DE69021552T2 - Zinkoxid-varistor, seine herstellung und zusammensetzung eines kristallisierten glases zur beschichtung. - Google Patents

Zinkoxid-varistor, seine herstellung und zusammensetzung eines kristallisierten glases zur beschichtung.

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Description

    Technisches Gebiet
  • Die Erfindung betrifft insbesondere einen Zinkoxid- Varistor, der auf dem Gebiet eines elektrischen Stromsystems verwendet wird, ein Verfahren zu seiner Herstellung und eine kristallisierte Glaszusammensetzung, die zur Beschichtung einer für einen Thermistor oder Varistor eingesetzten 0xidkeramiksubstanz verwendet wird.
  • Hintergrundtechnik
  • Ein ZnO als Hauptkomponente und verschiedene Arten von Metalloxiden einschließlich Bi&sub2;O&sub3;, Coo, Sb&sub2;O&sub3;, Cr&sub2;O&sub3; und MnO&sub2; als andere Komponenten umfassender Zinkoxid- Varistor weist eine hohe Widerstandskraft gegen Stoßspannung und eine ausgezeichnete Nichtlinearität in bezug auf die Spannung auf. Deshalb ist allgemein bekannt, daß der Zinkoxid-Varistor anstelle der herkömmlichen Siliciumcarbidvaristoren der letzten Jahre weithin als Element für eine geschlossene Arretiervorrichtung verwendet wird.
  • Beispielsweise offenbart die Japanische OS Nr. 62-101002 usw. herkömmliche Verfahren zur Herstellung eines Zinkoxid-Varistors. Diese Veröffentlichung des Standes der Technik offenbart folgendes: Zuerst werden Zn0 als Hauptkomponente metallische Oxide wie Bi&sub2;0&sub3;, Sb&sub2;o&sub3;, Cr&sub2;O&sub3;, CoO und MnO&sub2; jeweils in einer Menge von 0,01 bis 6,0 Mol-% zugegeben, um ein gemischtes Pulver herzustellen. Dann wird das so erhaltene gemischte Pulver vermischt und granuliert. Das dabei entstehende Granulat wird durch Anwendung von Druck in eine zylindrische Form gebracht. Anschließend wird der geformte Körper 6 Stunden bei 1200ºC in einem elektrischen Ofen gebacken. Als nächstes wird auf die Seiten des so erhaltenen gesinterten Körpers durch eine Siebdruckmaschine eine Glaspaste, die aus 80 % Glasfritte vom PbO- Typ mit 60 Gew.-% PbO, 20 Gew.-% Feldspat und einem organischen Bindemittel besteht, in einem Verhältnis von 5 bis 500 mg/cm² aufgebracht und einer Backbehandlung unterzogen. Als nächstes werden beide Endflächen des so erhaltenen Elements oberflächenpoliert, und dann wird darauf eine Metallikon-Elektrode gebildet, wodurch man einen Zinkoxid-Varistor erhält.
  • US-A-4,420,737 offenbart einen gesinterten nichtlinearen Widerstand, dessen Oberfläche mit einer Glasschicht beschichtet ist. Diese Glasschicht besteht aus 40 bis 75 % PbO, 5 bis 15 % B&sub2;O&sub3;, 2,5 bis 25 % SiO&sub2; und 0,4 bis 10 % SnO&sub2;. Nach der Offenbarung ist SnO&sub2; insofern für die Herstellung der Glasschicht erforderlich, als es das komplette Ausbrennen des organischen Bindemittels ermöglicht.
  • US-A-3,959,543 offenbart eine Glaszusammensetzung als Beschichtung für eine nichtlineare Widerstandsscheibe, die im wesentlichen aus 41 bis 48 % PbO, 22,5 bis 26,5 ZnO, 18,5 bis 22,5 % B&sub2;0&sub3;, 2,5 bis 6,5 % SiO&sub2; und 4 bis 8 % CuO besteht. Zink und Kupferoxid gelten als wesentlich, um die Auswirkung des verringerten Bleigehalts abzumildern.
  • Da jedoch bei der Herstellung eines Varistors durch das vor stehende Verfahren ein Siebdruckverfahren zum Einsatz kam, bildete sich eine hoch widerstandsfähige Seitenschicht mit gleichmäßiger Dicke. Dies hatte den Vorteil, daß die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert zwischen den so hergestellten Varistoren kaum schwankten. Weil die hochwiderstandsfähige Seitenschicht aus einem Verbundglas hergestellt war, das aus Glasfritte vom PbO-Typ und Feldspat bestand, wies der Varistor allerdings folgende Nachteile auf: Die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert waren schlecht, und die Nichtlinearität in bezug auf die Spannung sank während der Backbehandlung des Glases, wodurch die Lebensdauer unter Spannung abnahm.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die Erfindung überwindet die vorstehenden aufgeführten Mängel des Standes der Technik. Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen besonders verläßlichen Zinkoxid- Varistor und ein Verfahren zu dessen Herstellung zur Verfügung zu stellen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Zusammensetzung aus kristallisiertem Glas zur Verfügung zu stellen, die sich zum Beschichten einer für einen Varistor oder einen Thermistor verwendeten Oxidkeramiksubstanz eignet.
  • Um diese Aufgaben zu lösen, wird in der Erfindung auf die Seiten eines ZnO als Hauptkomponente enthaltenden gesinterten Körpers ein PbO als Hauptkomponente enthaltendes kristallisiertes Glas, z.B. ein kristallisiertes Glas vom Typ PbO-ZnO-B&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;, aufgebracht und einer Backbehandlung unterzogen, um eine hochwiderstandsfähige Seitenschicht zu bilden, die aus dem kristallisierten Glas vom PbO-Typ auf dem gesinterten Körper besteht und damit den Zinkoxid-Varistor vollendet.
  • Darüber hinaus schlägt die Erfindung eine Zusammensetzung aus kristallisiertein Glas zum Beschichten einer Oxidkeramiksubstanz vor, die PbO als Hauptkomponente und andere Komponenten wie ZnO, B&sub2;O&sub3; und SiO&sub2; enthält.
  • Da kristallisiertes Glas, das erfindungsgemäß PbO als Hauptkomponente enthält, durch den Zusatz von SiO&sub2; über eine sehr hohe Festigkeit des Beschichtungsfilms und eine ausgezeichnete Haftung an einen gesinterten Körper verfügt, weist es ausgezeichnete Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert und ausgeprägte lsoliereigenschaften auf. Dies führt zu einem minimalen Abfall in der Nichtlinearität in bezug auf die Spannung während der Backbehandlung, und man erhält einen besonders verläßlichen Zinkoxid-Varistor mit ausgezeichneter Haltbarkeit unter Spannung.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnung
  • Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines Zinkoxid- Varistors, der unter Verwendung von erf indungsgemäßem kristallisiertem Glas vom PbO-Typ hergestellt wurde.
  • Beste Art der Durchführung der Erfindung
  • Ein Zinkoxid-Varistor, ein Verfahren zu seiner Herstellung und eine Zusammensetzung aus kristallisiertem Glas zum erfindungsgemäßen Beschichten werden nachstehend anhand folgender Beispiele im einzelnen erläutert.
  • Beispiel 1
  • Zuerst werden einem ZnO-Pulver, bezogen auf die Gesamtmenge des gemischten Pulvers, 0,5 Mol-% Bi&sub2;O&sub3;, 0,5 Mol- % Co&sub2;O&sub3;, 0,5 Mol-% MnO&sub2;, 1,0 Mol-% Sb&sub2;O&sub3;, 0,5 Mol-% Cr&sub2;O&sub3;, 0,5 Mol-% NiO und 0,5 Mol-% Sio&sub2; zugesetzt. Das so entstehende Mischpulver wurde ausreichend vermischt und mit reinem Wasser, einem Bindemittel und einem Dispergiermittel beispielsweise in einer Kugelmühle gemahlen. Anschließend wurde das so erhaltende gemahlene Pulver getrocknet und mittels eines Sprühtrockners granuliert, um ein Pulver herzustellen. Als nächstes wurde das Pulver formgepreßt, um ein geschmolzenes Pulver mit einem Durchmesser von 40 mm und einer Dicke von 30 mm zu erhalten. Dann folgte bei 900ºC eine fünfstündige Behandlung zum Entfetten. Danach wurde der so entstandene Formkörper 5 Stunden bei 1150ºC gebacken, um einen gesinterten Körper zu erhalten.
  • Alternativ wurde wie für kristallisiertes Glas zum Beschichten jede vorher festgelegte Menge an PbO, ZnO, B&sub2;O&sub3; und SiO&sub2; gewogen, dann gemischt und beispielsweise in einer Kugelmühle gemahlen. Anschließend wurde das gemahlene Pulver bei einer Temperatur von 1100ºC geschmolzen und in einem Platintiegel rasch abgekühlt, damit es verglaste. Das dabei entstehende Glas wurde in einer Kugelmühle erst grob und dann fein gemahlen, um eine Glasfritte zu erhalten. Andererseits wurde als Kontrollprobe ein Verbundglas, das zu 80,0 Gew.-% aus Glasfritte aus 70,0 Gew.-% PbO, 25,0 Gew.-% ZnO und 5,0 Gew. -% B&sub2;O&sub3; und zu 20 Gew. -% aus Feldspat (einer festen Lösung aus KAlSi&sub3;O&sub8;, NaAlSi&sub3;O&sub8; und CaAl&sub2;Si&sub2;O&sub8;) durch das gleiche Verfahren wie vorstehend beschrieben hergestellt. Die Zusammensetzung, der Glasübergangspunkt Tg, der Koeffizient der linearen Ausdehnung α und die Kristallinität der auf vorstehende Weise hergestellten Glasfritte sind in der nachstehenden Tabelle 1 aufgeführt.
  • Der in Tabelle 1 aufgeführte Glasübergangspunkt Tg und der Koeffizient der linearen Ausdehnung α wurden mittels eines Thermoanalyseapparates gemessen. Was die Kristallinität angeht, wurden die Zustände der Glasoberfläche mittels eines metallurgischen Mikroskops oder eines Elektronenmikroskops gemessen. Danach wurde eine Probe mit hoher Kristallinität mit "o", eine Probe mit niedriger Kristallinität mit "Δ" und eine Probe ohne Kristallinität mit "x" bezeichnet. Tabelle 1 Zusammensetzung (Gew.-%) Glasname Kristallinität
  • Das Zeichen "*" bezeichnet eine Kontrollprobe, die nicht in den Rahmen der Erfindung fällt.
  • Wie aus Tabelle 1 hervorgeht, hebt der Zusatz einer großen Menge an PbO den Koeffizienten der linearen Ausdehnung a an, während der Zusatz einer großen Menge ZnO den Glasübergangspunkt senkt, was die Kristallisation der Glaszusammensetzung erleichtert. Umgekehrt hebt der Zusatz einer großen Menge B&sub2;O&sub3; den Glasübergangspunkt an, und der Zusatz von mehr als 15,0 Gew.-% B&sub2;O&sub3; erschwert die Kristallisation der Glas zusammensetzung. Mit zunehmender Menge an zugesetztem SiO&sub2; steigt außerdem der Glasübergangspunkt an, während der Koeffizient der linearen Ausdehnung sinkt.
  • Als nächstes wurden 85 Gew. -% der Glasfritte der vorstehenden Probe und 15 Gew.-% einer Mischung aus Ethylcellulose und Butylcarbitolacetat als organisches Bindemittel ausreichend vermischt, z.B. in einer Dreifachwalzenmühle, um eine Glaspaste zum Beschichten zu erhalten. Die so erhaltene Glaspaste zum Beschichten wurde beispielsweise durch eine Siebdruckmaschine für eine gebogene Oberfläche mit einer Siebgröße von 125 bis 250 mesh auf die Seiten des vorstehenden gesinterten Körpers gedruckt. In diesem Verfahren wurde die Glaspaste für die Beschichtung durch Messung eines Gewichtsunterschieds zwischen den gesinterten Körpern vor und nach dem Verfahren zur Beschichtung mit Paste und 30 Minuten Trocknen bei 150ºC ermittelt. Die Menge der zur Beschichtung auf zubringenden Glaspaste wurde auch durch Zusatz eines organischen Bindemittels und n-Butylacetat angepaßt. Danach wurde die Glaspaste zur Beschichtung bei Temperaturen im Bereich von 350 bis 700ºC einer Backbehandlung unterzogen, um eine hochwiderstandsfähige Seitenschicht auf den Seiten des gesinterten Körpers zu bilden.
  • Als nächstes wurden beide Enden des gesinterten Körpers oberflächenpoliert. Dann wurde eine Aluminiummetallikon-Elektrode darauf ausgebildet, wodurch man einen Zinkoxid-Varistor erhielt.
  • Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines Zinkoxid- Varistors, der auf die vorstehende Weise erfindungsgemäß hergestellt wurde. In Fig. 1 bezeichnet die Bezugszahl 1 einen gesinterten Körper, der Zinkoxid als Hauptkomponente enthält, 2 eine auf beiden Endseiten des gesinterten Körpers 1 ausgebildete Elektrode und 3 eine hochwiderstandsfähige Seitenschicht, die man durch ein Verfahren zum Backen von kristallisiertem Glas auf den Seiten des gesinterten Körpers 1 erhält.
  • Als nächstes zeigt Tabelle 2 das Aussehen, V1mA/V10uA, die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert und die Lebensdauer eines Zinkoxid-Varistors, der unter Verwendung des in Tabelle 1 aufgeführten Glases hergestellt wurde, unter Spannung. Die Viskosität der Glaspaste zur Beschichtung wurde so gesteuert, daß man die Paste in einem Verhältnis von 50 mg/cm² aufbringen konnte. Die Backbehandlung erfolgte bei einer Temperatur von 550ºC über eine Stunde. Jede Partie umfaßte 5 Proben. V1mA/V10uA wurde unter Verwendung einer konstanten Gleichstromquelle gemessen. Die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert wurden dadurch gemessen, daß man an jede Probe in 5-Minuten-Intervallen zweimal einen Impulsstrom von 4/10 uS in die gleiche Richtung anlegte und den Strom von 40 kA steigerte. Dann wurde entweder durch Augenschein oder, falls nötig, mittels eines metallurgischen Mikroskops überprüft, ob sich ein ungewöhnliches Aussehen zeigte. In der Tabelle bedeutet das Zeichen "o", daß kein ungewöhnliches Aussehen zu beobachten war, nachdem der vorgeschriebene Strom zweimal an die Probe angelegt worden war. Die Zeichen "Δ" und "x" bedeuten, daß in 1 bis 2 bzw. 3 bis 5 Proben ein ungewöhnliches Aussehen beobachtet wurde. Darüber hinaus wurde mit den Eigenschaften der Lebensdauer unter Spannung die erforderliche Zeit gemessen, bis der Ableitstrom 5 mA erreichte, d.h. man maß einen Spitzenwert bei Umgebungstemperatur von 130ºC und eine Geschwindigkeit mit der Spannung von 95 % angelegt wurde (Wechselstrom, Spitzenwert). V1mA/V10uA und die Lebensdauer unter Spannung werden durch einen Durchschnittswert der fünf Proben dargestellt.
  • Die Anzahl der Proben, das Verfahren zur Messung von V1mA/V10uA, das Verfahren zur Bemessung für den Entladungsstromhaltewert und das Verfahren zur Bewertung der Lebensdauer unter Spannung wie vorstehend beschrieben werden, wenn nichts anderes angegeben ist, in allen nachfolgenden Beispielen unverändert übernommen. Tabelle 2 Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert Glasname Aussehen Lebensdauer unter Spannung (Zeit) Herkömml. Beispiel teilweise Abblättern gut Risse porös
  • Das Zeichen"*" bezeichnet eine Kontrollprobe, die nicht in den Rahmen der Erfindung fällt. Die Daten in Tabelle 1 und 2 zeigen, daß dann, wenn der Koeffizient der linearen Ausdehnung von Glas zum Beschichten kleiner als 65 x 10&supmin;&sup7;/ºC war (G191, G118 Glas), das Glas dazu neigte, abzublättern. Überstieg er dagegen 90 x 10&supmin;&sup7;/ºC, traten verstärkt Risse im Glas auf. Ebenfalls wird bestätigt, daß die Glasproben, die Risse aufwiesen oder abblätterten, durch die schlechteren Isolierungseigenschaften der hochwiderstandsfähigen Seitenschicht über schlechte Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert verfügen. Jedoch neigt Glas mit schlechter Kristallinität (G105, G113 Glas) selbst dann, wenn der Koeffizient der linearen Ausdehnung von Glas zum Beschichten im Bereich von 65 x 10&supmin;&sup7;/ºC bis 90 x 10&supmin;&sup7;/ºC liegt, zu Rissen und hat darüber hinaus schlechte Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert. Dies kann auf die Tatsache zurückgeführt werden, daß der Beschichtungsfilm aus kristallinisiertem Glas weniger fest ist als nichtkristallines Glas. Die Zugabe von ZnO als Komponente von kristallisiertem Glas ist nützlich für die Verbesserung der physikalischen Eigenschaften, besonders eine Senkung des Glasübergangspunktes, ohne sich erheblich auf die verschiedenen elektrischen Eigenschaften und die Verläßlichkeit eines Zinkoxid-Varistors auszuwirken. Es wird auch bestätigt, daß dann, wenn man herkömmliches Verbundglas aus PbO-ZnO-B&sub2;O&sub3;-Glas und Feldspat, d.h. eine Kontrollprobe, verwendet, die Lebensdauer unter Spannung auf einem praktischen Niveau ist, während die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert schlecht sind.
  • Nachstehend wird die Menge an zugesetztem SiO&sub2; in Betracht gezogen. Zunächst einmal hat jede Zusammensetzung mit weniger als 5 Gew.-% an zugesetztem SiO&sub2; eine schlechtere Lebensdauer unter Spannung. Dies kann auf die Tatsache zurückzuführen sein, daß der Zusatz von weniger als 6 Gew. -% SiO&sub2; den Isolierungswiderstand des Beschichtungsfilms senkt. Der Zusatz von mehr als 15 Gew. -% SiO&sub2; andererseits senkt die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert. Dies kann auf die Tatsache zurückzuführen sein, daß Glas wegen seiner schlechten Fluidität während des Backverfahrens zur Porosität neigt. Folglich muß eine kristallisierte Glaszusammensetzung, die PbO als Hauptkomponente für die hochwiderstandsfähige Seitenschicht eines Zinkoxid- Varistors enthält, SiO&sub2; in einer Menge von mindestens 6,0 bis 15,0 Gew.-% enthalten.
  • Die vorstehenden Ergebnisse haben bestätigt, daß die am meisten bevorzugte Zusammensetzung aus kristallisiertem Glas zur Beschichtung 50,0 bis 75,0 Gew.-% PbO, 10,0 bis 30,0 Gew.-% ZnO, 5,0 bis 10 Gew.-% B&sub2;O&sub3; und 6,0 bis 15,0 Gew.-% SiO&sub2; enthielt. Eine Zusammensetzung aus kristallisiertem Glas für die hochwiderstandsfähige Seitenschicht eines Zinkoxid-Varistors muß außerdem einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung im Bereich von 65 x 10&supmin;&sup7; bis 90 x 10&supmin;&sup7;/ºC haben.
  • Als nächstes wurde unter Verwendung von in Tabelle 1 als erfindungsgemäße Probe aufgeführtem G111 Glas die Menge an aufzubringender Glaspaste untersucht. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 3 aufgeführt. Glaspaste wurde in einem Verhältnis von 1,0 bis 300 mg/cm² aufgebracht, welches durch die Viskosität und die Anzahl der Pastenaufträge gesteuert wurde. Wie Tabelle 3 zeigt, ist die Festigkeit des Beschichtungsfilms gering, wenn die Glaspaste in einem Verhältnis von weniger als 10,0 mg/cm² aufgebracht wird. Übersteigt das Verhältnis jedoch 150,00 mg/cm², neigt das Glas zu Löchern. Beide Fälle führen im Ergebnis zu schlechten Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert. Diese Ergebnisse bestätigten, daß Glaspaste bevorzugterweise in einem Verhältnis von 10,0 bis 150,0 mg/cm² aufgebracht wird. Tabelle 3 Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert Probe Nr. Aufgebrachte Menge (mg/cm²) Aussehen Lebensdauer unter Spannung (Zeit) gut teilweise fließend
  • Das Zeichen"*" bezeichnet eine Kontrollprobe, die nicht in den Rahmen der Erfindung fällt. Als nächstes wurden unter Verwendung von in Tabelle 1 als erfindungsgemäße Probe aufgeführtem G1111 Glas die Bedingungen untersucht, unter denen die Glaspaste einer Backbehandlung unterzogen wurde. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 4 aufgeführt. Die Viskosität der Glaspaste wurde so eingestellt, daß die Glaspaste in einem Verhältnis von 50,0 mg/cm² aufgebracht werden kann. Die Glaspaste wurde bei Temperaturen im Bereich von 350 bis 700ºC 1 Stunde an der Luft einer Backbehandlung unterzogen. Wie aus Tabelle 4 hervorgeht, schmolz das Glas nicht ausreichend, wenn die Backbehandlung bei einer Temperatur von weniger als 450ºC durchgeführt wurde, was zu schlechten Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert führt. Wurde die Backbehandlung dagegen bei einer Temperatur von mehr als 650ºC durchgeführt, sank das Spannungsverhältnis merklich ab, was zu einer verschlechterten Lebensdauer unter Spannung führt. Diese Ergebnisse deuteten darauf hin, daß die Backbehandlung der Glaspaste bevorzugt bei Temperaturen im Bereich von 450 bis 650ºC erfolgen sollte. Es bestätigte sich auch, daß eine für 10 Minuten oder länger durchgeführte Backbehandlung keine ernsthaften Auswirkungen auf verschiedene Eigenschaften hatte. Tabelle 4 Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert Probe Nr. Backtemperatur (ºC) Aussehen Lebensdauer unter Spannung (Zeit) nicht gesintert porös gut teilweise fließend
  • Das Zeichen"*" bezeichnet eine Kontrollprobe, die nicht in den Rahmen der Erfindung fällt. Als typische Beispiele von kristallisiertem Glas, das PbO als Hauptkomponente enthält, werden Vier-Komponenten-Typen wie PbO-ZnO-B&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; im vorstehenden Beispiel 1 beschrieben. Die Wirkung der Erfindung bleibt praktisch gleich, wenn ein weiteres Additiv wie Al&sub2;O&sub3; oder SnO&sub2; zugesetzt wird, das die Kristallisierung von Glas zusätzlich erleichtert.
  • Als Substanz zur Absenkung des Glasübergangspunktes wurde in den vorstehenden Beispielen ZnO verwendet. Selbstverständlich kann man auch andere Substanzen wie V&sub2;O&sub5;, die den Glasübergangspunkt senken, als Ersatz dafür verwenden. Außerdem wird als typisches Beispiel einer Oxidkeramiksubstanz erfindungsgemäßes kristallisiertes Glas zum Beschichten, das PbO als Hauptkomponente umfaßt, in den Beispielen der Erfindung für einen Zinkoxid-Varistor verwendet. Dieses kristallisierte Glas kann ganz ähnlich auf jede beliebige Oxidkeramiksubstanz aufgebracht werden, die für einen Varistor vom Strontriumtitanat-Typ, einen Kondensator vom Bariumtitanat-Typ oder einen NTC-Thermistor vom Metalloxid-typ verwendet wird.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Wie vorstehend ausgeführt, kann die Erfindung einen Zinkoxid-Varistor zur Verfügung stellen, der über ausgezeichnete Nichtlinearität in bezug auf die Spannung, Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert und eine sehr gute Lebensdauer unter Spannung verfügt, wenn man verschiedene Arten von kristallisiertem Glas vom PbO-Typ mit hoher Kristallinität und einem starken Beschichtungsfilm als Material verwendet, das die auf einem gesinterten Körper mit Zinkoxid als Hauptkomponente ausgebildete hochwiderstandsfähige Seitenschicht darstellt. Ein erfindungsgemäßer Zinkoxid-Varistor steht besonders als charakteristisches Element einer Arretiervorrichtung zum Schutz einer Übermittlungs- und Verteilerleitung und deren peripheren Vorrichtungen zur Verfügung, die besonders verläßlich gegen durch Blitzschlag hervorgerufene Stoßspannung sein müssen.
  • Erfindungsgemäßes kristallisiertes Glas zum Beschichten, das PbO als Hauptkomponente umfaßt, kann als Überzugmaterial nicht nur für einen Zinkoxid-Varistor, sondern auch für verschiedene andere Oxidkeramiksubstanzen verwendet werden, die bei einem Varistor vom Strontiumtitanat-Typ, einem Kondensator vom Bariumtitanat-Typ, einem positiven Thermistor usw. sowie einem negativen Thermistor vom Metalloxid-Typ und einem Widerstand zum Einsatz kommen, um seine Festigkeit zu verbessern und seine verschiedenen elektrischen Eigenschaften zu stabilisieren oder zu verbessern. Wie aus den vorstehenden Beispielen hervorgeht, neigt darüber hinaus herkömmliches Glas zum Beschichten zu einer porösen Struktur, weil es sich um Feldspat enthaltendes Verbundglas handelt. Das erf indungsgemäße kristallisierte Glas vom PbO-Typ kann dagegen wegen seiner hohen Kristallinität auch den chemischen Widerstand und die Feuchtigkeitsbeständigkeit verbessern. Außerdem neigt es zu einer gleichmäßigen und engen Struktur und verspricht deshalb zahlreiche nützliche Anwendungen.

Claims (4)

1. Zinkoxid-Varistor, umfassend einen gesinterten Körper, der als Hauptkomponente Zinkoxid enthält und Varistoreigenschaften aufweist, und eine an den Seiten des gesinterten Körpers ausgebildete hoch widerstandsfähige Schicht aus kristallisiertem Glas, aus 50,0 bis 75,0 Gew.-% PbO, 10,0 bis 30,0 Gew.-% ZnO, 5,0 bis 10,0 Gew.-% B&sub2;O&sub3; und 6,0 bis 15,0 Gew.-% SiO&sub2; besteht.
2. Verfahren zur Herstellung eines Zinkoxid-Varistors, bei dem eine Glaspaste aus kristallisiertem Glas, das aus 50,0 bis 75,0 Gew.-% PbO, 10,0 bis 30,0 Gew.-% ZnO, 5,0 bis 10,0 Gew.-% B&sub2;O&sub3; und 6,0 bis 15,0 Gew.-% SiO&sub2; besteht, und aus einer oranischen Substanz in einem Verhältnis von 10,0 bis 150,0 mg/cm² auf die Seiten eines gesinterten Körpers, der Zinkoxid als Hauptkomponente enthält und Varistoreigenschaften aufweist, aufgetragen und anschließend einer Backbehandlung bei Temperaturen im Bereich von 450 bis 650ºC unterzogen wird.
3. Verfahren zur Herstellung eines Zinkoxid-Varistors nach Anspruch 2, bei dem der lineare Ausdehnungskoeffizient des kristallisierten Glases im Bereich von 65 bis 90 x 10&supmin;&sup7;/ºC liegt.
4. Kristallisierte Glaszusammensetzung zum Beschichten aus 50,0 bis 75,0 Gew.-% PbO, 10,0 bis 30,0 Gew.-% ZnO, 5,0 bis 10,0 Gew.-% B&sub2;O&sub3; und 6,0 bis 15,0 Gew.- % SiO&sub2;.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69027867T2 (de) * 1989-11-08 1996-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung
US5518663A (en) * 1994-12-06 1996-05-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor compositions with improved adhesion
JPH08178833A (ja) * 1994-12-20 1996-07-12 Yokogawa Eng Service Kk 腐食検査板と腐食環境測定方法
JP3293403B2 (ja) * 1995-05-08 2002-06-17 松下電器産業株式会社 酸化亜鉛バリスタ用側面高抵抗剤とそれを用いた酸化亜鉛バリスタとその製造方法
DE19638500C1 (de) * 1996-09-19 1997-12-18 Siemens Matsushita Components Umhüllung von Keramikbauteilen
KR100326558B1 (ko) * 1998-09-01 2002-09-17 엘지전자주식회사 플라즈마용표시장치용격벽조성물
JP2000265938A (ja) * 1999-03-17 2000-09-26 Hitachi Ltd 風力発電の雷保護システム
JP2001176703A (ja) * 1999-10-04 2001-06-29 Toshiba Corp 電圧非直線抵抗体及びその製造方法
US6489480B2 (en) 1999-12-09 2002-12-03 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Group-15 cationic compounds for olefin polymerization catalysts
JP3636075B2 (ja) * 2001-01-18 2005-04-06 株式会社村田製作所 積層ptcサーミスタ
US20050180091A1 (en) * 2004-01-13 2005-08-18 Avx Corporation High current feedthru device
DE102004044648A1 (de) * 2004-09-15 2006-03-30 Epcos Ag Varistor
US20070128822A1 (en) * 2005-10-19 2007-06-07 Littlefuse, Inc. Varistor and production method
US20100189882A1 (en) * 2006-09-19 2010-07-29 Littelfuse Ireland Development Company Limited Manufacture of varistors with a passivation layer
CN101891992B (zh) * 2010-07-26 2012-10-17 深圳Abb银星避雷器有限公司 氧化锌避雷器阀片侧面绝缘涂层及其涂覆方法
TWI409829B (zh) * 2010-09-03 2013-09-21 Sfi Electronics Technology Inc 一種高溫使用的氧化鋅突波吸收器
JP5304757B2 (ja) * 2010-09-06 2013-10-02 Tdk株式会社 セラミック積層ptcサーミスタ

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL131099C (de) * 1964-10-02
JPS5023158B1 (de) * 1970-01-29 1975-08-05
US3947279A (en) * 1971-12-23 1976-03-30 Owens-Illinois, Inc. Thermally crystallizable glasses possessing precision controlled crystallization and flow properties and process of producing same
JPS5519041B2 (de) * 1972-07-20 1980-05-23
JPS5519042B2 (de) * 1972-07-21 1980-05-23
US3755720A (en) * 1972-09-25 1973-08-28 Rca Corp Glass encapsulated semiconductor device
JPS5240750B2 (de) * 1973-03-12 1977-10-14
US3959543A (en) * 1973-05-17 1976-05-25 General Electric Company Non-linear resistance surge arrester disc collar and glass composition thereof
JPS52812A (en) * 1975-06-24 1977-01-06 Asahi Glass Co Ltd Crystalline glass for isolation coating
JPS6054761B2 (ja) * 1979-01-16 1985-12-02 株式会社日立製作所 電圧非直線抵抗体
JPS5827643B2 (ja) * 1979-07-13 1983-06-10 株式会社日立製作所 非直線抵抗体およびその製法
US4383237A (en) * 1980-05-07 1983-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage-dependent resistor
JPS56164501A (en) * 1980-05-21 1981-12-17 Hitachi Ltd Nonlinear resistor and methdo of producing same
US4400683A (en) * 1981-09-18 1983-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage-dependent resistor
US4436829A (en) * 1982-02-04 1984-03-13 Corning Glass Works Glass frits containing WO3 or MoO3 in RuO2 -based resistors
DE3470975D1 (en) * 1983-12-22 1988-06-09 Bbc Brown Boveri & Cie Zinc oxide varistor
JPS62101002A (ja) * 1985-10-29 1987-05-11 株式会社東芝 非直線抵抗体の製造方法
JPS62185301A (ja) * 1986-02-10 1987-08-13 日本碍子株式会社 電圧非直線抵抗体
JPS63136424A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 日本碍子株式会社 避雷碍子
DK434888D0 (da) * 1988-08-04 1988-08-04 Pedersen Johannes Koeretoej med pneumatiske daek og med midler til formindskelse af daeksliddet
DE69027867T2 (de) * 1989-11-08 1996-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung
DE4005011C1 (de) * 1990-02-19 1991-04-25 Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De

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Publication number Publication date
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