JPH03208303A - 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH03208303A JPH03208303A JP2003033A JP303390A JPH03208303A JP H03208303 A JPH03208303 A JP H03208303A JP 2003033 A JP2003033 A JP 2003033A JP 303390 A JP303390 A JP 303390A JP H03208303 A JPH03208303 A JP H03208303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- weight
- crystallized glass
- glass
- pbo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 80
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は主として電力分野に用いられる酸化亜鉛バリス
タおよびその製造方法と、サーミスタ。
タおよびその製造方法と、サーミスタ。
バリスタなどの酸化物セラミックの被覆に用いらレル結
晶化ガラス組成物に関するものである。
晶化ガラス組成物に関するものである。
従来の技術
ZnOを主成分とし、Bi2O3,Coo。
S b20:+、 Cr 203. Mn 02を始
めとする数種の金屑酸化物を副成分とする酸化亜鉛バリ
スタは、大きなサージ耐量と優れた電圧非直線性を有し
、近年ギヤプレスアレスタ用の素子として従来のシリコ
ンカーバイトバリスタにとって代わって広く利用されて
いることは周知の通りである。
めとする数種の金屑酸化物を副成分とする酸化亜鉛バリ
スタは、大きなサージ耐量と優れた電圧非直線性を有し
、近年ギヤプレスアレスタ用の素子として従来のシリコ
ンカーバイトバリスタにとって代わって広く利用されて
いることは周知の通りである。
従来より、酸化亜鉛バリスタの製造方法として、例えば
特開昭62−101002号公報などが開示されている
が、前記先行例の内容は以下の通りである。まず、主成
分のZnOに、Bi203Sb20:+、Cr2O:+
、Cod、MnO2などの金属酸化物をそれぞれ0.0
1〜6.0モル%添加した原料粉を混合、造粒し、この
造粒粉を円柱状に加圧、成形し、電気炉で1200℃、
6時間焼成する。次に、得られた焼結体の側面に、Pb
Oを60重量%含有するPbO系ガラスフリットを80
重量%と、長石を20重量%と、有機バインダーとから
なるガラスペーストを、スクリーン印刷機で5〜500
■/d塗布したのち、焼付処理を行う。このようにして
得られた素子の両端面を平面研磨し、アルミニウムのメ
タリコン電極を形成し酸化亜鉛バリスタを得るものであ
る。
特開昭62−101002号公報などが開示されている
が、前記先行例の内容は以下の通りである。まず、主成
分のZnOに、Bi203Sb20:+、Cr2O:+
、Cod、MnO2などの金属酸化物をそれぞれ0.0
1〜6.0モル%添加した原料粉を混合、造粒し、この
造粒粉を円柱状に加圧、成形し、電気炉で1200℃、
6時間焼成する。次に、得られた焼結体の側面に、Pb
Oを60重量%含有するPbO系ガラスフリットを80
重量%と、長石を20重量%と、有機バインダーとから
なるガラスペーストを、スクリーン印刷機で5〜500
■/d塗布したのち、焼付処理を行う。このようにして
得られた素子の両端面を平面研磨し、アルミニウムのメ
タリコン電極を形成し酸化亜鉛バリスタを得るものであ
る。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、前記従来の製造方法による酸化亜鉛バリ
スタは、スクリーン印刷法を用いるため、側面ガラス層
の厚みが均一に形成され、放電耐量特性のバラツキが小
さいという長所を持つものの、PbO系ガラスフリット
と長石のコンポジットガラスであるため、放電耐量特性
が低く、またガラス焼付処理時に電圧非直線性が低下し
、課電寿命特性も悪化するという欠点を有していた。
スタは、スクリーン印刷法を用いるため、側面ガラス層
の厚みが均一に形成され、放電耐量特性のバラツキが小
さいという長所を持つものの、PbO系ガラスフリット
と長石のコンポジットガラスであるため、放電耐量特性
が低く、またガラス焼付処理時に電圧非直線性が低下し
、課電寿命特性も悪化するという欠点を有していた。
本発明は前記従来の課題を解決するもので、高信頼性の
酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法、さらにはバリス
タやサーミスタの被覆に用いられる被覆用結晶化ガラス
組成物を提供することを目的とするものである。
酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法、さらにはバリス
タやサーミスタの被覆に用いられる被覆用結晶化ガラス
組成物を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明では前記従来の課題を解決するため、ZnOを主
成分とする焼結体の側面に、少なくともT i 02を
0.5〜10.0重量%含むPbOを主成分とする結晶
化ガラスからなる側面高抵抗層を有する構成としたもの
である。また、前記焼結体の側面に少なくともT i
02を0.5〜10.0重量%含むPbOを主成分とす
る結晶化ガラスと有機バインダーとからなるガラスペー
ストを10.0〜1.50.0 mg/ crl塗布し
、450℃〜6oO℃の温度範囲にて焼付処理し、側面
高抵抗層を形成するものである。
成分とする焼結体の側面に、少なくともT i 02を
0.5〜10.0重量%含むPbOを主成分とする結晶
化ガラスからなる側面高抵抗層を有する構成としたもの
である。また、前記焼結体の側面に少なくともT i
02を0.5〜10.0重量%含むPbOを主成分とす
る結晶化ガラスと有機バインダーとからなるガラスペー
ストを10.0〜1.50.0 mg/ crl塗布し
、450℃〜6oO℃の温度範囲にて焼付処理し、側面
高抵抗層を形成するものである。
さらに、側面高抵抗層用の、少なくともT j 02を
0.5〜10.0重量%含むPbO−ZnOB203
SiO□−Ti02系の酸化物セラミック被覆用の結
晶化ガラス組成物を提供するものである。
0.5〜10.0重量%含むPbO−ZnOB203
SiO□−Ti02系の酸化物セラミック被覆用の結
晶化ガラス組成物を提供するものである。
作用
本発明によれば、PbO−長石系コンポジットガラスに
較べ、PbOを主成分とする結晶化ガラスは、TiO2
の添加により結晶化が促進され、S i 02の添加に
より被覆膜の強度が向上し、焼結体との密着性もよいた
め放電耐量特性に優れ、さらに絶縁性も高いため焼付処
理時の電圧非直線性の低下を最小限に抑えることが可能
となり、課電寿命特性にも優れた高信頼性の酸化亜鉛バ
リスタを得ることができる。
較べ、PbOを主成分とする結晶化ガラスは、TiO2
の添加により結晶化が促進され、S i 02の添加に
より被覆膜の強度が向上し、焼結体との密着性もよいた
め放電耐量特性に優れ、さらに絶縁性も高いため焼付処
理時の電圧非直線性の低下を最小限に抑えることが可能
となり、課電寿命特性にも優れた高信頼性の酸化亜鉛バ
リスタを得ることができる。
実施例
以下、本発明の酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法、
さらには被覆用結晶化ガラス組成物について実施例に基
づき詳細に説明する。
さらには被覆用結晶化ガラス組成物について実施例に基
づき詳細に説明する。
まず、ZnOの粉末に合計量に対し、Bi2030.5
モル%、C0z030.5モ)L’%、Mn020.5
モjL/%、 5b2C)+ 1.Qモル%、Cr
2030.5モル9A、Ni0 0.5モル%、5iO
z0.5モル%を加え、純水1バインダー、分散剤とと
もに例えばボールミルにて充分に混合、粉砕したのち、
スプレードライヤーにて乾燥、造粒して原料粉を得た。
モル%、C0z030.5モ)L’%、Mn020.5
モjL/%、 5b2C)+ 1.Qモル%、Cr
2030.5モル9A、Ni0 0.5モル%、5iO
z0.5モル%を加え、純水1バインダー、分散剤とと
もに例えばボールミルにて充分に混合、粉砕したのち、
スプレードライヤーにて乾燥、造粒して原料粉を得た。
この原料粉を直径40閣、厚さ30m1の大きさに圧縮
成形し、500℃以上の温度条件にて脱脂処理した。そ
ののち、1100℃〜1250℃の温度範囲で焼成し、
焼結体を得た。
成形し、500℃以上の温度条件にて脱脂処理した。そ
ののち、1100℃〜1250℃の温度範囲で焼成し、
焼結体を得た。
一方、被覆用結晶化ガラスは、P b O,Z n O
。
。
B2O3,S i 02. T i 02を所定量秤量
し、例えばボールミルにて混合、粉砕したのち、白金ル
ツボにて1000℃〜1200℃の温度条件で溶融し、
急冷してガラス化させた。このガラスを粗粉砕したのち
、ボールミルにて微粉砕しガラスフリットを得た。なお
、比較検討用試料としてPbO70,0重量%、ZnO
25.0重量%、 B2O35,0重量%からなる
ガラスフリット80.0重量%と長石(長石ハKA I
S 130s、 N a A I S 130B。
し、例えばボールミルにて混合、粉砕したのち、白金ル
ツボにて1000℃〜1200℃の温度条件で溶融し、
急冷してガラス化させた。このガラスを粗粉砕したのち
、ボールミルにて微粉砕しガラスフリットを得た。なお
、比較検討用試料としてPbO70,0重量%、ZnO
25.0重量%、 B2O35,0重量%からなる
ガラスフリット80.0重量%と長石(長石ハKA I
S 130s、 N a A I S 130B。
Ca A I! 2S i 20s)固溶体) 20.
0重量%カラなるコンポジットガラスを同様の工程で作
成した。
0重量%カラなるコンポジットガラスを同様の工程で作
成した。
以上のように作成したガラスフリットの、組成およびガ
ラス転移点(Tg)、線膨張係数(α)を下記の第1表
に示した。
ラス転移点(Tg)、線膨張係数(α)を下記の第1表
に示した。
(以 下 余 白 )
〈第1表〉
*は几ri横訂門で本発明の謂不純圀外−Cゐる。
第1表よりPbOの添加量が多い場合、線膨張係数(α
)が高くなり、ZnOの添加量が多い場合、ガラス転移
点(T g)が低くなり結晶化しやすくなる。また、B
203の添加量が少ない場合、ガラス転移点が高くな
り、添加量が15.0重量%を超えた場合には結晶化し
にくくなる。さらにSiO2の添加量が多くなるに従い
ガラス転移点は高くなる傾向があり、線膨張係数は低く
なる傾向がある。そして、T i O2の添加量が増加
するに従いガラスの結晶化が進行した。また、pbo。
)が高くなり、ZnOの添加量が多い場合、ガラス転移
点(T g)が低くなり結晶化しやすくなる。また、B
203の添加量が少ない場合、ガラス転移点が高くな
り、添加量が15.0重量%を超えた場合には結晶化し
にくくなる。さらにSiO2の添加量が多くなるに従い
ガラス転移点は高くなる傾向があり、線膨張係数は低く
なる傾向がある。そして、T i O2の添加量が増加
するに従いガラスの結晶化が進行した。また、pbo。
B2O3が少ない系ではポーラスなガラスとなりやすか
った。
った。
次に、このガラスフリット85重量%と、有機バインタ
ー(エチルセルロース、ブチルカルピトールアセテート
の混合物)15重量%を、例えば三本ロールミルにて充
分に混合し被覆用ガラスペーストを得た。この被覆用ガ
ラスペーストを、例えば曲面スクリーン印刷機にて12
5〜250メツシユのスクリーンを用いて前記焼結体の
側面に印刷した。ここで、被覆用ガラスペーストの塗布
量は、ペーストを塗布したのち、150℃で30分間乾
燥して焼結体の重量差から求めた。また、塗布量は被覆
用ガラスペーストに有機バインダー酢酸n−ブチルを添
加して調整した。そののち、350℃〜700℃の温度
条件にて被覆用ガラスペーストの焼付処理を行い、焼結
体の側面に側面高抵抗層を形成した。次いで、この焼結
体の両端面を平面研磨し、アルミニウムのメタリコン電
極を形成し酸化亜鉛バリスタを得た。
ー(エチルセルロース、ブチルカルピトールアセテート
の混合物)15重量%を、例えば三本ロールミルにて充
分に混合し被覆用ガラスペーストを得た。この被覆用ガ
ラスペーストを、例えば曲面スクリーン印刷機にて12
5〜250メツシユのスクリーンを用いて前記焼結体の
側面に印刷した。ここで、被覆用ガラスペーストの塗布
量は、ペーストを塗布したのち、150℃で30分間乾
燥して焼結体の重量差から求めた。また、塗布量は被覆
用ガラスペーストに有機バインダー酢酸n−ブチルを添
加して調整した。そののち、350℃〜700℃の温度
条件にて被覆用ガラスペーストの焼付処理を行い、焼結
体の側面に側面高抵抗層を形成した。次いで、この焼結
体の両端面を平面研磨し、アルミニウムのメタリコン電
極を形成し酸化亜鉛バリスタを得た。
第1図に、以上のようにして得られた本発明による酸化
亜鉛バリスタの断面図を示す。第1図において、1は酸
化亜鉛を主成分とする焼結体、2は焼結体1の両端面に
形成された電極、3は焼結体1の側面に結晶化ガラスを
焼付処理して得られた側面高抵抗層である。
亜鉛バリスタの断面図を示す。第1図において、1は酸
化亜鉛を主成分とする焼結体、2は焼結体1の両端面に
形成された電極、3は焼結体1の側面に結晶化ガラスを
焼付処理して得られた側面高抵抗層である。
次に、下記の第2表に、第1表の被覆用ガラスを用いて
作製した酸化亜鉛バリスタの外観、V+・^/VIO#
A−1放電耐量特性および課電寿命特性を示すOこの時
・被覆用ガラスペーストの塗布量は、50■/atとな
るようペーストの粘度をコントロールした。また、焼付
処理条件は550℃、1時間である。ここで、試料数は
各ロフトn=5個である。また、VIIIT^+VIO
++Aは直流定電流電源を用いて測定した。そして、放
電耐量特性は4/10μsの衝撃電流を5分間隔で同一
方向に2回ずつ印加し、40kAよりステップアップし
た。
作製した酸化亜鉛バリスタの外観、V+・^/VIO#
A−1放電耐量特性および課電寿命特性を示すOこの時
・被覆用ガラスペーストの塗布量は、50■/atとな
るようペーストの粘度をコントロールした。また、焼付
処理条件は550℃、1時間である。ここで、試料数は
各ロフトn=5個である。また、VIIIT^+VIO
++Aは直流定電流電源を用いて測定した。そして、放
電耐量特性は4/10μsの衝撃電流を5分間隔で同一
方向に2回ずつ印加し、40kAよりステップアップし
た。
さらに、課電寿命特性は周囲温度130℃1課電率95
%(A C,ピーク値)の条件で行い、漏れ電流が5m
A (ピーク値)に至るまでの時間を測定した。
%(A C,ピーク値)の条件で行い、漏れ電流が5m
A (ピーク値)に至るまでの時間を測定した。
(以 下 余 白 )
く第2表〉
第2表から、被覆用ガラスの線膨張係数が65XIO−
7/’Cより小さい場合(Gl、G5ガラス)はガラス
が剥離しやすくなり、90X10−’/’Cを超えた場
合(G4ガラス)にはクラックが発生しやすくなること
がわかる。これらクラックやガラス剥離が発生した試料
は、側面高抵抗層の絶縁性が悪いため、放電耐量特性が
低いと考えられる。
7/’Cより小さい場合(Gl、G5ガラス)はガラス
が剥離しやすくなり、90X10−’/’Cを超えた場
合(G4ガラス)にはクラックが発生しやすくなること
がわかる。これらクラックやガラス剥離が発生した試料
は、側面高抵抗層の絶縁性が悪いため、放電耐量特性が
低いと考えられる。
また、被覆用ガラスの線膨張係数が65X10−7から
90 X 10−7/℃の範囲であっても、結晶性の悪
いガラス(G8ガラス)についてはクラックが入りやす
く、放電耐量特性も低い。これは、結晶性ガラスの方が
非結晶性ガラスに較べ被覆膜の強度が高いためと考えら
れる。また、ZnOの添加は、酸化亜鉛バリスタの電気
的諸特性、信頼性に大きな影響を及ぼさず、ガラスの物
性中でもガラス転移点の低下に役立つ。また、先行文献
例であるPbO−ZnO−B2O3,長石のコンポジッ
トガラスを用いた場合、課電寿命特性は実用的なレベル
ではあるが放電耐量特性が低いことがわかる。
90 X 10−7/℃の範囲であっても、結晶性の悪
いガラス(G8ガラス)についてはクラックが入りやす
く、放電耐量特性も低い。これは、結晶性ガラスの方が
非結晶性ガラスに較べ被覆膜の強度が高いためと考えら
れる。また、ZnOの添加は、酸化亜鉛バリスタの電気
的諸特性、信頼性に大きな影響を及ぼさず、ガラスの物
性中でもガラス転移点の低下に役立つ。また、先行文献
例であるPbO−ZnO−B2O3,長石のコンポジッ
トガラスを用いた場合、課電寿命特性は実用的なレベル
ではあるが放電耐量特性が低いことがわかる。
次に、TiO2の添加量について考察する。まず、Ti
O2の添加量が0.5重量%以上の組成系においてはい
ずれの組成系であっても電圧非直線性が向上し、それに
ともない課電寿命特性も向上する。これは、TiO2を
0.5重量%以上添加することにより、被覆膜の絶縁抵
抗が高くなるためであると考えられる。一方、TiO2
の添加量が10.0重量%より高い場合、放電耐量特性
が低い。これは、焼付処理時のガラスの流動性が悪いた
め、ポーラスになりやすいためであると考えられる。従
って、酸化亜鉛バリスタの側面高抵抗層用(7)PbO
−ZhO−B203 SiO2TiO2系結晶化ガラ
スにおいて、少なくともTiO2を0.5〜10.0重
量%含む組成系であることが必要条件である。
O2の添加量が0.5重量%以上の組成系においてはい
ずれの組成系であっても電圧非直線性が向上し、それに
ともない課電寿命特性も向上する。これは、TiO2を
0.5重量%以上添加することにより、被覆膜の絶縁抵
抗が高くなるためであると考えられる。一方、TiO2
の添加量が10.0重量%より高い場合、放電耐量特性
が低い。これは、焼付処理時のガラスの流動性が悪いた
め、ポーラスになりやすいためであると考えられる。従
って、酸化亜鉛バリスタの側面高抵抗層用(7)PbO
−ZhO−B203 SiO2TiO2系結晶化ガラ
スにおいて、少なくともTiO2を0.5〜10.0重
量%含む組成系であることが必要条件である。
以上の結果より、被覆用結晶化ガラスの組成は、PbO
が50.0〜75.0重量%、ZnOが10.0〜30
,0重量%、B2O3が5.0〜10.0重量%、5i
02が0〜15.0重量%、TiO2が0.5〜10.
0重量%の範囲が最適であることがわかる。また、酸化
亜鉛バリスタの側面高抵抗層用としては、線膨張係数が
65〜90X10−77℃の範囲内であることが必要で
ある。
が50.0〜75.0重量%、ZnOが10.0〜30
,0重量%、B2O3が5.0〜10.0重量%、5i
02が0〜15.0重量%、TiO2が0.5〜10.
0重量%の範囲が最適であることがわかる。また、酸化
亜鉛バリスタの側面高抵抗層用としては、線膨張係数が
65〜90X10−77℃の範囲内であることが必要で
ある。
次に、本発明例である第1表の016ガラスを用いてガ
ラスペーストの塗布量を検討した。この結果を下記の第
3表に示した。ここで、ガラスペーストの塗布量は、1
.0〜300.0■/dでペーストの粘度および塗布回
数でコントロールした。第3表より、塗布量が10.0
■/alより少ない場合、被覆膜の強度が低いため、ま
た塗布量が150.0■/dより多い場合には、ガラス
が流れたり、ガラスにピンホールが発生しやすいため放
電耐量特性が悪い。従って、ガラスペーストの塗布量は
10.0〜150.0■/a/の範囲が最適であること
がわかる。
ラスペーストの塗布量を検討した。この結果を下記の第
3表に示した。ここで、ガラスペーストの塗布量は、1
.0〜300.0■/dでペーストの粘度および塗布回
数でコントロールした。第3表より、塗布量が10.0
■/alより少ない場合、被覆膜の強度が低いため、ま
た塗布量が150.0■/dより多い場合には、ガラス
が流れたり、ガラスにピンホールが発生しやすいため放
電耐量特性が悪い。従って、ガラスペーストの塗布量は
10.0〜150.0■/a/の範囲が最適であること
がわかる。
(以 下 余 白 )
次に、本発明例である第1表の016ガラスを用いてガ
ラスペーストの焼付処理条件を検討した。この結果を下
記の第4表に示した。ここで、ガラスペーストの塗布量
は50.0■/cdとなるよう粘度をコントロールした
。また、ガラスペーストの焼付処理は350〜700℃
の温度範囲にて保持時間を1時間とし空気中で行った。
ラスペーストの焼付処理条件を検討した。この結果を下
記の第4表に示した。ここで、ガラスペーストの塗布量
は50.0■/cdとなるよう粘度をコントロールした
。また、ガラスペーストの焼付処理は350〜700℃
の温度範囲にて保持時間を1時間とし空気中で行った。
この結果、450℃より低温で焼付処理を行った場合、
ガラスペーストが充分に溶融しないため放電耐量特性が
低く、600℃より高温で焼付処理を行った場合、電圧
比が著しく低下し課電寿命特性が悪化する◇従って、ガ
ラスペーストの焼付処理条件は450〜600℃の温度
範囲が最適であることがわかる。
ガラスペーストが充分に溶融しないため放電耐量特性が
低く、600℃より高温で焼付処理を行った場合、電圧
比が著しく低下し課電寿命特性が悪化する◇従って、ガ
ラスペーストの焼付処理条件は450〜600℃の温度
範囲が最適であることがわかる。
*は比較検討例で本発明の請求範囲外である。
(以 下 余 白 )
なお、本実施例ではP b O−Z n OB203−
T i 02 、 P bo−ZnOB2O3S i
02T i 02の4および5成分系の被覆用結晶化
ガラスについて述べたが、第6成分として、さらにガラ
スの結晶化を促進する微量添加物、例えばAl2O:+
、5nOzなどを添加しても本発明の効果に変わりはな
い。また、ガラス転移点を低下させる物質として前記実
施例ではZnOを用いたが、これはその他の物質で置き
換えることもできるのはもちろんである。さらに、本実
施例では、酸化物セラミックの代表例として酸化亜鉛バ
リスタに本発明のPbO−ZnO−B203−51o2
−TiO2系の被覆用結晶化ガラスを用いたが、チタン
酸ストロンチウム系のバリスタ、チタン酸バリウム系の
コンデンサや正特性サーミスタ、金属酸化物系の負特性
サーミスタなど、いずれの酸化物セラミックにも全く同
様に適用できるものである。
T i 02 、 P bo−ZnOB2O3S i
02T i 02の4および5成分系の被覆用結晶化
ガラスについて述べたが、第6成分として、さらにガラ
スの結晶化を促進する微量添加物、例えばAl2O:+
、5nOzなどを添加しても本発明の効果に変わりはな
い。また、ガラス転移点を低下させる物質として前記実
施例ではZnOを用いたが、これはその他の物質で置き
換えることもできるのはもちろんである。さらに、本実
施例では、酸化物セラミックの代表例として酸化亜鉛バ
リスタに本発明のPbO−ZnO−B203−51o2
−TiO2系の被覆用結晶化ガラスを用いたが、チタン
酸ストロンチウム系のバリスタ、チタン酸バリウム系の
コンデンサや正特性サーミスタ、金属酸化物系の負特性
サーミスタなど、いずれの酸化物セラミックにも全く同
様に適用できるものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、酸化亜鉛を主成分とする
焼結体の側面に少なくともT i 02を0.5〜10
.0重量%含むPbOZnOB203S i 02
T i 02系の酸化物セラミック被覆用の結晶化ガラ
スを450〜600℃の温度条件で焼付処理することに
より、放電耐量特性1課電寿命特性の優れた酸化亜鉛バ
リスタを得ることができる。
焼結体の側面に少なくともT i 02を0.5〜10
.0重量%含むPbOZnOB203S i 02
T i 02系の酸化物セラミック被覆用の結晶化ガラ
スを450〜600℃の温度条件で焼付処理することに
より、放電耐量特性1課電寿命特性の優れた酸化亜鉛バ
リスタを得ることができる。
第1図は本発明の製造方法ならびに本発明の被覆用結晶
化ガラスを適用した一実施例による酸化亜鉛バリスタの
断面図である。 1・・・・・・焼結体、2・・・・・・電極、3・・・
・・・側面高抵抗層。
化ガラスを適用した一実施例による酸化亜鉛バリスタの
断面図である。 1・・・・・・焼結体、2・・・・・・電極、3・・・
・・・側面高抵抗層。
Claims (6)
- (1)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身がバリスタ特
性を有する焼結体の側面に少なくとも酸化チタンをTi
O_2の形に換算して0.5〜10.0重量%含むPb
Oを主成分とする結晶化ガラスからなる側面高抵抗層を
有する酸化亜鉛バリスタ。 - (2)側面高抵抗層がPbO−ZnO−B_2O_3−
TiO_2系結晶化ガラスからなる請求項1記載の酸化
亜鉛バリスタ。 - (3)側面高抵抗層がPbO−ZnO−B_2O_3−
SiO_2−TiO_2系結晶化ガラスからなる請求項
1記載の酸化亜鉛バリスタ。 - (4)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身がバリスタ特
性を有する焼結体の側面に、少なくともTiO_2を0
.5〜10.0重量%含むPbOを主成分とする結晶化
ガラスと有機物からなるガラスペーストを10.0〜1
50.0mg/cm^2塗布し、450℃〜600℃の
温度範囲にて焼付処理する酸化亜鉛バリスタの製造方法
。 - (5)結晶化ガラスの線膨張係数が65〜90×10^
−^7/℃である請求項4記載の酸化亜鉛バリスタの製
造方法。 - (6)PbO50.0〜75.0重量%,ZnO10.
0〜30.0重量%,B_2O_35.0〜15.0重
量%,SiO_20〜15.0重量%,TiO_20.
5〜10.0重量%,からなる被覆用結晶化ガラス組成
物。
Priority Applications (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003033A JP2830264B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
US07/689,948 US5294908A (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating |
EP90916378A EP0452511B1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
DE69021552T DE69021552T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-varistor, seine herstellung und zusammensetzung eines kristallisierten glases zur beschichtung. |
DE69027867T DE69027867T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
EP94110291A EP0620566B1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | A zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating |
DE69027866T DE69027866T2 (de) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinkoxid-Varistor, seine Herstellung und Zusammensetzung eines kristallisierten Glases zur Beschichtung |
PCT/JP1990/001442 WO1991007763A1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
AU77879/91A AU641249B2 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating |
EP94110295A EP0620567B1 (en) | 1989-11-08 | 1990-11-07 | A zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating |
KR1019910700714A KR960011155B1 (ko) | 1989-11-08 | 1990-11-17 | 산화아연배리스터와 그 제조방법 및 피보용 결정화유리조성물 |
US08/147,182 US5447892A (en) | 1989-11-08 | 1993-11-01 | Crystallized glass compositions for coating oxide-based ceramics |
US08/388,086 US5547907A (en) | 1989-11-08 | 1995-02-14 | Crystallized glass compositions for coating oxide-based ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003033A JP2830264B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03208303A true JPH03208303A (ja) | 1991-09-11 |
JP2830264B2 JP2830264B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=11546003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003033A Expired - Fee Related JP2830264B2 (ja) | 1989-11-08 | 1990-01-10 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2830264B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP2003033A patent/JP2830264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2830264B2 (ja) | 1998-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0452511B1 (en) | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating | |
US4326187A (en) | Voltage non-linear resistor | |
JP3003374B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JPH03208303A (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 | |
JP3036202B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JPH03208304A (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および酸化物セラミック被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JP2727699B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JPH09162016A (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法およびそれらに用いる被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JPH0249523B2 (ja) | ||
JPH04170004A (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JP2819731B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および酸化物セラミック被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JP2819691B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 | |
JPH0249524B2 (ja) | ||
JP2850525B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタとその製造方法および酸化物セラミック被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JPH04171701A (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JPH09162015A (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法およびそれに用いる被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JPH0248123B2 (ja) | ||
JPH0547512A (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および被覆用結晶化ガラス組成物 | |
JP2001052907A (ja) | セラミック素子とその製造方法 | |
JPH0249526B2 (ja) | ||
JPS5928961B2 (ja) | 厚膜バリスタ | |
JPH0195406A (ja) | 誘電体セラミック用焼結助剤 | |
JPS6257243B2 (ja) | ||
JPH0389501A (ja) | 電圧非直線抵抗体及びその製法 | |
JP2531586B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |