JPH0927489A - 半導体基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＰＮ接合のリーク電流をなくすとともに、導電
性物質が貫通型結晶欠陥内部に再分布するのを防止す
る。 【解決手段】第一導電型のｎ⁺ 型単結晶炭化珪素基板１
とこの上に形成された第一導電型のｎ^- 型エピタキシャ
ル炭化珪素層２の二層からなり、ｎ^- 型エピタキシャル
炭化珪素層２の上面側を表面側とし、ｎ⁺ 型単結晶炭化
珪素基板１の下面側を裏面側とする単結晶炭化珪素より
なる半導体基板を形成する半導体基板形成工程と、この
半導体基板の表面側に第２導電型の単結晶炭化珪素より
なるｐ型エピタキシャル炭化珪素層３を形成する半導体
層形成工程と、少なくともｐ型エピタキシャル炭化珪素
層３内に発生した貫通型結晶欠陥４を熱酸化して、貫通
型結晶欠陥４の内壁に熱酸化膜５を形成する熱酸化膜形
成工程とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は単結晶炭化珪素から
なる半導体基板及びその製造方法に関するものであり、
例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、ＰＮダイオ
ード、ショットキーダイオード等の半導体装置に用いら
れ、特に、高耐圧大電力用の縦型ＭＯＳＦＥＴ用の半導
体基板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、単結晶炭化珪素からなる半導体基
板は高耐圧電力用トランジスタ、高耐圧ダイオード等の
高耐圧大電力用半導体装置のための半導体基板として開
発されている。この単結晶炭化珪素基板の製造方法とし
ては、アチソン法、レーリー法、昇華再結晶法（改良レ
ーリー法）等が知られている。このうち半導体基板の製
造方法としては大面積かつ高品質の単結晶炭化珪素の成
長に有利な昇華再結晶法が主に採用されている。

【０００３】この昇華再結晶法は、特公昭６３−５７４
００号公報に開示されているように、黒鉛製るつぼ内に
配置された炭化珪素粉末からなる原料を加熱昇華させ、
同じく黒鉛るつぼ内の炭化珪素粉末原料と対向する位置
に配置された炭化珪素種結晶上に単結晶炭化珪素を成長
させる方法である。この方法により得られた単結晶炭化
珪素は半導体基板に適した大面積かつ多形が制御された
基板として使用可能である。更にこの単結晶炭化珪素基
板上に必要に応じ、液相エピタキシャル法（ＬＰＥ）ま
たは気相エピタキシャル法（ＣＶＤ）により、導電型も
しくはキャリア濃度が基板とは異なる単結晶炭化珪素層
を成長させて半導体素子作製用基板が製造される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、概して
単結晶炭化珪素基板には多くの結晶欠陥が基板表面、基
板内部に存在する。基板表面の欠陥については例えば、
特公平５−５００８８３号公報は、基板表面をエッチン
グプラズマに暴露した後、エピタキシャル層を成膜して
得られた薄膜に発生する欠陥密度と、この薄膜と炭化珪
素の基板表面との間の界面に発生する欠陥密度とを減少
する方法を開示している。

【０００５】また、基板内部に発生する結晶欠陥は貫通
型結晶欠陥（マイクロパイプ欠陥）と呼ばれ、単結晶炭
化珪素が存在しない欠陥領域が基板中を貫通するもので
あり、基板内部に数多く存在することが知られている。
この貫通型結晶欠陥は、エッチングプラズマの暴露やウ
エットエッチングによる方法では径が大きくなるばかり
で取り除くことができず、その導電性によってＰＮ接合
のソースドレイン間やゲートドレイン間にリーク電流を
発生して素子動作の不良を引き起こしてしまうという問
題があった。

【０００６】本発明の半導体基板及びその製造方法はこ
のような課題に着目してなされたものであり、その目的
とするところは、貫通型結晶欠陥の内壁の導電性領域と
導電性物質を除去することにより、ＰＮ接合のリーク電
流の発生を防止できる半導体基板を提供することにあ
る。

【０００７】また、本発明の他の目的は、貫通型結晶欠
陥の内壁に熱酸化膜を埋め込むことにより、導電性物質
が貫通型結晶欠陥内部に再分布するのを防止できる半導
体基板及びその製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、第１の発明に係る半導体基板の製造方法は、単
結晶炭化珪素よりなる半導体基板を形成する半導体基板
形成工程と、この半導体基板形成工程において前記半導
体基板内に発生した貫通型結晶欠陥を熱酸化して、該貫
通型結晶欠陥の内壁に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成
工程とを具備する。

【０００９】また、第２の発明に係る半導体基板の製造
方法は、第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に形成さ
れた第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、前記高
抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下面側を
裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を形成
する半導体基板形成工程と、前記半導体基板の前記表面
側に第二導電型の単結晶炭化珪素よりなる半導体層を形
成する半導体層形成工程と、少なくともこの半導体層形
成工程において前記半導体層内に発生した貫通型結晶欠
陥を熱酸化して、該貫通型結晶欠陥の内壁に熱酸化膜を
形成する熱酸化膜形成工程とを具備する。

【００１０】また、第３の発明に係る半導体基板の製造
方法は、第２の発明において、前記熱酸化膜を除去する
熱酸化膜除去工程をさらに具備する。また、第４の発明
に係る半導体基板の製造方法は、第２の発明において、
前記熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、この熱酸
化膜除去工程の後に前記貫通型結晶欠陥の内壁に第二の
熱酸化膜を形成する第二熱酸化膜形成工程とをさらに具
備する。

【００１１】また、第５の発明に係る半導体基板の製造
方法は、単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を形成する
半導体基板形成工程と、この半導体基板形成工程におい
て前記半導体基板内に発生した貫通型結晶欠陥を熱窒化
して、該貫通型結晶欠陥の内壁に熱窒化膜を形成する熱
窒化膜形成工程とを具備する。

【００１２】また、第６の発明に係る半導体基板の製造
方法は、第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に形成さ
れた第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、前記高
抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下面側を
裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を形成
する半導体基板形成工程と、前記半導体基板の前記表面
側に第二導電型の単結晶炭化珪素よりなる半導体層を形
成する半導体層形成工程と、少なくとも前記半導体層形
成工程において前記半導体層内に発生した貫通型結晶欠
陥を熱窒化して、該貫通型結晶欠陥の内壁に熱窒化膜を
形成する熱窒化膜形成工程とを具備する。

【００１３】また、第７の発明に係る半導体基板の製造
方法は、第６の発明において、前記熱窒化膜を除去する
熱窒化膜除去工程をさらに具備する。また、第８の発明
に係る半導体基板の製造方法は、第６の発明において、
前記熱窒化膜を除去する熱窒化膜除去工程と、この熱窒
化膜除去工程の後に前記貫通型結晶欠陥の内壁に第二の
熱窒化膜を形成する第二熱窒化膜形成工程とをさらに具
備する。

【００１４】また、第９の発明に係る半導体層付き半導
体基板は、第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に形成
された第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、前記
高抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下面側
を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板と、
この半導体基板の前記表面側に形成され、第二導電型の
単結晶炭化珪素よりなる半導体層と、少なくともこの半
導体層内に発生した貫通型結晶欠陥を熱酸化することに
よって該貫通型結晶欠陥の内壁に形成された熱酸化膜と
を具備する。

【００１５】また、第１０の発明に係る半導体層付き半
導体基板は、第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に形
成された第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、前
記高抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下面
側を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板
と、この半導体基板の前記表面側に形成され、第二導電
型の単結晶炭化珪素よりなる半導体層と、少なくともこ
の半導体層内に発生した貫通型結晶欠陥を熱窒化するこ
とによって該貫通型結晶欠陥の内壁に形成された熱窒化
膜とを具備する。

【００１６】すなわち、第１の発明に係る半導体基板の
製造方法は、まず単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を
形成した後、この半導体基板の形成時に前記半導体基板
内に発生した貫通型結晶欠陥を熱酸化して不導体化する
とともに、該貫通型結晶欠陥の内壁に絶縁体である熱酸
化膜を形成することにより、ＰＮ接合のリーク電流の発
生を防止するとともに、導電性物質が貫通型結晶欠陥内
部に再分布するのを防止するようにする。

【００１７】また、第２の発明に係る半導体基板の製造
方法は、まず、第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に
形成された第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、
前記高抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下
面側を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板
を形成し、次に前記半導体基板の前記表面側に第二導電
型の単結晶炭化珪素よりなる半導体層を形成する。そし
て、少なくともこの半導体層形成時に前記半導体層内に
発生した貫通型結晶欠陥を熱酸化して不導体化するとと
もに、該貫通型結晶欠陥の内壁に絶縁体である熱酸化膜
を形成することによって、ＰＮ接合のリーク電流の発生
を防止するとともに、導電性物質が貫通型結晶欠陥内部
に再分布するのを防止するようにする。

【００１８】また、第３の発明に係る半導体基板の製造
方法は、第２の発明の作用に加えて、さらに前記熱酸化
膜を除去することによって、貫通型結晶欠陥内壁の導電
性物質を取り除きＰＮ接合のリーク電流の発生を防止す
るとともに、導電性物質が貫通型結晶欠陥内部に再分布
するのを防止するようにする。

【００１９】また、第４の発明に係る半導体基板の製造
方法は、第２の発明の作用に加えて、さらに前記熱酸化
膜を除去した後、前記貫通型結晶欠陥の内壁に第二の熱
酸化膜を形成することによって、貫通型結晶欠陥内壁の
導電性物質を取り除きＰＮ接合のリーク電流の発生を防
止するとともに、導電性物質が貫通型結晶欠陥内部に再
分布するのを防止するようにする。

【００２０】また、第５の発明に係る半導体基板の製造
方法は、単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を形成した
後、この半導体基板の形成時に前記半導体基板内に発生
した貫通型結晶欠陥を熱窒化して不導体化するととも
に、該貫通型結晶欠陥の内壁に絶縁体である熱窒化膜を
形成することによって、ＰＮ接合のリーク電流の発生を
防止するとともに、導電性物質が貫通型結晶欠陥内部に
再分布するのを防止するようにする。

【００２１】また、第６の発明に係る半導体基板の製造
方法は、まず、第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に
形成された第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、
前記高抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下
面側を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板
を形成し、次に前記半導体基板の前記表面側に第二導電
型の単結晶炭化珪素よりなる半導体層を形成する。そし
て、少なくとも前記半導体層形成工程において前記半導
体層内に発生した貫通型結晶欠陥を熱窒化して不導体化
するとともに、該貫通型結晶欠陥の内壁に絶縁体である
熱窒化膜を形成することによって、ＰＮ接合のリーク電
流の発生を防止するとともに、導電性物質が貫通型結晶
欠陥内部に再分布するのを防止するようにする。

【００２２】また、第７の発明に係る半導体基板の製造
方法は、第６の発明の作用に加えて、さらに前記熱窒化
膜を除去することによって、貫通型結晶欠陥内壁の導電
性物質を取り除きＰＮ接合のリーク電流の発生を防止す
るとともに、導電性物質が貫通型結晶欠陥内部に再分布
するのを防止するようにする。

【００２３】また、第８の発明に係る半導体基板の製造
方法は、第６の発明の作用に加えて、さらに前記熱窒化
膜を除去した後、前記貫通型結晶欠陥の内壁に第二の熱
窒化膜を形成することによって、貫通型結晶欠陥内壁の
導電性物質を取り除きＰＮ接合のリーク電流の発生を防
止するとともに、導電性物質が貫通型結晶欠陥内部に再
分布するのを防止するようにする。

【００２４】また、第９の発明に係る半導体層付き半導
体基板は、第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に形成
された第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、前記
高抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下面側
を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を形
成し、次にこの半導体基板の前記表面側に第二導電型の
単結晶炭化珪素よりなる半導体層を形成する。そして、
少なくともこの半導体層内に発生した貫通型結晶欠陥を
熱酸化することによって該貫通型結晶欠陥の内壁に熱酸
化膜を形成してＰＮ接合のリーク電流の発生を防止する
とともに、導電性物質が貫通型結晶欠陥内部に再分布す
るのを防止するようにする。

【００２５】また、第１０の発明に係る半導体層付き半
導体基板は、第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に形
成された第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、前
記高抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下面
側を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を
形成し、次にこの半導体基板の前記表面側に第二導電型
の単結晶炭化珪素よりなる半導体層を形成する。そし
て、少なくともこの半導体層内に発生した貫通型結晶欠
陥を熱窒化することによって該貫通型結晶欠陥の内壁に
熱窒化膜を形成してＰＮ接合のリーク電流の発生を防止
するとともに、導電性物質が貫通型結晶欠陥内部に再分
布するのを防止するようにする。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の実施の第１
の形態に係る単結晶の炭化珪素からなる半導体基板の断
面図である。この半導体基板は、低抵抗層としてのｎ⁺
型単結晶炭化珪素基板１と、この上に順次積層された高
抵抗層としてのｎ^- 型エピタキシャル炭化珪素層２と、
半導体層としてのｐ型エピタキシャル炭化珪素層３とか
ら構成されている。ｎ⁺ 型単結晶炭化珪素基板１は、六
方晶系ＳｉＣ（０００１）面を表面とし、かつ低抵抗で
キャリア濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3程度である。上記半導
体基板の形成時、ｎ⁺ 型単結晶炭化珪素基板１と上記２
つのエピタキシャル層２、３が積層された半導体基板に
は貫通型結晶欠陥（マイクロパイプ欠陥）４が発生する
ことが知られている。この貫通型結晶欠陥４は基板表面
（ｐ型エピタキシャル層３の上面）から基板裏面（ｎ⁺
型単結晶炭化珪素基板１）に貫通しており、数μｍ〜数
十μｍ程度の大きさを有する。そこで、本実施の形態で
は貫通型結晶欠陥４の内壁を第１の熱酸化によりエッチ
ングして内壁自体の導電性領域と貫通型結晶欠陥の導電
性物質とを除去するとともに、第２の熱酸化によって貫
通型結晶欠陥４の内壁に高耐圧絶縁体としての熱酸化膜
５を形成して埋め込むようにする。

【００２７】以下に、上記した単結晶炭化珪素半導体基
板の製造工程を、図１乃至図５を用いて詳細に説明す
る。まず、図２に示すように、ｎ型不純物の例えば窒素
を導入し昇華再結晶法によって、表面の方位が（０００
１）面である低抵抗のｎ型単結晶炭化珪素基板１を形成
する。

【００２８】次に、図３に示すように、ｎ型不純物の例
えば窒素を導入しＣＶＤ法によりエピタキシャル成長さ
せて、ｎ型単結晶炭化珪素基板１上に高抵抗のｎ型エピ
タキシャル炭化珪素層２を形成し、更に図４に示すよう
に、ｐ型不純物の例えばアルミニウムを導入しｎ型と同
じくＣＶＤ法によりエピタキシャル成長させて、高抵抗
のｎ型エピタキシャル炭化珪素層２上に半導体層として
のｐ型エピタキシャル炭化珪素層３を形成する。

【００２９】その後、上記工程によって半導体基板内部
に発生した基板表面から基板裏面に貫通する貫通型結晶
欠陥４の内壁を熱酸化するため、基板全体を１３００℃
程度で４時間程度の熱酸化工程により熱酸化して第一の
熱酸化膜としての図５に示すような熱酸化膜５（５Ａ、
５Ｂ）を形成する。これによって、貫通型結晶欠陥４の
内壁自体の導電性領域と貫通型結晶欠陥４に存在する導
電性物質とが除去される。次に先に形成した熱酸化膜５
を除去し、その後、再び基板全体を１３００℃程度で４
時間程度の熱酸化工程により熱酸化して第二の熱酸化膜
としての図５に示すような高耐圧絶縁体としての熱酸化
膜５（５Ａ、５Ｂ）を形成して貫通型結晶欠陥４の内壁
に埋め込む。

【００３０】最後に基板表面と裏面の熱酸化膜５Ｂを研
磨により除去し図１に示す炭化珪素半導体基板を完成す
る。上記した実施の第１の形態によれば、第１の熱酸化
によって貫通型結晶欠陥４の内壁自体の導電性領域と貫
通型結晶欠陥４に存在する導電性物質が除去されるの
で、ＰＮ接合のリーク電流の発生を防止することができ
る。

【００３１】また、第２の熱酸化によって貫通型結晶欠
陥４の内壁には熱酸化膜が埋め込まれるので導電性物質
が貫通型結晶欠陥内部に再分布するのを防止できる。
尚、実施の第１の形態では、導電性領域及び導電性物質
の除去と、熱酸化膜の埋め込みとを別の熱工程にて行っ
たが、これを一回の熱工程にて行なうようにしてもよ
い。また、ｐ／ｎ／ｎ⁺ 構造の基板についてのみ説明し
たが、半導体型のｎとｐを入れ換えた構造でも同じ効果
が得られることは言うまでもない。また、貫通型結晶欠
陥は必ずしも基板表面から基板裏面に貫通しているわけ
でなく、少なくともｎ型エピタキシャル炭化珪素層２と
ｐ型エピタキシャル炭化珪素層３とを貫通しているもの
に対して本実施の形態を適用しても同じ効果が得られ
る。また熱酸化温度も１３００℃に限定されるものでは
なく、炭化珪素の結晶欠陥側面を酸化させることのでき
る温度であればよい。また酸化膜形成後にＨＦ溶液等に
よるエッチングにより酸化膜を除去してもよい。

【００３２】更に、酸化膜除去後に再度酸化膜を形成す
ることで、結晶欠陥側壁をよりエッチングでき、ＰＮ接
合のリーク電流をなくすことができる。以下に本発明の
実施の第２の形態を詳細に説明する。第２の形態は第１
の形態で形成した酸化膜を窒化膜に変更したのみである
ので、第１の形態と同様に図１乃至図５を参照して説明
する。

【００３３】まず、図２に示すように、ｎ型不純物の例
えば窒素を導入し昇華再結晶法によって、表面の方位が
（０００１）面である低抵抗のｎ型単結晶炭化珪素基板
１を形成する。

【００３４】次に、図３に示すように、ｎ型不純物の例
えば窒素を導入しＣＶＤ法によりエピタキシャル成長さ
せて、ｎ型単結晶炭化珪素基板１上に高抵抗のｎ型エピ
タキシャル炭化珪素層２を形成し、更に図４に示すよう
に、ｐ型不純物の例えばアルミニウムを導入しｎ型と同
じくＣＶＤ法によりエピタキシャル成長させて、高抵抗
のｎ型エピタキシャル炭化珪素層２上に半導体層として
のｐ型エピタキシャル炭化珪素層３を形成する。

【００３５】その後、上記工程によって半導体基板内部
に発生した基板表面から基板裏面に貫通する貫通型結晶
欠陥４の内壁を熱窒化するため、基板全体を１３００℃
程度で４時間程度の熱窒化工程により熱窒化して第一の
熱窒化膜としての図５に示すような熱窒化膜５（５Ａ、
５Ｂ）を形成する。これによって、貫通型結晶欠陥４の
内壁自体の導電性領域と貫通型結晶欠陥４に存在する導
電性物質とが除去される。次に先に形成した熱窒化膜５
を除去し、その後、再び基板全体を１３００℃程度で４
時間程度の熱窒化工程により熱窒化して第二の熱窒化膜
としての図５に示すような高耐圧絶縁体としての熱窒化
膜５（５Ａ、５Ｂ）を形成して貫通型結晶欠陥４の内壁
に埋め込む。

【００３６】最後に基板表面と裏面の熱窒化膜５Ｂを研
磨により除去し図１に示す炭化珪素半導体基板を完成す
る。上記した実施の第２の形態によれば、第１の熱窒化
によって貫通型結晶欠陥４の内壁自体の導電性領域と貫
通型結晶欠陥４に存在する導電性物質が除去されるの
で、ＰＮ接合のリーク電流の発生を防止することができ
る。

【００３７】また、第２の熱窒化によって貫通型結晶欠
陥４の内壁には熱窒化膜が埋め込まれるので導電性物質
が貫通型結晶欠陥内部に再分布するのを防止できる。
尚、実施の第２の形態では、導電性領域及び導電性物質
の除去と、熱窒化膜の埋め込みとを別の熱工程にて行っ
たが、これを一回の熱工程にて行なうようにしてもよ
い。また、ｐ／ｎ／ｎ⁺ 構造の基板についてのみ説明し
たが、半導体型のｎとｐを入れ換えた構造でも同じ効果
が得られることは言うまでもない。また熱窒化温度も１
３００℃に限定されるものではなく、炭化珪素の結晶欠
陥側面を窒化させることのできる温度であればよい。ま
た窒化膜形成後に熱燐酸溶液等によるエッチングにより
窒化膜を除去してもよい。更に、窒化膜除去後に再度窒
化膜を形成することで、結晶欠陥側壁をよりエッチング
でき、ＰＮ接合のリーク電流をなくすことができる。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、ＰＮ接合のリーク電流
がなく、かつ導電性物質が貫通型結晶欠陥内部に再分布
するのを防止することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用される単結晶炭化珪素半導体基板
の断面図である。

【図２】図１に示す単結晶炭化珪素半導体基板の製造工
程を説明するための断面図である。

【図３】図１に示す単結晶炭化珪素半導体基板の製造工
程を説明するための断面図である。

【図４】図１に示す単結晶炭化珪素半導体基板の製造工
程を説明するための断面図である。

【図５】図１に示す単結晶炭化珪素半導体基板の製造工
程を説明するための断面図である。

【符号の説明】

１…ｎ⁺ 型単結晶炭化珪素基板、２…ｎ^- 型エピタキシ
ャル炭化珪素層、３…ｐ型エピタキシャル炭化珪素層、
４…貫通型結晶欠陥、５…熱酸化膜もしくは熱窒化膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸倉 規仁 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を形
   成する半導体基板形成工程と、 この半導体基板形成工程において前記半導体基板内に発
   生した貫通型結晶欠陥を熱酸化して、該貫通型結晶欠陥
   の内壁に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、 を具備したことを特徴とする半導体基板の製造方法。
2. 【請求項２】 第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に
   形成された第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、
   前記高抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下
   面側を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板
   を形成する半導体基板形成工程と、 前記半導体基板の前記表面側に第二導電型の単結晶炭化
   珪素よりなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、 少なくともこの半導体層形成工程において前記半導体層
   内に発生した貫通型結晶欠陥を熱酸化して、該貫通型結
   晶欠陥の内壁に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程
   と、 を具備したことを特徴とする半導体基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工
   程をさらに具備したことを特徴とする請求項２記載の半
   導体基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工
   程と、この熱酸化膜除去工程の後に前記貫通型結晶欠陥
   の内壁に第二の熱酸化膜を形成する第二熱酸化膜形成工
   程とをさらに具備したことを特徴とする請求項２記載の
   半導体基板の製造方法。
5. 【請求項５】 単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を形
   成する半導体基板形成工程と、 この半導体基板形成工程において前記半導体基板内に発
   生した貫通型結晶欠陥を熱窒化して、該貫通型結晶欠陥
   の内壁に熱窒化膜を形成する熱窒化膜形成工程と、 を具備したことを特徴とする半導体基板の製造方法。
6. 【請求項６】 第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に
   形成された第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、
   前記高抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下
   面側を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板
   を形成する半導体基板形成工程と、 前記半導体基板の前記表面側に第二導電型の単結晶炭化
   珪素よりなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、 少なくとも前記半導体層形成工程において前記半導体層
   内に発生した貫通型結晶欠陥を熱窒化して、該貫通型結
   晶欠陥の内壁に熱窒化膜を形成する熱窒化膜形成工程
   と、 を具備したことを特徴とする半導体基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記熱窒化膜を除去する熱窒化膜除去工
   程をさらに具備したことを特徴とする請求項２記載の半
   導体基板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記熱窒化膜を除去する熱窒化膜除去工
   程と、この熱窒化膜除去工程の後に前記貫通型結晶欠陥
   の内壁に第二の熱窒化膜を形成する第二熱窒化膜形成工
   程とをさらに具備したことを特徴とする半導体基板の形
   成方法。
9. 【請求項９】 第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上に
   形成された第一導電型の高抵抗層の二層にて構成され、
   前記高抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層の下
   面側を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板
   と、 この半導体基板の前記表面側に形成され、第二導電型の
   単結晶炭化珪素よりなる半導体層と、 少なくともこの半導体層内に発生した貫通型結晶欠陥を
   熱酸化することによって該貫通型結晶欠陥の内壁に形成
   された熱酸化膜と、 を具備したことを特徴とする半導体層付き半導体基板。
10. 【請求項１０】 第一導電型の低抵抗層と該低抵抗層上
    に形成された第一導電型の高抵抗層の二層にて構成さ
    れ、前記高抵抗層の上面側を表面側とし、前記低抵抗層
    の下面側を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体
    基板と、 この半導体基板の前記表面側に形成され、第二導電型の
    単結晶炭化珪素よりなる半導体層と、 少なくともこの半導体層内に発生した貫通型結晶欠陥を
    熱窒化することによって該貫通型結晶欠陥の内壁に形成
    された熱窒化膜と、 を具備したことを特徴とする半導体層付き半導体基板。