SE445840B - En olinjer resistor samt en process for dess framstellning - Google Patents

Description

8004476-1 2 Resistorer framställda enligt denna princip har emellertid vissa bristert En första brist består däri att resistornas olinjaritetskoefficíent sjun- ker när glaebeläggningen bakas på vid en temperatur av 500-80008.

En annan brist består däri att eftersom glasbeläggningens-kemiska hållfast- het är dålig kommer glaset att korroderas, när ändytorna etsas förean- bringandet av elektroderna. Detsamma blir fallet om resistorerna place- ras i en förseglad, kvävefylld avledare, där koronan kan bilda sura, ni- trösa gaser. I båda fallen kommer ytans spänningshållfasthet att för- svagas.

Föreliggande uppfinning avser att eliminera dessa brister. Ett annat än- _damål är att säkra stabila karakteristika i resistorn, såsom olinjaritets- koefficíenten. Resistorn enligt uppfinningen får därför en uppbyggnad enligt känneteoknet i bifogade patentkrav.

Uppfinningen skall för övrigt närmare beskrivas i det följande, bl a under hänvisning till bifogade ritning, där Fig. 1 visar ett tvärsnitt genom en resistor enligt uppfinningen medan Fig. 2 visar ett diagram över för- hållandet mellan behandlingstemperaturen och ändringen i olinjeritetsko- efficienten ok (26) .

För att förbättra elektrodernas vidhäftning vid resistorkroppen föredrar man att lätt etsa de polerade ytorna på denna med en syra såsom saltsyra eller salpetersyra. Av denna orsak måste glasbeläggningen göras av ett syrafast glas.

En ökning av Siüz-innehållet i glaset ökar vanligtvis dess syraresistans men även dess smältpunkt. Um glaset har en smältpunkt (mjukpunkt) på 7Ü0°C eller högre kan man räkna med att det har god korrosionsresistens mot syraetsning.

Um en bakning sker vid en temperatur av 400-BÛUÜE kommer innehållet av Bizßz ett medföra en reduktion av olinjaritetskoefficienten. Um emellertid bak- ningstemparaturen är högre än smältpunkten hos Bi2Û3(oa 82008) bildar det- ta samma fas som strax efter sintringen varför olinjaritetskoefficienten inte minskar så mycket. Um värmebehandlingen sker i syrgas absorberas stora mängder av oxidjoner på ytan av zinkoxidpartiklarna vilket också ra- sulterar i en ökning ev olinjaritetakoefficienten. Enligt uppfinningen väljs en bakningstemperatur för glasbeläggningen som ligger mellan glasets smältpunkt (mjukpunkt) och sintringstemperaturen. 3 f 8004476-1 Glasbeläggningens syraresistens skall vara så god att den inte etsas av' sura, nitrösa gaser bildad av koronan i en förseglad, kvävefylld avledara.

I en rasister enligt uppfinningen skall den sintrade kroppen innehålla åt- minstone 50 molekylprocent Zn0 och 0,01-10 molekylprocent olika oxider av exempelvis vismut, mangan, kobolt, antimon, krom, bor, kisel, nickel, fos- for, praoeodium eller neodium, var för sig eller i kombination. Bland- ningen sintras vid 1000-140000.

För att säkra vidhäftningan av glasbeläggningen på resistorn och undvika översleg bör denna beläggning ha en tjocklek av åtminstone 20 pm. Följ- aktligen måsts glasets eápaneionskoefficient vara mycket nära lik resi- storns. Eftersom den linjära expansionskoefficienten GXZHD) av en zink- oxid- rasister är (50 till 70) x 10-7/OC bör glasets expansionskoefficient (linjära) ligga inom området«ZnD4f20 x 10-7/UC. 0m skillnaden mellan de linjära expansionskoefficisnterne är stora kommer vid den efterföljande avkylningen sprickor och andra fel att uppstå i glaset varför hållfast- heten mot spänning reduceras så ett risk för överslag uppstår. Vidare måste man kräva att innehållet av alkalimetallar såsom Na, K och Li är så litet som möjligt, företrädesvis lägre än 5 viktprocent.

Det Lshögsmältande glaset som används enligt föreliggande uppfinning skall innehålla 30-75, företrädesvis 45-75 viktprocent kiseloxid och 0,3-15 vikt- procent boroxid (8203) och/eller blyoxid (Pb0). Dm innehållet av kisel- oxid är högre än 75 viktprocent eller innehållet av boroxid och blyoxid är lägre än 0,3 viktprocent kommer glasets emältpunkt (mjukpunkt) att bli för hög, så att glasets bakningstemperatur överstiger sintringstempera- turen och dessutom blir glasets linjära expansionskoefficient lägre än so >< 1o"7/°c. om däremot innehållet av kiseltxiu blir lägre än so vikt- procent eller innehållet av boroxid och blyoxid blir högre än 15 viktpro- cent blir glasets smältpunkt lägre än 80000 så att glasets syraresistens reduceras. För att få bästa syraresistsns bör innehållet av bor- och bly- oxid ligga mellan 0,5 och 10 viktprboentm Glasat enligt föreliggande uppfinning kan innehålla upp till 30 viktpro- cant av en alkalisk jordmstalloxid såsom magnesiumoxid (N90), kaloiumoxid (ßaü) eller baroumoxid (Ba0). Företrädesvis bör innehållet härav ligga mellan 5 och 20 víktprocent.

Dm innehållet av zinkozid (Zn0) är för högt reduceras glasets syrarafistens och därmed resistorns hållfasthat mot atötetrömmar. Zinkoxidinnshållet 8004476-1 4 bör därför vara lägre än 40 viktprocent, företrädesvis ligga mellan 5 och 25 viktprocent.

För att förbättra syraresistensen bör glaset innehålla mellan 2 och 30 viktprocent aluminiumoxid (AIZÜS). Tillsatsen av aluminiumoxid mot- verkar att de olika faserna i glaset separerar och förbättrar därmed syraresistensen.' 0m emellertid innehållet av aluminiumoxid blir för högt blir glasets bakningstemperatur också för hög och spänningar upp- kommer i glaset.

En föredragen sammansättning av ett glas enligt uppfinningen innehåller efter vikt: 35-75% Si02, 0,5-10% B203 och/eller Pbü, 5-30% Al203, 5-40% Zn0, mindre än 30% alkaliska jordmetalloxider och mindre än 25% Ti02.

Um ett högresistanÉ,keramiskt skikt 4 av Zn7Sb2012 och Zn25í04 bildas i öuergångszonen mellan glasskiktet och resistorkroppen kommer ytre- sistensen mot överslag att avsevärt förbättras.

Enligt resultaten av ett stort antal experiment är följande sammansätt- ning av glaset att föredra: (a) 35-45 viktprocent Sißz (b) 15-25 -"- A1 0 2 3 (C) 1 - 5 -"- ßzoz man/eller Pbo (d) 5 -15 -"- zno (a) 10-15 7“- Tinz (f) mindre än5-"- av alkalimatalloxid (g) 2-10 -"- av en alkalisk jordmetalloxid (h) en ringa mängd av andra metalloxider såsom Zr02 Föreliggande uppfinning använder följande definitioner: (1) Mjuktemperaturen är den temperatur, där glas uppvisar 107'6 poise Mätmetoden är definierad i J.Soc.Glass tech. 24, 176 (1940) (2) Arbetstemparaturen är den temperaturen där glas uppvisar 104 poise.

Nätmetoden är definierad i J.A.Cer.Soc. 22, 36? (1939).

Bakningstemperaturen för det använda glaset bör väljas mellan mjuktempe- raturen och arbetstemperaturan.

Bakningen sker företrädesvis i en syrehaltig atmosfär för att undvika 5 soo447e-1 förlust av syreatomer från reeistorkroppen ooh glasbeläggningen.

Uppfinningen skall nedan beskrivas genom följande exempel.

Exempel 1.

I en kulkvarn våtblandes under 15 timmar: 2360 g zinkoxid (Zn0), 70 g vismutoxid (Bi203}, 25 g koboltoxid (Co203), B? g antimonoxid (Sb203), 13 9 manganoxid (Mn02), 23 g kromoxid (Cr203) och 9 g kiseloxid (Si02).

Blandningen torkas och granuleras för att därefter formas till kakor med en diameter på 12 mm och en tjocklek på 6 mm. Kakorna sintras vid 125000 i luft i 2 timmar.

Pulver av glas nr 1 i tabell 3 med hög mjuktemperatur suspenderas i en "triohlen"- lösning av etylcelluloea och euspensionen penelee på eidoytorne av de eintrade resistorkropparna till en tjocklek av ungefär 150 pm. Den således behandlade kroppen bakas vid 100000 i fri luft under 30-minuter.

Temperaturändringen i uppåtgående ooh nedåtgående riktning skall vara 1oo°c/timme.

Den sintrade resietorkroppen 1 i fig. 1 som är försedd med en glesbelägg- ning 2 med en tjocklek av omkring 25 pm, poleras till ett djup av omkring 0,5 mm i en elipmaskin (rapping machine) och rensas i "trichlene" vid 60°C.

Aluminium flamsprutas på de rensade ytorna så att det bildas elektroder.

Vid jämförelse av en reeistor frametälld på detta sätt med ett prov med en glasbeläggning av lågsmältande glas av bly-borsilikat-typ bakat vid 70000 med avseende på olinjaritetekoefficient uppnâddes resultat som angives i tabell 1.

TABELL 1 Prfldukt Prov nr. 1. enligt uppfinning fneetyp ' Nr. 1 teven z Nr. s, teben z eekmimgevillker 1ooo°c, 1 timme 100%, 1 timme Dlinjaritetskoeffíoíent 70 - 90 30 - 50 (1o pmm mA) 8004476-1 Exempel 2 a Samma mängder Zn0, Bi203,*Co203, Nn02, 5b203, Cr203, Si02 som enligt ex- empel 1 samt 4 g 0203 våtblandas 15 timmar i en kulkvarn och den färdiga blandningen torkas,och granuleras. Granulatet formas till kakor med dia- meter 12 mm Den s mm tjmcka. kakorna sintres viu12su°c i luft i två tim- mar. Den sintrade resistorkroppan täcks med en glaspasta av glas nr 1 enligt exempel 1 med en tjocklek av 100-200 pm och den belagda resistorn värmebehandlas vid 1050¶li en timme i fri luft. Båda ändytorna på resistorn poleras till ett djup av 0,88 mm med en "rapping" maskin och tvättas. Den tvättade resistorn flamsprutae därefter direkt med aluminium så att det bildas elektroder. Alternativt kan den polerade resistorn efter tvätten doppas i en etsande lösning av saltsyra i vatten (volymförhâllande 1/9) i'5 minuter för att etsa de polerade ytorna. Därefter appliceras elak- troderna genom flameprutning med aluminium. Denna resistors karakteris- tika framgår av tabell 2, där man sar att etsningen ger god effekt vid den- na glasbeläggning så att man uppnår en produkt med hög olinjaritetskoeï- ficient, hög varistorspänning och litet spänningsändringsförhâllande under ström, jämförd med en produkt som inte har varit etsad. Samma gäller re- sistensen mot stötströmmar.

Um en resistor med en glasbeläggning av bly-borsilikat-typ eller zink- borsilikat-typ etsas på samma sätt upplöses glaset, åtminstone delvis och ytans överslagshàllfasthet reduceras väsentligt liksom resistensen mot stötström understiger 1000 A.

TABELL 2 Produkt Prov nr. 2. enligt uppfinningen.

Spänning- strömkarakteristika Ûlinjaritetskoefficient 90 - 105 50 - 60 ( m pAM mA) * Varistorspänning 195 - 210 180 - 200 (v/mm) Spänningsändringsförhållande efger en ström på 1 mà vid - 0,5 % - 6,5 % 80 C under 500 timmar Stötströmsresistens 4450 A 1900 A (8x20 ps) 800114764 Exempel 3 .__.__._.___..

Som i exempel 1 blandas i en kulkvarn i 15 timmar: 2340 g Zn0, 140 g 81203, 25 g Co203, 17 g NnC03, 88 g Sb203, 23 g Ni0, 5 g Br203 och 5 g S102. Bland- ningen torkas och granuleras och formas i kakor med 12 mm diameter och 6 mm tjocklek. Kakorna belägga med en pasta av en blandning S102-5b203-Bi203 och sintras vid 127008 i 2 timmar. På detta sätt bildas ett skikt 4 av en högresistim substans (Zn7Sb2012 och ln Si04) på kakorna. Ett glas enligt ta- bell 3 läggs på sidorna av kakorna i en tjocklek av 100-200 pm och kakorna värmebehandlas en timme i luften vid temperaturer enligt tabell 4. Resistorn .framställd på detta sätt polares på båda ändytor till ett djup av 0,5 mm i en "rapping" maskin. Den doppas därefter i en etsande lösning av HN03/HF (volymförhållande 7/1) i två uánuter för att etsa de polerade ytorna och elek- troder bildas genom flemsprotning med aluminium. På så sätt fås en resistor med ett hsgresistant keramiskt skikt a=(fig. 1) bestående av zrhsbznn och Zn 5i0 på sidorna och därutanpå ett glasskikt. 2 4 Mängden av glas som upplöses framgår av tabell-4, där man sar att syrare- sistensen varierar med glasets sammansättning och att aluminiumeilikatglas har den högsta syraresistensen. Stötströmsresistansen framgår av tabell 5.

Det framgår att glas nr. 3 har den högsta stötströmsresistensen varefter kom- mer aluminiumsilikatglas (glas nr. 1) och borsilikatglas (glas nr. 10). Det framgår också att stötströmsreaistensen hos glas med för höga innehåll av Na20 och B203 (glas nr. 2, 6 och 7) är jämförbar med den hos tidigare kända resistorer. I dessa exempel förbättras olinjaritetskoefficienten genom ets- ningen och stabiliteten mot en konstant ström av 1 mA är överlägsen den hos kända resistorer. Emellertid är syraresistensen inte tillfredsställande hos glaset varför stötströmsresistensen inte förbättras. Däremot i exemplen nr. 1 ,c5 och 9, som har en föredragen glaesammansättning enligt föreliggan- de uppfinning,är stötströmsresistensen åtminstone 1,5 gånger den hos kända resistorer¿ 8004476-1 08 om: ä. 1 1 1 1 1 m 1 t m S. 2 08 om: 3 1 1 1 m 1 1 .. 2 m: _ 8 m 05 å... . 8 _. v 1 1 1 1 N. S 1 .é w hä w m5 om... i. wé än 1 1 1 1 1 ä? ww QS ß 1111102. 2.9 2. »á 3. _ 1 1 1 1 1 tå. 0.... S w _03 . 82 S. fw .. p; 1 1 Qü QS YS Nå f, m _ 03 . 1 26 3 a., 1 »å 1 w* m4. 0.2 Qi oé ._19 *_ oi 8: _. Nm Nå 1 .. 7» to Qï »é Qi 1 ä 2 n 0.2. om 5 ._ 9. n. m. w. v 1 1 1 1 1 ä 3 1... ~ S. w m3 R: ä. w o n; 1 m 1 1 1 f S 3 _ GL GL cwkïofv .Bm omdz onw 08 owz wo? oÉ ons nowm no~w< Noä »Gwmqmuuwnx . .. . .Hz nauwwflwfim... :nswmwwmfiwß §flmvwwfiæmumflflwu . »wcmufofiuuxwav mcficwpmmbmsswwmmäa n .Hámbdfi 80044976-1 ÅNEo. :«E\w.v .umcme ummupflfiom .v 0 flmqnæ H a. 9 E.. 000; 9.0 000.? 000. 0 000. 0 000.00 000. ä 00 000.0 09 .E 0. 00: . ä. _ 002m _ . ä. 0 00: . 000; 00. 000.00. 000.0 000.9 000.9 000.0. 0 000.0 00 0 , _ ä. _ ozm . ä. 0 _00: . 000.0 0... 000.000... 000.09 000.9 000.00. 000.00 0 000.09 90 \ . ._ . _ .HE P mUI 460000000 60000: 60005 200003 60005 60008 ^o000s Rxfmmmnv ^o000.0...v 600005 A/...EB 0.mm.0.....ïfim . . _ / . _ 00.05./ 9.02 0.02 0 .02 0. .02 0 .02 0 52 ..._02 0.02 0.02 9.02 .å 0000300/ 8004476-1 10 Tabell 5 Glas Stötströmsresistens É2¿__ (A) 1 4450 2 ' 2000 z 6500 4 3000 5 3100 6 U _ 2090 7 1990 0 ' 1900 9 3500 10 0 3000 Samma mängder ZnD, Bi203, Co203, MnC03 och 5b203 som i exempel 3 samt 7 g Si02 och 2 g 8205 blandas i en kulkvarn i 15 timmar. Blandningen torkas och granuleras.

Som i exempel 1 sintras kakorna vid 1250°C i tvâ timmar. De sintrede krop- Granulatet formas i kakor med diameter 12 mm ooh tjocklek 6 mm. parna beläggs med glas nr. 1 med hög syraresistens eller glas nr. 2 med re- lativt låg syreresistens i en tjocklek av 100-200 pm på samma sätt som en- ligt exempel 1. Kropparna behandlas i 30 minuter i luft vid en temperatur av 1100 eller 100006. Temperaturändringen uppåt och nedåt skall vara omkring 200°C/timme. Resistorerna poleras på båda ândytor till ett djup av 0,5 mm.

Som i exempel 3 etsas de polerade ytorna med en lösning av HN03/HF (volym- förhållande 7/1) vid neddoppning i 2 minuter i lösningen. Elektroderna på- lägges därefter genom flamsprutning med aluminium. Resístorn fürseglas där- efter i en kväveatmosfär och utsättas för koronaurladdning. I tabell 6 vi- sas resistorernas karakteristika före och efter behandlingen med koronaur- laddning i 1 timme. Ned glae nr. 1 som är syraresistent förblir stötetröm- resistensen i huvudsak oförändrad efter behandlingen medan med glas nr. 2 som har relativt låg syraresistens stötströmsresistensen minskar med unge- fär 10% efter koronabehandlingen.

En samtidig test med glas nr. 8 visar att syraresistensen reduceras med mer' än 30% vid en koronabehendling. 11 08004476-1 Tabell 6 Slas nr. Bakningsvillkor Stötströmsresistens (8x20 Ps) Före korona- Efter korona- urladdning urladdning 1 11nn°c, zu min. 4450 444m 2 1noo°|:, sn min. znon 16mm Dm glasbeläggningen bakas vid hög temperatur (över 85000) kommer olinjari-_ tetskoefficientan, som är en viktig egenskap hos resistorn, knappast att ra- duceras något under bakningen.

Exempel 5 Med samma blandning som enligt exempel 1 bildas kakor med en diameter av 56 mm Kakorna sintras vid 130000 i en timme. Kropparna och en tjocklek av 22 mm. beläggs med glas på sidorna enligt tabell 7. De bakas vid temperaturer en- ligt tabell 7 och båda ändytorna polares och rensas. Därefter flamsprutas aluminiumelektroder på ändytorna.

På sådana resístorer mäts olinjaritetskoefficienten vid en ström på 10 PA till 1 mA. urladdning och efter neddoppning i kallt vatten i 24 timmar och i kokande Qat- Stötströmeresistensen mäts före och efter behandling med korona- ten i 10 timmar samt efter en värmeoyklisk test (1000 cyoler mellan tempera- turerna -40 och 15000). Resultaten redovisas i tabell 7.

Enligt föreliggande uppfinning får man fram olinjära resistorer med en olin- jaritetskoefficient högre än 10 och en hög stötströmsresistens (både före och efter koronatest och efter neddoppning i vatten är värdet åtminstone 100 kV) som uppfyller kraven på olinjära resistorer för högspänning.

Resistorerna enligt uppfinningen kan användas enstaka som i fig. 1 eller kan insättas i ett stort antal i en avledarstapel.

De två elektroderna kan eventuellt appliceras på samma sida av den sintrade kroppen, även om fig. 1 visar dem på var sin sida. 1? 8004476-1 Tab'sll 7 ' Ifiak-_;'Ûl_1'.n_ja- Isffiötstšfififms, (fëX-'fflpsïgesistgns Glgssammansättníng_(vikt 76) tâm . ritets- NL _ __ _ ' 3,1 C 1562:11- 1111- .Efm efter Eftegf .efter _ _ _ clent hal koruna ñeddupp-kqkfjlgng väx-Ne..

S102 211503 13203 P60 zgo cap _hr( ) 3 . 1651. nine .i~ 'CB-st ' 6171761.. . _ - 1421-73290 hast 11 _ _ - - - - -55 35 _60 40 " 35 20 62 12. 85 10 2 _ _ 3 1350 10 _ _- _ _ _ 13 75 10 10 _ _ 5 1100 35 120 121 120 106 103 - 14 50 20 10 5 _ 15 1000 38 115 ~114 116 105 101 15 30 -30 10 _ _ "-30.'~ 1000 32' 110 110.- 110 103 100 16 15 30 10 15 _ 30 900 33 110 95 80 _ _ 17 45 45 2 _ _ 8 1200 16 80 _ _ . _ _ ' 18 45 30 . 10 _ _ 15 1100 34 120 118 117 ' 105 108' 19 70 15_ 10 - _ 5 1050 38 125 125 123 106 107 20- 75 5 10 _ _ 10 1050 40 __ 123 122 1257 '_ 80 105 21 75 _ 1 10 _ _ 14 1000 32 115 95 80, i _ _ 22 70 20 _ 0.2 _ _ ~ 9.8 1350 7 - _ _ ' _ _ 23 70 20 0.5 - _ 9.5 1250 31 130 131 129 108 102 i 24 70 20 ~ 2 _ _ 8- 1100 36 _ 128 128. 128' 105 103 25 70 20 8 _ _ 2 1000 37 -115 116 _» 114 1 102 105 26 65 20 10 _ _ 5 ' 850 35 ' 105 104 103 l 100 105 27 60 15 25 _ _ _ 600 ' 7 90 70 65 E _ _ 28 70 20 _ 0.2 _ 9.8 1350 7 _ _ _ i _ _ 29 70 20- _' 0.5 _ 9:5 1250 32 '121 -121 120 2 119 108 '30 70 -_20 _ 2 _ 8 1100 33 125 125 123 l 120 107 31 70 20 _ 8 _ 2 900 35 *122 121 123 z 122 105 É 65 5 20 - 10 _ 5 900 35 128 128 , 125 121 105 33 60 15 _ 25 __ _ 750 ' 85 75 70 60 _ 34 30 10 ~ _ .60 _ _ 500 5 80 _ _ _ _____ 35 70 20 0.1 0.1 _ 9.8 1350 7 _ _ _ _ _ 36 70- 20 0.3 0.3 _ 9.5 1200 31 118 118 ' 117- i 110 102 37 70 15 5, 10 _ _ '900 35 120 119 120 f 108 103 38 70 15 10 5 _ _ 900 36 122 123 120 103 105 39 55 15 5 "10 _ 15 850 35 106 103 101 1 101 100 40 55 20 _; ;8 5 12 950 37 150 152 150 f; 150 150 41 45 i 20 _ 8 15 12 900 36 160 161 158 g 156 160 42 35 20. 7 _ 25 13 900 ' 40 175 175 152 i 136 175 43 35 15 7 _ 40 3 900 38 160 90 -120 1 85 160 -16 Lrtan glafs-ytskšät 13 8004476-1 Glasblandningarnas i tabell 7 arbets- och mjuktemberaturer är följande: Tabell 8 ,._.._..__ No .' ' Mjwüfemperatur (OC) Afbststemperatur - (O C) 12' 1200 ' 1350 13 850 1150 14 950 1080 6' :H0 D 1w0 16_ 580 980 17 1100 ' 1250 18 880 1120 19 900 1150 '20 180 1100 21 680 1000 22 1220 1380 ' 23 1050 1300 24 920 _ 1190 25 850 1100 20 _ _ 750 1100 27 600 920 28 1220 1380 I 29 . -1040 1260 30 1000 1200 3:1 760 I 1100 32 740 1040 33 I 600 900 80Û4476-1“* Tabell 8 (forts) Nr . Njgktemperatur '- (OC) ' _Arbetstemperatur-. (OC) 34 - 450 730 35 12ÛQ 137O 36 1Û1Û 1å5O 37 735 1Û7O 38 735 1050 39 7OÛ 100Û '40 740 11ÛO 41 740 " 1100 ' 42 _aoo ~ I 1150' 43 82Û 115Û 17, 21, 22, 21, za, ss, 34 ách ss faller utanför Dessa blandningar uppvisar otillfredsställande Blandningarna nr 12, 16, föreliggande uppfinning. egenskaper på Zn0-kroppar. s vid 135000 vilket är högre än kroppens sintringstemperatur blir stöt- Eftersom nr. 12 med en mjuktemperatur av 120000 baka strömsresistensen helt otillfredsställande och olinjaritetskoefficitenten blir allvarligt nedsatt. Glas nr. 16 som innehåller för lite kiseloxid ger en olinjär resistor med en låg stötströmsresistens. Glas nr. utom en mjuktemperatur på 58000 vilket tycks vara för lågt enligt förelig- Pä samma sätt har glasen nr. 21, 27, 33 och 34 För låga d dessa glasbeläggningar 16 har dess- gande uppfinning. mjuk- och arbetstemperaturer så att resisterer me skulle uppvisa för låg stötströmsresistens.

Glasen nr. 22, 28, 35 och 38 innehåller för lite av 0203 eller Pb0 och har för höga mjuk- och arbetstempsraturer. En resistor med beläggning av dessa glas skulle_därf6r uppvisa en låg stötströmsresistens och en allvarligt reducerad olinjaritetskoafficient.

Från de i tabell 7 och B visade data framgår det att glasblandníngar som är lämpliga enligt föreliggande uppfinning skall ha en mjuktemperatur som ligger mellan omkring 700 och 105000 och en arbetstemperatur som ligger mellan omkring 1000 och 1300°c.

Claims (1)

1. 0 15 20 30 80504476-1 PATENTKRAV 1. En olinjär resistor bestående av en sintrad kropp vars huvudbestândsdel är zinkoxid, vilken kropp är försedd med två elektroder på ytan av kroppen och en glasbeläggning på kroppens övriga ytor mellan de två elektroderna, k ä n n e t e c k n a d av, att glasbeläggningen har en bakningstemperatur på 850OC eller högre, men lägre än kroppens sintringstemperatur, vilken beläggning innehåller 203 och/ eller Pb0, 2-30 viktprocent A12O3, mindre än 30 viktprocent 30-75 viktprocent SiO2, 0,3-15 viktsprocent av B av alkalisk jordmetalloxid, mindre än 40 viktprocent Zn0 och mindre än 25 viktprocent TiO2. En olinjär resistor enligt patentkrav l, k ä n n e - t e c k n a d av att den samlade mängden av Si02 och AIZO3 i glasbeläggningen överstiger 50 viktprocent. En olinjär resistor enligt patentkrav 1, k ä n n e - t e c k n a d av att glasbeläggningen innehåller 35-75 viktprocent SiO2, 0,5-10 viktprocent av åtminstone en av komponenterna BZO3 och PbO, 5-30 viktprocent A12O3 och 5-40 viktprocent ZnO. En olinjär resistor enligt patentkrav 1, k ä n n e - t e c k n a d viktprocent SiO2, 15-25 viktprocent AIZO3, 1-5 viktprocent 203 och PbO,5-25 vikt- procent ZnO, 10-15 viktprocent TiO2, mindre än 5 viktpro- av, att glasbeläggningen innehåller 35-45 av åtminstone en av komponenterna B cent alkalimetalloxid och 2-10 viktprocent alkalisk jord- metalloxld, SnO2 och andra metalloxider. En olinjär resistor enligt patentkrav 1, k ä n n e - t e c k n a d av, att ett högresistivt skikt (4) av 2 kroppen (1) och glasbeläggningen (2). Zn7Sb,Ol2 och ZnSiO4 är bildat mellan ytan av den sintrade 10 15 20 25 30 10. 8004476-1 En olinjär resistor enligt patentkrav l, k ä n n e - t e c k n a d mera än 50 molprocent ZnO, 0,01-10 molprocent Bi2O3, 0,01 -10 molprocent av åtminstone en av komponenterna MnO2, co2o3, cr2o3, 13203, sioz och N10- av, att den sintrade kroppen innehåller En olinjär resistor enligt patentkrav 1, k ä n n e - t e c k n a d av, att glasbeläggningen har en baknings- temperatur mellan 850°C och l300°C. En olinjär resistor enligt patentkrav 1, k ä n n e - t e c k n a d av, att glasbeläggningen är tjockare än 20 pm. En process för framställning av en olinjär resistor enligt något av de föregående patentkraven omfattande framställ- ning av en sintrad kropp, vars huvudbeståndsdel är ZnO, k ä n n e t e c k n a d därav, att den sintrade kroppen beläggs med en glasblandning med en mjuktemperatur som är högre än 700°C men lägre än kroppens sintringstempera- 0,3-15 vikt- procent av någon av komponenterna BZO3 och PbO, 2-30 vikt- tur och som innehåller 30-75 viktprocent SiO2, procent AIZO3, mindre än 30 viktprocent av en alkalisk jordmetalloxid, mindre än 40 viktprocent ZnO och mindre än 25 viktprocent TiO2, varefter glasblandningen bakas vid en temperatur som är högre än BSOOC men lägre än glasets sintringstemperatur samt påläggning av elektroder i elek- trisk kontakt med kroppens yta. En process för framställning av en olinjär resistor enligt patentkrav 9, k ä n n e t e c k n a d därav, att efter bakning av qlasbeläggnlngen men före påläggninq av elek- troderna poleras två motstående ändytor på den sintrade kroppen, varefter de polerade ytorna behandlas med syra- etsning för avlägsnande av spänningar i de polerade ytorna. ll. 12. En process enligt patentkrav 9, k därav, att glasbeläggninqen bakas mellan ssooc och 13oo°c. En pvocoss wnliqt patentkrav 9, k därav, att gïasbeläggningen bakas atmosfär. 8004476-1 ä n n e t e c k n vid en temperatur ä n n e L 0 C k n 1 en syreha1tLg d Ei d d