JPH08124719A - 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体およびその製造方法Info
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- JPH08124719A JPH08124719A JP6264847A JP26484794A JPH08124719A JP H08124719 A JPH08124719 A JP H08124719A JP 6264847 A JP6264847 A JP 6264847A JP 26484794 A JP26484794 A JP 26484794A JP H08124719 A JPH08124719 A JP H08124719A
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- Y10T29/49082—Resistor making
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】避雷器用非直線抵抗体に関し、耐インパルス性
に優れた非直線抵抗体およびその製造方法を提供する。 【構成】ＺｎＯ素子１の焼結体側面に結晶化ガラスを直
接塗布した後、熱処理によりZnO素子１側面に結晶化ガ
ラス２を焼き付けて高インパルス耐量な非直線抵抗体を
得る。 【効果】電圧非直線抵抗体の側面高抵抗層として結晶化
ガラスを適用してインパルス耐量を向上したことにより
避雷器の高性能高信頼化が図れる。
に優れた非直線抵抗体およびその製造方法を提供する。 【構成】ＺｎＯ素子１の焼結体側面に結晶化ガラスを直
接塗布した後、熱処理によりZnO素子１側面に結晶化ガ
ラス２を焼き付けて高インパルス耐量な非直線抵抗体を
得る。 【効果】電圧非直線抵抗体の側面高抵抗層として結晶化
ガラスを適用してインパルス耐量を向上したことにより
避雷器の高性能高信頼化が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主として送変電システ
ムなどの電力分野に用いられるＺｎＯを主成分とする電
圧非直線抵抗体およびその製造方法に関するものであ
る。
ムなどの電力分野に用いられるＺｎＯを主成分とする電
圧非直線抵抗体およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＺｎＯを主成分とする電圧非直線抵抗体
（以後、ＺｎＯ素子と記す）は、その電流電圧特性が優
れた非直線性を示すことから、送変電システムにおける
避雷器用素子として幅広く利用されている。この電圧非
直線抵抗体は、主成分のＺｎＯに主添加成分としてＢｉ
酸化物を含み、副添加成分として少量のＳｂ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｂなどの酸化物が加えら
れており、これらが通常のセラミックス製造技術によっ
て合成される。ここでいうセラミックス製造技術とは、
原料粉末を混合，仮焼，造粒し、これを円板状，板状，
円筒状またはドーナツ状等の所定形状に成型したあと、
焼成，熱処理し、焼結体を得た後、電極を形成する行程
を表している。
（以後、ＺｎＯ素子と記す）は、その電流電圧特性が優
れた非直線性を示すことから、送変電システムにおける
避雷器用素子として幅広く利用されている。この電圧非
直線抵抗体は、主成分のＺｎＯに主添加成分としてＢｉ
酸化物を含み、副添加成分として少量のＳｂ，Ｍｎ，Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｂなどの酸化物が加えら
れており、これらが通常のセラミックス製造技術によっ
て合成される。ここでいうセラミックス製造技術とは、
原料粉末を混合，仮焼，造粒し、これを円板状，板状，
円筒状またはドーナツ状等の所定形状に成型したあと、
焼成，熱処理し、焼結体を得た後、電極を形成する行程
を表している。
【０００３】このようにして得られた電力用の電圧非直
線抵抗体には、高い非直線係数（α値），制限電圧（バ
リスタ電圧）の最適化，インパルス耐量の増加，課電寿
命特性の改善などいくつかの重要な特性が求められる。
このうちでも重要なのは、雷サージ，開閉サージ等によ
る衝撃高電圧が印加されたときに、ＺｎＯ素子の沿面を
電流が短絡して流れないことである（沿面せん絡の防
止）。
線抵抗体には、高い非直線係数（α値），制限電圧（バ
リスタ電圧）の最適化，インパルス耐量の増加，課電寿
命特性の改善などいくつかの重要な特性が求められる。
このうちでも重要なのは、雷サージ，開閉サージ等によ
る衝撃高電圧が印加されたときに、ＺｎＯ素子の沿面を
電流が短絡して流れないことである（沿面せん絡の防
止）。
【０００４】この要求に対しては、たとえばＺｎＯ素子
の側面に素子そのものよりも高抵抗を有する無機物の高
抵抗層を塗布，焼き付けて形成し、ＺｎＯ素子の沿面に
流れる電流を抑止する方法が提示されている。これらの
無機物高抵抗層として、代表的には例えば特公昭54−26
710号，特公昭58−27643号に開示されているように、ホ
ウケイ酸亜鉛系のガラス、またはアルミナケイ酸系のガ
ラスが知られている。
の側面に素子そのものよりも高抵抗を有する無機物の高
抵抗層を塗布，焼き付けて形成し、ＺｎＯ素子の沿面に
流れる電流を抑止する方法が提示されている。これらの
無機物高抵抗層として、代表的には例えば特公昭54−26
710号，特公昭58−27643号に開示されているように、ホ
ウケイ酸亜鉛系のガラス、またはアルミナケイ酸系のガ
ラスが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＺｎＯ素子の沿面せん
絡を防止することは、これを用いた避雷器装置の安定化
が確保され、このことは送変電システム自体の信頼性・
安全性につながる。このため、産業上きわめて重要な技
術と位置づけられる。
絡を防止することは、これを用いた避雷器装置の安定化
が確保され、このことは送変電システム自体の信頼性・
安全性につながる。このため、産業上きわめて重要な技
術と位置づけられる。
【０００６】前記の従来技術を使って得られた電圧非直
線抵抗体には、沿面せん絡の防止という観点からは次の
ような欠点がある。例えばホウケイ酸亜鉛系のガラスを
設けると、ＺｎＯ素子としての非直線係数が小さくな
る。またガラスの耐酸性が悪いために、避雷器のように
ＺｎＯ素子を窒素中に封入して使用すると、コロナ放電
により生成する硝酸ガスなどによってガラスが侵され
て、沿面耐量が低下する欠点が見られる。また、これら
の欠点を改善すべく提示されたアルミナケイ酸系のガラ
スを用いた場合であるが、開示されている化学組成、そ
の成分比では本発明者らの実験によると、ＺｎＯ素子と
ガラス自体との濡れ性が良くなく、製造工程中また避雷
器として使用中にマイクロクラックが素子とガラス層の
界面を中心に発生し、その結果ガラス層の剥離，沿面耐
量が低下するという問題があった。
線抵抗体には、沿面せん絡の防止という観点からは次の
ような欠点がある。例えばホウケイ酸亜鉛系のガラスを
設けると、ＺｎＯ素子としての非直線係数が小さくな
る。またガラスの耐酸性が悪いために、避雷器のように
ＺｎＯ素子を窒素中に封入して使用すると、コロナ放電
により生成する硝酸ガスなどによってガラスが侵され
て、沿面耐量が低下する欠点が見られる。また、これら
の欠点を改善すべく提示されたアルミナケイ酸系のガラ
スを用いた場合であるが、開示されている化学組成、そ
の成分比では本発明者らの実験によると、ＺｎＯ素子と
ガラス自体との濡れ性が良くなく、製造工程中また避雷
器として使用中にマイクロクラックが素子とガラス層の
界面を中心に発生し、その結果ガラス層の剥離，沿面耐
量が低下するという問題があった。
【０００７】ＺｎＯ素子の沿面せん絡を防ぎ、避雷器装
置の安定性・信頼性を確保するには、優れた側面高抵抗
層とこれを形成する製造プロセスが必要である。本発明
の目的は、避雷器などの放電耐量に関して、ＺｎＯ素子
の沿面せん絡を防止した電圧非直線抵抗体ならびにその
製造方法を提供することである。
置の安定性・信頼性を確保するには、優れた側面高抵抗
層とこれを形成する製造プロセスが必要である。本発明
の目的は、避雷器などの放電耐量に関して、ＺｎＯ素子
の沿面せん絡を防止した電圧非直線抵抗体ならびにその
製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】ＺｎＯ素子の沿面せん絡
を防ぐことを目的とする側面高抵抗層として要求される
重要な要素は、 （１）ＺｎＯ素子との密着性に優れていること。
を防ぐことを目的とする側面高抵抗層として要求される
重要な要素は、 （１）ＺｎＯ素子との密着性に優れていること。
【０００９】（２）材料内に不均一な抵抗分布などが少
ないこと。
ないこと。
【００１０】（３）側面高抵抗層を設ける際の熱処理工
程によって、ＺｎＯ素子の特性を損なわないこと。
程によって、ＺｎＯ素子の特性を損なわないこと。
【００１１】の３点が考えられる。
【００１２】本発明者らはこれらの観点から、熱膨張特
性，耐酸化性などを考慮して検討した結果、側面高抵抗
層として結晶化ガラスに的を絞った。さらにＺｎＯ素子
との密着性を検討した結果、ＺｎＯとアルカリ土類金属
をガラスに同時添加すると、ＺｎＯ素子との濡れ性が良
くなり、かつその界面には反応層が形成されることを見
出した。より詳細にガラスの成分を検討した結果、主成
分としてＺｎＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｂａ
Ｏ，ＣａＯから成る結晶化ガラスが側面高抵抗層として
適していることを明らかにした。このことを元にさらに
熱処理条件などの検討を進めた結果、本発明に至ったも
のである。
性，耐酸化性などを考慮して検討した結果、側面高抵抗
層として結晶化ガラスに的を絞った。さらにＺｎＯ素子
との密着性を検討した結果、ＺｎＯとアルカリ土類金属
をガラスに同時添加すると、ＺｎＯ素子との濡れ性が良
くなり、かつその界面には反応層が形成されることを見
出した。より詳細にガラスの成分を検討した結果、主成
分としてＺｎＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｂａ
Ｏ，ＣａＯから成る結晶化ガラスが側面高抵抗層として
適していることを明らかにした。このことを元にさらに
熱処理条件などの検討を進めた結果、本発明に至ったも
のである。
【００１３】本発明は、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｎＯ，
ＢａＯ，ＺｒＯ2，ＣａＯを必須成分とした結晶化ガラ
スを側面高抵抗層として有している電圧非直線抵抗体
（ＺｎＯ素子）である。
ＢａＯ，ＺｒＯ2，ＣａＯを必須成分とした結晶化ガラ
スを側面高抵抗層として有している電圧非直線抵抗体
（ＺｎＯ素子）である。
【００１４】各成分の組成範囲としては、酸化物に換算
して、ＺｎＯが１０〜２０重量％，Ａｌ2Ｏ3が１０〜３
０重量％，ＳｉＯ2 が２０〜４０重量％，ＢａＯが２０
〜３０重量％，ＺｒＯ2が１.５〜５重量％，ＣａＯが
０.５〜１.０重量％である。このガラスに含まれるＡｌ
2Ｏ3はフィラーであることが望ましい。
して、ＺｎＯが１０〜２０重量％，Ａｌ2Ｏ3が１０〜３
０重量％，ＳｉＯ2 が２０〜４０重量％，ＢａＯが２０
〜３０重量％，ＺｒＯ2が１.５〜５重量％，ＣａＯが
０.５〜１.０重量％である。このガラスに含まれるＡｌ
2Ｏ3はフィラーであることが望ましい。
【００１５】ＺｎＯ素子を得るために通常のセラミック
ス製造技術により焼結し、この焼結体を３００℃以下ま
で冷やし、この焼結体側面にガラス粉末をペースト状に
塗布する工程と、これを大気中８００〜９５０℃に昇温
して１時間以上保持して降温する工程とから成る製造方
法である。
ス製造技術により焼結し、この焼結体を３００℃以下ま
で冷やし、この焼結体側面にガラス粉末をペースト状に
塗布する工程と、これを大気中８００〜９５０℃に昇温
して１時間以上保持して降温する工程とから成る製造方
法である。
【００１６】
【作用】前述したようにＺｎＯ素子の側面高抵抗層とし
ては、ＺｎＯ素子自体の非直線性を損なうことなく、か
つ耐酸性にも優れた結晶化ガラスを基本とする。結晶化
ガラスの主成分はＺｎＯ，ＢａＯ，ＳｉＯ2，Ａｌ
2Ｏ3，ＺｒＯ2，ＣａＯであり、ガラス中のＺｎＯ及び
ＢａＯにより、ＺｎＯ素子とガラスとが良く濡れて密着
性が改善される。ＺｎＯのみの添加，ＢａＯ以外のアル
カリ土類金属酸化物を添加しても改善の効果は見られな
い。ＺｎＯとＢａＯを同時に添加することによりＺｎＯ
素子と反応層が形成されやすくなり、密着性改善の効果
を示す。また、ＣａＯは反応層形成に伴いＢａＯ，Ｓｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2よりＺｎＯ素子内に深く反応す
るため、高抵抗層となるガラス反応層とＺｎＯ素子間の
抵抗分布の段差を小さくする効果がある。
ては、ＺｎＯ素子自体の非直線性を損なうことなく、か
つ耐酸性にも優れた結晶化ガラスを基本とする。結晶化
ガラスの主成分はＺｎＯ，ＢａＯ，ＳｉＯ2，Ａｌ
2Ｏ3，ＺｒＯ2，ＣａＯであり、ガラス中のＺｎＯ及び
ＢａＯにより、ＺｎＯ素子とガラスとが良く濡れて密着
性が改善される。ＺｎＯのみの添加，ＢａＯ以外のアル
カリ土類金属酸化物を添加しても改善の効果は見られな
い。ＺｎＯとＢａＯを同時に添加することによりＺｎＯ
素子と反応層が形成されやすくなり、密着性改善の効果
を示す。また、ＣａＯは反応層形成に伴いＢａＯ，Ｓｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2よりＺｎＯ素子内に深く反応す
るため、高抵抗層となるガラス反応層とＺｎＯ素子間の
抵抗分布の段差を小さくする効果がある。
【００１７】この結果、界面のクラックやボイドに電界
が集中することがなく、ＺｎＯ素子内に不均一な抵抗分
布が少なくなるので沿面せん絡が低減される。
が集中することがなく、ＺｎＯ素子内に不均一な抵抗分
布が少なくなるので沿面せん絡が低減される。
【００１８】本発明の側面高抵抗層に用いるガラスは、
熱処理を施すことにより結晶化ガラとなる。ガラス組成
としては、ＺｎＯが１０〜２０重量％，Ａｌ2Ｏ3が１０
〜３０重量％，ＳｉＯ2が２０〜４０重量％，ＢａＯが
２０〜３０重量％，ＺｒＯ2が１.５〜５.０重量％，Ｃ
ａＯが０.５〜１.０重量％であることが望ましい。
熱処理を施すことにより結晶化ガラとなる。ガラス組成
としては、ＺｎＯが１０〜２０重量％，Ａｌ2Ｏ3が１０
〜３０重量％，ＳｉＯ2が２０〜４０重量％，ＢａＯが
２０〜３０重量％，ＺｒＯ2が１.５〜５.０重量％，Ｃ
ａＯが０.５〜１.０重量％であることが望ましい。
【００１９】ＳｉＯ2 が４０重量％より多い場合には、
ガラスの軟化点、または作業温度が高くなりすぎて、ガ
ラス焼き付け温度がＺｎＯ素子の焼結温度よりも高くな
ってしまい好ましくない。逆にＳｉＯ2 が２０重量％よ
り少なかったり、Ａｌ2Ｏ3が３０重量％よりも多い場合
には、ガラス層内にクラックが多数発生し高抵抗層とし
ての役割を果たせず好ましくない。またＡｌ2Ｏ3が１０
重量％より小さいとガラスの軟化温度が高くなるため好
ましくない。ＺｎＯが１０重量％より小さい場合には、
ＺｎＯ素子との熱膨張係数が合わず（ＺｎＯ素子；５０
〜７０×１０7／℃）、製造過程で剥離するという問題
がある。逆にＺｎＯが２０重量％よりも多いとガラスの
耐酸性，ガラス焼き付け温度が低下して好ましくない。
ＢａＯが２０重量％より少ないとＺｎＯ素子との濡れ性
改善に効果がなく、３０重量％を越えると熱処理工程中
で不均一な化学反応を生じ、ガラス反応層内に不均一な
抵抗分布ができて好ましくない。ＺｒＯ2に関しては、
１.５重量％より小さい場合または逆に５重量％を越え
た場合には、熱膨張係数がＺｎＯ素子と合わないため好
ましくない。ＣａＯが０.５重量％より少ない場合、ま
たは１.０重量％より多い場合は、ガラス層とＺｎＯ素
子間に不均一な抵抗分布ができて好ましくない。本発明
によるガラス組成には、不純物としてＳｒＯ，ＭｇＯ，
ＣｏＯ，Ｂ2Ｏ3，Ｆｅ2Ｏ3，ＣｕＯ，Ｙ2Ｏ3，Ｍｎ
Ｏ2，Ｎａ2Ｏ，Ｌｉ2Ｏ などが含まれていても良い。た
だし、これらの含有量が多すぎるとガラスの特性が変化
してしまうので、これらの総量は１重量％より小さいこ
とが望ましい。
ガラスの軟化点、または作業温度が高くなりすぎて、ガ
ラス焼き付け温度がＺｎＯ素子の焼結温度よりも高くな
ってしまい好ましくない。逆にＳｉＯ2 が２０重量％よ
り少なかったり、Ａｌ2Ｏ3が３０重量％よりも多い場合
には、ガラス層内にクラックが多数発生し高抵抗層とし
ての役割を果たせず好ましくない。またＡｌ2Ｏ3が１０
重量％より小さいとガラスの軟化温度が高くなるため好
ましくない。ＺｎＯが１０重量％より小さい場合には、
ＺｎＯ素子との熱膨張係数が合わず（ＺｎＯ素子；５０
〜７０×１０7／℃）、製造過程で剥離するという問題
がある。逆にＺｎＯが２０重量％よりも多いとガラスの
耐酸性，ガラス焼き付け温度が低下して好ましくない。
ＢａＯが２０重量％より少ないとＺｎＯ素子との濡れ性
改善に効果がなく、３０重量％を越えると熱処理工程中
で不均一な化学反応を生じ、ガラス反応層内に不均一な
抵抗分布ができて好ましくない。ＺｒＯ2に関しては、
１.５重量％より小さい場合または逆に５重量％を越え
た場合には、熱膨張係数がＺｎＯ素子と合わないため好
ましくない。ＣａＯが０.５重量％より少ない場合、ま
たは１.０重量％より多い場合は、ガラス層とＺｎＯ素
子間に不均一な抵抗分布ができて好ましくない。本発明
によるガラス組成には、不純物としてＳｒＯ，ＭｇＯ，
ＣｏＯ，Ｂ2Ｏ3，Ｆｅ2Ｏ3，ＣｕＯ，Ｙ2Ｏ3，Ｍｎ
Ｏ2，Ｎａ2Ｏ，Ｌｉ2Ｏ などが含まれていても良い。た
だし、これらの含有量が多すぎるとガラスの特性が変化
してしまうので、これらの総量は１重量％より小さいこ
とが望ましい。
【００２０】また添加するＡｌ2Ｏ3がフィラーである
と、通常の酸化物粉末を使うよりも軟化温度の低温化及
びガラスの強化ができ結晶性の良いガラスができるため
本発明の目的により合致している。
と、通常の酸化物粉末を使うよりも軟化温度の低温化及
びガラスの強化ができ結晶性の良いガラスができるため
本発明の目的により合致している。
【００２１】本発明による電圧非直線抵抗体は、通常の
セラミックス製造技術によって合成された円板状，円筒
状またはドーナツ状のＺｎＯ素子の側面に、上記ガラス
粉末を適当な有機物を加えてペースト状にしたものを、
スプレー法，ディップ法あるいは機械転写法によって塗
布し、乾燥後、大気中８００〜９５０℃の温度で１時間
以上保持し降温して得られる。最終的にはこの焼結体上
・下端面に溶射あるいは焼き付け法によってＡｌ電極を
形成する。熱処理温度を限定する理由は、下記による。
セラミックス製造技術によって合成された円板状，円筒
状またはドーナツ状のＺｎＯ素子の側面に、上記ガラス
粉末を適当な有機物を加えてペースト状にしたものを、
スプレー法，ディップ法あるいは機械転写法によって塗
布し、乾燥後、大気中８００〜９５０℃の温度で１時間
以上保持し降温して得られる。最終的にはこの焼結体上
・下端面に溶射あるいは焼き付け法によってＡｌ電極を
形成する。熱処理温度を限定する理由は、下記による。
【００２２】熱処理温度が８００℃以下では、ガラスが
溶解しない。また、９５０℃以上ではＺｎＯ素子に熱歪
みが残留しやすくなること、ガラス反応層の変質及び過
度の結晶化により反応層界面及びガラスにマイクロクラ
ックが発生して好ましくない。ガラスを焼き付ける温度
は１時間以上が好ましい。これより短いと反応が十分に
進まず密着性の観点から好ましくない。なおこの製造工
程において、既に本発明者らが開示している（特願平6
−16080号記載）ようなＺｎＯ素子自体の特性を向上さ
せるための熱処理条件（熱処理工程を２回以上行う）を
適用しても良く、本発明の効果を損なうものではない。
溶解しない。また、９５０℃以上ではＺｎＯ素子に熱歪
みが残留しやすくなること、ガラス反応層の変質及び過
度の結晶化により反応層界面及びガラスにマイクロクラ
ックが発生して好ましくない。ガラスを焼き付ける温度
は１時間以上が好ましい。これより短いと反応が十分に
進まず密着性の観点から好ましくない。なおこの製造工
程において、既に本発明者らが開示している（特願平6
−16080号記載）ようなＺｎＯ素子自体の特性を向上さ
せるための熱処理条件（熱処理工程を２回以上行う）を
適用しても良く、本発明の効果を損なうものではない。
【００２３】なお、ＺｎＯ素子と本発明のガラス層との
界面に高抵抗セラミック層（例えばＢｉ2Ｏ3，Ｓｉ
Ｏ2，Ｓｂ2Ｏ3 等の複合酸化物）を設けても良く、本発
明の効果を損なうものではない。
界面に高抵抗セラミック層（例えばＢｉ2Ｏ3，Ｓｉ
Ｏ2，Ｓｂ2Ｏ3 等の複合酸化物）を設けても良く、本発
明の効果を損なうものではない。
【００２４】
〈実施例１〉出発原料として純度９９.９％以上のＺｎ
Ｏ：９４.３９モル％，Ｂｉ2Ｏ3：１.０モル％，Ｓｂ2
Ｏ3：１.０モル％，ＭｎＣＯ3：０.５モル％，ＣＯ
2Ｏ3：１.０モル％，Ｃｒ2Ｏ3：１.０モル％，ＮｉＯ
１.０モル％，Ｂ2Ｏ3：０.１モル％，Ａｌ(ＮＯ3)3：
０.０１ モル％になるように各粉末を所定量だけ秤量
し、ＺｎＯを除いた他の添加物をパールミルで混合，乾
燥して空気中８５０℃，２ｈ保持で仮焼し、その後、仮
焼物を粉砕して複合酸化物を作製し、所定量の複合酸化
物とＺｎＯ粉末とに適当量のポリビニルアルコール水溶
液を加え、ボールミルで混合して造粒粉を作製した。
Ｏ：９４.３９モル％，Ｂｉ2Ｏ3：１.０モル％，Ｓｂ2
Ｏ3：１.０モル％，ＭｎＣＯ3：０.５モル％，ＣＯ
2Ｏ3：１.０モル％，Ｃｒ2Ｏ3：１.０モル％，ＮｉＯ
１.０モル％，Ｂ2Ｏ3：０.１モル％，Ａｌ(ＮＯ3)3：
０.０１ モル％になるように各粉末を所定量だけ秤量
し、ＺｎＯを除いた他の添加物をパールミルで混合，乾
燥して空気中８５０℃，２ｈ保持で仮焼し、その後、仮
焼物を粉砕して複合酸化物を作製し、所定量の複合酸化
物とＺｎＯ粉末とに適当量のポリビニルアルコール水溶
液を加え、ボールミルで混合して造粒粉を作製した。
【００２５】造粒粉を加圧成形後、空気中１１９０℃で
約４ｈ焼結した。このときの昇・降温速度は約７０℃／
ｈとした。焼結後のＺｎＯ素子の形状寸法はφ５０×２
５ｔである。
約４ｈ焼結した。このときの昇・降温速度は約７０℃／
ｈとした。焼結後のＺｎＯ素子の形状寸法はφ５０×２
５ｔである。
【００２６】別にガラス（軟化点：８５０℃，組成：Ｚ
ｎＯ＝１５重量％，ＢａＯ＝２７重量％，Ａｌ2Ｏ3フィ
ラー＝２５重量％，ＳｉＯ2＝２９.２重量％，ＺｒＯ2
＝３重量％，ＣａＯ＝０.８ 重量％）粉をエチルセルロ
ースのカルビトール溶液に懸濁してペースト状にし、こ
れを前述の焼結体側面に厚さが１００〜２００μｍにな
るようにしてスプレー法で塗布・乾燥した。これを８５
０℃に加熱して２時間保持した後、約７５℃／ｈの降温
速度で室温まで冷却した。こうして得られた焼結体上・
下端面にＡｌを溶射して電極を形成し、ＺｎＯ素子を作
製した。焼き付けしたガラスは結晶化していることを確
認した。作製したＺｎＯ素子の模式断面図を図１に示
す。
ｎＯ＝１５重量％，ＢａＯ＝２７重量％，Ａｌ2Ｏ3フィ
ラー＝２５重量％，ＳｉＯ2＝２９.２重量％，ＺｒＯ2
＝３重量％，ＣａＯ＝０.８ 重量％）粉をエチルセルロ
ースのカルビトール溶液に懸濁してペースト状にし、こ
れを前述の焼結体側面に厚さが１００〜２００μｍにな
るようにしてスプレー法で塗布・乾燥した。これを８５
０℃に加熱して２時間保持した後、約７５℃／ｈの降温
速度で室温まで冷却した。こうして得られた焼結体上・
下端面にＡｌを溶射して電極を形成し、ＺｎＯ素子を作
製した。焼き付けしたガラスは結晶化していることを確
認した。作製したＺｎＯ素子の模式断面図を図１に示
す。
【００２７】表１に作製したＺｎＯ素子の非直線係数
（α値）及びインパルス耐量試験結果を示す。
（α値）及びインパルス耐量試験結果を示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】非直線係数（α値）はＺｎＯ素子にＤＣ１
０μＡ(Ｉ1)及び１ｍＡ(Ｉ2)通電したときのＺｎＯ素子
端子間の電圧：Ｖ1およびＶ2を使って（１）式からもと
めた。
０μＡ(Ｉ1)及び１ｍＡ(Ｉ2)通電したときのＺｎＯ素子
端子間の電圧：Ｖ1およびＶ2を使って（１）式からもと
めた。
【００３０】
【数１】
【００３１】また、インパルス耐量は８×２０μｓのイ
ンパルス電流（電流値は４種類）を２回通電したときの
ＺｎＯ素子の破壊（沿面せん絡）の有無で検討した。同
表において○印は正常、×印は破壊を示す。
ンパルス電流（電流値は４種類）を２回通電したときの
ＺｎＯ素子の破壊（沿面せん絡）の有無で検討した。同
表において○印は正常、×印は破壊を示す。
【００３２】本発明のＺｎＯ素子は、非直線係数が側面
にホウケイ酸亜鉛系ガラス（表中従来品１）あるいはア
ルミナケイ酸系ガラス（従来品２）を焼き付けた従来素
子に比べて約２倍以上大きい。インパルス耐量は、従来
素子が４０ｋＡで破壊するのに対して本発明の素子は１
００ｋＡまで正常であった。
にホウケイ酸亜鉛系ガラス（表中従来品１）あるいはア
ルミナケイ酸系ガラス（従来品２）を焼き付けた従来素
子に比べて約２倍以上大きい。インパルス耐量は、従来
素子が４０ｋＡで破壊するのに対して本発明の素子は１
００ｋＡまで正常であった。
【００３３】〈実施例２〉実施例１と同様に出発原料と
して９９.９％以上のＺｎＯ＝９４.３９ル％，Ｂｉ2Ｏ3
＝１.０モル％，Ｓｂ2Ｏ3＝１.０モル％，ＭｎＣＯ3＝
０.５モル％，ＣＯ2Ｏ3＝１.０モル％，Ｃｒ2Ｏ3＝１.
０モル％，ＮiＯ＝１.０モル％，Ｂ2Ｏ3＝０.１モル
％，Ａｌ(ＮＯ3)3＝０.０１モル％になるように各粉末
を所定量だけ秤量しＺｎＯを除いた他の添加物をパール
ミルで混合，乾燥して空気中８５０℃・２ｈ仮焼し、そ
の後、仮焼物を粉砕して複合酸化物を作製し、所定量の
複合酸化物とＺｎＯをボールミルで混合して造粒粉を作
製した。造粒粉を加圧成形後、空気中１１９０℃で約４
ｈ焼結した。焼結後のＺｎＯ素子の形状寸法はφ５０×
２５ｔである。
して９９.９％以上のＺｎＯ＝９４.３９ル％，Ｂｉ2Ｏ3
＝１.０モル％，Ｓｂ2Ｏ3＝１.０モル％，ＭｎＣＯ3＝
０.５モル％，ＣＯ2Ｏ3＝１.０モル％，Ｃｒ2Ｏ3＝１.
０モル％，ＮiＯ＝１.０モル％，Ｂ2Ｏ3＝０.１モル
％，Ａｌ(ＮＯ3)3＝０.０１モル％になるように各粉末
を所定量だけ秤量しＺｎＯを除いた他の添加物をパール
ミルで混合，乾燥して空気中８５０℃・２ｈ仮焼し、そ
の後、仮焼物を粉砕して複合酸化物を作製し、所定量の
複合酸化物とＺｎＯをボールミルで混合して造粒粉を作
製した。造粒粉を加圧成形後、空気中１１９０℃で約４
ｈ焼結した。焼結後のＺｎＯ素子の形状寸法はφ５０×
２５ｔである。
【００３４】別に表２に示したガラス粉２９種（Ｚｎ
Ｏ：５，１０，１３，１４，１５，１７，２０及び２５
重量％，ＳｉＯ2 ＝１５，２０，２６.２，２７.７，２
８，２８.２，２９.２，３０，４０及び４４.２ 重量
％，ＢａＯ＝１５，２０，２３，２４.２，２４.５，２
５，２５.９，２６，２６.２，２６.５，２６.６，２
７，２９.２，３０及び３５重量％，ＺｒＯ2＝１.０，
１.５，３，４，５，５.５重量％，Ａｌ2Ｏ3フィラー＝
７，１０，１５，２２，２３，２５，２８及び３０重量
％，ＣａＯ＝０.４，０.５，０.８，１.０及び１.１ 重
量％からなる各金属酸化物の組合せ）をエチルセルロー
スのカルビトール溶液に懸濁してペースト状にし、これ
を焼結体素子の側面に厚さが１００〜２００μｍになる
ようにスプレー法で塗布・乾燥した。
Ｏ：５，１０，１３，１４，１５，１７，２０及び２５
重量％，ＳｉＯ2 ＝１５，２０，２６.２，２７.７，２
８，２８.２，２９.２，３０，４０及び４４.２ 重量
％，ＢａＯ＝１５，２０，２３，２４.２，２４.５，２
５，２５.９，２６，２６.２，２６.５，２６.６，２
７，２９.２，３０及び３５重量％，ＺｒＯ2＝１.０，
１.５，３，４，５，５.５重量％，Ａｌ2Ｏ3フィラー＝
７，１０，１５，２２，２３，２５，２８及び３０重量
％，ＣａＯ＝０.４，０.５，０.８，１.０及び１.１ 重
量％からなる各金属酸化物の組合せ）をエチルセルロー
スのカルビトール溶液に懸濁してペースト状にし、これ
を焼結体素子の側面に厚さが１００〜２００μｍになる
ようにスプレー法で塗布・乾燥した。
【００３５】
【表２】
【００３６】これを８５０℃に加熱して２時間保持した
後、約７０℃／ｈの降温速度で室温まで冷却した。こう
して得られた焼結体の上・下端面にＡｌを溶射して電極
を形成し、ＺｎＯ素子を作製した。
後、約７０℃／ｈの降温速度で室温まで冷却した。こう
して得られた焼結体の上・下端面にＡｌを溶射して電極
を形成し、ＺｎＯ素子を作製した。
【００３７】表２に各ガラス２９種の組成，熱膨張係
数，軟化温度，作業温度及びＺｎＯ素子側面に２９種の
ガラスを熱処理によって焼き付けたＺｎＯ素子の非直線
係数とインパルス耐量を示す。インパルス耐量は、１０
０ｋＡ（４×１０μｓ）のインパルス電流を２回通電し
たときのＺｎＯ素子の破壊（沿面せん絡）の有無で検討
した。同表において○印は正常、×印は破壊を示す。
数，軟化温度，作業温度及びＺｎＯ素子側面に２９種の
ガラスを熱処理によって焼き付けたＺｎＯ素子の非直線
係数とインパルス耐量を示す。インパルス耐量は、１０
０ｋＡ（４×１０μｓ）のインパルス電流を２回通電し
たときのＺｎＯ素子の破壊（沿面せん絡）の有無で検討
した。同表において○印は正常、×印は破壊を示す。
【００３８】２９種のガラスペーストを焼き付けた素子
の非直線係数は約２７〜３０の範囲内で大差なかった。
しかし、Ｎo.１，５，６，１１，１２，１６，１７，２
１，２２，２４，２５及び２９のガラスペーストを焼き
付けた素子は、１００ｋＡのインパルス耐量試験によっ
て破壊した。
の非直線係数は約２７〜３０の範囲内で大差なかった。
しかし、Ｎo.１，５，６，１１，１２，１６，１７，２
１，２２，２４，２５及び２９のガラスペーストを焼き
付けた素子は、１００ｋＡのインパルス耐量試験によっ
て破壊した。
【００３９】素子が破壊した主な理由として、Ｎo.６，
１１，２２のガラスでは、ガラスの熱膨張係数がＺｎＯ
素子の熱膨張係数(５０〜７０×１０7／℃）と合致しな
いためＺｎＯ素子とガラスの界面剥離及びガラスに割れ
等が生じたこと、Ｎo.２１のガラスでは軟化温度が高く
なりすぎてＺｎＯ素子にガラスが溶着しなかったこと、
また、Ｎo.１，５，７，２４のガラスではガラスに不均
一層が生じてクラックが発生したことが考えられる。
１１，２２のガラスでは、ガラスの熱膨張係数がＺｎＯ
素子の熱膨張係数(５０〜７０×１０7／℃）と合致しな
いためＺｎＯ素子とガラスの界面剥離及びガラスに割れ
等が生じたこと、Ｎo.２１のガラスでは軟化温度が高く
なりすぎてＺｎＯ素子にガラスが溶着しなかったこと、
また、Ｎo.１，５，７，２４のガラスではガラスに不均
一層が生じてクラックが発生したことが考えられる。
【００４０】一方、Ｎo.１２のガラスではＺｎＯ素子と
ガラスの濡れ性が悪く、ＺｎＯ素子とガラスの界面で剥
離が生じたこと、Ｎo.１６のガラスではＺｎＯ素子と不
均一な化学反応を生じて低抵抗な部分ができたこと、Ｎ
o.２５及びＮo.２９のガラスではガラス層とＺｎＯ素子
間の抵抗分布が不均一であったことなどが考えられる。
ガラスの濡れ性が悪く、ＺｎＯ素子とガラスの界面で剥
離が生じたこと、Ｎo.１６のガラスではＺｎＯ素子と不
均一な化学反応を生じて低抵抗な部分ができたこと、Ｎ
o.２５及びＮo.２９のガラスではガラス層とＺｎＯ素子
間の抵抗分布が不均一であったことなどが考えられる。
【００４１】以上のことから、ガラスの最適組成とし
て、ＺｎＯが１０〜２０重量％，ＳｉＯ2 が２０〜４０
重量％，ＢａＯが２０〜３０重量％，ＺｒＯ2 が１.５
〜５.０ 重量％，Ａｌ2Ｏ3が１０〜３０重量％，ＣａＯ
が０.５〜１.０重量％であることが望ましい。
て、ＺｎＯが１０〜２０重量％，ＳｉＯ2 が２０〜４０
重量％，ＢａＯが２０〜３０重量％，ＺｒＯ2 が１.５
〜５.０ 重量％，Ａｌ2Ｏ3が１０〜３０重量％，ＣａＯ
が０.５〜１.０重量％であることが望ましい。
【００４２】熱処理によってガラスを焼き付けたＺｎＯ
素子側面近傍の断面組織の走査電子顕微鏡での観察及び
図２にガラス反応層近傍の金属元素を同定した特性Ｘ線
強度（測定：Ｘ線マイクロアナライザー）の模式図から
わかるようにＺｎＯ素子６とガラス４が緻密なガラス反
応層５を介して良く密着しており、Ｂａ，Ｓｉ，Ｚｒ，
Ａｌと比較してＣａがガラス層４からガラス反応層５を
経てＺｎＯ素子６側により深く反応しておりガラス反応
層とＺｎＯ素子間の抵抗段差を小さくしているものと判
断される。このガラス反応層に伴う抵抗のバランスがイ
ンパルス耐量向上に大きく寄与する。
素子側面近傍の断面組織の走査電子顕微鏡での観察及び
図２にガラス反応層近傍の金属元素を同定した特性Ｘ線
強度（測定：Ｘ線マイクロアナライザー）の模式図から
わかるようにＺｎＯ素子６とガラス４が緻密なガラス反
応層５を介して良く密着しており、Ｂａ，Ｓｉ，Ｚｒ，
Ａｌと比較してＣａがガラス層４からガラス反応層５を
経てＺｎＯ素子６側により深く反応しておりガラス反応
層とＺｎＯ素子間の抵抗段差を小さくしているものと判
断される。このガラス反応層に伴う抵抗のバランスがイ
ンパルス耐量向上に大きく寄与する。
【００４３】〈実施例３〉実施例２で作製したＺｎＯ素
子側面に表２に示したＮo.３のガラスペーストを約１０
０〜２００μｍ塗布・乾燥した後、これを８５０℃に昇
温して２時間保持した後、約７０℃／ｈの降温速度で室
温まで冷却した。こうして得られたＺｎＯ素子を研磨・
洗浄，乾燥後、エッチング液（硝酸：水の比率が１：
９）に２分間浸し、浸漬前後の重量減からガラスの耐酸
性の目安とした。このとき比較のために従来から用いら
れているホウケイ酸亜鉛系ガラスを焼き付けた素子も同
様にエッチング液に２分間浸して耐酸性を調べた。
子側面に表２に示したＮo.３のガラスペーストを約１０
０〜２００μｍ塗布・乾燥した後、これを８５０℃に昇
温して２時間保持した後、約７０℃／ｈの降温速度で室
温まで冷却した。こうして得られたＺｎＯ素子を研磨・
洗浄，乾燥後、エッチング液（硝酸：水の比率が１：
９）に２分間浸し、浸漬前後の重量減からガラスの耐酸
性の目安とした。このとき比較のために従来から用いら
れているホウケイ酸亜鉛系ガラスを焼き付けた素子も同
様にエッチング液に２分間浸して耐酸性を調べた。
【００４４】表３に試験結果を示す。本発明品のガラス
は従来のガラスに比べてガラス溶出量（重量減少の程
度）が約１／５と小さく耐酸性に優れている。
は従来のガラスに比べてガラス溶出量（重量減少の程
度）が約１／５と小さく耐酸性に優れている。
【００４５】
【表３】
【００４６】〈実施例４〉実施例２で作製したＺｎＯ素
子側面にガラスペースト（表２、Ｎo.３ガラス）を約１
００μｍ〜２００μｍ塗布して乾燥し、熱処理工程の加
熱温度を７５０，８００，９００，９５０，１０００℃
に変えて、熱処理した後に電極を形成し、ＺｎＯ素子の
熱処理温度とガラスのＺｎＯ素子への密着性およびイン
パルス耐量との関係を調べた。インパルス条件は実施例
２の場合と同じである。同表において○印はインパルス
耐量が正常、×印は破壊を示す。
子側面にガラスペースト（表２、Ｎo.３ガラス）を約１
００μｍ〜２００μｍ塗布して乾燥し、熱処理工程の加
熱温度を７５０，８００，９００，９５０，１０００℃
に変えて、熱処理した後に電極を形成し、ＺｎＯ素子の
熱処理温度とガラスのＺｎＯ素子への密着性およびイン
パルス耐量との関係を調べた。インパルス条件は実施例
２の場合と同じである。同表において○印はインパルス
耐量が正常、×印は破壊を示す。
【００４７】結果を表４に示す。
【００４８】
【表４】
【００４９】熱処理工程での加熱温度が７５０及び１０
００℃の場合は密着性が悪く、ボイドやマイクロクラッ
クが界面に生じ、インパルス耐量は悪い。これに対し、
熱処理温度を８００〜９５０℃に選ぶと密着性が良くな
り、インパルス耐量の結果も良好である。したがって、
熱処理工程の加熱温度は８００〜９５０℃の間が望まし
い。
００℃の場合は密着性が悪く、ボイドやマイクロクラッ
クが界面に生じ、インパルス耐量は悪い。これに対し、
熱処理温度を８００〜９５０℃に選ぶと密着性が良くな
り、インパルス耐量の結果も良好である。したがって、
熱処理工程の加熱温度は８００〜９５０℃の間が望まし
い。
【００５０】〈実施例５〉実施例２で作製したＺｎＯ素
子側面にガラスペースト（表２、Ｎo.３ガラス）を約１
００μｍ〜２００μｍ塗布して乾燥し、８５０℃，２時
間で焼き付けた電圧非直線抵抗体を碍子管に納め図３に
示す碍子型避雷器を作製した。
子側面にガラスペースト（表２、Ｎo.３ガラス）を約１
００μｍ〜２００μｍ塗布して乾燥し、８５０℃，２時
間で焼き付けた電圧非直線抵抗体を碍子管に納め図３に
示す碍子型避雷器を作製した。
【００５１】これに実施例４と同じインパルス耐量試験
を行った。試験終了後、碍子内のＺｎＯ素子の貫通破壊
の有無を調べたところ、貫通破壊をしている素子は見当
らなかった。
を行った。試験終了後、碍子内のＺｎＯ素子の貫通破壊
の有無を調べたところ、貫通破壊をしている素子は見当
らなかった。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、従来技術よりインパル
ス耐量に優れた電圧非直線抵抗体が得られ、その結果こ
れを使った電力用送変電システムの信頼性，安定性が増
し、効果は大なるものがある。
ス耐量に優れた電圧非直線抵抗体が得られ、その結果こ
れを使った電力用送変電システムの信頼性，安定性が増
し、効果は大なるものがある。
【図１】本発明によるＺｎＯ素子の断面説明図。
【図２】本発明によるＺｎＯ素子のガラス反応層近傍の
金属元素を同定した特性Ｘ線強度の模式図。
金属元素を同定した特性Ｘ線強度の模式図。
【図３】本発明による電圧非直線抵抗体を用いた避雷器
の構造を示す図。
の構造を示す図。
１，６…ＺｎＯ素子、２，４…ガラス層、３…Ａｌ電
極、５…ガラス反応層、７…電圧非直線抵抗体、８…碍
子、９…シールド、１０…絶縁ベース。
極、５…ガラス反応層、７…電圧非直線抵抗体、８…碍
子、９…シールド、１０…絶縁ベース。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 元脇 成久 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 研 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 白川 晋吾 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 前田 邦裕 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】ＺｎＯを主成分とし添加成分としてＢｉ酸
化物を含む焼結体からなる電圧非直線抵抗体において、
該焼結体の側面がＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｎＯ，Ｚｒ
Ｏ2，ＢａＯ，ＣａＯを必須成分とする高融点結晶化ガ
ラスで被覆され、該焼結体の両端面には電極が形成され
ていることを特徴とする電圧非直線抵抗体。 - 【請求項２】請求項１記載の電圧非直線抵抗体におい
て、被覆形成されたガラスの各成分の組成範囲が酸化物
に換算して、ＺｎＯが１０〜２０重量％，ＳｉＯ2 が２
０〜４０重量％，Ａｌ2Ｏ3が１０〜３０重量％，ＢａＯ
が２０〜３０重量％，ＺrＯ2が１.５〜５ 重量％，Ｃａ
Ｏが０.５〜１.０重量％であることを特徴とする電圧非
直線抵抗体。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載の電圧非直線抵抗体
において、被覆形成されたガラスに含まれるＡｌ2Ｏ3が
フィラーであることを特徴とする電圧非直線抵抗体。 - 【請求項４】主成分がＺｎＯで、主添加成分としてＢｉ
酸化物を含む粉末を１１５０〜1300℃で焼結した後、該
焼結体を３００℃以下に降温し、第１項〜第３項記載の
ガラス粉末をペースト状にして焼結体側面に塗布し、そ
の後８００〜９５０℃に昇温して１時間以上保持し焼き
付ける工程を含み、該焼結体端面に電極を形成すること
を特徴とする電圧非直線抵抗体の製造方法。 - 【請求項５】請求項１〜３項のいずれかに記載の電圧非
直線抵抗体又は請求項４に記載の製造方法によって作製
した円板、または円筒状の電圧非直線抵抗体を碍子管ま
たはタンクに入れて形成したことを特徴とする避雷器。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26484794A JP3175500B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 |
| TW084110090A TW293916B (ja) | 1994-10-28 | 1995-09-27 | |
| DE69529264T DE69529264D1 (de) | 1994-10-28 | 1995-10-16 | Spannungsabhängiger, nicht linearer Widerstand und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP95116290A EP0709863B1 (en) | 1994-10-28 | 1995-10-16 | Voltage non-linear resistor and fabricating method |
| US08/547,793 US5610570A (en) | 1994-10-28 | 1995-10-25 | Voltage non-linear resistor and fabricating method thereof |
| KR1019950037515A KR960015607A (ko) | 1994-10-28 | 1995-10-27 | 전압비직선 저항체 및 그 제조방법 |
| CN95118517A CN1132917A (zh) | 1994-10-28 | 1995-10-27 | 电压型非线性电阻及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26484794A JP3175500B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124719A true JPH08124719A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3175500B2 JP3175500B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=17409046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26484794A Expired - Fee Related JP3175500B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5610570A (ja) |
| EP (1) | EP0709863B1 (ja) |
| JP (1) | JP3175500B2 (ja) |
| KR (1) | KR960015607A (ja) |
| CN (1) | CN1132917A (ja) |
| DE (1) | DE69529264D1 (ja) |
| TW (1) | TW293916B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003229302A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Toshiba Corp | 電圧非直線抵抗体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2904178B2 (ja) * | 1997-03-21 | 1999-06-14 | 三菱電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体及び避雷器 |
| JP2001176703A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-06-29 | Toshiba Corp | 電圧非直線抵抗体及びその製造方法 |
| JP2002151307A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Toshiba Corp | 電圧非直線抵抗体 |
| TW200410908A (en) * | 2002-12-23 | 2004-07-01 | Zhang Guo Ying | Zinc oxide component with nano powder structure and method for producing the same |
| US7167352B2 (en) * | 2004-06-10 | 2007-01-23 | Tdk Corporation | Multilayer chip varistor |
| CN100401432C (zh) * | 2004-07-09 | 2008-07-09 | 陈柳武 | 起动电阻 |
| SE527949C2 (sv) * | 2004-12-22 | 2006-07-18 | Abb Research Ltd | Metod att framställa en varistor |
| CN101700976B (zh) * | 2009-11-20 | 2012-05-23 | 中国西电电气股份有限公司 | 一种高压避雷器用非线性电阻片的配方及其制造方法 |
| CN115849897A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-03-28 | 国网湖南省电力有限公司 | 用于制备高通流直流电阻片的组合物、高通流直流电阻片及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5426710B2 (ja) | 1972-11-17 | 1979-09-05 | ||
| JPS6059647B2 (ja) * | 1977-08-01 | 1985-12-26 | クラリオン株式会社 | 磁気テ−プ装置 |
| JPS54101399A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-09 | Hitachi Ltd | Moisture sensitive element |
| JPS5919448B2 (ja) * | 1978-03-03 | 1984-05-07 | 株式会社日立製作所 | 避雷器 |
| US4335417A (en) * | 1978-09-05 | 1982-06-15 | General Electric Company | Heat sink thermal transfer system for zinc oxide varistors |
| JPS6033282B2 (ja) * | 1979-01-24 | 1985-08-02 | 株式会社日立製作所 | 電圧非直線抵抗体 |
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