JPS6031207A - 電圧非直線抵抗体及びその製法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体及びその製法Info
- Publication number
- JPS6031207A JPS6031207A JP58139406A JP13940683A JPS6031207A JP S6031207 A JPS6031207 A JP S6031207A JP 58139406 A JP58139406 A JP 58139406A JP 13940683 A JP13940683 A JP 13940683A JP S6031207 A JPS6031207 A JP S6031207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- oxide
- resistor
- sintered body
- voltage nonlinear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はアレスタやサージアブソーバなどに使用できる
酸化亜鉛を主成分とした焼結体から成る電圧非直線抵抗
体及びその製法に関する。
酸化亜鉛を主成分とした焼結体から成る電圧非直線抵抗
体及びその製法に関する。
酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体は一般に良く知られてい
るセラミックス焼結技術で製造される。その概要は酸化
亜鉛（ＺｎＯ）粉末を主成分として、それに酸化ビスマ
ス（ＢｉｚＯ３） 、酸化７ンテモ７ （５１）２０３
）、酸化コ／（／Ｉ／ ト（００２０３）、酸化マン
ガｙ （ＭｎＯ２）、酸化りｏ Ａ （ｃｒ２ｏ３）、
酸化ケイ素（ｓｌｏ、）、酸化ホウＩＡ （Ｂ２０ｇ
）、酸化アルミニウム（Ａｔ２０３）などを加え十分に
混合し、これに水及びポリビニルアルコールなど適当な
バインダを加えて造粒して成形する。焼成は電気炉を用
いて１ｏｏｏ〜１３００℃の温度で行う。焼成した抵抗
体は沿面放電防止の目的で抵抗体の側面にホウケイ酸鉛
系の低融点ガラス膜を４００〜９００℃で焼付けた後、
電極を形成する両端面を所定の厚さに研磨調整し、溶射
又は焼付は法によって電極を形成して電圧非直線抵抗体
としている。また、ガラスとして軟化点が３５０〜６５
０℃の鉛ガラスに耐−大物の充てん物を混合したものを
用いた例も知られている。
るセラミックス焼結技術で製造される。その概要は酸化
亜鉛（ＺｎＯ）粉末を主成分として、それに酸化ビスマ
ス（ＢｉｚＯ３） 、酸化７ンテモ７ （５１）２０３
）、酸化コ／（／Ｉ／ ト（００２０３）、酸化マン
ガｙ （ＭｎＯ２）、酸化りｏ Ａ （ｃｒ２ｏ３）、
酸化ケイ素（ｓｌｏ、）、酸化ホウＩＡ （Ｂ２０ｇ
）、酸化アルミニウム（Ａｔ２０３）などを加え十分に
混合し、これに水及びポリビニルアルコールなど適当な
バインダを加えて造粒して成形する。焼成は電気炉を用
いて１ｏｏｏ〜１３００℃の温度で行う。焼成した抵抗
体は沿面放電防止の目的で抵抗体の側面にホウケイ酸鉛
系の低融点ガラス膜を４００〜９００℃で焼付けた後、
電極を形成する両端面を所定の厚さに研磨調整し、溶射
又は焼付は法によって電極を形成して電圧非直線抵抗体
としている。また、ガラスとして軟化点が３５０〜６５
０℃の鉛ガラスに耐−大物の充てん物を混合したものを
用いた例も知られている。
しかし、この方法で得られた抵抗体には次のような欠点
がある。第１にはガラスを４００〜９００℃の温度で焼
付けると抵抗体の非直線係数がガラス焼付は前に比べ小
さくなるという欠点がある。第２には用いるガラスの耐
湿性が悪いために、高湿度中での使用時や電極形成前の
エツチング処理時にガラスが変質したシ、侵食されたシ
、あるいはアレスタのように窒素中に封入して使用され
ると、コロナ放電によシ生成する硝酸ガスによってガラ
スが侵されて抵抗体の沿面耐圧が低下するという欠点が
ある。
がある。第１にはガラスを４００〜９００℃の温度で焼
付けると抵抗体の非直線係数がガラス焼付は前に比べ小
さくなるという欠点がある。第２には用いるガラスの耐
湿性が悪いために、高湿度中での使用時や電極形成前の
エツチング処理時にガラスが変質したシ、侵食されたシ
、あるいはアレスタのように窒素中に封入して使用され
ると、コロナ放電によシ生成する硝酸ガスによってガラ
スが侵されて抵抗体の沿面耐圧が低下するという欠点が
ある。
本発明は上記にかんがみてなされたものであ）、その目
的は、非直線係数及び沿面耐圧など特性の安定な電圧非
直線抵抗体及びその製法を提供することにある。
的は、非直線係数及び沿面耐圧など特性の安定な電圧非
直線抵抗体及びその製法を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は電圧非直線
抵抗体の発明であって、酸化亜鉛を主成分とした焼結体
の少なくとも側面にセラミックス高抵抗層を介し、又は
介することなく、ガラス層が形成され、かつ焼結体上下
両端面に電極が形成された電圧非直線抵抗体において、
上記ガラス層が以下の成分： 酸化リチウム（Ｌ１２０）＝１０〜３０モル係酸化ケイ
素（ｓｔｏｐ） ： ｓ Ｏ〜７０モル係酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ） ： ｓ〜１５モル係酸化ホウ素（ＢａＯ２）
： ０〜１０モル係酸化アルミニウム（Ａｔ４０３）
： ０〜 ５モル係を含むリチウムケイ酸系ガラスであ
ることを特徴とする。
抵抗体の発明であって、酸化亜鉛を主成分とした焼結体
の少なくとも側面にセラミックス高抵抗層を介し、又は
介することなく、ガラス層が形成され、かつ焼結体上下
両端面に電極が形成された電圧非直線抵抗体において、
上記ガラス層が以下の成分： 酸化リチウム（Ｌ１２０）＝１０〜３０モル係酸化ケイ
素（ｓｔｏｐ） ： ｓ Ｏ〜７０モル係酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ） ： ｓ〜１５モル係酸化ホウ素（ＢａＯ２）
： ０〜１０モル係酸化アルミニウム（Ａｔ４０３）
： ０〜 ５モル係を含むリチウムケイ酸系ガラスであ
ることを特徴とする。
そして、本発明の第２の発明は前記電圧非直線抵抗体の
一例の製法の発明であって、酸化亜鉛を主成分とする焼
結体の側面にセラミックス高抵抗層を形成し、かつその
上に酸化リチウム１０〜３０モル係、酸化ケイ素５０〜
７０モルチ、酸化亜鉛５〜１５モル係、酸化ホウ素０〜
１０モルチ、酸化アルミニウム０〜５モル％に含有する
りチウムクイ酸系ガラス成分と結合剤とから成るペース
トに塗布する工程、酸素含有ガス雰囲気中において９５
０℃以上で前記焼結体の焼成温度よシも低く、かつガラ
スの軟化温度よ〕１００〜２００℃高い温度で焼付けて
ガラス層を形成する工程、及び前記焼結体の両端面に電
極を形成する工程の各工程を包含することを特徴とする
。
一例の製法の発明であって、酸化亜鉛を主成分とする焼
結体の側面にセラミックス高抵抗層を形成し、かつその
上に酸化リチウム１０〜３０モル係、酸化ケイ素５０〜
７０モルチ、酸化亜鉛５〜１５モル係、酸化ホウ素０〜
１０モルチ、酸化アルミニウム０〜５モル％に含有する
りチウムクイ酸系ガラス成分と結合剤とから成るペース
トに塗布する工程、酸素含有ガス雰囲気中において９５
０℃以上で前記焼結体の焼成温度よシも低く、かつガラ
スの軟化温度よ〕１００〜２００℃高い温度で焼付けて
ガラス層を形成する工程、及び前記焼結体の両端面に電
極を形成する工程の各工程を包含することを特徴とする
。
第１図に、本発明の電圧非直線抵抗体の一例の構造を断
面概略図として示した。第１図中１は焼結体、２はガラ
ス層、５は電極を意味する。
面概略図として示した。第１図中１は焼結体、２はガラ
ス層、５は電極を意味する。
また、第２図は電圧非直線抵抗体の熱処理温度（横軸）
（℃）と非直線係数の変化率（縦軸）（係）との関係を
示すグラフである。第２図中人は大気中で各温度１時間
、Ｂは酸素雰囲気中で各温度１時間熱処理を行ったグラ
フである。
（℃）と非直線係数の変化率（縦軸）（係）との関係を
示すグラフである。第２図中人は大気中で各温度１時間
、Ｂは酸素雰囲気中で各温度１時間熱処理を行ったグラ
フである。
本発明者等が種種検討した結果、（１）第２図に見られ
るように、焼成後の抵抗体を熱処理した場合５００〜９
００℃の温度範囲では抵抗体の非直線係数が低下するが
９５０℃以上では熱処理前とはｙ同しか逆に大きくなる
こと。（２）抵抗体と電極との密着性を良くするために
は、研磨後の抵抗体表面を塩酸や硝酸などの酸でエツチ
ングすれば良い。このためには側面コーティング用ガラ
スとして耐酸性の良いものを用いる必要があること。（
３）一般にリチウムケイ酸系ガラスの耐酸性はガラス中
のＳ ｉ Ｏ，やＬｉ２Ｏをある程度増し、Ｌ１２０−
８ｉＯ，、Ｌｉ２Ｏ−２ＳｉＯ□なる結晶をもつガラス
にすることによって大きくなる。
るように、焼成後の抵抗体を熱処理した場合５００〜９
００℃の温度範囲では抵抗体の非直線係数が低下するが
９５０℃以上では熱処理前とはｙ同しか逆に大きくなる
こと。（２）抵抗体と電極との密着性を良くするために
は、研磨後の抵抗体表面を塩酸や硝酸などの酸でエツチ
ングすれば良い。このためには側面コーティング用ガラ
スとして耐酸性の良いものを用いる必要があること。（
３）一般にリチウムケイ酸系ガラスの耐酸性はガラス中
のＳ ｉ Ｏ，やＬｉ２Ｏをある程度増し、Ｌ１２０−
８ｉＯ，、Ｌｉ２Ｏ−２ＳｉＯ□なる結晶をもつガラス
にすることによって大きくなる。
ガラスの組成は酸化ケイ素５０〜７０モ／ｌ／％、酸化
リチウム１０〜３０モル係あればそのエツチング液に対
する耐腐食性は実用上問題がないこと。（４）焼付は温
度が９５０℃以上の高融点リチウムケイ酸系ガラスの熱
膨張係数は一般に抵抗体よシも大きいが、該ガラスに酸
化亜鉛ｔ−５〜１５モルチ加えたガラスであれば熱膨張
係数が小感くなることがわかった。
リチウム１０〜３０モル係あればそのエツチング液に対
する耐腐食性は実用上問題がないこと。（４）焼付は温
度が９５０℃以上の高融点リチウムケイ酸系ガラスの熱
膨張係数は一般に抵抗体よシも大きいが、該ガラスに酸
化亜鉛ｔ−５〜１５モルチ加えたガラスであれば熱膨張
係数が小感くなることがわかった。
また、ガラス中のＬ１２０ は焼付時に焼結体中に拡散
して拡散部を高抵抗化にすると共に、焼結体とガラスと
の密着性を増し、得られる電圧非直線抵抗体の沿面耐圧
を特に大きくするに効果がある。更にガラス中の５１０
２ はガラスの耐湿性、耐酸性を増し、電圧非直線抵抗
体の沿面耐圧を大きく保つために効果がおる。
して拡散部を高抵抗化にすると共に、焼結体とガラスと
の密着性を増し、得られる電圧非直線抵抗体の沿面耐圧
を特に大きくするに効果がある。更にガラス中の５１０
２ はガラスの耐湿性、耐酸性を増し、電圧非直線抵抗
体の沿面耐圧を大きく保つために効果がおる。
５００〜９００℃の温度で熱処理すると抵抗体中のＢ
ｉ、０３相が相変化し、非直線係数が低下し、ＢｉｇＯ
３の融点（８３０℃）以上では焼成後と同一の相が形成
されて非直線係数が低下しないものと推定される。
ｉ、０３相が相変化し、非直線係数が低下し、ＢｉｇＯ
３の融点（８３０℃）以上では焼成後と同一の相が形成
されて非直線係数が低下しないものと推定される。
また、酸素中で熱処理すると、酸化亜鉛結晶の粒子表面
に多量の酸素イオンが吸着され非直線係数が大きくなる
。なお、ガラス焼付は温度としてはガラスの軟化温度よ
シラ００〜２００℃程度高い温度が適当でおる。
に多量の酸素イオンが吸着され非直線係数が大きくなる
。なお、ガラス焼付は温度としてはガラスの軟化温度よ
シラ００〜２００℃程度高い温度が適当でおる。
すなわち、ガラス焼付は温度はこれよシも低いとガラス
状にならず、高いと焼付は中にガラスが流れて均一な厚
さのガラス膜を得ることができない。
状にならず、高いと焼付は中にガラスが流れて均一な厚
さのガラス膜を得ることができない。
また、本発明の抵抗体においては、ガラスの耐酸性が優
れていることを述べたが、アレスタの−ように抵抗体を
窒素雰囲気中に封入して使用する際には、コロナが発生
して生成される硝酸によ如エツチングされる恐れがなく
、特性が安定である。
れていることを述べたが、アレスタの−ように抵抗体を
窒素雰囲気中に封入して使用する際には、コロナが発生
して生成される硝酸によ如エツチングされる恐れがなく
、特性が安定である。
本発明の電圧非直線抵抗体は主成分の酸化亜ｍ Ｋ 、
各各０．０１〜１０モル係の酸化ビスマス及び酸化マン
ガンを加え、更に望ましくは各各［Ｌ００２〜５モル係
の酸化アンチモン、酸化コバルト、酸化クロム、酸化ホ
ウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムなどを加えて１０
００〜１３００℃で焼成し、耐酸性のリチウムクイ酸系
ガラス粉を抵抗体の側面に塗布し、９５０〜１２５０℃
の温度で熱処理してガラスを被覆せしめ、抵抗体の両端
面を所定の浮袋に研磨した後、好ましくは研磨面を塩酸
や硝酸液でエツチングし、その後に電極を形成して得ら
れる。ここで、ガラスを電極形成後に被覆すると電極が
ガラス焼付時に酸化されて良くない。また、ガラス焼付
は温度が１３００℃超になるとガラスと焼結体とが激し
く反応してガラス成分が焼結体内部へ多量に拡散し、抵
抗体の特性を損うため好ましくない。
各各０．０１〜１０モル係の酸化ビスマス及び酸化マン
ガンを加え、更に望ましくは各各［Ｌ００２〜５モル係
の酸化アンチモン、酸化コバルト、酸化クロム、酸化ホ
ウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムなどを加えて１０
００〜１３００℃で焼成し、耐酸性のリチウムクイ酸系
ガラス粉を抵抗体の側面に塗布し、９５０〜１２５０℃
の温度で熱処理してガラスを被覆せしめ、抵抗体の両端
面を所定の浮袋に研磨した後、好ましくは研磨面を塩酸
や硝酸液でエツチングし、その後に電極を形成して得ら
れる。ここで、ガラスを電極形成後に被覆すると電極が
ガラス焼付時に酸化されて良くない。また、ガラス焼付
は温度が１３００℃超になるとガラスと焼結体とが激し
く反応してガラス成分が焼結体内部へ多量に拡散し、抵
抗体の特性を損うため好ましくない。
本発明に使用するガラスとしては次の点が重要である。
すたわち、第１には抵抗体本来の特性を劣化させないた
めに、抵抗体に９５０〜１２５０℃の高温でガラスを焼
付ける必要があシ、高融点ガラスであること。第２には
電極−抵抗体の密着性を良くするために、抵抗体にガラ
スを焼付けた後に塩酸や硝酸などを用いてエツチングで
きることが望ましい。窒素雰囲気中に封入した抵抗体の
沿面せん＆ｉを防止するために耐酸性ガラスであること
が要求される。また、沿面せん絡を防止するためにはガ
ラス膜の厚さを約３０μｍ以上にする必要があり、抵抗
体とガラスとの熱膨張係数が近いことが望ましい。
めに、抵抗体に９５０〜１２５０℃の高温でガラスを焼
付ける必要があシ、高融点ガラスであること。第２には
電極−抵抗体の密着性を良くするために、抵抗体にガラ
スを焼付けた後に塩酸や硝酸などを用いてエツチングで
きることが望ましい。窒素雰囲気中に封入した抵抗体の
沿面せん＆ｉを防止するために耐酸性ガラスであること
が要求される。また、沿面せん絡を防止するためにはガ
ラス膜の厚さを約３０μｍ以上にする必要があり、抵抗
体とガラスとの熱膨張係数が近いことが望ましい。
酸化亜鉛系抵抗体の熱膨張係数は５０〜７０×１ｏ−７
／ｒ、であるため、ガラスの熱膨張係数は４０〜８０
Ｘ １ ｏ−’／ｒ、の範囲が特に好ましい。
／ｒ、であるため、ガラスの熱膨張係数は４０〜８０
Ｘ １ ｏ−’／ｒ、の範囲が特に好ましい。
熱膨張係数に大きな差があると、ガラス焼付は時の冷却
する間に亀裂が生じ、大電流通電時に対する安定性や沿
面せん絡防止に十分な効果をあげることができない。こ
れらの亀裂を防止するためには、ガラスが結晶化ガラス
であることが特に望ましい。
する間に亀裂が生じ、大電流通電時に対する安定性や沿
面せん絡防止に十分な効果をあげることができない。こ
れらの亀裂を防止するためには、ガラスが結晶化ガラス
であることが特に望ましい。
本発明のりチウムクイ酸系ガラスの主な組成としては酸
化リチウムが１０〜３０モル係、酸化ケイ素が５０〜７
０モル係、酸化亜鉛が５〜１５モル係、酸化ホウ素が０
〜１０モル係、酸化アルミニウム０ル５ が望ましい。酸化亜鉛はこの範囲よシ少ないと、ガラス
の熱膨張係数が８ ０ Ｘ １ ０−７／℃より大きく
なる。また、酸化亜鉛がこの範囲より多いと熱膨張係数
け４ ０ Ｘ １０−７／℃ より小さくなる。一方、
酸化ホウ素はガラスの粘性を低下させ、抵抗体とのぬれ
性が良くなる。しかし、酸化ホウ素の量が多すぎると耐
湿性が悪くなシ、特に好ましい組成は３〜１ｏモル係で
ある。酸化アルミニウムの添加はガラスの分相化を防止
するために有効である。
化リチウムが１０〜３０モル係、酸化ケイ素が５０〜７
０モル係、酸化亜鉛が５〜１５モル係、酸化ホウ素が０
〜１０モル係、酸化アルミニウム０ル５ が望ましい。酸化亜鉛はこの範囲よシ少ないと、ガラス
の熱膨張係数が８ ０ Ｘ １ ０−７／℃より大きく
なる。また、酸化亜鉛がこの範囲より多いと熱膨張係数
け４ ０ Ｘ １０−７／℃ より小さくなる。一方、
酸化ホウ素はガラスの粘性を低下させ、抵抗体とのぬれ
性が良くなる。しかし、酸化ホウ素の量が多すぎると耐
湿性が悪くなシ、特に好ましい組成は３〜１ｏモル係で
ある。酸化アルミニウムの添加はガラスの分相化を防止
するために有効である。
本発明のガラスは１０−３０モル係の酸化リチウム、５
０〜７０モル係の酸化ケイ素を含有することが、ガラス
の耐酸性及び機械的強度の向上の上で特に望ましい。酸
化リチウム、酸化ケイ素の含有されたガラスは焼付は時
に結晶化ガラスになって、ガラス層の強度を高め、ガラ
ス層の亀裂が防止でき電圧非直線抵抗体の耐量が向上す
る。酸化リチウム、酸化ケイ素が上記範囲よシ多くても
、少なくてもこの効果は十分でなくなる。
０〜７０モル係の酸化ケイ素を含有することが、ガラス
の耐酸性及び機械的強度の向上の上で特に望ましい。酸
化リチウム、酸化ケイ素の含有されたガラスは焼付は時
に結晶化ガラスになって、ガラス層の強度を高め、ガラ
ス層の亀裂が防止でき電圧非直線抵抗体の耐量が向上す
る。酸化リチウム、酸化ケイ素が上記範囲よシ多くても
、少なくてもこの効果は十分でなくなる。
したがって、本発明のりチウムケイ酸系ガラスの主な組
成としては酸化リチウムが１０〜２０モル係、酸化ケイ
素が６０〜７００〜７０モル係鉛が５〜１０モルチモル
化ホウ素が６〜１０モル％、酸化アルミニウム２〜４モ
ル係の範囲であることが特に望ましい。
成としては酸化リチウムが１０〜２０モル係、酸化ケイ
素が６０〜７００〜７０モル係鉛が５〜１０モルチモル
化ホウ素が６〜１０モル％、酸化アルミニウム２〜４モ
ル係の範囲であることが特に望ましい。
第３図は、本発明の電圧非直線抵抗体の一例の構造を示
す断面概略図である。第６図において、符号１〜３は第
１図と同義であシ、４はセラミックス高抵抗層を意味す
る。第３図に示すようにガラス層と焼結体との界面Ｖｃ
Ｚ ｎ７ Ｓ １）２ ０１２やＺ ｎ２ Ｓ ｉ ０
４などから成る高抵抗酸化物層を設けて、ガラス層と焼
結体との密着性を更に良くしても良い。更に、ガラス層
は電極の設けられた上下面の一部を被覆しても良いこと
は言うまでもない。
す断面概略図である。第６図において、符号１〜３は第
１図と同義であシ、４はセラミックス高抵抗層を意味す
る。第３図に示すようにガラス層と焼結体との界面Ｖｃ
Ｚ ｎ７ Ｓ １）２ ０１２やＺ ｎ２ Ｓ ｉ ０
４などから成る高抵抗酸化物層を設けて、ガラス層と焼
結体との密着性を更に良くしても良い。更に、ガラス層
は電極の設けられた上下面の一部を被覆しても良いこと
は言うまでもない。
次に本発明を実施例によシ更に詳細に説明するが、本発
明はこれらに限定されない。
明はこれらに限定されない。
実施例１
主成分として酸化亜鉛７６５０１に対し、添加物として
酸化ビスマス（Ｂｉ２０３） ３ ２ ５ ｆ 、酸化
コバルト（Ｏｏ２０３） １ ６ ６ ｆ，酸化−ｒｙ
ガン（ＭｎＯ） ５ ７ ｔ，酸化アンチモン（Ｓｂ２
ｏ３）２９２ｔ、酸化クロム（ Ｃｒ２０３） ７ ６
り、酸化ニラクル（ＭｉＯ ） ７ ５ ｔ，酸化ケイ
素（Ｓｉｎ２）９０１酸化ホウ素（Ｂ，０３） ５ ０
ｆ，硝酸アルミニウム（Ａｔ（ｌＩ＋０３）２・９馬
ｏ）ｔｓｒを正確に秤量し、ボールミルで１２時時間式
混合する。混合粉は乾燥した後造粒し、２０ｔｍφＸ１
０ｍに成形する。
酸化ビスマス（Ｂｉ２０３） ３ ２ ５ ｆ 、酸化
コバルト（Ｏｏ２０３） １ ６ ６ ｆ，酸化−ｒｙ
ガン（ＭｎＯ） ５ ７ ｔ，酸化アンチモン（Ｓｂ２
ｏ３）２９２ｔ、酸化クロム（ Ｃｒ２０３） ７ ６
り、酸化ニラクル（ＭｉＯ ） ７ ５ ｔ，酸化ケイ
素（Ｓｉｎ２）９０１酸化ホウ素（Ｂ，０３） ５ ０
ｆ，硝酸アルミニウム（Ａｔ（ｌＩ＋０３）２・９馬
ｏ）ｔｓｒを正確に秤量し、ボールミルで１２時時間式
混合する。混合粉は乾燥した後造粒し、２０ｔｍφＸ１
０ｍに成形する。
成形体は大気中で１２５０℃、３時間保持して焼成した
。
。
別に高融点結晶化ガラスで、かつ耐酸性の良いパイロセ
ラム９ ｂ Ｏ ６ （ ｒ，１２ｏ−ｓ１ｏ２系ガラ
ス、米国コー＝ンク１１１）粉’ｒエチルセルロースー
トリクロロエチレン溶液に懸濁しておき、これを焼成し
た抵抗体の側面に厚さ５０〜３００μｍになるように銀
塗シ又は浸漬方式で塗布した。
ラム９ ｂ Ｏ ６ （ ｒ，１２ｏ−ｓ１ｏ２系ガラ
ス、米国コー＝ンク１１１）粉’ｒエチルセルロースー
トリクロロエチレン溶液に懸濁しておき、これを焼成し
た抵抗体の側面に厚さ５０〜３００μｍになるように銀
塗シ又は浸漬方式で塗布した。
これを大気中１０５０℃で３０分間熱処理した。
このときの昇・降温速度は６０℃／時である。
ガラスを被覆した抵抗体はその両端面をランプマスクで
約α５ｆｆｉＩＩＩずつ研磨し、洗浄した。洗浄した抵
抗体ばＡ／−溶射電極を形成した。この発明品と従来品
（ Ｓｌ ０２− Ｂ２ ０３ Ｐ ｂ Ｏ系ガラス、
６５０℃の低温で焼付は品）との非直線係数を比較する
と第１表となる。
約α５ｆｆｉＩＩＩずつ研磨し、洗浄した。洗浄した抵
抗体ばＡ／−溶射電極を形成した。この発明品と従来品
（ Ｓｌ ０２− Ｂ２ ０３ Ｐ ｂ Ｏ系ガラス、
６５０℃の低温で焼付は品）との非直線係数を比較する
と第１表となる。
第 １ 表
本発明品は従来品よシも非直線係数が極めて大きく優れ
ていることがわかる。また、同様な方法テパイロセラム
９６０６ガラスを酸素雰囲気中で焼付けた素子の非直線
係数は９０〜１００であった。
ていることがわかる。また、同様な方法テパイロセラム
９６０６ガラスを酸素雰囲気中で焼付けた素子の非直線
係数は９０〜１００であった。
実施例２
実施例１と同様に酸化亜鉛（ＺｎＯ） ８３０ Ｆ、酸
化ビスマス（Ｂ１□０３）３（Ｌ５Ｆ、酸化コバルト（
（３ｏ２０３） １６．５ ？、炭酸マンガン（Ｍｎ０
Ｏ３） ５７２、酸化クロム（０ｒ２０３） ７６ ｔ
、酸化アンチモン（Ｓｂ２０３） ５ ａ ３ ｆ’、
酸化ケイ素（ｓｌｏ、） １゜ｔ１酸化ホウ素（Ｂ２０
り ” ？ 、硝酸アルミニウム（Ａｔ（Ｎｏ３）３−
９Ｈ，Ｏ） ０．０６ ｆ ｔ−ボールミルテ’１５時
間湿式で混合する。混合粉は乾燥した後造粒し、２０箇
φ×８日に成形し、大気中で１３００℃で２時間焼成し
た。焼成した抵抗体は実施例１のパイクセラム９６０６
ガラスペーストを厚さ１００〜２００μｍに塗布し、大
気中１０００℃で１時間熱処理した。ガラス被覆した抵
抗体はその両端面をラップマスターで約（Ｌ５ｗずつ研
磨して洗浄する。ここでの一方は研磨、洗浄後の抵抗体
にそのままＡｔ溶射電極を形成した。
化ビスマス（Ｂ１□０３）３（Ｌ５Ｆ、酸化コバルト（
（３ｏ２０３） １６．５ ？、炭酸マンガン（Ｍｎ０
Ｏ３） ５７２、酸化クロム（０ｒ２０３） ７６ ｔ
、酸化アンチモン（Ｓｂ２０３） ５ ａ ３ ｆ’、
酸化ケイ素（ｓｌｏ、） １゜ｔ１酸化ホウ素（Ｂ２０
り ” ？ 、硝酸アルミニウム（Ａｔ（Ｎｏ３）３−
９Ｈ，Ｏ） ０．０６ ｆ ｔ−ボールミルテ’１５時
間湿式で混合する。混合粉は乾燥した後造粒し、２０箇
φ×８日に成形し、大気中で１３００℃で２時間焼成し
た。焼成した抵抗体は実施例１のパイクセラム９６０６
ガラスペーストを厚さ１００〜２００μｍに塗布し、大
気中１０００℃で１時間熱処理した。ガラス被覆した抵
抗体はその両端面をラップマスターで約（Ｌ５ｗずつ研
磨して洗浄する。ここでの一方は研磨、洗浄後の抵抗体
にそのままＡｔ溶射電極を形成した。
他方は研磨、洗浄後の抵抗体を塩酸：水＝２：５のエツ
チング液に５分間浸して研磨面をエツチングした後にｈ
ｔ 溶射電極を形成する。この両者を比較すると第２表
となる。
チング液に５分間浸して研磨面をエツチングした後にｈ
ｔ 溶射電極を形成する。この両者を比較すると第２表
となる。
第 ２ 表
エツチング処理品は未処理品よシも非直線係数が大きく
、通電による電圧変化率が小さく、かつ矩形波耐量も電
極端部付近から火花など発生せず優れていることがわか
る。
、通電による電圧変化率が小さく、かつ矩形波耐量も電
極端部付近から火花など発生せず優れていることがわか
る。
実施例３
実施例１及び２と同様に酸化亜鉛（ＺｎＯ）１００に９
、酸化ビスマス（：ｓｔ、ｏ、、） ４．２３ ｋｇ、
酸化コバルト（Ｃｏ、０３） ２．１５ゆ、炭酸マンガ
ン（Ｍｎ００３） （Ｌ ７４ ｋｇ、酸化アンチモン
（８１）２０３）１７８ｋｇ、酸化りｏ ム（０ｒ２０
３） ０．９８ ｋｇ、酸化ニッケル（Ｎｉｐ、） ０
．９７ｋｇ、酸化ケイ素（ｓｉｏｚ）α７８ゆ、酸化ホ
ウ素α０５６ｋｇ、硝酸アルミニウム（Ａｔ（Ｎ ０ｘ
）ｓ・９Ｈ２０） ０．００９ゆをボールミルで２５時
間混合する。混合粉は乾燥した後造粒し、２０５ｍφＸ
１０ｍｍに成形する。該成形体は次に５ｉｎ２−８１）
２０３− Ｂｉ２Ｏ３を含有するペーストを塗布した後
１２５０℃で４時間保持して焼成し、セラミックス高抵
抗層を作製した。焼成した抵抗体には第３表に示すリチ
ウムケイ酸系ガラスの成分配合比を変えて得たガラスを
用いて実施例１及び２と同様にペーストを製作し、１０
０〜２００μｍの厚さに塗布、１０００〜１０５０℃で
１時間大気中で焼付けした。
、酸化ビスマス（：ｓｔ、ｏ、、） ４．２３ ｋｇ、
酸化コバルト（Ｃｏ、０３） ２．１５ゆ、炭酸マンガ
ン（Ｍｎ００３） （Ｌ ７４ ｋｇ、酸化アンチモン
（８１）２０３）１７８ｋｇ、酸化りｏ ム（０ｒ２０
３） ０．９８ ｋｇ、酸化ニッケル（Ｎｉｐ、） ０
．９７ｋｇ、酸化ケイ素（ｓｉｏｚ）α７８ゆ、酸化ホ
ウ素α０５６ｋｇ、硝酸アルミニウム（Ａｔ（Ｎ ０ｘ
）ｓ・９Ｈ２０） ０．００９ゆをボールミルで２５時
間混合する。混合粉は乾燥した後造粒し、２０５ｍφＸ
１０ｍｍに成形する。該成形体は次に５ｉｎ２−８１）
２０３− Ｂｉ２Ｏ３を含有するペーストを塗布した後
１２５０℃で４時間保持して焼成し、セラミックス高抵
抗層を作製した。焼成した抵抗体には第３表に示すリチ
ウムケイ酸系ガラスの成分配合比を変えて得たガラスを
用いて実施例１及び２と同様にペーストを製作し、１０
０〜２００μｍの厚さに塗布、１０００〜１０５０℃で
１時間大気中で焼付けした。
第 ３ 表
ガラス被覆した抵抗体はラップマスタを用いて両端面約
１ｌＬＳＩＩＩＩＩＩずつ研磨する。研磨した抵抗体は
塩酸：硝酸：水＝１：３：５から成るエツチング液に３
分間浸して研磨面をエツチングした後、Ａｔ溶射電極を
形成した。このようにして得た電圧非直線抵抗体は第３
図のように、抵抗体の側面にＺ ｎ７ Ｓ ｂｚ ０１
２及びｚｎ２ Ｓ ｉ ０４から成るセラミックス高抵
抗層、更にその上にガラス膜の形成された抵抗体が得ら
れる。
１ｌＬＳＩＩＩＩＩＩずつ研磨する。研磨した抵抗体は
塩酸：硝酸：水＝１：３：５から成るエツチング液に３
分間浸して研磨面をエツチングした後、Ａｔ溶射電極を
形成した。このようにして得た電圧非直線抵抗体は第３
図のように、抵抗体の側面にＺ ｎ７ Ｓ ｂｚ ０１
２及びｚｎ２ Ｓ ｉ ０４から成るセラミックス高抵
抗層、更にその上にガラス膜の形成された抵抗体が得ら
れる。
まず、リチウムケイ酸系ガラスの成分配合比を種種変え
て得たガラスの耐酸性を調べると第４表となる。
て得たガラスの耐酸性を調べると第４表となる。
第 ４ 表
※１ニガラス組成は第３表による。
＊２：処理時間５時間
ガラスの耐酸性はガラス組成の酸化リチウム及び酸化ケ
イ素の配合比で異なシ、本発明の特に望ましい組成範囲
をもったガラス組成番号３〜５ガラスの酸に対するエツ
チング速度は他のガラスの１ノ２〜１／８である。
イ素の配合比で異なシ、本発明の特に望ましい組成範囲
をもったガラス組成番号３〜５ガラスの酸に対するエツ
チング速度は他のガラスの１ノ２〜１／８である。
次に、矩形波耐量（波形： ２ ｍＳ） を第５表に示
す。
す。
第５表
第５表よシガラス組成番号４が最も優れており、次いで
番号３．５．６．７．２．１の順である。すなわち、酸
化リチウム１０−３０モル係で酸化ケイ素５０〜７０モ
ルチ以外のガラスではガラスの耐酸性が悪く、矩形波耐
量は本発明ガラスを用いた場合の約汐である。
番号３．５．６．７．２．１の順である。すなわち、酸
化リチウム１０−３０モル係で酸化ケイ素５０〜７０モ
ルチ以外のガラスではガラスの耐酸性が悪く、矩形波耐
量は本発明ガラスを用いた場合の約汐である。
実施例４
実施例３で得た酸化亜鉛を主成分とした原料粉で２０■
φ×８咽に成形し、１２８０℃で５時間保持して焼成し
た。焼成した抵抗体には実施例３の第５表に示した組成
のガラスペーストを実施例１．２及び５と同様に１００
〜２００μｍの厚さに塗布し、１０００〜１０５０℃の
温度で１時間大気中で熱処理した。この熱処理の昇、降
温速度は２５℃／時である。ガラス被覆した抵抗体はそ
の両端面をα５１１１１１ずつ研磨する。研磨した抵抗
体は硝酸：塩酸：水＝１：４：５のエツチング液に５分
間浸して研磨面をエツチングした後、Ａｔ溶射電極を形
成した。このようにして得た抵抗体は窒素雰囲気中に封
入してコロナ放電をさせた前後で特性の変化を調べた。
φ×８咽に成形し、１２８０℃で５時間保持して焼成し
た。焼成した抵抗体には実施例３の第５表に示した組成
のガラスペーストを実施例１．２及び５と同様に１００
〜２００μｍの厚さに塗布し、１０００〜１０５０℃の
温度で１時間大気中で熱処理した。この熱処理の昇、降
温速度は２５℃／時である。ガラス被覆した抵抗体はそ
の両端面をα５１１１１１ずつ研磨する。研磨した抵抗
体は硝酸：塩酸：水＝１：４：５のエツチング液に５分
間浸して研磨面をエツチングした後、Ａｔ溶射電極を形
成した。このようにして得た抵抗体は窒素雰囲気中に封
入してコロナ放電をさせた前後で特性の変化を調べた。
コロナ放電を１時間行った前後の特性は第６表となる。
第 ６ 表
※１ニガラス組成は第３表による。
※２：コロナ放電時間は１時間。
本発明のガラス組成である番号３．４及び５のガラスを
用いた場合はコロナ放電試験後でインパルス耐量（波形
：４Ｘ１０μｓ）がほぼ変らない。一方、耐酸性のやや
劣る番号１．２．６及び７のガラスではコロナ放電前後
で、インパルス耐量が２０〜３５％低下している。これ
は、抵抗体を窒素雰囲気中に封入してコロナ放電させた
ため、雰囲気中の微量の水が窒素と反応して硝酸を生成
し、この硝酸がガラス膜を変質させて劣化させたものと
考える。
用いた場合はコロナ放電試験後でインパルス耐量（波形
：４Ｘ１０μｓ）がほぼ変らない。一方、耐酸性のやや
劣る番号１．２．６及び７のガラスではコロナ放電前後
で、インパルス耐量が２０〜３５％低下している。これ
は、抵抗体を窒素雰囲気中に封入してコロナ放電させた
ため、雰囲気中の微量の水が窒素と反応して硝酸を生成
し、この硝酸がガラス膜を変質させて劣化させたものと
考える。
実施例５
実施例３で得た酸化亜鉛を主成分とした原料粉を用い、
５６−φ×２４鱈に成形し、１２５０℃で５時間保持し
て焼成した。焼成した抵抗体には第７表に示した組成の
ガラスからなるベーストを実施例１．２．３及び４と同
様に１００〜２００μｍの厚さに塗布し、８００〜１３
５０℃の間で１時間大気中で焼付けた。このときの昇・
降温速度は４０℃／時である。ガラスを被覆した抵抗体
は、その両端面をＱ、Ｓｗｎずつ研磨した。研磨した抵
抗体は硝酸：塩酸：水＝１：４：３のエツチング液に５
分間浸して研磨面をエツチングした後Ａｔ溶射電極を形
成した。このようにして得た素子のガラス膜中への亀裂
の有・無、電流１０μＡ〜１ｍＡ における非直線係数
、初期のインパルス耐量、コロナ放電試験後のインパル
ス耐量、煮沸水中に１０時間放置後のインパルス耐量、
−４０℃＃１５０℃ノ熱サイクル１０００回後のインノ
くルス耐量は第７表のとおりである。
５６−φ×２４鱈に成形し、１２５０℃で５時間保持し
て焼成した。焼成した抵抗体には第７表に示した組成の
ガラスからなるベーストを実施例１．２．３及び４と同
様に１００〜２００μｍの厚さに塗布し、８００〜１３
５０℃の間で１時間大気中で焼付けた。このときの昇・
降温速度は４０℃／時である。ガラスを被覆した抵抗体
は、その両端面をＱ、Ｓｗｎずつ研磨した。研磨した抵
抗体は硝酸：塩酸：水＝１：４：３のエツチング液に５
分間浸して研磨面をエツチングした後Ａｔ溶射電極を形
成した。このようにして得た素子のガラス膜中への亀裂
の有・無、電流１０μＡ〜１ｍＡ における非直線係数
、初期のインパルス耐量、コロナ放電試験後のインパル
ス耐量、煮沸水中に１０時間放置後のインパルス耐量、
−４０℃＃１５０℃ノ熱サイクル１０００回後のインノ
くルス耐量は第７表のとおりである。
アレスタ素子のインパルス耐量としては２８８Ｋｖ系統
以下までは８０ＫＡ以上、４２０ＫＶ系統以上では１０
０ＫＡ以上が必要である。
以下までは８０ＫＡ以上、４２０ＫＶ系統以上では１０
０ＫＡ以上が必要である。
第７表に見られるように、本発明の特に望ましい組成範
囲内にあるガラスを被覆した番号３．４．５及び１３の
試料は被覆したガラス膜に亀裂がなく、非直線係数が大
きく、インパルス耐量がコロナ放電試験後、煮沸試験後
、熱サイクル試験後いずれも１００ＫＡ以上で、４２０
ＫＶ系統以上のアレスタ素子として利用可能である。
囲内にあるガラスを被覆した番号３．４．５及び１３の
試料は被覆したガラス膜に亀裂がなく、非直線係数が大
きく、インパルス耐量がコロナ放電試験後、煮沸試験後
、熱サイクル試験後いずれも１００ＫＡ以上で、４２０
ＫＶ系統以上のアレスタ素子として利用可能である。
なお、第７表から明らかなように、酸化亜鉛量が５モル
係未満（番号８．９）及び１５モルチ超の試料（番号１
０．１１）になると、熱膨張係数が被覆する抵抗体の熱
膨張係数５０〜７０Ｘ１０−１よシ差が生じ、被覆した
ガラス膜に微小の亀裂が生じる。また、酸化ホウ素量が
１０モル％超の試料（番号１４．１５）ではガラスの耐
水性及び耐酸化性が悪くなシ、煮沸試験後のインパルス
耐量及びコロナ放電試験後のインパルス耐量は他の試料
（番号３．４．５．１３）に比べて劣化が大きい。
係未満（番号８．９）及び１５モルチ超の試料（番号１
０．１１）になると、熱膨張係数が被覆する抵抗体の熱
膨張係数５０〜７０Ｘ１０−１よシ差が生じ、被覆した
ガラス膜に微小の亀裂が生じる。また、酸化ホウ素量が
１０モル％超の試料（番号１４．１５）ではガラスの耐
水性及び耐酸化性が悪くなシ、煮沸試験後のインパルス
耐量及びコロナ放電試験後のインパルス耐量は他の試料
（番号３．４．５．１３）に比べて劣化が大きい。
更に、酸化ホウ素量が少なすぎる試料（番号１２）では
ガラスの軟化温度が高くなり、それに伴いガラス焼付温
度が１６５０℃となって非直線係数が悪くなる傾向にあ
る。
ガラスの軟化温度が高くなり、それに伴いガラス焼付温
度が１６５０℃となって非直線係数が悪くなる傾向にあ
る。
本発明の電圧非直線抵抗体は、非直線係数が極めて大き
く、通電による電圧変化率が小さく、矩形波耐量も優れ
、耐酸性が良い等極めて顕著な効果を奏するものでおる
。
く、通電による電圧変化率が小さく、矩形波耐量も優れ
、耐酸性が良い等極めて顕著な効果を奏するものでおる
。
第１図及び第３図は本発明の電圧非直線抵抗体の一例の
構造を示す断面概略図であシ、第２図は電圧非直線抵抗
体の熱処理温度と非直線係数の変化率との関係？示すグ
ラフである。 １：焼結体、２ニガラス層、３：電極、４：セラミック
ス高抵抗層。 特許出願人 株式会社 日立製作所 代理人 中 本 宏 第 ／ 図 第２図 熱処工里渇度じＣ） 第３図 第１頁の続き ０発 明 者 大和１） 伸−日立市国分町場内
構造を示す断面概略図であシ、第２図は電圧非直線抵抗
体の熱処理温度と非直線係数の変化率との関係？示すグ
ラフである。 １：焼結体、２ニガラス層、３：電極、４：セラミック
ス高抵抗層。 特許出願人 株式会社 日立製作所 代理人 中 本 宏 第 ／ 図 第２図 熱処工里渇度じＣ） 第３図 第１頁の続き ０発 明 者 大和１） 伸−日立市国分町場内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 酸化亜鉛を主成分とした焼結体の少なくとも側面
にセラミックス高抵抗層を介し、又は介することなく、
ガラス層が形成され、かつ焼結体上下両端面に電極が形
成された電圧非直線抵抗体において、上記ガラス層が以
下の成分： 酸化リチウム（Ｌｉ２ｏ） ： １ｏ〜３ｑモルチ酸化
ケイ素（ｓｌｏ、）’ ： ｓ Ｏ〜７ Ｇ１モモル係
化亜鉛（Ｚｎｏ） ： ５〜１５％ル％酸化ホウ素（Ｂ
ａｓｓ） ’： ｏ〜１０モル係酸化アルミニウム（Ａ
／４０ｓ）： ０〜５ モル係を含むリチウムケイ酸系
ガラスであることを特徴とする電圧非直線抵抗体。 ２ 該ガラス層が結晶化ガラスから成る特許請求の範囲
第１項に記載の電圧非直線抵抗体。 五 該ガラスが９５０℃から該焼結体の焼成温度の間の
焼付は温度を持つ高融点ガラスである特許請求の範囲第
１項又は第２項に記載の電圧非直線抵抗体。 ４、 酸化亜鉛を主成分とする焼結体の側面にセラミッ
クス高抵抗層を形成し、かつその上に酸化リチウム１０
〜３０モル係、酸化ケイ素５０〜７０モル係、酸化亜鉛
５〜１５モルチ、酸化ホウ素０〜１０モル係、酸化アル
ミニ９人０〜５ ガラス成分と結合剤とから成るペーストを塗布する工程
、酸素含有ガス雰囲気中において９５０℃以上で前記焼
結体の焼成温度よシも低く、かつガラスの軟化温度よシ
１００〜２００℃高い温度で焼付けてガラス層を形成す
る工程、及び前記焼結体の両端面−電極を形成する工程
の各工程を包含することを特徴とする電圧非直線抵抗体
の製法。 ５、 該電極を形成する工程が、前記焼結体の両端面を
酸でエツチングした後、電極を形成するものである特許
請求の範囲第４項に記載の電圧非直線抵抗体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139406A JPS6031207A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 電圧非直線抵抗体及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139406A JPS6031207A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 電圧非直線抵抗体及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031207A true JPS6031207A (ja) | 1985-02-18 |
| JPH0223007B2 JPH0223007B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=15244510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58139406A Granted JPS6031207A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 電圧非直線抵抗体及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5610570A (en) * | 1994-10-28 | 1997-03-11 | Hitachi, Ltd. | Voltage non-linear resistor and fabricating method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146267A (en) * | 1974-10-15 | 1976-04-20 | Toshifumi Sako | Tomorokoshino shinzai oryoshite kakushukanshoyobutsutai oseizosuru hoho |
| JPS5221714A (en) * | 1975-08-12 | 1977-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solid stage scanning photo-electronic conversion |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58139406A patent/JPS6031207A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146267A (en) * | 1974-10-15 | 1976-04-20 | Toshifumi Sako | Tomorokoshino shinzai oryoshite kakushukanshoyobutsutai oseizosuru hoho |
| JPS5221714A (en) * | 1975-08-12 | 1977-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solid stage scanning photo-electronic conversion |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5610570A (en) * | 1994-10-28 | 1997-03-11 | Hitachi, Ltd. | Voltage non-linear resistor and fabricating method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0223007B2 (ja) | 1990-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4319215A (en) | Non-linear resistor and process for producing same | |
| JPS648441B2 (ja) | ||
| JPH0252404B2 (ja) | ||
| EP0452511B1 (en) | Zinc oxide varistor, manufacture thereof, and crystallized glass composition for coating | |
| US4326187A (en) | Voltage non-linear resistor | |
| JP3175500B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 | |
| US4420737A (en) | Potentially non-linear resistor and process for producing the same | |
| JPS6031207A (ja) | 電圧非直線抵抗体及びその製法 | |
| JP3003374B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および被覆用結晶化ガラス組成物 | |
| JPS6243324B2 (ja) | ||
| JPS6127003A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
| JP2001052907A (ja) | セラミック素子とその製造方法 | |
| JP3036202B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法および被覆用結晶化ガラス組成物 | |
| JPS6221241B2 (ja) | ||
| JPS61294803A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造法 | |
| JPH01125801A (ja) | 酸化物抵抗体 | |
| JPS5951724B2 (ja) | セラミック電圧非直線抵抗体 | |
| JPH0258306A (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 | |
| JPH0389501A (ja) | 電圧非直線抵抗体及びその製法 | |
| JPH0258807A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPS58191403A (ja) | 電圧非直線抵抗体及びその製法 | |
| JPH02302001A (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 | |
| JPS6055969B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製法 | |
| JPH07109803B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 | |
| JPH0734406B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 |