JP2012012227A - 結晶欠陥の除去方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】エピタキシャル成長法により堆積させたSiC層の表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供する。
【解決手段】単結晶SiCからなる半導体基板1表面にエピタキシャル層2を積層させて形成したSiC基板の表面にレジスト膜12を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜12を露光する。結晶欠陥11のある部分は、レジスト膜12は露光されないため、開口が形成される。その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層2、半導体基板1を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。最後に、レジスト膜12を除去することで、半導体装置を形成することができるSiC基板が得られる。
【選択図】図1
【解決手段】単結晶SiCからなる半導体基板1表面にエピタキシャル層2を積層させて形成したSiC基板の表面にレジスト膜12を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜12を露光する。結晶欠陥11のある部分は、レジスト膜12は露光されないため、開口が形成される。その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層2、半導体基板1を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。最後に、レジスト膜12を除去することで、半導体装置を形成することができるSiC基板が得られる。
【選択図】図1
Description
本発明は、炭化珪素からなる半導体基板上にエピタキシャル成長法により炭化珪素層が形成された炭化珪素基板内部の結晶欠陥を除去する方法に関する。
近年、炭化珪素(以下、SiCという)は、高耐圧等の優れた物性を有していることから、半導体装置として広く用いられるようになってきている。SiCからなる半導体装置は、SiC基板上にエピタキシャル成長法により堆積させたSiC層に形成されるのが一般的である。
ところで、エピタキシャル成長法により堆積させたSiC層には、様々な大きさの結晶欠陥が存在することが知られている。この結晶欠陥は、半導体装置のリーク電流の原因となり、耐圧を低下させてしまうため、その結晶欠陥を除去する必要がある。結晶欠陥を除去するため次のような方法が提案されている。
図3は、特許文献1で開示されている結晶欠陥の除去方法の説明図である。まず、n+型単結晶SiCからなる半導体基板1の表面に、n-型エピタキシャル層2、p型エピタキシャル層3を順次積層し、SiC基板を形成する。図3(a)に示すように、n-型エピタキシャル層2、p型エピタキシャル層3内部には、エピタキシャル成長の際、結晶欠陥11が生じている。一般的に、結晶欠陥11の大きさは1〜100μm程度である。
次に、p型エピタキシャル層3の表面に、ネガ型のレジスト膜12を形成する。その後、半導体基板1の裏面側から矢印の方向に波長200〜400nmの紫外線を照射する。SiCは、紫外線を透過させるため、レジスト膜12のうち、結晶欠陥11の無い領域は、半導体基板1、n-型エピタキシャル層2およびp型エピタキシャル層3を透過した紫外線により露光される。しかし、結晶欠陥11が有る領域は、結晶欠陥11が紫外線を吸収してしまい、レジスト膜12は未露光の状態で残ることになる(図3b)。
その後、レジスト膜12を現像すると、紫外線が透過した部分は現像液に難溶化しているのに対して、結晶欠陥11によって紫外線が遮られた部分は、現像液に溶解するため、結晶欠陥11が存在する領域のレジスト膜12が選択的に除去され、図3(c)に示すような開口が形成される。
次に、図3(d)に示すように、レジスト膜12をマスクとして使用し、開口内に露出するp型エピタキシャル層3およびn-型エピタキシャル層2をエッチング除去し、結晶欠陥11を除去する。
最後に、レジスト膜12を除去した後、結晶欠陥11を除去したエッチング部に、絶縁物13を埋め込むことで、半導体装置の製造に使用できるSiC基板を形成している(図3e)。
以上説明したように、従来の結晶欠陥の除去方法では、結晶欠陥をエッチングにより除去する際、深い位置の結晶欠陥を除去するため、高アスペクト比のエッチング加工が必要であった。しかし、結晶欠陥の大きさは非常に小さく(通常は直径50μm程度)、このような微細な開口で、深いエッチングを行うことは非常に困難であるため、結晶欠陥に達する深さまでエッチングできない場合がある。また半導体基板に達するまで確実にエッチングするため、レジスト膜の下部の欠陥の無い領域までエッチング除去する必要があり、半導体装置を形成できる面積が小さくなるといった問題点があった。さらに、高アスペクト比の孔に絶縁物を埋め込む場合、ボイド等が発生するという問題点があった。
そこで、本発明は上記問題点を解消するため、表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本願請求項1に係る発明は、炭化珪素からなる半導体基板上にエピタキシャル層が形成された炭化珪素基板の結晶欠陥を除去する方法であって前記エピタキシャル層表面にレジスト膜を形成し、前記半導体基板の裏面側から、炭化珪素を透過し結晶欠陥を透過しない光を照射して前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記結晶欠陥のある位置が開口するように前記レジスト膜をパターニングする工程と、
前記レジスト膜をマスクとして使用し、前記結晶欠陥を含む前記エピタキシャル層に不純物イオンを注入し、高抵抗化する工程とを備えたことを特徴とする。
前記レジスト膜をマスクとして使用し、前記結晶欠陥を含む前記エピタキシャル層に不純物イオンを注入し、高抵抗化する工程とを備えたことを特徴とする。
本願請求項2に係る発明は、炭化珪素からなる半導体基板、あるいは前記半導体基板上にエピタキシャル層が形成された炭化珪素基板の結晶欠陥を除去する方法であって、前記半導体基板表面、あるいは前記エピタキシャル層表面にレジスト膜を形成し、前記半導体基板の裏面側から、炭化珪素を透過し結晶欠陥を透過しない光を照射して前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記結晶欠陥のある位置が開口するように前記レジスト膜をパターニングする工程と、前記レジスト膜をマスクとして使用し、前記結晶欠陥を含む前記半導体基板、あるいは前記エピタキシャル層及び前記半導体基板に不純物イオンを注入し、高抵抗化する工程とを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、結晶欠陥部分をイオン注入により高抵抗化することにより、結晶欠陥が存在する部分を選択的に、しかも確実に除去することができる。特に、エピタキシャル成長層内部にとどまらず、半導体基板内に存在する結晶欠陥についても同様に高抵抗化することができるという利点もある。
また、本発明によれば、エッチング工程がなく、高アスペクト比の孔に絶縁物を埋め込む必要がないので、ボイド等が発生するという問題もない。
本発明により結晶欠陥が除去されたSiC基板で半導体装置を形成すると、リーク電流や耐圧低下を抑えることができ、歩留まりの良い半導体装置の製造が可能となる。
以下、本発明について、実施例に従い、詳細に説明する。
まず、n+型単結晶SiCからなる半導体基板1表面に、キャリア密度が5×1015cm-3で厚さ10μmのn-型エピタキシャル層2を積層させ、SiC基板を形成する。図1(a)に示すように、n-型エピタキシャル層2、半導体基板1内部に、結晶欠陥11が生じている。
次に、n-型エピタキシャル層2表面に、ネガ型のレジスト膜12を形成する。その後、半導体基板1の裏面側から矢印の方向に波長200〜400nmの紫外線を照射する。SiCは、紫外線を透過させるため、レジスト膜12のうち、結晶欠陥11の無い領域は、半導体基板1およびn-型エピタキシャル層2を透過した紫外線により露光される。しかし、結晶欠陥11がある領域は、結晶欠陥11が紫外線を吸収してしまい、レジスト膜12は未露光の状態で残ることになる。
その後、レジスト膜12を現像することにより、結晶欠陥11が存在する領域のレジスト膜12が選択的に除去され、図1(c)に示すような開口が形成される。以上の工程は、図2で説明した従来例と同一である。
次に、図1(d)に示すように、レジスト膜12をマスクとして使用し、開口内に露出するn-型エピタキシャル層2表面から、通常のイオン注入法により、不純物イオンを注入する。ここで、注入するイオン種や、注入量および注入エネルギーを適宜調整することにより、半導体基板1に達する高抵抗のイオン注入層14を形成することができる。一例として、注入する注入種は、ボロン、バナジウムを使用することができる。なお、半導体基板1に結晶欠陥が無い場合、あるいは少ない場合には、イオン注入層14は、必ずしも半導体基板1に達する必要はない。
このようにイオン注入層14を形成することで、結晶欠陥11を高抵抗化しリーク電流等が生じる結晶欠陥11を除去することができる。
最後に、レジスト膜12を除去することで、半導体装置を形成することができるSiC基板を得られる。なお、必要に応じて、イオン注入後に熱処理を行う場合もある。
次に、半導体装置の一例としてショットキーバリアダイオード(SBD)を形成する場合について説明する。まず、図1で説明したSiC基板を用意する。1150℃、40分間のパイロジェニック酸化法により、n-型エピタキシャル層2表面に、厚さ0.2μmのスルー酸化膜15を形成する(図2(a)。この熱酸化工程は、先に説明したイオン注入後の熱処理とすることも可能である。
次に、高抵抗のガードリング層を形成のため、レジスト膜16をマスクとして使用し、n-型エピタキシャル層2中に、ボロンイオンを、注入エネルギー30keV、注入量1×1015cm-2の条件で注入し、イオン注入層17aを形成する(図2b)。
レジスト膜16を除去し、さらに、スルー酸化膜15を除去した後、注入されたイオン注入層17aの結晶回復のため、窒素雰囲気で1050℃、90分の熱処理を行い、ガードリング層17bを形成する(図2c)。
次に、表面保護のため、パイロジェニック酸化法により、n-型エピタキシャル層2表面に、厚さ1.0μmの表面保護酸化膜18を形成する。その後、半導体基板1の裏面側に、ニッケルを厚さ0.2μm蒸着し、アルゴン雰囲気1000℃、2分間の熱処理を行い、カソード電極19を形成する(図2d)。
n-型エピタキシャル層2表面に、アノード電極形成予定を開口するようにポジ型のレジスト膜20をパターニングし、開口内に露出する表面保護酸化膜18をエッチング除去し、n-型エピタキシャル層2表面の一部を露出させる(図2e)。
全面にチタンを蒸着し、リフトオフ法によりアノード電極21を形成する。必要に応じて、n-型エピタキシャル層2とアノード電極21であるチタンとの障壁高さを低減するため、アルゴン雰囲気で500℃、5分の熱処理を行っても良い。ここで、アノード電極21の面積は、図1で説明した結晶欠陥の面積より十分大きいため(ガードリング層17bの形状は、例えば、内径1000μmのドーナツ形状とした場合785400μm2であるのに対し、結晶欠陥の大きさは、2000μm2程度)、アノード電極21内に結晶欠陥を除去するために形成した高抵抗のイオン注入層14が形成されていたとしても問題とはならない。
その後、アノード電極21の上に厚さ4μm程度のワイヤー実装用のアルミニウム電極22を形成し、耐圧向上および信頼性向上のために、アルミニウム電極22を開口した6μm程度のポリイミド膜23を形成し、SBDを完成させることができる。
以上説明したように、本発明により結晶欠陥をイオン注入法により高抵抗化して除去したSiC基板を用いて、容易に半導体装置を形成することができる。なお、半導体装置は、SBDに限らないことはいうまでもない。
1:半導体基板、2:n-型エピタキシャル層、3:p型エピタキシャル層、11:結晶欠陥、12:レジスト膜、13:絶縁物、14:イオン注入層、15:スルー酸化膜、16:レジスト膜、17a:イオン注入層、17b:ガードリング層、18:基板表面保護酸化膜、19:カソード電極、20:レジスト膜、21:アノード電極、22:アルミニウム電極、23:ポリイミド膜
Claims (2)
- 炭化珪素からなる半導体基板上にエピタキシャル層が形成された炭化珪素基板の結晶欠陥を除去する方法であって、
前記エピタキシャル層表面にレジスト膜を形成し、前記半導体基板の裏面側から、炭化珪素を透過し結晶欠陥を透過しない光を照射して前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記結晶欠陥のある位置が開口するように前記レジスト膜をパターニングする工程と、
前記レジスト膜をマスクとして使用し、前記結晶欠陥を含む前記エピタキシャル層に不純物イオンを注入し、高抵抗化する工程とを備えたことを特徴とする結晶欠陥の除去方法。 - 炭化珪素からなる半導体基板、あるいは前記半導体基板上にエピタキシャル層が形成された炭化珪素基板の結晶欠陥を除去する方法であって、
前記半導体基板表面、あるいは前記エピタキシャル層表面にレジスト膜を形成し、前記半導体基板の裏面側から、炭化珪素を透過し結晶欠陥を透過しない光を照射して前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記結晶欠陥のある位置が開口するように前記レジスト膜をパターニングする工程と、
前記レジスト膜をマスクとして使用し、前記結晶欠陥を含む前記半導体基板、あるいは前記エピタキシャル層及び前記半導体基板に不純物イオンを注入し、高抵抗化する工程とを備えたことを特徴とする結晶欠陥の除去方法。
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