JP3486358B2 - 光学用ポリイミド基板 - Google Patents

光学用ポリイミド基板

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JP3486358B2
JP3486358B2 JP37461298A JP37461298A JP3486358B2 JP 3486358 B2 JP3486358 B2 JP 3486358B2 JP 37461298 A JP37461298 A JP 37461298A JP 37461298 A JP37461298 A JP 37461298A JP 3486358 B2 JP3486358 B2 JP 3486358B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、光学基板用ポリイ
ミド及び光学用ポリイミド基板に関する。 【0002】 【従来の技術】低損失光ファイバの開発による光通信シ
ステムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望
まれている。また、これらの光部品を高密度に実装する
光配線技術、特に光導波路技術の確立が望まれている。 【0003】一般に、光導波路材料には、光損失が小さ
い、光導波路の作製が容易、コアとクラッドの屈折率差
を制御できる、耐熱性に優れている、などの条件が要求
される。光導波路材料としてこれまでに最も検討されて
いるのが石英系材料である。光ファイバで実証済のよう
に石英は光透過性が極めて良好であるため光導波路とし
た場合も波長が1.3μmにおいて0.1dB/cm以
下の低光損失化が達成されている。しかしその光導波路
作製には長時間を必要とする、作製時に高温が必要であ
る、大面積化が困難であるなどの製造上の問題がある。 【0004】これに対してポリメチルメタクリレートな
どのプラスチック光学材料は低い温度で光導波路形成が
可能であり、低価格が期待できるなどの長所がある一
方、耐熱性、耐湿性に劣るという欠点がある。またポリ
イミドはプラスチックの中で最も耐熱性に優れている
が、従来のポリイミドは光透過性に劣るという問題があ
った。 【0005】そこで本発明者らは光透過性に優れたポリ
イミド光学材料の研究を行ってきた。本発明者らは特開
平3−72528で光透過性に優れたフッ素化ポリイミ
ドを明らかにしている。さらに特開平4−8734では
このフッ素化ポリイミドを共重合することにより例えば
光導波路の形成に必要な屈折率制御が可能であることを
明らかにしている。またこのフッ素化ポリイミドを用い
た光導波路については特開平4−9807、同4−23
5505、同4−235506で明らかにしている。こ
のように光透過性に優れたポリイミドで耐熱性に優れた
プラスチック光導波路が実現されている。 【0006】しかしながらポリイミド光導波路において
も幾つかの問題がある。例えばポリイミドは耐熱性に優
れている反面、化学構造中の芳香族環が配向し易いとい
う面を持っている。これは光学材料としてみた場合、複
屈折を発現し易いということである。複屈折自体は、光
学材料としてはある場合は好ましい特性であり、ある場
合は好ましくない特性となる。また光導波路用材料とし
てみた場合も同じことがいえる。例えば直線偏光の偏波
面を保存しながら導波させたい場合は複屈折があった方
が良いが、無偏波の光を導波させたい場合は複屈折を持
たない方が良い。このように複屈折をいかようにも制御
できることが期待されている。 【0007】本発明者らのこれまでの検討により、この
うち低複屈折ポリイミド膜については基板の熱膨張係数
とポリイミドの熱膨張係数を合わせること、すなわち基
板としてポリイミド基板を用いることにより低複屈折ポ
リイミド膜が実現することを見いだし、特開平9−15
608で明らかにしている。しかし現在光学用ポリイミ
ド基板およびそれに用いるポリイミドとして製造・販売
されているものがないのが現状である。その理由として
はどのポリイミドが光学基板用として最適なのかが明ら
かになっていないこと、また光導波路材料であるフッ素
化ポリイミドを用いて光学用ポリイミド基板を製造する
と高価になるなどの問題点があるためと考えられる。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】本発明は光学基板用と
して要求される性能を満足するポリイミド及びそれを用
いた光学用ポリイミド基板を提供することを目的として
いる。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、光学基板用ポリイミドの化学構造と
特性の関係について検討し、本発明を達成するに至っ
た。 【0010】 本発明を概要すれば、本発明の第一の発
明の光学基板用ポリイミドは、繰り返し単位 【0011】 【化学式4】 【化学式5】 【化学式6】 【0012】から選択される化学構造の少なくとも1つ
からなるポリイミドであって、該ポリイミドのガラス転
移点が300℃以上であり、かつ、熱膨張係数が60p
pm以上であるポリイミドを用いて製造されたことを特
徴とする。 【0013】 【0014】以下、本発明についてより詳細に説明す
る。 【0015】 【発明の実施の形態】光学基板用ポリイミドに要求され
る特性を鋭意検討した結果、次のことが明らかになっ
た。すなわち一つは光学基板用ポリイミドは300℃以
上のガラス転移温度を持つことが必要であること、そし
てもう一つは60ppm以上の熱膨張係数を持つことが
必要であることの二つである。ここでその根拠について
説明する。 【0016】まず300℃以上のガラス転移温度を持つ
必要性について説明する。光学基板用ポリイミドは、こ
れを用いて光学用ポリイミド基板を製造するものである
が、この光学用ポリイミド基板上に通常ポリイミド膜を
作製することを想定している。従ってそのためにはポリ
アミド酸からポリイミドへの熱イミド化の温度に耐える
必要がある。イミド化は、ポリアミド酸の種類によって
も異なるが120℃〜200℃の間で起こると言われて
おり、ポリイミド膜の安定性から考えて通常300℃以
上の温度でキュアしている。従って光学用ポリイミド基
板は300℃のキュアに耐える必要がある。300℃の
キュアに耐えるということはポリイミドが300℃で熱
分解しないことは言うに及ばず、ガラス転移温度が30
0℃以上必要であるということである。一方、下限を限
定し、上限を限定しなかった理由は、ガラス転移温度は
いくら高くても光学用ポリイミド基板の性能には直接関
係がないからである。 【0017】またもう一つの60ppm以上の熱膨張係
数を持つ必要性について説明する。本発明の光学用ポリ
イミド基板上に作製する光部品の主なものとしてポリイ
ミド光導波路を想定している。ポリイミド光導波路は、
光透過性の観点からフッ素化ポリイミドが、さらに導波
路の偏波依存性を起こさせないために、フッ素化ポリイ
ミドの中で複屈折が小さいものが現在用いられており、
また今後も用いられるものと考えられる。現在用いられ
ている光導波路用フッ素化ポリイミドは、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン二無水物(以下6FDAと略記する)と2,2′−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノビフ
ェニル(以下TFDBを略記する)から製造されるフッ
素化ポリイミド(以下6FDA/TFDBと略記す
る)、6FDAと4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル(以下ODAと略記する)から製造されるフッ素化ポ
リイミド(以下6FDA/ODAと略記する)及び6F
DAとTFDB、ODAの共重合体などである。 【0018】ちなみに6FDA/TFDBの熱膨張係数
は82ppm、6FDA/ODAは61ppmである。
従ってこれらと同様の熱膨張係数を有する光学基板用ポ
リイミドを用いて光学用ポリイミド基板を作製すれば、
光学用ポリイミド基板上に作製したポリイミド光導波路
の偏波依存性は非常に小さいことが期待できる。このよ
うなことから光学基板用ポリイミドの熱膨張係数は60
ppm以上必要であるのである。一方下限を限定し、上
限を限定しなかった理由は、もし100ppmの光学基
板用ポリイミドが実現したら、共重合、ブレンドなどの
手法により60ppm〜100ppmまでのポリイミド
を既存の技術で十分実現できるからである。 【0019】これらの二つの要求性能を満足するポリイ
ミドについて鋭意検討した結果 【0020】 【化3】 【0021】に示す化学構造を含むポリイミドが要求性
能を満足することが明らかとなった。このポリイミド
は、オキシジフタル酸またはその二無水物またはエステ
ル類を用いてジアミンと通常の方法で反応させ、ポリア
ミド酸を経由してイミド化を行うことにより製造でき
る。オキシジフタル酸またはその誘導体を単独で用いて
もよいし、ポリイミドの原料となりうる他のテトラカル
ボン酸またはその誘導体と一緒に用いても良い。またジ
アミンは、ポリイミドの原料となりうる種々のジアミン
を単独でまたは他のジアミンと一緒に用いてもよい。 【0022】具体的に使用できるテトラカルボン酸並び
にその誘導体としての酸無水物、酸塩化物、エステル化
物などとしては次のようなものが挙げられる。ここでは
テトラカルボン酸としての例を挙げる。 【0023】(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、
ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、ジ(ヘプタ
フルオロプロピル)ピロメリット酸、ペンタフルオロエ
チルピロメリット酸、ビス{3,5−ジ(トリフルオロ
メチル)フェノキシ}ピロメリット酸、3,4,3′,
4′−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3′,4,
4′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、2,
3′,3,4′−テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン、
1,4,5,7−テトラカルボキシナフタレン、1,
4,5,6−テトラカルボキシナフタレン、3,3′,
4,4′−テトラカルボキシジフェニルメタン、3,
3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、5,5′−ビス(トリフ
ルオロメチル)−3,3′,4,4′−テトラカルボキ
シビフェニル、2,2′,5,5′−テトラキス(トリ
フルオロメチル)−3,3′,4,4′−テトラカルボ
キシビフェニル、5,5′−ビス(トリフルオロメチ
ル)−3,3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、5,5′−ビス(トリフルオロメチル)−
3,3′,4,4′−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノ
キシ}ベンゼン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカル
ボキシフェノキシ}(トリフルオロメチル)ベンゼン、
ビス(ジカルボキシフェノキシ)(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス
(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシ
フェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレン、
2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシジフェノキ
シ)フェニル}プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、2,2−ビス{4−
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサ
フルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカ
ルボキシフェノキシ}ビフェニル、ビス{(トリフルオ
ロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオ
ロメチル)ビフェニル、ビス{(トリフルオロメチル)
ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル、ビス
(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチ
ル)ビフェニル、ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ジメチルシラン、1,3−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン、
1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ)オクタフルオロビフェニルなどである。 【0024】ジアミンとしては、例えば次のものが挙げ
られる。m−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノト
ルエン、2,4−ジアミノキシレン、2,4−ジアミノ
デュレン、4−(1H,1H,11H−エイコサフルオ
ロウンデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、4−
(1H,1H−パーフルオロ−1−ブタノキシ)−1,
3−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H−パーフルオ
ロ−1−ヘプタノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、
4−(1H,1H−パーフルオロ−1−オクタノキシ)
−1,3−ジアミノベンゼン、4−ペンタフルオロフェ
ノキシ−1,3−ジアミノベンゼン、4−(2,3,
5,6−テトラフルオロフェノキシ)−1,3−ジアミ
ノベンゼン、4−(4−フルオロフェノキシ)−1,3
−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−
パーフルオロ−1−ヘキサノキシ)−1,3−ジアミノ
ベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−パーフルオ
ロ−1−ドデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、
p−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、
2,3,5,6−テトラメチル−p−フェニレンジアミ
ン、2,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス
(トリフルオロメチル)フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ(トリフルオロメチル)ベンゼン、ジアミノ(ペ
ンタフルオロエチル)ベンゼン、2,5−ジアミノ(パ
ーフルオロヘキシル)ベンゼン、2,5−ジアミノ(パ
ーフルオロブチル)ベンゼン、ベンジジン、2,2′−
ジメチルベンジジン、3,3′−ジメチルベンジジン、
3,3′−ジメトキシベンジジン、2,2′−ジメトキ
シベンジジン、3,3′,5,5′−テトラメチルベン
ジジン、3,3′−ジアセチルベンジジン、2,2′−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノビフ
ェニル、オクタフルオロベンジジン、3,3′−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノビフェニ
ル、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′
−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)
プロパン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、1,2−ビス(アニリノ)エ
タン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、1,3−ビス(アニリノ)ヘキサフルオ
ロプロパン、1,4−ビス(アニリノ)オクタフルオロ
ブタン、1,5−ビス(アニリノ)デカフルオロペンタ
ン、1,7−ビス(アニリノ)テトラデカフルオロヘプ
タン、2,2′−ビス(トリフルオロメチル)−4,
4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3′,5,5′−テトラキス(トリフ
ルオロメチル)−4,4′−ジアミノフェニルエーテ
ル、3,3′−ビス(トリフルオロメチル)−4,4′
−ジアミノベンゾフェノン、4,4′′−ジアミノ−p
−テルフェニル、1,4−ビス(p−アミノフェニル)
ベンゼン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメ
チルフェノキシ)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)
ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(アミノフ
ェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、4,4′′′−ジアミノ−p−クオーターフェニ
ル、4,4′−ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニ
ル、2,2−ビス{4−(p−アミノフェノキシ)フェ
ニル}プロパン、4,4′−ビス(3−アミノフェノキ
シフェニル)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス{4−(3−アミノフェノキシ)
フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4
−(2−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキ
シ)−3,5−ジメチルフェニル}ヘキサフルオロプロ
パン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)−
3,5−ジトリフルオロメチルフェニル}ヘキサフルオ
ロプロパン、4,4′−ビス(4−アミノ−2−トリフ
ルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4′−ビス
(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)ビ
フェニル、4,4′−ビス(4−アミノ−2−トリフル
オロメイルフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4′
−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメチルフェノキ
シ)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−(4−ア
ミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル}
ヘキサフルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチ
ル)アミノフェノキシ}ビフェニル、ビス[ {(トリフ
ルオロメチル)アミノフェノキシ}フェニル] ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、1,5−ジ
アミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、ビス
[ {2−(アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオ
ロイソプロピル] ベンゼン、ビス(2,3,5,6−テ
トラフルオロ−4−アミノフェニル)エーテル、ビス
(2,3,5,6−テトラフルオロ−4−アミノフェニ
ル)スルフィド、1,3−ビス(3−アミノプロピル)
テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(3−アミノ
プロピルジメチルシリル)ベンゼン、ビス(4−アミノ
フェニル)ジエチルシラン、1,3−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、1,4−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、4,4′−ビス(テトラフルオロアミノフェノキ
シ)オクタフルオロビフェニルなどがある。 【0025】ただ具体的には得られるポリイミドのガラ
ス転移温度と熱膨張係数を測定して好適なものを選択す
る必要がある。 【0026】具体的には次のような組み合わせが好適で
ある。オキシジフタル酸二無水物(以下ODPAと略記
する)と2,2′−ビス(トリフルオロメチル)−4.
4′−ジアミノビフェニル(以下TFDBと略記する)
から得られるポリイミド、ODPAとピロメリット酸二
無水物(以下PMDAと略記する)とTFDBから得ら
れるポリイミド共重合体、ODPAとTFDBと2,
2′−ジメチルベンジジン(DMDB−22と略記す
る)から得られるポリイミド共重合体、ODPAとTF
DBと3,3′−ジメチルベンジジン(DMDB−33
と略記する)から得られるポリイミド共重合体などがあ
る。 【0027】光学用ポリイミド基板の製造は、ポリアミ
ド酸溶液や、ポリイミドが溶媒に可溶な場合はポリイミ
ド溶液を使用し、キャスト法などによりポリイミド基板
を製造できる。真空蒸着重合を用いても良い。またポリ
イミド粉末を高温・高圧力で成型する方法も適用でき
る。すなわち高分子材料を用いて基板を製造する既存の
技術が適用できる。 【0028】製造した光学基板の表面は、表面研磨を施
したほうが良い。表面の平滑性としては平均表面粗さで
100nm以下、できれば50nm以下が良い。 【0029】 【実施例】以下いくつかの実施例を用いて本発明をさら
に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではない。 【0030】なお本発明で述べているガラス転移温度と
は、熱機械分析において測定される物性を言っている。
参考までに本発明における使用装置、測定条件は次の通
りである。 【0031】使用装置:真空理工株式会社製TM−70
00。 【0032】 測定条件:測定試料:幅5mm×長さ15mm×厚さ15〜20μm 引っ張り荷重:3g 雰囲気:窒素雰囲気 昇温速度5℃/min。 【0033】また、本発明で述べている熱膨張係数と
は、熱機械分析において測定される物性で温度範囲が5
0〜300℃の平均熱膨張係数で、2回目の測定(通常
セカンドランと呼ぶ)のものである。参考までに本発明
における使用装置、測定条件は上述したガラス転移温度
の測定の使用装置、測定条件と同じである。 【0034】<実施例1>三角フラスコにODPAを6
2.0g(0.2mol)とTFDBを64.0g
(0.2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1
000gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で
3日間攪拌し、濃度約11wt%のポリアミド酸溶液を
得た。このポリアミド酸溶液をキャスト法で製膜後加熱
キュアし、厚さ15μmのフィルムと厚さ150μmの
基板を得た。このフィルムの熱膨張係数は78ppm
で、ガラス転移温度は302℃であった。 【0035】<実施例2>三角フラスコにODPAを2
1.7g(0.14mol)とPMDAを13.08g
(0.06mol)とTFDBを64.0g(0.2m
ol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000gを
加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間攪拌
し、濃度約10wt%のポリアミド酸溶液を得た。この
ポリアミド酸溶液をキャスト法で製膜後加熱キュアし、
厚さ15μmのフィルムと厚さ150μmの基板を得
た。このフィルムの熱膨張係数は81ppmで、ガラス
転移温度は333℃であった。 【0036】<実施例3>三角フラスコにODPAを3
1.2g(0.12mol)とPMDAを17.44g
(0.08mol)とTFDBを64.0g(0.2m
ol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000gを
加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間攪拌
し、濃度約10wt%のポリアミド酸溶液(以下ODP
A/PMDA/TFDBポリアミド酸溶液と略記する)
を得た。このODPA/PMDA/TFDBポリアミド
酸溶液をキャスト法で製膜後加熱キュアし、厚さ15μ
mのフィルムと厚さ150μmの基板(ODPA/PM
DA/TFDB基板)を得た。このフィルムの熱膨張係
数は68ppmで、ガラス転移温度は345℃であっ
た。 【0037】<実施例4>三角フラスコにODPAを6
2.0g(0.2mol)とDMDB−22を21.2
g(0.1mol)とTFDBを32.0g(0.1m
ol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000gを
加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間攪拌
し、濃度約11wt%のポリアミド酸溶液を得た。この
ポリアミド酸溶液をキャスト法で製膜後加熱キュアし、
厚さ15μmのフィルムと厚さ150μmの基板を得
た。このフィルムの熱膨張係数は81ppmで、ガラス
転移温度は約310℃であった。 【0038】<実施例5>三角フラスコにODPAを6
2.0g(0.2mol)とDMDB−33を21.2
g(0.1mol)とTFDBを32.0g(0.1m
ol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000gを
加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間攪拌
し、濃度約11wt%のポリアミド酸溶液を得た。この
ポリアミド酸溶液をキャスト法で製膜後加熱キュアし、
厚さ15μmのフィルムと厚さ150μmの基板を得
た。このフィルムの熱膨張係数は75ppmで、ガラス
転移温度は約315℃であった。 【0039】<比較例1>三角フラスコにPMDAを4
3.6g(0.2mol)とODA40.0g(0.2
mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000g
を加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間攪
拌し、濃度約11wt%のポリアミド酸溶液を得た。こ
のポリアミド酸溶液をキャスト法で製膜後加熱キュア
し、厚さ15μmのフィルムと厚さ150μmの基板を
得た。このフィルムの熱膨張係数は35ppmで、ガラ
ス転移温度は400℃までの測定で明らかにすることは
できなく、400℃以上と考えられる。 【0040】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によればガ
ラス転移温度が300℃以上で、かつ熱膨張係数が60
ppm以上である光学基板用ポリイミドが製造され、さ
らにこのポリイミドを用いて光学用ポリイミド基板が製
造できる。この基板上に作製したポリイミド膜は複屈折
が小さいことが期待でき、またこの膜を用いて光導波路
を作製すれば偏波依存性の小さなポリイミド光導波路が
作製できるという効果がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松浦 徹 東京都武蔵野市御殿山一丁目1番3号 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロ ジ株式会社内 (72)発明者 山本 二三男 東京都武蔵野市御殿山一丁目1番3号 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロ ジ株式会社内 (72)発明者 諸井 長広 埼玉県川越市今福中台2805番地 セント ラル硝子株式会社 化学研究所内 (72)発明者 前田 一彦 埼玉県川越市今福中台2805番地 セント ラル硝子株式会社 化学研究所内 (72)発明者 堤 憲太郎 埼玉県川越市今福中台2805番地 セント ラル硝子株式会社 化学研究所内 (56)参考文献 特開 平5−279495(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 73/00 - 73/26

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 繰り返し単位 【化1】 【化2】【化3】 から選択される化学構造の少なくとも1つからなるポリ
    イミドであって、該ポリイミドのガラス転移点が300
    ℃以上であり、かつ、熱膨張係数が60ppm以上であ
    るポリイミドを用いて製造されたことを特徴とする光学
    用ポリイミド基板。
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