JP2830264B2 - 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法Info
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- JP2830264B2 JP2830264B2 JP2003033A JP303390A JP2830264B2 JP 2830264 B2 JP2830264 B2 JP 2830264B2 JP 2003033 A JP2003033 A JP 2003033A JP 303390 A JP303390 A JP 303390A JP 2830264 B2 JP2830264 B2 JP 2830264B2
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- Japan
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- zinc oxide
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- oxide varistor
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、主として電力分野に用いられる酸化亜鉛バ
リスタおよびその製造方法に関するものである。
リスタおよびその製造方法に関するものである。
従来の技術 ZnOを主成分とし、Bi2O2,CoO,Sb2O3,Cr2O3,MnO2を始
めとする数種の金属酸化物を副成分とする酸化亜鉛バリ
スタは、大きなサージ耐量と優れた電圧非直線性を有
し、近年ギャプレスアレスタ用の素子として従来のシリ
コンカーバイトバリスタにとって代わって広く利用され
ていることは周知の通りである。
めとする数種の金属酸化物を副成分とする酸化亜鉛バリ
スタは、大きなサージ耐量と優れた電圧非直線性を有
し、近年ギャプレスアレスタ用の素子として従来のシリ
コンカーバイトバリスタにとって代わって広く利用され
ていることは周知の通りである。
従来より、酸化亜鉛バリスタの製造方法として、例え
ば特開昭62−101002号公報などが開示されているが、前
記先行例の内容は以下の通りである。まず、主成分のZn
Oに、Bi2O3,Sb2O3,Cr2O3,CoO,MnO2などの金属酸化物を
それぞれ0.01〜6.0モル％添加した原料粉を混合，造粒
し、この造粒粉を円柱状に加圧，成形し、電気炉で1200
℃,6時間焼成する。次に、得られた焼結体の側面に、Pb
Oを60重量％含有するPbO系ガラスフリットを80重量％
と、長石を20重量％と、有機バインダーとからなるガラ
スペーストを、スクリーン印刷機で５〜500mg/cm2塗布
したのち、焼付処理を行う。このようにして得られた素
子の両端面を平面研磨し、アルミニウムのメタリコン電
極を形成し酸化亜鉛バリスタを得るものである。
ば特開昭62−101002号公報などが開示されているが、前
記先行例の内容は以下の通りである。まず、主成分のZn
Oに、Bi2O3,Sb2O3,Cr2O3,CoO,MnO2などの金属酸化物を
それぞれ0.01〜6.0モル％添加した原料粉を混合，造粒
し、この造粒粉を円柱状に加圧，成形し、電気炉で1200
℃,6時間焼成する。次に、得られた焼結体の側面に、Pb
Oを60重量％含有するPbO系ガラスフリットを80重量％
と、長石を20重量％と、有機バインダーとからなるガラ
スペーストを、スクリーン印刷機で５〜500mg/cm2塗布
したのち、焼付処理を行う。このようにして得られた素
子の両端面を平面研磨し、アルミニウムのメタリコン電
極を形成し酸化亜鉛バリスタを得るものである。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、前記従来の製造方法による酸化亜鉛バ
リスタは、スクリーン印刷法を用いるため、側面ガラス
層の厚みが均一に形成され、放電耐量特性のバラツキが
小さいという長所を持つものの、PbO系ガラスフリット
と長石のコンポジットガラスであるため、放電耐量特性
が低く、またガラス焼付処理時に電圧非直線性が低下
し、課電寿命特性も悪化するという欠点を有していた。
リスタは、スクリーン印刷法を用いるため、側面ガラス
層の厚みが均一に形成され、放電耐量特性のバラツキが
小さいという長所を持つものの、PbO系ガラスフリット
と長石のコンポジットガラスであるため、放電耐量特性
が低く、またガラス焼付処理時に電圧非直線性が低下
し、課電寿命特性も悪化するという欠点を有していた。
そこで本発明は、放電耐量特性、電圧非直線性、課電
寿命特性に優れた高信頼性を有する酸化亜鉛バリスタを
提供することを目的とするものである。
寿命特性に優れた高信頼性を有する酸化亜鉛バリスタを
提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の酸化亜鉛バリスタ
は、酸化亜鉛を主成分とする焼結体と、この側面に設け
た側面高抵抗層とを備え、この側面高抵抗層はPbO 50.
0〜75.0重量％、ZnO 10.0〜30.0重量％、B2O3 5.0〜1
5.0重量％、SiO2 ０〜15.0重量％、TiO2 0.5〜10.0重
量％用いて形成した結晶化ガラスである。
は、酸化亜鉛を主成分とする焼結体と、この側面に設け
た側面高抵抗層とを備え、この側面高抵抗層はPbO 50.
0〜75.0重量％、ZnO 10.0〜30.0重量％、B2O3 5.0〜1
5.0重量％、SiO2 ０〜15.0重量％、TiO2 0.5〜10.0重
量％用いて形成した結晶化ガラスである。
作用 この構成によると、側面高抵抗層を形成するために、
副成分としてTiO2を添加することにより結晶化が促進さ
れ、SiO2を添加することにより、側面高抵抗層の強度が
向上する。従って側面高抵抗層は、焼結体との密着性が
良く、さらに絶縁性も高いため側面高抵抗層形成のため
の熱処理時の電圧非直線性の低下を最小限に抑制するこ
とが可能となる。その結果、放電耐量特性、電圧非直線
性、課電寿命特性に優れた高信頼性を有する酸化亜鉛バ
リスタとなる。
副成分としてTiO2を添加することにより結晶化が促進さ
れ、SiO2を添加することにより、側面高抵抗層の強度が
向上する。従って側面高抵抗層は、焼結体との密着性が
良く、さらに絶縁性も高いため側面高抵抗層形成のため
の熱処理時の電圧非直線性の低下を最小限に抑制するこ
とが可能となる。その結果、放電耐量特性、電圧非直線
性、課電寿命特性に優れた高信頼性を有する酸化亜鉛バ
リスタとなる。
実施例 以下、本発明の酸化亜鉛バリスタおよびその製造方
法、さらには被覆用結晶化ガラス組成物について実施例
に基づき詳細に説明する。
法、さらには被覆用結晶化ガラス組成物について実施例
に基づき詳細に説明する。
まず、ZnOの粉末に合計量に対し、Bi2O3 0.5モル％,
Co2O3 0.5モル％,MnO2 0.5モル％,Sb2O3 1.0モル％,
Cr2O3 0.5モル％,NiO 0.5モル％,SiO2 0.5モル％を
加え、純水，バインダー，分散剤とともに例えばボール
ミルにて充分に混合，粉砕したのち、スプレードライヤ
ーにて乾燥，造粒して原料粉を得た。この原料粉を直径
40mm,厚さ30mmの大きさに圧縮成形し、500℃以上の温度
条件にて脱脂処理した。そののち、1100℃〜1250℃の温
度範囲で焼成し、焼結体を得た。
Co2O3 0.5モル％,MnO2 0.5モル％,Sb2O3 1.0モル％,
Cr2O3 0.5モル％,NiO 0.5モル％,SiO2 0.5モル％を
加え、純水，バインダー，分散剤とともに例えばボール
ミルにて充分に混合，粉砕したのち、スプレードライヤ
ーにて乾燥，造粒して原料粉を得た。この原料粉を直径
40mm,厚さ30mmの大きさに圧縮成形し、500℃以上の温度
条件にて脱脂処理した。そののち、1100℃〜1250℃の温
度範囲で焼成し、焼結体を得た。
一方、被覆用結晶化ガラスは、PbO,ZnO,B2O3,BiO2,Ti
O2を所定量秤量し、例えばボールミルにて混合，粉砕し
たのち、白金ルツボにて1000℃〜1200℃の温度条件で溶
融し、急冷してガラス化させた。このガラスを粗粉砕し
たのち、ボールミルにて微粉砕しガラスフリットを得
た。なお、比較検討用試料としてPbO 70.0重量％,ZnO
25.0重量％,B2O3 5.0重量％からなるガラスフリット
80.0重量％と長石（長石はKAlSi3O8,NaAlSi3O8,CaAl2Si
2O8の固溶体）20.0重量％からなるコンポジットガラス
を同様の工程で作成した。
O2を所定量秤量し、例えばボールミルにて混合，粉砕し
たのち、白金ルツボにて1000℃〜1200℃の温度条件で溶
融し、急冷してガラス化させた。このガラスを粗粉砕し
たのち、ボールミルにて微粉砕しガラスフリットを得
た。なお、比較検討用試料としてPbO 70.0重量％,ZnO
25.0重量％,B2O3 5.0重量％からなるガラスフリット
80.0重量％と長石（長石はKAlSi3O8,NaAlSi3O8,CaAl2Si
2O8の固溶体）20.0重量％からなるコンポジットガラス
を同様の工程で作成した。
以上のように作成したガラスフリットの、組成および
ガラス転移点（Tg）、線膨張係数（α）を下記の第１表
に示した。
ガラス転移点（Tg）、線膨張係数（α）を下記の第１表
に示した。
第１表よりPbOの添加量が多い場合、線膨張係数
（α）が高くなり、ZnOの添加量が多い場合、ガラス転
移点（Tg）が低くなり結晶化しやすくなる。また、B2O3
の添加量が少ない場合、ガラス転移点が高くなり、添加
量が15.0重量％を超えた場合には結晶化しにくくなる。
さらにSiO2の添加量が多くなるに従いガラス転移点は高
くなる傾向があり、線膨張係数は低くなる傾向がある。
そして、TiO2の添加量が増加するに従いガラスの結晶化
が進行した。また、PbO,B2O3が少ない系ではポーラスな
ガラスとなりやすかった。
（α）が高くなり、ZnOの添加量が多い場合、ガラス転
移点（Tg）が低くなり結晶化しやすくなる。また、B2O3
の添加量が少ない場合、ガラス転移点が高くなり、添加
量が15.0重量％を超えた場合には結晶化しにくくなる。
さらにSiO2の添加量が多くなるに従いガラス転移点は高
くなる傾向があり、線膨張係数は低くなる傾向がある。
そして、TiO2の添加量が増加するに従いガラスの結晶化
が進行した。また、PbO,B2O3が少ない系ではポーラスな
ガラスとなりやすかった。
次に、このガラスフリット85重量％と、有機バインダ
ー（エチルセルロース，ブチルカルビトールアセテート
の混合物）15重量％を、例えば三本ロールミルにて充分
に混合し被覆用ガラスペーストを得た。この被覆用ガラ
スペーストを、例えば曲面スクリーン印刷機にて125〜2
50メッシュのスクリーンを用いて前記焼結体の側面に印
刷した。ここで、被覆用ガラスペーストの塗布量は、ペ
ーストを塗布したのち、150℃で30分間乾燥して焼結体
の重量差から求めた。また、塗布量は被覆用ガラスペー
ストに有機バインダー，酢酸ｎ−ブチルを添加して調整
した。そののち、350℃〜700℃の温度条件にて被覆用ガ
ラスペーストの焼付処理を行い、焼結体の側面に側面高
抵抗層を形成した。次いで、この焼結体の両端面を平面
研磨し、アルミニウムのメタリコン電極を形成し酸化亜
鉛バリスタを得た。
ー（エチルセルロース，ブチルカルビトールアセテート
の混合物）15重量％を、例えば三本ロールミルにて充分
に混合し被覆用ガラスペーストを得た。この被覆用ガラ
スペーストを、例えば曲面スクリーン印刷機にて125〜2
50メッシュのスクリーンを用いて前記焼結体の側面に印
刷した。ここで、被覆用ガラスペーストの塗布量は、ペ
ーストを塗布したのち、150℃で30分間乾燥して焼結体
の重量差から求めた。また、塗布量は被覆用ガラスペー
ストに有機バインダー，酢酸ｎ−ブチルを添加して調整
した。そののち、350℃〜700℃の温度条件にて被覆用ガ
ラスペーストの焼付処理を行い、焼結体の側面に側面高
抵抗層を形成した。次いで、この焼結体の両端面を平面
研磨し、アルミニウムのメタリコン電極を形成し酸化亜
鉛バリスタを得た。
第１図に、以下のようにして得られた本発明による酸
化亜鉛バリスタの断面図を示す、第１図において、１は
酸化亜鉛を主成分とする焼結体、２は焼結体１の両端面
に形成された電極、３は焼結体１の側面に結晶化ガラス
を焼付処理して得られた側面高抵抗層である。
化亜鉛バリスタの断面図を示す、第１図において、１は
酸化亜鉛を主成分とする焼結体、２は焼結体１の両端面
に形成された電極、３は焼結体１の側面に結晶化ガラス
を焼付処理して得られた側面高抵抗層である。
次に、下記の第２表に、第１表の被覆用ガラスを用い
て作製した酸化亜鉛バリスタの外観、V1mA/V10μＡ、放
電耐量特性および課電寿命特性を示す。この時、被覆用
ガラスペーストの塗布量は、50mg/cm2となるようペース
トの粘度をコントロールした。また、焼付処理条件は55
0℃,1時間である。ここで、試料数は各ロットｎ＝５個
である。また、V1mA,V10μＡは直流定電流電源を用いて
測定した。そして、放電耐量特性は4/10μＳの衝撃電流
を５分間隔で同一方向に２回づつ印加し、40kAよりステ
ップアップした。さらに、課電寿命特性は周囲温度130
℃，課電率95％（AC,ピーク値）の条件で行い、漏れ電
流が5mA（ピーク値）に至るまでの時間を測定した。
て作製した酸化亜鉛バリスタの外観、V1mA/V10μＡ、放
電耐量特性および課電寿命特性を示す。この時、被覆用
ガラスペーストの塗布量は、50mg/cm2となるようペース
トの粘度をコントロールした。また、焼付処理条件は55
0℃,1時間である。ここで、試料数は各ロットｎ＝５個
である。また、V1mA,V10μＡは直流定電流電源を用いて
測定した。そして、放電耐量特性は4/10μＳの衝撃電流
を５分間隔で同一方向に２回づつ印加し、40kAよりステ
ップアップした。さらに、課電寿命特性は周囲温度130
℃，課電率95％（AC,ピーク値）の条件で行い、漏れ電
流が5mA（ピーク値）に至るまでの時間を測定した。
第２表から、被覆用ガラスの線膨張係数が65×10-7/
℃より小さい場合（G1,G5ガラス）はガラスが剥離しや
すくなり、90×107/℃を超えた場合（G4ガラス）にはク
ラックが発生しやすくなることがわかる。これらクラッ
クやガラス剥離が発生した試料は、側面高抵抗層の絶縁
性が悪いため、放電耐量特性が低いと考えられる。ま
た、被覆用ガラスの線膨張係数が65×10-7から90×10-7
/℃の範囲であっても、結晶性の悪いガラス（G8ガラ
ス）についてはクラックが入りやすく、放電耐量特性も
低い。これは、結晶性ガラスの方が非結晶性ガラスに較
べ被覆膜の強度が高いためと考えられる。また、ZnOの
添加は、酸化亜鉛バリスタの電気的諸特性，信頼性に大
きな影響を及ぼさず、ガラスの物性中でもガラス転移点
の低下に役立つ。また、先行文献例であるPbO−ZnO−B2
O3,長石のコンポジットガラスを用いた場合、課電寿命
特性は実用的なレベルではあるが放電耐量特性が低いこ
とがわかる。
℃より小さい場合（G1,G5ガラス）はガラスが剥離しや
すくなり、90×107/℃を超えた場合（G4ガラス）にはク
ラックが発生しやすくなることがわかる。これらクラッ
クやガラス剥離が発生した試料は、側面高抵抗層の絶縁
性が悪いため、放電耐量特性が低いと考えられる。ま
た、被覆用ガラスの線膨張係数が65×10-7から90×10-7
/℃の範囲であっても、結晶性の悪いガラス（G8ガラ
ス）についてはクラックが入りやすく、放電耐量特性も
低い。これは、結晶性ガラスの方が非結晶性ガラスに較
べ被覆膜の強度が高いためと考えられる。また、ZnOの
添加は、酸化亜鉛バリスタの電気的諸特性，信頼性に大
きな影響を及ぼさず、ガラスの物性中でもガラス転移点
の低下に役立つ。また、先行文献例であるPbO−ZnO−B2
O3,長石のコンポジットガラスを用いた場合、課電寿命
特性は実用的なレベルではあるが放電耐量特性が低いこ
とがわかる。
次に、TiO2の添加量について考察する。まず、TiO2の
添加量が0.5重量％以上の組成系においてはいずれの組
成系であっても電圧非直線性が向上し、それにともない
課電寿命特性も向上する。これは、TiO2を0.5重量％以
上添加することにより、被覆膜の絶縁抵抗が高くなるた
めであると考えられている。一方、TiO2の添加量が10.0
重量％より高い場合、放電耐量特性が低い。これは、焼
付処理時のガラスの流動性が悪いため、ポーラスになり
やすいためであると考えられる。従って、酸化亜鉛バリ
スタの側面高抵抗層用のPbO−ZhO−B2O3−SiO2−TiO2系
結晶化ガラスにおいて、少なくともTiO2を0.5〜10.0重
量％含む組成系であることが必要条件である。
添加量が0.5重量％以上の組成系においてはいずれの組
成系であっても電圧非直線性が向上し、それにともない
課電寿命特性も向上する。これは、TiO2を0.5重量％以
上添加することにより、被覆膜の絶縁抵抗が高くなるた
めであると考えられている。一方、TiO2の添加量が10.0
重量％より高い場合、放電耐量特性が低い。これは、焼
付処理時のガラスの流動性が悪いため、ポーラスになり
やすいためであると考えられる。従って、酸化亜鉛バリ
スタの側面高抵抗層用のPbO−ZhO−B2O3−SiO2−TiO2系
結晶化ガラスにおいて、少なくともTiO2を0.5〜10.0重
量％含む組成系であることが必要条件である。
以上の結果より、被覆用結晶化ガラスの組成は、PbO
が50.0〜75.0重量％、ZnOが10.0〜30.0重量％、B2O3が
5.0〜10.0重量％、SiO2が０〜15.0重量％、TiO2が0.5〜
10.0重量％の範囲が最適であることがわかる。また、酸
化亜鉛バリスタの側面高抵抗層用としては、線膨張係数
が65〜90×10-7/℃の範囲内であることが必要である。
が50.0〜75.0重量％、ZnOが10.0〜30.0重量％、B2O3が
5.0〜10.0重量％、SiO2が０〜15.0重量％、TiO2が0.5〜
10.0重量％の範囲が最適であることがわかる。また、酸
化亜鉛バリスタの側面高抵抗層用としては、線膨張係数
が65〜90×10-7/℃の範囲内であることが必要である。
次に、本発明例である第１表のG16ガラスを用いてガ
ラスペーストの塗布量を検討した。この結果を下記の第
３表に示した。ここで、ガラスペーストの塗布量は、1.
0〜300.0mg/cm2でペーストの粘土および塗布回数でコン
トロールした。第３表より、塗布量が10.0mg/cm2より少
ない場合、被覆膜の強度が低いため、また塗布量が150.
0mg/cm2より多い場合には、ガラスが流れたり、ガラス
にピンホールが発生しやすいため放電耐量特性が悪い。
従って、ガラスペーストの塗布量は10.0〜150.0mg/cm2
の範囲が最適であることがわかる。
ラスペーストの塗布量を検討した。この結果を下記の第
３表に示した。ここで、ガラスペーストの塗布量は、1.
0〜300.0mg/cm2でペーストの粘土および塗布回数でコン
トロールした。第３表より、塗布量が10.0mg/cm2より少
ない場合、被覆膜の強度が低いため、また塗布量が150.
0mg/cm2より多い場合には、ガラスが流れたり、ガラス
にピンホールが発生しやすいため放電耐量特性が悪い。
従って、ガラスペーストの塗布量は10.0〜150.0mg/cm2
の範囲が最適であることがわかる。
次に、本発明例である第１表のG16ガラスを用いてガ
ラスペーストの焼付処理条件を検討した。この結果を下
記の第４表に示した。ここで、ガラスペーストの塗布量
は50.0mg/cm2となるよう粘土をコントロールした。ま
た、ガラスペーストの焼付処理は350〜700℃の温度範囲
にて保持時間を１時間とし空気中で行った。この結果、
450℃より低温で焼付処理を行った場合、ガラスペース
トが充分に溶融しないため放電耐量特性が低く、600℃
より高温で焼付処理を行った場合、電圧比が著しく低下
し課電寿命特性が悪化する。従って、ガラスペーストの
焼付処理条件は450〜600℃の温度範囲が最適であること
がわかる。
ラスペーストの焼付処理条件を検討した。この結果を下
記の第４表に示した。ここで、ガラスペーストの塗布量
は50.0mg/cm2となるよう粘土をコントロールした。ま
た、ガラスペーストの焼付処理は350〜700℃の温度範囲
にて保持時間を１時間とし空気中で行った。この結果、
450℃より低温で焼付処理を行った場合、ガラスペース
トが充分に溶融しないため放電耐量特性が低く、600℃
より高温で焼付処理を行った場合、電圧比が著しく低下
し課電寿命特性が悪化する。従って、ガラスペーストの
焼付処理条件は450〜600℃の温度範囲が最適であること
がわかる。
なお、本実施例ではPbO−ZnO−B2O3−TiO2,PbO−ZnO
−B2O3−SiO2−TiO2の４および５成分系の被覆用結晶化
ガラスについて述べたが、第６成分として、さらにガラ
スの結晶化を促進する微量添加物、例えばAl2O3,SnO2な
どの添加しても本発明の効果に変わりはない。また、ガ
ラス転移点を低下させる物質として前記実施例ではZnO
を用いたが、これはその他の物質で置き換えることもで
きるのはもちろんである。さらに、本実施例では、酸化
物セラミックの代表例として酸化亜鉛バリスタに本発明
のPbO−ZnO−B2O3−SiO2−TiO2系の被覆用結晶化ガラス
を用いたが、チタン酸ストロンチウム系のバリスタ、チ
タン酸バリウム系のコンデンサや正特性サーミスタ、金
属酸化物系の負特性サーミスタなど、いずれの酸化物セ
ラミックにも全く同様に適用できるものである。
−B2O3−SiO2−TiO2の４および５成分系の被覆用結晶化
ガラスについて述べたが、第６成分として、さらにガラ
スの結晶化を促進する微量添加物、例えばAl2O3,SnO2な
どの添加しても本発明の効果に変わりはない。また、ガ
ラス転移点を低下させる物質として前記実施例ではZnO
を用いたが、これはその他の物質で置き換えることもで
きるのはもちろんである。さらに、本実施例では、酸化
物セラミックの代表例として酸化亜鉛バリスタに本発明
のPbO−ZnO−B2O3−SiO2−TiO2系の被覆用結晶化ガラス
を用いたが、チタン酸ストロンチウム系のバリスタ、チ
タン酸バリウム系のコンデンサや正特性サーミスタ、金
属酸化物系の負特性サーミスタなど、いずれの酸化物セ
ラミックにも全く同様に適用できるものである。
発明の効果 以上本発明によると、側面高抵抗層を形成するため
に、副成分としてTiO2を添加することにより結晶化が促
進され、SiO2を添加することにより、側面高抵抗層の強
度が向上する。従って側面高抵抗層は、焼結体との密着
性が良く、さらに絶縁性も高いため側面高抵抗層形成の
ための熱処理時の電圧非直線性の低下を最小限に抑制す
ることが可能となる。その結果、放電耐量特性、電圧非
直線性、課電寿命特性に選れた高信頼性を有する酸化亜
鉛バリスタを得ることができる。
に、副成分としてTiO2を添加することにより結晶化が促
進され、SiO2を添加することにより、側面高抵抗層の強
度が向上する。従って側面高抵抗層は、焼結体との密着
性が良く、さらに絶縁性も高いため側面高抵抗層形成の
ための熱処理時の電圧非直線性の低下を最小限に抑制す
ることが可能となる。その結果、放電耐量特性、電圧非
直線性、課電寿命特性に選れた高信頼性を有する酸化亜
鉛バリスタを得ることができる。
第１図は本発明の製造方法ならびに本発明の被覆用結晶
化ガラスを適用した一実施例による酸化亜鉛バリスタの
断面図である。 １……焼結体、２……電極、３……側面高抵抗層。
化ガラスを適用した一実施例による酸化亜鉛バリスタの
断面図である。 １……焼結体、２……電極、３……側面高抵抗層。
Claims (2)
- 【請求項１】酸化亜鉛を主成分とする焼結体と、この側
面に設けた側面高抵抗層とを備え、この側面高抵抗層
は、PbO 50.0〜75.0重量％、ZnO 10.0〜30.0重量％、
B2O3 5.0〜15.0重量％、SiO2 ０〜15.0重量％、TiO2
0.5〜10.0重量％を用いて形成した結晶化ガラスであ
る酸化亜鉛バリスタ。 - 【請求項２】酸化亜鉛を主成分とする焼結体の側面にガ
ラスペーストを10.0〜150.0mg/cm2塗布する第１の工程
と、次に前記焼結体を450〜650℃の温度範囲で熱処理
し、前記ガラスペーストを結晶化させて側面高抵抗層を
形成する第２の工程とを備え、前記ガラスペーストは、
PbO 50.0〜75.0重量％、ZnO 10.0〜30.0重量％、B2O3
5.0〜15.0重量％、SiO2 ０〜15.0重量％、TiO2 0.5
〜10.0重量％の組成からなるガラスフリットを用いて形
成したものである酸化亜鉛バリスタの製造方法。
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003033A JP2830264B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
| EP94110291A EP0620566B1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | A zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating |
| EP90916378A EP0452511B1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
| US07/689,948 US5294908A (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating |
| DE69027867T DE69027867T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
| EP94110295A EP0620567B1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | A zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating |
| AU77879/91A AU641249B2 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
| PCT/JP1990/001442 WO1991007763A1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
| DE69027866T DE69027866T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
| DE69021552T DE69021552T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-varistor, seine herstellung und zusammensetzung eines kristallisierten glases zur beschichtung. |
| KR1019910700714A KR960011155B1 (ko) | 1989-11-08 | 1990-11-17 | 산화아연배리스터와 그 제조방법 및 피보용 결정화유리조성물 |
| US08/147,182 US5447892A (en) | 1989-11-08 | 1993-11-01 | Crystallized glass compositions for coating oxide-based ceramics |
| US08/388,086 US5547907A (en) | 1989-11-08 | 1995-02-14 | Crystallized glass compositions for coating oxide-based ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003033A JP2830264B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03208303A JPH03208303A (ja) | 1991-09-11 |
| JP2830264B2 true JP2830264B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=11546003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003033A Expired - Fee Related JP2830264B2 (ja) | 1989-11-08 | 1990-01-10 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830264B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP2003033A patent/JP2830264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03208303A (ja) | 1991-09-11 |
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