JP2904178B2 - 電圧非直線抵抗体及び避雷器 - Google Patents
電圧非直線抵抗体及び避雷器Info
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、酸化亜鉛を主成
分とする焼結体から成り、例えば避雷器、サージアブゾ
ーバーなどに好適に使用しうる電圧非直線抵抗体及びこ
れを搭載した避雷器に関するものである。
分とする焼結体から成り、例えば避雷器、サージアブゾ
ーバーなどに好適に使用しうる電圧非直線抵抗体及びこ
れを搭載した避雷器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、一般的な酸化亜鉛バリスタの
構造を示す模式図である。従来、避雷器などに用いられ
る酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体は、主成分
である酸化亜鉛に、電圧非直線性の発現に必須であると
いわれている酸化ビスマスをはじめ、電気特性の改善に
有効な添加物を添加した組成物を混合し、造粒、成形、
焼成の各工程を経た焼結体から成り、この焼結体に側面
高抵抗層及び金属アルミニウムなどから成る電極を設け
ることによって作られている。
構造を示す模式図である。従来、避雷器などに用いられ
る酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体は、主成分
である酸化亜鉛に、電圧非直線性の発現に必須であると
いわれている酸化ビスマスをはじめ、電気特性の改善に
有効な添加物を添加した組成物を混合し、造粒、成形、
焼成の各工程を経た焼結体から成り、この焼結体に側面
高抵抗層及び金属アルミニウムなどから成る電極を設け
ることによって作られている。
【０００３】図１１は、一般的な電圧非直線抵抗体の結
晶組織の一部の微細構造を示す模式図である。１は亜鉛
及びアンチモンを主成分とするスピネル粒子、２は酸化
亜鉛粒子、３はケイ酸亜鉛Ｚｎ2ＳｉＯ4、４は酸化ビス
マス、６は酸化亜鉛結晶粒子内の双晶境界である。即
ち、亜鉛及びアンチモンを主成分とするスピネル粒子に
は、酸化亜鉛粒子２に取り囲まれて存在するものと、酸
化亜鉛粒子の三重点（多重点）付近に存在するものの２
種類の存在状態があり、酸化ビスマス４の一部分は多重
点のみならず、酸化亜鉛粒子２の境界に存在している場
合もみられる。
晶組織の一部の微細構造を示す模式図である。１は亜鉛
及びアンチモンを主成分とするスピネル粒子、２は酸化
亜鉛粒子、３はケイ酸亜鉛Ｚｎ2ＳｉＯ4、４は酸化ビス
マス、６は酸化亜鉛結晶粒子内の双晶境界である。即
ち、亜鉛及びアンチモンを主成分とするスピネル粒子に
は、酸化亜鉛粒子２に取り囲まれて存在するものと、酸
化亜鉛粒子の三重点（多重点）付近に存在するものの２
種類の存在状態があり、酸化ビスマス４の一部分は多重
点のみならず、酸化亜鉛粒子２の境界に存在している場
合もみられる。
【０００４】酸化亜鉛を主成分とする粒子自身は単に抵
抗体として作用し、酸化亜鉛粒子２と酸化亜鉛粒子２と
の境界部分で電圧非直線性を示すことは、ポイント電極
を用いた実験から明らかにされている（Ｇ．Ｄ．Ｍａｈ
ａｎ，Ｌ．Ｍ．Ｌｅｖｉｎｓｏｎ＆Ｈ．Ｒ．Ｐｈｉｌｉ
ｐｐ，“Ｔｈｅｏｒｙ ｏｆ ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｉ
ｎ ＺｎＯ ｖａｒｉｓｔｏｒｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．５０［４］，２７９９（１９７９）（以下文献
１とする））。また後述するように、この酸化亜鉛粒子
２と酸化亜鉛粒子２との境界部分（結晶粒界）の数がバ
リスタ電圧を決定することが実験で確認されている
（Ｔ．Ｋ．Ｇｕｐｔａ，“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏ
ｆ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ Ｖａｒｉｓｔｏｒｓ，
“Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，７３〔７〕１８１
７−１８４０（１９９０）（以下、文献２とする））。
抗体として作用し、酸化亜鉛粒子２と酸化亜鉛粒子２と
の境界部分で電圧非直線性を示すことは、ポイント電極
を用いた実験から明らかにされている（Ｇ．Ｄ．Ｍａｈ
ａｎ，Ｌ．Ｍ．Ｌｅｖｉｎｓｏｎ＆Ｈ．Ｒ．Ｐｈｉｌｉ
ｐｐ，“Ｔｈｅｏｒｙ ｏｆ ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｉ
ｎ ＺｎＯ ｖａｒｉｓｔｏｒｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．５０［４］，２７９９（１９７９）（以下文献
１とする））。また後述するように、この酸化亜鉛粒子
２と酸化亜鉛粒子２との境界部分（結晶粒界）の数がバ
リスタ電圧を決定することが実験で確認されている
（Ｔ．Ｋ．Ｇｕｐｔａ，“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏ
ｆ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ Ｖａｒｉｓｔｏｒｓ，
“Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，７３〔７〕１８１
７−１８４０（１９９０）（以下、文献２とする））。
【０００５】図１２は、上記微細構造を有する一般的な
電圧非直線抵抗体の電圧−電流特性（非直線性特性）を
示す特性図である。優れた保護性能を有する酸化亜鉛系
電圧非直線抵抗体とは、図中、大電流域Ｈにおける電圧
ＶＨと小電流域Ｌにおける電圧ＶＬとの比ＶＨ／ＶＬ
（制限電圧比）が小さいものである。制限電圧比の改善
について論じる場合、大電流域における制限電圧比と小
電流域における制限電圧比を決定する要因が異なるため
に、各々に分離して論じる必要がある。それゆえ今後、
制限電圧比ＶＨ／ＶＬを図中のＳにおける電圧ＶＳを用
いて、大電流域制限電圧比ＶＨ／ＶＳと小電流域制限電
圧比ＶＳ／ＶＬに分離して論じることとする。
電圧非直線抵抗体の電圧−電流特性（非直線性特性）を
示す特性図である。優れた保護性能を有する酸化亜鉛系
電圧非直線抵抗体とは、図中、大電流域Ｈにおける電圧
ＶＨと小電流域Ｌにおける電圧ＶＬとの比ＶＨ／ＶＬ
（制限電圧比）が小さいものである。制限電圧比の改善
について論じる場合、大電流域における制限電圧比と小
電流域における制限電圧比を決定する要因が異なるため
に、各々に分離して論じる必要がある。それゆえ今後、
制限電圧比ＶＨ／ＶＬを図中のＳにおける電圧ＶＳを用
いて、大電流域制限電圧比ＶＨ／ＶＳと小電流域制限電
圧比ＶＳ／ＶＬに分離して論じることとする。
【０００６】大電流域制限電圧比ＶＨ／ＶＳは、ＶＨが
酸化亜鉛結晶粒内部の電気抵抗率によって決まると言わ
れており（文献１、２）、酸化亜鉛結晶粒内部の抵抗率
が小さくなる程ＶＨが小さくなり、従ってＶＨ／ＶＳは
小さくなる。一方、小電流域制限電圧比ＶＳ／ＶＬは酸
化亜鉛結晶粒界に形成されると考えられているショット
キーバリアによって決まると言われており（文献１、
２）、酸化亜鉛結晶粒界の見かけの抵抗率が大きくなる
程ＶＳ／ＶＬは小さくなる。従って、制限電圧比ＶＨ／
ＶＬを改善するためには、酸化亜鉛結晶粒内部の電気抵
抗率を低減し、かつ酸化亜鉛結晶粒界の見かけの電気抵
抗率を高めればよいことが示される。
酸化亜鉛結晶粒内部の電気抵抗率によって決まると言わ
れており（文献１、２）、酸化亜鉛結晶粒内部の抵抗率
が小さくなる程ＶＨが小さくなり、従ってＶＨ／ＶＳは
小さくなる。一方、小電流域制限電圧比ＶＳ／ＶＬは酸
化亜鉛結晶粒界に形成されると考えられているショット
キーバリアによって決まると言われており（文献１、
２）、酸化亜鉛結晶粒界の見かけの抵抗率が大きくなる
程ＶＳ／ＶＬは小さくなる。従って、制限電圧比ＶＨ／
ＶＬを改善するためには、酸化亜鉛結晶粒内部の電気抵
抗率を低減し、かつ酸化亜鉛結晶粒界の見かけの電気抵
抗率を高めればよいことが示される。
【０００７】電圧非直線抵抗体では図１２に示したＶＳ
が非直線性しきい値電圧を表す。このＶＳ値は、避雷器
が適用される送電系統に対応して設定される。ＶＳは、
素子に１ｍＡ通電した際の素子の両端電極間電圧（Ｖ１
ｍＡ（Ｖ））などを代表値として使用することが多い。
素子の大きさを勘案すると、１ｍＡの電流値は約３０〜
１５０μＡ／ｃｍ2程度の電流密度に相当する。酸化亜
鉛素子のＶＳ値は素子の厚みに比例する。
が非直線性しきい値電圧を表す。このＶＳ値は、避雷器
が適用される送電系統に対応して設定される。ＶＳは、
素子に１ｍＡ通電した際の素子の両端電極間電圧（Ｖ１
ｍＡ（Ｖ））などを代表値として使用することが多い。
素子の大きさを勘案すると、１ｍＡの電流値は約３０〜
１５０μＡ／ｃｍ2程度の電流密度に相当する。酸化亜
鉛素子のＶＳ値は素子の厚みに比例する。
【０００８】系統電圧の高い、例えばＵＨＶ１００万ボ
ルト送電に使用される避雷器などでは、同一形状で従来
の素子と同等のＶＳ値をもつ素子を積み上げた場合に
は、直列積層枚数が増加し、その結果、避雷器が大きく
なること、及び直列接続方式が複雑化するため、電気
的、熱的、機械的設計上の問題点が多くなる。それゆ
え、ＶＳ値を素子の厚さで除して得られる単位長さ当た
りのＶＳ値（例えばＶ１ｍＡ／ｍｍ：バリスタ電圧とい
う）の大きい素子を使用できれば、素子１枚当たりの分
担電圧が高くなるため、素子の直列積層枚数を減らすこ
とができ、これらの問題点を解決することが可能とな
る。
ルト送電に使用される避雷器などでは、同一形状で従来
の素子と同等のＶＳ値をもつ素子を積み上げた場合に
は、直列積層枚数が増加し、その結果、避雷器が大きく
なること、及び直列接続方式が複雑化するため、電気
的、熱的、機械的設計上の問題点が多くなる。それゆ
え、ＶＳ値を素子の厚さで除して得られる単位長さ当た
りのＶＳ値（例えばＶ１ｍＡ／ｍｍ：バリスタ電圧とい
う）の大きい素子を使用できれば、素子１枚当たりの分
担電圧が高くなるため、素子の直列積層枚数を減らすこ
とができ、これらの問題点を解決することが可能とな
る。
【０００９】従来の研究から、ＶＳ値を制御しているの
は図１１に示した素子の結晶組織中の酸化亜鉛２の結晶
粒径であることが知られている（文献２）。１ｍＡ程度
の電流領域は、図１２に示した電圧−電流特性における
非直線領域であり、実験的には式（１）が成立する。 Ｖ１ｍＡ／ｍｍ＝ｋ／Ｄ （１） 式（１）中、ｋは定数、Ｄは酸化亜鉛の平均粒子径であ
る。従って１／Ｄは単位長さ当たりに存在する酸化亜鉛
粒子間の結晶粒界の数Ｎｇに相当し、式（１）を書き換
えれば式（２） Ｖ１ｍＡ／ｍｍ＝ｋ’Ｎｇ （２） のように書き表すことができる。定数ｋ’は酸化亜鉛素
子の１粒界当たりのバリスタ電圧を表していることが分
かる（文献２）。
は図１１に示した素子の結晶組織中の酸化亜鉛２の結晶
粒径であることが知られている（文献２）。１ｍＡ程度
の電流領域は、図１２に示した電圧−電流特性における
非直線領域であり、実験的には式（１）が成立する。 Ｖ１ｍＡ／ｍｍ＝ｋ／Ｄ （１） 式（１）中、ｋは定数、Ｄは酸化亜鉛の平均粒子径であ
る。従って１／Ｄは単位長さ当たりに存在する酸化亜鉛
粒子間の結晶粒界の数Ｎｇに相当し、式（１）を書き換
えれば式（２） Ｖ１ｍＡ／ｍｍ＝ｋ’Ｎｇ （２） のように書き表すことができる。定数ｋ’は酸化亜鉛素
子の１粒界当たりのバリスタ電圧を表していることが分
かる（文献２）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上をまとめると、優
れた保護特性をもったコンパクトな避雷器を実現するた
めには、電圧非直線抵抗体の電気特性として（イ）制限
電圧比（ＶＨ／ＶＬ）が小さいこと、コンパクトな避雷
器を実現するために必要な電圧非直線抵抗体に要求され
る電気特性として（ロ）バリスタ電圧を大きくするこ
と、の２点が挙げられる。避雷器の保護特性を決定する
因子は（イ）であるので、電圧非直線抵抗体の組成及び
製造プロセスを改善することによって制限電圧比（ＶＨ
／ＶＬ）を小さい値とすること、なおかつ避雷器の大き
さ等の構造を決定する因子は主に（ロ）であるので、バ
リスタ電圧を大きい値とすることが強く要求される。
れた保護特性をもったコンパクトな避雷器を実現するた
めには、電圧非直線抵抗体の電気特性として（イ）制限
電圧比（ＶＨ／ＶＬ）が小さいこと、コンパクトな避雷
器を実現するために必要な電圧非直線抵抗体に要求され
る電気特性として（ロ）バリスタ電圧を大きくするこ
と、の２点が挙げられる。避雷器の保護特性を決定する
因子は（イ）であるので、電圧非直線抵抗体の組成及び
製造プロセスを改善することによって制限電圧比（ＶＨ
／ＶＬ）を小さい値とすること、なおかつ避雷器の大き
さ等の構造を決定する因子は主に（ロ）であるので、バ
リスタ電圧を大きい値とすることが強く要求される。
【００１１】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたもので、バリスタ電圧が高く、大電流域から
小電流域にわたって制限電圧比が小さい電圧非直線抵抗
体を得ることを目的とする。また、この電圧非直線抵抗
体を搭載した避雷器を得ることを目的とする。
になされたもので、バリスタ電圧が高く、大電流域から
小電流域にわたって制限電圧比が小さい電圧非直線抵抗
体を得ることを目的とする。また、この電圧非直線抵抗
体を搭載した避雷器を得ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る電圧非直
線抵抗体は、酸化亜鉛を主成分とし、複数種類の希土類
元素を有し、この希土類元素のうち少なくとも１種類が
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
及びＬｕから選ばれるものであり、かつＢｉ、Ｓｂを有
する組成物の焼結体であって、前記酸化亜鉛粒子内また
は粒界には析出粒子が形成され、この析出粒子から得ら
れる複数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、
ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８５Å≦ｄ
１≦２．９１Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９Å、１．
７７Å≦ｄ３≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４≦１．６
１Å、１．５４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に存在する
ものである。
線抵抗体は、酸化亜鉛を主成分とし、複数種類の希土類
元素を有し、この希土類元素のうち少なくとも１種類が
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
及びＬｕから選ばれるものであり、かつＢｉ、Ｓｂを有
する組成物の焼結体であって、前記酸化亜鉛粒子内また
は粒界には析出粒子が形成され、この析出粒子から得ら
れる複数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、
ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８５Å≦ｄ
１≦２．９１Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９Å、１．
７７Å≦ｄ３≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４≦１．６
１Å、１．５４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に存在する
ものである。
【００１３】また、酸化亜鉛を主成分とし、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕ
から選ばれる少なくとも１種類の希土類元素を有し、か
つＢｉ、Ｓｂを有する組成物の焼結体であって、前記酸
化亜鉛粒子内または粒界には析出粒子が形成され、この
析出粒子から得られる複数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５
つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれ
が２．８５Å≦ｄ１≦２．９１Å、１．８３Å≦ｄ２≦
１．８９Å、１．７７Å≦ｄ３≦１．８２Å、１．５６
Å≦ｄ４≦１．６１Å、１．５４Å≦ｄ５≦１．６０Å
の範囲に存在するものである。
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕ
から選ばれる少なくとも１種類の希土類元素を有し、か
つＢｉ、Ｓｂを有する組成物の焼結体であって、前記酸
化亜鉛粒子内または粒界には析出粒子が形成され、この
析出粒子から得られる複数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５
つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれ
が２．８５Å≦ｄ１≦２．９１Å、１．８３Å≦ｄ２≦
１．８９Å、１．７７Å≦ｄ３≦１．８２Å、１．５６
Å≦ｄ４≦１．６１Å、１．５４Å≦ｄ５≦１．６０Å
の範囲に存在するものである。
【００１４】また、酸化亜鉛を主成分とし、Ｈｏ、Ｙ、
Ｅｒ及びＹｂから選ばれる少なくとも１種類の希土類元
素を有し、かつＢｉ、Ｓｂを有する組成物の焼結体であ
って、前記酸化亜鉛粒子内または粒界には析出粒子が形
成され、この析出粒子から得られる複数の面間隔ｄｎ
（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とす
ると、それぞれが２．８６Å≦ｄ１≦２．８８Å、１．
８５Å≦ｄ２≦１．８６Å、１．７８Å≦ｄ３≦１．７
９Å、１．５７Å≦ｄ４≦１．５８Å、１．５５Å≦ｄ
５≦１．５６Åの範囲に存在するものである。
Ｅｒ及びＹｂから選ばれる少なくとも１種類の希土類元
素を有し、かつＢｉ、Ｓｂを有する組成物の焼結体であ
って、前記酸化亜鉛粒子内または粒界には析出粒子が形
成され、この析出粒子から得られる複数の面間隔ｄｎ
（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とす
ると、それぞれが２．８６Å≦ｄ１≦２．８８Å、１．
８５Å≦ｄ２≦１．８６Å、１．７８Å≦ｄ３≦１．７
９Å、１．５７Å≦ｄ４≦１．５８Å、１．５５Å≦ｄ
５≦１．５６Åの範囲に存在するものである。
【００１５】また、面間隔の測定は、室温でＸ線回折法
にて行うものである。
にて行うものである。
【００１６】また、この発明に係る避雷器は、この発明
の電圧非直線性抵抗体を搭載したものである。
の電圧非直線性抵抗体を搭載したものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明に係わる主成分となる酸化
亜鉛は、バリスタ電圧及び電圧非直線性の改善の観点か
ら、含有量は、ＺｎＯに換算して原料中に９０〜９７ｍ
ｏｌ％、中でも９２〜９６ｍｏｌ％含有されるように調
整することが望ましい。
亜鉛は、バリスタ電圧及び電圧非直線性の改善の観点か
ら、含有量は、ＺｎＯに換算して原料中に９０〜９７ｍ
ｏｌ％、中でも９２〜９６ｍｏｌ％含有されるように調
整することが望ましい。
【００１８】本発明の電圧非直線抵抗体に、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの
うち少なくとも１種類以上の希土類元素を添加すれば、
ＺｎＯ粒子内または粒界に析出粒子を形成し、大電流域
制限電圧比を小さくすると同時にバリスタ電圧を大きく
することができる。図１は、この希土類元素を添加する
ことで得られた素子の結晶組織を示す模式図である。図
に示すように、ＺｎＯ結晶や亜鉛及びアンチモンを主成
分とするスピネル相の他に、添加した希土類元素（Ｒ）
−ビスマス−アンチモン−亜鉛−マンガンを含む析出粒
子が存在する。この粒子が形成されるとＺｎＯの粒成長
を抑制するため、大電流域制限電圧比を小さくすると同
時にバリスタ電圧を大きくさせることができる。
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの
うち少なくとも１種類以上の希土類元素を添加すれば、
ＺｎＯ粒子内または粒界に析出粒子を形成し、大電流域
制限電圧比を小さくすると同時にバリスタ電圧を大きく
することができる。図１は、この希土類元素を添加する
ことで得られた素子の結晶組織を示す模式図である。図
に示すように、ＺｎＯ結晶や亜鉛及びアンチモンを主成
分とするスピネル相の他に、添加した希土類元素（Ｒ）
−ビスマス−アンチモン−亜鉛−マンガンを含む析出粒
子が存在する。この粒子が形成されるとＺｎＯの粒成長
を抑制するため、大電流域制限電圧比を小さくすると同
時にバリスタ電圧を大きくさせることができる。
【００１９】また、上記析出粒子から得られる複数の面
間隔ｄｎ（Å）のうち値の大きなものから５つをｄ１、
ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８５
Å≦ｄ１≦２．９１Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９
Å、１．７７Å≦ｄ３≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４
≦１．６１Å、１．５４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に
存在する。ここで言う面間隔とは、Ｘ線回析法における
ブラッグ条件によって得られる面間隔である。ブラッグ
条件は、ｄ：面間隔、θ：入射Ｘ線及び回析Ｘ線が結晶
格子面となす角度、Ｎ：回析次数（正の整数でありここ
では１を用いる）、λ：Ｘ線の波長とすると、 ２ｄ・ｓｉｎθ＝Ｎ・λ （３） で表される。従って面間隔ｄは、式（３）をｄについて
解いて、 ｄ＝（Ｎ・λ）／（２ｓｉｎθ） （４） で得ることができる。
間隔ｄｎ（Å）のうち値の大きなものから５つをｄ１、
ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８５
Å≦ｄ１≦２．９１Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９
Å、１．７７Å≦ｄ３≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４
≦１．６１Å、１．５４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に
存在する。ここで言う面間隔とは、Ｘ線回析法における
ブラッグ条件によって得られる面間隔である。ブラッグ
条件は、ｄ：面間隔、θ：入射Ｘ線及び回析Ｘ線が結晶
格子面となす角度、Ｎ：回析次数（正の整数でありここ
では１を用いる）、λ：Ｘ線の波長とすると、 ２ｄ・ｓｉｎθ＝Ｎ・λ （３） で表される。従って面間隔ｄは、式（３）をｄについて
解いて、 ｄ＝（Ｎ・λ）／（２ｓｉｎθ） （４） で得ることができる。
【００２０】また、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、
Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの中の１元素を必須とし
て、他の希土類元素を少なくとも１つ添加しても良い。
全ての希土類元素は、そのイオン半径がＺｎ2+のイオン
半径より大きいので、ＺｎＯ粒子内のＺｎサイトを置換
しにくく、主にＺｎＯの結晶粒界またはＺｎＯ結晶内部
に取り込まれた独立した結晶粒として偏析する。その極
めてわずかな部分がＺｎＯ結晶粒子内部に固溶すると、
その電子的効果によりＺｎＯの結晶粒子内部が低抵抗化
する。その結果、大電流域制限電圧比を小さくできる。
即ち、上記以外の希土類元素は、析出粒子を形成せず従
ってバリスタ電圧をあまり高めることができないが、大
電流域制限電圧比は、希土類元素が全く無添加のものよ
りも小さくすることができる。そこで、バリスタ電圧を
あまり高くする必要が無いケースにおいては、大電流域
制限電圧比を小さくする効果はあるが、バリスタ電圧を
大きくする効果があまりない例えばＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍなどと少量のＥｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕを組み合わせて添加す
ることで、バリスタ電圧を若干量大きくしつつ大電流域
制限電圧比が小さい素子を得ることができる。なお、こ
のような場合でも、添加したＥｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ元素は析出粒子を形
成する。
Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの中の１元素を必須とし
て、他の希土類元素を少なくとも１つ添加しても良い。
全ての希土類元素は、そのイオン半径がＺｎ2+のイオン
半径より大きいので、ＺｎＯ粒子内のＺｎサイトを置換
しにくく、主にＺｎＯの結晶粒界またはＺｎＯ結晶内部
に取り込まれた独立した結晶粒として偏析する。その極
めてわずかな部分がＺｎＯ結晶粒子内部に固溶すると、
その電子的効果によりＺｎＯの結晶粒子内部が低抵抗化
する。その結果、大電流域制限電圧比を小さくできる。
即ち、上記以外の希土類元素は、析出粒子を形成せず従
ってバリスタ電圧をあまり高めることができないが、大
電流域制限電圧比は、希土類元素が全く無添加のものよ
りも小さくすることができる。そこで、バリスタ電圧を
あまり高くする必要が無いケースにおいては、大電流域
制限電圧比を小さくする効果はあるが、バリスタ電圧を
大きくする効果があまりない例えばＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍなどと少量のＥｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕを組み合わせて添加す
ることで、バリスタ電圧を若干量大きくしつつ大電流域
制限電圧比が小さい素子を得ることができる。なお、こ
のような場合でも、添加したＥｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ元素は析出粒子を形
成する。
【００２１】また、本発明の電圧非直線抵抗体に添加す
る希土類元素をＨｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂのうちの少なくと
も１種類に限れば、バリスタ電圧が大きく、大電流域制
限電圧比が小さく、さらに小電流域制限電圧比の悪化を
最小限に抑えた素子を得ることができる。希土類元素の
うちＥｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｙｂ、Ｌｕを添加した素子は、他の希土類元素を添加し
た素子及び希土類元素無添加の素子よりもバリスタ電圧
を大きく、大電流域制限電圧比を小さくすることができ
るが、小電流域制限電圧比は大きくなり逆に悪化する。
しかし、添加する希土類元素をＨｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂの
うちの少なくとも１種類に限れば、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍを添加した素子及び希土類元素無添加の素子
よりも若干高いものの、小電流域制限電圧比の悪化を最
小限に抑えることができる。
る希土類元素をＨｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂのうちの少なくと
も１種類に限れば、バリスタ電圧が大きく、大電流域制
限電圧比が小さく、さらに小電流域制限電圧比の悪化を
最小限に抑えた素子を得ることができる。希土類元素の
うちＥｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｙｂ、Ｌｕを添加した素子は、他の希土類元素を添加し
た素子及び希土類元素無添加の素子よりもバリスタ電圧
を大きく、大電流域制限電圧比を小さくすることができ
るが、小電流域制限電圧比は大きくなり逆に悪化する。
しかし、添加する希土類元素をＨｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂの
うちの少なくとも１種類に限れば、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍを添加した素子及び希土類元素無添加の素子
よりも若干高いものの、小電流域制限電圧比の悪化を最
小限に抑えることができる。
【００２２】また、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂの少なくとも
１種類を添加して形成された析出粒子から得られる複数
の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ
４、ｄ５とすると、それぞれが２．８６Å≦ｄ１≦２．
８８Å、１．８５Å≦ｄ２≦１．８６Å、１．７８Å≦
ｄ３≦１．７９Å、１．５７Å≦ｄ４≦１．５８Å、
１．５５Å≦ｄ５≦１．５６Åの範囲に存在する。ここ
で言う面間隔とは、上述したようにＸ線回析法における
ブラッグ条件によって得られる面間隔である。
１種類を添加して形成された析出粒子から得られる複数
の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ
４、ｄ５とすると、それぞれが２．８６Å≦ｄ１≦２．
８８Å、１．８５Å≦ｄ２≦１．８６Å、１．７８Å≦
ｄ３≦１．７９Å、１．５７Å≦ｄ４≦１．５８Å、
１．５５Å≦ｄ５≦１．５６Åの範囲に存在する。ここ
で言う面間隔とは、上述したようにＸ線回析法における
ブラッグ条件によって得られる面間隔である。
【００２３】また、本発明の電圧非直線抵抗体におい
て、析出粒子の面間隔の測定は、室温でＸ線回折法で行
うことが望ましい。Ｘ線回折法は、結晶面間隔を容易に
かつ精度良く測定することができる。
て、析出粒子の面間隔の測定は、室温でＸ線回折法で行
うことが望ましい。Ｘ線回折法は、結晶面間隔を容易に
かつ精度良く測定することができる。
【００２４】本発明に係わる酸化ビスマスは、通常平均
粒子径が１〜１０μｍのものが用いられる。酸化ビスマ
スの配合量は、５ｍｏｌ％より多い場合には、酸化亜鉛
粒子の粒成長抑制効果に対して逆効果を呈するようにな
り、０．１ｍｏｌ％より少ない場合には、漏れ電流が増
加する（ＶＬ値が小さくなる）ため、電圧非直線抵抗体
の原料（以下、単に原料という）の中に０．１〜５ｍｏ
ｌ％、特に０．２〜２ｍｏｌ％含有されるように調整す
ることが望ましい。
粒子径が１〜１０μｍのものが用いられる。酸化ビスマ
スの配合量は、５ｍｏｌ％より多い場合には、酸化亜鉛
粒子の粒成長抑制効果に対して逆効果を呈するようにな
り、０．１ｍｏｌ％より少ない場合には、漏れ電流が増
加する（ＶＬ値が小さくなる）ため、電圧非直線抵抗体
の原料（以下、単に原料という）の中に０．１〜５ｍｏ
ｌ％、特に０．２〜２ｍｏｌ％含有されるように調整す
ることが望ましい。
【００２５】また、本発明の電圧非直線抵抗体が、ＶＳ
値を大きくする性質を有する酸化アンチモンを含有して
も良い。酸化アンチモンとしては、通常平均粒子径が
０．５〜５μｍのものが用いられる。配合量は、５ｍｏ
ｌ％より多い場合にはバリスタ電圧が高くなるが、酸化
亜鉛との反応物のスピネル粒子が多く存在するようにな
って通電パスが大きく制限されるため不均一性が増して
破壊しやすくなる。一方０．５ｍｏｌ％より少ない場合
には、酸化亜鉛粒子の粒成長抑制効果が充分に発現され
なくなるので、原料中には、０．５〜５ｍｏｌ％、中で
も０．７５〜２ｍｏｌ％含有されるように調整すること
が望ましい。
値を大きくする性質を有する酸化アンチモンを含有して
も良い。酸化アンチモンとしては、通常平均粒子径が
０．５〜５μｍのものが用いられる。配合量は、５ｍｏ
ｌ％より多い場合にはバリスタ電圧が高くなるが、酸化
亜鉛との反応物のスピネル粒子が多く存在するようにな
って通電パスが大きく制限されるため不均一性が増して
破壊しやすくなる。一方０．５ｍｏｌ％より少ない場合
には、酸化亜鉛粒子の粒成長抑制効果が充分に発現され
なくなるので、原料中には、０．５〜５ｍｏｌ％、中で
も０．７５〜２ｍｏｌ％含有されるように調整すること
が望ましい。
【００２６】また、本発明の電圧非直線抵抗体が、電圧
非直線性を改善させるために、酸化クロム、酸化ニッケ
ル、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化ケイ素を含有し
ても良く、これらは、通常平均粒子径が１０μｍ以下の
ものを用いることが望ましい。また充分な電圧非直線性
を得るためには、これらの成分の配合量は、それぞれ原
料中に、ＮｉＯ、ＣＯ3Ｏ4、Ｍｎ3Ｏ4，ＳｉＯ2に換算
して０．１ｍｏｌ％以上、中でも０．２ｍｏｌ％以上含
有されるように調整することか望ましい。しかし５ｍｏ
ｌ％より該配合量が多い場合には、スピネル相、パイロ
クロア相（スピネル相生成反応の中間生成物）及びケイ
酸亜鉛の量が多くなることから、エネルギー耐量の減少
や電圧非直線性が低下する傾向がある。それゆえ、原料
中に０．１〜５ｍｏｌ％、中でも０．２〜２ｍｏｌ％含
有されるように調整することが望ましい。
非直線性を改善させるために、酸化クロム、酸化ニッケ
ル、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化ケイ素を含有し
ても良く、これらは、通常平均粒子径が１０μｍ以下の
ものを用いることが望ましい。また充分な電圧非直線性
を得るためには、これらの成分の配合量は、それぞれ原
料中に、ＮｉＯ、ＣＯ3Ｏ4、Ｍｎ3Ｏ4，ＳｉＯ2に換算
して０．１ｍｏｌ％以上、中でも０．２ｍｏｌ％以上含
有されるように調整することか望ましい。しかし５ｍｏ
ｌ％より該配合量が多い場合には、スピネル相、パイロ
クロア相（スピネル相生成反応の中間生成物）及びケイ
酸亜鉛の量が多くなることから、エネルギー耐量の減少
や電圧非直線性が低下する傾向がある。それゆえ、原料
中に０．１〜５ｍｏｌ％、中でも０．２〜２ｍｏｌ％含
有されるように調整することが望ましい。
【００２７】また、本発明の電圧非直線抵抗体が、酸化
亜鉛粒子の電気抵抗を下げ、電圧非直線性を改善するた
めに０．００１〜０．０１ｍｏｌ％の硝酸アルミニウム
を含有しても良い。アルミニウムイオンはそのイオン半
径がＺｎ2+イオン半径より小さいので、格子の歪みの許
容範囲内でＺｎＯ粒子内に固溶し、２価のイオンである
Ｚｎを３価のイオンであるアルミニウムイオンが置換す
ることによって、その電子的効果によりＺｎＯ結晶粒子
内部が低抵抗化し、その結果大電流域制限電圧比が改善
される。Ａｌ2Ｏ3としてのｍｏｌ％は、硝酸アルミニウ
ムＡｌ（ＮＯ3）３のｍｏｌ％の１／２であるので、Ａ
ｌ2Ｏ3のｍｏｌ％としては０．０００５〜０．００５ｍ
ｏｌ％が必要となる。
亜鉛粒子の電気抵抗を下げ、電圧非直線性を改善するた
めに０．００１〜０．０１ｍｏｌ％の硝酸アルミニウム
を含有しても良い。アルミニウムイオンはそのイオン半
径がＺｎ2+イオン半径より小さいので、格子の歪みの許
容範囲内でＺｎＯ粒子内に固溶し、２価のイオンである
Ｚｎを３価のイオンであるアルミニウムイオンが置換す
ることによって、その電子的効果によりＺｎＯ結晶粒子
内部が低抵抗化し、その結果大電流域制限電圧比が改善
される。Ａｌ2Ｏ3としてのｍｏｌ％は、硝酸アルミニウ
ムＡｌ（ＮＯ3）３のｍｏｌ％の１／２であるので、Ａ
ｌ2Ｏ3のｍｏｌ％としては０．０００５〜０．００５ｍ
ｏｌ％が必要となる。
【００２８】また、本発明の電圧非直線抵抗体に、酸化
ビスマスをより低融点化させ、その流動性をよくし、粒
子間などに存在する微細孔（ポア）を有効に減ずる役割
を果たさせるために、０．０１〜０．１ｍｏｌ％のホウ
酸を原料中に含有せしめても良い。
ビスマスをより低融点化させ、その流動性をよくし、粒
子間などに存在する微細孔（ポア）を有効に減ずる役割
を果たさせるために、０．０１〜０．１ｍｏｌ％のホウ
酸を原料中に含有せしめても良い。
【００２９】次に、上記原料から成る本発明の電圧非直
線抵抗体の製造方法について具体的に説明する。前記原
料の平均粒子径を適宜調整した後、たとえばポリビニル
アルコール水溶液などを用いてスラリーを形成した後、
スプレードライヤーなどを用いて乾燥・造粒し成形に適
した顆粒を得る。得られた顆粒に例えば２００〜５００
ｋｇｆ／ｃｍ2程度の加圧力で一軸加圧を施し、所定形
状の粉末成形体を作製する。粉末成形体からバインダー
（ポリビニルアルコール）を除去するために、該粉末成
形体を６００℃程度の温度で予備加熱した後焼成する。
後述する実施例及び比較例では、１１５０℃で５時間焼
成して得られた素子を測定して得たデータを挙げた。焼
成条件よって焼結反応が均一かつ充分に進行し、素子を
緻密化するための条件であり、Ｘ線回折装置、熱重量分
析装置（ＴＧ）、熱機械分析装置（ＴＭＡ）などを用い
て設定することができる。
線抵抗体の製造方法について具体的に説明する。前記原
料の平均粒子径を適宜調整した後、たとえばポリビニル
アルコール水溶液などを用いてスラリーを形成した後、
スプレードライヤーなどを用いて乾燥・造粒し成形に適
した顆粒を得る。得られた顆粒に例えば２００〜５００
ｋｇｆ／ｃｍ2程度の加圧力で一軸加圧を施し、所定形
状の粉末成形体を作製する。粉末成形体からバインダー
（ポリビニルアルコール）を除去するために、該粉末成
形体を６００℃程度の温度で予備加熱した後焼成する。
後述する実施例及び比較例では、１１５０℃で５時間焼
成して得られた素子を測定して得たデータを挙げた。焼
成条件よって焼結反応が均一かつ充分に進行し、素子を
緻密化するための条件であり、Ｘ線回折装置、熱重量分
析装置（ＴＧ）、熱機械分析装置（ＴＭＡ）などを用い
て設定することができる。
【００３０】また、本発明の避雷器において、本発明の
電圧非直線抵抗体を搭載するものが、小形化及び保護特
性の改善が可能となる。
電圧非直線抵抗体を搭載するものが、小形化及び保護特
性の改善が可能となる。
【００３１】
【実施例】以下に、本発明の電圧非直線抵抗体及びその
製法を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発
明は係る実施例のみに限定されるものではない。
製法を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発
明は係る実施例のみに限定されるものではない。
【００３２】実施例１．〜１２．各実施例及び各比較例
は次の基本組成と製作過程とを含んでいる。酸化ビスマ
ス、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化マ
ンガン及び酸化ケイ素の含有量がそれぞれ０．５ｍｏｌ
％、酸化アンチモンの含有量が１．２ｍｏｌ％、であ
る。ホウ酸の含有量は０．０８ｍｏｌ％となるように調
整した。アルミニウムは硝酸塩水溶液として０．００４
ｍｏｌ％添加した。残部は酸化亜鉛である。
は次の基本組成と製作過程とを含んでいる。酸化ビスマ
ス、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化マ
ンガン及び酸化ケイ素の含有量がそれぞれ０．５ｍｏｌ
％、酸化アンチモンの含有量が１．２ｍｏｌ％、であ
る。ホウ酸の含有量は０．０８ｍｏｌ％となるように調
整した。アルミニウムは硝酸塩水溶液として０．００４
ｍｏｌ％添加した。残部は酸化亜鉛である。
【００３３】上記基本組成に、Ｅｕ2Ｏ3（実施例１）、
Ｇｄ2Ｏ3（実施例２）、Ｔｂ4Ｏ7（実施例３）、Ｄｙ2
Ｏ3（実施例４）、Ｈｏ2Ｏ3（実施例５）、Ｙ2Ｏ3（実
施例６）、Ｅｒ2Ｏ3（実施例７）、Ｔｍ2Ｏ3（実施例
８）、Ｙｂ2Ｏ3（実施例９）、Ｌｕ2Ｏ3（実施例１０）
をＲ2Ｏ3に換算してそれぞれ０．５ｍｏｌ％添加した。
またＥｕ、Ｌｕに関しては０．５ｍｏｌ％のＬａ2Ｏ3を
それぞれ加えて、実施例１１及び１２とした。以上のよ
うな原料をボールミルを用いて混合粉砕した後、スプレ
ードライヤーを用いて乾燥・造粒した。得られた顆粒に
２００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ2程度の加圧力で一軸加圧
成形し、直径４０ｍｍ、厚さ１５ｍｍの粉末成形体を作
製した。得られた粉末成形体からバインダ（ポリビニル
アルコール）を除去するために、６００℃で５時間予備
加熱した。焼成は１１５０℃で５時間行った。
Ｇｄ2Ｏ3（実施例２）、Ｔｂ4Ｏ7（実施例３）、Ｄｙ2
Ｏ3（実施例４）、Ｈｏ2Ｏ3（実施例５）、Ｙ2Ｏ3（実
施例６）、Ｅｒ2Ｏ3（実施例７）、Ｔｍ2Ｏ3（実施例
８）、Ｙｂ2Ｏ3（実施例９）、Ｌｕ2Ｏ3（実施例１０）
をＲ2Ｏ3に換算してそれぞれ０．５ｍｏｌ％添加した。
またＥｕ、Ｌｕに関しては０．５ｍｏｌ％のＬａ2Ｏ3を
それぞれ加えて、実施例１１及び１２とした。以上のよ
うな原料をボールミルを用いて混合粉砕した後、スプレ
ードライヤーを用いて乾燥・造粒した。得られた顆粒に
２００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ2程度の加圧力で一軸加圧
成形し、直径４０ｍｍ、厚さ１５ｍｍの粉末成形体を作
製した。得られた粉末成形体からバインダ（ポリビニル
アルコール）を除去するために、６００℃で５時間予備
加熱した。焼成は１１５０℃で５時間行った。
【００３４】得られた電圧非直線性抵抗体（焼結により
直径約３２ｍｍに収縮）を研磨、洗浄した後、アルミニ
ウム電極を形成し、各種電気特性を測定した。制限電圧
比の評価条件は以下のように設定した。即ち、小電流域
制限電圧比は、素子に１ｍＡ通電した際の素子の両端電
極間電圧を、１０μＡ通電した際の素子の両端電極間電
圧で除した値（Ｖ１ｍＡ／Ｖ１０μＡ）として評価し、
大電流域制限電圧比は、素子に２．５ｋＡ通電した際の
素子の両端電極間電圧を、１ｍＡ通電した際の素子の両
端電極間電圧で除した値（Ｖ２．５ｋＡ／Ｖ１ｍＡ）と
して評価した。以上の結果を表１に示す。
直径約３２ｍｍに収縮）を研磨、洗浄した後、アルミニ
ウム電極を形成し、各種電気特性を測定した。制限電圧
比の評価条件は以下のように設定した。即ち、小電流域
制限電圧比は、素子に１ｍＡ通電した際の素子の両端電
極間電圧を、１０μＡ通電した際の素子の両端電極間電
圧で除した値（Ｖ１ｍＡ／Ｖ１０μＡ）として評価し、
大電流域制限電圧比は、素子に２．５ｋＡ通電した際の
素子の両端電極間電圧を、１ｍＡ通電した際の素子の両
端電極間電圧で除した値（Ｖ２．５ｋＡ／Ｖ１ｍＡ）と
して評価した。以上の結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】表に示すように、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ（実施例１〜１
２）を添加した素子のバリスタ電圧は、希土類元素が無
添加の素子（比較例１）及び他の希土類元素であるＬ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ（比較例２〜６）を添加し
た素子に比べていずれも増加し、概ね４５０Ｖ／ｍｍ近
くの値が得られた。また、素子の大電流域制限電圧比
は、これら希土類元素を添加することで、少なくとも
０．１以上小さくする効果が得られた。
ｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ（実施例１〜１
２）を添加した素子のバリスタ電圧は、希土類元素が無
添加の素子（比較例１）及び他の希土類元素であるＬ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ（比較例２〜６）を添加し
た素子に比べていずれも増加し、概ね４５０Ｖ／ｍｍ近
くの値が得られた。また、素子の大電流域制限電圧比
は、これら希土類元素を添加することで、少なくとも
０．１以上小さくする効果が得られた。
【００３７】なお、小電流域制限電圧比は、実施例１か
ら１２のほうが、比較例１から６よりも逆に悪化してい
る。しかし、添加する希土類元素の中でもＨｏ、Ｙ、Ｅ
ｒ、Ｙｂは、小電流域制限電圧比は比較例１〜６よりも
依然高いとはいえ、Ｅｕ、Ｇｄを添加した場合に比べて
小さい。Ｔｍ、Ｌｕ、Ｔｂ、Ｄｙも小電流域制限電圧比
は小さいが、ＴｍとＬｕは他の希土類元素化合物に比べ
て非常に高価であり、また、ＴｂとＤｙは、確かに小電
流域制限電圧比は小さいが、大電流域制限電圧比が大き
いので実用上望ましくない。従って、バリスタ電圧が大
きく且つ大電流域制限電圧比が小さく、さらに小電流域
制限電圧比の悪化を最小限に抑えた素子を得るには、Ｈ
ｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂの少なくとも１種類以上を添加する
ことが最適であると言える。
ら１２のほうが、比較例１から６よりも逆に悪化してい
る。しかし、添加する希土類元素の中でもＨｏ、Ｙ、Ｅ
ｒ、Ｙｂは、小電流域制限電圧比は比較例１〜６よりも
依然高いとはいえ、Ｅｕ、Ｇｄを添加した場合に比べて
小さい。Ｔｍ、Ｌｕ、Ｔｂ、Ｄｙも小電流域制限電圧比
は小さいが、ＴｍとＬｕは他の希土類元素化合物に比べ
て非常に高価であり、また、ＴｂとＤｙは、確かに小電
流域制限電圧比は小さいが、大電流域制限電圧比が大き
いので実用上望ましくない。従って、バリスタ電圧が大
きく且つ大電流域制限電圧比が小さく、さらに小電流域
制限電圧比の悪化を最小限に抑えた素子を得るには、Ｈ
ｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂの少なくとも１種類以上を添加する
ことが最適であると言える。
【００３８】さらに、上記実施例の希土類元素を添加し
て得られる素子の特徴を調査するために次のような実験
を行った。上記実施例の希土類元素を添加すると、Ｚｎ
Ｏ粒子内または粒界に析出粒子を形成することは上記実
施の形態で説明したとおりだが、Ｘ線回析法（ＸＲＤ）
にてこの析出粒子から得られる面間隔を測定した。素子
は、安価で安定供給が可能なＹ2Ｏ3（実施例６）を用い
た。また、測定によって得られた実施例６のＸ線回析ピ
ークが、本当に析出粒子によるものかどうかを確かめる
ために、人工的に析出粒子と同じ組成の物質を作製し
て、Ｘ線回析法で面間隔を測定した。
て得られる素子の特徴を調査するために次のような実験
を行った。上記実施例の希土類元素を添加すると、Ｚｎ
Ｏ粒子内または粒界に析出粒子を形成することは上記実
施の形態で説明したとおりだが、Ｘ線回析法（ＸＲＤ）
にてこの析出粒子から得られる面間隔を測定した。素子
は、安価で安定供給が可能なＹ2Ｏ3（実施例６）を用い
た。また、測定によって得られた実施例６のＸ線回析ピ
ークが、本当に析出粒子によるものかどうかを確かめる
ために、人工的に析出粒子と同じ組成の物質を作製し
て、Ｘ線回析法で面間隔を測定した。
【００３９】析出粒子と同じ組成の物質の作製方法は以
下のとおりである。上記実施の形態で説明したように、
析出粒子は、添加した希土類元素（Ｒ）−ビスマス−ア
ンチモン−亜鉛−マンガンで構成されている。そこで、
この析出粒子を、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、ＥＰＭＡ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｓｉ
ｓ）、ＸＲＤ（Ｘ−ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏ
ｎ）、及びＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖ
ｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）付き透過
電子顕微鏡（ＴＥＭ）等の分析法によって調査すると、
その元素比がほぼ１３：３：１３：８：１であることが
分かった（特願平８−１０１２０２号に記載）。この分
析した元素比に基づいて、酸化イットリウム、酸化ビス
マス、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化マンガンを混合
し、上記実施例と同一条件で焼成を行った。こうして作
成された析出粒子と同じ組成を持つ物質は、添加したす
べての元素が局在することなく均一に存在する、即ち単
相であることを上記ＳＥＭ及びＥＰＭＡによって確認し
た。
下のとおりである。上記実施の形態で説明したように、
析出粒子は、添加した希土類元素（Ｒ）−ビスマス−ア
ンチモン−亜鉛−マンガンで構成されている。そこで、
この析出粒子を、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、ＥＰＭＡ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｓｉ
ｓ）、ＸＲＤ（Ｘ−ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏ
ｎ）、及びＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖ
ｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）付き透過
電子顕微鏡（ＴＥＭ）等の分析法によって調査すると、
その元素比がほぼ１３：３：１３：８：１であることが
分かった（特願平８−１０１２０２号に記載）。この分
析した元素比に基づいて、酸化イットリウム、酸化ビス
マス、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化マンガンを混合
し、上記実施例と同一条件で焼成を行った。こうして作
成された析出粒子と同じ組成を持つ物質は、添加したす
べての元素が局在することなく均一に存在する、即ち単
相であることを上記ＳＥＭ及びＥＰＭＡによって確認し
た。
【００４０】実施例６の素子と析出粒子のみの物質との
Ｘ線回折パターンを図２に示す。図において、縦軸は回
析Ｘ線強度Ｉ（ｃｐｓ）、横軸は上記実施の形態で説明
したブラッグ条件における入射Ｘ線及び回析Ｘ線が結晶
格子面となす角度θである。なお、ここでは２θ（ｄｅ
ｇ．）で示している。図に示すように、析出粒子と同じ
物質の５カ所のＸ線回析ピークと同じ箇所（丸で囲んだ
部分）に、実施例６の素子のＸ線回析ピークも現れてお
り、従って、実施例６の５カ所のＸ線回析ピークは、素
子中にＹ2Ｏ3を添加することによって形成された析出粒
子によるものであることが確認できる。析出粒子から得
られる回析ピークは、丸で囲んだ５つだけではなく、他
にもいくつか小さな回析強度のピークが存在すること
が、図２の「偏析粒子のみ」のピークから分かる。しか
し、これらの回析ピークは、素子内に存在する他の生成
物から得られる回析ピークと重なったり、強度が非常に
弱いため検出が困難である。素子中のＺｎＯをエッチン
グすることなく容易に検出できるのが、図２に示した丸
で囲まれた５つのピークである。
Ｘ線回折パターンを図２に示す。図において、縦軸は回
析Ｘ線強度Ｉ（ｃｐｓ）、横軸は上記実施の形態で説明
したブラッグ条件における入射Ｘ線及び回析Ｘ線が結晶
格子面となす角度θである。なお、ここでは２θ（ｄｅ
ｇ．）で示している。図に示すように、析出粒子と同じ
物質の５カ所のＸ線回析ピークと同じ箇所（丸で囲んだ
部分）に、実施例６の素子のＸ線回析ピークも現れてお
り、従って、実施例６の５カ所のＸ線回析ピークは、素
子中にＹ2Ｏ3を添加することによって形成された析出粒
子によるものであることが確認できる。析出粒子から得
られる回析ピークは、丸で囲んだ５つだけではなく、他
にもいくつか小さな回析強度のピークが存在すること
が、図２の「偏析粒子のみ」のピークから分かる。しか
し、これらの回析ピークは、素子内に存在する他の生成
物から得られる回析ピークと重なったり、強度が非常に
弱いため検出が困難である。素子中のＺｎＯをエッチン
グすることなく容易に検出できるのが、図２に示した丸
で囲まれた５つのピークである。
【００４１】なお、図中に「エッチング後」とあるの
は、素子中に存在する析出粒子によるピークをより明瞭
にするために、実施例６の素子の主成分であるＺｎＯを
過塩素酸水溶液に２４時間浸してエッチング除去したも
ののＸ線回析パターンである。ＺｎＯをエッチングする
ことで、析出粒子によるＸ線回析ピークの場所は変化す
ることなく明瞭に現わすことができる。
は、素子中に存在する析出粒子によるピークをより明瞭
にするために、実施例６の素子の主成分であるＺｎＯを
過塩素酸水溶液に２４時間浸してエッチング除去したも
ののＸ線回析パターンである。ＺｎＯをエッチングする
ことで、析出粒子によるＸ線回析ピークの場所は変化す
ることなく明瞭に現わすことができる。
【００４２】なお、ＥＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｉｆｆ
ｒａｃｔｉｏｎ）法でも、比較例７の析出粒子が、実施
例６の素子中の析出粒子と同一であることを確認した。
ｒａｃｔｉｏｎ）法でも、比較例７の析出粒子が、実施
例６の素子中の析出粒子と同一であることを確認した。
【００４３】次に、代表的な希土類元素であるＥｕ（実
施例１）、Ｈｏ（実施例５）、Ｅｒ（実施例７）、Ｙｂ
（実施例９）、Ｌｕ（実施例１０）を添加した素子を、
上記と同様にＸ線回析法で解析した。図３は、このとき
のＸ線回折パターン示す図である。なお、比較のため
に、先ほど析出粒子の存在を確認した実施例６の素子の
Ｘ線回析パターンと、比較例１（希土類元素無添加）及
び比較例２（Ｌａ添加）のＸ線回析パターンも合わせて
掲載している。図に示すように、先ほど析出粒子の存在
を確認した実施例６の素子と同じ５カ所に、実施例１、
５、７、９、１０の素子のＸ線回析ピークも出現し、析
出粒子が形成されていること分かる。これに対して、比
較例１及び比較例２は、実施例６と同じ５カ所にＸ線回
析ピークが検出されず、析出粒子が形成されていないこ
とが分かる。
施例１）、Ｈｏ（実施例５）、Ｅｒ（実施例７）、Ｙｂ
（実施例９）、Ｌｕ（実施例１０）を添加した素子を、
上記と同様にＸ線回析法で解析した。図３は、このとき
のＸ線回折パターン示す図である。なお、比較のため
に、先ほど析出粒子の存在を確認した実施例６の素子の
Ｘ線回析パターンと、比較例１（希土類元素無添加）及
び比較例２（Ｌａ添加）のＸ線回析パターンも合わせて
掲載している。図に示すように、先ほど析出粒子の存在
を確認した実施例６の素子と同じ５カ所に、実施例１、
５、７、９、１０の素子のＸ線回析ピークも出現し、析
出粒子が形成されていること分かる。これに対して、比
較例１及び比較例２は、実施例６と同じ５カ所にＸ線回
析ピークが検出されず、析出粒子が形成されていないこ
とが分かる。
【００４４】なお、図３を良く検討すると、実施例１か
ら１０に行くに従って、析出粒子によるＸ線の回析ピー
クが少しずつ高角側に移動していることが分かる。これ
は、添加する希土類元素のイオン半径によるものであ
る。表２に、このイオン半径と上記Ｘ線回析パターンか
ら計算した面間隔を合わせて掲載した。
ら１０に行くに従って、析出粒子によるＸ線の回析ピー
クが少しずつ高角側に移動していることが分かる。これ
は、添加する希土類元素のイオン半径によるものであ
る。表２に、このイオン半径と上記Ｘ線回析パターンか
ら計算した面間隔を合わせて掲載した。
【００４５】
【表２】
【００４６】表に示すように、イオン半径が小さくなる
と、面間隔も小さくなることが分かる。これにより、図
３では、最も大きいイオン半径を持つＥｕを添加した実
施例１から、最も小さいイオン半径を持つＬｕを添加し
た実施例１０に行くに従って、Ｘ線回析ピークが高角側
に移動している。
と、面間隔も小さくなることが分かる。これにより、図
３では、最も大きいイオン半径を持つＥｕを添加した実
施例１から、最も小さいイオン半径を持つＬｕを添加し
た実施例１０に行くに従って、Ｘ線回析ピークが高角側
に移動している。
【００４７】実施例２、３、４、８の素子の析出粒子の
面間隔がどのくらいの値をとるかは、上記イオン半径を
利用することにより推測ができる。図４は、上記表２に
おける面間隔とイオン半径との関係をグラフに書き直し
たものである。図に示すように、イオン半径の増加と共
に、面間隔は直線的に増加していることが分かる。従っ
て、実施例２、３、４、８に関しては、析出粒子を形成
する希土類元素の中でイオン半径が最も小さいＬｕを添
加して得られる面間隔を最小値とし、イオン半径が最も
大きいＥｕを添加して得られる面間隔を最大値とした間
の値をとると言える。即ち、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの少なくとも１種類
以上を添加すれば、その析出粒子から得られる複数の面
間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、
ｄ５とすると、それぞれが２．８５Å≦ｄ１≦２．９１
Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９Å、１．７７Å≦ｄ３
≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４≦１．６１Å、１．５
４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に存在すると言える。
面間隔がどのくらいの値をとるかは、上記イオン半径を
利用することにより推測ができる。図４は、上記表２に
おける面間隔とイオン半径との関係をグラフに書き直し
たものである。図に示すように、イオン半径の増加と共
に、面間隔は直線的に増加していることが分かる。従っ
て、実施例２、３、４、８に関しては、析出粒子を形成
する希土類元素の中でイオン半径が最も小さいＬｕを添
加して得られる面間隔を最小値とし、イオン半径が最も
大きいＥｕを添加して得られる面間隔を最大値とした間
の値をとると言える。即ち、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの少なくとも１種類
以上を添加すれば、その析出粒子から得られる複数の面
間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、
ｄ５とすると、それぞれが２．８５Å≦ｄ１≦２．９１
Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９Å、１．７７Å≦ｄ３
≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４≦１．６１Å、１．５
４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に存在すると言える。
【００４８】また、添加する希土類元素をＨｏ、Ｙ、Ｅ
ｒ、Ｙｂの少なくとも１種類以上に限れば、バリスタ電
圧が大きく且つ大電流域制限電圧比が小さくすると共
に、さらに小電流域制限電圧比の悪化を最小限に抑えた
素子が得られることは上述したが、この希土類元素につ
いて表２に示す面間隔を見ると、５つの面間隔はそれぞ
れ２．８６Å≦ｄ１≦２．８８Å、１．８５Å≦ｄ２≦
１．８６Å、１．７８Å≦ｄ３≦１．７９Å、１．５７
Å≦ｄ４≦１．５８Å、１．５５Å≦ｄ５≦１．５６Å
の範囲に存在することが分かる。
ｒ、Ｙｂの少なくとも１種類以上に限れば、バリスタ電
圧が大きく且つ大電流域制限電圧比が小さくすると共
に、さらに小電流域制限電圧比の悪化を最小限に抑えた
素子が得られることは上述したが、この希土類元素につ
いて表２に示す面間隔を見ると、５つの面間隔はそれぞ
れ２．８６Å≦ｄ１≦２．８８Å、１．８５Å≦ｄ２≦
１．８６Å、１．７８Å≦ｄ３≦１．７９Å、１．５７
Å≦ｄ４≦１．５８Å、１．５５Å≦ｄ５≦１．５６Å
の範囲に存在することが分かる。
【００４９】なお、上記比較例２から６の析出粒子を形
成しない希土類元素に、上記実施例１から１０の析出粒
子を形成する希土類元素添加する場合においても、析出
粒子を形成する希土類元素を添加する限り、析出粒子が
形成された希土類元素に依存した面間隔が得られる。
成しない希土類元素に、上記実施例１から１０の析出粒
子を形成する希土類元素添加する場合においても、析出
粒子を形成する希土類元素を添加する限り、析出粒子が
形成された希土類元素に依存した面間隔が得られる。
【００５０】以上の内容をまとめると、少なくとも１種
類の希土類元素を添加し、この希土類元素のうちさらに
少なくとも１種類がＥｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、
Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕであれば析出粒子を形成
し、その析出粒子から得られる複数の面間隔ｄｎ（Å）
のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、
それぞれが２．８５Å≦ｄ１≦２．９１Å、１．８３Å
≦ｄ２≦１．８９Å、１．７７Å≦ｄ３≦１．８２Å、
１．５６Å≦ｄ４≦１．６１Å、１．５４Å≦ｄ５≦
１．６０Åの範囲に存在する。そしてこの条件を持つ素
子が、バリスタ電圧を大きくすると同時に、大電流域制
限電圧比を小さくすることができる。
類の希土類元素を添加し、この希土類元素のうちさらに
少なくとも１種類がＥｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、
Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕであれば析出粒子を形成
し、その析出粒子から得られる複数の面間隔ｄｎ（Å）
のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、
それぞれが２．８５Å≦ｄ１≦２．９１Å、１．８３Å
≦ｄ２≦１．８９Å、１．７７Å≦ｄ３≦１．８２Å、
１．５６Å≦ｄ４≦１．６１Å、１．５４Å≦ｄ５≦
１．６０Åの範囲に存在する。そしてこの条件を持つ素
子が、バリスタ電圧を大きくすると同時に、大電流域制
限電圧比を小さくすることができる。
【００５１】また、添加する希土類元素を、Ｈｏ、Ｙ、
Ｅｒ、Ｙｂのうちの少なくとも１種類に限れば、バリス
タ電圧が大きく且つ大電流域制限電圧比が小さくすると
共に、さらに小電流域制限電圧比の悪化を最小限に抑え
た素子を得ることができる。また、析出粒子から得られ
る複数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ
３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８６Å≦ｄ１
≦２．８８Å、１．８５Å≦ｄ２≦１．８６Å、１．７
８Å≦ｄ３≦１．７９Å、１．５７Å≦ｄ４≦１．５８
Å、１．５５Å≦ｄ５≦１．５６Åの範囲に存在する。
Ｅｒ、Ｙｂのうちの少なくとも１種類に限れば、バリス
タ電圧が大きく且つ大電流域制限電圧比が小さくすると
共に、さらに小電流域制限電圧比の悪化を最小限に抑え
た素子を得ることができる。また、析出粒子から得られ
る複数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ
３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８６Å≦ｄ１
≦２．８８Å、１．８５Å≦ｄ２≦１．８６Å、１．７
８Å≦ｄ３≦１．７９Å、１．５７Å≦ｄ４≦１．５８
Å、１．５５Å≦ｄ５≦１．５６Åの範囲に存在する。
【００５２】なお、以上の実施例に述べた面間隔の測定
は、室温でＸ線回折法（ＸＲＤ）で行ったものである
が、電子線回折法（ＥＤ）、高速反射電子線回折法（Ｒ
ｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｉｇｈ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、低速電子線
回折法（Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄ
ｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）等の手法を用いても良い。
は、室温でＸ線回折法（ＸＲＤ）で行ったものである
が、電子線回折法（ＥＤ）、高速反射電子線回折法（Ｒ
ｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｉｇｈ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、低速電子線
回折法（Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄ
ｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）等の手法を用いても良い。
【００５３】実施例１３．〜１７．以上の各実施例に記
載の電圧非直線性抵抗体を搭載することによって、各種
電圧系統用避雷器が、従来の電圧非直線性抵抗体を搭載
した場合と比較して小型化が可能となる。表３に各種電
圧系統用避雷器に適用した結果を示す。避雷器の保護特
性の改善については上記実施例に記した電圧非直線性抵
抗体における非直線性の改善内容がそのまま言える。
載の電圧非直線性抵抗体を搭載することによって、各種
電圧系統用避雷器が、従来の電圧非直線性抵抗体を搭載
した場合と比較して小型化が可能となる。表３に各種電
圧系統用避雷器に適用した結果を示す。避雷器の保護特
性の改善については上記実施例に記した電圧非直線性抵
抗体における非直線性の改善内容がそのまま言える。
【００５４】表３は、従来の避雷器とこの発明の避雷器
とについて、送電系統の電圧毎に外形寸法と容積とを比
較して示したものである。従来とあるのは、従来の電圧
非直線抵抗体を用いた従来の避雷器であり、本発明とあ
るのは、この発明の電圧非直線抵抗体を用いた避雷器で
ある。外形寸法の欄の上段は直径を、下段は高さを示
す。
とについて、送電系統の電圧毎に外形寸法と容積とを比
較して示したものである。従来とあるのは、従来の電圧
非直線抵抗体を用いた従来の避雷器であり、本発明とあ
るのは、この発明の電圧非直線抵抗体を用いた避雷器で
ある。外形寸法の欄の上段は直径を、下段は高さを示
す。
【００５５】
【表３】
【００５６】表から分かるように、いずれの送電系統に
おいても従来に比べて外形寸法が小形化しており、容積
は、従来のものを１とするとこの発明のものは０．４１
〜０．６８と著しく小形化している。
おいても従来に比べて外形寸法が小形化しており、容積
は、従来のものを１とするとこの発明のものは０．４１
〜０．６８と著しく小形化している。
【００５７】図５は、この発明の実施例１３に係る１０
００ｋＶ避雷器の構造図である。図において、７は電圧
非直線抵抗体、８は絶縁スペーサ、９はシールドであ
る。点線は従来の１０００ｋＶ避雷器の外形寸法を示
す。
００ｋＶ避雷器の構造図である。図において、７は電圧
非直線抵抗体、８は絶縁スペーサ、９はシールドであ
る。点線は従来の１０００ｋＶ避雷器の外形寸法を示
す。
【００５８】図６は、この発明の実施例１４に係る５０
０ｋＶ避雷器の構造図である。点線は従来の５００ｋＶ
避雷器の外形寸法を示す。
０ｋＶ避雷器の構造図である。点線は従来の５００ｋＶ
避雷器の外形寸法を示す。
【００５９】図７はこの発明の実施例１５に係る２７５
ｋＶ避雷器の構造図である。点線は従来の２７５ｋＶ避
雷器の外形を示す。
ｋＶ避雷器の構造図である。点線は従来の２７５ｋＶ避
雷器の外形を示す。
【００６０】図８はこの発明の実施例１６に係る１５４
ｋＶ避雷器の構造図である。点線は従来の１５４ｋＶ避
雷器の外形寸法を示す。図において、１０は絶縁パイプ
である。
ｋＶ避雷器の構造図である。点線は従来の１５４ｋＶ避
雷器の外形寸法を示す。図において、１０は絶縁パイプ
である。
【００６１】図９はこの発明の実施例１７に係る６６／
７７ｋＶ避雷器の構造図である。点線は従来の６６／７
７ｋＶ避雷器の外径寸法を示す。
７７ｋＶ避雷器の構造図である。点線は従来の６６／７
７ｋＶ避雷器の外径寸法を示す。
【００６２】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、酸化亜鉛を主成分とし、複数種類の希土類元素を
有し、この希土類元素のうち少なくとも１種類がＥｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬ
ｕから選ばれるものであり、かつＢｉ、Ｓｂを有する組
成物の焼結体であって、前記酸化亜鉛粒子内または粒界
には析出粒子が形成され、この析出粒子から得られる複
数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、
ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８５Å≦ｄ１≦
２．９１Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９Å、１．７７
Å≦ｄ３≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４≦１．６１
Å、１．５４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に存在するの
で、バリスタ電圧が大きく、大電流域制限電圧比が小さ
い電圧非直線抵抗体を得る効果がある。
れば、酸化亜鉛を主成分とし、複数種類の希土類元素を
有し、この希土類元素のうち少なくとも１種類がＥｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬ
ｕから選ばれるものであり、かつＢｉ、Ｓｂを有する組
成物の焼結体であって、前記酸化亜鉛粒子内または粒界
には析出粒子が形成され、この析出粒子から得られる複
数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、
ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８５Å≦ｄ１≦
２．９１Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９Å、１．７７
Å≦ｄ３≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４≦１．６１
Å、１．５４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に存在するの
で、バリスタ電圧が大きく、大電流域制限電圧比が小さ
い電圧非直線抵抗体を得る効果がある。
【００６３】また、請求項２の発明によれば、酸化亜鉛
を主成分とし、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも１種類
の希土類元素を有し、かつＢｉ、Ｓｂを有する組成物の
焼結体であって、前記酸化亜鉛粒子内または粒界には析
出粒子が形成され、この析出粒子から得られる複数の面
間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、
ｄ５とすると、それぞれが２．８５Å≦ｄ１≦２．９１
Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９Å、１．７７Å≦ｄ３
≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４≦１．６１Å、１．５
４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に存在するので、バリス
タ電圧が大きく、大電流域制限電圧比が小さい電圧非直
線抵抗体を得る効果がある。
を主成分とし、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも１種類
の希土類元素を有し、かつＢｉ、Ｓｂを有する組成物の
焼結体であって、前記酸化亜鉛粒子内または粒界には析
出粒子が形成され、この析出粒子から得られる複数の面
間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、
ｄ５とすると、それぞれが２．８５Å≦ｄ１≦２．９１
Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９Å、１．７７Å≦ｄ３
≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４≦１．６１Å、１．５
４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に存在するので、バリス
タ電圧が大きく、大電流域制限電圧比が小さい電圧非直
線抵抗体を得る効果がある。
【００６４】また、請求項３の発明によれば、酸化亜鉛
を主成分とし、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ及びＹｂから選ばれる少
なくとも１種類の希土類元素を有し、かつＢｉ、Ｓｂを
有する組成物の焼結体であって、前記酸化亜鉛粒子内ま
たは粒界には析出粒子が形成され、この析出粒子から得
られる複数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ
２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８６Å
≦ｄ１≦２．８８Å、１．８５Å≦ｄ２≦１．８６Å、
１．７８Å≦ｄ３≦１．７９Å、１．５７Å≦ｄ４≦
１．５８Å、１．５５Å≦ｄ５≦１．５６Åの範囲に存
在するので、バリスタ電圧が大きく、大電流域制限電圧
比が小さく、且つ小電流域制限電圧比の悪化を最小限に
抑えた電圧非直線抵抗体を得る効果がある。
を主成分とし、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ及びＹｂから選ばれる少
なくとも１種類の希土類元素を有し、かつＢｉ、Ｓｂを
有する組成物の焼結体であって、前記酸化亜鉛粒子内ま
たは粒界には析出粒子が形成され、この析出粒子から得
られる複数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ
２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８６Å
≦ｄ１≦２．８８Å、１．８５Å≦ｄ２≦１．８６Å、
１．７８Å≦ｄ３≦１．７９Å、１．５７Å≦ｄ４≦
１．５８Å、１．５５Å≦ｄ５≦１．５６Åの範囲に存
在するので、バリスタ電圧が大きく、大電流域制限電圧
比が小さく、且つ小電流域制限電圧比の悪化を最小限に
抑えた電圧非直線抵抗体を得る効果がある。
【００６５】また、請求項４の発明によれば、面間隔の
測定は、室温でＸ線回折法にて行うので、析出粒子の面
間隔を簡単に精度良く測定することができる。
測定は、室温でＸ線回折法にて行うので、析出粒子の面
間隔を簡単に精度良く測定することができる。
【００６６】また、請求項５の発明によれば、請求項１
から４のいずれか一項に記載の電圧非直線性抵抗体を搭
載したので、小型で保護特性の良い避雷器を得る効果が
ある。
から４のいずれか一項に記載の電圧非直線性抵抗体を搭
載したので、小型で保護特性の良い避雷器を得る効果が
ある。
【図１】 この発明の実施の形態による電圧非直線抵抗
体の結晶組織を示す模式図である。
体の結晶組織を示す模式図である。
【図２】 この発明の実施の形態による電圧非直線抵抗
体のＸ線回析パターンを示す図である。
体のＸ線回析パターンを示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態による電圧非直線抵抗
体のＸ線回析パターンを示す図である。
体のＸ線回析パターンを示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態による電圧非直線抵抗
体の添加元素のイオン半径と面間隔との関係を示す図で
ある。
体の添加元素のイオン半径と面間隔との関係を示す図で
ある。
【図５】 この発明の実施の形態による避雷器を示す構
造図である。
造図である。
【図６】 この発明の実施の形態による避雷器を示す構
造図である。
造図である。
【図７】 この発明の実施の形態による避雷器を示す構
造図である。
造図である。
【図８】 この発明の実施の形態による避雷器を示す構
造図である。
造図である。
【図９】 この発明の実施の形態による避雷器を示す構
造図である。
造図である。
【図１０】 一般的な酸化亜鉛バリスタの構造を示す模
式図である。
式図である。
【図１１】 従来の電圧非直線抵抗体の結晶組織を示す
模式図である。
模式図である。
【図１２】 一般的な電圧非直線抵抗体の電圧−電流特
性を示す特性図である。
性を示す特性図である。
１ スピネル粒子、２ 酸化亜鉛粒子、３ ケイ酸亜鉛
粒子、４ 酸化ビスマス、５ Ｙ−Ｂｉ−Ｓｂ−Ｚｎ−
Ｍｎ−Ｏ共存酸化物粒子、６ 双晶境界、７ 電圧非直
線抵抗体、８ 絶縁スペーサ、９ シールド、１０ 絶
縁パイプ
粒子、４ 酸化ビスマス、５ Ｙ−Ｂｉ−Ｓｂ−Ｚｎ−
Ｍｎ−Ｏ共存酸化物粒子、６ 双晶境界、７ 電圧非直
線抵抗体、８ 絶縁スペーサ、９ シールド、１０ 絶
縁パイプ
フロントページの続き (72)発明者 堀 昭夫 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (72)発明者 和田 理 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (72)発明者 小林 正洋 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (72)発明者 古瀬 直美 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (72)発明者 石辺 信治 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (72)発明者 濱 光紀 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (72)発明者 七宮 正一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−163903（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−149401（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−222404（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−53907（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化亜鉛を主成分とし、複数種類の希土
類元素を有し、この希土類元素のうち少なくとも１種類
がＥｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ及びＬｕから選ばれるものであり、かつＢｉ、Ｓｂを
有する組成物の焼結体であって、前記酸化亜鉛粒子内ま
たは粒界には析出粒子が形成され、この析出粒子から得
られる複数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つをｄ１、ｄ
２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが２．８５Å
≦ｄ１≦２．９１Å、１．８３Å≦ｄ２≦１．８９Å、
１．７７Å≦ｄ３≦１．８２Å、１．５６Å≦ｄ４≦
１．６１Å、１．５４Å≦ｄ５≦１．６０Åの範囲に存
在することを特徴とする電圧非直線抵抗体。 - 【請求項２】 酸化亜鉛を主成分とし、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選
ばれる少なくとも１種類の希土類元素を有し、かつＢ
ｉ、Ｓｂを有する組成物の焼結体であって、前記酸化亜
鉛粒子内または粒界には析出粒子が形成され、この析出
粒子から得られる複数の面間隔ｄｎ（Å）のうち５つを
ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、それぞれが
２．８５Å≦ｄ１≦２．９１Å、１．８３Å≦ｄ２≦
１．８９Å、１．７７Å≦ｄ３≦１．８２Å、１．５６
Å≦ｄ４≦１．６１Å、１．５４Å≦ｄ５≦１．６０Å
の範囲に存在することを特徴とする電圧非直線抵抗体。 - 【請求項３】 酸化亜鉛を主成分とし、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ
及びＹｂから選ばれる少なくとも１種類の希土類元素を
有し、かつＢｉ、Ｓｂを有する組成物の焼結体であっ
て、前記酸化亜鉛粒子内または粒界には析出粒子が形成
され、この析出粒子から得られる複数の面間隔ｄｎ
（Å）のうち５つをｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とす
ると、それぞれが２．８６Å≦ｄ１≦２．８８Å、１．
８５Å≦ｄ２≦１．８６Å、１．７８Å≦ｄ３≦１．７
９Å、１．５７Å≦ｄ４≦１．５８Å、１．５５Å≦ｄ
５≦１．５６Åの範囲に存在することを特徴とする電圧
非直線抵抗体。 - 【請求項４】 面間隔の測定は、室温でＸ線回折法にて
行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に
記載の電圧非直線抵抗体。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれか一項に記載の
電圧非直線性抵抗体を搭載したことを特徴とする避雷
器。
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