KR100271773B1 - 건식식각장치용 배기일렉트로드 및 이를 포함하는 반도체장치제조용 건식식각장치의 공정챔버 - Google Patents

건식식각장치용 배기일렉트로드 및 이를 포함하는 반도체장치제조용 건식식각장치의 공정챔버 Download PDF

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Abstract

본 발명은 일렉트로드 주변에 다수의 배기구들을 하우징에 대칭적으로 형성시켜 웨이퍼 상에서의 플라즈마의 형성을 균일하게 하고, 또한 공정챔버가 차지하는 부피를 줄일 수 있도록 한 반도체장치의 제조에 사용되는 건식식각장치용 배기일렉트로드 및 이를 포함하는 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버에 관한 것으로서, 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 건식식각장치용 배기일렉트로드(11)는, 웨이퍼(5)가 얹혀지는 전극판(12)을 지지하는 하우징(13)의 측벽에 다수의 배기구(14)들을 대칭적으로 형성시키고, 상기 배기구(14)들을 관연결구(15)에 연결시켜 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 상기 배기일렉트로드(11)의 전극판(12)의 상부에 형성되는 플라즈마가 균일하게 되어 일정한 식각을 가능하게 하는 효과가 있으며, 또한 배기관(4)의 기능과 일렉트로드의 기능을 통합하여 하나의 배기일렉트로드(11)에 의하여 기능토록 하므로써 공정챔버가 차지하는 부피를 줄이므로써 청정실의 효율을 높이는 효과가 있다.

Description

건식식각장치용 배기일렉트로드 및 이를 포함하는 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버
본 발명은 건식식각장치용 배기일렉트로드 및 이를 포함하는 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버에 관한 것이다.
보다 상세하게는 본 발명은 일렉트로드 주변에 위치하는 하우징에 다수의 배기구들을 대칭적으로 형성시켜 웨이퍼 상에서의 플라즈마의 형성을 균일하게 하고, 또한 공정챔버가 차지하는 부피를 줄일 수 있도록 한 반도체장치의 제조에 사용되는 건식식각장치용 배기일렉트로드 및 이를 포함하는 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버에 관한 것이다.
반도체장치의 제조공정 중 포토리소그래피공정은 포토레지스트를 웨이퍼 상에 도포하고, 패턴을 형성하는 등의 레지스트공정에 후속하여 식각공정의 수행으로 완결된다.
식각공정에는 화학약품에 의한 웨트방식과 가스를 이용한 드라이방식이 있으며, 상기한 바의 레지스트 마스크를 사용한 리소그래피에서의 식각 이외에 웨이퍼 상에 레지스트가 존재하지 않는 전면식각도 있다.
식각공정은 화학반응이 주체이고, 그것에 스퍼터링 등의 물리적인 요소가 가해지고 있는 기술이다. 원래 표면처리의 일환으로서 실리콘 등의 식각에서 출발하여 플레이너 기술의 등장과 함께 산화실리콘막의 선택식각기술 및 전극 등으로 사용되는 알루미늄막의 식각기술 등으로 발전하여 왔다.
특히, 최근에는 침지식각, 유수식각 또는 스프레이식각 등으로 대표되는 습식식각이 폐액의 처리, 조제후의 식각액의 경시적 안정성, 종점의 확인, 등방성 식각의 곤란, 패턴식각에서의 기포에 의한 불균일한 식각 등의 문제점으로 인하여 건식식각이 크게 개발되고 있다.
건식식각은 주로 가스식각, 플라즈마식각, 스퍼터식각 및 이온빔식각 등으로 대별되어 개발되고, 또 상용화 되어 왔다.
이들 중, 범용화된 장치의 일종으로 플라즈마식각을 들 수 있으며, 이를 도 1 및 도 2에 개략적으로 도시하였다.
도 1 및 도 2에 개략적으로 도시한 바와 같이, 종래의 건식식각장치는 서로 대향되는 두개의 일렉트로드가 상부일렉트로드(1)와 하부일렉트로드(2)로 구별되어 형성되며, 상부일렉트로드(1)는 공정챔버의 덮개로서 기능하게 된다. 또한, 대개의 경우, 상부일렉트로드(1)가 하부일렉트로드(2)에 비하여 상대적으로 넓거나 같은 면적으로 가지며, 이들 상부일렉트로드(1)와 하부일렉트로드(2) 사이에 웨이퍼(5)가 위치된다. 상기 상부일렉트로드(1)와 하부일렉트로드(2) 사이에 고주파 전력이 공급되고, 또한 상기 웨이퍼(5) 상으로 공정을 위한 반응가스가 공급되어 식각이 수행되고, 반응 후의 반응가스 및 기타 반응생성물들이 진공펌프(도면의 단순화를 위하여 도시하지 않음)에 연결된 배기관(4)을 통하여 외부로 배기되도록 구성되며, 특히 상기 상부일렉트로드(1)와 배기관(4) 사이에는 고주파 전력의 영향을 최소화하기 위하여 절연체(3)가 개재되며, 대개의 경우 배기관(4) 자체도 절연체(3)물질로 형성된다.
또한, 상기 배기관(4)의 입구는 대개 반응 후의 부산물인 파우더들의 배출을 용이하게 하기 위하여 웨이퍼(5) 보다 낮은 위치에 형성된다.
상기 배기관(4)은 진공펌프(도시하지 않음)에 연결되어 상기 공정챔버 내부를 진공화하는 기능을 하며, 미반응의 공정가스 및 반응 후의 부산물들을 배출시키고, 공정조건을 일정하게 하는 역할을 한다.
그러나, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 배기관(4)이 웨이퍼(5)가 얹혀지는 하부일렉트로드(2)에 대하여 일측부에만 존재하기 때문에 배기관(4)의 위치 및 그 크기에 따라 웨이퍼(5)에 적용되는 플라즈마의 이온밀도가 불균일하게 형성되고, 그에 따라 하나의 웨이퍼(5)에 대하여도 식각이 불균일하게 진행되게 되는 문제점이 있었으며, 또한 배기관(4)이 별도로 형성되기 때문에 실제로 식각이 진행되는 공간 이외에 배기관(4)을 설치하여야 하기 때문에 전체 공정챔버의 부피가 증대되며, 이는 곧 공정챔버를 포함하는 건식식각설비의 대형화를 초래하여 청정실의 유효면적을 많이 차지하게 되어 청정실의 효율을 저하시키는 원인이 되고 있다. 특히, 이 문제는 반도체장치의 생산에 사용되는 웨이퍼(5)의 대구경화에 따라 더욱 심각한 문제가 되고 있다.
본 발명의 목적은 다수의 배기구들을 일렉트로드를 구성하는 하우징에 대칭적으로 일체로 형성시켜 웨이퍼 상에서의 플라즈마의 이온밀도를 균일하게 형성시키고, 또한 공정챔버가 차지하는 부피를 줄일 수 있도록 한 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버의 하나의 구체예를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 2는 종래의 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버의 다른 하나의 구체예를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 건식식각장치용 배기일렉트로드의 하나의 구체적인 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4는 도 3의 배기일렉트로드를 포함하는 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 5는 도 3의 배기일렉트로드의 다른 일 실시예를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 3의 배기일렉트로드의 또다른 일 실시예를 도시한 사시도이다.
도 7은 도 3의 배기일렉트로드의 또다른 일 실시예를 도시한 사시도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 상부일렉트로드 2 : 하부일렉트로드
3 : 절연체 4 : 배기관
5 : 웨이퍼 11 : 배기일렉트로드
12 : 전극판 13 : 하우징
14 : 배기구 15 : 관연결구
16 : 고주파인가로드
본 발명에 따른 건식식각장치용 배기일렉트로드는, 본 발명에 따른 건식식각장치용 배기일렉트로드는, 웨이퍼가 얹혀지는 전극판을 지지하는 하우징의 측벽에 다수의 배기구들을 대칭적으로 형성시키고, 상기 배기구들을 관연결구에 연결시켜 이루어진다.
또한, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버는 웨이퍼가 얹혀지는 전극판을 지지하는 하우징의 측벽에 다수의 배기구들을 대칭적으로 형성시키고, 상기 배기구가 형성된 하우징을 관연결구를 경유하여 배기관에 연결시킬 수 있도록 구성된 배기일렉트로드를 하부일렉트로드로 하여 반응챔버를 형성하는 상부일렉트로드에 대향되게 취부시키고, 상기 배기일렉트로드의 관연결구를 배기관에 연결시켜서 이루어진다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 건식식각장치용 배기일렉트로드는, 하우징(13)의 상단에 전극판(12)이 취부되고, 하우징(13)의 측벽에 배기관(4)과 연결되는 다수의 배기구(14)들이 대칭적으로 형성되어 이루어짐에 특징이 있다. 상기 전극판(12)을 지지하는 하우징(13)의 측벽에 다수의 배기구(14)들이 대칭적으로 형성되기 때문에 상기 전극판(12) 상에는 일정한 이온밀도를 갖는 플라즈마가 형성될 수 있게 되고, 그에 의하여 상기 전극판(12) 상에 얹혀지는 웨이퍼(5)가 균일하게 식각될 수 있게 된다. 이는 플라즈마의 형성이 주로 공급되는 공정가스의 밀도와 상기 공정가스의 이온화를 위하여 인가되는 고주파 전력의 분포에 의존하기 때문이다.
상기 전극판(12)은 종래의 하부일렉트로드(2)와 동일 또는 유사하게 웨이퍼(5)를 지지하며, 고주파 전력이 인가되어 상부일렉트로드(1)와의 사이에 공급되는 공정가스를 이온화시켜 플라즈마를 형성시키는 역할을 한다.
상기 전극판(12)은 고주파 전력이 인가되어야 하기 때문에 반드시 전기적으로 도체인 물질로 이루어져야 한다.
상기 전극판(12)을 지지하는 상기 하우징(13)은 상기 전극판(12)과는 달리 전기적으로 도체 또는 부도체가 될 수 있으며, 그 상부에 위치하는 전극판(12)을 중심으로 다수의 배기구(14)들을 대칭적으로 형성시킬 수 있도록 하는 기능을 한다.
상기 하우징(13)의 측벽에 형성되는 배기구(14)들은 2개 이상 다수개가 서로에 대하여 대칭적으로 형성될 수 있으며, 종래의 배기관(4)을 통하여 배기되어야 하는 공정가스나 미반응가스 및 반응 후 생성되는 부산물로서의 배기가스들을 외부로 배출시키는 기능을 한다.
상기 하우징(13)이 부도체로 형성되는 경우, 상기 하우징(13)의 상단에 형성되는 전극판(12)에 고주파 전력을 인가하기 위하여 별도의 고주파인가로드(16)가 상기 전극판(12)에 연결될 수 있다.
따라서, 상기한 바의 구성을 갖는 배기일렉트로드(11)는 웨이퍼(5)가 얹혀지는 전극판(12)을 중심으로 다수의 배기구(14)들이 대칭적으로 형성되어, 상기 전극판(12) 상으로 공급되는 공정가스의 흐름을 균일하게 할 수 있도록 한다.
또한, 상기 배기일렉트로드(11)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 전극판(12)이 취부되는 상단이 넓고, 배기관(4)과 연결되는 하단이 좁게 형성되는 역경사형으로 성형되는 것이 웨이퍼(5)의 반경에 따라 웨이퍼(5)가 얹혀지는 전극판(12)의 크기를 용이하게 조절하여 취부시킬 수 있어 바람직하다. 이때의 역경사형의 배기일렉트로드(11)의 경사각(α)은 1 내지 89°, 바람직하게는 10 내지 40°의 범위가 될 수 있다. 상기 경사각(α)이 10° 미만으로 형성되는 경우에는 경사가 너무 완만하여 전극판(12)이 취부되는 상단과 배기관(4)이 취부되는 하단 사이의 직경의 차이를 크게하지 못하는 문제점이 있을 수 있으며, 반대로 40°를 초과하는 경우에는 경사가 너무 급격하여 오히려 배기되는 기류가 공정챔버의 모서리 부분에서의 와류의 형성 및 배기구(14)의 공정챔버의 바닥면에의 근접 등으로 인하여 기류의 적절한 배기가 곤란하게 되며, 또한 배기관(4)과 연결되는 하단이 너무 좁아지게 되는 문제점이 있을 수 있다.
또한, 상기 배기일렉트로드(11)는, 도 6에 도시한 바와 같이, 전극판(12)이 취부되는 상단과 배기관(4)이 취부되는 하단이 동일한 직경을 갖는 수직형 배기일렉트로드(11)로 형성될 수 있으며, 또한, 도 7에 도시한 바와 같이, 전극판(12)이 취부되는 상단이 좁게, 배기관(4)과 연결되는 하단이 넓게 형성되는 경사형 배기일렉트로드(11)로도 형성될 수 있다. 상기 경사형 배기일렉트로드(11)의 경사각(β) 역시 1 내지 89°, 바람직하게는 10 내지 40°의 범위가 될 수 있다. 상기 경사각(α)이 10° 미만으로 형성되는 경우에는 경사가 너무 완만하여 전극판(12)이 취부되는 상단과 배기관(4)이 취부되는 하단 사이의 직경의 차이를 크게하지 못하는 문제점이 있을 수 있으며, 반대로 40°를 초과하는 경우에는 경사가 너무 급격하여 전극판(12)이 취부되는 상단이 너무 좁아지게 되는 문제점이 있을 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버는, 도 4에 개략적으로 도시한 바와 같이, 웨이퍼(5)가 얹혀지는 전극판(12)을 지지하는 하우징(13)의 측벽에 다수의 배기구(14)들을 대칭적으로 형성시키고, 상기 배기구(14)들이 형성된 하우징(13)을 관연결구(15)를 경유하여 배기관(4)에 연결시킬 수 있도록 구성된 배기일렉트로드(11)를 하부일렉트로드(2)로 하여 반응챔버를 형성하는 상부일렉트로드(1)에 대향되게 취부시키고, 상기 배기일렉트로드(11)의 관연결구(15)를 배기관(4)에 연결시켜서 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 공정챔버는 배기관(4)과 일렉트로드가 개별적으로 형성되는 종래의 공정챔버에 비하여, 일렉트로드의 기능을 하는 전극판(12)과 배기관(4)에 직결되는 배기구(14)가 하우징(13)에 일체로 형성된 배기일렉트로드(11)를 취부시키는 것에 의하여 전체적으로 웨이퍼(5)의 면적에 비례하는 전극판(12)에 해당하는 면적만으로 일렉트로드로서의 기능과 배기관(4)으로서의 기능을 겸하도록 하여 전체 공정챔버가 청정실내에서 차지하는 면적을 최소화할 수 있도록 한다. 따라서, 웨이퍼(5)를 중심으로 하우징(13)에 대칭적으로 형성된 배기구(14)들이 웨이퍼(5)의 하방에 균일하게 위치할 수 있으며, 그에 따라 웨이퍼(5)에 적용되는 플라즈마의 이온밀도가 균일하게 분포될 수 있으며, 웨이퍼(5)의 전면에 대하여 균일한 공정조건이 적용될 수 있게 된다. 또한, 배기구(14)들이 공정이 적용되는 웨이퍼(5)의 하방에 위치하게 되기 때문에 공정중에 발생하는 부산물로서의 파티클들이 쉽게 공정챔버로부터 외부로 와류현상없이 배출될 수 있게 된다.
상기 배기일렉트로드(11)의 전극판(12)은 상기 상부일렉트로드(1)와 대향되게 위치되며, 그에 따라 이들 전극판(12)과 상부일렉트로드(1) 사이에 고주파 전압을 인가하였을 때, 이들 사이로 도입된 공정가스가 플라즈마화 하도록 하고, 이에 의하여 상기 전극판(12) 상에 놓여지는 웨이퍼(5)가 플라즈마의 적용을 받아 건식식각 등 소정의 공정에 적용되도록 한다.
상기 전극판(12)은 그 위에 얹혀질 웨이퍼(5)의 크기와 동일 또는 약간 더 크게 형성될 수 있으나, 가능한 한 웨이퍼(5)와 유사한 크기가 될 수 있다. 이는 상기 전극판(12)이 상부일렉트로드(1)에 비하여 가능한 한 작은 면적을 갖는 것이 균일한 공정을 위하여 유리하기 때문이다. 상기 전극판(12)은 하우징(13)이 전기적으로 부도체인 절연물로 형성되는 경우에 고주파 전력의 인가를 위하여 전기적으로 양도체로 된 고주파인가로드(16)에 의하여 고주파 전력을 공급하는 전원과 연결될 수 있다.
상기 배기구(14)들은 상기 하우징(13)에 적어도 2개 이상 형성되는 것이 바람직하다. 상기 배기구(14)가 하나만 형성되는 경우, 배기되는 기체의 흐름이 불균일하게 형성되어 웨이퍼(5) 상에서 공정이 불균일하게 진행되는 문제점이 있을 수 있다. 특히, 상기 배기구(14)들은 그 하단이 그에 연결되는 상기 배기관(4)의 상단에 까지 연장되도록 하므로써 배기구(14)의 하단이 공정챔버의 저면보다 낮게 형성되도록 이루어질 수 있다. 이는 특히 공정부산물로서의 고체화된 파티클을 공정챔버 외부로 용이하게 배출할 수 있도록 한다.
상기 하우징(13)은 바람직하게는 전기적으로 부도체인 절연물로 성형될 수 있으며, 이는 특히 상부일렉트로드(1)와 전극판(12)간의 고주파 전력의 인가시의 절연을 가능하게 하기 위함이다.
상기 상부일렉트로드(1) 및 배기관(4)은 종래의 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버에서의 상부일렉트로드(1) 및 배기관(4)과 동일 또는 유사한 것으로서, 그 기능 역시 동일 또는 유사한 것으로 이해될 수 있다.
상기 배기일렉트로드(11)와 공정챔버의 덮개를 구성하는 상부일렉트로드(1) 사이에는 전기적으로 부도체인 절연체(3)가 개재될 수 있으며, 이 절연체(3)에 의하여 상기 공정챔버의 내부는 외기에 대하여 밀봉되어 공정챔버 내부를 적절한 진공상태로 감압시킬 수 있도록 밀봉될 수 있다. 또한, 상기 배기관(4)에는 도면에 도시하지는 않았으나, 상기 공정챔버 내부를 감압시켜 진공시키기 위한 진공설비, 감압의 조절을 위한 감압밸브 및 압력조절기 등이 연결될 수 있으며, 이들 진공설비, 감압밸브 및 압력조절기 등은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상용적으로 공급되는 것들을 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지된 것이다.
따라서, 본 발명에 의하면 다수의 배기구(14)들이 웨이퍼(5)가 얹혀지는 전극판(12)을 중심으로 대칭적으로 형성되어 상기 전극판(12) 상으로 공급되는 공정가스의 흐름을 균일하게 하고, 그에 의하여 형성되는 플라즈마의 이온밀도를 균일하게 하는 것에 의하여 웨이퍼(5)의 식각을 고르게 하여 반도체장치의 수율 및 신뢰성을 높일 수 있도록 하는 효과를 제공하며, 또한 배기관(4)의 기능과 일렉트로드의 기능을 통합하여 하나의 배기일렉트로드(11)에 의하여 기능토록 하므로써 공정챔버가 차지하는 부피를 줄이므로써 청정실의 효율을 높이고, 대구경 웨이퍼(5)에도 효과적으로 적용시킬 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (20)

  1. 웨이퍼가 얹혀지는 전극판을 지지하는 하우징의 측벽에 다수의 배기구들을 대칭적으로 형성시키고, 상기 배기구들을 관연결구에 연결시켜 이루어짐을 특징으로 하는 건식식각장치용 배기일렉트로드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극판을 지지하는 상기 하우징이 전기적으로 도체 또는 부도체로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 건식식각장치용 배기일렉트로드.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 하우징이 부도체로 형성되는 경우, 상기 하우징의 상단에 위치하는 전극판에 고주파인가로드가 연결됨을 특징으로 하는 상기 건식식각장치용 배기일렉트로드.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기일렉트로드가 전극판이 취부되는 상단이 넓고, 배기관과 연결되는 하단이 좁게 형성되는 역경사형으로 성형되어 이루어짐을 특징으로 하는 상기 건식식각장치용 배기일렉트로드.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 배기일렉트로드의 경사각(α)이 1 내지 89°의 범위이내임을 특징으로 하는 상기 건식식각장치용 배기일렉트로드.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 배기일렉트로드의 경사각(α)이 10 내지 40°의 범위이내임을 특징으로 하는 상기 건식식각장치용 배기일렉트로드.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기일렉트로드가 전극판이 취부되는 상단과 배기관이 취부되는 하단이 동일한 직경을 갖는 수직형 배기일렉트로드로 성형되어 이루어짐을 특징으로 하는 상기 건식식각장치용 배기일렉트로드.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기일렉트로드가 전극판이 취부되는 상단이 좁게, 배기관과 연결되는 하단이 넓게 형성되는 경사형 배기일렉트로드로 성형되어 이루어짐을 특징으로 하는 상기 건식식각장치용 배기일렉트로드.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 경사형 배기일렉트로드의 경사각(β)이 1 내지 89°의 범위이내임을 특징으로 하는 상기 건식식각장치용 배기일렉트로드.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 경사형 배기일렉트로드의 경사각(β)이 10 내지 40°의 범위이내임을 특징으로 하는 상기 건식식각장치용 배기일렉트로드.
  11. 웨이퍼가 얹혀지는 전극판을 지지하는 하우징의 측벽에 다수의 배기구들을 대칭적으로 형성시키고, 상기 배기구가 형성된 하우징을 관연결구를 경유하여 배기관에 연결시킬 수 있도록 구성된 배기일렉트로드를 하부일렉트로드로 하여 반응챔버를 형성하는 상부일렉트로드에 대향되게 취부시키고, 상기 배기일렉트로드의 관연결구를 배기관에 연결시켜서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 전극판을 지지하는 상기 하우징이 전기적으로 도체 또는 부도체로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 하우징이 부도체로 형성되는 경우, 상기 하우징의 상단에 위치하는 전극판에 고주파인가로드가 연결됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 배기일렉트로드가 전극판이 취부되는 상단이 넓고, 배기관과 연결되는 하단이 좁게 형성되는 역경사형으로 성형되어 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 배기일렉트로드의 경사각(α)이 1 내지 89°의 범위이내임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 배기일렉트로드의 경사각(α)이 10 내지 40°의 범위이내임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 배기일렉트로드가 전극판이 취부되는 상단과 배기관이 취부되는 하단이 동일한 직경을 갖는 수직형 배기일렉트로드로 성형되어 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 배기일렉트로드가 전극판이 취부되는 상단이 좁게, 배기관과 연결되는 하단이 넓게 형성되는 경사형 배기일렉트로드로 성형되어 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 경사형 배기일렉트로드의 경사각(β)이 1 내지 89°의 범위이내임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 경사형 배기일렉트로드의 경사각(β)이 10 내지 40°의 범위이내임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버.
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