されてきた。
路（ＩＣ）チップを製造するに要する時間を減少させる
ことによって、スループットを最大にし、処理の際に考
慮すべき事項を緩和するためには、ウェハを個々のチッ
プに切断すなわち“ダイシング”する前に、多数のＩＣ
チップをウェハの表面に同時に作製する。しかし、ダイ
シング工程は、ＩＣチップのアクティブすなわち固定記
憶領域にクラックを生じさせ、チップ障害を発生させ
る。ダイシングの際のクラック伝搬によるチップ障害お
よびその結果生じるデバイス障害の量を軽減するには、
“フリースペース”クラック・ストッパ，ダイシング・
チャネル，ダイシング・チャネルからの金属の除去，細
いダイシング・ブレードの使用，損傷チップを廃棄する
ための追加の検査工程の実施を含むいくつかの方法が開
発されてきた。
【０００３】クラックを伝搬させるエネルギーを吸収す
るために、多くの構造が設計されてきた。例えば米国特
許第５，０２４，９７０号明細書は、以下の工程を含む
複雑な多工程プロセスを開示している。すなわち、隣接
チップのアクティブ領域間のチャネル，カーフ，または
ストリートを定める工程、ウェハの表面に付着された絶
縁材料に溝をエッチングする工程、表面にプラチナを付
着する工程、プラチナの表面を焼結して、プラチナがシ
リコン基板と接触する領域に珪化物を形成する工程、プ
ラチナ元素を除去する工程、窒化シリコン層を付着する
工程、カーフ領域から窒化シリコンを選択的に除去し
て、珪化プラチナの下側のシリコンに溝を形成する工
程、ウェハを個々のチップにダイシングする工程であ
る。容易にわかるように、このプロセスは、チップがメ
タライズされ、ウェハの一部としてテストとされた後に
多くの追加の工程を含んでいる。
るために、多くの構造が設計されてきた。例えば米国特
許第５，０２４，９７０号明細書は、以下の工程を含む
複雑な多工程プロセスを開示している。すなわち、隣接
チップのアクティブ領域間のチャネル，カーフ，または
ストリートを定める工程、ウェハの表面に付着された絶
縁材料に溝をエッチングする工程、表面にプラチナを付
着する工程、プラチナの表面を焼結して、プラチナがシ
リコン基板と接触する領域に珪化物を形成する工程、プ
ラチナ元素を除去する工程、窒化シリコン層を付着する
工程、カーフ領域から窒化シリコンを選択的に除去し
て、珪化プラチナの下側のシリコンに溝を形成する工
程、ウェハを個々のチップにダイシングする工程であ
る。容易にわかるように、このプロセスは、チップがメ
タライズされ、ウェハの一部としてテストとされた後に
多くの追加の工程を含んでいる。
【０００４】したがって、追加の処理工程を付加せず、
簡単で安価であり、ダイシング工程の際にチップのアク
ティブ領域へのクラックの伝搬を信頼性良く防止する方
法が望まれている。
簡単で安価であり、ダイシング工程の際にチップのアク
ティブ領域へのクラックの伝搬を信頼性良く防止する方
法が望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、冗長
エネルギー解放構造によってクラック停止性能を増大さ
せるクラック・ストッパ構造を提供することにある。
エネルギー解放構造によってクラック停止性能を増大さ
せるクラック・ストッパ構造を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、ＩＣチッ
プ・アクティブ領域の周辺の複数本のメタライゼーショ
ン・ラインまたはチャネルによって好適に達成される。
冗長性は、最も外側のラインまたはチャネルによって吸
収されなかったクラック伝搬エネルギーが、次のライン
またはチャネルで吸収できるようにする。さらに、アク
ティブ領域の周辺のより大きな表面領域にわたってエネ
ルギーが拡散できるようにする構造が提案されたので、
アクティブ領域へ侵入しようとするクラックは少なくな
る。
プ・アクティブ領域の周辺の複数本のメタライゼーショ
ン・ラインまたはチャネルによって好適に達成される。
冗長性は、最も外側のラインまたはチャネルによって吸
収されなかったクラック伝搬エネルギーが、次のライン
またはチャネルで吸収できるようにする。さらに、アク
ティブ領域の周辺のより大きな表面領域にわたってエネ
ルギーが拡散できるようにする構造が提案されたので、
アクティブ領域へ侵入しようとするクラックは少なくな
る。
【０００７】カーフ内にラインまたはチャネルを作製す
る方法が、ＩＣチップの製造方法に追加の処理工程を加
えないことは、本発明の利点である。
る方法が、ＩＣチップの製造方法に追加の処理工程を加
えないことは、本発明の利点である。
【０００８】冗長構造が、より大きな領域の周辺にクラ
ック・エネルギーをより効率的に分散させて、デバイス
のアクティブ領域へのクラックの伝搬を軽減すること
は、本発明のさらなる利点である。
ック・エネルギーをより効率的に分散させて、デバイス
のアクティブ領域へのクラックの伝搬を軽減すること
は、本発明のさらなる利点である。
【０００９】本発明の前述のおよびその他の特徴および
利点は、図面とともに説明する本発明の好適な実施例の
特定の記述により明らかとなるであろう。
利点は、図面とともに説明する本発明の好適な実施例の
特定の記述により明らかとなるであろう。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明によれば、冗長なクラック
・ストッパ構造が開示されている。図１に示されるよう
に、エネルギー解放クラック・ストッパ１０の最も簡単
な構造は、チップ２０のアクティブ領域１８の周囲の複
数のメタライズド・リング１２，１４，１６を備えてい
る。このクラック・ストッパ１０の製造は、容易であ
る。
・ストッパ構造が開示されている。図１に示されるよう
に、エネルギー解放クラック・ストッパ１０の最も簡単
な構造は、チップ２０のアクティブ領域１８の周囲の複
数のメタライズド・リング１２，１４，１６を備えてい
る。このクラック・ストッパ１０の製造は、容易であ
る。
【００１１】典型的なチップ製造方法では、論理ゲー
ト，ダイオードなどを作成するトランジスタは、チップ
表面にインプラントされ、ゲート材料が供給されて画成
され、絶縁材料が、ゲートされた表面上に付着され、平
坦化される。次に、一連のメタライゼーションおよびコ
ンタクト層が用いられて、チップ表面上の種々のデバイ
スを相互接続する。これらのメタライゼーションおよび
コンタクト層は、電気的接続のためのメタライゼーショ
ン領域、および電気的分離のためのパシベーティングま
たは絶縁材料領域を有している。ゲートに対し必要な電
気的接続を形成するには、バイアまたはホールが、絶縁
材料にデバイスに達するまでエッチングされて、金属で
充てんされる。絶縁材料にバイアまたはホールを選択的
にエッチングする方法は、典型的に、ホトリソグラフィ
処理であり、この処理の後に、反応性イオンエッチング
処理が行われる。これら両処理は、技術上普通に知られ
ている。これら領域を選択的にエッチングすることによ
って形成されたライン，バイア，ホールに金属を付着す
る処理は、種々の方法で行うことができる。今日では、
最も一般的には、ＣＶＤ（化学蒸着）ツールでタングス
テンを付着し、技術上一般に知られている化学機械研磨
（ＣＭＰ）を用いて、過剰なタングステンを研磨除去す
ることにより行われている。あるいはまた、続いてＣＭ
Ｐ処理が行われる電極付着処理、すなわち高温でのメッ
キまたは物理的スパッタリングを用いることもできる。
ト，ダイオードなどを作成するトランジスタは、チップ
表面にインプラントされ、ゲート材料が供給されて画成
され、絶縁材料が、ゲートされた表面上に付着され、平
坦化される。次に、一連のメタライゼーションおよびコ
ンタクト層が用いられて、チップ表面上の種々のデバイ
スを相互接続する。これらのメタライゼーションおよび
コンタクト層は、電気的接続のためのメタライゼーショ
ン領域、および電気的分離のためのパシベーティングま
たは絶縁材料領域を有している。ゲートに対し必要な電
気的接続を形成するには、バイアまたはホールが、絶縁
材料にデバイスに達するまでエッチングされて、金属で
充てんされる。絶縁材料にバイアまたはホールを選択的
にエッチングする方法は、典型的に、ホトリソグラフィ
処理であり、この処理の後に、反応性イオンエッチング
処理が行われる。これら両処理は、技術上普通に知られ
ている。これら領域を選択的にエッチングすることによ
って形成されたライン，バイア，ホールに金属を付着す
る処理は、種々の方法で行うことができる。今日では、
最も一般的には、ＣＶＤ（化学蒸着）ツールでタングス
テンを付着し、技術上一般に知られている化学機械研磨
（ＣＭＰ）を用いて、過剰なタングステンを研磨除去す
ることにより行われている。あるいはまた、続いてＣＭ
Ｐ処理が行われる電極付着処理、すなわち高温でのメッ
キまたは物理的スパッタリングを用いることもできる。
【００１２】金属ラインを形成する他の方法は、ホール
への金属の付着を含まず、むしろ金属のブランケット層
の付着を行い、金属ＲＩＥとして知られている反応性イ
オン・エッチングを用いて、過剰な金属をエッチング除
去する。すべての場合において、内部チップ・メタライ
ゼーション処理において実行される処理と同時に、本発
明において開示される構造をパターニングすることがで
きる。
への金属の付着を含まず、むしろ金属のブランケット層
の付着を行い、金属ＲＩＥとして知られている反応性イ
オン・エッチングを用いて、過剰な金属をエッチング除
去する。すべての場合において、内部チップ・メタライ
ゼーション処理において実行される処理と同時に、本発
明において開示される構造をパターニングすることがで
きる。
【００１３】したがって、本発明のクラック・ストッパ
１０は、ライン１２，１４，１６を含むように、メタラ
イゼーション領域を変えることによって、簡単に作製さ
れる。これは、種々の層のフォトリソグラフィ処理中に
用いられるマスクを変えることによって行われ、その結
果、図１〜図６に示された複数のラインおよび構造が、
ウェハ表面上の種々の層におけるメタライゼーションの
他のラインまたはバイアのように、少なくともコンタク
ト層においてメタライズされる。
１０は、ライン１２，１４，１６を含むように、メタラ
イゼーション領域を変えることによって、簡単に作製さ
れる。これは、種々の層のフォトリソグラフィ処理中に
用いられるマスクを変えることによって行われ、その結
果、図１〜図６に示された複数のラインおよび構造が、
ウェハ表面上の種々の層におけるメタライゼーションの
他のラインまたはバイアのように、少なくともコンタク
ト層においてメタライズされる。
【００１４】クラック・ストッパ１０は、コンタクト層
においてメタライズできるのみである。このコンタクト
層は、デバイスをメタライゼーション・ラインに接続す
るのに用いられる、バイアおよび絶縁材料よりなる第１
の層である。最大の保護のための好適な方法は、各層の
クラック・ストッパをメタライズして、金属構造よりな
る連続垂直バリアを形成することである。単一のコンタ
クト層または連続垂直バリアにおけるメタライゼーショ
ンの後に、金属領域を、チップ完成後のＲＩＥによりコ
ンタクトし、金属領域を適切なウェット・エッチングで
エッチング除去することもできる。この処理は、図１〜
６に示される構造において金属のないチャネルで終了す
る。チャネルは、金属ラインと同じエネルギー消費機能
を与える。
においてメタライズできるのみである。このコンタクト
層は、デバイスをメタライゼーション・ラインに接続す
るのに用いられる、バイアおよび絶縁材料よりなる第１
の層である。最大の保護のための好適な方法は、各層の
クラック・ストッパをメタライズして、金属構造よりな
る連続垂直バリアを形成することである。単一のコンタ
クト層または連続垂直バリアにおけるメタライゼーショ
ンの後に、金属領域を、チップ完成後のＲＩＥによりコ
ンタクトし、金属領域を適切なウェット・エッチングで
エッチング除去することもできる。この処理は、図１〜
６に示される構造において金属のないチャネルで終了す
る。チャネルは、金属ラインと同じエネルギー消費機能
を与える。
【００１５】以下の実施例では、種々のエネルギー吸収
冗長クラック・ストッパが示されているが、多くの他の
構造も可能であることを理解すべきである。本発明の基
本は、ＩＣチップ製造のダイシング工程でエネルギーを
吸収できるようにチップのアクティブ領域を取り囲む冗
長ラインにあり、正確なパターンにはない。
冗長クラック・ストッパが示されているが、多くの他の
構造も可能であることを理解すべきである。本発明の基
本は、ＩＣチップ製造のダイシング工程でエネルギーを
吸収できるようにチップのアクティブ領域を取り囲む冗
長ラインにあり、正確なパターンにはない。
【００１６】
【実施例１】図１に示すように、多数本の並列ライン１
２，１４，１６を、クラック・ストッパとして用いるこ
とができる。好適な金属ピッチは、約０．７μｍ〜約６
μｍである。メタライゼーションの第１のリングによっ
て吸収されないクラック伝搬エネルギーは、第２または
第３のリングによって吸収することができる。したがっ
て、この冗長性は、チップのアクティブ領域へのクラッ
ク伝搬を妨げるには役立つ。
２，１４，１６を、クラック・ストッパとして用いるこ
とができる。好適な金属ピッチは、約０．７μｍ〜約６
μｍである。メタライゼーションの第１のリングによっ
て吸収されないクラック伝搬エネルギーは、第２または
第３のリングによって吸収することができる。したがっ
て、この冗長性は、チップのアクティブ領域へのクラッ
ク伝搬を妨げるには役立つ。
【００１７】
【実施例２】図２には、冗長クラック・ストッパのため
の第２の提案パターンが示されている。この第２のパタ
ーンは、複数本のライン２０，２２を備え、各ライン
は、ライン２０，２２間のスペース２１内に延びるが、
対向するラインには接続されない複数個のフィンガ２
４，２６，２８を有している。金属ラインの好ましいピ
ッチは、約２μｍ〜約１０μｍであり、フィンガ２４，
２６，２８の好ましいピッチは、約１μｍ〜約７μｍで
ある。この第２の実施例は、クラック伝搬エネルギー
を、２本のライン間のスペースの方へ送り、これにより
クラック伝搬エネルギーを拡散できる増大した表面領域
を与えるという利点を有している。
の第２の提案パターンが示されている。この第２のパタ
ーンは、複数本のライン２０，２２を備え、各ライン
は、ライン２０，２２間のスペース２１内に延びるが、
対向するラインには接続されない複数個のフィンガ２
４，２６，２８を有している。金属ラインの好ましいピ
ッチは、約２μｍ〜約１０μｍであり、フィンガ２４，
２６，２８の好ましいピッチは、約１μｍ〜約７μｍで
ある。この第２の実施例は、クラック伝搬エネルギー
を、２本のライン間のスペースの方へ送り、これにより
クラック伝搬エネルギーを拡散できる増大した表面領域
を与えるという利点を有している。
【００１８】
【実施例３】本発明の第３の実施例では、複数本のライ
ン３０，３２の間には、スペース３１が設けられてい
る。これらラインは、図３では、一方向にのみ斜めに配
列された複数個のフィンガ３４，３６で相互接続されて
おり、図４では、互いに直交する複数個の斜めに配列さ
れた複数個のフィンガで相互接続されている。金属ライ
ンおよびフィンガのピッチは、実施例２において前述し
たピッチとほぼ同じであり、クラック伝搬エネルギーを
吸収できる領域の大きさを増大させる目的に役立つ。
ン３０，３２の間には、スペース３１が設けられてい
る。これらラインは、図３では、一方向にのみ斜めに配
列された複数個のフィンガ３４，３６で相互接続されて
おり、図４では、互いに直交する複数個の斜めに配列さ
れた複数個のフィンガで相互接続されている。金属ライ
ンおよびフィンガのピッチは、実施例２において前述し
たピッチとほぼ同じであり、クラック伝搬エネルギーを
吸収できる領域の大きさを増大させる目的に役立つ。
【００１９】
【実施例４】図５に示すように、第１のライン４０と、
第２のライン４２と、第１のラインと第２のラインとの
間に設けられたライン４４における一連の幾何学的形状
とを用いる第４の実施例が提案される。この実施例は、
第１の実施例と類似しているが、クラック伝搬エネルギ
ーが、ラインの周辺よりはむしろライン間の領域へ良好
に拡がることを可能にする。金属ラインのピッチは、好
ましくは、約１μｍ〜約１０μｍである。
第２のライン４２と、第１のラインと第２のラインとの
間に設けられたライン４４における一連の幾何学的形状
とを用いる第４の実施例が提案される。この実施例は、
第１の実施例と類似しているが、クラック伝搬エネルギ
ーが、ラインの周辺よりはむしろライン間の領域へ良好
に拡がることを可能にする。金属ラインのピッチは、好
ましくは、約１μｍ〜約１０μｍである。
【００２０】
【実施例５】本発明の第５の実施例では、図６に示すよ
うに、矩形波状メタライゼーション・パターン５０が提
案される。このパターンは、より長いクラック・ストッ
パ・チャネルを与え、パターン５０の異なる方向に配向
された部分にクラック伝搬エネルギーが吸収されるフロ
ントをブレーク・アップする。このパターンは、１本の
ラインにより吸収されるであろうエネルギーが、より大
きな領域にわたって拡がることを可能にし、したがって
チップ・アクティブ領域５２へクラックが伝搬する可能
性を減少させる。
うに、矩形波状メタライゼーション・パターン５０が提
案される。このパターンは、より長いクラック・ストッ
パ・チャネルを与え、パターン５０の異なる方向に配向
された部分にクラック伝搬エネルギーが吸収されるフロ
ントをブレーク・アップする。このパターンは、１本の
ラインにより吸収されるであろうエネルギーが、より大
きな領域にわたって拡がることを可能にし、したがって
チップ・アクティブ領域５２へクラックが伝搬する可能
性を減少させる。
【００２１】本発明を、好適な実施例によって示して説
明したが、本発明の趣旨と範囲から逸脱することなく、
前述したおよびその他の変更が可能なことは、当業者に
は理解できるであろう。
明したが、本発明の趣旨と範囲から逸脱することなく、
前述したおよびその他の変更が可能なことは、当業者に
は理解できるであろう。
【００２２】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１）エネルギー解放クラック・ストッパであって、個
々のチップの周辺に配置された少なくとも１本のライン
を備え、前記ラインは、クラック伝搬エネルギーがより
大きな表面領域にわたって拡散するような構造を有する
ことを特徴とするエネルギー解放ストッパ。 （２）少なくとも第１のラインと第２のラインとを有
し、第１のラインによって吸収されなかった前記クラッ
ク伝搬エネルギーを第２のラインによって吸収できるこ
とを特徴とする上記（１）に記載のエネルギー解放スト
ッパ。 （３）少なくとも３本の同心状矩形メタライゼーション
・ラインを有することを特徴とする上記（２）に記載の
エネルギー解放ストッパ。 （４）第１のラインは、第２のラインの方へ延びるフィ
ンガを有し、第２のラインは、第１のラインの方へ延び
るフィンガを有することを特徴とする上記（３）に記載
のエネルギー解放ストッパ。 （５）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のライ
ンから直角に延びることを特徴とする上記（４）に記載
のエネルギー解放ストッパ。 （６）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のライ
ンから斜めに延びることを特徴とする上記（４）に記載
のエネルギー解放ストッパ。 （７）前記斜めに延びるフィンガは、交差して、クロス
・ハッチ状パターンを形成することを特徴とする上記
（６）に記載のエネルギー解放ストッパ。 （８）第１および第２の同心状矩形ラインは、一連の幾
何学的形状で分離されていることを特徴とする上記
（３）に記載のエネルギー解放ストッパ。 （９）前記ラインが、矩形波形状であることを特徴とす
る上記（１）に記載のエネルギー解放ストッパ。 （１０）前記ラインはメタライズされていることを特徴
とする上記（１）に記載のエネルギー解放ストッパ。 （１１）エネルギー解放クラック・ストッパを作製する
方法であって、少なくとも１つのチップ・アクティブ領
域と、ダイシングされる少なくとも１つのエッジとを有
するウェハを与える工程と、前記ウェハの表面上に選択
メタライゼーションよりなる少なくとも１つの層を形成
する工程とを含み、このメタライゼーションの層は、前
記チップ・アクティブ領域の周辺に設けられたラインを
有し、前記ラインは、クラック伝搬エネルギーがより大
きな表面領域にわたって拡散するような構造を有するこ
とを特徴とするエネルギー解放ストッパの作製方法。 （１２）前記ラインをウェット・エッチングして、チャ
ネルを形成する工程をさらに含むことを特徴とする上記
（１１）に記載のエネルギー解放ストッパの作製方法。 （１３）集積回路チップであって、周辺を有するチップ
・アクティブ領域と、前記チップ・アクティブ領域の周
辺に配置されたラインとを備え、前記ラインは、クラッ
ク伝搬エネルギーがより大きな表面領域にわたって拡散
するように構成されていることを特徴とする集積回路チ
ップ。 （１４）少なくとも第１のラインと第２のラインとを有
し、第１のラインによって吸収されなかった前記クラッ
ク伝搬エネルギーを第２のラインによって吸収できるこ
とを特徴とする上記（１３）に記載の集積回路チップ。 （１５）少なくとも３本の同心状矩形メタライゼーショ
ン・ラインを有することを特徴とする上記（１４）に記
載の集積回路チップ。 （１６）第１のラインは、第２のラインの方へ延びるフ
ィンガを有し、第２のラインは、第１のラインの方へ延
びるフィンガを有することを特徴とする上記（１４）に
記載の集積回路チップ。 （１７）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のラ
インから直角に延びることを特徴とする上記（１６）に
記載の集積回路チップ。 （１８）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のラ
インから斜めに延びることを特徴とする上記（１６）に
記載の集積回路チップ。 （１９）前記斜めに延びるフィンガは、交差して、クロ
ス・ハッチ状パターンを形成することを特徴とする上記
（１８）に記載の集積回路チップ。 （２０）第１および第２のラインは同心状矩形であり、
一連の幾何学的形状で分離されていることを特徴とする
上記（１４）に記載の集積回路チップ。 （２１）前記ラインが、矩形波形状であることを特徴と
する上記（１３）に記載の集積回路チップ。 （２２）前記ラインはメタライズされていることを特徴
とする上記（１３）に記載の集積回路チップ。 （２３）集積回路チップを有する電子装置であって、前
記集積回路チップは、周辺を有するチップ・アクティブ
領域と、前記チップ・アクティブ領域の周辺に配置され
たラインとを備え、前記ラインは、クラック伝搬エネル
ギーがより大きな表面領域にわたって拡散するように構
成されていることを特徴とする電子装置。 （２４）前記集積回路チップは、少なくとも第１のライ
ンと第２のラインとを有し、第１のラインによって吸収
されなかった前記クラック伝搬エネルギーを第２のライ
ンによって吸収できることを特徴とする上記（２３）に
記載の電子装置。 （２５）前記集積回路チップは、少なくとも３本の同心
状矩形メタライゼーション・ラインを有することを特徴
とする上記（２４）に記載の電子装置。 （２６）第１のラインは、第２のラインの方へ延びるフ
ィンガを有し、第２のラインは、第１のラインの方へ延
びるフィンガを有することを特徴とする上記（２４）に
記載の電子装置。 （２７）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のラ
インから直角に延びることを特徴とする上記（２６）に
記載の電子装置。 （２８）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のラ
インから斜めに延びることを特徴とする上記（２６）に
記載の電子装置。 （２９）前記斜めに延びるフィンガは、交差して、クロ
ス・ハッチ状パターンを形成することを特徴とする上記
（２８）に記載の電子装置。 （３０）第１および第２のラインは同心状矩形であり、
一連の幾何学的形状で分離されていることを特徴とする
上記（２４）に記載の電子装置。 （３１）前記ラインが、矩形波形状であることを特徴と
する上記（２３）に記載の電子装置。 （３２）前記ラインはメタライズされていることを特徴
とする上記（２３）に記載の電子装置。
の事項を開示する。 （１）エネルギー解放クラック・ストッパであって、個
々のチップの周辺に配置された少なくとも１本のライン
を備え、前記ラインは、クラック伝搬エネルギーがより
大きな表面領域にわたって拡散するような構造を有する
ことを特徴とするエネルギー解放ストッパ。 （２）少なくとも第１のラインと第２のラインとを有
し、第１のラインによって吸収されなかった前記クラッ
ク伝搬エネルギーを第２のラインによって吸収できるこ
とを特徴とする上記（１）に記載のエネルギー解放スト
ッパ。 （３）少なくとも３本の同心状矩形メタライゼーション
・ラインを有することを特徴とする上記（２）に記載の
エネルギー解放ストッパ。 （４）第１のラインは、第２のラインの方へ延びるフィ
ンガを有し、第２のラインは、第１のラインの方へ延び
るフィンガを有することを特徴とする上記（３）に記載
のエネルギー解放ストッパ。 （５）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のライ
ンから直角に延びることを特徴とする上記（４）に記載
のエネルギー解放ストッパ。 （６）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のライ
ンから斜めに延びることを特徴とする上記（４）に記載
のエネルギー解放ストッパ。 （７）前記斜めに延びるフィンガは、交差して、クロス
・ハッチ状パターンを形成することを特徴とする上記
（６）に記載のエネルギー解放ストッパ。 （８）第１および第２の同心状矩形ラインは、一連の幾
何学的形状で分離されていることを特徴とする上記
（３）に記載のエネルギー解放ストッパ。 （９）前記ラインが、矩形波形状であることを特徴とす
る上記（１）に記載のエネルギー解放ストッパ。 （１０）前記ラインはメタライズされていることを特徴
とする上記（１）に記載のエネルギー解放ストッパ。 （１１）エネルギー解放クラック・ストッパを作製する
方法であって、少なくとも１つのチップ・アクティブ領
域と、ダイシングされる少なくとも１つのエッジとを有
するウェハを与える工程と、前記ウェハの表面上に選択
メタライゼーションよりなる少なくとも１つの層を形成
する工程とを含み、このメタライゼーションの層は、前
記チップ・アクティブ領域の周辺に設けられたラインを
有し、前記ラインは、クラック伝搬エネルギーがより大
きな表面領域にわたって拡散するような構造を有するこ
とを特徴とするエネルギー解放ストッパの作製方法。 （１２）前記ラインをウェット・エッチングして、チャ
ネルを形成する工程をさらに含むことを特徴とする上記
（１１）に記載のエネルギー解放ストッパの作製方法。 （１３）集積回路チップであって、周辺を有するチップ
・アクティブ領域と、前記チップ・アクティブ領域の周
辺に配置されたラインとを備え、前記ラインは、クラッ
ク伝搬エネルギーがより大きな表面領域にわたって拡散
するように構成されていることを特徴とする集積回路チ
ップ。 （１４）少なくとも第１のラインと第２のラインとを有
し、第１のラインによって吸収されなかった前記クラッ
ク伝搬エネルギーを第２のラインによって吸収できるこ
とを特徴とする上記（１３）に記載の集積回路チップ。 （１５）少なくとも３本の同心状矩形メタライゼーショ
ン・ラインを有することを特徴とする上記（１４）に記
載の集積回路チップ。 （１６）第１のラインは、第２のラインの方へ延びるフ
ィンガを有し、第２のラインは、第１のラインの方へ延
びるフィンガを有することを特徴とする上記（１４）に
記載の集積回路チップ。 （１７）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のラ
インから直角に延びることを特徴とする上記（１６）に
記載の集積回路チップ。 （１８）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のラ
インから斜めに延びることを特徴とする上記（１６）に
記載の集積回路チップ。 （１９）前記斜めに延びるフィンガは、交差して、クロ
ス・ハッチ状パターンを形成することを特徴とする上記
（１８）に記載の集積回路チップ。 （２０）第１および第２のラインは同心状矩形であり、
一連の幾何学的形状で分離されていることを特徴とする
上記（１４）に記載の集積回路チップ。 （２１）前記ラインが、矩形波形状であることを特徴と
する上記（１３）に記載の集積回路チップ。 （２２）前記ラインはメタライズされていることを特徴
とする上記（１３）に記載の集積回路チップ。 （２３）集積回路チップを有する電子装置であって、前
記集積回路チップは、周辺を有するチップ・アクティブ
領域と、前記チップ・アクティブ領域の周辺に配置され
たラインとを備え、前記ラインは、クラック伝搬エネル
ギーがより大きな表面領域にわたって拡散するように構
成されていることを特徴とする電子装置。 （２４）前記集積回路チップは、少なくとも第１のライ
ンと第２のラインとを有し、第１のラインによって吸収
されなかった前記クラック伝搬エネルギーを第２のライ
ンによって吸収できることを特徴とする上記（２３）に
記載の電子装置。 （２５）前記集積回路チップは、少なくとも３本の同心
状矩形メタライゼーション・ラインを有することを特徴
とする上記（２４）に記載の電子装置。 （２６）第１のラインは、第２のラインの方へ延びるフ
ィンガを有し、第２のラインは、第１のラインの方へ延
びるフィンガを有することを特徴とする上記（２４）に
記載の電子装置。 （２７）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のラ
インから直角に延びることを特徴とする上記（２６）に
記載の電子装置。 （２８）前記フィンガは、第１のラインおよび第２のラ
インから斜めに延びることを特徴とする上記（２６）に
記載の電子装置。 （２９）前記斜めに延びるフィンガは、交差して、クロ
ス・ハッチ状パターンを形成することを特徴とする上記
（２８）に記載の電子装置。 （３０）第１および第２のラインは同心状矩形であり、
一連の幾何学的形状で分離されていることを特徴とする
上記（２４）に記載の電子装置。 （３１）前記ラインが、矩形波形状であることを特徴と
する上記（２３）に記載の電子装置。 （３２）前記ラインはメタライズされていることを特徴
とする上記（２３）に記載の電子装置。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施例を示す図である。
【図６】本発明の第５の実施例を示す図である。
１０ クラック・ストッパ １２，１４，１６ メタライズド・リング １８ アクティブ領域 ２０ チップ ２０，２２ ライン ２１ スペース ２４，２６，２８ フィンガ ３０，３２ ライン ３１ スペース ４０，４２，４４ ライン ５０ 矩形波状メタライゼーション・パターン ５２ アクティブ領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベッティナ・エイ・ディンケル アメリカ合衆国 12590 ニューヨーク州 ワッピンガーズ フォールズ シュリー レーン ９エフ (72)発明者 ペイ−イング・リー アメリカ合衆国 12540 ニューヨーク州 ラグランジュヴィル クラップ ヒル ロード（番地なし) (72)発明者 アーネスト・エヌ・リヴァイン アメリカ合衆国 12603 ニューヨーク州 ポウキープシー ハイ エイカーズ ド ライブ 30
Claims (32)
- 【請求項１】エネルギー解放クラック・ストッパであっ
て、 個々のチップの周辺に配置された少なくとも１本のライ
ンを備え、前記ラインは、クラック伝搬エネルギーがよ
り大きな表面領域にわたって拡散するような構造を有す
ることを特徴とするエネルギー解放ストッパ。 - 【請求項２】少なくとも第１のラインと第２のラインと
を有し、第１のラインによって吸収されなかった前記ク
ラック伝搬エネルギーを第２のラインによって吸収でき
ることを特徴とする請求項１記載のエネルギー解放スト
ッパ。 - 【請求項３】少なくとも３本の同心状矩形メタライゼー
ション・ラインを有することを特徴とする請求項２記載
のエネルギー解放ストッパ。 - 【請求項４】第１のラインは、第２のラインの方へ延び
るフィンガを有し、第２のラインは、第１のラインの方
へ延びるフィンガを有することを特徴とする請求項３記
載のエネルギー解放ストッパ。 - 【請求項５】前記フィンガは、第１のラインおよび第２
のラインから直角に延びることを特徴とする請求項４記
載のエネルギー解放ストッパ。 - 【請求項６】前記フィンガは、第１のラインおよび第２
のラインから斜めに延びることを特徴とする請求項４記
載のエネルギー解放ストッパ。 - 【請求項７】前記斜めに延びるフィンガは、交差して、
クロス・ハッチ状パターンを形成することを特徴とする
請求項６記載のエネルギー解放ストッパ。 - 【請求項８】第１および第２の同心状矩形ラインは、一
連の幾何学的形状で分離されていることを特徴とする請
求項３記載のエネルギー解放ストッパ。 - 【請求項９】前記ラインが、矩形波形状であることを特
徴とする請求項１記載のエネルギー解放ストッパ。 - 【請求項１０】前記ラインはメタライズされていること
を特徴とする請求項１記載のエネルギー解放ストッパ。 - 【請求項１１】エネルギー解放クラック・ストッパを作
製する方法であって、 少なくとも１つのチップ・アクティブ領域と、ダイシン
グされる少なくとも１つのエッジとを有するウェハを与
える工程と、 前記ウェハの表面上に選択メタライゼーションよりなる
少なくとも１つの層を形成する工程とを含み、このメタ
ライゼーションの層は、前記チップ・アクティブ領域の
周辺に設けられたラインを有し、前記ラインは、クラッ
ク伝搬エネルギーがより大きな表面領域にわたって拡散
するような構造を有することを特徴とするエネルギー解
放ストッパの作製方法。 - 【請求項１２】前記ラインをウェット・エッチングし
て、チャネルを形成する工程をさらに含むことを特徴と
する請求項１１記載のエネルギー解放ストッパの作製方
法。 - 【請求項１３】集積回路チップであって、 周辺を有するチップ・アクティブ領域と、 前記チップ・アクティブ領域の周辺に配置されたライン
とを備え、前記ラインは、クラック伝搬エネルギーがよ
り大きな表面領域にわたって拡散するように構成されて
いることを特徴とする集積回路チップ。 - 【請求項１４】少なくとも第１のラインと第２のライン
とを有し、第１のラインによって吸収されなかった前記
クラック伝搬エネルギーを第２のラインによって吸収で
きることを特徴とする請求項１３記載の集積回路チッ
プ。 - 【請求項１５】少なくとも３本の同心状矩形メタライゼ
ーション・ラインを有することを特徴とする請求項１４
記載の集積回路チップ。 - 【請求項１６】第１のラインは、第２のラインの方へ延
びるフィンガを有し、第２のラインは、第１のラインの
方へ延びるフィンガを有することを特徴とする請求項１
４記載の集積回路チップ。 - 【請求項１７】前記フィンガは、第１のラインおよび第
２のラインから直角に延びることを特徴とする請求項１
６記載の集積回路チップ。 - 【請求項１８】前記フィンガは、第１のラインおよび第
２のラインから斜めに延びることを特徴とする請求項１
６記載の集積回路チップ。 - 【請求項１９】前記斜めに延びるフィンガは、交差し
て、クロス・ハッチ状パターンを形成することを特徴と
する請求項１８記載の集積回路チップ。 - 【請求項２０】第１および第２のラインは同心状矩形で
あり、一連の幾何学的形状で分離されていることを特徴
とする請求項１４記載の集積回路チップ。 - 【請求項２１】前記ラインが、矩形波形状であることを
特徴とする請求項１３記載の集積回路チップ。 - 【請求項２２】前記ラインはメタライズされていること
を特徴とする請求項１３記載の集積回路チップ。 - 【請求項２３】集積回路チップを有する電子装置であっ
て、前記集積回路チップは、 周辺を有するチップ・アクティブ領域と、 前記チップ・アクティブ領域の周辺に配置されたライン
とを備え、前記ラインは、クラック伝搬エネルギーがよ
り大きな表面領域にわたって拡散するように構成されて
いることを特徴とする電子装置。 - 【請求項２４】前記集積回路チップは、少なくとも第１
のラインと第２のラインとを有し、第１のラインによっ
て吸収されなかった前記クラック伝搬エネルギーを第２
のラインによって吸収できることを特徴とする請求項２
３記載の電子装置。 - 【請求項２５】前記集積回路チップは、少なくとも３本
の同心状矩形メタライゼーション・ラインを有すること
を特徴とする請求項２４記載の電子装置。 - 【請求項２６】第１のラインは、第２のラインの方へ延
びるフィンガを有し、第２のラインは、第１のラインの
方へ延びるフィンガを有することを特徴とする請求項２
４記載の電子装置。 - 【請求項２７】前記フィンガは、第１のラインおよび第
２のラインから直角に延びることを特徴とする請求項２
６記載の電子装置。 - 【請求項２８】前記フィンガは、第１のラインおよび第
２のラインから斜めに延びることを特徴とする請求項２
６記載の電子装置。 - 【請求項２９】前記斜めに延びるフィンガは、交差し
て、クロス・ハッチ状パターンを形成することを特徴と
する請求項２８記載の電子装置。 - 【請求項３０】第１および第２のラインは同心状矩形で
あり、一連の幾何学的形状で分離されていることを特徴
とする請求項２４記載の電子装置。 - 【請求項３１】前記ラインが、矩形波形状であることを
特徴とする請求項２３記載の電子装置。 - 【請求項３２】前記ラインはメタライズされていること
を特徴とする請求項２３記載の電子装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/706,586 US5834829A (en) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | Energy relieving crack stop |
| US08/706586 | 1996-09-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098014A true JPH1098014A (ja) | 1998-04-14 |
| JP3229248B2 JP3229248B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=24838239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22767697A Expired - Fee Related JP3229248B2 (ja) | 1996-09-05 | 1997-08-25 | エネルギー解放クラック・ストッパ、集積回路チップ及び電子装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5834829A (ja) |
| EP (1) | EP0828288A3 (ja) |
| JP (1) | JP3229248B2 (ja) |
| KR (1) | KR100282381B1 (ja) |
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