JP2000114238A - 乾式エッチング装置用排気エレクトロ―ド及び半導体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバ― - Google Patents

乾式エッチング装置用排気エレクトロ―ド及び半導体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバ―

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JP2000114238A
JP2000114238A JP11278740A JP27874099A JP2000114238A JP 2000114238 A JP2000114238 A JP 2000114238A JP 11278740 A JP11278740 A JP 11278740A JP 27874099 A JP27874099 A JP 27874099A JP 2000114238 A JP2000114238 A JP 2000114238A
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Tae-Hoon Kim
台勲 金
Heitetsu Kin
▲丙▼▲徹▼ 金
Tokan Ko
東煥 高
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハ上でのプラズマの形成を均一にし、
また工程チャンバーが占める体積を減らす乾式エッチン
グ装置用排気エレクトロード及び半導体装置製造用乾式
エッチング装置の工程チャンバーを提供する。 【解決手段】 本発明による乾式エッチング装置用排気
エレクトロード１１は、ウェーハ５が置かれる電極板１
２を支持する電極ハウジング１３の側壁に多数の排気口
１４を対称的に形成させて、排気口１４を管連結口１５
に連結させてなる。従って、排気エレクトロード１１の
電極板１２の上部に形成されるプラズマが均一になって
一定なエッチングを可能にする効果があるし、また排気
管４の機能とエレクトロードの機能を統合して一つの排
気エレクトロード１１によって機能するようにすること
で工程チャンバーが占める体積が減り清浄室の効率を向
上させる効果がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、乾式エッチング装
置用排気エレクトロード及び半導体装置製造用乾式エッ
チング装置の工程チャンバーに関するものである。
【０００２】より詳しくは本発明はエレクトロードの周
辺に位置する電極ハウジングに多数の排気口を対称的に
形成させてウェーハ上でのプラズマの形成を均一にし、
また工程チャンバーが占める体積を減らすことができる
ようにした半導体装置の製造に用いられる乾式エッチン
グ装置用排気エレクトロード及びこれを含む半導体装置
製造用乾式エッチング装置の工程チャンバーに関するも
のである。
【０００３】
【従来の技術】半導体装置の製造工程の中、フォトリソ
グラフィ工程はフォトレジストをウェーハ上に塗布し、
パターンを形成するなどのレジスト工程に後続してエッ
チング工程の遂行で完結する。エッチング工程には化学
薬品によるウェット方式と、ガスを利用したドライ方式
があるし、前記のようなレジストマスクを使用したリソ
グラフィでのエッチング以外にウェーハ上にレジストが
存在しない全面エッチングもある。
【０００４】エッチング工程は化学反応が主体で、それ
にスパッタリングなどの物理的な要素が加えられている
技術である。元々表面処理の一環としてシリコンなどの
エッチングから出発してプレーナ技術の登場として酸化
シリコン膜の選択エッチング技術及び電極などで使用さ
れるアルミニウム膜のエッチング技術などとして発展し
てきた。
【０００５】特に、最近には浸漬エッチング、流水エッ
チングまたはスプレーエッチングなどで代表される湿式
エッチングが廃液の処理、調製後のエッチング液の経時
的な安定性、終点の確認、等方性エッチングの困難、パ
ターンエッチングでの気泡による不均一なエッチングな
どの問題点によって乾式エッチングが多く開発されてい
る。
【０００６】乾式エッチングは、主にガスエッチング、
プラズマエッチング、スパッタエッチング及びイオンビ
ームエッチングなどで大別されるし、また常用化されて
きている。これらの中で、汎用化された装置の一種とし
てプラズマエッチングをあげ、これを図１及び図２に概
略的に図示した。
【０００７】図１及び図２に概略的に図示したように、
従来の乾式エッチング装置はお互い対向する二つのエレ
クトロードが上部エレクトロード１と下部エレクトロー
ド２で区別されて形成されるし、上部エレクトロード１
は工程チャンバーの蓋として機能するようになる。
【０００８】また、大概の場合、上部エレクトロード１
が下部エレクトロード２に比べ相対的に広いか同じ面積
を有し、これら上部エレクトロード１と下部エレクトロ
ード２の間にはウェーハ５が位置するようになる。上部
エレクトロード１と下部エレクトロード２の間に高周波
電力が供給される。また、ウェーハ５上に反応ガスが供
給されてエッチング工程が遂行される。反応後の反応ガ
ス及びその他の反応生成物が真空ポンプ（図面の単純化
のために図示しない)に連結された排気管４を通じて外
部に排気されるように構成される。特に上部エレクトロ
ード１と排気管４の間には高周波電力の影響を最小化す
るために絶縁体３が介在される。大概の場合排気管４自
体も絶縁体３からなっている。また、排気管４の入口は
反応後の副産物であるパウダーの排出を容易にするため
にウェーハ５より低い位置に形成するようになる。
【０００９】排気管４は真空ポンプに連結されて前記工
程チャンバーの内部を真空化する機能を有し、未反応の
工程ガス及び反応後の副産物を排出させ、工程条件を一
定にする役割をする。
【００１０】しかし、図１及び図２に図示されたよう
に、排気管４がウェーハ５が置かれる下部エレクトロー
ド２に対して一側部にのみ存在するので排気管４の位置
及びその大きさによってウェーハ５に適用されるプラズ
マのイオン密度が不均一に形成され、それによって一つ
のウェーハ５に対してもエッチングが不均一に進行され
る問題点があった。また、排気管４が別途に形成されて
実際にエッチングが進行される空間外に排気管４を設置
しなければならないので全体工程チャンバーの体積が増
大され、これは工程チャンバーを含む乾式エッチング設
備の大型化を招来し清浄室の有効面積を多く占めること
になり、清浄室の効率を低下させる原因となっている。
特に、この問題は半導体装置の生産に使用されるウェー
ハ５の大直径化によりさらに深刻な問題となっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多数
の排気口をエレクトロードを構成する電極ハウジングに
対称的に一体に形成させてウェーハ上でのプラズマイオ
ン密度を均一に形成させ、また、工程チャンバーが占め
る体積を減らすことができるようにした半導体装置製造
用乾式エッチング装置の工程チャンバーを提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
乾式エッチング装置用排気エレクトロードは、ウェーハ
が置かれる電極板を支持する電極ハウジングの側壁に複
数の排気口を対称的に形成させ、排気口を管連結口に連
結させてなる。本発明の請求項２記載の乾式エッチング
装置用排気エレクトロードによると、電極板を支持する
電極ハウジングが電気的に伝導体または不導体からな
る。
【００１３】本発明の請求項３記載の乾式エッチング装
置用排気エレクトロードによると、電極ハウジングが不
導体で形成される場合、電極ハウジングの上端に位置す
る電極板に高周波引加ロードが連結される。本発明の請
求項４記載の乾式エッチング装置用排気エレクトロード
によると、排気エレクトロードが、電極板が取り付けら
れる上端が広く、排気管と連結される下端が狭く形成さ
れる逆傾斜型で成形されてなる。
【００１４】本発明の請求項５記載の乾式エッチング装
置用排気エレクトロードによると、排気エレクトロード
の傾斜角（α）が１乃至８９°の範囲以内である。本発
明の請求項６記載の乾式エッチング装置用排気エレクト
ロードによると、排気エレクトロードの傾斜角（α）が
１０乃至４０°の範囲以内である。
【００１５】本発明の請求項７記載の乾式エッチング装
置用排気エレクトロードによると、排気エレクトロード
が電極板が取り付けられる上端と排気管が取り付けられ
る下端が同一な直径を持つ垂直型排気エレクトロードで
成形されてなる。本発明の請求項８記載の乾式エッチン
グ装置用排気エレクトロードによると、排気エレクトロ
ードが、電極板が取り付けられる上端が狭く、排気管と
連結管と連結される下端が広く形成される傾斜型排気エ
レクトロードで成形されてなる。
【００１６】本発明の請求項９記載の乾式エッチング装
置用排気エレクトロードによると、傾斜型排気エレクト
ロードの傾斜角（β）が１乃至８９°の範囲以内であ
る。本発明の請求項１０記載の乾式エッチング装置用排
気エレクトロードによると、傾斜型排気エレクトロード
の傾斜角（β）が１０乃至４０°の範囲以内である。
【００１７】本発明の請求項１１に記載の半導体装置製
造用乾式エッチング装置の工程チャンバーは、ウェーハ
が置かれる電極板を支持する電極ハウジングの側壁に複
数の排気口を対称的に形成させ、排気口が形成された電
極ハウジングを管連結口を経由して排気管に連結される
ことができるように構成された排気エレクトロードを下
部エレクトロードとして反応チャンバーを形成する上部
エレクトロードに対向するように取り付け、排気エレク
トロードの管連結口を排気管に連結させてなる。
【００１８】本発明の請求項１２に記載の半導体装置製
造用乾式エッチング装置の工程チャンバーによると、電
極板を支持する電極ハウジングが電気的に伝導体または
不導体からなる。本発明の請求項１３に記載の半導体装
置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバーによる
と、電極ハウジングが不導体から形成される場合、電極
ハウジングの上端に位置する電極板に高周波引加ロード
が連結される。
【００１９】本発明の請求項１４に記載の半導体装置製
造用乾式エッチング装置の工程チャンバーによると、排
気エレクトロードが電極板が取り付けられる上端が広
く、排気管と連結される下端が狭く形成される逆傾斜型
で成形されてなる。本発明の請求項１５に記載の半導体
装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバーによる
と、排気エレクトロードの傾斜角（α）が１乃至８９°
の範囲以内である。
【００２０】本発明の請求項１６に記載の半導体装置製
造用乾式エッチング装置の工程チャンバーによると、排
気エレクトロードの傾斜角（α）が１０乃至４０°の範
囲以内である。本発明の請求項１７に記載の半導体装置
製造用乾式エッチング装置の工程チャンバーによると、
排気エレクトロードが電極板が取り付けられる上端と排
気管が取り付けられる下端が同一な直径を有する垂直型
排気エレクトロードで成形されてなる。
【００２１】本発明の請求項１８に記載の半導体装置製
造用乾式エッチング装置の工程チャンバーによると、排
気エレクトロードが電極板が取り付けられる上端が狭
く、排気管と連結される下端が広く形成される傾斜型排
気エレクトロードに成形されてなる。本発明の請求項１
９に記載の半導体装置製造用乾式エッチング装置の工程
チャンバーによると、傾斜型排気エレクトロードの傾斜
角（β）が１乃至８９°の範囲以内である。
【００２２】本発明の請求項２０に記載の半導体装置製
造用乾式エッチング装置の工程チャンバーによると、傾
斜型排気エレクトロードの傾斜角（β）が１０乃至４０
°の範囲以内である。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例を
添付した図面を参照に詳しく説明する。図３に図示され
たように、本発明の一実施例による乾式エッチング装置
用排気エレクトロードは、電極ハウジング１３の上端に
電極板１２が取り付けられ、電極ハウジング１３の側壁
に工程チャンバーの内部の工程ガスを排出するための通
路である排気管４と連結される多数の排気口１４が対称
的に形成されてなることに特徴がある。電極板１２を支
持する電極ハウジング１３の側壁に多数の排気口１４が
対照的に形成されるので、電極板１２上には一定なイオ
ン密度を有するプラズマが形成され得るし、それによっ
て電極板１２上に置かれるウェーハ５が均一にエッチン
グされることができる。これはプラズマの形成が主に供
給される工程ガスの密度と工程ガスのイオン化のために
与えられる高周波電力の分布に依存するからである。
【００２４】電極板１２は従来の下部エレクトロード２
と同一または類似にウェーハ５を支持するし、高周波電
力が与えられて上部エレクトロード１との間に供給され
る工程ガスをイオン化させてプラズマを形成させる役割
をする。
【００２５】電極板１２は高周波電力が与えられなけれ
ばならないので必ず電気的に伝導体である物質からなる
べきである。電極板１２を支持する電極ハウジング１３
は、電極板１２とは異なって電気的に伝導体または不導
体になり得るし、その上部に位置する電極板１２を中心
に多数の排気口１４を対称的に形成されることができる
ようにする機能をする。
【００２６】電極ハウジング１３の側壁に形成される排
気口１４は２つ以上の多数個が互いに対して対称的に形
成されることができるし、従来の排気管４を通じて排気
されなければならない工程ガスや未反応ガス及び反応後
生成される副産物としての排気ガスを外部に排出させる
機能をする。電極ハウジング１３が不導体で形成する場
合、電極ハウジング１３の上端に形成される電極板１２
に高周波電力を与えるために別途の高周波であるガロー
ド１６が電極板１２に連結され得る。
【００２７】従って、前述の構成を有する排気エレクト
ロード１１は、ウェーハ５が置かれる電極板１２を中心
に多数の排気口１４が対称的に形成されて、電極板１２
上に供給される工程ガスの流れを均一にすることができ
るようにする。
【００２８】また、排気エレクトロード１１は、図５に
図示したように、電極板１２が取り付けられる上端が広
く、排気管４と連結される下端が狭く形成される逆傾斜
型で成形されることがウェーハ５の半径によってウェー
ハ５が置かれる電極板１２の大きさを容易に調節して取
り付けられることができて好ましい。この際の逆傾斜型
の排気エレクトロード１１の傾斜角（α）は１乃至８９
°、好ましくは１０乃至４０°の範囲になり得る。傾斜
角（α）が１０°未満で形成される場合には傾斜があま
りにも緩慢で電極板１２が取り付けられる上端と排気管
４が取り付けられる下端の間の直径の差を大きくできな
いという問題点があり得るし、反対に４０°を超える場
合には傾斜があまりにも急激でむしろ排気される気流が
工程チャンバーの角の部分での渦流形成及び排気口１４
の工程チャンバーの底面への近接などによって気流の適
切な排気が困難になり、また排気管４と連結される下端
が非常に狭くなる問題点があり得る。
【００２９】また、排気エレクトロード１１は、図６に
図示したように、電極板１２が取り付けられる上端と排
気管４が取り付けられる下端が同一な直径を有する垂直
型排気エレクトロード１１に形成され得る。
【００３０】また、図７に図示したように、電極板１２
が取り付けられる上端が狭く、排気管４と連結される下
端が広く形成される傾斜型排気エレクトロード１１にも
形成することができる。傾斜型排気エレクトロード１１
の傾斜角（β）もやはり１乃至８９°、好ましくは１０
乃至４０°の範囲になり得る。傾斜角（α）が１０°未
満で形成される場合には傾斜があまりにも緩慢で電極板
１２が取り付けられる上端と排気管４が取り付けられる
下端の間の直径の差を大きくすることができないという
問題点があり得るし、反対に４０°を超える場合には傾
斜が非常に急激で、電極板１２が取り付けられる上端が
非常に狭くなるという問題点があり得る。
【００３１】また、本発明による半導体装置製造用乾式
エッチング装置の工程チャンバーは、図４に概略的に図
示したように、ウェーハ５が置かれる電極板１２を支持
する電極ハウジング１３の側壁に多数の排気口１４を対
称的に形成させ、排気口１４が形成された電極ハウジン
グ１３を管連結口１５を経由して排気管４に連結させる
ことができるように構成された排気エレクトロード１１
を下部エレクトロード２として反応チャンバーを形成す
る上部エレクトロード１に対向するように取り付けら
れ、排気エレクトロード１１の管連結口１５を排気管４
に連結させてなることを特徴とする。
【００３２】従って、本発明による工程チャンバーは排
気管４とエレクトロードが個別的に形成される従来の工
程チャンバーに比べて、エレクトロードの機能をする電
極板１２と排気管４に直結する排気口１４が電極ハウジ
ング１３に一体に形成された排気エレクトロード１１を
取り付けられることによって全体的にウェーハ５の面積
に該当する電極板１２の面積のみでエレクトロードとし
ての機能と排気管４との機能を兼ねるようにして全体工
程チャンバーが清浄室内で占める面積を最小化すること
ができるようにするものである。従って、ウェーハ５を
中心に電極ハウジング１３に対称的に形成された排気口
１４がウェーハ５の下方に均一に位置することができ、
それによってウェーハ５に適用されるプラズマのイオン
密度が均一に分布されることができるし、ウェーハ５の
全面に対して均一な工程条件が適用され得る。また、排
気口１４が、工程が適用されるウェーハ５の下方に位置
するようになるので工程中に発生する副産物としてのパ
ーティクルが容易に工程チャンバーから外部に渦流の現
象なく排出されることができるようになる。
【００３３】排気エレクトロード１１の電極板１２は、
上部エレクトロード１と対向するように位置され、それ
によってこれら電極板１２と上部エレクトロード１の間
に高周波電力を与えた時、これらの間に導入された工程
ガスがプラズマ化するようにし、これによって電極板１
２上に置かれるウェーハ５がプラズマの適用を受けて乾
式エッチングなど所定の工程に適用するようにする。
【００３４】電極板１２は、その上に置かれるウェーハ
５の大きさと同一または若干大きく形成することができ
るが、できるだけウェーハ５と類似な大きさになり得
る。これは電極板１２が上部エレクトロード１に比べで
きるだけ小さな面積を有することが均一な工程のために
有利であるからである。電極板１２は、電極ハウジング
１３が電気的に不導体である絶縁物で形成される場合に
高周波電力を与えるために電気的に良導体からなる高周
波引加ロード１６によって高周波電力を供給する電源と
連結され得る。
【００３５】排気口１４は電極ハウジング１３に少なく
とも２つ以上形成されることが好ましい。排気口１４が
一つでも形成される場合、排気される気体の流れが不均
一に形成されてウェーハ５上で工程が不均一に進行され
る問題点になり得る。特に、排気口１４はその下端がそ
れに連結される排気管４の上端まで延長されるようにす
ることで排気口１４の下面が工程チャンバーの底面より
低く形成されるようになり得る。これは特に工程副産物
としての固体化されたパーティクルを工程チャンバーの
外部に容易に排出することができるようにする。
【００３６】電極ハウジング１３は好ましくは電気的に
不導体である絶縁物で成形されることができるし、これ
は特に上部エレクトロード１と電極板１２の間の高周波
電力を与える時の絶縁を可能にするためである。上部エ
レクトロード１及び排気管４は、従来の半導体装置製造
用乾式エッチング装置の工程チャンバーでの上部エレク
トロード１及び排気管４と同一または類似なもので、そ
の機能もやはり同一または類似なものと理解できる。
【００３７】排気エレクトロード１１は、工程チャンバ
ーの蓋を構成する上部エレクトロード１の間には電気的
に不導体である絶縁体３を介在することができるし、こ
の絶縁体３によって工程チャンバーの内部は外気に対し
て密封されて工程チャンバーの内部を適切な真空状態に
減圧することができるように密封することができる。ま
た、排気管４には図面に図示しなかったが、工程チャン
バーの内部を減圧させて真空にするための真空設備、減
圧の調節のための減圧バルブ及び圧力調節機などを連結
することができるし、これら真空設備、減圧バルブ及び
圧力調節機などは当該技術分野で通常の知識を有するも
のは常用的に供給されるものを購入して使用することが
できるくらいに公知されたものである。
【００３８】
【発明の効果】従って、本発明によると多数の排気口が
ウェーハが置かれる電極板を中心に対称的に形成され
て、電極板上に供給される工程ガスの流れを均一にし、
それによって形成されるプラズマのイオン密度を均一に
することによってウェーハのエッチングを均一にして半
導体装置の歩留まり及び信頼性を高めることができるよ
うにする効果を提供し、また排気管の機能とエレクトロ
ードの機能を統合して一つの排気エレクトロードによっ
て機能するようにすることで工程チャンバーが占める体
積が減り、清浄室の効率を向上させることができ、大直
径のウェーハ５にも効果的に適用することができる効果
がある。
【００３９】以上で、本発明は記載された具体例につい
てのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形および修正が可能であることは当業者にとって
明白なことであり、このような変形および修正が添付さ
れた特許請求範囲に属するのは当然である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置製造用乾式エッチング装置の
工程チャンバーに適用された排気エレクトロードの一つ
の具体例を概略的に図示した構成図である。
【図２】従来の半導体装置製造用乾式エッチング装置の
工程チャンバーに適用された排気エレクトロードの他の
具体例を概略的に図示した構成図である。
【図３】本発明による乾式エッチング装置用排気エレク
トロードの具体的な一実施例を概略的に図示した断面図
である。
【図４】図３の排気エレクトロードを含む半導体装置製
造用乾式エッチング装置の工程チャンバーを図示した模
式図である。
【図５】本発明による乾式エッチング装置用排気エレク
トロードの他の実施例を図示した斜視図である。
【図６】本発明による乾式エッチング装置用排気エレク
トロードのまた他の実施例を図示した斜視図である。
【図７】本発明による乾式エッチング装置用排気エレク
トロードのまた他の実施例を図示した斜視図である。
【符号の説明】
１ 上部エレクトロード ２ 下部エレクトロード ３ 絶縁体 ４ 排気管 ５ ウェーハ １１ 排気エレクトロード １２ 電極板 １３ 電極ハウジング １４ 排気口 １５ 管連結口 １６ 高周波引加ロード

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェーハが置かれる電極板を支持する電
    極ハウジングの側壁に複数の排気口を対称的に形成し、
    この排気口と管連結口とを連通させてなることを特徴と
    する乾式エッチング装置用排気エレクトロード。
  2. 【請求項２】 前記電極ハウジングが導電体または不導
    体からなることを特徴とする請求項１に記載の乾式エッ
    チング装置用排気エレクトロード。
  3. 【請求項３】 前記電極ハウジングが不導体からなる場
    合、前記電極ハウジングの上端に位置する電極板に高周
    波引加ロードが連結されることを特徴とする請求項２に
    記載の乾式エッチング装置用排気エレクトロード。
  4. 【請求項４】 前記電極ハウジングは、前記電極板が取
    り付けられる上端が広く、排気管と連結される下端が狭
    く形成され所定の傾斜角（α）で狭まる逆傾斜型で成形
    されてなることを特徴とする請求項１に記載の乾式エッ
    チング装置用排気エレクトロード。
  5. 【請求項５】 前記傾斜角（α）が１乃至８９°の範囲
    内であることを特徴とする請求項４に記載の乾式エッチ
    ング装置用排気エレクトロード。
  6. 【請求項６】 前記傾斜角（α）が１０乃至４０°の範
    囲内であることを特徴とする請求項５に記載の乾式エッ
    チング装置用排気エレクトロード。
  7. 【請求項７】 前記電極ハウジングは、前記電極板が取
    り付けられる上端と排気管が取り付けられる下端が同一
    な直径の垂直型排気で成形されてなることを特徴とする
    請求項１に記載の乾式エッチング装置用排気エレクトロ
    ード。
  8. 【請求項８】 前記電極ハウジングは、前記電極板が取
    り付けられる上端が狭く、排気管に連結される下端が広
    く形成され所定の傾斜角（β）で広がる傾斜型で成形さ
    れてなることを特徴とする請求項１に記載の乾式エッチ
    ング装置用排気エレクトロード。
  9. 【請求項９】 前記傾斜角（β）が１乃至８９°の範囲
    内であることを特徴とする請求項８に記載の乾式エッチ
    ング装置用排気エレクトロード。
  10. 【請求項１０】 前記傾斜角（β）が１０乃至４０°の
    範囲内であることを特徴とする請求項９に記載の乾式エ
    ッチング装置用排気エレクトロード。
  11. 【請求項１１】 ウェーハが置かれる電極板を支持する
    電極ハウジングの側壁に複数の排気口を対称的に形成さ
    せ、前記電極ハウジングが管連結口を経由して排気管に
    連結されるように構成された排気エレクトロードを下部
    エレクトロードとして反応チャンバーを形成する上部エ
    レクトロードに対向するように設け、前記管連結口を排
    気管に連結させてなることを特徴とする半導体装置製造
    用乾式エッチング装置の工程チャンバー。
  12. 【請求項１２】 前記電極ハウジングが導電体または不
    導体からなることを特徴とする請求項１１に記載の半導
    体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバー。
  13. 【請求項１３】 前記電極ハウジングが不導体から形成
    される場合、前記電極ハウジングの上端に位置する電極
    板に高周波引加ロードが連結されることを特徴とする請
    求項１２に記載の半導体装置製造用乾式エッチング装置
    の工程チャンバー。
  14. 【請求項１４】 前記電極ハウジングは、前記電極板が
    取り付けられる上端が広く、排気管と連結される下端が
    狭く形成され所定の傾斜角（α）で狭まる逆傾斜型で成
    形されてなることを特徴とする請求項１１に記載の半導
    体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバー。
  15. 【請求項１５】 前記傾斜角（α）が１乃至８９°の範
    囲以内であることを特徴とする請求項１４に記載の半導
    体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバー。
  16. 【請求項１６】 前記傾斜角（α）が１０乃至４０°の
    範囲以内であることを特徴とする請求項１５に記載の半
    導体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバー。
  17. 【請求項１７】 前記電極ハウジングは、前記電極板が
    取り付けられる上端と前記排気管が取り付けられる下端
    が同一な直径を有する垂直型で成形されてなることを特
    徴とする請求項１１に記載の半導体装置製造用乾式エッ
    チング装置の工程チャンバー。
  18. 【請求項１８】 前記電極ハウジングは、前記電極板が
    取り付けられる上端が狭く、排気管と連結される下端が
    広く形成され所定の傾斜角（β）で広がる傾斜型で成形
    されてなることを特徴とする請求項１１に記載の半導体
    装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバー。
  19. 【請求項１９】 前記傾斜角（β）が１乃至８９°の範
    囲内であることを特徴とする請求項１８に記載の半導体
    装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバー。
  20. 【請求項２０】 前記傾斜角（β）が１０乃至４０°の
    範囲内であることを特徴とする請求項１９に記載の半導
    体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバー。
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