JPH08279399A - プラズマ反応器の可変ｄｃバイアス制御 - Google Patents

プラズマ反応器の可変ｄｃバイアス制御

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JPH08279399A
JPH08279399A JP7327225A JP32722595A JPH08279399A JP H08279399 A JPH08279399 A JP H08279399A JP 7327225 A JP7327225 A JP 7327225A JP 32722595 A JP32722595 A JP 32722595A JP H08279399 A JPH08279399 A JP H08279399A
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chamber
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Hongching Shan
シャン ホンチン
Evans Lee
リー エバンス
Robert Wu
ウー ロバート
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高いＤＣバイアスにより生じる問題を排除し
つつ比較的高いエッチレイトで動作するプラズマ基板処
理装置。 【解決手段】 チャンバ内のある領域へのプラズマの到
達をブロックするプラズマシールドを与えて、接地され
たアノード電極の有効面積を減少させて、ウエハ支持カ
ソードに関するＤＣバイアスを減少させるプラズマチャ
ンバ及びその使用方法。プラズマシールドは、プラズマ
が前記アパーチャーに浸透することを防止するように充
分小さく、且つ、自身の内部をガスが通行せしめるに充
分大きい、複数の得まいスリットを有する。チャンバ壁
の選択された部分を覆う誘電材料その他のチャンバライ
ナを設置することで、ＤＣバイアスは更に制御可能とな
る。また、ライナは、プラズマ重合により生じる堆積物
を除去するチャンバのクリーニングを容易にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は主に、エッチング等
のプロセスに用いられるプラズマ反応器に関し、特に、
このような反応器において直流（ＤＣ）を制御する技術
に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積半導体デバイスの製造に典型的に用
いられるドライエッチングプロセスでは、反応器チャン
バ内にはプロセスガスが導入され、高周波（ＲＦ）エネ
ルギーがチャンバ内部にプラズマ雲を発生してこれを維
持する。プラズマ雲中のイオンはワークピースに衝突す
るが、このワークピースは通常は、チャンバ内でプラズ
マの直近に、又は、プラズマからのイオンが引かれ込む
別々の処理チャンバ内で、配置される半導体ウエハであ
る。このイオンは、ワークピースをエッチングし、ある
いはエッチングを促進し、エッチングプロセスは、エッ
チング以前にワークピースに保護コーティングを塗布し
てパターニングすることにより、選択的になされる。
【０００３】一般には、プラズマ発生のアプローチに
は、３つの形態があり、それは、容量的、誘導的、マイ
クロウェーブである。従来からの容量的プラズマのアプ
ローチでは、１対の平行板電極の間にプラズマが形成さ
るが、この電極には、片方又は両方に、高周波（ＲＦ）
電力が印加される。この平行板アプローチの変形が、磁
気励起反応性イオンエッチング（ＭＥＲＩＥ）プラズマ
発生装置であり、この装置では、磁場がプラズマ内のイ
オンの形成を促進する。誘導的プラズマ発生器は、誘導
コイルを用い、これは、プラズマチャンバ内にＲＦ電力
を供給する、平坦なコイル、円筒状のコイル、又は他の
タイプのいずれかである。別個のＲＦ発生器がチャンバ
内の板電極の少なくとも一方にエネルギーを供給し、イ
オンエネルギーと方向を制御する。
【０００４】プラズマとＲＦ電力が印加される下側電極
との間に直流（ＤＣ）バイアスが直接発生することは、
プラズマ反応器ではよく知られたの現象である。このＤ
Ｃバイアスは、反応チャンバ内のイオンを、下側電極に
向けて加速するが、下側電極上には、半導体ウエハが処
理のために固定されている。プラズマから加速されたイ
オンのエネルギーは、ウエハのエッチングが生じる速度
を決定する最も重要な因子の１つである。無論、プラズ
マ密度も重要な因子である。下側電極上に発生するＤＣ
バイアスは、予期される通り、電極に印加されるＲＦ電
力によって変化し、このパラメータはしばしば、ＤＣバ
イアスの制御に用いられ、プラズマエネルギーとエッチ
レイトを制御する。従来の反応性イオンエッチングプロ
セスでは、チャンバ内にエネルギーを容量的に結合し
て、プラズマを発生させこれを維持するために、下側電
極も用いられている。このケースでは、ＲＦ電力は、プ
ラズマエネルギーを独立した制御を与えず、その理由
は、プラズマの密度にも影響を与えるからである。磁気
励起反応性イオンエッチング（ＭＥＲＩＥ）チャンバに
おける典型的なＤＣバイアスレベルは−３００Ｖ〜−７
００Ｖであり、操作圧力は５０〜３００ミリトール（ｍ
Ｔｏｒｒ）であり、電力は５００〜１０００ワットであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＤＣバイアスが高くな
れば、エネルギーの高くなったイオンを発生させてこれ
がエッチングされるウエハに不要の損傷を与え下層スパ
ッタリングを生じさせるという大きな問題がある。関連
したプロセス上の問題には、エッチングされた物質のバ
ックスパッタリング、エッチングの選択性が低くなるこ
と、並びに、信頼性の高い金属接触層を形成することが
困難さが含まれる。磁場を付加することで、ＤＣバイア
スが大きく減少するが、損傷を軽くし、選択性を高め、
プロセスのエッチレイトを高くするには充分ではない。
磁場が増加して高過ぎるようになり、約４０〜６０ガウ
ス以上（用いられるプロセスに依存するが）になれば、
デバイスのチャージアップが大きな問題を生じさせる。
デバイスのチャージアップは、磁場の影響下でプラズマ
中のイオンと電子が正反対の方向に漂流し、それに伴い
プラズマ及びウエハにおける電荷分布が不均一になり蓄
積された電荷の破壊が生じた結果として生じている。
【０００６】ＤＣバイアスを制御できなるなることは、
反応性イオンエッチングチャンバに印加されるＲＦ電力
における上限を決定し、その理由は、高いＤＣバイアス
により生じたダメージを制限する唯一の方法だからであ
る。ＲＦ電力を制限することは必然的にエッチレイトを
制限するため、チャンバは１つのプロセスのタイプのみ
に使用できることになる。例えば、低ＤＣバイアスを有
するように設計されたチャンバは、低ダメージプロセス
に使用することができるが、高い電力と高いエッチレイ
トを要するプロセスには別のデザインのチャンバが必要
である。
【０００７】高いＤＣバイアスにより生じる問題を排除
しつつ比較的高いエッチレイトで動作することが可能で
あるためには、明らかに、低いＤＣバイアスを選択して
動作することが可能なエッチング反応器を有することが
望ましい。本発明は、この目標を達成し、これに付加的
な利点を与えるものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、低いバイアス
レベル且つ高いエッチレイトでの操作に容易に適合する
プラズマ反応器に関する。簡単且つ一般的な表現におい
ては、本発明の装置は、導電性の壁と；チャンバ内に配
置された接地がなされた第１の電極と；反応器チャンバ
内で処理されるワークピースを支持するための、第１の
電極から距離をおいて配置される第２の電極と；反応器
チャンバへプロセスガスを供給するための少なくとも１
つの流入ポートと；第２の電極と大地との間に接続され
て反応器チャンバ内にプラズマを発生させこれを維持す
る高周波電力ソースと；プラズマが反応器チャンバの一
部に到達することを防止する、反応器チャンバ内に設置
されたプラズマシールドとを有している。プラズマがチ
ャンバ壁の全域に接触することが防止されるため、接地
第１の電極の有効面積は減少し、また、この有効面積の
減少の結果、第２の電極におけるＤＣバイアスを減少さ
せる。
【０００９】好ましくは、プラズマシールドは誘電材料
製であり、自身を貫通する複数の狭い開口を有して、プ
ロセスガスを流通せしめプラズマは流通させない。特
に、これらの開口は、プラズマのシース領域の厚さより
も小さな幅を有し、幅は約０．５ミリメートル未満であ
る。本発明の例示的な具体例では、プラズマシールドは
反応器チャンバの環状の領域にフィットするようにサイ
ズが与えられた、誘電材料の環状リングの形態をとり、
この環状の領域にプラズマが到達することを防止する。
プラズマシールドは、自身を貫通する複数の狭い開口を
有して、プロセスガスを流通せしめプラズマは流通させ
ない。
【００１０】本発明の別の重要な特徴に従って、プラズ
マ反応器は更に、反応器チャンバの内壁の少なくとも一
部の上方に設置されたチャンバライナを有して、第１の
電極の有効面積を更に減少させるので、第２の電極への
ＤＣバイアスが更に減少する。好ましくは、チャンバラ
イナも誘電材料製であり、反応器チャンバの内壁の選択
された一部の上方に延長して、ＤＣバイアスを望ましく
減少させる。
【００１１】本発明の関連した方法に従い、プラズマ反
応器は以下のステップを実施することにより操作され
る；プラズマエッチング反応器チャンバ内にプラズマシ
ールドを設置するステップであって、このプラズマシー
ルドは、自身を貫通する複数のスリットを有してプロセ
スガスを通過せしめ、反応器チャンバの選択された一部
へのプラズマの通過を防止する、プラズマシールドを設
置するステップと；チャンバへプロセスガスを供給する
ステップと；チャンバ内の下側電極と接地された上側電
極との間に高周波電力を供給してチャンバ内にプラズマ
を発生させてこれを維持するステップと；チャンバから
使用済みプロセスガスをポンプにより排出するステップ
と。プラズマシールドが存在することにより、接地上側
電極の有効表面積を減少させて、下側電極とプラズマと
の間のＤＣバイアスを減少させる。本発明の更なる特徴
において、チャンバライナがチャンバの内面の少なくと
も一部上に設置され、接地上側電極の有効表面積を減少
させて、下側電極とプラズマとの間のＤＣバイアスを更
に減少させる。本発明のまた別の特徴においては、チャ
ンバライナが除去され、定期的に交換されて、チャンバ
から堆積物をクリーニングすることを容易にする。
【００１２】本発明がプラズマ処理の領域で大きな進歩
を提供すれば、諸例からみて評価されるであろう。特
に、本発明は、プラズマエッチング反応器を動作させる
ための低いＤＣバイアスを望ましく選択する一方で、Ｒ
Ｆ電力を過去に必然的であったある範囲に制限する必要
性を排除する、便利な技術を提供することにより、ウエ
ハのダメージやその他の不利な効果を少なくしつつ、高
いエッチレイトと良好な選択性を得ることが可能とな
る。また、本発明を用いることにより、重合物の堆積を
減少させ、重合物の堆積物をチャンバからクリーニング
することを容易にする。本発明は、プラズマエッチング
反応器の環境について説明されているが、プラズマ励起
化学気相堆積法等の、他のプラズマプロセスに適用され
る。本発明のその他の特徴や利点は、添付した図面を参
照しつつ以下の詳細な説明により明らかになるであろ
う。
【００１３】
【発明の実施の形態】例示の目的の図面に示されている
ように、本発明は、半導体ウエハの製造に用いられるプ
ラズマ反応器に関する。従来からのプラズマ発生技術に
おいては、容量結合により、又は誘導結合により、又は
マイクロ波結合エネルギーにより、プラズマは発生し維
持される。最も一般的なアプローチは、平行平板電極を
介して高周波（ＲＦ）電力の容量的結合を用いている。
プラズマ密度の向上のため、磁場が用いられてもよい。
図１は、真空反応器チャンバ１０と、カソードとも称さ
れる下側電極１２と、アノードとも称される上側電極１
４とが描かれ、この上側電極１４は、典型的には矢印１
６に示されるように、電極内の開口を介してチャンバ内
にプロセスガスを導入させる機能を有している。ＲＦ発
生器１８により指示されるように、下側電極１２に電力
が印加され、ＲＦ発生器の１つの端子は下側電極に接続
され、他方の端子は接地されている。上側電極は典型的
には、２０で指示されるように接地されているチャンバ
１０の壁面に接続されている。本具体例の上側電極はチ
ャンバ壁と電気的に連続であるため、典型的なように、
電極も接地されている。
【００１４】プロセスガス矢印１６で指示されるように
導入され、適切なＲＦ電力が電極１２、１４に印加され
れば、イオン、電子あるいはその他の粒子のプラズマが
チャンバ１０内で発生して維持される。更に、周知の如
く、下側電極１２はプラズマに対して負の自己バイアス
が与えられるようになる。このＤＣバイアスレベルは、
半導体ウエハ２２内へプラズマ中のイオンを加速するた
めに用いられる。この半導体ウエハ２２は、適切なクラ
ンプ又は静電チャック（共に図示されない）により下側
電極１２の面に固定されている。ＤＣバイアスの値は、
ＲＦ電力の増加と共に上昇し、カソード面積に対するア
ノード面積の比の電力におよそ比例している。特に、こ
の面積比に対する比例は、
【００１５】
【数１】
【００１６】ここで、Ｖdc ＝カソード１２へのＤＣ
バイアス、 Ａa ＝アノード１４と壁面１０の接地面積の面積、 Ａc ＝カソード１２の面積、 ｎ ＝定数。
【００１７】この目的に対しては、アノードの面積は、
電極１４自身とチャンバ１０の接地面の全接地面積であ
る。従って、カソード１２へのＤＣバイアスは、比較的
高く、例えば約５００ボルト等である。従って、ウエハ
２２をエッチングするためのプラズマ及びイオンのエネ
ルギーは比較的高く、これが、ウエハのダメージ及び関
連した問題へと導いている。
【００１８】本発明に従えば、エッチング反応器チャン
バに２つの構造要素が付加されて、アノード１４の有効
面積及び接地壁面１０を減少させ、カソード１２のＤＣ
バイアスを減少させる。これらの要素の第１番目は、エ
ッチング反応器チャンバ１０の一部へのプラズマの形成
を遮断するプラズマスクリーン３０である。本発明に関
するエッチングエッチング反応器チャンバのほとんどの
タイプでは、チャンバ１０内でカソード１２は持ち上げ
られて、カソードを包囲してチャンバ底部に実質的な距
離をもって下方に延長するチャンバの環状領域３２によ
って、外側チャンバ壁と隔離され、ここでは、矢印３４
で指示されているように、プロセスガスは排気ポート３
６を介してチャンバから排気される。また、カソード１
２を包囲してチャンバ１０底部まで延長する絶縁材のス
リーブ３８が存在してもよい。プラズマスクリーン３０
は多数の小スリット４０を有し、これらは、スクリーン
の全厚さを貫通して延長し、プロセスガスがチャンバ１
０内の領域３２内に引かれ排気ポートを介して排出され
るための通路を与える。しかし、スリット４０は領域３
２全体からプラズマを排除するに充分小さくされる。こ
の機能を実現するため、スリット４０は、プラズマのシ
ース領域の厚さよりも狭くなっている必要が有り、これ
はしばしばダークスペースとして称される。スリットの
ために選択される固有の幅は、電力、チャンバ圧力、用
いるプロセスガス、及びその他の因子に依存する。例え
ば、１，０００ワットで圧力２５０ミリトール（ｍＴｏ
ｒｒ）でＡｒ、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 のプロセスガスを用い
て操作されるエッチングチャンバにおいては、スリット
は好ましくはおよそ２０ｍｉｌｓ（０．０２インチ又は
０．５ｍｍ）以下の幅を有している。
【００１９】図２に示されるように、プラズマスクリー
ン３０は、実質的に図示されるように、弧状のスリット
４０が自身に形成された環状の要素であってもよく、又
は、別の形態のスクリーンが用いられてもよい。スリッ
トの代りに、円形開口が用いられてもよい。また、明ら
かに、開口の数、サイズ及び間隔は、これらがスリット
であれ穴であれ、ガスが排気ポート３６を介してチャン
バ１０から排気される際のポンプ比に関する効果を有し
ている。スクリーン３０に非常に多数の開口４０が与え
られたならば、スクリーンの設置に先立って用いられた
ポンプは、チャンバ１０の適切な脱気を与えることが可
能であるべきである。
【００２０】ＤＣバイアスに影響するアノード１４の面
積は、プラズマが接触する面積である。従って、チャン
バの領域３２へのプラズマの到達を防止することによ
り、有効アノード面積が著しく減少し、ＤＣバイアスが
著しく減少する。
【００２１】ＤＣバイアスレベルの減少に用いられる別
の構造体は、誘電性、即ち絶縁材料のチャンバライナ４
４である。チャンバライナ４４は、接地されたチャンバ
表面の大きな部分をシールドするので、アノード１４及
び接地壁面１０の面積に対するカソード１２の面積の比
を実質的に減少させる。プラズマスクリーン３０とチャ
ンバライナ４４との結合的な効果は、ＤＣバイアスを５
０パーセントも減少させる。例えば、−５５０Ｖから−
３００Ｖへの減少が観測された。プラズマスクリーン３
０を用いずに、ライナ４４を単独で使用すれば、ここま
で有効ではないが、ＤＣバイアスを１０〜２０％減少さ
せることができる。
【００２２】プラズマスクリーン３０とチャンバライナ
４４を選択的に設置することは、同じチャンバデザイン
においてＤＣバイアスレベルの範囲を与える。例えば、
プラズマスクリーン３０を設置し、チャンバライナ４４
を設置しなかった場合は、ＤＣバイアスの減少はあるレ
ベルで与えられ、全体的又は部分的にチャンバライナ４
４を付加することにより、更に所定の量ＤＣバイアスを
減少させる。チャンバライナ４４に用いられる材料の選
択を変更することにより、更にＤＣバイアスを制御でき
る。誘電材料が好ましいが、チャンバライナは半導体材
料であってもよく、あるいは、陽極処理アルミニウム等
の導体であってもよい。この材料の選択により、有効ア
ノード面積がある程度決定し、即ち、ＤＣバイアスがあ
る程度決定する。無論、ＲＦ電力、チャンバ圧力、プロ
セスガスの選択、プラズマの励起のために印加される磁
場強度等のプロセス操作変数に依存して、固有のＤＣバ
イアスの減少が得られる。従って、基本デザインが同じ
チャンバが、様々なプロセス技術に適合して用いられ
る。
【００２３】低いＤＣバイアスを選択して与えてウエハ
に対して格子損傷を少なくし、また、低いＤＣバイアス
により由来するその他のウエハ処理上の利点に加え、本
発明を用いることにより、別の大きな利点が与えられ
る。既に述べたように、チャンバの構成の柔軟性が向上
することにより、基本的なチャンバのデザインに対して
ほんの少しハードウェア上の変更を加えるだけで、高い
ＤＣバイアスと低いＤＣバイアスの間のスイッチングが
可能となる。低いＤＣバイアスで動作される能力は、高
い電力、即ち高いエッチレイトを用いることを可能に
し、このことは、ウエハの処理のスループットが高くな
ることを意味している。
【００２４】プラズマスクリーン３０を用いることによ
り生じる別の利点は、有効チャンバ容量が減少すること
であり、このことにより、プラズマ粒子の能力が改善さ
れることとなる。チャンバ容量が非常に小さくなれば、
チャンバ内のプロセスガスの滞留時間が減少し、プラズ
マの重合は減少するだろう。プラズマの重合では、プラ
ズマエッチングの副生成物が生じることが予想され、こ
れは望ましくない。プラズマ内で生成されたポリマー
は、チャンバ壁上に堆積され、通常はウェット（ケミカ
ル）エッチングプロセスにより、しばしばクリーニング
されなけばならない。ウェットエッチングは、プラズマ
エッチングがメンテンスのために中断された時にオフラ
インで行われる必要があり、プラズマエッチング処理を
非効率的にする大きな原因であった。本発明は、２つの
方法で、この非効率の原因を減少させる。
【００２５】第１に、プラズマスクリーン３０は有効チ
ャンバ容量とプロセスガス滞留時間を減少させるため、
重合のレベルが減少し、チャンバ壁上に堆積されたポリ
マーは簡単に除去される。第２に、ここではチャンバ壁
画取り外し可能なライナ４４を有しているため、ライナ
を取り外して交換するだけで、メンテナンスの時間が短
くなる。代替のライナがエッチングチャンバ内でまだ機
能している間に、取り外されたライナをウェットクリー
ニングすればよい。従って、メンテナンスのためにチャ
ンバ真空ポンプが切られる時間は大きく減少し、エッチ
ング反応器はウェットエッチングのための中断からより
迅速に回復することができる。
【００２６】本発明がプラズマエッチングの領域で大き
な進歩を提供すれば、諸例からみて評価されるであろ
う。特に、本発明は、プラズマエッチング反応器内のＤ
Ｃバイアスのレベルを、本発明を用いないで得られるレ
ベルではない所定の低いレベルまで減少させるための、
簡便且つ効果の高い技術を提供する。従って、用いるＤ
Ｃバイアスが高すぎることから生じるウエハのダメージ
やその他の困難さなしに、高いエッチレイトを維持する
ことが可能となる。ＤＣバイアスが低くなる結果、酸化
物対ポリシリコンの選択性が同程度に得られるが重合度
がより低くなるように、低いＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ガス比を
用いることもできる。このことを言い換えれば、壁面上
へのポリマーの堆積を少なくすることであり、またこの
ことは、ウェットクリーニングのための製造の中断の間
のチャンバの使用可能時間を延長する。更に、本発明
は、ハードウェアをほんの少し変更するだけで、プラズ
マ反応器チャンバのＤＣバイアス特性を変更するえり抜
きの方法に用いることが可能である。本発明の更なる利
点は、チャンバライナを用いてＤＣバイアスを減少させ
ることにより、プラズマ重合の生成物を除去するチャン
バクリーニングを簡潔化し、最低限にし、スピードアッ
プする。また、本発明の特定の具体例が例示の目的のみ
に説明されてきたが、本発明の本質及び範囲を離れるこ
となく、様々な変形例が可能であることが理解されよ
う。例えば、ある構成では、大地及びＲＦ電力供給器へ
の電気的接続は、逆であってもよい。また本発明は、電
力がプラズマへ容量結合した従来からの反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）チャンバ、磁気励起反応性イオンエ
ッチング（ＭＥＲＩＥ）チャンバ、他の手段でプラズマ
の発生が励起されるＲＩＥチャンバ、並びに、電力が誘
導的に又はマイクロ波ウェーブガイドによりプラズマに
結合されるＲＩＥを含んだ様々なタイプの処理チャンバ
に用いられてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明で
は、低いバイアスレベル且つ高いエッチレイトでの操作
に容易に適合するプラズマ反応器が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマエッチング反応器の断面図であり、本
発明の原理を描いた図である。
【図２】図１のプラズマエッチング反応器に用いられる
プラズマスクリーンの平面図である。
【符号の説明】
１０…真空反応器チャンバ、１２…下側電極、１４…上
側電極、１６…矢印、１８…ＲＦ発生器、２２…ウエ
ハ、３０…プラズマスクリーン、３２…環状領域、３４
…矢印、３６…排気ポート、３８…スリーブ、４０…ス
リット、４４…チャンバライナ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エバンス リー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95035， ミルピタス， ファームクレス ト ストリート 2327 (72)発明者 ロバート ウー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94566， プレザントン， パセオ グラ ナダ 3112

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 選択可能な直流（ＤＣ）バイアス制御を
    備えたプラズマ反応器であって、 導電性の壁を有する接地された反応器チャンバと、 該チャンバ内に配置された、接地された第１の電極と、 該反応器チャンバ内で処理されるワークピースを支持す
    るための、該第１の電極とは離れて配置された、接地さ
    れた第２の電極と、 プロセスガスを該反応器チャンバへ供給する、少なくと
    も１つの流入ポートと、 該チャンバからガスを脱気するための、少なくとも１つ
    の流出ポートと、 該反応器チャンバ内でプラズマを発生し維持するため
    の、該第２の電極と大地との間に接続された高周波電力
    ソースと、 該反応器チャンバ内に設置されて該反応器チャンバの一
    部へのプラズマの到達を防止するプラズマシールドとを
    備え、プラズマが該チャンバ壁の全域に接触することが
    防止されて、該接地された第１の電極の有効面積が減少
    し、該減少した有効面積が該第２の電極のＤＣバイアス
    を減少させる結果を生じさせるプラズマ反応器。
  2. 【請求項２】 該プラズマシールドが、誘電材料製であ
    り、且つ、自身を貫通してプロセスガスを流さしめプラ
    ズマは通さないような複数の狭い開口を有する請求項１
    に記載のプラズマ反応器。
  3. 【請求項３】 該開口がプラズマのシース領域の厚さよ
    りも小さな幅を有する請求項２に記載のプラズマ反応
    器。
  4. 【請求項４】 該開口が約０．５ｍｍよりも小さな幅を
    有する請求項３に記載のプラズマ反応器。
  5. 【請求項５】 該プラズマシールドが、反応器チャンバ
    の環状領域にフィットするようなサイズが与えられてプ
    ラズマの該環状領域への到達を防止する、誘電材料製の
    環状リングを有し、該プラズマシールドは、自身を貫通
    してプロセスガスを流さしめプラズマは通さないような
    複数の狭いスリットを有する請求項１に記載のプラズマ
    反応器。
  6. 【請求項６】 該スリットがプラズマのシース領域の厚
    さよりも小さな幅を有する請求項５に記載のプラズマ反
    応器。
  7. 【請求項７】 該スリットが約０．５ｍｍよりも小さな
    幅を有する請求項６に記載のプラズマ反応器。
  8. 【請求項８】 該反応器チャンバの内壁の一部の上方に
    設置されたチャンバライナを更に備えて、該第１の電極
    の有効面積を減少させて該第２の電極のＤＣバイアスを
    減少させる請求項１に記載のプラズマ反応器。
  9. 【請求項９】 該チャンバライナが、誘電材料製であ
    り、且つ、反応器チャンバの内壁の選択された一部の上
    方に延長して、ＤＣバイアスの所望の減少をなさしめる
    請求項８に記載のプラズマ反応器。
  10. 【請求項１０】 直流（ＤＣ）バイアスを減少させる、
    プラズマ反応器の操作の方法であって、 プラズマ反応器チャンバ内にプラズマシールドを設置す
    るステップであって、該プラズマシールドは、自身を貫
    通する複数のスリットを有して、プロセスガスの通行を
    可能にし、該反応器チャンバの選択された一部へのプラ
    ズマの通行を防止する、該プラズマシールドを設置する
    ステップと、 該チャンバへプロセスガスを供給するステップと、 該チャンバ内の下側電極と接地された上側電極との間に
    高周波電力を供給して該チャンバ内にプラズマを発生さ
    せて維持するステップと、 該チャンバ内から使用済みのプロセスガスをポンプによ
    り排出するステップとを有し、該プラズマシールドの存
    在が、該接地された上側電極の有効表面積を減少させ
    て、該下側電極と該プラズマとの間のＤＣバイアスを減
    少させる方法。
  11. 【請求項１１】 該チャンバの内面の少なくとも一部上
    にチャンバライナを設置して、該接地された上側電極の
    有効表面積を更に減少させて、該下側電極と該プラズマ
    との間のＤＣバイアスを更に減少させるステップを更に
    有する請求項１０に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 該チャンバライナを定期的に取り外し
    交換して、該チャンバからの堆積物のクリーニングを容
    易にする請求項１１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 高周波電力供給器と共に用られるプラ
    ズマ基板処理装置であって、 第１の電極を有する基板支持体と、 前記支持体を包含し、前記基板支持体の周囲の脱気可能
    な基板処理環境を画する真空エンクロージャと、 前記エンクロージャの壁に具備されたプロセスガス流入
    口と、 前記エンクロージャの壁に具備されたガス脱気流出口
    と、 前記エンクロージャ内部で前記第１の電極から離れて配
    置された第２の電極であって、前記２つの電極の一方が
    高周波電力供給器に接続されるようになっており、他方
    の電極が大地に接続されるようになっており、前記エン
    クロージャ内のプロセスガスに基づくプラズマを、前記
    エンクロージャ内部に維持する、第２の電極と、 前記エンクロージャの壁の大きな部分の上方にあるプラ
    ズマシールドとを備え、プラズマに接触できる該チャン
    バ壁の有効面積が減少し、該基板支持体上に支持される
    基板に関する自己バイアスが減少するプラズマ基板処理
    装置。
  14. 【請求項１４】 前記ガス流入口と前記ガス脱気流出口
    との一方の上に存在する該プラズマシールドのあらゆる
    部分にアパーチャーが与えられ、前記アパーチャーは、
    プラズマが前記アパーチャーに浸透することを防止する
    ように充分小さく、且つ、自身の内部をガスが通行せし
    めるに充分大きい、請求項１３に記載のプラズマ基板処
    理装置。
  15. 【請求項１５】 前記プラズマシールドの第１の部分
    が、前記プロセスガス流入口と前記ガス脱気流出口との
    少なくとも一方が具備される前記エンクロージャの壁の
    第１の部分の上方にあり、前記シールドの第１の部分が
    アパーチャーを画し、前記アパーチャーは、前記アパー
    チャーへのプラズマの浸透を防止するように充分小さい
    が、自身を通ってガスを通過せしめる請求項１３に記載
    のプラズマ基板処理装置。
  16. 【請求項１６】 前記シールドの第１の部分が、前記第
    １の電極と前記壁の第１の部分との間の位置をとる請求
    項１５に記載のプラズマ基板処理装置。
  17. 【請求項１７】 前記アパーチャーが形成された前記シ
    ールドの第１の部分が前記第１の電極を包囲する請求項
    １５に記載のプラズマ基板処理装置。
  18. 【請求項１８】 前記アパーチャーが形成された前記シ
    ールドの第１の部分が、前記基板支持体を支持するエン
    クロージャに対して、隣接し且つ略対向する関係の位置
    をとる請求項１７に記載のプラズマ基板処理装置。
  19. 【請求項１９】 前記エンクロージャ壁の前記第１の領
    域が、前記基板支持対を支持する前記エンクロージャの
    壁を備える請求項１８に記載のプラズマ基板処理装置。
  20. 【請求項２０】 前記アパーチャーが形成された前記シ
    ールドの第１の部分が、前記エンクロージャ壁の第２の
    部分の外縁を包囲し、且つ前記外縁に係合する請求項１
    ８に記載のプラズマ基板処理装置。
  21. 【請求項２１】 前記プロセスガス流入口と前記ガス脱
    気流出口とを有しない前記エンクロージャ壁の第２の部
    分の上方に、前記シールドのソリッドな第２の部分が与
    えられる請求項１８に記載のプラズマ基板処理装置。
  22. 【請求項２２】 前記シールドが誘電材料製である請求
    項２１に記載のプラズマ基板処理装置。
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