JPH0940774A - ポリイミド及びこれを用いた光部品 - Google Patents
ポリイミド及びこれを用いた光部品Info
- Publication number
- JPH0940774A JPH0940774A JP7191324A JP19132495A JPH0940774A JP H0940774 A JPH0940774 A JP H0940774A JP 7191324 A JP7191324 A JP 7191324A JP 19132495 A JP19132495 A JP 19132495A JP H0940774 A JPH0940774 A JP H0940774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide
- optical
- bis
- dianhydride
- mode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/1064—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
- C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/361—Organic materials
- G02F1/3615—Organic materials containing polymers
- G02F1/3616—Organic materials containing polymers having the non-linear optical group in the main chain
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31721—Of polyimide
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明性、等方性及び耐クラック性（多層膜形
成の時にクラックが発生することなく、多層化が容易
で、加工性が良好）に優れたポリイミド並びに光学特性
に優れた光部品を提供する。 【解決手段】 （ａ）ＴＥモードとＴＭモードの屈折率
差が０．０２以下であり、（ｂ）ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が２５０℃以上であり、（ｃ）波長０．７〜１．６
μｍにおける光伝送損失が１dB/cm以下であるポリイミ
ド、（ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以上であ
り、（ｃ）波長０．７〜１．６μｍにおける光伝送損失
が１dB/cm以下であり、（ｄ）フッ素含有率が２２．６
重量％以下であるポリイミド及び、（ａ）ＴＥモードと
ＴＭモードの屈折率差が０．０２以下であり、（ｂ）ガ
ラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以上であり、（ｃ）波
長０．７〜１．６μｍにおける光伝送損失が１dB/cm以
下であり、（ｄ）フッ素含有率が２２．６重量％以下で
あるポリイミド並びに前記少なくとも１つのポリイミド
を用いた光部品。
成の時にクラックが発生することなく、多層化が容易
で、加工性が良好）に優れたポリイミド並びに光学特性
に優れた光部品を提供する。 【解決手段】 （ａ）ＴＥモードとＴＭモードの屈折率
差が０．０２以下であり、（ｂ）ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が２５０℃以上であり、（ｃ）波長０．７〜１．６
μｍにおける光伝送損失が１dB/cm以下であるポリイミ
ド、（ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以上であ
り、（ｃ）波長０．７〜１．６μｍにおける光伝送損失
が１dB/cm以下であり、（ｄ）フッ素含有率が２２．６
重量％以下であるポリイミド及び、（ａ）ＴＥモードと
ＴＭモードの屈折率差が０．０２以下であり、（ｂ）ガ
ラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以上であり、（ｃ）波
長０．７〜１．６μｍにおける光伝送損失が１dB/cm以
下であり、（ｄ）フッ素含有率が２２．６重量％以下で
あるポリイミド並びに前記少なくとも１つのポリイミド
を用いた光部品。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリイミド及びこ
れを用いた光部品に関する。
れを用いた光部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドは、半導体プロセス温度に耐
え得るなどの優れた耐熱性の特徴を利用し、電子部品の
層間絶縁膜、多層配線板材料などに利用されている。こ
れらのポリイミドには信号の高速化の観点から低誘電率
が求められている。また、光通信、光情報処理システム
の電子・光部品、光部品における光導波路としてもポリ
イミドは期待され始めており、このポリイミドには光伝
送損失が小さいこと、すなわち透明性が要求されてい
る。このような低誘電率、透明性を有するポリイミドが
最近種々開発され、例えば、特開平４−２３９０３７号
公報、特開平４−３２８５０４号公報、特開平４−３２
８１２７号公報にその例が報告されている。また、マク
ロモレキュールズ（Macromolecules）、第27巻、第6665
−6670頁(1994)にも、これらのポリイミドについて光伝
送損失が詳述されている。
え得るなどの優れた耐熱性の特徴を利用し、電子部品の
層間絶縁膜、多層配線板材料などに利用されている。こ
れらのポリイミドには信号の高速化の観点から低誘電率
が求められている。また、光通信、光情報処理システム
の電子・光部品、光部品における光導波路としてもポリ
イミドは期待され始めており、このポリイミドには光伝
送損失が小さいこと、すなわち透明性が要求されてい
る。このような低誘電率、透明性を有するポリイミドが
最近種々開発され、例えば、特開平４−２３９０３７号
公報、特開平４−３２８５０４号公報、特開平４−３２
８１２７号公報にその例が報告されている。また、マク
ロモレキュールズ（Macromolecules）、第27巻、第6665
−6670頁(1994)にも、これらのポリイミドについて光伝
送損失が詳述されている。
【０００３】これらのポリイミドは、低誘電率や透明性
を高めるためにフッ素原子が置換されている。しかし、
フッ素置換数が多くなり、フッ素含有率が多くなると、
多層膜形成の時にクラックが発生し多層化が困難になっ
たり、加工性が悪くなったり、ポリイミド前駆体溶液の
合成が高分子量化しにくく困難になったり、ポリイミド
前駆体溶液の保存安定性が低粘度変化しやすいために悪
くなるなどの問題点が生じる。
を高めるためにフッ素原子が置換されている。しかし、
フッ素置換数が多くなり、フッ素含有率が多くなると、
多層膜形成の時にクラックが発生し多層化が困難になっ
たり、加工性が悪くなったり、ポリイミド前駆体溶液の
合成が高分子量化しにくく困難になったり、ポリイミド
前駆体溶液の保存安定性が低粘度変化しやすいために悪
くなるなどの問題点が生じる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術の問題点を鑑みてなされたものである。請求
項１記載の発明は、透明性及び等方性に優れたポリイミ
ドを提供する。請求項２記載の発明は、透明性及び耐ク
ラック性（多層膜形成の時にクラックが発生することな
く、多層化が容易で、加工性が良好）に優れたポリイミ
ドを提供する。請求項３記載の発明は、透明性、等方性
及び耐クラック性に優れたポリイミドを提供する。請求
項４記載の発明は、請求項１、２又は３記載の発明の目
的に加えて、さらに耐熱性、透明性、合成容易性に優れ
たポリイミドを提供する。請求項５記載の発明は、光学
特性に優れた光部品を提供する。
な従来技術の問題点を鑑みてなされたものである。請求
項１記載の発明は、透明性及び等方性に優れたポリイミ
ドを提供する。請求項２記載の発明は、透明性及び耐ク
ラック性（多層膜形成の時にクラックが発生することな
く、多層化が容易で、加工性が良好）に優れたポリイミ
ドを提供する。請求項３記載の発明は、透明性、等方性
及び耐クラック性に優れたポリイミドを提供する。請求
項４記載の発明は、請求項１、２又は３記載の発明の目
的に加えて、さらに耐熱性、透明性、合成容易性に優れ
たポリイミドを提供する。請求項５記載の発明は、光学
特性に優れた光部品を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）ＴＥモ
ードとＴＭモードの屈折率差が０．０２以下であり、
（ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以上であり、
（ｃ）波長０．７〜１．６μｍにおける光伝送損失が１
dB/cm以下であるポリイミド（以下、第１の発明とい
う）に関する。また、本発明は、（ｂ）ガラス転移温度
（Ｔｇ）が２５０℃以上であり、（ｃ）波長０．７〜
１．６μｍにおける光伝送損失が１dB/cm以下であり、
（ｄ）フッ素含有率が２２．６重量％以下であるポリイ
ミド（以下、第２の発明という）に関する。また、本発
明は、（ａ）ＴＥモードとＴＭモードの屈折率差が０．
０２以下であり、（ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５
０℃以上であり、（ｃ）波長０．７〜１．６μｍにおけ
る光伝送損失が１dB/cm以下であり、（ｄ）フッ素含有
率が２２．６重量％以下であるポリイミド（以下、第３
の発明という）に関する。
ードとＴＭモードの屈折率差が０．０２以下であり、
（ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以上であり、
（ｃ）波長０．７〜１．６μｍにおける光伝送損失が１
dB/cm以下であるポリイミド（以下、第１の発明とい
う）に関する。また、本発明は、（ｂ）ガラス転移温度
（Ｔｇ）が２５０℃以上であり、（ｃ）波長０．７〜
１．６μｍにおける光伝送損失が１dB/cm以下であり、
（ｄ）フッ素含有率が２２．６重量％以下であるポリイ
ミド（以下、第２の発明という）に関する。また、本発
明は、（ａ）ＴＥモードとＴＭモードの屈折率差が０．
０２以下であり、（ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５
０℃以上であり、（ｃ）波長０．７〜１．６μｍにおけ
る光伝送損失が１dB/cm以下であり、（ｄ）フッ素含有
率が２２．６重量％以下であるポリイミド（以下、第３
の発明という）に関する。
【０００６】また、本発明は、化学構造として一般式
（Ｉ）
（Ｉ）
【化３】 （式中、Ｒ1は４価の芳香族基を示し、Ｒ2は一般式（I
I）又は一般式（III）
I）又は一般式（III）
【化４】 （ただし、Ｘは単結合、Ｏ、Ｓ、ＳＯ2、ＣＨ2、ＣＯ、
ＣＯＮＨＣ(ＣＨ3)2又はＮ(Ｃ6Ｈ5)を示し、Ｙ1〜Ｙ12
は、各々独立に、Ｈ、ＣＨ3、ＣＮ又はＮＯ2を示す）を
示す）で表される単位構造を含む前記ポリイミド及び前
記ポリイミドを用いた光部品に関する。
ＣＯＮＨＣ(ＣＨ3)2又はＮ(Ｃ6Ｈ5)を示し、Ｙ1〜Ｙ12
は、各々独立に、Ｈ、ＣＨ3、ＣＮ又はＮＯ2を示す）を
示す）で表される単位構造を含む前記ポリイミド及び前
記ポリイミドを用いた光部品に関する。
【０００７】第１の発明のポリイミドの範囲と第２の発
明のポリイミドの範囲は、大略重なるが、一部重ならな
い部分が存在する。第１の発明と第２の発明の重なる部
分が第３の発明に相当する。
明のポリイミドの範囲は、大略重なるが、一部重ならな
い部分が存在する。第１の発明と第２の発明の重なる部
分が第３の発明に相当する。
【０００８】
【発明の実施の形態】第１の発明のポリイミドは、上記
の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の条件を満たすものであれ
ば、特に制限はない。第２の発明のポリイミドは、上記
の（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の条件を満たすものであれ
ば、特に制限はない。第３の発明のポリイミドは、上記
の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の条件を満たすも
のであれば、特に制限はない。
の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の条件を満たすものであれ
ば、特に制限はない。第２の発明のポリイミドは、上記
の（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の条件を満たすものであれ
ば、特に制限はない。第３の発明のポリイミドは、上記
の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の条件を満たすも
のであれば、特に制限はない。
【０００９】第１、第２又は第３の発明のポリイミド
は、常法により種々の製法で製造できるが、例えば、酸
成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリイミ
ド、酸成分とジイソシアネート成分とを反応させて得ら
れるポリイミド等が挙げられる。ここで、酸成分として
は、例えば、酸無水物、酸無水物のハーフエステル、酸
塩化物等が挙げられる。酸成分とジアミン成分とを反応
させてポリイミドを得る場合、例えば、酸無水物成分と
ジアミン成分とを反応させて、まず、ポリイミド前駆体
としてのポリアミド酸を得、次いで、このポリアミド酸
を脱水閉環によりイミド化してポリイミドとすることが
できる。また、前記のような２段階工程を経ず、１段階
でポリイミドとすることもできる。
は、常法により種々の製法で製造できるが、例えば、酸
成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリイミ
ド、酸成分とジイソシアネート成分とを反応させて得ら
れるポリイミド等が挙げられる。ここで、酸成分として
は、例えば、酸無水物、酸無水物のハーフエステル、酸
塩化物等が挙げられる。酸成分とジアミン成分とを反応
させてポリイミドを得る場合、例えば、酸無水物成分と
ジアミン成分とを反応させて、まず、ポリイミド前駆体
としてのポリアミド酸を得、次いで、このポリアミド酸
を脱水閉環によりイミド化してポリイミドとすることが
できる。また、前記のような２段階工程を経ず、１段階
でポリイミドとすることもできる。
【００１０】第１又は第３の発明のポリイミドは、ＴＥ
モードとＴＭモードの屈折率差が０．０２以下であるこ
とが必要である。ＴＥモードとＴＭモードの屈折率差が
０．０２を超えると異方性が大きすぎ、等方性が求めら
れるデバイスに用いることができない。ＴＥモードとＴ
Ｍモードの屈折率差は、使用する酸成分とジアミン成分
の種類や使用量を選択することにより調整できる。ＴＥ
モードとＴＭモードの屈折率は、市販の装置により測定
することができ、そのような装置としては、例えば、プ
リズムカプラモデル２０１０（メトリコン社製）等が挙
げられる。
モードとＴＭモードの屈折率差が０．０２以下であるこ
とが必要である。ＴＥモードとＴＭモードの屈折率差が
０．０２を超えると異方性が大きすぎ、等方性が求めら
れるデバイスに用いることができない。ＴＥモードとＴ
Ｍモードの屈折率差は、使用する酸成分とジアミン成分
の種類や使用量を選択することにより調整できる。ＴＥ
モードとＴＭモードの屈折率は、市販の装置により測定
することができ、そのような装置としては、例えば、プ
リズムカプラモデル２０１０（メトリコン社製）等が挙
げられる。
【００１１】第２又は第３の発明のポリイミドは、フッ
素含有率を２２．６重量％以下とすることが必要である
が、２２．４重量％以下にすることが好ましく、２２．
２重量％以下とすることがより好ましい。フッ素含有率
が２２．６重量％を超えると、多層膜形成の時にクラッ
クが発生し多層化が困難になったり、加工性が悪くなっ
たりポリイミド前駆体の溶液の合成が高分子量化しにく
いために困難になったり、ポリイミド前駆体の溶液の保
存安定性が低粘度化しやすいために悪くなったりする。
ポリイミドのフッ素含有率は、使用する酸成分とジアミ
ン成分の種類や使用量を選択することにより調整でき
る。
素含有率を２２．６重量％以下とすることが必要である
が、２２．４重量％以下にすることが好ましく、２２．
２重量％以下とすることがより好ましい。フッ素含有率
が２２．６重量％を超えると、多層膜形成の時にクラッ
クが発生し多層化が困難になったり、加工性が悪くなっ
たりポリイミド前駆体の溶液の合成が高分子量化しにく
いために困難になったり、ポリイミド前駆体の溶液の保
存安定性が低粘度化しやすいために悪くなったりする。
ポリイミドのフッ素含有率は、使用する酸成分とジアミ
ン成分の種類や使用量を選択することにより調整でき
る。
【００１２】第１、第２又は第３の発明のポリイミドの
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、２５０℃以上であることが
必要であり、２７０℃以上であることが好ましい。ガラ
ス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃未満の場合は、はんだ接
続などの熱プロセスに対する耐熱性に劣るため、光部品
への適用が困難となる。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、市
販の装置を用いることによって容易に測定できる。
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、２５０℃以上であることが
必要であり、２７０℃以上であることが好ましい。ガラ
ス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃未満の場合は、はんだ接
続などの熱プロセスに対する耐熱性に劣るため、光部品
への適用が困難となる。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、市
販の装置を用いることによって容易に測定できる。
【００１３】第１、第２又は第３の発明のポリイミドの
０．７〜１．６μｍにおける光伝送損失は、１dB/cm以
下であることが必要である。光伝送損失が１dB/cmを超
えると、透明性に劣るために光部品への適用が困難とな
る。光伝送損失は、ポリイミド膜中の導波光がレイリー
散乱等によって減衰する量として定義され、以下に、光
伝送損失の測定法を図面を用いて説明する。図１は、プ
リズムを載せた光伝送損失測定用基板の模式的な断面図
である。図１において、シリコン基板１の上には、酸化
シリコン２が形成されており、この酸化シリコン２の上
に形成した、ポリイミド膜３の上にプリズム４を載せ、
例えば、１．３μｍのレーザ光を入射光線５としてプリ
ズムを通して、ポリイミド膜３中に導入する。そして、
膜中を導波する導波光の減衰量を検出する方法によって
光伝送損失を測定することができる。通常、次の３つの
検出方法がよく用いられる。
０．７〜１．６μｍにおける光伝送損失は、１dB/cm以
下であることが必要である。光伝送損失が１dB/cmを超
えると、透明性に劣るために光部品への適用が困難とな
る。光伝送損失は、ポリイミド膜中の導波光がレイリー
散乱等によって減衰する量として定義され、以下に、光
伝送損失の測定法を図面を用いて説明する。図１は、プ
リズムを載せた光伝送損失測定用基板の模式的な断面図
である。図１において、シリコン基板１の上には、酸化
シリコン２が形成されており、この酸化シリコン２の上
に形成した、ポリイミド膜３の上にプリズム４を載せ、
例えば、１．３μｍのレーザ光を入射光線５としてプリ
ズムを通して、ポリイミド膜３中に導入する。そして、
膜中を導波する導波光の減衰量を検出する方法によって
光伝送損失を測定することができる。通常、次の３つの
検出方法がよく用いられる。
【００１４】第１は、ＣＣＤカメラを用いる方法で、感
度的には３つの内で最も劣る難点があるが、簡便で材料
スクリーニングには有効な方法である。第２は、フォト
ダイオード等の検出器を導波光上を直接掃引して散乱光
を測定する方法である。第３は、プリズムカプラ法と呼
ばれるもので、検出位置に第２のプリズムをセットして
出射してくる光を測定する方法で最も高感度である。ポ
リイミドの０．７〜１．６μｍにおけるガラス転移温度
や光伝送損失は、フッ素含有率に依存せず、使用する酸
成分とジアミン成分の種類や使用量を適宜選択すること
によりフッ素含有率に関係なく容易に調整することがで
きる。
度的には３つの内で最も劣る難点があるが、簡便で材料
スクリーニングには有効な方法である。第２は、フォト
ダイオード等の検出器を導波光上を直接掃引して散乱光
を測定する方法である。第３は、プリズムカプラ法と呼
ばれるもので、検出位置に第２のプリズムをセットして
出射してくる光を測定する方法で最も高感度である。ポ
リイミドの０．７〜１．６μｍにおけるガラス転移温度
や光伝送損失は、フッ素含有率に依存せず、使用する酸
成分とジアミン成分の種類や使用量を適宜選択すること
によりフッ素含有率に関係なく容易に調整することがで
きる。
【００１５】第１、第２又は第３の発明のポリイミドの
うちでも、耐熱性、光学特性、合成容易性等の点から、
化学構造として一般式（Ｉ）
うちでも、耐熱性、光学特性、合成容易性等の点から、
化学構造として一般式（Ｉ）
【化５】 （式中、Ｒ1は４価の芳香族基を示し、Ｒ2は一般式（I
I）又は一般式（III）
I）又は一般式（III）
【化６】 （ただし、Ｘは単結合、Ｏ、Ｓ、ＳＯ2、ＣＨ2、ＣＯ、
ＣＯＮＨＣ(ＣＨ3)2又はＮ(Ｃ6Ｈ5)を示し、Ｙ1〜Ｙ12
は、各々独立に、Ｈ、ＣＨ3、ＣＮ又はＮＯ2を示す）を
示す）で表される単位構造を含むポリイミドが好まし
く、このポリイミドは全てが一般式（Ｉ）で表される単
位構造からなるポリイミドである必要はなく、一般式
（Ｉ）で表される単位構造を含むものであれば、それ以
外の単位構造を含むものであってもよい。一般式（Ｉ）
で表される単位構造は、ポリイミド中に５０モル％以上
含まれることが好ましく、７０モル％以上含まれること
がより好ましい。
ＣＯＮＨＣ(ＣＨ3)2又はＮ(Ｃ6Ｈ5)を示し、Ｙ1〜Ｙ12
は、各々独立に、Ｈ、ＣＨ3、ＣＮ又はＮＯ2を示す）を
示す）で表される単位構造を含むポリイミドが好まし
く、このポリイミドは全てが一般式（Ｉ）で表される単
位構造からなるポリイミドである必要はなく、一般式
（Ｉ）で表される単位構造を含むものであれば、それ以
外の単位構造を含むものであってもよい。一般式（Ｉ）
で表される単位構造は、ポリイミド中に５０モル％以上
含まれることが好ましく、７０モル％以上含まれること
がより好ましい。
【００１６】なお、第１、第２又は第３の発明のポリイ
ミドだけでは主に受動的（パッシブ）な性質であるが、
このポリイミドに４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−４′−
ニトロスチルベン等のその他の外部からの電気、熱、光
等の刺激により非線形性を有する材料を混合したり、非
線形性を有する置換基をポリイミドに付与してポリイミ
ドに非線形性を持たせて光の強度変調、位相変調、波長
変換などの能動的（アクティブ）な性質を持たせること
もできる。
ミドだけでは主に受動的（パッシブ）な性質であるが、
このポリイミドに４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−４′−
ニトロスチルベン等のその他の外部からの電気、熱、光
等の刺激により非線形性を有する材料を混合したり、非
線形性を有する置換基をポリイミドに付与してポリイミ
ドに非線形性を持たせて光の強度変調、位相変調、波長
変換などの能動的（アクティブ）な性質を持たせること
もできる。
【００１７】第１、第２又は第３の発明のポリイミドの
前駆体であるポリアミド酸は、例えば、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブ
チロラクトン、ジメチルスルホキシド、ジグライム等の
極性溶液中で、酸無水物成分とジアミン成分の反応によ
り得られる。酸無水物成分とジアミン成分はほぼ等モル
として反応させることが好ましく、反応温度は、通常、
０〜４０℃とされ、反応時間は、通常、３０分〜５０時
間の範囲とされる。
前駆体であるポリアミド酸は、例えば、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブ
チロラクトン、ジメチルスルホキシド、ジグライム等の
極性溶液中で、酸無水物成分とジアミン成分の反応によ
り得られる。酸無水物成分とジアミン成分はほぼ等モル
として反応させることが好ましく、反応温度は、通常、
０〜４０℃とされ、反応時間は、通常、３０分〜５０時
間の範囲とされる。
【００１８】フッ素を含む酸無水物成分としては、例え
ば、（トリフルオロメチル）ピロメリット酸二無水物、
ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸二無水物、ジ
（ヘプタフルオロプロピル）ピロメリット酸二無水物、
ペンタフルオロエチルピロメリット酸二無水物、ビス
｛３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ｝ピロ
メリット酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、５，
５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，３′，４，
４′−テトラカルボキシビフェニル二無水物、２，
２′，５，５′−テトラキス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−テトラカルボキシビフェニル二無
水物、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルエーテル
二無水物、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフェノン
二無水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシ
フェノキシ｝ベンゼン二無水物、ビス｛（トリフルオロ
メチル）ジカルボキシフェノキシ｝トリフルオロメチル
ベンゼン二無水物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ト
リフルオロメチルベンゼン二無水物、ビス（ジカルボキ
シフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン二
無水物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）テトラキス
（トリフルオロメチル）ベンゼン二無水物、２，２−ビ
ス｛（４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス｛（トリフ
ルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビフェニル二
無水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフ
ェノキシ｝ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル二無
水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェ
ノキシ｝ジフェニルエーテル二無水物、ビス（ジカルボ
キシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ビフェニ
ル二無水物等が挙げられる。
ば、（トリフルオロメチル）ピロメリット酸二無水物、
ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸二無水物、ジ
（ヘプタフルオロプロピル）ピロメリット酸二無水物、
ペンタフルオロエチルピロメリット酸二無水物、ビス
｛３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ｝ピロ
メリット酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、５，
５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，３′，４，
４′−テトラカルボキシビフェニル二無水物、２，
２′，５，５′−テトラキス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−テトラカルボキシビフェニル二無
水物、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルエーテル
二無水物、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフェノン
二無水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシ
フェノキシ｝ベンゼン二無水物、ビス｛（トリフルオロ
メチル）ジカルボキシフェノキシ｝トリフルオロメチル
ベンゼン二無水物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ト
リフルオロメチルベンゼン二無水物、ビス（ジカルボキ
シフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン二
無水物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）テトラキス
（トリフルオロメチル）ベンゼン二無水物、２，２−ビ
ス｛（４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス｛（トリフ
ルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビフェニル二
無水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフ
ェノキシ｝ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル二無
水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェ
ノキシ｝ジフェニルエーテル二無水物、ビス（ジカルボ
キシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ビフェニ
ル二無水物等が挙げられる。
【００１９】フッ素を含まない酸無水物成分としては、
例えば、パラ−ターフェニル−３，４，３″，４″−テ
トラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、
３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルエー
テルテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−
ピリジンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１
０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、４，４′−ス
ルホニルジフタル酸二無水物、３，３′，４，４′−テ
トラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、メタ−
ターフェニル−３，３″，４，４″−テトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルエーテルテ
トラカルボン酸二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジ
シロキサン二無水物、１−（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）−３−（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物等が挙
げられる。
例えば、パラ−ターフェニル−３，４，３″，４″−テ
トラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、
３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルエー
テルテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−
ピリジンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１
０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、４，４′−ス
ルホニルジフタル酸二無水物、３，３′，４，４′−テ
トラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、メタ−
ターフェニル−３，３″，４，４″−テトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルエーテルテ
トラカルボン酸二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジ
シロキサン二無水物、１−（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）−３−（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物等が挙
げられる。
【００２０】フッ素を含むジアミン成分としては、例え
ば、４−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフルオロウン
デカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（１
Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ブタノキシ）−１，３−
ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−
１−ヘプタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−ペンタフルオロフェノ
キシ−１，３−ジアミノベンゼン、４−（２，３，５，
６−テトラフルオロフェノキシ）−１，３−ジアミノベ
ンゼン、４−（４−フルオロフェノキシ）−１，３−ジ
アミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パー
フルオロ−１−ヘキサノキシ）−１，３−ジアミノベン
ゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−
１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
（２，５）−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス
（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、ジアミノ（ペ
ンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロブチル）ベンゼン、２，２′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル、オクタフルオロベンジジン、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、２，２−ビス（４−アミ
ノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス
（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス
（アニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビス（ア
ニリノ）デカフルオロペンタン、１，７−ビス（アニリ
ノ）テトラデカフルオロヘプタン、２，２′−ビス（ト
リフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′，５，
５′−テトラキス（トリフルオロメチル）−４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、
４，４′−ジアミノ−ｐ−テルフェニル、１，４−ビス
（ｐ−アミノフェニル）ベンゼン、ｐ−（４−アミノ−
２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、ビス
（アミノフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベン
ゼン、ビス（アミノフェノキシ）テトラキス（トリフル
オロメチル）ベンゼン、２，２−ビス｛４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（２
−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジトリフルオロメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロ
パン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロ
メチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（４−
アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニ
ル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス
（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジ
フェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−アミノ−
３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）アミ
ノフェノキシ｝ビフェニル、ビス〔｛（トリフルオロメ
チル）アミノフェノキシ｝フェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、ビス｛２−〔（アミノフェノキシ）フェニル〕
ヘキサフルオロイソプロピル｝ベンゼン、４，４′−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）オクタフルオロビフェニル
等が挙げられる。
ば、４−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフルオロウン
デカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（１
Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ブタノキシ）−１，３−
ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−
１−ヘプタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−ペンタフルオロフェノ
キシ−１，３−ジアミノベンゼン、４−（２，３，５，
６−テトラフルオロフェノキシ）−１，３−ジアミノベ
ンゼン、４−（４−フルオロフェノキシ）−１，３−ジ
アミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パー
フルオロ−１−ヘキサノキシ）−１，３−ジアミノベン
ゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−
１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
（２，５）−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス
（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、ジアミノ（ペ
ンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロブチル）ベンゼン、２，２′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル、オクタフルオロベンジジン、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、２，２−ビス（４−アミ
ノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス
（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス
（アニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビス（ア
ニリノ）デカフルオロペンタン、１，７−ビス（アニリ
ノ）テトラデカフルオロヘプタン、２，２′−ビス（ト
リフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′，５，
５′−テトラキス（トリフルオロメチル）−４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、
４，４′−ジアミノ−ｐ−テルフェニル、１，４−ビス
（ｐ−アミノフェニル）ベンゼン、ｐ−（４−アミノ−
２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、ビス
（アミノフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベン
ゼン、ビス（アミノフェノキシ）テトラキス（トリフル
オロメチル）ベンゼン、２，２−ビス｛４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（２
−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−３，５
−ジトリフルオロメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロ
パン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロ
メチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（４−
アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニ
ル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス
（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジ
フェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−アミノ−
３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）アミ
ノフェノキシ｝ビフェニル、ビス〔｛（トリフルオロメ
チル）アミノフェノキシ｝フェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、ビス｛２−〔（アミノフェノキシ）フェニル〕
ヘキサフルオロイソプロピル｝ベンゼン、４，４′−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）オクタフルオロビフェニル
等が挙げられる。
【００２１】フッ素を含まないジアミン成分としては、
例えば、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルス
ルフィド、ベンジン、メタフェニレンジアミン、、パラ
フェニレンジアミン、２，２−ビス−（４−アミノフェ
ノキシフェニル）プロパン、１，５−ナフタレンジアミ
ン、２，６−ナフタレンジアミン、ビス−（４−アミノ
フェノキシフェニル）スルホン、ビス−（４−アミノフ
ェノキシフェニル）スルフィド、ビス−（４−アミノフ
ェノキシフェニル）ビフェニル、１，４−ビス−（４−
アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス−（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、３，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミ
ノビフェニル、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジア
ミノビフェニル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル−３−スルホンアミド、３，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテル−４−スルホンアミド、３，４′−ジアミノ
ジフェニルエーテル−３′−スルホンアミド、３，３′
−ジアミノジフェニルエーテル−４−スルホンアミド、
４，４′−ジアミノジフェニルメタン−３−スルホンア
ミド、３，４′−ジアミノジフェニルメタン−４−スル
ホンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルメタン−
３′−スルホンアミド、３，３′−ジアミノジフェニル
メタン−４−スルホンアミド、４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルホン−３−スルホンアミド、３，４′−ジア
ミノジフェニルスルホン−４−スルホンアミド、３，
４′−ジアミノジフェニルスルホン−３′−スルホンア
ミド、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン−４−ス
ルホンアミド、４，４′−ジアミノジフェニルサルファ
イド−３−スルホンアミド、３，４′−ジアミノジフェ
ニルサルファイド−４−スルホンアミド、３，３′−ジ
アミノジフェニルサルファイド−４−スルホンアミド、
３，４′−ジアミノジフェニルサルファイド−３′−ス
ルホンアミド、１，４−ジアミノベンゼン−２−スルホ
ンアミド、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル−３
−カルボンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルエー
テル−４−カルボンアミド、３，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル−３′−カルボンアミド、３，３′−ジア
ミノジフェニルエーテル−４−カルボンアミド、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン−３−カルボンアミ
ド、３，４′−ジアミノジフェニルメタン−４−カルボ
ンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルメタン−３′
−カルボンアミド、３，３′−ジアミノジフェニルメタ
ン−４−カルボンアミド、４，４′−ジアミノジフェニ
ルスルホン−３−カルボンアミド、３，４′−ジアミノ
ジフェニルスルホン−４−カルボンアミド、３，４′−
ジアミノジフェニルスルホン−３′−カルボンアミド、
３，３′−ジアミノジフェニルスルホン−４−カルボン
アミド、４，４′−ジアミノジフェニルサルファイド−
３−カルボンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルサ
ルファイド−４−カルボンアミド、３，３′−ジアミノ
ジフェニルサルファイド−４−カルボンアミド、３，
４′−ジアミノジフェニルサルファイド−３′−スルホ
ンアミド、１，４−ジアミノベンゼン−２−カルボンア
ミド、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェ
ニル、ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェニル｝
スルホン等が挙げられる。上記の酸無水物成分及びジア
ミン成分はそれぞれ２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
例えば、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルス
ルフィド、ベンジン、メタフェニレンジアミン、、パラ
フェニレンジアミン、２，２−ビス−（４−アミノフェ
ノキシフェニル）プロパン、１，５−ナフタレンジアミ
ン、２，６−ナフタレンジアミン、ビス−（４−アミノ
フェノキシフェニル）スルホン、ビス−（４−アミノフ
ェノキシフェニル）スルフィド、ビス−（４−アミノフ
ェノキシフェニル）ビフェニル、１，４−ビス−（４−
アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス−（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、３，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミ
ノビフェニル、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジア
ミノビフェニル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル−３−スルホンアミド、３，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテル−４−スルホンアミド、３，４′−ジアミノ
ジフェニルエーテル−３′−スルホンアミド、３，３′
−ジアミノジフェニルエーテル−４−スルホンアミド、
４，４′−ジアミノジフェニルメタン−３−スルホンア
ミド、３，４′−ジアミノジフェニルメタン−４−スル
ホンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルメタン−
３′−スルホンアミド、３，３′−ジアミノジフェニル
メタン−４−スルホンアミド、４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルホン−３−スルホンアミド、３，４′−ジア
ミノジフェニルスルホン−４−スルホンアミド、３，
４′−ジアミノジフェニルスルホン−３′−スルホンア
ミド、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン−４−ス
ルホンアミド、４，４′−ジアミノジフェニルサルファ
イド−３−スルホンアミド、３，４′−ジアミノジフェ
ニルサルファイド−４−スルホンアミド、３，３′−ジ
アミノジフェニルサルファイド−４−スルホンアミド、
３，４′−ジアミノジフェニルサルファイド−３′−ス
ルホンアミド、１，４−ジアミノベンゼン−２−スルホ
ンアミド、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル−３
−カルボンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルエー
テル−４−カルボンアミド、３，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル−３′−カルボンアミド、３，３′−ジア
ミノジフェニルエーテル−４−カルボンアミド、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン−３−カルボンアミ
ド、３，４′−ジアミノジフェニルメタン−４−カルボ
ンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルメタン−３′
−カルボンアミド、３，３′−ジアミノジフェニルメタ
ン−４−カルボンアミド、４，４′−ジアミノジフェニ
ルスルホン−３−カルボンアミド、３，４′−ジアミノ
ジフェニルスルホン−４−カルボンアミド、３，４′−
ジアミノジフェニルスルホン−３′−カルボンアミド、
３，３′−ジアミノジフェニルスルホン−４−カルボン
アミド、４，４′−ジアミノジフェニルサルファイド−
３−カルボンアミド、３，４′−ジアミノジフェニルサ
ルファイド−４−カルボンアミド、３，３′−ジアミノ
ジフェニルサルファイド−４−カルボンアミド、３，
４′−ジアミノジフェニルサルファイド−３′−スルホ
ンアミド、１，４−ジアミノベンゼン−２−カルボンア
ミド、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェ
ニル、ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェニル｝
スルホン等が挙げられる。上記の酸無水物成分及びジア
ミン成分はそれぞれ２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
【００２２】第１、第２又は第３の発明のポリイミド
は、例えば、前述のポリイミド前駆体であるポリアミド
酸の溶液をアルミ板上にスピンコートし、窒素雰囲気下
で７０℃から３５０℃まで段階的に加熱（７０℃１時
間、１６０℃１時間、２５０℃１時間、３５０℃１時
間）し、イミド化することによって製造できる。
は、例えば、前述のポリイミド前駆体であるポリアミド
酸の溶液をアルミ板上にスピンコートし、窒素雰囲気下
で７０℃から３５０℃まで段階的に加熱（７０℃１時
間、１６０℃１時間、２５０℃１時間、３５０℃１時
間）し、イミド化することによって製造できる。
【００２３】第１、第２又は第３の発明のポリイミドを
用いた光部品においては、ポリイミドは、通常、光学的
動作又は光学的機能をになう部分に使用される。このよ
うな光部品としては、例えば、パッシブ系の光部品、ア
クティブ系の光部品等を挙げることができる。パッシブ
系の光部品としては、プリズム、リッジ素子、非分岐導
波路（曲り導波路を含む）等の光路変換素子、分岐導波
路、方向性結合器、スターカップラー等の合分波器、干
渉フィルタ、偏光子、波長板（位相差板）などが挙げら
れる。アクティブ系の光部品としては、マッハツェンダ
型光スイッチ、方向性結合器型光スイッチ等の導波路型
光スイッチなどの光マトリックススイッチ、マッハツェ
ンダ型光変調器、方向性結合型光変調器等の導波路型の
光変調器、光偏光器、光アイソレーター、非対称方向性
結合器利用光波長フィルタ、第二次高調波発生器（ＳＨ
Ｇ）、光増幅器などが挙げられる。
用いた光部品においては、ポリイミドは、通常、光学的
動作又は光学的機能をになう部分に使用される。このよ
うな光部品としては、例えば、パッシブ系の光部品、ア
クティブ系の光部品等を挙げることができる。パッシブ
系の光部品としては、プリズム、リッジ素子、非分岐導
波路（曲り導波路を含む）等の光路変換素子、分岐導波
路、方向性結合器、スターカップラー等の合分波器、干
渉フィルタ、偏光子、波長板（位相差板）などが挙げら
れる。アクティブ系の光部品としては、マッハツェンダ
型光スイッチ、方向性結合器型光スイッチ等の導波路型
光スイッチなどの光マトリックススイッチ、マッハツェ
ンダ型光変調器、方向性結合型光変調器等の導波路型の
光変調器、光偏光器、光アイソレーター、非対称方向性
結合器利用光波長フィルタ、第二次高調波発生器（ＳＨ
Ｇ）、光増幅器などが挙げられる。
【００２４】第１、第２又は第３の発明のポリイミド
は、非線形材料と組み合わせて、例えば、熱、電気、光
等の外部刺激によって応答することができるアクティブ
系の光部品の材料として用いることができる。非線形材
料としては、特に制限はなく公知のものを使用すること
ができ、例えば、下記構造の非線形材料を挙げることが
できる。
は、非線形材料と組み合わせて、例えば、熱、電気、光
等の外部刺激によって応答することができるアクティブ
系の光部品の材料として用いることができる。非線形材
料としては、特に制限はなく公知のものを使用すること
ができ、例えば、下記構造の非線形材料を挙げることが
できる。
【００２５】
【化７】
【００２６】第１、第２又は第３の発明のポリイミドを
用いたアクティブ系の光部品に用いる材料は、例えば、
前記したポリイミド前駆体であるポリアミド酸の溶液に
上記の非線形材料を加えて撹拌等により混合することに
より容易に調整することができる。この際、非線形材料
の使用量は、ポリイミド前駆体１００重量部に対して
０．０１〜１００重量部の範囲とすることが好ましく、
０．１〜５０重量部とすることがより好ましく、０．３
〜３０重量部とすることが特に好ましい。この使用量が
少なすぎても多すぎても、非線形特性、その他の光学特
性、機械特性、安定性、作業性等が劣る傾向がある。
用いたアクティブ系の光部品に用いる材料は、例えば、
前記したポリイミド前駆体であるポリアミド酸の溶液に
上記の非線形材料を加えて撹拌等により混合することに
より容易に調整することができる。この際、非線形材料
の使用量は、ポリイミド前駆体１００重量部に対して
０．０１〜１００重量部の範囲とすることが好ましく、
０．１〜５０重量部とすることがより好ましく、０．３
〜３０重量部とすることが特に好ましい。この使用量が
少なすぎても多すぎても、非線形特性、その他の光学特
性、機械特性、安定性、作業性等が劣る傾向がある。
【００２７】以下、本発明のポリイミドを用いた光部品
の１例として、ポリイミドと非線形材料とを組み合わせ
た材料を使用するアクティブ系の光部品について図面を
用いて説明する。図２は、光マトリックススイッチ、光
変調器の基本形態を示す模式的な断面図である。これら
の光マトリックスステッチ、光変調器は、（イ）直線
型、（ロ）Ｙ分岐型、基本形態として、（ハ）方向性結
合器型、（ニ）交差（Ｘ）型、（ホ）分岐干渉型及び
（ヘ）バランスブリッジ型に分類することができる。例
えば、（イ）直線型のものでは、コア部を光が伝搬し、
電極で電圧をかけることにより、コア部の屈折率を変化
させて、一定の所望の光学的作動をさせることができ
る。光導波路の形成においては、一般的な製膜法、例え
ば、スピンコート法、浸漬法、ドクターブレード法、ワ
イヤーバー法、ローラ法、スプレー法等を用いることが
できる。光導波路のコア材とクラッド材は、光の波長、
使用用途に適した屈折率の差が出るように選択すればよ
い。
の１例として、ポリイミドと非線形材料とを組み合わせ
た材料を使用するアクティブ系の光部品について図面を
用いて説明する。図２は、光マトリックススイッチ、光
変調器の基本形態を示す模式的な断面図である。これら
の光マトリックスステッチ、光変調器は、（イ）直線
型、（ロ）Ｙ分岐型、基本形態として、（ハ）方向性結
合器型、（ニ）交差（Ｘ）型、（ホ）分岐干渉型及び
（ヘ）バランスブリッジ型に分類することができる。例
えば、（イ）直線型のものでは、コア部を光が伝搬し、
電極で電圧をかけることにより、コア部の屈折率を変化
させて、一定の所望の光学的作動をさせることができ
る。光導波路の形成においては、一般的な製膜法、例え
ば、スピンコート法、浸漬法、ドクターブレード法、ワ
イヤーバー法、ローラ法、スプレー法等を用いることが
できる。光導波路のコア材とクラッド材は、光の波長、
使用用途に適した屈折率の差が出るように選択すればよ
い。
【００２８】前記したアクティブ系における光導波路
は、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸の溶液と非線
形材料を含む材料を、例えば、シリコン基板上にスピン
コートし、窒素雰囲気下で加熱処理しポリイミド前駆体
溶液をイミド閉環してポリイミドとし、あわせて非線形
材料を配向させることによりスイッチングや変調可能な
光導波路を形成することができる。例えば、このような
光導波路の一態様である方向性結合器型光スイッチの製
造について図３を参照しつつ説明する。図３は、アクテ
ィブ光導波路作製工程を説明する断面図である。図３に
おいて、６は基板、７は下部電極、８は下部クラッド
層、９はコア層、１０はアルミニウム層、１１はレジス
ト層、１２は上部クラッド層、１３は上部電極を意味す
る。
は、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸の溶液と非線
形材料を含む材料を、例えば、シリコン基板上にスピン
コートし、窒素雰囲気下で加熱処理しポリイミド前駆体
溶液をイミド閉環してポリイミドとし、あわせて非線形
材料を配向させることによりスイッチングや変調可能な
光導波路を形成することができる。例えば、このような
光導波路の一態様である方向性結合器型光スイッチの製
造について図３を参照しつつ説明する。図３は、アクテ
ィブ光導波路作製工程を説明する断面図である。図３に
おいて、６は基板、７は下部電極、８は下部クラッド
層、９はコア層、１０はアルミニウム層、１１はレジス
ト層、１２は上部クラッド層、１３は上部電極を意味す
る。
【００２９】シリコン等の基板６の上にアルミニウム等
の下部電極７を蒸着法やスパッタ法等により作製し、次
に前記のアクティブ材料からなるコア層９よりも屈折率
の小さなポリイミドで構成される下部クラッド層８を形
成する。この上に前記アクティブ材料を所定の厚さに塗
布し、加熱キュアすることによりコア層９を得る。次
に、蒸着法等によりアルミニウム層１０をつけた後に、
レジスト塗布、プリベーク、露光、現像、アフターベー
クを行い、パターニングされたレジスト層１１を得る。
レジスト層１１により保護されていないアルミニウムを
ウェットエッチングにより除去した後、アルミニウム層
１０で保護されていないコア層９のポリイミド層をドラ
イエッチングにより除去する。
の下部電極７を蒸着法やスパッタ法等により作製し、次
に前記のアクティブ材料からなるコア層９よりも屈折率
の小さなポリイミドで構成される下部クラッド層８を形
成する。この上に前記アクティブ材料を所定の厚さに塗
布し、加熱キュアすることによりコア層９を得る。次
に、蒸着法等によりアルミニウム層１０をつけた後に、
レジスト塗布、プリベーク、露光、現像、アフターベー
クを行い、パターニングされたレジスト層１１を得る。
レジスト層１１により保護されていないアルミニウムを
ウェットエッチングにより除去した後、アルミニウム層
１０で保護されていないコア層９のポリイミド層をドラ
イエッチングにより除去する。
【００３０】レジスト層１１を剥離後、残ったアルミニ
ウム層１１をウェットエッチングにより除去し、この上
に前記下部クラッド層８形成に用いたポリイミドを用い
て上部クラッド層１２を形成する。最後にマスクパター
ンを通して所定のコア層９の上に上部電極１３を蒸着法
やスパッタ法等により形成し方向性結合器型光スイッチ
が得られる。
ウム層１１をウェットエッチングにより除去し、この上
に前記下部クラッド層８形成に用いたポリイミドを用い
て上部クラッド層１２を形成する。最後にマスクパター
ンを通して所定のコア層９の上に上部電極１３を蒸着法
やスパッタ法等により形成し方向性結合器型光スイッチ
が得られる。
【００３１】前記アクティブ系における光導波路中のコ
ア層に含まれる非線形材料を配向させるには、ポーリン
グ処理等を行えばよい。例えば、電場を印加しながら加
熱してイミド閉環によるイミド化を行いながら、同時に
非線形材料を配向させることができる。電場の印加方法
には、電極を設けて行う方法、コロナ放電で表面を帯電
させる方法等が挙げられる。電場の強さは、１０5V/m以
上とすることが好ましく、１０6V/m以上とすることがよ
り好ましい。また、イミド閉環によるイミド化を行い最
終的な構造であるポリイミドとした後に、これに電場を
加えてＴｇ以上の温度に加熱して非線形材料を配向させ
ることもできる。導波路は、通常、５〜１５μｍ幅で、
１〜４μｍの高さで形成され、パターン間隔は、２〜３
μｍ程度である。
ア層に含まれる非線形材料を配向させるには、ポーリン
グ処理等を行えばよい。例えば、電場を印加しながら加
熱してイミド閉環によるイミド化を行いながら、同時に
非線形材料を配向させることができる。電場の印加方法
には、電極を設けて行う方法、コロナ放電で表面を帯電
させる方法等が挙げられる。電場の強さは、１０5V/m以
上とすることが好ましく、１０6V/m以上とすることがよ
り好ましい。また、イミド閉環によるイミド化を行い最
終的な構造であるポリイミドとした後に、これに電場を
加えてＴｇ以上の温度に加熱して非線形材料を配向させ
ることもできる。導波路は、通常、５〜１５μｍ幅で、
１〜４μｍの高さで形成され、パターン間隔は、２〜３
μｍ程度である。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。 実施例１ １リットルのガラス製の４つ口フラスコを用い、３０ml
／分の流量で乾燥窒素を流しながら、パラフェニレンジ
アミン２９．３６ｇ（０．２７モル）、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン二無水物１２０．６４ｇ（０．２７モル）、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド８５０ｇを加えた。この溶液
を、室温で５時間撹拌して粘度５０ポイズのポリイミド
前駆体溶液を得た。この溶液を、表面が酸化シリコン層
である直径５インチのシリコンウエハ上にスピンコート
し、窒素雰囲気下で７０℃で１時間、１６０℃で１時
間、２５０℃で１時間さらに３５０℃で１時間加熱し、
膜厚３μｍのポリイミド膜を得た。このポリイミド膜の
フッ素含有率を表３に示した。
明する。 実施例１ １リットルのガラス製の４つ口フラスコを用い、３０ml
／分の流量で乾燥窒素を流しながら、パラフェニレンジ
アミン２９．３６ｇ（０．２７モル）、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン二無水物１２０．６４ｇ（０．２７モル）、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド８５０ｇを加えた。この溶液
を、室温で５時間撹拌して粘度５０ポイズのポリイミド
前駆体溶液を得た。この溶液を、表面が酸化シリコン層
である直径５インチのシリコンウエハ上にスピンコート
し、窒素雰囲気下で７０℃で１時間、１６０℃で１時
間、２５０℃で１時間さらに３５０℃で１時間加熱し、
膜厚３μｍのポリイミド膜を得た。このポリイミド膜の
フッ素含有率を表３に示した。
【００３３】得られたポリイミド膜のガラス転移温度
（Ｔｇ）、多層膜形成時のクラックの発生の有無、屈折
率及び光伝送損失を下記の方法で測定し、結果を表３及
び表５に示した。 ガラス転移温度（Ｔｇ）：膜をシリコン基板上から剥離
した後、パーキンエルマー社製の熱物性測定装置で測定
した。 多層膜形成時のクラックの発生の有無：ポリイミド膜を
形成したシリコンウエハ上にさらにポリイミド前駆体溶
液をスピンコートし、同様な方法でポリイミド膜を形成
し、多層膜形成時のクラックの発生の有無を調べた。 屈折率：プリズムカプラモデル２０１０（メトリコン社
製）を用いて測定した。 光伝送損失：前記した図１の装置で、検出方法としてプ
リズムカプラ法を用いて、波長１．３μｍの光を通して
測定した。
（Ｔｇ）、多層膜形成時のクラックの発生の有無、屈折
率及び光伝送損失を下記の方法で測定し、結果を表３及
び表５に示した。 ガラス転移温度（Ｔｇ）：膜をシリコン基板上から剥離
した後、パーキンエルマー社製の熱物性測定装置で測定
した。 多層膜形成時のクラックの発生の有無：ポリイミド膜を
形成したシリコンウエハ上にさらにポリイミド前駆体溶
液をスピンコートし、同様な方法でポリイミド膜を形成
し、多層膜形成時のクラックの発生の有無を調べた。 屈折率：プリズムカプラモデル２０１０（メトリコン社
製）を用いて測定した。 光伝送損失：前記した図１の装置で、検出方法としてプ
リズムカプラ法を用いて、波長１．３μｍの光を通して
測定した。
【００３４】実施例２〜１７ 実施例１における酸無水物成分とアミン成分を表１及び
表２に示すものに変え、等モルとしてポリイミド前駆体
の溶液を合成した。実施例１と同様にして、ポリイミド
膜を得た。このポリイミド膜のフッ素含有率を表３及び
表４に示した。また、実施例１と同様にして、得られた
ポリイミド膜のガラス転移温度（Ｔｇ）、多層膜形成時
のクラックの発生の有無、屈折率及び光伝送損失を測定
し、結果を表３、表４、表５及び表６に示した。
表２に示すものに変え、等モルとしてポリイミド前駆体
の溶液を合成した。実施例１と同様にして、ポリイミド
膜を得た。このポリイミド膜のフッ素含有率を表３及び
表４に示した。また、実施例１と同様にして、得られた
ポリイミド膜のガラス転移温度（Ｔｇ）、多層膜形成時
のクラックの発生の有無、屈折率及び光伝送損失を測定
し、結果を表３、表４、表５及び表６に示した。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】表１及び表２に示した酸無水物成分とアミ
ン成分は、以下のとおりである。 ６ＦＤＡ：２，２−ビス（３，４）ジカルボキシフェニ
ルヘキサフルオロプロパン二無水物 ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物 Ｓ−ＢＰＤＡ：３，３′，４，４′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物 ＯＤＰＡ：３，３′，４，４′−ビフェニルエーテルテ
トラカルボン酸二無水物 ＰＰＤ：パラフェニレンジアミン ＡＦ−Ａ：２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン ＤＤＥ：４，４′−ジアミノジフェニルエーテル ＤＤＳ：４，４′−ジアミノジフェニルスルファイト ＭＰＤ：メタフェニレンジアミン Ａ−ＡＦ：２，２′−ビス（４−アミノフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン ８ＦＢＰＤＡ：４，４′−ビス（４−アミノフェノキ
シ）オクタフルオロビフェニル ３，３′−ＤＳＦ：３，３′−ジアミノジフェニルスル
フォン ＤＳＦ：４，４′−ジアミノジフェニルスルフォン ＢＡＰＰ：２，２′−ビス（４−アミノフェノキシフェ
ニル）プロパン ＢＡＰＢ：４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビ
フェニル
ン成分は、以下のとおりである。 ６ＦＤＡ：２，２−ビス（３，４）ジカルボキシフェニ
ルヘキサフルオロプロパン二無水物 ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物 Ｓ−ＢＰＤＡ：３，３′，４，４′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物 ＯＤＰＡ：３，３′，４，４′−ビフェニルエーテルテ
トラカルボン酸二無水物 ＰＰＤ：パラフェニレンジアミン ＡＦ−Ａ：２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン ＤＤＥ：４，４′−ジアミノジフェニルエーテル ＤＤＳ：４，４′−ジアミノジフェニルスルファイト ＭＰＤ：メタフェニレンジアミン Ａ−ＡＦ：２，２′−ビス（４−アミノフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン ８ＦＢＰＤＡ：４，４′−ビス（４−アミノフェノキ
シ）オクタフルオロビフェニル ３，３′−ＤＳＦ：３，３′−ジアミノジフェニルスル
フォン ＤＳＦ：４，４′−ジアミノジフェニルスルフォン ＢＡＰＰ：２，２′−ビス（４−アミノフェノキシフェ
ニル）プロパン ＢＡＰＢ：４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビ
フェニル
【００３８】
【表３】
【００３９】
【表４】
【００４０】
【表５】
【００４１】
【表６】
【００４２】比較例１〜４ 実施例１における酸無水物成分及びジアミン成分を表７
に示すものに変えた以外は、実施例１と同様にして、ポ
リイミド膜を得た。このポリイミド膜のフッ素含有率を
表８に示した。また、実施例１と同様にして、得られた
ポリイミド膜のガラス転移温度（Ｔｇ）、多層膜形成時
のクラックの発生の有無、屈折率及び光伝送損失を測定
し、結果を表８及び表９に示した。
に示すものに変えた以外は、実施例１と同様にして、ポ
リイミド膜を得た。このポリイミド膜のフッ素含有率を
表８に示した。また、実施例１と同様にして、得られた
ポリイミド膜のガラス転移温度（Ｔｇ）、多層膜形成時
のクラックの発生の有無、屈折率及び光伝送損失を測定
し、結果を表８及び表９に示した。
【００４３】
【表７】
【００４４】表７に示した酸無水物成分とアミン成分
は、以下のとおりである。 ＴＰＤＡ：パラ−ターフェニル−３，４，３″，４″−
テトラカルボン酸二無水物 ＴＦＤＢ：２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノビフェニル ｍＡＰＰＳ：ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル｝スルフォン
は、以下のとおりである。 ＴＰＤＡ：パラ−ターフェニル−３，４，３″，４″−
テトラカルボン酸二無水物 ＴＦＤＢ：２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノビフェニル ｍＡＰＰＳ：ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル｝スルフォン
【００４５】
【表８】
【００４６】
【表９】
【００４７】実施例１８ 光部品の一つであるパッシブ系の光導波路の製造法を図
４に示す。シリコンウエハ基板１４に５インチのシリコ
ンウエハを用い、この上に下層クラッド１５として、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）を、溶媒と
して、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）と４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）からなる、樹
脂分濃度１５重量％、粘度５０dPa・sのポリアミド酸溶
液をスピン塗布し、乾燥器で１００℃で３０分加熱し、
次いで、２００℃で３０分加熱し、次いで、３５０℃で
６０分加熱して硬化を行い膜厚１０μｍのポリイミド膜
を形成した。波長１３００nmでのこの膜の屈折率は、
１．６７７であった。この膜の上にコア層１６として、
ＤＭＡＣを、溶媒として、３，３′，４，４′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と１，４−
フェニレンジアミン（ＰＰＤ）からなる、樹脂分濃度１
５重量％、粘度５０dPa・sのポリアミド酸溶液をスピン
塗布し、同上の条件で硬化を行い膜厚１５μｍのポリア
ミド膜を形成した。この膜の屈折率は１．７８１であっ
た。
４に示す。シリコンウエハ基板１４に５インチのシリコ
ンウエハを用い、この上に下層クラッド１５として、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）を、溶媒と
して、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）と４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）からなる、樹
脂分濃度１５重量％、粘度５０dPa・sのポリアミド酸溶
液をスピン塗布し、乾燥器で１００℃で３０分加熱し、
次いで、２００℃で３０分加熱し、次いで、３５０℃で
６０分加熱して硬化を行い膜厚１０μｍのポリイミド膜
を形成した。波長１３００nmでのこの膜の屈折率は、
１．６７７であった。この膜の上にコア層１６として、
ＤＭＡＣを、溶媒として、３，３′，４，４′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と１，４−
フェニレンジアミン（ＰＰＤ）からなる、樹脂分濃度１
５重量％、粘度５０dPa・sのポリアミド酸溶液をスピン
塗布し、同上の条件で硬化を行い膜厚１５μｍのポリア
ミド膜を形成した。この膜の屈折率は１．７８１であっ
た。
【００４８】次に、レジストとして、ＲＵ−１６００Ｐ
（日立化成工業株式会社製）を用いて、スピン塗布、１
００℃で乾燥後、水銀ランプで露光、現像を行い、この
レジストパターン１７を、マスクとして、酸素でリアク
ティブイオンエッチング（Ｏ2−ＲＩＥ）を行い、光導
波路の所定のパターンを残すようにエッチングを行い、
レジストを剥離後に、さらにこの上に上層クラッド１８
としてＰＭＤＡとＤＤＥからなるポリアミド酸を、硬化
後の膜厚が２０μｍとなるようにスピン塗布、硬化を行
い、縦１５μｍ×横１５μｍ×長さ１０cmの直線光導波
路を形成した。
（日立化成工業株式会社製）を用いて、スピン塗布、１
００℃で乾燥後、水銀ランプで露光、現像を行い、この
レジストパターン１７を、マスクとして、酸素でリアク
ティブイオンエッチング（Ｏ2−ＲＩＥ）を行い、光導
波路の所定のパターンを残すようにエッチングを行い、
レジストを剥離後に、さらにこの上に上層クラッド１８
としてＰＭＤＡとＤＤＥからなるポリアミド酸を、硬化
後の膜厚が２０μｍとなるようにスピン塗布、硬化を行
い、縦１５μｍ×横１５μｍ×長さ１０cmの直線光導波
路を形成した。
【００４９】この光導波路の光の損失を調べるために、
シリコンウエハの両端をダイシング装置で切断して試料
を作製した。光損失の測定法を図２に示す。切断した光
導波路の端面に、石英の光ファイバー１９のコアが一致
するように合わせ、波長１３００nmの光を入射し、光導
波路内を透過して反対側の端面から出る光を、光センサ
ー２０で検出する。試料の長さを５cmと１０cmのものを
作製し、光の減衰の傾きから光導波路の損失を求めたと
ころ、光損失は０．６dB/cmであった。
シリコンウエハの両端をダイシング装置で切断して試料
を作製した。光損失の測定法を図２に示す。切断した光
導波路の端面に、石英の光ファイバー１９のコアが一致
するように合わせ、波長１３００nmの光を入射し、光導
波路内を透過して反対側の端面から出る光を、光センサ
ー２０で検出する。試料の長さを５cmと１０cmのものを
作製し、光の減衰の傾きから光導波路の損失を求めたと
ころ、光損失は０．６dB/cmであった。
【００５０】実施例１９ 実施例１と同様にして、下層及び上層クラッドとし、Ｐ
ＭＤＡとＰＰＤからなるポリイミドを、コア層としてＢ
ＰＤＡと１，４−ジアミノジフェニルスルフィド（ＤＤ
Ｓ）からなるポリイミドを用いて、光損失を測定したと
ころ、光損失は０．８dB/cmであった。ＢＰＤＡとＤＤ
Ｓからなるポリイミドの波長１３００nmにおける屈折率
は１．６９４であった。
ＭＤＡとＰＰＤからなるポリイミドを、コア層としてＢ
ＰＤＡと１，４−ジアミノジフェニルスルフィド（ＤＤ
Ｓ）からなるポリイミドを用いて、光損失を測定したと
ころ、光損失は０．８dB/cmであった。ＢＰＤＡとＤＤ
Ｓからなるポリイミドの波長１３００nmにおける屈折率
は１．６９４であった。
【００５１】比較例５ 実施例１と同様にして、下層及び上層クラッドとし、フ
ッ素を含むテトラカルボン酸二無水物の２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン酸二無水物（６ＦＤＡ）と２，２′−ビス（４−ア
ミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６ＦＤＡＭ）
からなるポリイミドを用い、コア層には、ＢＰＤＡと６
ＦＤＡＭからなるポリイミドを用いて、光導波路を作製
したところ、光導波路部にクラックの発生が認められ
た。
ッ素を含むテトラカルボン酸二無水物の２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン酸二無水物（６ＦＤＡ）と２，２′−ビス（４−ア
ミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６ＦＤＡＭ）
からなるポリイミドを用い、コア層には、ＢＰＤＡと６
ＦＤＡＭからなるポリイミドを用いて、光導波路を作製
したところ、光導波路部にクラックの発生が認められ
た。
【００５２】比較例６ 実施例１と同様にして、下層及び上層クラッドとし、Ｐ
ＭＤＡとＤＤＥからなるポリイミドを用い、コア層用と
して、ＢＰＤＡと１，４−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン（ＴＰＥ）からなるポリイミドを用いて、
光導波路を作製し、光損失を測定したところ、１．８dB
/cmであった。この光損失は、値が大きく、光導波路と
して用いることは困難である。また、このコア層の膜の
屈折率は１．６９４であった。
ＭＤＡとＤＤＥからなるポリイミドを用い、コア層用と
して、ＢＰＤＡと１，４−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン（ＴＰＥ）からなるポリイミドを用いて、
光導波路を作製し、光損失を測定したところ、１．８dB
/cmであった。この光損失は、値が大きく、光導波路と
して用いることは困難である。また、このコア層の膜の
屈折率は１．６９４であった。
【００５３】
【発明の効果】請求項１におけるポリイミドは、透明性
及び等方性に優れる。請求項２におけるポリイミドは、
透明性及び耐クラック性に優れる。請求項３におけるポ
リイミドは、透明性、等方性及び耐クラック性に優れ
る。請求項４におけるポリイミドは、請求項１、２又は
３におけるポリイミドの奏する効果に加えて、さらに、
耐熱性、透明性、合成容易性に優れる。請求項５におけ
る光部品は、光学特性に優れる。
及び等方性に優れる。請求項２におけるポリイミドは、
透明性及び耐クラック性に優れる。請求項３におけるポ
リイミドは、透明性、等方性及び耐クラック性に優れ
る。請求項４におけるポリイミドは、請求項１、２又は
３におけるポリイミドの奏する効果に加えて、さらに、
耐熱性、透明性、合成容易性に優れる。請求項５におけ
る光部品は、光学特性に優れる。
【図１】プリズムを載せた光伝送損失測定用基板の模式
的な断面図である。
的な断面図である。
【図２】光マトリックススイッチ、変調器の基本形態を
示す模式的な断面図である。
示す模式的な断面図である。
【図３】アクティブ光導波路作製工程を説明する断面図
である。
である。
【図４】光導波路の作製法を示す模式図である。ここ
で、（ａ）基板、（ｂ）下層クラッドおよびコア層の形
成、（ｃ）レジストパターンの形成、（ｄ）ＲＩＥによ
るコアパターンの形成、（ｅ）レジスト除去及び（ｆ）
上層クラッドの形成を示す。
で、（ａ）基板、（ｂ）下層クラッドおよびコア層の形
成、（ｃ）レジストパターンの形成、（ｄ）ＲＩＥによ
るコアパターンの形成、（ｅ）レジスト除去及び（ｆ）
上層クラッドの形成を示す。
【図５】光導波路の光損失測定機の模式図である。
１ シリコン基板 ２ 酸化シリコン ３ ポリイミド膜 ４ プリズム ５ 入射光線 ６ 基板 ７ 下部電極 ８ 下部クラッド層 ９ コア層 １０ アルミニウム層 １１ レジスト層 １２ 上部クラッド層 １３ 上部電極 １４ シリコンウエハ基板 １５ 下層クラッド層 １６ コア層 １７ レジストパターン １８ 上層クラッド層 １９ 光ファイバー ２０ 光センサー
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 任廷 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 林田 茂 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 田谷 昌人 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 （ａ）ＴＥモードとＴＭモードの屈折率
差が０．０２以下であり、（ｂ）ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が２５０℃以上であり、（ｃ）波長０．７〜１．６
μｍにおける光伝送損失が１dB/cm以下であるポリイミ
ド。 - 【請求項２】 （ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０
℃以上であり、（ｃ）波長０．７〜１．６μｍにおける
光伝送損失が１dB/cm以下であり、（ｄ）フッ素含有率
が２２．６重量％以下であるポリイミド。 - 【請求項３】 （ａ）ＴＥモードとＴＭモードの屈折率
差が０．０２以下であり、（ｂ）ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が２５０℃以上であり、（ｃ）波長０．７〜１．６
μｍにおける光伝送損失が１dB/cm以下であり、（ｄ）
フッ素含有率が２２．６重量％以下であるポリイミド。 - 【請求項４】 化学構造として一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は４価の芳香族基を示し、Ｒ2は一般式（I
I）又は一般式（III） 【化２】 （ただし、Ｘは単結合、Ｏ、Ｓ、ＳＯ2、ＣＨ2、ＣＯ、
ＣＯＮＨＣ(ＣＨ3)2又はＮ(Ｃ6Ｈ5)を示し、Ｙ1〜Ｙ12
は、各々独立に、Ｈ、ＣＨ3、ＣＮ又はＮＯ2を示す）を
示す）で表される単位構造を含む請求項１、２又は３記
載のポリイミド。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載のポリイミ
ドを用いた光部品。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19132495A JP3738469B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | ポリイミド及びこれを用いた光部品 |
| US08/685,470 US5837804A (en) | 1995-07-27 | 1996-07-24 | Polyimides and optical parts obtained by using the same |
| KR1019960030020A KR100373892B1 (ko) | 1995-07-27 | 1996-07-24 | 폴리이미드및이를사용하여수득한광학부품 |
| DE69613441T DE69613441T2 (de) | 1995-07-27 | 1996-07-26 | Polyimide und durch deren Verwendung erhältliche optische Bauteile |
| CN96110858A CN1119678C (zh) | 1995-07-27 | 1996-07-26 | 用聚酰亚胺制造的光学元件 |
| EP96305494A EP0758665B1 (en) | 1995-07-27 | 1996-07-26 | Polyimides and optical parts obtained by using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19132495A JP3738469B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | ポリイミド及びこれを用いた光部品 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002137609A Division JP2003041002A (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | ポリイミド及びこれを用いた光部品 |
| JP2002137610A Division JP2003041003A (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | ポリイミド及びこれを用いた光部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0940774A true JPH0940774A (ja) | 1997-02-10 |
| JP3738469B2 JP3738469B2 (ja) | 2006-01-25 |
Family
ID=16272670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19132495A Expired - Fee Related JP3738469B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | ポリイミド及びこれを用いた光部品 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5837804A (ja) |
| EP (1) | EP0758665B1 (ja) |
| JP (1) | JP3738469B2 (ja) |
| KR (1) | KR100373892B1 (ja) |
| CN (1) | CN1119678C (ja) |
| DE (1) | DE69613441T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990025815A (ko) * | 1997-09-18 | 1999-04-06 | 윤종용 | 광통신용 폴리이미드 및 그 제조방법 |
| JP2002148456A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-22 | Mitsui Chemicals Inc | 高分子光導波路 |
| JP2002202421A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Mitsui Chemicals Inc | 高分子光導波路 |
| JP2006098672A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toppan Printing Co Ltd | フレキシブル光基板 |
| JP2006289194A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Nippon Shokubai Co Ltd | フッ素化ポリイミド多層膜の製造方法 |
| JP2008169393A (ja) * | 2008-01-25 | 2008-07-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 光部品用ポリイミド |
| KR20150084958A (ko) | 2013-03-18 | 2015-07-22 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 수지 필름 및 그 제조 방법, 그리고, 적층체 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961139B1 (en) * | 1997-02-19 | 2006-12-13 | Opnext Japan, Inc. | Polymer optical waveguide, optica integrated circuit , optical module and optical communication apparatus |
| US6599631B2 (en) * | 2001-01-26 | 2003-07-29 | Nanogram Corporation | Polymer-inorganic particle composites |
| US7226966B2 (en) | 2001-08-03 | 2007-06-05 | Nanogram Corporation | Structures incorporating polymer-inorganic particle blends |
| US6429023B1 (en) | 1998-07-20 | 2002-08-06 | Shayda Technologies, Inc. | Biosensors with polymeric optical waveguides |
| US6661942B1 (en) | 1998-07-20 | 2003-12-09 | Trans Photonics, Llc | Multi-functional optical switch (optical wavelength division multiplexer/demultiplexer, add-drop multiplexer and inter-connect device) and its methods of manufacture |
| AT407090B (de) * | 1998-09-15 | 2000-12-27 | Joanneum Research Forschungsge | Opto-chemischer sensor sowie verfahren zu seiner herstellung |
| JP2000347054A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Sharp Corp | 光デバイス及びその製造方法、並びに、ポリイミド膜の製造方法 |
| GB2368140A (en) * | 2000-10-19 | 2002-04-24 | Bookham Technology Plc | Integrated optical device with heaters |
| US6542684B2 (en) * | 2001-05-01 | 2003-04-01 | Corning Incorporated | Optimized multi-layer optical waveguiding system |
| TWI304076B (ja) * | 2001-07-13 | 2008-12-11 | Nippon Catalytic Chem Ind | |
| KR100943561B1 (ko) * | 2003-06-03 | 2010-02-22 | 엘지전자 주식회사 | 파장 필터 제조 방법 |
| KR20070059114A (ko) * | 2004-08-30 | 2007-06-11 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 광학 필름, 편광판 및 액정 디스플레이 |
| US7670512B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-03-02 | National Sun Yat-Sen University | Second order nonlinear optical polyimides having benzobisthiazole-based pendant groups, and preparation of the same |
| KR101309394B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2013-09-17 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 열가소성 실리콘 블록 공중합체를 포함하는 다층 필름 |
| EP1963899B1 (en) * | 2005-12-23 | 2013-08-28 | 3M Innovative Properties Company | Films including thermoplastic silicone block copolymers |
| US7972691B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-07-05 | Nanogram Corporation | Composites of polymers and metal/metalloid oxide nanoparticles and methods for forming these composites |
| US8119233B2 (en) * | 2007-02-17 | 2012-02-21 | Nanogram Corporation | Functional composites, functional inks and applications thereof |
| EP2183622A1 (en) * | 2007-07-25 | 2010-05-12 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Light-shielding film |
| CN104072993A (zh) | 2009-01-08 | 2014-10-01 | 纳克公司 | 聚硅氧烷聚合物与无机纳米颗粒的复合物及其形成方法 |
| WO2013043183A1 (en) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Intel Corporation | Slotted y-coupling waveguide for slotted waveguide modulator device |
| JP2015070232A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US643589A (en) * | 1899-06-12 | 1900-02-13 | Byron R Blaisdell | Bedstead. |
| JPS6293974A (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-30 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
| JPS62231937A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-12 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JP2556604B2 (ja) * | 1990-04-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| US4877653A (en) * | 1988-07-12 | 1989-10-31 | Hoechst Celanese Corporation | Process for insolublizing solvent soluble polyimide compositions |
| DE3926604A1 (de) * | 1989-08-11 | 1991-02-14 | Hoechst Ag | Polyimidwellenleiter als optische sensoren |
| EP0629893B1 (en) * | 1989-09-01 | 1998-01-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| JPH04255824A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-10 | Canon Inc | 液晶素子及び表示装置 |
| EP0616234B1 (en) * | 1993-03-18 | 1999-06-02 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing a polyimide optical waveguide |
| US5344916A (en) * | 1993-04-21 | 1994-09-06 | The University Of Akron | Negative birefringent polyimide films |
-
1995
- 1995-07-27 JP JP19132495A patent/JP3738469B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-24 US US08/685,470 patent/US5837804A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-24 KR KR1019960030020A patent/KR100373892B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-26 DE DE69613441T patent/DE69613441T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-26 CN CN96110858A patent/CN1119678C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-26 EP EP96305494A patent/EP0758665B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990025815A (ko) * | 1997-09-18 | 1999-04-06 | 윤종용 | 광통신용 폴리이미드 및 그 제조방법 |
| JP2002148456A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-22 | Mitsui Chemicals Inc | 高分子光導波路 |
| JP2002202421A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Mitsui Chemicals Inc | 高分子光導波路 |
| JP2006098672A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toppan Printing Co Ltd | フレキシブル光基板 |
| JP2006289194A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Nippon Shokubai Co Ltd | フッ素化ポリイミド多層膜の製造方法 |
| JP2008169393A (ja) * | 2008-01-25 | 2008-07-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 光部品用ポリイミド |
| KR20150084958A (ko) | 2013-03-18 | 2015-07-22 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 수지 필름 및 그 제조 방법, 그리고, 적층체 및 그 제조 방법 |
| KR20170097244A (ko) | 2013-03-18 | 2017-08-25 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 수지 필름 및 그 제조 방법, 그리고, 적층체 및 그 제조 방법 |
| KR20170097242A (ko) | 2013-03-18 | 2017-08-25 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 수지 필름 및 그 제조 방법, 그리고, 적층체 및 그 제조 방법 |
| KR20170097243A (ko) | 2013-03-18 | 2017-08-25 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 수지 필름 및 그 제조 방법, 그리고, 적층체 및 그 제조 방법 |
| KR20170097245A (ko) | 2013-03-18 | 2017-08-25 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 수지 필름 및 그 제조 방법, 그리고, 적층체 및 그 제조 방법 |
| KR20180100738A (ko) | 2013-03-18 | 2018-09-11 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 수지 필름 및 그 제조 방법, 그리고, 적층체 및 그 제조 방법 |
| KR20190093687A (ko) | 2013-03-18 | 2019-08-09 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 수지 필름 및 그 제조 방법, 그리고, 적층체 및 그 제조 방법 |
| KR20200006626A (ko) | 2013-03-18 | 2020-01-20 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 수지 필름 및 그 제조 방법, 그리고, 적층체 및 그 제조 방법 |
| KR20210057221A (ko) | 2013-03-18 | 2021-05-20 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 수지 전구체 및 그것을 함유하는 수지 조성물, 수지 필름 및 그 제조 방법, 그리고, 적층체 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69613441D1 (de) | 2001-07-26 |
| JP3738469B2 (ja) | 2006-01-25 |
| EP0758665B1 (en) | 2001-06-20 |
| CN1119678C (zh) | 2003-08-27 |
| CN1147640A (zh) | 1997-04-16 |
| EP0758665A1 (en) | 1997-02-19 |
| KR970006358A (ko) | 1997-02-19 |
| KR100373892B1 (ko) | 2003-05-09 |
| US5837804A (en) | 1998-11-17 |
| DE69613441T2 (de) | 2001-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3738469B2 (ja) | ポリイミド及びこれを用いた光部品 | |
| US5449742A (en) | Copolyimide exhibiting specific photosensitivity and birefringence | |
| JPH07239422A (ja) | 高分子フィルム光導波路及びその製造方法 | |
| JP2006312680A (ja) | 高分子−無機ハイブリッド光学材料 | |
| JPH1180350A (ja) | 光部品用ポリイミド及びこれを用いた光部品 | |
| JPH08143666A (ja) | 一定の複屈折を有するポリイミド共重合体、及びその製造方法 | |
| JP3674878B2 (ja) | ポリイミド光導波路 | |
| JP2008088287A (ja) | 光学用ポリイミド | |
| JP2003103738A (ja) | 多層ポリイミドフィルム、ポリイミド積層体および高分子光導波路 | |
| JP3486357B2 (ja) | 光学用ポリイミド基板 | |
| JP2759726B2 (ja) | ポリイミドの屈折率変化方法 | |
| JP5560526B2 (ja) | ポリイミド及びそれを用いた光導波路 | |
| JP2003041003A (ja) | ポリイミド及びこれを用いた光部品 | |
| JP3486358B2 (ja) | 光学用ポリイミド基板 | |
| JPH1010302A (ja) | 脂環式ポリイミドの多層膜を有する光部品 | |
| JP2003041002A (ja) | ポリイミド及びこれを用いた光部品 | |
| JP2003313294A (ja) | フッ素化ポリイミドを用いた光部品 | |
| JPH04235506A (ja) | ポリイミド光導波路及びその製造方法 | |
| JPH08134211A (ja) | 光部品用ポリイミドおよび光部品 | |
| JPH1192559A (ja) | 光部品用ポリイミドの製造法 | |
| JP2010254792A (ja) | ポリイミドおよび光導波路用ポリイミド | |
| JP2000241640A (ja) | 光学素子、その製造法及び光モジュール | |
| JP2001235647A (ja) | ポリイミド光部材の製造法及び光デバイス | |
| JP2827059B2 (ja) | フッ素化ポリアミド酸、フッ素化ポリイミド及びそれらの製造方法 | |
| JP2000198844A (ja) | 光学基板用ポリイミド及び光学用ポリイミド基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20040216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040416 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040906 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041105 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050104 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050516 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050715 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050830 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050908 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051011 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051024 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081111 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111111 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111111 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121111 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131111 Year of fee payment: 8 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131111 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |