DE69021552T2 - Zinkoxid-varistor, seine herstellung und zusammensetzung eines kristallisierten glases zur beschichtung. - Google Patents
Zinkoxid-varistor, seine herstellung und zusammensetzung eines kristallisierten glases zur beschichtung.Info
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- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 86
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims description 43
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 title 1
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 title 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 78
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 15
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 15
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 10
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 8
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 6
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 5
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007472 ZnO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Coo Chemical compound 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052656 albite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052661 anorthite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052651 microcline Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052652 orthoclase Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052654 sanidine Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940105296 zinc peroxide Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/102—Varistor boundary, e.g. surface layers
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- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
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- H—ELECTRICITY
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- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
- Die Erfindung betrifft insbesondere einen Zinkoxid- Varistor, der auf dem Gebiet eines elektrischen Stromsystems verwendet wird, ein Verfahren zu seiner Herstellung und eine kristallisierte Glaszusammensetzung, die zur Beschichtung einer für einen Thermistor oder Varistor eingesetzten 0xidkeramiksubstanz verwendet wird.
- Ein ZnO als Hauptkomponente und verschiedene Arten von Metalloxiden einschließlich Bi&sub2;O&sub3;, Coo, Sb&sub2;O&sub3;, Cr&sub2;O&sub3; und MnO&sub2; als andere Komponenten umfassender Zinkoxid- Varistor weist eine hohe Widerstandskraft gegen Stoßspannung und eine ausgezeichnete Nichtlinearität in bezug auf die Spannung auf. Deshalb ist allgemein bekannt, daß der Zinkoxid-Varistor anstelle der herkömmlichen Siliciumcarbidvaristoren der letzten Jahre weithin als Element für eine geschlossene Arretiervorrichtung verwendet wird.
- Beispielsweise offenbart die Japanische OS Nr. 62-101002 usw. herkömmliche Verfahren zur Herstellung eines Zinkoxid-Varistors. Diese Veröffentlichung des Standes der Technik offenbart folgendes: Zuerst werden Zn0 als Hauptkomponente metallische Oxide wie Bi&sub2;0&sub3;, Sb&sub2;o&sub3;, Cr&sub2;O&sub3;, CoO und MnO&sub2; jeweils in einer Menge von 0,01 bis 6,0 Mol-% zugegeben, um ein gemischtes Pulver herzustellen. Dann wird das so erhaltene gemischte Pulver vermischt und granuliert. Das dabei entstehende Granulat wird durch Anwendung von Druck in eine zylindrische Form gebracht. Anschließend wird der geformte Körper 6 Stunden bei 1200ºC in einem elektrischen Ofen gebacken. Als nächstes wird auf die Seiten des so erhaltenen gesinterten Körpers durch eine Siebdruckmaschine eine Glaspaste, die aus 80 % Glasfritte vom PbO- Typ mit 60 Gew.-% PbO, 20 Gew.-% Feldspat und einem organischen Bindemittel besteht, in einem Verhältnis von 5 bis 500 mg/cm² aufgebracht und einer Backbehandlung unterzogen. Als nächstes werden beide Endflächen des so erhaltenen Elements oberflächenpoliert, und dann wird darauf eine Metallikon-Elektrode gebildet, wodurch man einen Zinkoxid-Varistor erhält.
- US-A-4,420,737 offenbart einen gesinterten nichtlinearen Widerstand, dessen Oberfläche mit einer Glasschicht beschichtet ist. Diese Glasschicht besteht aus 40 bis 75 % PbO, 5 bis 15 % B&sub2;O&sub3;, 2,5 bis 25 % SiO&sub2; und 0,4 bis 10 % SnO&sub2;. Nach der Offenbarung ist SnO&sub2; insofern für die Herstellung der Glasschicht erforderlich, als es das komplette Ausbrennen des organischen Bindemittels ermöglicht.
- US-A-3,959,543 offenbart eine Glaszusammensetzung als Beschichtung für eine nichtlineare Widerstandsscheibe, die im wesentlichen aus 41 bis 48 % PbO, 22,5 bis 26,5 ZnO, 18,5 bis 22,5 % B&sub2;0&sub3;, 2,5 bis 6,5 % SiO&sub2; und 4 bis 8 % CuO besteht. Zink und Kupferoxid gelten als wesentlich, um die Auswirkung des verringerten Bleigehalts abzumildern.
- Da jedoch bei der Herstellung eines Varistors durch das vor stehende Verfahren ein Siebdruckverfahren zum Einsatz kam, bildete sich eine hoch widerstandsfähige Seitenschicht mit gleichmäßiger Dicke. Dies hatte den Vorteil, daß die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert zwischen den so hergestellten Varistoren kaum schwankten. Weil die hochwiderstandsfähige Seitenschicht aus einem Verbundglas hergestellt war, das aus Glasfritte vom PbO-Typ und Feldspat bestand, wies der Varistor allerdings folgende Nachteile auf: Die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert waren schlecht, und die Nichtlinearität in bezug auf die Spannung sank während der Backbehandlung des Glases, wodurch die Lebensdauer unter Spannung abnahm.
- Die Erfindung überwindet die vorstehenden aufgeführten Mängel des Standes der Technik. Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen besonders verläßlichen Zinkoxid- Varistor und ein Verfahren zu dessen Herstellung zur Verfügung zu stellen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Zusammensetzung aus kristallisiertem Glas zur Verfügung zu stellen, die sich zum Beschichten einer für einen Varistor oder einen Thermistor verwendeten Oxidkeramiksubstanz eignet.
- Um diese Aufgaben zu lösen, wird in der Erfindung auf die Seiten eines ZnO als Hauptkomponente enthaltenden gesinterten Körpers ein PbO als Hauptkomponente enthaltendes kristallisiertes Glas, z.B. ein kristallisiertes Glas vom Typ PbO-ZnO-B&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;, aufgebracht und einer Backbehandlung unterzogen, um eine hochwiderstandsfähige Seitenschicht zu bilden, die aus dem kristallisierten Glas vom PbO-Typ auf dem gesinterten Körper besteht und damit den Zinkoxid-Varistor vollendet.
- Darüber hinaus schlägt die Erfindung eine Zusammensetzung aus kristallisiertein Glas zum Beschichten einer Oxidkeramiksubstanz vor, die PbO als Hauptkomponente und andere Komponenten wie ZnO, B&sub2;O&sub3; und SiO&sub2; enthält.
- Da kristallisiertes Glas, das erfindungsgemäß PbO als Hauptkomponente enthält, durch den Zusatz von SiO&sub2; über eine sehr hohe Festigkeit des Beschichtungsfilms und eine ausgezeichnete Haftung an einen gesinterten Körper verfügt, weist es ausgezeichnete Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert und ausgeprägte lsoliereigenschaften auf. Dies führt zu einem minimalen Abfall in der Nichtlinearität in bezug auf die Spannung während der Backbehandlung, und man erhält einen besonders verläßlichen Zinkoxid-Varistor mit ausgezeichneter Haltbarkeit unter Spannung.
- Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines Zinkoxid- Varistors, der unter Verwendung von erf indungsgemäßem kristallisiertem Glas vom PbO-Typ hergestellt wurde.
- Ein Zinkoxid-Varistor, ein Verfahren zu seiner Herstellung und eine Zusammensetzung aus kristallisiertem Glas zum erfindungsgemäßen Beschichten werden nachstehend anhand folgender Beispiele im einzelnen erläutert.
- Zuerst werden einem ZnO-Pulver, bezogen auf die Gesamtmenge des gemischten Pulvers, 0,5 Mol-% Bi&sub2;O&sub3;, 0,5 Mol- % Co&sub2;O&sub3;, 0,5 Mol-% MnO&sub2;, 1,0 Mol-% Sb&sub2;O&sub3;, 0,5 Mol-% Cr&sub2;O&sub3;, 0,5 Mol-% NiO und 0,5 Mol-% Sio&sub2; zugesetzt. Das so entstehende Mischpulver wurde ausreichend vermischt und mit reinem Wasser, einem Bindemittel und einem Dispergiermittel beispielsweise in einer Kugelmühle gemahlen. Anschließend wurde das so erhaltende gemahlene Pulver getrocknet und mittels eines Sprühtrockners granuliert, um ein Pulver herzustellen. Als nächstes wurde das Pulver formgepreßt, um ein geschmolzenes Pulver mit einem Durchmesser von 40 mm und einer Dicke von 30 mm zu erhalten. Dann folgte bei 900ºC eine fünfstündige Behandlung zum Entfetten. Danach wurde der so entstandene Formkörper 5 Stunden bei 1150ºC gebacken, um einen gesinterten Körper zu erhalten.
- Alternativ wurde wie für kristallisiertes Glas zum Beschichten jede vorher festgelegte Menge an PbO, ZnO, B&sub2;O&sub3; und SiO&sub2; gewogen, dann gemischt und beispielsweise in einer Kugelmühle gemahlen. Anschließend wurde das gemahlene Pulver bei einer Temperatur von 1100ºC geschmolzen und in einem Platintiegel rasch abgekühlt, damit es verglaste. Das dabei entstehende Glas wurde in einer Kugelmühle erst grob und dann fein gemahlen, um eine Glasfritte zu erhalten. Andererseits wurde als Kontrollprobe ein Verbundglas, das zu 80,0 Gew.-% aus Glasfritte aus 70,0 Gew.-% PbO, 25,0 Gew.-% ZnO und 5,0 Gew. -% B&sub2;O&sub3; und zu 20 Gew. -% aus Feldspat (einer festen Lösung aus KAlSi&sub3;O&sub8;, NaAlSi&sub3;O&sub8; und CaAl&sub2;Si&sub2;O&sub8;) durch das gleiche Verfahren wie vorstehend beschrieben hergestellt. Die Zusammensetzung, der Glasübergangspunkt Tg, der Koeffizient der linearen Ausdehnung α und die Kristallinität der auf vorstehende Weise hergestellten Glasfritte sind in der nachstehenden Tabelle 1 aufgeführt.
- Der in Tabelle 1 aufgeführte Glasübergangspunkt Tg und der Koeffizient der linearen Ausdehnung α wurden mittels eines Thermoanalyseapparates gemessen. Was die Kristallinität angeht, wurden die Zustände der Glasoberfläche mittels eines metallurgischen Mikroskops oder eines Elektronenmikroskops gemessen. Danach wurde eine Probe mit hoher Kristallinität mit "o", eine Probe mit niedriger Kristallinität mit "Δ" und eine Probe ohne Kristallinität mit "x" bezeichnet. Tabelle 1 Zusammensetzung (Gew.-%) Glasname Kristallinität
- Das Zeichen "*" bezeichnet eine Kontrollprobe, die nicht in den Rahmen der Erfindung fällt.
- Wie aus Tabelle 1 hervorgeht, hebt der Zusatz einer großen Menge an PbO den Koeffizienten der linearen Ausdehnung a an, während der Zusatz einer großen Menge ZnO den Glasübergangspunkt senkt, was die Kristallisation der Glaszusammensetzung erleichtert. Umgekehrt hebt der Zusatz einer großen Menge B&sub2;O&sub3; den Glasübergangspunkt an, und der Zusatz von mehr als 15,0 Gew.-% B&sub2;O&sub3; erschwert die Kristallisation der Glas zusammensetzung. Mit zunehmender Menge an zugesetztem SiO&sub2; steigt außerdem der Glasübergangspunkt an, während der Koeffizient der linearen Ausdehnung sinkt.
- Als nächstes wurden 85 Gew. -% der Glasfritte der vorstehenden Probe und 15 Gew.-% einer Mischung aus Ethylcellulose und Butylcarbitolacetat als organisches Bindemittel ausreichend vermischt, z.B. in einer Dreifachwalzenmühle, um eine Glaspaste zum Beschichten zu erhalten. Die so erhaltene Glaspaste zum Beschichten wurde beispielsweise durch eine Siebdruckmaschine für eine gebogene Oberfläche mit einer Siebgröße von 125 bis 250 mesh auf die Seiten des vorstehenden gesinterten Körpers gedruckt. In diesem Verfahren wurde die Glaspaste für die Beschichtung durch Messung eines Gewichtsunterschieds zwischen den gesinterten Körpern vor und nach dem Verfahren zur Beschichtung mit Paste und 30 Minuten Trocknen bei 150ºC ermittelt. Die Menge der zur Beschichtung auf zubringenden Glaspaste wurde auch durch Zusatz eines organischen Bindemittels und n-Butylacetat angepaßt. Danach wurde die Glaspaste zur Beschichtung bei Temperaturen im Bereich von 350 bis 700ºC einer Backbehandlung unterzogen, um eine hochwiderstandsfähige Seitenschicht auf den Seiten des gesinterten Körpers zu bilden.
- Als nächstes wurden beide Enden des gesinterten Körpers oberflächenpoliert. Dann wurde eine Aluminiummetallikon-Elektrode darauf ausgebildet, wodurch man einen Zinkoxid-Varistor erhielt.
- Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines Zinkoxid- Varistors, der auf die vorstehende Weise erfindungsgemäß hergestellt wurde. In Fig. 1 bezeichnet die Bezugszahl 1 einen gesinterten Körper, der Zinkoxid als Hauptkomponente enthält, 2 eine auf beiden Endseiten des gesinterten Körpers 1 ausgebildete Elektrode und 3 eine hochwiderstandsfähige Seitenschicht, die man durch ein Verfahren zum Backen von kristallisiertem Glas auf den Seiten des gesinterten Körpers 1 erhält.
- Als nächstes zeigt Tabelle 2 das Aussehen, V1mA/V10uA, die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert und die Lebensdauer eines Zinkoxid-Varistors, der unter Verwendung des in Tabelle 1 aufgeführten Glases hergestellt wurde, unter Spannung. Die Viskosität der Glaspaste zur Beschichtung wurde so gesteuert, daß man die Paste in einem Verhältnis von 50 mg/cm² aufbringen konnte. Die Backbehandlung erfolgte bei einer Temperatur von 550ºC über eine Stunde. Jede Partie umfaßte 5 Proben. V1mA/V10uA wurde unter Verwendung einer konstanten Gleichstromquelle gemessen. Die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert wurden dadurch gemessen, daß man an jede Probe in 5-Minuten-Intervallen zweimal einen Impulsstrom von 4/10 uS in die gleiche Richtung anlegte und den Strom von 40 kA steigerte. Dann wurde entweder durch Augenschein oder, falls nötig, mittels eines metallurgischen Mikroskops überprüft, ob sich ein ungewöhnliches Aussehen zeigte. In der Tabelle bedeutet das Zeichen "o", daß kein ungewöhnliches Aussehen zu beobachten war, nachdem der vorgeschriebene Strom zweimal an die Probe angelegt worden war. Die Zeichen "Δ" und "x" bedeuten, daß in 1 bis 2 bzw. 3 bis 5 Proben ein ungewöhnliches Aussehen beobachtet wurde. Darüber hinaus wurde mit den Eigenschaften der Lebensdauer unter Spannung die erforderliche Zeit gemessen, bis der Ableitstrom 5 mA erreichte, d.h. man maß einen Spitzenwert bei Umgebungstemperatur von 130ºC und eine Geschwindigkeit mit der Spannung von 95 % angelegt wurde (Wechselstrom, Spitzenwert). V1mA/V10uA und die Lebensdauer unter Spannung werden durch einen Durchschnittswert der fünf Proben dargestellt.
- Die Anzahl der Proben, das Verfahren zur Messung von V1mA/V10uA, das Verfahren zur Bemessung für den Entladungsstromhaltewert und das Verfahren zur Bewertung der Lebensdauer unter Spannung wie vorstehend beschrieben werden, wenn nichts anderes angegeben ist, in allen nachfolgenden Beispielen unverändert übernommen. Tabelle 2 Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert Glasname Aussehen Lebensdauer unter Spannung (Zeit) Herkömml. Beispiel teilweise Abblättern gut Risse porös
- Das Zeichen"*" bezeichnet eine Kontrollprobe, die nicht in den Rahmen der Erfindung fällt. Die Daten in Tabelle 1 und 2 zeigen, daß dann, wenn der Koeffizient der linearen Ausdehnung von Glas zum Beschichten kleiner als 65 x 10&supmin;&sup7;/ºC war (G191, G118 Glas), das Glas dazu neigte, abzublättern. Überstieg er dagegen 90 x 10&supmin;&sup7;/ºC, traten verstärkt Risse im Glas auf. Ebenfalls wird bestätigt, daß die Glasproben, die Risse aufwiesen oder abblätterten, durch die schlechteren Isolierungseigenschaften der hochwiderstandsfähigen Seitenschicht über schlechte Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert verfügen. Jedoch neigt Glas mit schlechter Kristallinität (G105, G113 Glas) selbst dann, wenn der Koeffizient der linearen Ausdehnung von Glas zum Beschichten im Bereich von 65 x 10&supmin;&sup7;/ºC bis 90 x 10&supmin;&sup7;/ºC liegt, zu Rissen und hat darüber hinaus schlechte Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert. Dies kann auf die Tatsache zurückgeführt werden, daß der Beschichtungsfilm aus kristallinisiertem Glas weniger fest ist als nichtkristallines Glas. Die Zugabe von ZnO als Komponente von kristallisiertem Glas ist nützlich für die Verbesserung der physikalischen Eigenschaften, besonders eine Senkung des Glasübergangspunktes, ohne sich erheblich auf die verschiedenen elektrischen Eigenschaften und die Verläßlichkeit eines Zinkoxid-Varistors auszuwirken. Es wird auch bestätigt, daß dann, wenn man herkömmliches Verbundglas aus PbO-ZnO-B&sub2;O&sub3;-Glas und Feldspat, d.h. eine Kontrollprobe, verwendet, die Lebensdauer unter Spannung auf einem praktischen Niveau ist, während die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert schlecht sind.
- Nachstehend wird die Menge an zugesetztem SiO&sub2; in Betracht gezogen. Zunächst einmal hat jede Zusammensetzung mit weniger als 5 Gew.-% an zugesetztem SiO&sub2; eine schlechtere Lebensdauer unter Spannung. Dies kann auf die Tatsache zurückzuführen sein, daß der Zusatz von weniger als 6 Gew. -% SiO&sub2; den Isolierungswiderstand des Beschichtungsfilms senkt. Der Zusatz von mehr als 15 Gew. -% SiO&sub2; andererseits senkt die Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert. Dies kann auf die Tatsache zurückzuführen sein, daß Glas wegen seiner schlechten Fluidität während des Backverfahrens zur Porosität neigt. Folglich muß eine kristallisierte Glaszusammensetzung, die PbO als Hauptkomponente für die hochwiderstandsfähige Seitenschicht eines Zinkoxid- Varistors enthält, SiO&sub2; in einer Menge von mindestens 6,0 bis 15,0 Gew.-% enthalten.
- Die vorstehenden Ergebnisse haben bestätigt, daß die am meisten bevorzugte Zusammensetzung aus kristallisiertem Glas zur Beschichtung 50,0 bis 75,0 Gew.-% PbO, 10,0 bis 30,0 Gew.-% ZnO, 5,0 bis 10 Gew.-% B&sub2;O&sub3; und 6,0 bis 15,0 Gew.-% SiO&sub2; enthielt. Eine Zusammensetzung aus kristallisiertem Glas für die hochwiderstandsfähige Seitenschicht eines Zinkoxid-Varistors muß außerdem einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung im Bereich von 65 x 10&supmin;&sup7; bis 90 x 10&supmin;&sup7;/ºC haben.
- Als nächstes wurde unter Verwendung von in Tabelle 1 als erfindungsgemäße Probe aufgeführtem G111 Glas die Menge an aufzubringender Glaspaste untersucht. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 3 aufgeführt. Glaspaste wurde in einem Verhältnis von 1,0 bis 300 mg/cm² aufgebracht, welches durch die Viskosität und die Anzahl der Pastenaufträge gesteuert wurde. Wie Tabelle 3 zeigt, ist die Festigkeit des Beschichtungsfilms gering, wenn die Glaspaste in einem Verhältnis von weniger als 10,0 mg/cm² aufgebracht wird. Übersteigt das Verhältnis jedoch 150,00 mg/cm², neigt das Glas zu Löchern. Beide Fälle führen im Ergebnis zu schlechten Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert. Diese Ergebnisse bestätigten, daß Glaspaste bevorzugterweise in einem Verhältnis von 10,0 bis 150,0 mg/cm² aufgebracht wird. Tabelle 3 Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert Probe Nr. Aufgebrachte Menge (mg/cm²) Aussehen Lebensdauer unter Spannung (Zeit) gut teilweise fließend
- Das Zeichen"*" bezeichnet eine Kontrollprobe, die nicht in den Rahmen der Erfindung fällt. Als nächstes wurden unter Verwendung von in Tabelle 1 als erfindungsgemäße Probe aufgeführtem G1111 Glas die Bedingungen untersucht, unter denen die Glaspaste einer Backbehandlung unterzogen wurde. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 4 aufgeführt. Die Viskosität der Glaspaste wurde so eingestellt, daß die Glaspaste in einem Verhältnis von 50,0 mg/cm² aufgebracht werden kann. Die Glaspaste wurde bei Temperaturen im Bereich von 350 bis 700ºC 1 Stunde an der Luft einer Backbehandlung unterzogen. Wie aus Tabelle 4 hervorgeht, schmolz das Glas nicht ausreichend, wenn die Backbehandlung bei einer Temperatur von weniger als 450ºC durchgeführt wurde, was zu schlechten Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert führt. Wurde die Backbehandlung dagegen bei einer Temperatur von mehr als 650ºC durchgeführt, sank das Spannungsverhältnis merklich ab, was zu einer verschlechterten Lebensdauer unter Spannung führt. Diese Ergebnisse deuteten darauf hin, daß die Backbehandlung der Glaspaste bevorzugt bei Temperaturen im Bereich von 450 bis 650ºC erfolgen sollte. Es bestätigte sich auch, daß eine für 10 Minuten oder länger durchgeführte Backbehandlung keine ernsthaften Auswirkungen auf verschiedene Eigenschaften hatte. Tabelle 4 Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert Probe Nr. Backtemperatur (ºC) Aussehen Lebensdauer unter Spannung (Zeit) nicht gesintert porös gut teilweise fließend
- Das Zeichen"*" bezeichnet eine Kontrollprobe, die nicht in den Rahmen der Erfindung fällt. Als typische Beispiele von kristallisiertem Glas, das PbO als Hauptkomponente enthält, werden Vier-Komponenten-Typen wie PbO-ZnO-B&sub2;O&sub3;-SiO&sub2; im vorstehenden Beispiel 1 beschrieben. Die Wirkung der Erfindung bleibt praktisch gleich, wenn ein weiteres Additiv wie Al&sub2;O&sub3; oder SnO&sub2; zugesetzt wird, das die Kristallisierung von Glas zusätzlich erleichtert.
- Als Substanz zur Absenkung des Glasübergangspunktes wurde in den vorstehenden Beispielen ZnO verwendet. Selbstverständlich kann man auch andere Substanzen wie V&sub2;O&sub5;, die den Glasübergangspunkt senken, als Ersatz dafür verwenden. Außerdem wird als typisches Beispiel einer Oxidkeramiksubstanz erfindungsgemäßes kristallisiertes Glas zum Beschichten, das PbO als Hauptkomponente umfaßt, in den Beispielen der Erfindung für einen Zinkoxid-Varistor verwendet. Dieses kristallisierte Glas kann ganz ähnlich auf jede beliebige Oxidkeramiksubstanz aufgebracht werden, die für einen Varistor vom Strontriumtitanat-Typ, einen Kondensator vom Bariumtitanat-Typ oder einen NTC-Thermistor vom Metalloxid-typ verwendet wird.
- Wie vorstehend ausgeführt, kann die Erfindung einen Zinkoxid-Varistor zur Verfügung stellen, der über ausgezeichnete Nichtlinearität in bezug auf die Spannung, Bemessungseigenschaften für den Entladungsstromhaltewert und eine sehr gute Lebensdauer unter Spannung verfügt, wenn man verschiedene Arten von kristallisiertem Glas vom PbO-Typ mit hoher Kristallinität und einem starken Beschichtungsfilm als Material verwendet, das die auf einem gesinterten Körper mit Zinkoxid als Hauptkomponente ausgebildete hochwiderstandsfähige Seitenschicht darstellt. Ein erfindungsgemäßer Zinkoxid-Varistor steht besonders als charakteristisches Element einer Arretiervorrichtung zum Schutz einer Übermittlungs- und Verteilerleitung und deren peripheren Vorrichtungen zur Verfügung, die besonders verläßlich gegen durch Blitzschlag hervorgerufene Stoßspannung sein müssen.
- Erfindungsgemäßes kristallisiertes Glas zum Beschichten, das PbO als Hauptkomponente umfaßt, kann als Überzugmaterial nicht nur für einen Zinkoxid-Varistor, sondern auch für verschiedene andere Oxidkeramiksubstanzen verwendet werden, die bei einem Varistor vom Strontiumtitanat-Typ, einem Kondensator vom Bariumtitanat-Typ, einem positiven Thermistor usw. sowie einem negativen Thermistor vom Metalloxid-Typ und einem Widerstand zum Einsatz kommen, um seine Festigkeit zu verbessern und seine verschiedenen elektrischen Eigenschaften zu stabilisieren oder zu verbessern. Wie aus den vorstehenden Beispielen hervorgeht, neigt darüber hinaus herkömmliches Glas zum Beschichten zu einer porösen Struktur, weil es sich um Feldspat enthaltendes Verbundglas handelt. Das erf indungsgemäße kristallisierte Glas vom PbO-Typ kann dagegen wegen seiner hohen Kristallinität auch den chemischen Widerstand und die Feuchtigkeitsbeständigkeit verbessern. Außerdem neigt es zu einer gleichmäßigen und engen Struktur und verspricht deshalb zahlreiche nützliche Anwendungen.
Claims (4)
1. Zinkoxid-Varistor, umfassend einen gesinterten
Körper, der als Hauptkomponente Zinkoxid enthält und
Varistoreigenschaften aufweist, und eine an den
Seiten des gesinterten Körpers ausgebildete hoch
widerstandsfähige Schicht aus kristallisiertem Glas,
aus 50,0 bis 75,0 Gew.-% PbO, 10,0 bis 30,0 Gew.-%
ZnO, 5,0 bis 10,0 Gew.-% B&sub2;O&sub3; und 6,0 bis 15,0
Gew.-% SiO&sub2; besteht.
2. Verfahren zur Herstellung eines Zinkoxid-Varistors,
bei dem eine Glaspaste aus kristallisiertem Glas,
das aus 50,0 bis 75,0 Gew.-% PbO, 10,0 bis 30,0
Gew.-% ZnO, 5,0 bis 10,0 Gew.-% B&sub2;O&sub3; und 6,0 bis
15,0 Gew.-% SiO&sub2; besteht, und aus einer oranischen
Substanz in einem Verhältnis von 10,0 bis 150,0
mg/cm² auf die Seiten eines gesinterten Körpers, der
Zinkoxid als Hauptkomponente enthält und
Varistoreigenschaften aufweist, aufgetragen und
anschließend einer Backbehandlung bei Temperaturen im
Bereich von 450 bis 650ºC unterzogen wird.
3. Verfahren zur Herstellung eines Zinkoxid-Varistors
nach Anspruch 2, bei dem der lineare
Ausdehnungskoeffizient des kristallisierten Glases im Bereich
von 65 bis 90 x 10&supmin;&sup7;/ºC liegt.
4. Kristallisierte Glaszusammensetzung zum Beschichten
aus 50,0 bis 75,0 Gew.-% PbO, 10,0 bis 30,0 Gew.-%
ZnO, 5,0 bis 10,0 Gew.-% B&sub2;O&sub3; und 6,0 bis 15,0 Gew.-
% SiO&sub2;.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1290191A JP2727699B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および被覆用結晶化ガラス組成物 |
JP1290190A JP2819691B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
JP2003037A JP2819714B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および酸化物セラミック被覆用結晶化ガラス組成物 |
JP2003033A JP2830264B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
JP2035129A JP2819731B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および酸化物セラミック被覆用結晶化ガラス組成物 |
PCT/JP1990/001442 WO1991007763A1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69021552D1 DE69021552D1 (de) | 1995-09-14 |
DE69021552T2 true DE69021552T2 (de) | 1996-01-18 |
Family
ID=27518309
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69027867T Expired - Fee Related DE69027867T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
DE69021552T Expired - Lifetime DE69021552T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-varistor, seine herstellung und zusammensetzung eines kristallisierten glases zur beschichtung. |
DE69027866T Expired - Fee Related DE69027866T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69027867T Expired - Fee Related DE69027867T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69027866T Expired - Fee Related DE69027866T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5294908A (de) |
EP (3) | EP0620567B1 (de) |
KR (1) | KR960011155B1 (de) |
AU (1) | AU641249B2 (de) |
DE (3) | DE69027867T2 (de) |
WO (1) | WO1991007763A1 (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69027867T2 (de) * | 1989-11-08 | 1996-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
US5518663A (en) * | 1994-12-06 | 1996-05-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions with improved adhesion |
JPH08178833A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-12 | Yokogawa Eng Service Kk | 腐食検査板と腐食環境測定方法 |
JP3293403B2 (ja) * | 1995-05-08 | 2002-06-17 | 松下電器産業株式会社 | 酸化亜鉛バリスタ用側面高抵抗剤とそれを用いた酸化亜鉛バリスタとその製造方法 |
DE19638500C1 (de) * | 1996-09-19 | 1997-12-18 | Siemens Matsushita Components | Umhüllung von Keramikbauteilen |
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JP2000265938A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Hitachi Ltd | 風力発電の雷保護システム |
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DE102004044648A1 (de) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Epcos Ag | Varistor |
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CN101891992B (zh) * | 2010-07-26 | 2012-10-17 | 深圳Abb银星避雷器有限公司 | 氧化锌避雷器阀片侧面绝缘涂层及其涂覆方法 |
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JP5304757B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2013-10-02 | Tdk株式会社 | セラミック積層ptcサーミスタ |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5023158B1 (de) * | 1970-01-29 | 1975-08-05 | ||
US3947279A (en) * | 1971-12-23 | 1976-03-30 | Owens-Illinois, Inc. | Thermally crystallizable glasses possessing precision controlled crystallization and flow properties and process of producing same |
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US3755720A (en) * | 1972-09-25 | 1973-08-28 | Rca Corp | Glass encapsulated semiconductor device |
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DE69027867T2 (de) * | 1989-11-08 | 1996-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
DE4005011C1 (de) * | 1990-02-19 | 1991-04-25 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De |
-
1990
- 1990-11-07 DE DE69027867T patent/DE69027867T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-07 DE DE69021552T patent/DE69021552T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-07 AU AU77879/91A patent/AU641249B2/en not_active Expired
- 1990-11-07 WO PCT/JP1990/001442 patent/WO1991007763A1/ja active IP Right Grant
- 1990-11-07 EP EP94110295A patent/EP0620567B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-07 EP EP90916378A patent/EP0452511B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-07 DE DE69027866T patent/DE69027866T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-07 EP EP94110291A patent/EP0620566B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-07 US US07/689,948 patent/US5294908A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-17 KR KR1019910700714A patent/KR960011155B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-11-01 US US08/147,182 patent/US5447892A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-14 US US08/388,086 patent/US5547907A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5447892A (en) | 1995-09-05 |
KR960011155B1 (ko) | 1996-08-21 |
WO1991007763A1 (en) | 1991-05-30 |
AU7787991A (en) | 1991-06-13 |
EP0452511A1 (de) | 1991-10-23 |
US5547907A (en) | 1996-08-20 |
DE69027866T2 (de) | 1997-01-09 |
EP0620566B1 (de) | 1996-07-17 |
EP0620567A1 (de) | 1994-10-19 |
DE69027866D1 (de) | 1996-08-22 |
KR920701997A (ko) | 1992-08-12 |
AU641249B2 (en) | 1993-09-16 |
EP0620566A1 (de) | 1994-10-19 |
DE69021552D1 (de) | 1995-09-14 |
EP0452511B1 (de) | 1995-08-09 |
DE69027867D1 (de) | 1996-08-22 |
EP0620567B1 (de) | 1996-07-17 |
US5294908A (en) | 1994-03-15 |
DE69027867T2 (de) | 1996-12-12 |
EP0452511A4 (en) | 1992-12-02 |
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