JPH10308527A - 半導体光検出器 - Google Patents
半導体光検出器Info
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- JPH10308527A JPH10308527A JP10081624A JP8162498A JPH10308527A JP H10308527 A JPH10308527 A JP H10308527A JP 10081624 A JP10081624 A JP 10081624A JP 8162498 A JP8162498 A JP 8162498A JP H10308527 A JPH10308527 A JP H10308527A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 平面Ｐ−Ｎ接合および保護リングの界面にお
けるエッジ降伏を被らず、共通保護リング層にエッチン
グを施して同じ基板上に造られるＡＰＤの保護リングを
形成する必要のない、保護リングの周辺にパシベーショ
ンを施す追加処理を必要としないＳＡＭ−ＡＰＤを提供
すること。 【解決手段】 ＳＡＭ−ＡＰＤ１００は、ｎ--ＩｎＧａ
Ａｓ吸光層１０４、ｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層１０６、
ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８、および均一なｐ+
-ＩｎＰキャップ層１１０から構成される層構造１０２
が、ｎ+-ＩｎＰ基板１１２上に配置される。ｎ+-ＩｎＰ
基板１１２上において、層構造１０２を構成する層のエ
ピタキシャル成長が順次実施される。
けるエッジ降伏を被らず、共通保護リング層にエッチン
グを施して同じ基板上に造られるＡＰＤの保護リングを
形成する必要のない、保護リングの周辺にパシベーショ
ンを施す追加処理を必要としないＳＡＭ−ＡＰＤを提供
すること。 【解決手段】 ＳＡＭ−ＡＰＤ１００は、ｎ--ＩｎＧａ
Ａｓ吸光層１０４、ｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層１０６、
ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８、および均一なｐ+
-ＩｎＰキャップ層１１０から構成される層構造１０２
が、ｎ+-ＩｎＰ基板１１２上に配置される。ｎ+-ＩｎＰ
基板１１２上において、層構造１０２を構成する層のエ
ピタキシャル成長が順次実施される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アバランシェフォ
トダイオードに係り、とりわけ、高利得半導体のアバラ
ンシェフォトダイオードに関する。
トダイオードに係り、とりわけ、高利得半導体のアバラ
ンシェフォトダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】アバランシェフォトダイオード（以下、
ＡＰＤと称す）は、露光すると荷電キャリアが発生し増
倍される半導体デバイスである。ＡＰＤは、高速通信に
おいて広く用いられている。ＡＰＤは、高ピーク電界が
降伏に近い、逆バイアス下で動作する。適合する波長範
囲内、すなわち、３００〜１６００ｎｍ内の入射フォト
ンによって、半導体材料に荷電キャリア（電子および／
または正孔）が生じる。荷電キャリアは、大きい逆バイ
アスによって電極に向かって加速される。こうして加速
されたキャリアは、半導体材料内における衝突電離によ
って二次キャリアを発生する。この結果、得られるアバ
ランシェの利得は１０３を超える可能性がある。ＡＰＤ
によって、受光器の感度を１０ｄＢ向上させることが可
能である。
ＡＰＤと称す）は、露光すると荷電キャリアが発生し増
倍される半導体デバイスである。ＡＰＤは、高速通信に
おいて広く用いられている。ＡＰＤは、高ピーク電界が
降伏に近い、逆バイアス下で動作する。適合する波長範
囲内、すなわち、３００〜１６００ｎｍ内の入射フォト
ンによって、半導体材料に荷電キャリア（電子および／
または正孔）が生じる。荷電キャリアは、大きい逆バイ
アスによって電極に向かって加速される。こうして加速
されたキャリアは、半導体材料内における衝突電離によ
って二次キャリアを発生する。この結果、得られるアバ
ランシェの利得は１０３を超える可能性がある。ＡＰＤ
によって、受光器の感度を１０ｄＢ向上させることが可
能である。
【０００３】長い波長、例えば、１０００〜１６００ｎ
ｍの範囲の波長の場合、ＡＰＤの吸光層は、禁止帯の幅
が狭い半導体材料から形成されなければならない。しか
し、大きい逆バイアスをかけることによって、一般に、
禁止帯の幅が狭い材料を流れる大きな暗電流に起因する
過剰ノイズが生じることになる。この過剰ノイズを抑制
するため、より禁止帯の幅が広い材料の独立した層を設
けて、アバランシェ増倍を可能にしている。こうして構
成されるＡＰＤは、一般に、独立した吸光および増倍
（ＳＡＭ）ＡＰＤとして知られている。
ｍの範囲の波長の場合、ＡＰＤの吸光層は、禁止帯の幅
が狭い半導体材料から形成されなければならない。しか
し、大きい逆バイアスをかけることによって、一般に、
禁止帯の幅が狭い材料を流れる大きな暗電流に起因する
過剰ノイズが生じることになる。この過剰ノイズを抑制
するため、より禁止帯の幅が広い材料の独立した層を設
けて、アバランシェ増倍を可能にしている。こうして構
成されるＡＰＤは、一般に、独立した吸光および増倍
（ＳＡＭ）ＡＰＤとして知られている。
【０００４】一般に、２つのタイプのＳＡＭ−ＡＰＤ構
造、すなわち、平面構造またはメサ構造が存在する。メ
サ構造ＳＡＭ−ＡＰＤの場合、増倍層のエピタキシャル
成長が施される。これによって、層の厚さおよび不純物
のドーパント濃度に関して精密な制御が可能になる。し
かし、メサ構造は、メサ表面の強電界領域を露出する。
最近まで、この表面のパシベーションは、十分に立証さ
れておらず、メサ構造ＡＰＤは好感を持たれなかった。
造、すなわち、平面構造またはメサ構造が存在する。メ
サ構造ＳＡＭ−ＡＰＤの場合、増倍層のエピタキシャル
成長が施される。これによって、層の厚さおよび不純物
のドーパント濃度に関して精密な制御が可能になる。し
かし、メサ構造は、メサ表面の強電界領域を露出する。
最近まで、この表面のパシベーションは、十分に立証さ
れておらず、メサ構造ＡＰＤは好感を持たれなかった。
【０００５】適正に設計された平面構造ＡＰＤは、構造
表面における電界強度がメサ構造ＡＰＤよりも低い。平
面構造ＡＰＤの場合、Ｐ−Ｎ接合は、一般に、ｐ型ドー
ピングエージェント（ドーパント）をエピタキシャル成
長させたｎ型層に拡散することによって形成される。増
倍層の厚さは、Ｐ−Ｎ接合の位置によって形成される。
図８には、ｎ+-ＩｎＰ基板１５上に、ｎ型のＩｎＰバッ
ファ層１０、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１、ｎ--ＩｎＧ
ａＡｓＰ中間層１２、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１
３、およびｎ--ＩｎＰウインドウ層１４を順次エピタキ
シャル成長させた、従来の平面ＳＡＭ−ＡＰＤが示され
ている。ｐ+-ＩｎＰ拡散層１６およびｐ型保護リング１
７が、選択的拡散またはイオン注入技法によってｎ--Ｉ
ｎＰウインドウ層１４に形成される。デバイスの上部表
面には、Ｐ側電極１８が設けられており、ｎ+-ＩｎＰ基
板１５の下部表面には、Ｎ側電極１９が形成されてい
る。
表面における電界強度がメサ構造ＡＰＤよりも低い。平
面構造ＡＰＤの場合、Ｐ−Ｎ接合は、一般に、ｐ型ドー
ピングエージェント（ドーパント）をエピタキシャル成
長させたｎ型層に拡散することによって形成される。増
倍層の厚さは、Ｐ−Ｎ接合の位置によって形成される。
図８には、ｎ+-ＩｎＰ基板１５上に、ｎ型のＩｎＰバッ
ファ層１０、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１、ｎ--ＩｎＧ
ａＡｓＰ中間層１２、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１
３、およびｎ--ＩｎＰウインドウ層１４を順次エピタキ
シャル成長させた、従来の平面ＳＡＭ−ＡＰＤが示され
ている。ｐ+-ＩｎＰ拡散層１６およびｐ型保護リング１
７が、選択的拡散またはイオン注入技法によってｎ--Ｉ
ｎＰウインドウ層１４に形成される。デバイスの上部表
面には、Ｐ側電極１８が設けられており、ｎ+-ＩｎＰ基
板１５の下部表面には、Ｎ側電極１９が形成されてい
る。
【０００６】説明したばかりのＳＡＭ−ＡＰＤの場合、
ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１における吸光によって発生
する正孔は、ドリフトして、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増
倍層１３内に入り込み、アバランシェ増倍を開始する。
ＡＰＤは、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１における電界が
暗電流を抑制するのに十分な弱さに保たれるように設計
するのが理想である。ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１に発
生する正孔が、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１とｎ型のｎ
-ＩｎＰアバランシェ増倍層１３の間に形成されたヘテ
ロ接合の価電子帯に蓄積される。これによって、ＡＰＤ
の応答時間が増す。この欠点を克服するため、ｎ--Ｉｎ
ＧａＡｓ吸光層１１とｎ型のｎ-ＩｎＰアバランシェ増
倍層１３の間に、ｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層１２が配置
される。
ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１における吸光によって発生
する正孔は、ドリフトして、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増
倍層１３内に入り込み、アバランシェ増倍を開始する。
ＡＰＤは、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１における電界が
暗電流を抑制するのに十分な弱さに保たれるように設計
するのが理想である。ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１に発
生する正孔が、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１とｎ型のｎ
-ＩｎＰアバランシェ増倍層１３の間に形成されたヘテ
ロ接合の価電子帯に蓄積される。これによって、ＡＰＤ
の応答時間が増す。この欠点を克服するため、ｎ--Ｉｎ
ＧａＡｓ吸光層１１とｎ型のｎ-ＩｎＰアバランシェ増
倍層１３の間に、ｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層１２が配置
される。
【０００７】高感度を得るには、ｎ--ＩｎＰウインドウ
層１４とｐ+-ＩｎＰ拡散層１６との間のＰ−Ｎ接合２１
に沿って均一なアバランシェ増倍を実現することが必要
になる。そのため、降伏領域をＰ−Ｎ接合２１の平面部
分と同じだけ広がるＡＰＤの中央部分に制限することが
必要になる。ずっと以前から、湾曲によって電界強度が
増すことが認識されてきた。従って、Ｐ−Ｎ接合２１の
両端間が所定の電位差の場合、電界強度は、Ｐ−Ｎ接合
の湾曲部分２０のほうが平面部分より高くなる。この電
界強度の増大によって、湾曲部分２０に早期降伏を生じ
させる可能性がある。この降伏は、一般に、エッジ降伏
として知られるものである。
層１４とｐ+-ＩｎＰ拡散層１６との間のＰ−Ｎ接合２１
に沿って均一なアバランシェ増倍を実現することが必要
になる。そのため、降伏領域をＰ−Ｎ接合２１の平面部
分と同じだけ広がるＡＰＤの中央部分に制限することが
必要になる。ずっと以前から、湾曲によって電界強度が
増すことが認識されてきた。従って、Ｐ−Ｎ接合２１の
両端間が所定の電位差の場合、電界強度は、Ｐ−Ｎ接合
の湾曲部分２０のほうが平面部分より高くなる。この電
界強度の増大によって、湾曲部分２０に早期降伏を生じ
させる可能性がある。この降伏は、一般に、エッジ降伏
として知られるものである。
【０００８】エッジ降伏を回避するため、ｐ+-ＩｎＰ拡
散層１６を包囲するｐ型保護リング１７が設けられてい
る。ｐ型保護リング１７は、ｎ--ＩｎＰウインドウ層１
４とｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１３との両方の間に
第２のＰ−Ｎ接合２２が生じるように形成されている。
第２のＰ−Ｎ接合２２は、Ｐ−Ｎ接合２１より一般に深
くなる。該ｐ型保護リング１７によって、Ｐ−Ｎ接合２
１の湾曲部分２０が有効に排除される。
散層１６を包囲するｐ型保護リング１７が設けられてい
る。ｐ型保護リング１７は、ｎ--ＩｎＰウインドウ層１
４とｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１３との両方の間に
第２のＰ−Ｎ接合２２が生じるように形成されている。
第２のＰ−Ｎ接合２２は、Ｐ−Ｎ接合２１より一般に深
くなる。該ｐ型保護リング１７によって、Ｐ−Ｎ接合２
１の湾曲部分２０が有効に排除される。
【０００９】上述のように、従来の平面ＡＰＤの場合、
ｎ--ＩｎＰウインドウ層１４は、キャリア濃度が低くな
る場合が多く、よりキャリア濃度の高いｎ型のｎ-Ｉｎ
Ｐアバランシェ増倍層１３上にエピタキシャル成長させ
られる。第２のＰ−Ｎ接合２２は、高温で、ｎ--ＩｎＰ
ウインドウ層１４に対して、Ｂｅイオン等の選択的拡
散、または、注入および焼なまし（annealing）を施す
ことによって形成される。Ｐ−Ｎ接合２１は、一般に、
拡散源としてＣｄまたはＺｎを利用し、ｎ--ＩｎＰウイ
ンドウ層１４に対して、Ｐ+-ＩｎＰ拡散層１６を形成す
るｐ型ドーパントの選択的拡散を施すことによって形成
される。
ｎ--ＩｎＰウインドウ層１４は、キャリア濃度が低くな
る場合が多く、よりキャリア濃度の高いｎ型のｎ-Ｉｎ
Ｐアバランシェ増倍層１３上にエピタキシャル成長させ
られる。第２のＰ−Ｎ接合２２は、高温で、ｎ--ＩｎＰ
ウインドウ層１４に対して、Ｂｅイオン等の選択的拡
散、または、注入および焼なまし（annealing）を施す
ことによって形成される。Ｐ−Ｎ接合２１は、一般に、
拡散源としてＣｄまたはＺｎを利用し、ｎ--ＩｎＰウイ
ンドウ層１４に対して、Ｐ+-ＩｎＰ拡散層１６を形成す
るｐ型ドーパントの選択的拡散を施すことによって形成
される。
【００１０】高利得帯域幅積のＡＰＤを実現するため、
Ｐ−Ｎ接合２１は、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１３
の近くまたは内部に位置するように、できるだけ深く配
置される。さらに、応答時間を短縮するため、増倍層
は、ドーパント濃度が高くなければならない。このため
には、光で発生するキャリアが所望の利得を得るのに十
分な量だけ抽出されるように、ｎ-ＩｎＰアバランシェ
増倍層１３およびｐ型保護リング１７のドーピングと厚
さの両方に対して高度な制御を施すことが必要になる。
また、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１における電界は、過
剰な暗電流を回避するため、弱く保たなければならな
い。
Ｐ−Ｎ接合２１は、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１３
の近くまたは内部に位置するように、できるだけ深く配
置される。さらに、応答時間を短縮するため、増倍層
は、ドーパント濃度が高くなければならない。このため
には、光で発生するキャリアが所望の利得を得るのに十
分な量だけ抽出されるように、ｎ-ＩｎＰアバランシェ
増倍層１３およびｐ型保護リング１７のドーピングと厚
さの両方に対して高度な制御を施すことが必要になる。
また、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１１における電界は、過
剰な暗電流を回避するため、弱く保たなければならな
い。
【００１１】ＡＰＤを製造する拡散技法の限界は明白で
ある。拡散を利用して形成することが可能な構造の精度
には限界がある。例えば、１００ＧＨｚの利得帯域幅積
を実現するには、均一にドープされた増倍層は、必要と
される±０．００４μｍで約０．７μｍの厚さを備えて
いなければならない。拡散テクノロジによってこの精度
を実現するのは極めて困難である。同様の理由から、保
護リングのドーピングおよび位置を正確に制御するのは
困難である。このため、ＡＰＤの生産において生産の歩
留まりが減少し、コストが増大する場合が多い。生産の
歩留まりの減少は、高利得帯域幅積のＡＰＤを製造する
場合の重大な欠点である。
ある。拡散を利用して形成することが可能な構造の精度
には限界がある。例えば、１００ＧＨｚの利得帯域幅積
を実現するには、均一にドープされた増倍層は、必要と
される±０．００４μｍで約０．７μｍの厚さを備えて
いなければならない。拡散テクノロジによってこの精度
を実現するのは極めて困難である。同様の理由から、保
護リングのドーピングおよび位置を正確に制御するのは
困難である。このため、ＡＰＤの生産において生産の歩
留まりが減少し、コストが増大する場合が多い。生産の
歩留まりの減少は、高利得帯域幅積のＡＰＤを製造する
場合の重大な欠点である。
【００１２】米国特許出願第０８／３８９，３７５号に
おいて、本発明の発明者は、メサのまわりに保護リング
をエピタキシャル再成長させることによって、メサ表面
における平面Ｐ−Ｎ接合のパシベーションに関する問題
を解決した、メサ構造ＳＡＭ−ＡＰＤを開示している。
該デバイスの断面図が図９に示されている。ｎ+-ＩｎＰ
基板２６上に、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層２３、ｎ--Ｉｎ
ＧａＡｓＰ中間層２４、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層
２５、および均一なｐ+-ＩｎＰキャップ層２７のエピタ
キシャル成長が順次実施される。ｎ-ＩｎＰアバランシ
ェ増倍層２５およびｐ+-ＩｎＰキャップ層２７によっ
て、第１の平面Ｐ−Ｎ接合２８が形成される。ｐ+-Ｉｎ
Ｐキャップ層２７の厚さを完全に貫いて延びる部分、お
よびｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層２５の厚さを部分的
に貫いて延びる部分を除去することによって、メサ構造
が形成される。
おいて、本発明の発明者は、メサのまわりに保護リング
をエピタキシャル再成長させることによって、メサ表面
における平面Ｐ−Ｎ接合のパシベーションに関する問題
を解決した、メサ構造ＳＡＭ−ＡＰＤを開示している。
該デバイスの断面図が図９に示されている。ｎ+-ＩｎＰ
基板２６上に、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層２３、ｎ--Ｉｎ
ＧａＡｓＰ中間層２４、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層
２５、および均一なｐ+-ＩｎＰキャップ層２７のエピタ
キシャル成長が順次実施される。ｎ-ＩｎＰアバランシ
ェ増倍層２５およびｐ+-ＩｎＰキャップ層２７によっ
て、第１の平面Ｐ−Ｎ接合２８が形成される。ｐ+-Ｉｎ
Ｐキャップ層２７の厚さを完全に貫いて延びる部分、お
よびｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層２５の厚さを部分的
に貫いて延びる部分を除去することによって、メサ構造
が形成される。
【００１３】増倍層上において、保護リング２９のエピ
タキシャル再成長が実施されて、メサが包囲され、保護
リング２９とｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層２５との間
の界面に第２のＰ−Ｎ接合３４が形成される。保護リン
グ２９は、保護リング２９の再成長前に、メサ構造の表
面において露出された、第１の平面Ｐ−Ｎ接合２８を保
護する。保護リング２９は、ｐ+-ＩｎＰキャップ層２７
と同じ半導体材料から形成するのが望ましいが、保護リ
ング２９の電界を弱めるため、不純物の濃度はより低
い。
タキシャル再成長が実施されて、メサが包囲され、保護
リング２９とｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層２５との間
の界面に第２のＰ−Ｎ接合３４が形成される。保護リン
グ２９は、保護リング２９の再成長前に、メサ構造の表
面において露出された、第１の平面Ｐ−Ｎ接合２８を保
護する。保護リング２９は、ｐ+-ＩｎＰキャップ層２７
と同じ半導体材料から形成するのが望ましいが、保護リ
ング２９の電界を弱めるため、不純物の濃度はより低
い。
【００１４】第２のＰ−Ｎ接合３４には、平面部分３６
および湾曲部分３７が含まれている。平面部分３６は、
ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層２５に隣接して、平行に
配置されている。湾曲部分３７は、第１の平面Ｐ−Ｎ接
合２８よりもｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層２３に近接して配
置されている。さらに、保護リング２９は、不純物の濃
度がｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層２５より低いことが
望ましい。この構造によって、第１の平面Ｐ−Ｎ接合２
８に近接した電界が大幅に弱まり、エッジ降伏の可能性
が低下する。
および湾曲部分３７が含まれている。平面部分３６は、
ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層２５に隣接して、平行に
配置されている。湾曲部分３７は、第１の平面Ｐ−Ｎ接
合２８よりもｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層２３に近接して配
置されている。さらに、保護リング２９は、不純物の濃
度がｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層２５より低いことが
望ましい。この構造によって、第１の平面Ｐ−Ｎ接合２
８に近接した電界が大幅に弱まり、エッジ降伏の可能性
が低下する。
【００１５】図９に示すメサ構造ＡＰＤには、図８に示
す従来の平面構造ＡＰＤのｎ--ＩｎＰウインドウ層１４
に対応するウインドウ層が欠けている。ウインドウ層を
省くことによって、アバランシェの立ち上がり時間が大
幅に短縮され、この結果、従来の平面構造ＡＰＤに比べ
て、メサ構造ＡＰＤの応答時間が短縮される。
す従来の平面構造ＡＰＤのｎ--ＩｎＰウインドウ層１４
に対応するウインドウ層が欠けている。ウインドウ層を
省くことによって、アバランシェの立ち上がり時間が大
幅に短縮され、この結果、従来の平面構造ＡＰＤに比べ
て、メサ構造ＡＰＤの応答時間が短縮される。
【００１６】Ｐ側電極３０が、ｐ+-ＩｎＰキャップ層２
７に接触して配置されている。Ｎ側電極３１が、半導体
基板であるｎ+-ＩｎＰ基板２６の下方表面に形成されて
いる。
７に接触して配置されている。Ｎ側電極３１が、半導体
基板であるｎ+-ＩｎＰ基板２６の下方表面に形成されて
いる。
【００１７】上述のメサ構造ＳＡＭ−ＡＰＤのテスト結
果は、多少の残留エッジ降伏が生じることを表してい
る。こうした残留エッジ降伏の原因に関する発明者の分
析によれば、ＡＰＤの利得が、第１のＰ−Ｎ接合の両端
間において均一ではなく、この接合がメサ構造の側部と
交差するところにピークがあるということである。発明
者の分析によれば、利得ピークの原因は、メサ構造とエ
ピタキシャル再成長させた保護リングとの界面に残る鋭
角コーナ３２ということになる。少量ドープした増倍層
および保護リングに隣接して配置された、多量ドープし
たｐ型材料の鋭角部分によって、第１のＰ−Ｎ接合の両
端における電界強度が急激に増大する。
果は、多少の残留エッジ降伏が生じることを表してい
る。こうした残留エッジ降伏の原因に関する発明者の分
析によれば、ＡＰＤの利得が、第１のＰ−Ｎ接合の両端
間において均一ではなく、この接合がメサ構造の側部と
交差するところにピークがあるということである。発明
者の分析によれば、利得ピークの原因は、メサ構造とエ
ピタキシャル再成長させた保護リングとの界面に残る鋭
角コーナ３２ということになる。少量ドープした増倍層
および保護リングに隣接して配置された、多量ドープし
たｐ型材料の鋭角部分によって、第１のＰ−Ｎ接合の両
端における電界強度が急激に増大する。
【００１８】さらに、上述のメサ構造ＳＡＭ−ＡＰＤの
生産歩留まりは、期待より少なかった。複数ＡＰＤが、
共通基板上に造られ、ウェーハの全表面に、単一保護リ
ング層のエピタキシャル再成長が施される場合、デバイ
スの保護リングを互いに分離するため、後続の追加エッ
チングが必要になる。保護リングがエッチングによって
形成される場合、保護リングの周囲に、第２の再成長に
よって、または、窒化珪素のような適合する融電体薄膜
によってパシベーションを施し、過剰な表面漏洩電流を
阻止することが必要になる。追加処理によって、良好な
ＡＰＤの歩留まりが減少する。
生産歩留まりは、期待より少なかった。複数ＡＰＤが、
共通基板上に造られ、ウェーハの全表面に、単一保護リ
ング層のエピタキシャル再成長が施される場合、デバイ
スの保護リングを互いに分離するため、後続の追加エッ
チングが必要になる。保護リングがエッチングによって
形成される場合、保護リングの周囲に、第２の再成長に
よって、または、窒化珪素のような適合する融電体薄膜
によってパシベーションを施し、過剰な表面漏洩電流を
阻止することが必要になる。追加処理によって、良好な
ＡＰＤの歩留まりが減少する。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、平面
Ｐ−Ｎ接合および保護リングの界面におけるエッジ降伏
を被らないＳＡＭ−ＡＰＤを提供することにある。本発
明のもう１つの目的は、共通保護リング層にエッチング
を施して、同じ基板上に造られるＡＰＤの保護リングを
形成する必要のない、また、保護リングの周辺にパシベ
ーションを施す追加処理を必要としない、ＳＡＭ−ＡＰ
Ｄを提供することにある。
Ｐ−Ｎ接合および保護リングの界面におけるエッジ降伏
を被らないＳＡＭ−ＡＰＤを提供することにある。本発
明のもう１つの目的は、共通保護リング層にエッチング
を施して、同じ基板上に造られるＡＰＤの保護リングを
形成する必要のない、また、保護リングの周辺にパシベ
ーションを施す追加処理を必要としない、ＳＡＭ−ＡＰ
Ｄを提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、メサ構
造の表面におけるｐ+バッファ領域によって、バッファ
領域の形成以前に、少量ドープしたｎ型増倍層およびｐ
型保護リングに隣接して存在したキャップ層の鋭角をな
す多量ドープした部分が排除される。この結果、平面エ
ピタキシャルＰ−Ｎ接合の端部における電界強度が低下
し、この接合のエッジ降伏が阻止される。ＳＡＭ−ＡＰ
Ｄには、保護リングの再成長以前にマスキング層に形成
されたウインドウによって側方範囲が画定される、保護
リングが含まれている。この保護リング構造によって、
保護リングの側方範囲を画定し、保護リングの周囲にパ
シベーションを施す追加処理ステップを実施する必要が
なくなる。
造の表面におけるｐ+バッファ領域によって、バッファ
領域の形成以前に、少量ドープしたｎ型増倍層およびｐ
型保護リングに隣接して存在したキャップ層の鋭角をな
す多量ドープした部分が排除される。この結果、平面エ
ピタキシャルＰ−Ｎ接合の端部における電界強度が低下
し、この接合のエッジ降伏が阻止される。ＳＡＭ−ＡＰ
Ｄには、保護リングの再成長以前にマスキング層に形成
されたウインドウによって側方範囲が画定される、保護
リングが含まれている。この保護リング構造によって、
保護リングの側方範囲を画定し、保護リングの周囲にパ
シベーションを施す追加処理ステップを実施する必要が
なくなる。
【００２１】本発明によれば、半導体層構造、キャップ
層、バッファ領域を含むメサ構造、および保護リングか
ら構成される半導体光検出器が得られる。半導体層構造
は、第１の導電性タイプの層構造であり、吸光層および
アバランシェ増倍層を含んでいる。アバランシェ増倍層
は、第１の不純物濃度を有している。キャップ層は、第
２の導電性タイプの半導体材料から形成され、アバラン
シェ増倍層に近接して配置され、増倍層と第１のＰ−Ｎ
接合を形成する。メサ構造には、キャップ層、第１のＰ
−Ｎ層、第１のＰ−Ｎ接合、およびアバランシェ増倍層
の上方部分が含まれている。バッファ領域は、メサ表面
からメサ構造内に入り込む第２の導電性タイプの領域で
ある。保護リングは、第２の導電性タイプのエピタキシ
ャル半導体材料製であり、メサ構造のバッファ領域に近
接して配置され、第１のＰ−Ｎ接合を包囲する。保護リ
ングは、第１の不純物濃度より低い第２の不純物濃度を
有している。
層、バッファ領域を含むメサ構造、および保護リングか
ら構成される半導体光検出器が得られる。半導体層構造
は、第１の導電性タイプの層構造であり、吸光層および
アバランシェ増倍層を含んでいる。アバランシェ増倍層
は、第１の不純物濃度を有している。キャップ層は、第
２の導電性タイプの半導体材料から形成され、アバラン
シェ増倍層に近接して配置され、増倍層と第１のＰ−Ｎ
接合を形成する。メサ構造には、キャップ層、第１のＰ
−Ｎ層、第１のＰ−Ｎ接合、およびアバランシェ増倍層
の上方部分が含まれている。バッファ領域は、メサ表面
からメサ構造内に入り込む第２の導電性タイプの領域で
ある。保護リングは、第２の導電性タイプのエピタキシ
ャル半導体材料製であり、メサ構造のバッファ領域に近
接して配置され、第１のＰ−Ｎ接合を包囲する。保護リ
ングは、第１の不純物濃度より低い第２の不純物濃度を
有している。
【００２２】本発明によれば、上述の半導体光検出器を
製造する方法も得られる。該方法の場合、半導体層構造
が得られる。半導体層構造には、第１の導電性タイプの
キャップ層と、第２の導電性タイプの吸光層およびアバ
ランシェ増倍層とが含まれている。増倍層は、キャップ
層に近接して配置されて、第１のＰ−Ｎ接合を形成す
る。半導体層構造にエッチングを施すことによって、キ
ャップ層およびアバランシェ増倍層の一部を含むメサ構
造が形成される。メサ表面に不純物を注入することによ
って、第１の導電性タイプのバッファ領域が形成され
る。次に、メサ構造のまわりに、第１の導電性タイプの
エピタキシャル半導体材料の層を選択的に再成長させる
ことによって、保護リングが形成される。
製造する方法も得られる。該方法の場合、半導体層構造
が得られる。半導体層構造には、第１の導電性タイプの
キャップ層と、第２の導電性タイプの吸光層およびアバ
ランシェ増倍層とが含まれている。増倍層は、キャップ
層に近接して配置されて、第１のＰ−Ｎ接合を形成す
る。半導体層構造にエッチングを施すことによって、キ
ャップ層およびアバランシェ増倍層の一部を含むメサ構
造が形成される。メサ表面に不純物を注入することによ
って、第１の導電性タイプのバッファ領域が形成され
る。次に、メサ構造のまわりに、第１の導電性タイプの
エピタキシャル半導体材料の層を選択的に再成長させる
ことによって、保護リングが形成される。
【００２３】本発明によれば、半導体層構造、キャップ
層、メサ構造、メサ表面の一部をカバーするマスキング
層、およびマスキング層のウインドウによって側方範囲
が画定される保護リングから構成される半導体光検出器
も得られる。半導体層構造は、第１の導電性タイプの層
構造であり、吸光層およびアバランシェ増倍層を含んで
いる。アバランシェ増倍層は、第１の不純物濃度を有し
ている。キャップ層は、第２の導電性タイプの半導体材
料から形成され、アバランシェ増倍層に近接して配置さ
れ、増倍層と第１のＰ−Ｎ接合を形成する。メサ構造に
は、キャップ層、第１のＰ−Ｎ接合、およびアバランシ
ェ増倍層の一部が含まれている。マスキング層は、メサ
表面の一部をカバーし、メサ構造の少なくとも側部をカ
バーするウインドウを形成する。保護リングは、第２の
導電性タイプのエピタキシャル半導体材料であり、ウイ
ンドウと同じだけ広がっている。保護リングは、第１の
不純物濃度より低い第２の不純物濃度を有している。
層、メサ構造、メサ表面の一部をカバーするマスキング
層、およびマスキング層のウインドウによって側方範囲
が画定される保護リングから構成される半導体光検出器
も得られる。半導体層構造は、第１の導電性タイプの層
構造であり、吸光層およびアバランシェ増倍層を含んで
いる。アバランシェ増倍層は、第１の不純物濃度を有し
ている。キャップ層は、第２の導電性タイプの半導体材
料から形成され、アバランシェ増倍層に近接して配置さ
れ、増倍層と第１のＰ−Ｎ接合を形成する。メサ構造に
は、キャップ層、第１のＰ−Ｎ接合、およびアバランシ
ェ増倍層の一部が含まれている。マスキング層は、メサ
表面の一部をカバーし、メサ構造の少なくとも側部をカ
バーするウインドウを形成する。保護リングは、第２の
導電性タイプのエピタキシャル半導体材料であり、ウイ
ンドウと同じだけ広がっている。保護リングは、第１の
不純物濃度より低い第２の不純物濃度を有している。
【００２４】最後に、本発明によれば、上述の半導体光
検出器の製造方法が得られる。この方法の場合、半導体
層構造が形成される。この半導体層構造には、第１の導
電性タイプのキャップ層と、第２の導電性タイプの吸光
層およびアバランシェ増倍層とが含まれる。アバランシ
ェ増倍層は、キャップ層に近接して配置され、第１のＰ
−Ｎ接合を形成する。半導体層構造にエッチングを施す
ことによって、キャップ層とアバランシェ増倍層の一部
を含むメサ構造とが形成される。メサ構造の表面の一部
に、第１の導電性タイプのエピタキシャル半導体材料の
層を選択的に再成長させることによって、保護リングが
形成される。エピタキシャル半導体材料の層を選択的に
再成長させることによって、メサ構造に対する所定の側
方範囲が画定される。
検出器の製造方法が得られる。この方法の場合、半導体
層構造が形成される。この半導体層構造には、第１の導
電性タイプのキャップ層と、第２の導電性タイプの吸光
層およびアバランシェ増倍層とが含まれる。アバランシ
ェ増倍層は、キャップ層に近接して配置され、第１のＰ
−Ｎ接合を形成する。半導体層構造にエッチングを施す
ことによって、キャップ層とアバランシェ増倍層の一部
を含むメサ構造とが形成される。メサ構造の表面の一部
に、第１の導電性タイプのエピタキシャル半導体材料の
層を選択的に再成長させることによって、保護リングが
形成される。エピタキシャル半導体材料の層を選択的に
再成長させることによって、メサ構造に対する所定の側
方範囲が画定される。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１には、本発明によるＳＡＭ−
アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）１００の第１
の実施形態が示されている。この場合、ｎ--ＩｎＧａＡ
ｓ吸光層１０４、ｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層１０６、ｎ
-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８、および均一なｐ+-
ＩｎＰキャップ層１１０から構成される層構造１０２
が、ｎ+-ＩｎＰ基板１１２上に配置される。ｎ+-ＩｎＰ
基板１１２上において、該層構造１０２を構成する層の
エピタキシャル成長が順次実施される。ｐ+-ＩｎＰキャ
ップ層１１０とｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の
間の界面には、平面である第１のＰ−Ｎ接合１１４が配
置される。第１のＰ−Ｎ接合１１４は、２つのエピタキ
シャル成長させた層間における階段平面接合である。第
１のＰ−Ｎ接合１１４は、不純物濃度が増倍層よりかな
り高いｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０のために非対称性で
ある。
アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）１００の第１
の実施形態が示されている。この場合、ｎ--ＩｎＧａＡ
ｓ吸光層１０４、ｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層１０６、ｎ
-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８、および均一なｐ+-
ＩｎＰキャップ層１１０から構成される層構造１０２
が、ｎ+-ＩｎＰ基板１１２上に配置される。ｎ+-ＩｎＰ
基板１１２上において、該層構造１０２を構成する層の
エピタキシャル成長が順次実施される。ｐ+-ＩｎＰキャ
ップ層１１０とｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の
間の界面には、平面である第１のＰ−Ｎ接合１１４が配
置される。第１のＰ−Ｎ接合１１４は、２つのエピタキ
シャル成長させた層間における階段平面接合である。第
１のＰ−Ｎ接合１１４は、不純物濃度が増倍層よりかな
り高いｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０のために非対称性で
ある。
【００２６】メサ構造１２０は、ｐ+-ＩｎＰキャップ層
１１０と、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の一部
を通って延びている。メサ構造１２０の場合、メサ上部
１２２は、傾斜するメサ側部１２６によってメサ肩１２
４に接続されている。メサ構造１２０のメサ表面１２８
は、環状ウインドウ１６２、１６６を形成するマスキン
グ層１６４によってカバーされている。マスキング層１
６４は、一般に、窒化珪素の層であり、３つの主たる役
割を担っている。ＳＡＭ−ＡＰＤ１００の生産時に、後
述のように、マスキング層１６４によって保護リングの
側方範囲が画定される。生産後、マスキング層１６４
は、保護リングによってカバーされていないメサ表面１
２８の部分にパシベーションを施し、キャップ層をカバ
ーするマスキング層１６４の部分は、反射防止コーティ
ングとして機能することが可能である。
１１０と、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の一部
を通って延びている。メサ構造１２０の場合、メサ上部
１２２は、傾斜するメサ側部１２６によってメサ肩１２
４に接続されている。メサ構造１２０のメサ表面１２８
は、環状ウインドウ１６２、１６６を形成するマスキン
グ層１６４によってカバーされている。マスキング層１
６４は、一般に、窒化珪素の層であり、３つの主たる役
割を担っている。ＳＡＭ−ＡＰＤ１００の生産時に、後
述のように、マスキング層１６４によって保護リングの
側方範囲が画定される。生産後、マスキング層１６４
は、保護リングによってカバーされていないメサ表面１
２８の部分にパシベーションを施し、キャップ層をカバ
ーするマスキング層１６４の部分は、反射防止コーティ
ングとして機能することが可能である。
【００２７】バッファ領域１３０は、メサ表面１２８か
らメサ構造１２０内に入り込む、多量ドープしたｐ+領
域である。バッファ領域１３０の不純物濃度は、ｐ+-Ｉ
ｎＰキャップ層１１０と同様であることが望ましい。バ
ッファ領域１３０は、メサ構造の傾斜するメサ側部１２
６、およびメサ肩１２４の少なくとも一部にｐ型不純物
の浅い拡散を施すことによって、形成することが可能で
ある。さらに詳細に後述するように、バッファ領域１３
０は、環状ウインドウ１６２によって形成されるメサ構
造１２０の表面の一部にｐ型の不純物を選択的に拡散す
ることによって形成するのが望ましい。しかし、マスキ
ング層１６４が、バッファ領域１３０の形成後に追加さ
れる場合には、代わりに、メサ構造１２０の全メサ表面
１２８に非選択的拡散を施すことによって、バッファ領
域１３０を形成することが可能である。
らメサ構造１２０内に入り込む、多量ドープしたｐ+領
域である。バッファ領域１３０の不純物濃度は、ｐ+-Ｉ
ｎＰキャップ層１１０と同様であることが望ましい。バ
ッファ領域１３０は、メサ構造の傾斜するメサ側部１２
６、およびメサ肩１２４の少なくとも一部にｐ型不純物
の浅い拡散を施すことによって、形成することが可能で
ある。さらに詳細に後述するように、バッファ領域１３
０は、環状ウインドウ１６２によって形成されるメサ構
造１２０の表面の一部にｐ型の不純物を選択的に拡散す
ることによって形成するのが望ましい。しかし、マスキ
ング層１６４が、バッファ領域１３０の形成後に追加さ
れる場合には、代わりに、メサ構造１２０の全メサ表面
１２８に非選択的拡散を施すことによって、バッファ領
域１３０を形成することが可能である。
【００２８】代替案として、バッファ領域１３０は、適
合するｐ型の不純物イオンをメサ構造１２０のメサ表面
１２８に注入することによって形成することも可能であ
る。イオン注入は、メサ構造１２０のメサ側部１２６お
よび少なくともメサ肩１２４の一部に選択的に行うのが
望ましいが、非選択的に実施することも可能である。拡
散によるバッファ領域の形成に比較すると、イオン注入
によるバッファ領域の形成の場合、バッファ領域におけ
る不純物濃度、およびバッファ領域の深さをより精密に
制御することが可能である。しかし、イオン注入による
バッファ領域の形成には、より多くの処理ステップが必
要になる。
合するｐ型の不純物イオンをメサ構造１２０のメサ表面
１２８に注入することによって形成することも可能であ
る。イオン注入は、メサ構造１２０のメサ側部１２６お
よび少なくともメサ肩１２４の一部に選択的に行うのが
望ましいが、非選択的に実施することも可能である。拡
散によるバッファ領域の形成に比較すると、イオン注入
によるバッファ領域の形成の場合、バッファ領域におけ
る不純物濃度、およびバッファ領域の深さをより精密に
制御することが可能である。しかし、イオン注入による
バッファ領域の形成には、より多くの処理ステップが必
要になる。
【００２９】バッファ領域１３０は、ｎ-ＩｎＰアバラ
ンシェ増倍層１０８とＰ−Ｎ接合を形成する。このＰ−
Ｎ接合、すなわち第２のＰ−Ｎ接合１１６は、ｐ型の不
純物をｎ型の増倍領域に拡散または注入することによっ
て形成される結果として、傾斜の穏やかな接合になる。
第２のＰ−Ｎ接合１１６には、平面部分１３６および湾
曲部分１３８が含まれている。
ンシェ増倍層１０８とＰ−Ｎ接合を形成する。このＰ−
Ｎ接合、すなわち第２のＰ−Ｎ接合１１６は、ｐ型の不
純物をｎ型の増倍領域に拡散または注入することによっ
て形成される結果として、傾斜の穏やかな接合になる。
第２のＰ−Ｎ接合１１６には、平面部分１３６および湾
曲部分１３８が含まれている。
【００３０】バッファ領域１３０は、メサ表面１２８か
らｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８およびｐ+-Ｉｎ
Ｐキャップ層１１０内に入り込んでいる。しかし、ｐ+-
ＩｎＰキャップ層１１０におけるバッファ領域１３０の
一部の特性は、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０におけるｐ
型の不純物が既に高レベルであるため、ｐ+-ＩｎＰキャ
ップ層１１０の特性とほぼ同じである。バッファ領域１
３０は、後述するように保護リング１４０内にもわずか
に入り込んでおり、マスキング層１６４の下を側方に延
びている。従って、マスキング層１６４によって、第２
のＰ−Ｎ接合１１６とメサ表面１２８の交差部１３４が
パシベーションを施される。
らｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８およびｐ+-Ｉｎ
Ｐキャップ層１１０内に入り込んでいる。しかし、ｐ+-
ＩｎＰキャップ層１１０におけるバッファ領域１３０の
一部の特性は、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０におけるｐ
型の不純物が既に高レベルであるため、ｐ+-ＩｎＰキャ
ップ層１１０の特性とほぼ同じである。バッファ領域１
３０は、後述するように保護リング１４０内にもわずか
に入り込んでおり、マスキング層１６４の下を側方に延
びている。従って、マスキング層１６４によって、第２
のＰ−Ｎ接合１１６とメサ表面１２８の交差部１３４が
パシベーションを施される。
【００３１】メサ構造１２０におけるバッファ領域１３
０の深さのために、バッファ領域１３０は、ＳＡＭ−Ａ
ＰＤ１００の通常動作中に完全に空乏状態になる。通常
動作中、第２のＰ−Ｎ接合１１６の空乏領域は、バッフ
ァ領域１３０を通って、保護リング１４０内に入り込
む。
０の深さのために、バッファ領域１３０は、ＳＡＭ−Ａ
ＰＤ１００の通常動作中に完全に空乏状態になる。通常
動作中、第２のＰ−Ｎ接合１１６の空乏領域は、バッフ
ァ領域１３０を通って、保護リング１４０内に入り込
む。
【００３２】保護リング１４０は、一部がｐ+-ＩｎＰキ
ャップ層１１０から延び、一部がメサ構造１２０のメサ
肩１２４にまで達しているので、保護リング１４０によ
って、中央部１４４の外側のメサ上部１２２の一部とメ
サ構造１２０のメサ肩１２４の一部とがカバーされるこ
とになる。保護リング１４０は、単一の選択的エピタキ
シャル再成長プロセスによって形成される。ｎ+-ＩｎＰ
基板１１２に配置される複数ＡＰＤの保護リングが、そ
れぞれ、マスキング層１６４の環状ウインドウ１６２に
おいて別個に成長させられる。このように、パシベーシ
ョン層のウインドウにおいて複数ＡＰＤの保護リングを
別個に再成長させることによって、連続した保護リング
層を複数ＡＰＤのそれぞれのために分割し、各保護リン
グの周囲にパシベーションを施す追加処理の必要がなく
なる。ＳＡＭ−ＡＰＤ１００の場合、後述のように、マ
スキング層１６４によって、メサ構造の表面にパシベー
ションが施され、単一処理工程で保護リングの側方範囲
が画定される。
ャップ層１１０から延び、一部がメサ構造１２０のメサ
肩１２４にまで達しているので、保護リング１４０によ
って、中央部１４４の外側のメサ上部１２２の一部とメ
サ構造１２０のメサ肩１２４の一部とがカバーされるこ
とになる。保護リング１４０は、単一の選択的エピタキ
シャル再成長プロセスによって形成される。ｎ+-ＩｎＰ
基板１１２に配置される複数ＡＰＤの保護リングが、そ
れぞれ、マスキング層１６４の環状ウインドウ１６２に
おいて別個に成長させられる。このように、パシベーシ
ョン層のウインドウにおいて複数ＡＰＤの保護リングを
別個に再成長させることによって、連続した保護リング
層を複数ＡＰＤのそれぞれのために分割し、各保護リン
グの周囲にパシベーションを施す追加処理の必要がなく
なる。ＳＡＭ−ＡＰＤ１００の場合、後述のように、マ
スキング層１６４によって、メサ構造の表面にパシベー
ションが施され、単一処理工程で保護リングの側方範囲
が画定される。
【００３３】マスキング層１６４に形成された環状ウイ
ンドウ１６２に保護リング１４０を選択的に再成長させ
たＡＰＤは、保護リング層の一部をエッチバックするこ
とによって保護リングの側方範囲を画定したＡＰＤとは
物理的に異なっている。選択的に再成長させた保護リン
グ１４０には、環状ウインドウ１６２のエッジに隣接し
て付着成長の輪郭１４６が含まれている。エッチバック
によって再成長させた保護リングには、こうした輪郭が
ない。さらに、選択的に再成長させた保護リング１４０
のメサ肩１２４は、フラットであるが、エッチバックに
よる保護リングの場合、通常、エッチバックプロセスに
よって、保護リングの側方範囲に一致する側部を備えた
第２のメサが形成される。
ンドウ１６２に保護リング１４０を選択的に再成長させ
たＡＰＤは、保護リング層の一部をエッチバックするこ
とによって保護リングの側方範囲を画定したＡＰＤとは
物理的に異なっている。選択的に再成長させた保護リン
グ１４０には、環状ウインドウ１６２のエッジに隣接し
て付着成長の輪郭１４６が含まれている。エッチバック
によって再成長させた保護リングには、こうした輪郭が
ない。さらに、選択的に再成長させた保護リング１４０
のメサ肩１２４は、フラットであるが、エッチバックに
よる保護リングの場合、通常、エッチバックプロセスに
よって、保護リングの側方範囲に一致する側部を備えた
第２のメサが形成される。
【００３４】望ましい実施形態の場合、保護リング１４
０は、ｐ+キャップ層と同じ半導体材料から形成され
る。しかし、保護リング１４０は、ｐ+-ＩｎＰキャップ
層１１０およびバッファ領域１３０に比べて不純物の濃
度が低い。このため、保護リング１４０の電界が弱くな
る。バッファ領域１３０によって、バッファ領域１３０
の形成前に、少量ドープしたｎ型のｎ-ＩｎＰアバラン
シェ増倍層１０８およびｐ型の保護リング１４０に隣接
して存在したｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０の鋭角をなす
多量ドープした部分が有効に排除される。
０は、ｐ+キャップ層と同じ半導体材料から形成され
る。しかし、保護リング１４０は、ｐ+-ＩｎＰキャップ
層１１０およびバッファ領域１３０に比べて不純物の濃
度が低い。このため、保護リング１４０の電界が弱くな
る。バッファ領域１３０によって、バッファ領域１３０
の形成前に、少量ドープしたｎ型のｎ-ＩｎＰアバラン
シェ増倍層１０８およびｐ型の保護リング１４０に隣接
して存在したｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０の鋭角をなす
多量ドープした部分が有効に排除される。
【００３５】Ｐ側電極１５０は、ｐ+-ＩｎＰキャップ層
１１０に接触させて配置することが可能である。Ｎ側電
極１５２は、半導体基板であるｎ+-ＩｎＰ基板１１２の
下方表面に形成される。電極は、環状または中実とする
ことが可能である。この開示のため、中実電極は、ｐ+-
ＩｎＰキャップ層１１０またはｎ+-ＩｎＰ基板１１２を
完全にカバーしていることにする。環状電極は、中央に
配置されるアパーチャを形成する。
１１０に接触させて配置することが可能である。Ｎ側電
極１５２は、半導体基板であるｎ+-ＩｎＰ基板１１２の
下方表面に形成される。電極は、環状または中実とする
ことが可能である。この開示のため、中実電極は、ｐ+-
ＩｎＰキャップ層１１０またはｎ+-ＩｎＰ基板１１２を
完全にカバーしていることにする。環状電極は、中央に
配置されるアパーチャを形成する。
【００３６】図１に示す実施形態の場合、Ｐ側電極１５
０は環状であり、Ｎ側電極１５２は中実である。Ｐ側電
極１５０は、マスキング層１６４の環状ウインドウ１６
６を介してｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０に接触する。さ
もなければ、マスキング層１６４は、ｐ+-ＩｎＰキャッ
プ層１１０をカバーして、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０
の表面にパシベーションを施す。マスキング層１６４の
厚さは、ＳＡＭ−ＡＰＤ１００によって検出される光の
波長に関して、マスキング層１６４が反射防止コーティ
ングの働きをし、ＳＡＭ−ＡＰＤ１００の検出効率を高
めるように選択することが可能である。
０は環状であり、Ｎ側電極１５２は中実である。Ｐ側電
極１５０は、マスキング層１６４の環状ウインドウ１６
６を介してｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０に接触する。さ
もなければ、マスキング層１６４は、ｐ+-ＩｎＰキャッ
プ層１１０をカバーして、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０
の表面にパシベーションを施す。マスキング層１６４の
厚さは、ＳＡＭ−ＡＰＤ１００によって検出される光の
波長に関して、マスキング層１６４が反射防止コーティ
ングの働きをし、ＳＡＭ−ＡＰＤ１００の検出効率を高
めるように選択することが可能である。
【００３７】ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１０４およびｎ--
ＩｎＧａＡｓＰ中間層１０６は、その導電性を変更する
ことを意図して添加される不純物ドーパントが存在しな
いという意味において真性とみなされる。しかし、実際
には、これらの層は、一般に、低濃度のｎ型不純物を含
んでいる。
ＩｎＧａＡｓＰ中間層１０６は、その導電性を変更する
ことを意図して添加される不純物ドーパントが存在しな
いという意味において真性とみなされる。しかし、実際
には、これらの層は、一般に、低濃度のｎ型不純物を含
んでいる。
【００３８】第２のＰ−Ｎ接合１１６には、湾曲部分１
３８と平面部分１３６が含まれている。第２のＰ−Ｎ接
合１１６の輪郭は、メサ構造１２０のメサ表面１２８の
輪郭１４６によって決まる。従って、湾曲部分１３８
は、メサ構造１２０のメサ側部１２６およびメサ肩１２
４の交差部の穏やかに湾曲した輪郭に従い、平面部分１
３６は、メサ構造１２０のメサ肩１２４の平面輪郭に従
う。
３８と平面部分１３６が含まれている。第２のＰ−Ｎ接
合１１６の輪郭は、メサ構造１２０のメサ表面１２８の
輪郭１４６によって決まる。従って、湾曲部分１３８
は、メサ構造１２０のメサ側部１２６およびメサ肩１２
４の交差部の穏やかに湾曲した輪郭に従い、平面部分１
３６は、メサ構造１２０のメサ肩１２４の平面輪郭に従
う。
【００３９】第１のＰ−Ｎ接合１１４および第２のＰ−
Ｎ接合１１６は、全体として、ＳＡＭ−ＡＰＤ１００の
幅を横切って延びる連続したＰ−Ｎ接合を形成するが、
この連続したＰ−Ｎ接合は、ＳＡＭ−ＡＰＤ１００の幅
にわたって傾斜の穏やかな接合から階段接合へと変化
し、さらに、傾斜の穏やかな接合に戻る。連続Ｐ−Ｎ接
合は、第１のＰ−Ｎ接合１１４と第２のＰ−Ｎ接合１１
６とが接するところで湾曲している。しかし、ｎ-Ｉｎ
Ｐアバランシェ増倍層１０８から明らかなように、第１
のＰ−Ｎ接合１１４と第２のＰ−Ｎ接合１１６の直線部
分との間の角度αは、優角、すなわち、１８０゜を超え
る。Ｐ−Ｎ接合の優角をなす湾曲によって、このポイン
トにおける電界は、第１のＰ−Ｎ接合１１４の中心にお
ける電界まで弱くなる。第１のＰ−Ｎ接合１１４のエッ
ジにおける電界のこの弱化によって、エッジ降伏が排除
される。Ｐ−Ｎ接合は、また、第２のＰ−Ｎ接合１１６
の湾曲部分１３８でも湾曲する。この場合、Ｐ−Ｎ接合
は、鈍角、すなわち、９０゜〜１８０゜の角度をなして
穏やかに湾曲する。この湾曲によって、このポイントに
おける電界がわずかに強まるが、第２のＰ−Ｎ接合１１
６のこの部分における電界は、第１の第１のＰ−Ｎ接合
１１４の電界に比べるとはるかに弱いので、このために
エッジ降伏が生じることはない。
Ｎ接合１１６は、全体として、ＳＡＭ−ＡＰＤ１００の
幅を横切って延びる連続したＰ−Ｎ接合を形成するが、
この連続したＰ−Ｎ接合は、ＳＡＭ−ＡＰＤ１００の幅
にわたって傾斜の穏やかな接合から階段接合へと変化
し、さらに、傾斜の穏やかな接合に戻る。連続Ｐ−Ｎ接
合は、第１のＰ−Ｎ接合１１４と第２のＰ−Ｎ接合１１
６とが接するところで湾曲している。しかし、ｎ-Ｉｎ
Ｐアバランシェ増倍層１０８から明らかなように、第１
のＰ−Ｎ接合１１４と第２のＰ−Ｎ接合１１６の直線部
分との間の角度αは、優角、すなわち、１８０゜を超え
る。Ｐ−Ｎ接合の優角をなす湾曲によって、このポイン
トにおける電界は、第１のＰ−Ｎ接合１１４の中心にお
ける電界まで弱くなる。第１のＰ−Ｎ接合１１４のエッ
ジにおける電界のこの弱化によって、エッジ降伏が排除
される。Ｐ−Ｎ接合は、また、第２のＰ−Ｎ接合１１６
の湾曲部分１３８でも湾曲する。この場合、Ｐ−Ｎ接合
は、鈍角、すなわち、９０゜〜１８０゜の角度をなして
穏やかに湾曲する。この湾曲によって、このポイントに
おける電界がわずかに強まるが、第２のＰ−Ｎ接合１１
６のこの部分における電界は、第１の第１のＰ−Ｎ接合
１１４の電界に比べるとはるかに弱いので、このために
エッジ降伏が生じることはない。
【００４０】図２〜図６には、本発明によるアバランシ
ェフォトダイオードであるＳＡＭ−ＡＰＤ１００の製造
方法が示されている。図２には、ｎ+-ＩｎＰ基板１１２
上に、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１０４、ｎ--ＩｎＧａＡ
ｓＰ中間層１０６、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０
８、およびｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０を順次成長させ
ることによって形成される層構造１０２が示されてい
る。従来のエピタキシャル結晶成長プロセスを利用し
て、ｎ+-ＩｎＰ基板１１２上における層の成長が実施さ
れる。望ましい実施形態の場合、層の成長は、有機金属
熱分解（ＯＭＣＶＤ）を利用して実施された。
ェフォトダイオードであるＳＡＭ−ＡＰＤ１００の製造
方法が示されている。図２には、ｎ+-ＩｎＰ基板１１２
上に、ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層１０４、ｎ--ＩｎＧａＡ
ｓＰ中間層１０６、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０
８、およびｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０を順次成長させ
ることによって形成される層構造１０２が示されてい
る。従来のエピタキシャル結晶成長プロセスを利用し
て、ｎ+-ＩｎＰ基板１１２上における層の成長が実施さ
れる。望ましい実施形態の場合、層の成長は、有機金属
熱分解（ＯＭＣＶＤ）を利用して実施された。
【００４１】メサ上部１２２になるｐ+-ＩｎＰキャップ
層１１０の露出表面の一部は、適合するマスク（不図
示）を利用して保護される。次に、エッチングを施し
て、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０およびｎ-ＩｎＰアバ
ランシェ増倍層１０８の非保護部分を除去することによ
って、メサ構造１２０が形成される。除去部分は、図３
に示すように、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０の厚さを完
全に貫いて延び、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８
の厚さを部分的に貫いて延びている。結果生じるメサ構
造１２０には、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０の厚さ全
体、およびｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の上方
部分１６０が含まれている。エッチングによって、メサ
構造１２０のメサ側部１２６におけるｐ+-ＩｎＰキャッ
プ層１１０とｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の間
に形成された第１のＰ−Ｎ接合１１４が露出する。エッ
チングの後、第１のＰ−Ｎ接合１１４の下の肩の深さの
ために、保護リング１４０（図１）の再成長後、メサ肩
１２４の下に位置するｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層１０６
の一部の電界が、第１のＰ−Ｎ接合１１４の下に位置す
るｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層１０６の一部の電界よりも
弱くなる。
層１１０の露出表面の一部は、適合するマスク（不図
示）を利用して保護される。次に、エッチングを施し
て、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０およびｎ-ＩｎＰアバ
ランシェ増倍層１０８の非保護部分を除去することによ
って、メサ構造１２０が形成される。除去部分は、図３
に示すように、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０の厚さを完
全に貫いて延び、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８
の厚さを部分的に貫いて延びている。結果生じるメサ構
造１２０には、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０の厚さ全
体、およびｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の上方
部分１６０が含まれている。エッチングによって、メサ
構造１２０のメサ側部１２６におけるｐ+-ＩｎＰキャッ
プ層１１０とｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の間
に形成された第１のＰ−Ｎ接合１１４が露出する。エッ
チングの後、第１のＰ−Ｎ接合１１４の下の肩の深さの
ために、保護リング１４０（図１）の再成長後、メサ肩
１２４の下に位置するｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層１０６
の一部の電界が、第１のＰ−Ｎ接合１１４の下に位置す
るｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層１０６の一部の電界よりも
弱くなる。
【００４２】次に、メサ構造１２０のメサ表面１２８に
マスキング層１６４を被着させ、従来のマスクおよびエ
ッチングプロセスを利用して選択的に除去することによ
って、環状ウインドウ１６２が形成される。環状ウイン
ドウ１６２は、図４に示すように、メサ上部１２２の周
囲から延びて、メサ側部１２６を横切り、メサ肩１２４
を部分的に横切ることになる。環状ウインドウ１６２に
よって、保護リング１４０を再成長させるメサ表面１２
８の位置が決まる。望ましい実施形態におけるマスキン
グ層１６４の材料として、窒化珪素が利用された。上述
のように、マスキング層１６４は、保護リング１４０お
よびＰ側電極１５０の一部によって後でカバーされるメ
サ表面１２８の一部を除くと、メサ表面１２８の全てを
カバーするパシベーション層の働きもする。
マスキング層１６４を被着させ、従来のマスクおよびエ
ッチングプロセスを利用して選択的に除去することによ
って、環状ウインドウ１６２が形成される。環状ウイン
ドウ１６２は、図４に示すように、メサ上部１２２の周
囲から延びて、メサ側部１２６を横切り、メサ肩１２４
を部分的に横切ることになる。環状ウインドウ１６２に
よって、保護リング１４０を再成長させるメサ表面１２
８の位置が決まる。望ましい実施形態におけるマスキン
グ層１６４の材料として、窒化珪素が利用された。上述
のように、マスキング層１６４は、保護リング１４０お
よびＰ側電極１５０の一部によって後でカバーされるメ
サ表面１２８の一部を除くと、メサ表面１２８の全てを
カバーするパシベーション層の働きもする。
【００４３】解説したばかりのマスキングプロセス後、
層構造１０２は、ＯＭＣＶＤ反応室に戻され、ホスフェ
ン（ＰＨ３：phosphene）雰囲気（atmosphere）中にお
いて、通常のエピタキシャル成長が行われる温度範囲よ
り低い温度まで加熱される。ｐ型ＩｎＰの成長に用いら
れるドーパントである、ジエチル亜鉛流が、５〜１０分
の範囲の所定の時間にわたって噴射される。この結果、
マスクによって保護されていない層構造１０２のメサ表
面１２８の部分に亜鉛層が被着する。次に、亜鉛は、該
メサ表面１２８の保護されていない部分に拡散し、図５
に示すバッファ領域１３０を形成する。拡散工程は、良
好なエピタキシャル成長が生じる温度範囲より低い温度
で実施される。なぜならば、温度がそれより高くなる
と、メサ表面１２８に被着した亜鉛が再蒸発し、表面内
に拡散しないためである。
層構造１０２は、ＯＭＣＶＤ反応室に戻され、ホスフェ
ン（ＰＨ３：phosphene）雰囲気（atmosphere）中にお
いて、通常のエピタキシャル成長が行われる温度範囲よ
り低い温度まで加熱される。ｐ型ＩｎＰの成長に用いら
れるドーパントである、ジエチル亜鉛流が、５〜１０分
の範囲の所定の時間にわたって噴射される。この結果、
マスクによって保護されていない層構造１０２のメサ表
面１２８の部分に亜鉛層が被着する。次に、亜鉛は、該
メサ表面１２８の保護されていない部分に拡散し、図５
に示すバッファ領域１３０を形成する。拡散工程は、良
好なエピタキシャル成長が生じる温度範囲より低い温度
で実施される。なぜならば、温度がそれより高くなる
と、メサ表面１２８に被着した亜鉛が再蒸発し、表面内
に拡散しないためである。
【００４４】バッファ領域１３０の形成に必要な時間が
経過すると、ジエチル亜鉛流が止められ、層構造１０２
の温度が、良好なエピタキシャル成長が生じる温度範囲
内の温度まで上昇させられて、保護リング１４０の再成
長が可能になる。
経過すると、ジエチル亜鉛流が止められ、層構造１０２
の温度が、良好なエピタキシャル成長が生じる温度範囲
内の温度まで上昇させられて、保護リング１４０の再成
長が可能になる。
【００４５】代替案として、バッファ層であるバッファ
領域１３０をイオン注入によって形成すべき場合には、
上述のマスキングプロセス後に、イオン注入反応器内に
層構造１０２を配置して、ベリリウム、マグネシウム、
または、亜鉛イオンの注入を実施し、メサ構造１２０内
に約０．１±０．０５μｍの深さまで入り込むバッファ
領域１３０が形成される。この注入は、１０１３〜１０
１４ｃｍ-2の範囲の濃度が得られるまで続行される。次
に、層構造１０２が反応室内に戻され、保護リング１４
０の再成長が可能になるように、良好なエピタキシャル
成長が生じる温度範囲内の温度まで加熱される。再成長
プロセスの間中、層構造１０２をこの温度に維持するこ
とによって、層構造１０２の焼なましも行われ、イオン
注入プロセスによって生じた構造の損傷が修復される。
領域１３０をイオン注入によって形成すべき場合には、
上述のマスキングプロセス後に、イオン注入反応器内に
層構造１０２を配置して、ベリリウム、マグネシウム、
または、亜鉛イオンの注入を実施し、メサ構造１２０内
に約０．１±０．０５μｍの深さまで入り込むバッファ
領域１３０が形成される。この注入は、１０１３〜１０
１４ｃｍ-2の範囲の濃度が得られるまで続行される。次
に、層構造１０２が反応室内に戻され、保護リング１４
０の再成長が可能になるように、良好なエピタキシャル
成長が生じる温度範囲内の温度まで加熱される。再成長
プロセスの間中、層構造１０２をこの温度に維持するこ
とによって、層構造１０２の焼なましも行われ、イオン
注入プロセスによって生じた構造の損傷が修復される。
【００４６】保護リング１４０は、エピタキシャル成長
プロセス、例えば、気相エピタクシまたは分子ビームエ
ピタクシを利用して再成長させることが可能である。し
かし、説明したばかりのように、ごくわずかな追加処理
でバッファ領域１３０の形成が可能になるので、ＯＭＣ
ＶＤが望ましい。成長条件を適正に選択すれば、保護リ
ング１４０を形成することになるｐ--ＩｎＰが、メサ表
面１２８の露出部分、すなわち、環状ウインドウ１６２
内に成長するが、マスキング層１６４の表面には成長し
ない。従って、保護リング１４０は、成長すると、環状
ウインドウ１６２内に配置されたメサ構造１２０のメサ
上部１２２の周囲部分、メサ側部１２６、およびメサ肩
１２４の一部をカバーすることになる。すなわち、保護
リング１４０は、図６に示すように、メサ構造１２０の
メサ側部１２６と、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０とｎ-
ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８との間の第１のＰ−Ｎ
接合１１４との交差部分をカバーする。
プロセス、例えば、気相エピタクシまたは分子ビームエ
ピタクシを利用して再成長させることが可能である。し
かし、説明したばかりのように、ごくわずかな追加処理
でバッファ領域１３０の形成が可能になるので、ＯＭＣ
ＶＤが望ましい。成長条件を適正に選択すれば、保護リ
ング１４０を形成することになるｐ--ＩｎＰが、メサ表
面１２８の露出部分、すなわち、環状ウインドウ１６２
内に成長するが、マスキング層１６４の表面には成長し
ない。従って、保護リング１４０は、成長すると、環状
ウインドウ１６２内に配置されたメサ構造１２０のメサ
上部１２２の周囲部分、メサ側部１２６、およびメサ肩
１２４の一部をカバーすることになる。すなわち、保護
リング１４０は、図６に示すように、メサ構造１２０の
メサ側部１２６と、ｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０とｎ-
ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８との間の第１のＰ−Ｎ
接合１１４との交差部分をカバーする。
【００４７】保護リング１４０の再成長が済むと、マス
キング層１６４に選択的にエッチングを施して、環状ウ
インドウ１６６が形成される。次に、従来の金属蒸着お
よび除去技法を利用して、Ｐ側電極１５０およびＮ側電
極１５２が形成される。Ｐ側電極１５０は、環状ウイン
ドウ１６６を介してｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０に接触
する。
キング層１６４に選択的にエッチングを施して、環状ウ
インドウ１６６が形成される。次に、従来の金属蒸着お
よび除去技法を利用して、Ｐ側電極１５０およびＮ側電
極１５２が形成される。Ｐ側電極１５０は、環状ウイン
ドウ１６６を介してｐ+-ＩｎＰキャップ層１１０に接触
する。
【００４８】メサ構造１２０のメサ肩１２４における保
護リング１４０の範囲が、マスキング層１６４の環状ウ
インドウ１６２によって画定されるように、また、層構
造１０２に形成される隣接ＡＰＤの保護リングが同じ再
成長工程において個別に形成されるように、保護リング
を選択的に成長させることによって、生産プロセスが単
純化され、良好なＡＰＤの歩留まりが増大する。説明し
たばかりの方法で保護リングを成長させることによっ
て、追加エッチバックまたは陽子注入工程を実施し、メ
サ上部を露出させる必要がなくなる。さらに、マスキン
グ層１６４によってその側方範囲が画定される保護リン
グ１４０を成長させることによって、保護リング１４０
の外周にパシベーションを施す追加工程を実施する必要
がなくなる。
護リング１４０の範囲が、マスキング層１６４の環状ウ
インドウ１６２によって画定されるように、また、層構
造１０２に形成される隣接ＡＰＤの保護リングが同じ再
成長工程において個別に形成されるように、保護リング
を選択的に成長させることによって、生産プロセスが単
純化され、良好なＡＰＤの歩留まりが増大する。説明し
たばかりの方法で保護リングを成長させることによっ
て、追加エッチバックまたは陽子注入工程を実施し、メ
サ上部を露出させる必要がなくなる。さらに、マスキン
グ層１６４によってその側方範囲が画定される保護リン
グ１４０を成長させることによって、保護リング１４０
の外周にパシベーションを施す追加工程を実施する必要
がなくなる。
【００４９】メサ構造１２０の形成後に、エピタキシャ
ル再成長を実施して保護リング１４０を形成すると、保
護リング１４０の不純物濃度を隣接するｎ-ＩｎＰアバ
ランシェ増倍層１０８より低くすることができる。この
不純物濃度の関係は、従来の拡散技法を用いて実現する
ことはできない、なぜならば、拡散テクノロジの場合、
ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の不純物濃度が増
すと、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８と逆の導電
性モードの保護リングを形成するために、増倍層内に拡
散させなければならない不純物の濃度もそれだけ増すこ
とになるためである。これによって、保護リングにおけ
る電界が大幅に強くなる。保護リング１４０をエピタキ
シャル再成長させることによって、ｎ-ＩｎＰアバラン
シェ増倍層１０８における不純物濃度とは関係なく、保
護リング１４０における不純物濃度を選択することが可
能になる。すなわち、保護リング１４０における不純物
濃度をｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８における不
純物濃度より大幅に低くして、なおかつ、ｐ型材料から
保護リング１４０を形成することが可能になる。従来の
拡散ＡＰＤと比較して、保護リングにおける不純物濃度
が低いので、保護リング１４０の電界は弱くなる。
ル再成長を実施して保護リング１４０を形成すると、保
護リング１４０の不純物濃度を隣接するｎ-ＩｎＰアバ
ランシェ増倍層１０８より低くすることができる。この
不純物濃度の関係は、従来の拡散技法を用いて実現する
ことはできない、なぜならば、拡散テクノロジの場合、
ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の不純物濃度が増
すと、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８と逆の導電
性モードの保護リングを形成するために、増倍層内に拡
散させなければならない不純物の濃度もそれだけ増すこ
とになるためである。これによって、保護リングにおけ
る電界が大幅に強くなる。保護リング１４０をエピタキ
シャル再成長させることによって、ｎ-ＩｎＰアバラン
シェ増倍層１０８における不純物濃度とは関係なく、保
護リング１４０における不純物濃度を選択することが可
能になる。すなわち、保護リング１４０における不純物
濃度をｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８における不
純物濃度より大幅に低くして、なおかつ、ｐ型材料から
保護リング１４０を形成することが可能になる。従来の
拡散ＡＰＤと比較して、保護リングにおける不純物濃度
が低いので、保護リング１４０の電界は弱くなる。
【００５０】保護リング１４０の材料の不純物濃度は、
保護リング１４０の再成長の進行につれて変動させるこ
とが可能である。例えば、保護リング１４０のｎ-Ｉｎ
Ｐアバランシェ増倍層１０８に隣接した部分における不
純物濃度は、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の不
純物濃度に匹敵するようにし、保護リング１４０のｎ-
ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８から遠隔の部分におけ
る不純物濃度は、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８
の不純物濃度より高くすることが可能である。さらに、
保護リング１４０の材料を再成長の途中で変更すること
も可能である。
保護リング１４０の再成長の進行につれて変動させるこ
とが可能である。例えば、保護リング１４０のｎ-Ｉｎ
Ｐアバランシェ増倍層１０８に隣接した部分における不
純物濃度は、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８の不
純物濃度に匹敵するようにし、保護リング１４０のｎ-
ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８から遠隔の部分におけ
る不純物濃度は、ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層１０８
の不純物濃度より高くすることが可能である。さらに、
保護リング１４０の材料を再成長の途中で変更すること
も可能である。
【００５１】図７には、本発明によるＡＰＤの第２の実
施形態が示されている。図７の場合、図１に示す第１の
実施形態と同じ構成要素は同じ参照番号で表示されてお
り、ここで再度の説明は控えることにする。第１の実施
形態の構成要素と同様の構成要素は、同じ参照番号に１
００を加算して表示されている。
施形態が示されている。図７の場合、図１に示す第１の
実施形態と同じ構成要素は同じ参照番号で表示されてお
り、ここで再度の説明は控えることにする。第１の実施
形態の構成要素と同様の構成要素は、同じ参照番号に１
００を加算して表示されている。
【００５２】第２の実施形態の場合、保護リング２４０
の面積は第１の実施形態の保護リング１４０よりも広く
なっている。この面積の拡大によって、保護リング２４
０の再成長がより制御しやすくなる。保護リングのサイ
ズを拡大するため、マスキング層２６４のトポロジは、
マスキング層１６４のトポロジと異なっている。マスキ
ング層２６４は、メサ肩１２４からメサ上部１２２の中
心まで、メサ構造１２０のメサ表面１２８を横切って延
びる単一の円形ウインドウ２６２を形成する。円形ウイ
ンドウ２６２の形状の結果として、バッファ領域２３０
および保護リング２４０は両方とも円形であり、メサ肩
１２４からメサ上部１２２の中心までメサ構造１２０の
表面を横切って延びる。保護リング２４０を再成長させ
て、メサ構造１２０をカバーするが、第１の実施形態の
ように、マスキング層２６４によって、再成長時に、メ
サ構造１２０のメサ肩１２４における保護リング２４０
の側方範囲が画定される。従って、保護リング２４０の
側方範囲を画定するのに、エッチバックおよびパシベー
ション処理の必要がない。
の面積は第１の実施形態の保護リング１４０よりも広く
なっている。この面積の拡大によって、保護リング２４
０の再成長がより制御しやすくなる。保護リングのサイ
ズを拡大するため、マスキング層２６４のトポロジは、
マスキング層１６４のトポロジと異なっている。マスキ
ング層２６４は、メサ肩１２４からメサ上部１２２の中
心まで、メサ構造１２０のメサ表面１２８を横切って延
びる単一の円形ウインドウ２６２を形成する。円形ウイ
ンドウ２６２の形状の結果として、バッファ領域２３０
および保護リング２４０は両方とも円形であり、メサ肩
１２４からメサ上部１２２の中心までメサ構造１２０の
表面を横切って延びる。保護リング２４０を再成長させ
て、メサ構造１２０をカバーするが、第１の実施形態の
ように、マスキング層２６４によって、再成長時に、メ
サ構造１２０のメサ肩１２４における保護リング２４０
の側方範囲が画定される。従って、保護リング２４０の
側方範囲を画定するのに、エッチバックおよびパシベー
ション処理の必要がない。
【００５３】環状ｐ接触２５０が保護リング２４０の表
面に形成される。
面に形成される。
【００５４】環状ｐ接触２５０とｐ+-ＩｎＰキャップ層
１１０との間における直列抵抗の増大という犠牲を払う
ことによって、保護リング２４０の再成長の制御が容易
になる。しかし、この直列抵抗によって性能が損なわれ
る場合、保護リング２４０の中心にエッチバックを施し
て、キャップ層を露出させることによって、直列抵抗を
減らすことが可能である。環状ｐ接触２５０は、キャッ
プ層の環状部分と直接接触するように形成される。保護
リング２４０にエッチバックを施して、メサ構造の肩に
おける保護リングの側方範囲を画定する発明者の先行技
法とは異なり、保護リング２４０にエッチバックを施し
て、キャップ層の一部を露出させることは、Ｐ−Ｎ接合
の露出にはならない。従って、保護リングにエッチバッ
クを施して、キャップ層を露出させた後で、追加パシベ
ーションステップを行う必要がない。
１１０との間における直列抵抗の増大という犠牲を払う
ことによって、保護リング２４０の再成長の制御が容易
になる。しかし、この直列抵抗によって性能が損なわれ
る場合、保護リング２４０の中心にエッチバックを施し
て、キャップ層を露出させることによって、直列抵抗を
減らすことが可能である。環状ｐ接触２５０は、キャッ
プ層の環状部分と直接接触するように形成される。保護
リング２４０にエッチバックを施して、メサ構造の肩に
おける保護リングの側方範囲を画定する発明者の先行技
法とは異なり、保護リング２４０にエッチバックを施し
て、キャップ層の一部を露出させることは、Ｐ−Ｎ接合
の露出にはならない。従って、保護リングにエッチバッ
クを施して、キャップ層を露出させた後で、追加パシベ
ーションステップを行う必要がない。
【００５５】図７の第２の実施形態は、図２〜図６に関
連した上述の方法と同じ方法で行われる。
連した上述の方法と同じ方法で行われる。
【００５６】本発明の上述の実施形態は、ＩｎＧａＡｓ
／ＩｎＰ系化合物半導体から形成された半導体に関する
ものであるが、本発明は、例えば、ＩｎＡｌＡｓ／Ｉｎ
ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓ、Ｓｉ等の他の
材料から形成された半導体デバイスにも適用することが
可能である。さらに、本発明のｐ型層およびｎ型層は、
それぞれｎ型層およびｐ型層に置き換えることが可能で
ある。
／ＩｎＰ系化合物半導体から形成された半導体に関する
ものであるが、本発明は、例えば、ＩｎＡｌＡｓ／Ｉｎ
ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓ、Ｓｉ等の他の
材料から形成された半導体デバイスにも適用することが
可能である。さらに、本発明のｐ型層およびｎ型層は、
それぞれｎ型層およびｐ型層に置き換えることが可能で
ある。
【００５７】本開示によって、本発明の例証となる実施
形態が明らかにされているが、もちろん、本発明は、解
説の実施形態そのままに制限されるものではなく、付属
の請求項によって規定の本発明の範囲内において、さま
ざまな修正を加えることが可能である。
形態が明らかにされているが、もちろん、本発明は、解
説の実施形態そのままに制限されるものではなく、付属
の請求項によって規定の本発明の範囲内において、さま
ざまな修正を加えることが可能である。
【００５８】以下に本発明の実施の形態を要約する。 １． 吸光層と第１の不純物濃度を有するアバランシェ
増倍層とを備えた第１の導電性タイプの半導体層構造
と、前記アバランシェ増倍層に近接して配置され、第１
のＰ−Ｎ接合を形成する第２の導電性タイプの半導体材
料から形成されたキャップ層と、前記キャップ層と前記
第１のＰ−Ｎ接合と前記アバランシェ増倍層の上部とを
含み、メサ表面を備え、前記メサ表面から内部に入り込
む前記第２の導電性タイプのバッファ領域を含むメサ構
造と、前記メサ構造の前記バッファ領域に近接して配置
され、前記第１のＰ−Ｎ接合を包囲し、前記第１の不純
物濃度より低い第２の不純物濃度を有する前記第２の導
電性タイプのエピタキシャル半導体材料による保護リン
グと、を具備した半導体光検出器。
増倍層とを備えた第１の導電性タイプの半導体層構造
と、前記アバランシェ増倍層に近接して配置され、第１
のＰ−Ｎ接合を形成する第２の導電性タイプの半導体材
料から形成されたキャップ層と、前記キャップ層と前記
第１のＰ−Ｎ接合と前記アバランシェ増倍層の上部とを
含み、メサ表面を備え、前記メサ表面から内部に入り込
む前記第２の導電性タイプのバッファ領域を含むメサ構
造と、前記メサ構造の前記バッファ領域に近接して配置
され、前記第１のＰ−Ｎ接合を包囲し、前記第１の不純
物濃度より低い第２の不純物濃度を有する前記第２の導
電性タイプのエピタキシャル半導体材料による保護リン
グと、を具備した半導体光検出器。
【００５９】２． 前記バッファ領域が前記第２の不純
物濃度と同様の最高不純物濃度を有している上記１記載
の半導体光検出器。
物濃度と同様の最高不純物濃度を有している上記１記載
の半導体光検出器。
【００６０】３． 前記バッファ領域がさらに、前記キ
ャップ層内に部分的に入り込んでいる上記１記載の半導
体光検出器。
ャップ層内に部分的に入り込んでいる上記１記載の半導
体光検出器。
【００６１】４． 前記バッファ領域が前記アバランシ
ェ増倍層と第２のＰ−Ｎ接合を形成し、前記第１のＰ−
Ｎ接合および前記第２のＰ−Ｎ接合が優角をなして湾曲
する前記メサ表面に近い部分を備えたＰ−Ｎ接合を全体
として（collectively）構成する上記１記載の半導体光
検出器。
ェ増倍層と第２のＰ−Ｎ接合を形成し、前記第１のＰ−
Ｎ接合および前記第２のＰ−Ｎ接合が優角をなして湾曲
する前記メサ表面に近い部分を備えたＰ−Ｎ接合を全体
として（collectively）構成する上記１記載の半導体光
検出器。
【００６２】５． 前記保護リングおよび前記バッファ
領域が前記メサ表面上において同じ範囲で側方へ広がっ
ている上記１記載の半導体光検出器。
領域が前記メサ表面上において同じ範囲で側方へ広がっ
ている上記１記載の半導体光検出器。
【００６３】６． 前記バッファ領域が前記メサ表面に
拡散された前記第２の導電性タイプの不純物領域である
上記１記載の半導体光検出器。
拡散された前記第２の導電性タイプの不純物領域である
上記１記載の半導体光検出器。
【００６４】７． 前記バッファ領域が前記メサ表面に
注入された前記第２の導電性タイプの不純物領域である
上記１記載の半導体光検出器。
注入された前記第２の導電性タイプの不純物領域である
上記１記載の半導体光検出器。
【００６５】８． 吸光層と第１の不純物濃度を有する
アバランシェ増倍層とを備えた第１の導電性タイプの半
導体層構造と、前記アバランシェ増倍層に近接して配置
され、第１のＰ−Ｎ接合を形成する第２の導電性タイプ
の半導体材料から形成されたキャップ層と、前記キャッ
プ層と前記第１のＰ−Ｎ接合と前記アバランシェ増倍層
の上部とを含み、メサ表面を備え、側部を含むメサ構造
と、前記メサ構造の少なくとも前記側部に重なるウイン
ドウを形成する、前記メサ表面の一部をカバーするマス
キング層と、前記ウインドウと同じ範囲に広がってお
り、前記第１の不純物濃度より低い第２の不純物濃度を
有する前記第２の導電性タイプのエピタキシャル半導体
材料による保護リングと、を具備した半導体光検出器。
アバランシェ増倍層とを備えた第１の導電性タイプの半
導体層構造と、前記アバランシェ増倍層に近接して配置
され、第１のＰ−Ｎ接合を形成する第２の導電性タイプ
の半導体材料から形成されたキャップ層と、前記キャッ
プ層と前記第１のＰ−Ｎ接合と前記アバランシェ増倍層
の上部とを含み、メサ表面を備え、側部を含むメサ構造
と、前記メサ構造の少なくとも前記側部に重なるウイン
ドウを形成する、前記メサ表面の一部をカバーするマス
キング層と、前記ウインドウと同じ範囲に広がってお
り、前記第１の不純物濃度より低い第２の不純物濃度を
有する前記第２の導電性タイプのエピタキシャル半導体
材料による保護リングと、を具備した半導体光検出器。
【００６６】９． 前記キャップ層と前記保護リングと
の双方が第１の半導体材料から形成されており、前記保
護リングの不純物濃度が前記キャップ層のドーパント濃
度より低い上記８記載の半導体光検出器。
の双方が第１の半導体材料から形成されており、前記保
護リングの不純物濃度が前記キャップ層のドーパント濃
度より低い上記８記載の半導体光検出器。
【００６７】１０． 前記メサ構造が前記メサ表面から
前記メサ構造内に入り込む前記第２の導電性タイプのバ
ッファ領域を含む上記９記載の半導体光検出器。
前記メサ構造内に入り込む前記第２の導電性タイプのバ
ッファ領域を含む上記９記載の半導体光検出器。
【００６８】１１． 前記バッファ領域が前記ウインド
ウと同じ範囲に広がっている上記１０記載の半導体光検
出器。
ウと同じ範囲に広がっている上記１０記載の半導体光検
出器。
【００６９】１２． 前記マスキング層が前記メサ表面
の少なくとも前記側部に重なる環状ウインドウを形成す
る上記８記載の半導体光検出器。
の少なくとも前記側部に重なる環状ウインドウを形成す
る上記８記載の半導体光検出器。
【００７０】１３． 前記マスキング層の一部が前記キ
ャップ層の一部の上に延び、前記キャップ層に反射防止
コーティングを施している上記８記載の半導体光検出
器。
ャップ層の一部の上に延び、前記キャップ層に反射防止
コーティングを施している上記８記載の半導体光検出
器。
【００７１】１４． 第１の導電性タイプのキャップ層
と第２の導電性タイプの吸光層およびアバランシェ増倍
層とを含む半導体層構造を設け、前記アバランシェ増倍
層を前記キャップ層に近接して配置することによって、
第１のＰ−Ｎ接合を形成し、前記半導体層構造にエッチ
ングを施して、前記キャップ層と前記アバランシェ増倍
層の一部とを含みメサ表面を備えたメサ構造を形成し、
前記メサ表面に不純物を注入して、前記第１の導電性タ
イプのバッファ領域を形成し、前記メサ構造のまわりに
前記第１の導電性タイプの半導体材料によるエピタキシ
ャル層を選択的に再成長させて、保護リングを形成する
半導体光検出器製造方法。
と第２の導電性タイプの吸光層およびアバランシェ増倍
層とを含む半導体層構造を設け、前記アバランシェ増倍
層を前記キャップ層に近接して配置することによって、
第１のＰ−Ｎ接合を形成し、前記半導体層構造にエッチ
ングを施して、前記キャップ層と前記アバランシェ増倍
層の一部とを含みメサ表面を備えたメサ構造を形成し、
前記メサ表面に不純物を注入して、前記第１の導電性タ
イプのバッファ領域を形成し、前記メサ構造のまわりに
前記第１の導電性タイプの半導体材料によるエピタキシ
ャル層を選択的に再成長させて、保護リングを形成する
半導体光検出器製造方法。
【００７２】１５． 前記メサ構造がメサ上部と側部と
肩とを含み、さらに、前記メサ構造の前記肩の少なくと
も一部をカバーし、前記メサの側部を包囲するマスクを
前記メサ表面の一部に形成し、前記メサ表面に前記不純
物を注入するステップにおいて、前記不純物が前記マス
クによってカバーされていない前記メサ表面の一部に注
入される上記１４記載の半導体光検出器製造方法。
肩とを含み、さらに、前記メサ構造の前記肩の少なくと
も一部をカバーし、前記メサの側部を包囲するマスクを
前記メサ表面の一部に形成し、前記メサ表面に前記不純
物を注入するステップにおいて、前記不純物が前記マス
クによってカバーされていない前記メサ表面の一部に注
入される上記１４記載の半導体光検出器製造方法。
【００７３】１６． 前記メサ構造のまわりに前記第１
の導電性タイプのエピタキシャル半導体材料の層を選択
的に再成長させて保護リングを形成するステップにおい
て、前記マスクによってカバーされていない前記メサ構
造の前記表面の一部に前記エピタキシャル半導体材料を
選択的に再成長させる上記１５記載の半導体光検出器製
造方法。
の導電性タイプのエピタキシャル半導体材料の層を選択
的に再成長させて保護リングを形成するステップにおい
て、前記マスクによってカバーされていない前記メサ構
造の前記表面の一部に前記エピタキシャル半導体材料を
選択的に再成長させる上記１５記載の半導体光検出器製
造方法。
【００７４】１７． 前記メサ表面に前記不純物を注入
するステップにおいて、前記不純物が拡散によって前記
メサ構造の前記表面に注入される上記１４記載の半導体
光検出器製造方法。
するステップにおいて、前記不純物が拡散によって前記
メサ構造の前記表面に注入される上記１４記載の半導体
光検出器製造方法。
【００７５】１８． 前記メサ表面に前記不純物を注入
するステップが、良好なエピタキシャル再成長が生じる
温度より低い温度にまで前記層構造を加熱し、所定の時
間にわたって前記メサ表面にアクセプタ不純物を含むガ
ス流を当て、良好なエピタキシャル再成長が行われる温
度まで前記層構造に加熱してから、前記半導体材料層を
エピタキシャル再成長させて前記保護リングを形成する
上記１７記載の半導体光検出器製造方法。
するステップが、良好なエピタキシャル再成長が生じる
温度より低い温度にまで前記層構造を加熱し、所定の時
間にわたって前記メサ表面にアクセプタ不純物を含むガ
ス流を当て、良好なエピタキシャル再成長が行われる温
度まで前記層構造に加熱してから、前記半導体材料層を
エピタキシャル再成長させて前記保護リングを形成する
上記１７記載の半導体光検出器製造方法。
【００７６】１９． 前記不純物を前記メサ表面に注入
するステップにおいて、前記不純物がイオン注入によっ
て前記メサ構造の前記表面に注入される上記１４記載の
半導体光検出器製造方法。
するステップにおいて、前記不純物がイオン注入によっ
て前記メサ構造の前記表面に注入される上記１４記載の
半導体光検出器製造方法。
【００７７】２０． 層構造を設けるステップにおい
て、前記キャップ層がある濃度の不純物を含んでいる層
構造が設けられ、不純物を拡散するステップにおいて、
前記キャップ層の不純物の前記濃度にほぼ等しい最高濃
度になるように前記不純物を拡散させる上記１４記載の
半導体光検出器製造方法。
て、前記キャップ層がある濃度の不純物を含んでいる層
構造が設けられ、不純物を拡散するステップにおいて、
前記キャップ層の不純物の前記濃度にほぼ等しい最高濃
度になるように前記不純物を拡散させる上記１４記載の
半導体光検出器製造方法。
【００７８】２１． 第１の導電性タイプのキャップ層
と第２の導電性タイプの吸光層およびアバランシェ増倍
層とを含む半導体層構造を設け、前記アバランシェ増倍
層を前記キャップ層に近接して配置することによって、
第１のＰ−Ｎ接合を形成し、前記半導体層構造にエッチ
ングを施して、前記キャップ層と前記アバランシェ増倍
層の一部とを含み、メサ表面を備えたメサ構造を形成
し、前記メサ構造の前記表面の一部に前記第１の導電性
タイプのエピタキシャル半導体材料層を選択的に再成長
させて保護リングを形成し、前記メサ構造に係る所定の
側方範囲を有する半導体光検出器製造方法。
と第２の導電性タイプの吸光層およびアバランシェ増倍
層とを含む半導体層構造を設け、前記アバランシェ増倍
層を前記キャップ層に近接して配置することによって、
第１のＰ−Ｎ接合を形成し、前記半導体層構造にエッチ
ングを施して、前記キャップ層と前記アバランシェ増倍
層の一部とを含み、メサ表面を備えたメサ構造を形成
し、前記メサ構造の前記表面の一部に前記第１の導電性
タイプのエピタキシャル半導体材料層を選択的に再成長
させて保護リングを形成し、前記メサ構造に係る所定の
側方範囲を有する半導体光検出器製造方法。
【００７９】２２． 前記エピタキシャル半導体材料層
を選択的に再成長させるステップにおいて、不純物濃度
が前記アバランシェ増倍層の不純物ドーパント濃度より
低くなるように前記エピタキシャル半導体材料層を選択
的に再成長させる上記２１記載の半導体光検出器製造方
法。
を選択的に再成長させるステップにおいて、不純物濃度
が前記アバランシェ増倍層の不純物ドーパント濃度より
低くなるように前記エピタキシャル半導体材料層を選択
的に再成長させる上記２１記載の半導体光検出器製造方
法。
【００８０】２３． 前記メサ構造がメサ上部と側部と
肩とを含み、さらに、前記メサ構造の前記肩の少なくと
も一部をカバーし、前記メサの前記側部を包囲するマス
クを前記メサ表面の一部に形成し、前記エピタキシャル
半導体材料層を選択的に再成長させて、前記保護リング
を形成するステップにおいて、前記マスクによってカバ
ーされていない前記メサ表面の一部に前記エピタキシャ
ル半導体材料層を選択的に再成長させる上記２１記載の
半導体光検出器製造方法。
肩とを含み、さらに、前記メサ構造の前記肩の少なくと
も一部をカバーし、前記メサの前記側部を包囲するマス
クを前記メサ表面の一部に形成し、前記エピタキシャル
半導体材料層を選択的に再成長させて、前記保護リング
を形成するステップにおいて、前記マスクによってカバ
ーされていない前記メサ表面の一部に前記エピタキシャ
ル半導体材料層を選択的に再成長させる上記２１記載の
半導体光検出器製造方法。
【００８１】２４． 前記不純物を前記メサ表面に注入
するステップにおいて、前記エピタキシャル半導体材料
層を選択的に再成長させて前記保護リングを形成するス
テップの前に、前記不純物が前記マスクによってカバー
されていない前記メサ表面の一部に注入される上記２３
記載の半導体光検出器製造方法。
するステップにおいて、前記エピタキシャル半導体材料
層を選択的に再成長させて前記保護リングを形成するス
テップの前に、前記不純物が前記マスクによってカバー
されていない前記メサ表面の一部に注入される上記２３
記載の半導体光検出器製造方法。
【００８２】２５． 前記エピタキシャル半導体材料層
を選択的に再成長させて前記保護リングを形成するステ
ップが、前記再成長時に前記半導体材料に添加される不
純物の濃度と前記半導体材料の組成との少なくとも一方
を変更するステップを含む上記２３記載の半導体光検出
器製造方法。
を選択的に再成長させて前記保護リングを形成するステ
ップが、前記再成長時に前記半導体材料に添加される不
純物の濃度と前記半導体材料の組成との少なくとも一方
を変更するステップを含む上記２３記載の半導体光検出
器製造方法。
【００８３】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、メサ構造
の表面におけるｐ+バッファ領域によって、バッファ領
域の形成以前に、少量ドープしたｎ型増倍層およびｐ型
保護リングに隣接して存在したキャップ層の鋭角をなす
多量ドープした部分が排除される。この結果、平面エピ
タキシャルＰ−Ｎ接合の端部における電界強度が低下
し、この接合のエッジ降伏が阻止される。
の表面におけるｐ+バッファ領域によって、バッファ領
域の形成以前に、少量ドープしたｎ型増倍層およびｐ型
保護リングに隣接して存在したキャップ層の鋭角をなす
多量ドープした部分が排除される。この結果、平面エピ
タキシャルＰ−Ｎ接合の端部における電界強度が低下
し、この接合のエッジ降伏が阻止される。
【００８４】また、ＳＡＭ−ＡＰＤには、保護リングの
再成長以前にマスキング層に形成されたウインドウによ
って側方範囲が画定される保護リングが含まれている。
この保護リング構造によって、保護リングの側方範囲を
画定し、保護リングの周囲にパシベーションを施す追加
処理ステップを実施する必要がなくなる。
再成長以前にマスキング層に形成されたウインドウによ
って側方範囲が画定される保護リングが含まれている。
この保護リング構造によって、保護リングの側方範囲を
画定し、保護リングの周囲にパシベーションを施す追加
処理ステップを実施する必要がなくなる。
【図１】本発明によるメサアバランシェフォトダイオー
ドの第１の実施形態を示す断面図である。
ドの第１の実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示すアバランシェフォトダイオードの本
発明による製造方法を示す断面図である。
発明による製造方法を示す断面図である。
【図３】図１に示すアバランシェフォトダイオードの本
発明による製造方法を示す断面図である。
発明による製造方法を示す断面図である。
【図４】図１に示すアバランシェフォトダイオードの本
発明による製造方法を示す断面図である。
発明による製造方法を示す断面図である。
【図５】図１に示すアバランシェフォトダイオードの本
発明による製造方法を示す断面図である。
発明による製造方法を示す断面図である。
【図６】図１に示すアバランシェフォトダイオードの本
発明による製造方法を示す断面図である。
発明による製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明によるメサアバランシェフォトダイオー
ドの第２の実施形態を示す断面図である。
ドの第２の実施形態を示す断面図である。
【図８】従来のアバランシェフォトダイオードを示す断
面図である。
面図である。
【図９】発明者の先行メサアバランシェフォトダイオー
ドを示す断面図である。
ドを示す断面図である。
１００ ＳＡＭ−ＡＰＤ １０２ 層構造 １０４ ｎ--ＩｎＧａＡｓ吸光層 １０６ ｎ--ＩｎＧａＡｓＰ中間層 １０８ ｎ-ＩｎＰアバランシェ増倍層 １１０ ｐ+-ＩｎＰキャップ層 １１２ ｎ+-ＩｎＰ基板 １１４ 第１のＰ−Ｎ接合 １１６ 第２のＰ−Ｎ接合 １２０ メサ構造 １２２ メサ上部 １２４ メサ肩 １２６ メサ側部 １２８ メサ表面 １３０ バッファ領域 １３６ 平面部分 １３８ 湾曲部分 １４０ 保護リング １４４ 中央部 １４６ 輪郭 １５０ Ｐ側電極 １５２ Ｎ側電極 １６０ 上方部分 １６２ 環状ウインドウ １６４ マスキング層 １６６ 環状ウインドウ ２３０ バッファ領域 ２４０ 保護リング ２５０ 環状ｐ接触 ２６２ 円形ウインドウ ２６４ マスキング層
Claims (1)
- 【請求項１】 吸光層と第１の不純物濃度を有するアバ
ランシェ増倍層とを備えた第１の導電性タイプの半導体
層構造と、 前記アバランシェ増倍層に近接して配置され、第１のＰ
−Ｎ接合を形成する第２の導電性タイプの半導体材料か
ら形成されたキャップ層と、 前記キャップ層と前記第１のＰ−Ｎ接合と前記アバラン
シェ増倍層の上部とを含み、メサ表面を備え、前記メサ
表面から内部に入り込む前記第２の導電性タイプのバッ
ファ領域を含むメサ構造と、 前記メサ構造の前記バッファ領域に近接して配置され、
前記第１のＰ−Ｎ接合を包囲し、前記第１の不純物濃度
より低い第２の不純物濃度を有する前記第２の導電性タ
イプのエピタキシャル半導体材料による保護リングと、
を具備したことを特徴とする半導体光検出器。
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| US08/831-843 | 1997-04-01 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270529A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Opnext Japan Inc | 半導体受光装置、光受信モジュールおよび半導体受光装置の製造方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4450454B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2010-04-14 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体受光素子 |
| US20040000675A1 (en) * | 2002-05-24 | 2004-01-01 | Opnext Japan, Inc. | Method for manufacturing avalanche photodiodes, avalanche photodiode, optical receiver module and optical receiving apparatus |
| JP4084958B2 (ja) | 2002-05-24 | 2008-04-30 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体受光装置の製造方法 |
| US6846172B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-01-25 | The Procter & Gamble Company | Embossing apparatus |
| US6794631B2 (en) | 2002-06-07 | 2004-09-21 | Corning Lasertron, Inc. | Three-terminal avalanche photodiode |
| US6730979B2 (en) | 2002-09-12 | 2004-05-04 | The Boeing Company | Recessed p-type region cap layer avalanche photodiode |
| JP4755854B2 (ja) | 2005-06-02 | 2011-08-24 | 富士通株式会社 | 半導体受光装置及びその製造方法 |
| US7863647B1 (en) * | 2007-03-19 | 2011-01-04 | Northrop Grumman Systems Corporation | SiC avalanche photodiode with improved edge termination |
| US7834379B2 (en) * | 2007-07-18 | 2010-11-16 | Jds Uniphase Corporation | Avalanche photodiode with edge breakdown suppression |
| US8030684B2 (en) * | 2007-07-18 | 2011-10-04 | Jds Uniphase Corporation | Mesa-type photodetectors with lateral diffusion junctions |
| US7893464B2 (en) * | 2008-03-28 | 2011-02-22 | Jds Uniphase Corporation | Semiconductor photodiode and method of manufacture thereof |
| US8008688B2 (en) * | 2008-04-01 | 2011-08-30 | Jds Uniphase Corporation | Photodiode and method of fabrication |
| US8198650B2 (en) * | 2008-12-08 | 2012-06-12 | General Electric Company | Semiconductor devices and systems |
| US8242432B2 (en) * | 2009-10-23 | 2012-08-14 | Kotura, Inc. | System having light sensor with enhanced sensitivity including a multiplication layer for generating additional electrons |
| US8639065B2 (en) * | 2010-06-18 | 2014-01-28 | Kotura, Inc. | System having avalanche effect light sensor with enhanced sensitivity |
| EP2987186B1 (en) | 2013-04-19 | 2020-07-01 | Lightspin Technologies, Inc. | Integrated avalanche photodiode arrays |
| US9377581B2 (en) | 2013-05-08 | 2016-06-28 | Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. | Enhancing the performance of light sensors that receive light signals from an integrated waveguide |
| CN106356290A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-01-25 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 1064nm硅基雪崩探测器及其制作方法 |
| US10529884B2 (en) | 2017-11-09 | 2020-01-07 | LightSpin Technologies Inc. | Virtual negative bevel and methods of isolating adjacent devices |
| RU2721161C1 (ru) * | 2019-11-19 | 2020-05-18 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Способ изготовления фотопреобразователя |
| CN111755555B (zh) * | 2020-07-06 | 2022-01-07 | 武汉光谷量子技术有限公司 | 台面型二极管及其制作方法、阵列芯片的制作方法 |
| TWI768831B (zh) * | 2021-04-16 | 2022-06-21 | 聯亞光電工業股份有限公司 | 非擴散型光電二極體 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3886579A (en) * | 1972-07-28 | 1975-05-27 | Hitachi Ltd | Avalanche photodiode |
| US4326211A (en) * | 1977-09-01 | 1982-04-20 | U.S. Philips Corporation | N+PP-PP-P+ Avalanche photodiode |
| JPS57111073A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor light-receiving element |
| JPS5854685A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | アバランシ・ホトダイオ−ド及びその製造方法 |
| JPS6016474A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Nec Corp | ヘテロ多重接合型光検出器 |
| US4885622A (en) * | 1984-03-23 | 1989-12-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Pin photodiode and method of fabrication of the same |
| US4719498A (en) * | 1984-05-18 | 1988-01-12 | Fujitsu Limited | Optoelectronic integrated circuit |
| JPH0824199B2 (ja) * | 1984-05-31 | 1996-03-06 | 富士通株式会社 | 半導体受光素子の製造方法 |
| JPS6180875A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS61144076A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子 |
| DE3678338D1 (de) * | 1985-05-20 | 1991-05-02 | Nec Corp | Planare heterouebergang-avalanche-fotodiode. |
| US5179430A (en) * | 1988-05-24 | 1993-01-12 | Nec Corporation | Planar type heterojunction avalanche photodiode |
| GB8817886D0 (en) * | 1988-07-27 | 1988-09-01 | British Telecomm | Avalanche photodiode structure |
| JPH0273676A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Fujitsu Ltd | アバランシフォトダイオード |
| JPH02159775A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Toshiba Corp | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| JPH02248081A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-03 | Toshiba Corp | アバランシェフォトダイオード及びその製造方法 |
| JPH02296379A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | アバランシェフォトダイオード |
| GB8913198D0 (en) * | 1989-06-08 | 1989-07-26 | British Telecomm | Guard ring structure |
| JP2934294B2 (ja) * | 1990-04-09 | 1999-08-16 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
| JP2970815B2 (ja) * | 1990-04-11 | 1999-11-02 | 株式会社東芝 | 半導体受光素子 |
| US5045908A (en) * | 1990-09-25 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Vertically and laterally illuminated p-i-n photodiode |
| US5204539A (en) * | 1991-01-28 | 1993-04-20 | Nec Corporation | Avalanche photodiode with hetero-periodical structure |
| JPH0521829A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP3254532B2 (ja) * | 1992-08-06 | 2002-02-12 | 富士通株式会社 | アバランシェホトダイオード |
| JP2639347B2 (ja) * | 1994-06-23 | 1997-08-13 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子 |
| JP2601231B2 (ja) * | 1994-12-22 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 超格子アバランシェフォトダイオード |
| US5610416A (en) * | 1995-02-16 | 1997-03-11 | Hewlett-Packard Company | Avalanche photodiode with epitaxially regrown guard rings |
-
1997
- 1997-04-01 US US08/831,843 patent/US5866936A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-02 EP EP98103617A patent/EP0869561B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-02 DE DE69802739T patent/DE69802739T2/de not_active Expired - Lifetime
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270529A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Opnext Japan Inc | 半導体受光装置、光受信モジュールおよび半導体受光装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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