JPS5827643B2 - 非直線抵抗体およびその製法 - Google Patents
非直線抵抗体およびその製法Info
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- JPS5827643B2 JPS5827643B2 JP54088265A JP8826579A JPS5827643B2 JP S5827643 B2 JPS5827643 B2 JP S5827643B2 JP 54088265 A JP54088265 A JP 54088265A JP 8826579 A JP8826579 A JP 8826579A JP S5827643 B2 JPS5827643 B2 JP S5827643B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- oxide
- resistor
- temperature
- sintered body
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/102—Varistor boundary, e.g. surface layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアレスタやサージアブソーバなどに使用できる
酸化亜鉛を主成分とした焼結体からなる非直線抵抗体と
その製法に関するものである。
酸化亜鉛を主成分とした焼結体からなる非直線抵抗体と
その製法に関するものである。
酸化亜鉛系の非直線抵抗体は一般に良く知られているセ
ラミック焼結技術で製造される。
ラミック焼結技術で製造される。
その概要は酸化亜鉛粉末を主成分として、それに酸化ビ
スマス、酸化アンチモン、酸化コバルト、酸化クローム
、酸化はう素、酸化マンガン、酸化ニッケルなどを加え
十分に混合し、これに水及びポリビニールアルコールな
どの適当なバインダーを加えて造粒して成形する。
スマス、酸化アンチモン、酸化コバルト、酸化クローム
、酸化はう素、酸化マンガン、酸化ニッケルなどを加え
十分に混合し、これに水及びポリビニールアルコールな
どの適当なバインダーを加えて造粒して成形する。
焼成は電気炉を用いて900〜1400℃の温度で焼成
する。
する。
沿面放電防止の目的で抵抗体の側面にホウケイ酸鉛系、
ホウケイ酸亜鉛系の低融点ガラス膜を500〜800℃
で焼付けた後、電極を形成する両端面を所定の厚さに研
磨調整し、溶射または焼付は法によって電極を形成して
非直線抵抗体としている。
ホウケイ酸亜鉛系の低融点ガラス膜を500〜800℃
で焼付けた後、電極を形成する両端面を所定の厚さに研
磨調整し、溶射または焼付は法によって電極を形成して
非直線抵抗体としている。
しかし、この方法で得られた抵抗体には次のような欠点
がある。
がある。
第1にはガラスを500〜800℃で焼付けると、抵抗
体の非直線係数がガラス焼付は前にくらべて小さくなる
という欠点がある。
体の非直線係数がガラス焼付は前にくらべて小さくなる
という欠点がある。
また、第2には、用いるガラスの耐酸性が悪いために電
極被着前のエツチング処理時あるいは、アレスタのよう
に窒素中に封入して使用されると、コロナにより生成す
る硝酸ガスによってガラスが侵されて、抵抗体の沿面耐
圧が低下する欠点がある。
極被着前のエツチング処理時あるいは、アレスタのよう
に窒素中に封入して使用されると、コロナにより生成す
る硝酸ガスによってガラスが侵されて、抵抗体の沿面耐
圧が低下する欠点がある。
本発明は上記に鑑みてなされたもので非直線係数など特
性の安定な非直線抵抗体並びにその製法を提供するにあ
る。
性の安定な非直線抵抗体並びにその製法を提供するにあ
る。
本発明の特徴は酸化亜鉛を主成分とした抵抗体から戒る
非直線抵抗体の側面に高融点ガラスの被膜を850 ’
C以上で焼結体の焼結温度より低い温度で焼付け、抵抗
体上下両端面に電極を形成したものにある。
非直線抵抗体の側面に高融点ガラスの被膜を850 ’
C以上で焼結体の焼結温度より低い温度で焼付け、抵抗
体上下両端面に電極を形成したものにある。
本発明の有利な実施態様としては、上記ガラスとしてア
ルミナ珪酸系ガラスが用いられる。
ルミナ珪酸系ガラスが用いられる。
また、酸素ふん囲気中で焼成することにより非直線性が
良くなる。
良くなる。
なお、本発明の非直線抵抗体の構造を第1図に示した。
本発明者等が種々検討し、た結果、■抵抗体と電極との
密着性を良くするためには、研磨後の抵抗体表面を塩酸
や硝酸などの酸で軽くエツチングすれば良い。
密着性を良くするためには、研磨後の抵抗体表面を塩酸
や硝酸などの酸で軽くエツチングすれば良い。
このためには、側面コーテング用ガラスとして耐酸性の
ものを用いる必要があること。
ものを用いる必要があること。
■第2図に見られるように、焼成後の素子を熱処理した
場合、400〜800℃の温度範囲では素子の非直線係
数が低下するが、850℃以上テハ非直線係数は熱処理
前とほぼ同じか逆に大きくなること。
場合、400〜800℃の温度範囲では素子の非直線係
数が低下するが、850℃以上テハ非直線係数は熱処理
前とほぼ同じか逆に大きくなること。
■一般にガラスの耐酸性はガラスの中の8102量が増
すにしたがい大きくなり、同時にガラスの焼付は温度も
上昇してガラス焼付は温度が850℃以上であれば、そ
のエツチング液に対する耐腐食性は実用上問題がないこ
となどがわかった。
すにしたがい大きくなり、同時にガラスの焼付は温度も
上昇してガラス焼付は温度が850℃以上であれば、そ
のエツチング液に対する耐腐食性は実用上問題がないこ
となどがわかった。
400〜800℃の温度範囲で熱処理するとBi2O3
の相変化が起り、非直線係数が低下し、B l 20
sの融点(約820℃)以上では焼成後と同一の相を形
成し、て非直線係数が低下しないものと考える。
の相変化が起り、非直線係数が低下し、B l 20
sの融点(約820℃)以上では焼成後と同一の相を形
成し、て非直線係数が低下しないものと考える。
また酸素中で熱処理すると、酸化亜鉛の粒子表面に多量
の酸素イオンが吸着され、非直線係数が大きくなる。
の酸素イオンが吸着され、非直線係数が大きくなる。
なおガラスの焼付は温度としてはガラスの軟化温度と作
業温度の間の温度が選ばれる。
業温度の間の温度が選ばれる。
本発明の抵抗体においては、ガラスの耐酸性がすぐれて
いることを述べたが、アレスタのヨウニ抵抗体を窒素雰
囲気中に封入して使用する際には、コロナによって生成
される硝酸によりエツチングされる惧れかない。
いることを述べたが、アレスタのヨウニ抵抗体を窒素雰
囲気中に封入して使用する際には、コロナによって生成
される硝酸によりエツチングされる惧れかない。
本発明の非直線抵抗体は、酸化亜鉛にそれぞれ0.01
〜10モル%の酸化ビスマス及び酸化マンガンを加え、
さらに望ましくはそれぞれ0.01〜10モル%の酸化
コバルト、酸化アンチモン、酸化クロム、酸化はう素、
酸化珪素及び酸化ニッケルなどを加えて10000〜1
400℃で焼成する。
〜10モル%の酸化ビスマス及び酸化マンガンを加え、
さらに望ましくはそれぞれ0.01〜10モル%の酸化
コバルト、酸化アンチモン、酸化クロム、酸化はう素、
酸化珪素及び酸化ニッケルなどを加えて10000〜1
400℃で焼成する。
本発明のガラス被覆は抵抗体とガラス膜の密着性を良く
し、かつ沿面せん絡を防止するためガラス層の厚さは約
20μmは必要である。
し、かつ沿面せん絡を防止するためガラス層の厚さは約
20μmは必要である。
そのため抵抗体とガラスの線膨張係数が近いことが要求
される。
される。
酸化亜鉛抵抗体の線膨張係数は(50〜70)XIO”
7℃であるため、ガラスの線膨張係数は(30〜90)
XIO−7量°Cに制限される。
7℃であるため、ガラスの線膨張係数は(30〜90)
XIO−7量°Cに制限される。
線膨張係数の差が大きいと、熱処理して冷却するときガ
ラスに亀裂等が生じ、通電に対する安定性や沿面せん絡
防止に十分な効果をあげることができない。
ラスに亀裂等が生じ、通電に対する安定性や沿面せん絡
防止に十分な効果をあげることができない。
またガラスの成分中にNa、K。Liなどのアルカリ金
属が少ないことが要求される。
属が少ないことが要求される。
本発明の高融点ガラスの主な組成としては、酸化珪素S
i02が45〜75wt%、酸化はう素B2O3が0
.2〜15 w t%の範囲内であることが望ましい。
i02が45〜75wt%、酸化はう素B2O3が0
.2〜15 w t%の範囲内であることが望ましい。
酸化珪素がこの範囲よりも多かったり、酸化はう素が少
なかったりするとガラスの軟化点、および作業温度が高
くなりすぎて、ガラス焼付は温度が焼結温度(例えば1
350℃)以上となり好ましくない。
なかったりするとガラスの軟化点、および作業温度が高
くなりすぎて、ガラス焼付は温度が焼結温度(例えば1
350℃)以上となり好ましくない。
また、ガラスの線膨張係数が30×10−7量℃よりも
小さくなる。
小さくなる。
逆に、酸化珪素が少なすぎたり、酸化はう素が多すぎた
りするとガラスの焼付は温度が800℃以下となり、ガ
ラスの耐酸性が悪くなる。
りするとガラスの焼付は温度が800℃以下となり、ガ
ラスの耐酸性が悪くなる。
耐酸性がすぐれたガラスとしては酸化はう素が0.2〜
6wt%の範囲であることが望ましい。
6wt%の範囲であることが望ましい。
本発明のガラスは酸化マグネシュウムMgO。
酸化カルシュラムCaO、酸化バリウムBaOなとのア
ルカリ土類金属酸化物や酸化ジルコニウムZrOなどを
5〜20 w t%程度含有しても良い。
ルカリ土類金属酸化物や酸化ジルコニウムZrOなどを
5〜20 w t%程度含有しても良い。
また、酸化鉛PbO1酸化亜鉛ZnOの含有量が多すぎ
ると、ガラスの耐酸性、ガラス焼付は温度が低下する。
ると、ガラスの耐酸性、ガラス焼付は温度が低下する。
したがって、これらの含有量としては10 w t%以
下が望ましい。
下が望ましい。
本発明のガラスにおいては2〜30wt%の範囲の酸化
アルミニウムAl2O3を含有することが、耐酸性の向
上の面で特に望まし、い。
アルミニウムAl2O3を含有することが、耐酸性の向
上の面で特に望まし、い。
添加された酸化アルミニウムはガラスの分相を防止し、
ガラスの耐酸性が向上する。
ガラスの耐酸性が向上する。
但し酸化アルミニウムが多すぎると、ガラスの焼付は温
度が高くなりガラス中に歪が残り易い。
度が高くなりガラス中に歪が残り易い。
本発明の高融点ガラスの特に望ましい組成範囲は45
w t%≦SiO2≦75wt%、0.2wt%≦B2
O3≦6wt%、2wt%≦AA203≦30wt%、
残りの大部分がアルカリ土類金属酸化物及び酸化ジルコ
ニウムである。
w t%≦SiO2≦75wt%、0.2wt%≦B2
O3≦6wt%、2wt%≦AA203≦30wt%、
残りの大部分がアルカリ土類金属酸化物及び酸化ジルコ
ニウムである。
なお、ガラス層と抵抗体の界面にZn7Sb201□。
Z n 2 S t 04などから戒る高抵抗セラミッ
クス層を設けると、ガラス層と抵抗体との密着性を向上
することができる。
クス層を設けると、ガラス層と抵抗体との密着性を向上
することができる。
実施例 1
酸化亜鉛Zn02360g、酸化ビスマスBi2037
0g、酸化コバルトCO30325g、酸化アンチモン
Sb20387g、酸化マンガンMn0213 g、酸
化クロームCr20323g及び酸化珪素5i029.
?をボールミルで15時時間式混合する。
0g、酸化コバルトCO30325g、酸化アンチモン
Sb20387g、酸化マンガンMn0213 g、酸
化クロームCr20323g及び酸化珪素5i029.
?をボールミルで15時時間式混合する。
混合粉は乾燥した後造粒し、12關φ×6間に成形する
。
。
成形体は空気中1250℃で2時間保持して焼成した。
別ニ高融点ガラスとしてコーニング1723(コーニン
グ社製)カラス粉をエチルセルローズ・*トリクレン溶
液にけんだくしておき、これを抵抗体の側面に厚さ約1
50μmになるように筆塗りした。
グ社製)カラス粉をエチルセルローズ・*トリクレン溶
液にけんだくしておき、これを抵抗体の側面に厚さ約1
50μmになるように筆塗りした。
これを大気中1000℃で30分間熱処理した。
このときの昇降温速度は100’C/時である。
これにより約25μmのガラスを被覆した抵抗体の両端
面をラップマスターで約0.5iltずつ研摩し、トリ
クレン(60℃)洗浄した。
面をラップマスターで約0.5iltずつ研摩し、トリ
クレン(60℃)洗浄した。
洗浄した抵抗体はAlを溶射して電極を形成した。
この発明品と従来品(はう珪酸鉛系の低融点ガラスを用
いて700℃で焼付けたもの)との非直線係数を第1表
に示す。
いて700℃で焼付けたもの)との非直線係数を第1表
に示す。
本発明品は従来品よりも非直線係数が大きくすぐれてい
る。
る。
実施例 2
実施例1と同様に、酸化亜鉛Zn02360g、酸化ビ
スマスBi20370g、酸化コバルトCo 2032
5 g、酸化マンガンMn02139、酸化アンチモン
Sb20387g、酸化クロームCr 20323 g
、酸化珪素81029 g及び酸化はう素B2034.
9をボールミルで15時時間式で混合する。
スマスBi20370g、酸化コバルトCo 2032
5 g、酸化マンガンMn02139、酸化アンチモン
Sb20387g、酸化クロームCr 20323 g
、酸化珪素81029 g及び酸化はう素B2034.
9をボールミルで15時時間式で混合する。
混合粉は乾燥した後造粒し、121!Wφ×6間に成形
し、大気中で1230℃で2時間保持して焼成した。
し、大気中で1230℃で2時間保持して焼成した。
焼成した抵抗体は実施例1のコーニング1723ガラス
ペーストを厚さ100〜200 p、mに塗布し、大気
中で1050℃、1時間熱処理した。
ペーストを厚さ100〜200 p、mに塗布し、大気
中で1050℃、1時間熱処理した。
ガラスを被覆した抵抗体はその両端をラップマスターで
約0.8關ずつ研摩し、洗浄する。
約0.8關ずつ研摩し、洗浄する。
ここで従来品は研摩、洗浄後の抵抗体にそのままAl溶
射電極を形成した。
射電極を形成した。
本発明品は研摩、洗浄後の抵抗体を塩酸対水の1対9エ
ツチング液に5分間浸して研摩面をエツチングした後に
1?溶射電極を形成する。
ツチング液に5分間浸して研摩面をエツチングした後に
1?溶射電極を形成する。
この両者の特性を第2表に示す。
本発明品は従来品よりも非直線係数及びバリスタ電圧が
大きく、通電による電圧変化率が小さい。
大きく、通電による電圧変化率が小さい。
また衝撃電流耐量も大きくすぐれていることがわかる。
一方、従来から用いられているほう珪酸鉛系またはほう
珪酸亜鉛系ガラスを用いた抵抗体を同様にエツチング処
理したところガラスが溶解して、沿面耐圧が著しく低下
し、衝撃電流耐量も1000A以下となった。
珪酸亜鉛系ガラスを用いた抵抗体を同様にエツチング処
理したところガラスが溶解して、沿面耐圧が著しく低下
し、衝撃電流耐量も1000A以下となった。
実施例 3
実施例1と同様に、酸化亜鉛Zn02340g、酸化ビ
スマスBi203140g、酸化コバルトCo 203
259、炭酸マンガンMnCO317g、酸化アンチモ
ン5b20388!11酸化ニツケルNi023g、酸
化クロームCr2O35g、及び酸化珪素51025g
をボールミルで15時間混合する。
スマスBi203140g、酸化コバルトCo 203
259、炭酸マンガンMnCO317g、酸化アンチモ
ン5b20388!11酸化ニツケルNi023g、酸
化クロームCr2O35g、及び酸化珪素51025g
をボールミルで15時間混合する。
混合粉は乾燥した後造粒し、1211Lmφ×6皿に成
形する。
形する。
成形体は5in2−8b203−B i 203から成
るガラスペーストを塗布した後1270℃で2時間焼成
した。
るガラスペーストを塗布した後1270℃で2時間焼成
した。
坑底した抵抗体には第3表に示す各種ガラスを実施例1
と同じく100〜200μmの厚さに塗布し、所定の温
度で1時間大気中熱処理した。
と同じく100〜200μmの厚さに塗布し、所定の温
度で1時間大気中熱処理した。
ガラスを被覆した抵抗体はラップマスターで両端面約0
.5 mm研摩する。
.5 mm研摩する。
研摩した抵抗体はHNO3対HFの7対1エツチング液
中に2分間浸して研摩面をエツチング後、A7溶射電極
を形成した。
中に2分間浸して研摩面をエツチング後、A7溶射電極
を形成した。
これで抵抗体の側面にZ n 7 S b 2012及
びZ n 2 S 104から成る高抵抗セラミック層
とその上にガラス層の形成されたものが得られた。
びZ n 2 S 104から成る高抵抗セラミック層
とその上にガラス層の形成されたものが得られた。
第4表にガラスの溶出量を示すがガラスの耐酸性はガラ
ス組成によって異なり、アルミナ珪酸ガラス(コーニン
グ1723)の耐酸性が最もすぐれている。
ス組成によって異なり、アルミナ珪酸ガラス(コーニン
グ1723)の耐酸性が最もすぐれている。
次に第5表より、衝撃電流耐量もコーニング1723ガ
ラス(、%1)が最もすぐれており、次いでアルミナ珪
酸ガラス(46)、はうけい酸ガラス(A7 )の順で
ある。
ラス(、%1)が最もすぐれており、次いでアルミナ珪
酸ガラス(46)、はうけい酸ガラス(A7 )の順で
ある。
酸化ナトリウムNaOや酸化はう素B2O3が多すぎる
ガラス(A2.A3.廉4.涜5)では衝撃電流耐量は
従来の素子と同程度である。
ガラス(A2.A3.廉4.涜5)では衝撃電流耐量は
従来の素子と同程度である。
これらにおいても、エツチングの効果によって従来素子
よりも非直線係数が大きく、1mAの連続通電に対する
安定性はすぐれているが、ガラスの耐酸性が若干不充分
であり、衝撃電流耐量の向上にはいたらない。
よりも非直線係数が大きく、1mAの連続通電に対する
安定性はすぐれているが、ガラスの耐酸性が若干不充分
であり、衝撃電流耐量の向上にはいたらない。
一方、本発明の望ましいガラス組成をもった41゜/1
6.6及び/167試料では衝撃電流耐量は従来の抵抗
体の1.5倍以上ある。
6.6及び/167試料では衝撃電流耐量は従来の抵抗
体の1.5倍以上ある。
実施例 4
実施例1と同様に酸化亜鉛Zn02340.9、酸化ビ
スマスBi203140g、酸化コバルトCO2032
5g、炭酸マンガンMnCO517g、酸化アンチモン
Sb20388g、酸化珪素Si0□7g、酸化はう素
B2032gをボールミルで15時間混合する。
スマスBi203140g、酸化コバルトCO2032
5g、炭酸マンガンMnCO517g、酸化アンチモン
Sb20388g、酸化珪素Si0□7g、酸化はう素
B2032gをボールミルで15時間混合する。
混合粉は乾燥した後造粒し、12關φX6mmに成形す
る。
る。
成形体は実施例1と同じ<1250℃で2時間保持して
焼成した。
焼成した。
焼成した抵抗体には耐酸性の良いコーニング1723(
コーニング社製)ガラスと耐酸性の若干劣るコーニング
3320 (コーニング社製)ガラスを実施例と同様に
それぞれ100〜200μmの厚さに塗布し、各々11
000Cで30分間、1000℃で30分間大気中にて
熱処理した。
コーニング社製)ガラスと耐酸性の若干劣るコーニング
3320 (コーニング社製)ガラスを実施例と同様に
それぞれ100〜200μmの厚さに塗布し、各々11
000Cで30分間、1000℃で30分間大気中にて
熱処理した。
このときの申昇、降温変速度は200℃/時である。
ガラスを被覆した抵抗体はその両端面を約0.5mmず
つ研摩する。
つ研摩する。
研摩した抵抗体は実施例3と同様にHNO3対HFが7
対1エツチング液に2分間浸して研摩面をエツチングし
た後、AA溶射電極を形成した。
対1エツチング液に2分間浸して研摩面をエツチングし
た後、AA溶射電極を形成した。
こうして得た抵抗体は窒素雰囲気中に封入してコロナ対
電させ、その前後で特性の変化を調べた。
電させ、その前後で特性の変化を調べた。
コロナ放電を1時間行った前後の特性を第6表に示す。
試料のは耐酸性ガラスで、衝撃電流耐量は試験前後でほ
とんど変化がない。
とんど変化がない。
試料■は耐酸性の若干劣るガラスで、衝撃電流耐量が試
験後で約10%低下している。
験後で約10%低下している。
従来のガラスであるIP810ガラスを被覆した素子に
ついて試験したところ、試験前後で衝撃電流耐量が30
%以上低下した。
ついて試験したところ、試験前後で衝撃電流耐量が30
%以上低下した。
本発明はガラスを高温(850℃以上)で焼付けるため
抵抗体特性の非直線係数を低下することがない。
抵抗体特性の非直線係数を低下することがない。
第1図は本発明の非直線抵抗体の構造を示す図、第2図
は非直線抵抗体(焼成後)の熱処理温度と非直線係数の
変化率との関係を示す曲線図である。 1・・・・・・抵抗体、2・・・・・・ガラス層、3・
・・・・・電極、A・・・・・・大気中熱処理1時間、
B・・・・・・酸素中熱処理1時間。
は非直線抵抗体(焼成後)の熱処理温度と非直線係数の
変化率との関係を示す曲線図である。 1・・・・・・抵抗体、2・・・・・・ガラス層、3・
・・・・・電極、A・・・・・・大気中熱処理1時間、
B・・・・・・酸素中熱処理1時間。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化亜鉛を主成分とし、添加成分として酸化ビスマ
スを含む焼結体の側面が、850℃以上で前記焼結体の
焼結温度より低い焼付は温度を有する高融点耐酸性ガラ
スで被覆され、前記焼結体の両端面には電極が被着形成
されていることを特徴とする非直線抵抗体。 2、特許請求の範囲第1項記載の高融点ガラスがアルミ
ナ珪酸系ガラスであることを特徴とする非直線抵抗体。 3 酸化亜鉛を主成分とし、添加成分とし、て酸化ビス
マスを含む焼結体の側面に高融点ガラスペーストを塗布
し、酸素ふん囲気中において850’C以上で前記焼結
体の焼結温度よりも低く、かつ、ガラスの軟化温度と作
業温度の間の温度で焼付けて高融点耐酸性ガラス反覆を
形成し、前記焼結体の両端面に電極を被着することを特
徴とする非直線抵抗体の製法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54088265A JPS5827643B2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 | 非直線抵抗体およびその製法 |
SE8004476A SE445840B (sv) | 1979-07-13 | 1980-06-17 | En olinjer resistor samt en process for dess framstellning |
US06/163,296 US4319215A (en) | 1979-07-13 | 1980-06-26 | Non-linear resistor and process for producing same |
DE3026200A DE3026200C2 (de) | 1979-07-13 | 1980-07-10 | Nichtlinearer Widerstand |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54088265A JPS5827643B2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 | 非直線抵抗体およびその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5613702A JPS5613702A (en) | 1981-02-10 |
JPS5827643B2 true JPS5827643B2 (ja) | 1983-06-10 |
Family
ID=13938051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6054761B2 (ja) * | 1979-01-16 | 1985-12-02 | 株式会社日立製作所 | 電圧非直線抵抗体 |
BR8103687A (pt) * | 1980-06-23 | 1982-03-02 | Gen Electric | Revestimento isolante para varistores de oxido de zinco aplicaveis e para raios e protetores de picos de voltagem |
US4400683A (en) * | 1981-09-18 | 1983-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage-dependent resistor |
US4423404A (en) * | 1982-02-01 | 1983-12-27 | Electric Power Research Institute, Inc. | Non-linear resistor stack and its method of assembly |
JPS5935402A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | 太陽誘電株式会社 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する半導体磁器物質 |
US4501819A (en) * | 1982-12-23 | 1985-02-26 | Kabushiki Kaisha Ohara Kogaku Garasu Seizosho | Glass for a photomask |
NL8301604A (nl) * | 1983-05-06 | 1984-12-03 | Philips Nv | Dielektrisch glas in meerlagenschakelingen en hiermee uitgeruste dikke filmschakelingen. |
JPS6042247A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-06 | Asahi Glass Co Ltd | 低膨張性ガラス |
DE3346685C2 (de) * | 1983-12-23 | 1985-10-24 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Blau lumineszierende Gläser |
US4554259A (en) * | 1984-05-08 | 1985-11-19 | Schott Glass Technologies, Inc. | Low expansion, alkali-free borosilicate glass suitable for photomask applications |
DE3566184D1 (en) * | 1984-06-22 | 1988-12-15 | Hitachi Ltd | Oxide resistor |
JPS61216305A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | 富士電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体 |
JPS63136424A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | 日本碍子株式会社 | 避雷碍子 |
DE69021552T2 (de) * | 1989-11-08 | 1996-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Zinkoxid-varistor, seine herstellung und zusammensetzung eines kristallisierten glases zur beschichtung. |
WO1993017438A1 (fr) * | 1992-02-25 | 1993-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Galvanoresistance a l'oxyde de zinc et son procede de production |
WO1994009499A1 (en) * | 1992-10-09 | 1994-04-28 | Tdk Corporation | Resistance element with nonlinear voltage dependence and process for producing the same |
US5569495A (en) * | 1995-05-16 | 1996-10-29 | Raychem Corporation | Method of making varistor chip with etching to remove damaged surfaces |
DE19820134A1 (de) * | 1998-05-06 | 1999-11-11 | Abb Research Ltd | Varistor auf der Basis eines Metalloxids und Verfahren zur Herstellung eines solchen Varistors |
JPH11340009A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Toshiba Corp | 非直線抵抗体 |
JP3624395B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2005-03-02 | 株式会社村田製作所 | チップ型サーミスタの製造方法 |
JP2001176703A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-06-29 | Toshiba Corp | 電圧非直線抵抗体及びその製造方法 |
JP2002151307A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Toshiba Corp | 電圧非直線抵抗体 |
JP4661948B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2011-03-30 | ソニー株式会社 | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびに酸化亜鉛系透明導電膜およびその製造方法ならびに電子機器 |
JP7218531B2 (ja) * | 2018-10-04 | 2023-02-07 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体素子被覆用ガラス及びこれを用いた半導体被覆用材料 |
JP7185181B2 (ja) * | 2018-10-04 | 2022-12-07 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体素子被覆用ガラス及びこれを用いた半導体被覆用材料 |
WO2023219023A1 (ja) * | 2022-05-09 | 2023-11-16 | Agc株式会社 | ガラス、ガラス板およびガラス板の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2501322A (en) * | 1946-11-07 | 1950-03-21 | Westinghouse Electric Corp | Moisture-resistant lightning arrester valve block |
US3069294A (en) * | 1954-06-03 | 1962-12-18 | Corning Glass Works | Electrical metal oxide resistor having a glass enamel coating |
NL179524C (nl) * | 1972-12-29 | 1986-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Werkwijze voor de vervaardiging van een spanningsafhankelijke weerstand. |
US4031498A (en) * | 1974-10-26 | 1977-06-21 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Non-linear voltage-dependent resistor |
NL181156C (nl) * | 1975-09-25 | 1987-06-16 | Gen Electric | Werkwijze voor de vervaardiging van een metaaloxide varistor. |
JPS5322273A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Shibusawa Kaihatsu Kk | System of treating stock and delivery data in warehouses |
DE2639042C3 (de) * | 1976-08-30 | 1982-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Spannungsabhängiges Widerstandselement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE2834461A1 (de) * | 1977-09-26 | 1979-04-05 | Gen Electric | Verfahren zum herstellen eines zinkoxid-varistors mit einer verminderten spannungsdrift |
-
1979
- 1979-07-13 JP JP54088265A patent/JPS5827643B2/ja not_active Expired
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0709863A1 (en) | 1994-10-28 | 1996-05-01 | Hitachi, Ltd. | Voltage non-linear resistor and fabricating method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3026200C2 (de) | 1988-08-18 |
JPS5613702A (en) | 1981-02-10 |
DE3026200A1 (de) | 1981-01-15 |
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SE8004476L (sv) | 1981-01-14 |
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