SE527949C2 - Metod att framställa en varistor - Google Patents

Metod att framställa en varistor

Info

Publication number
SE527949C2
SE527949C2 SE0403170A SE0403170A SE527949C2 SE 527949 C2 SE527949 C2 SE 527949C2 SE 0403170 A SE0403170 A SE 0403170A SE 0403170 A SE0403170 A SE 0403170A SE 527949 C2 SE527949 C2 SE 527949C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
varistor
layer
end surface
coating
micrometers
Prior art date
Application number
SE0403170A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0403170L (sv
SE0403170D0 (sv
Inventor
Aake Oeberg
Peter Hidman
Ragnar Oesterlund
Leif A Pettersson
Original Assignee
Abb Research Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Abb Research Ltd filed Critical Abb Research Ltd
Priority to SE0403170A priority Critical patent/SE527949C2/sv
Publication of SE0403170D0 publication Critical patent/SE0403170D0/sv
Priority to US11/793,607 priority patent/US7525409B2/en
Priority to EP05810948.9A priority patent/EP1920445B1/en
Priority to PCT/SE2005/001784 priority patent/WO2006068570A1/en
Priority to CN200580043738.5A priority patent/CN101084559B/zh
Publication of SE0403170L publication Critical patent/SE0403170L/sv
Publication of SE527949C2 publication Critical patent/SE527949C2/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/08Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/12Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by chemical deposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • H01C17/283Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/285Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits applied to zinc or cadmium oxide resistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/102Varistor boundary, e.g. surface layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/12Overvoltage protection resistors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

25 30 35 527 949 2 företrädesvis i temperaturintervallet 1100-1300 °C under Ca- 2-1O h.
Efter sintringen slipas eller läppas varistorkroppens ändytor vanligtvis.
Efter slipningen beläggs varistorkroppens ändytor med ett skikt av elektrodmaterial. Den detaljerade utformningen av skiktet bestäms av risken för överslag eller haveri pà grund av strömförträngning.
Vanligtvis anbringas skikt av elektrodmaterial pà varistorkropparnas ändytor genom metallisering, företrädesvis genom ljusbàgs- eller flamsprutning av aluminium eller zink. Skiktets tjocklek är vanligtvis ca. 50 mikrometer. Skikt av elektrodmaterial, som anbringats enligt ovan nämnda metoder, kännetecknas av inhomogeniteter, tjockleksvariationer, relativt högt kontaktmotständ, hög ytràhet, svårigheter med korrosionsmotstàndet och interna spänningar i gränsskiktet.
Det är känt att man belagt relativt tunna skikt av guld, pà experimentprover av polymermaterial som innehàllit ZnO som fyllmedel, genom sputtering, se AC Conductivity Effects of Non-linear Fillers in Electrical Insulation, 2000 Conference on Electrical Insulation and Dielectrc Phenomena, p. 133.
Denna metod som är relaterad till ett polymert material med fyllmedel har ännu ej kommersialiserats.
I GB 1508327 omnämns en varistor med flera ingàngsanslutningar vars syfte är att ge skydd mot spänningstransienter i flerfaskretsar. Den cylindriska varistorkroppen innehåller diametrala snitt i den ena ändytan, bildande ”tàrtbitar" av varistorer, varvid dessa kontakteras med elektroder som exempelvis anbringas med 10 15 20 25 30 35 527 949 3 hjälp av sputtering. En nackdel med en sàdan varistor är att den har begränsad ström- och energihàllfasthet- Förmàgan att, utan att haverera, motstà upprepade elektriska belastningar, exempelvis impulsströmar under tidsPefi°der om ca. 4 - 20 us, benämnes högströmshàllfasthet. Detta beskrivs exempelvis i den amerikanska patentskriften US 6,l99,268 Bl.
Strömförträngningen i anslutning till skiktets periferi kan genom elektro-termisk instabilitet leda till lokal överhettning av nämnda varistor och därmed haveri. Förmågan att, utan att haverera, motstà höga impulsströmar under tidsperioder av storleksordningen 0.5 ms eller längre, benämnes energihàllfasthet.
UPPFINNINGENS SYFTE Ett huvudändamàl med föreliggande uppfinning är att anvisa en varistor som har förbättrad högströmshàllfasthet och energihàllfasthet och en metod för tillverkning därav. Därmed kan den fysiska storleken pà varistorn minskas, och storleken pà den apparat vari den ingàr, vid given effektnivà alternativt kan varistorn hantera en större effekt vid given storlek och apparaten vari den ingàr kan tillverkas mer ekonomiskt fördelaktigt än enligt känd teknik.
Ett ytterligare ändamål med föreliggande uppfinning är att erbjuda en varistor, och en metod för tillverkning därav, som ger mindre spridning av prestanda än hittills kända metoder.
BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN Dessa ändamål uppnàs med en metod, sàsom definieras i patentkrav 1. Metoden enligt uppfinningen kännetecknas av 10 15 20 25 30 527 949 4 att àtminstone en elektrod, genom en jon- eller atomförflyttande metod, anbringas pà en varistorkropps ändyta, pà ett sàdant sätt att skikttjockleken för nämnda elektrod ligger inom ett utprovat intervall. Det har vid experiment och undersökningar överraskande visat sig att en förbättring av ström- och energihàllfastheten uppnås med ett skikt av tjockleken 5 till 30 mikrometer, och att en väsentlig förbättring uppnås med ett skikt av tjockleken 10 till 20 mikrometer. Ett skikt i det angivna tjockleksintervallet ger en god vidhäftning, hög mekanisk hàllfasthet och liten benägenhet för termisk sprickbildning samtidigt som det ger en god strömfördelning vilket bidrar till förbättrad strömhàllfasthet och energihállfasthet. Tack vare bättre vidhäftning i det nämnda tjockleksintervallet sä erhàlls också en mindre spridning i prestanda.
Med jon- eller atomförflyttande metod avses en metod som innebär att atomer, eller joner, förflyttas fràn ett s k ”target”, eller annan materialkälla, till den yta som ska beläggas. Exempel pà jon- eller atomförflyttande metod är Magnetron Sputtering, Ion Beam Sputtering, DC (Glow Discharge) Sputtering och Radio Frequency (RF) Sputtering, vilka alla tillhör gruppen av metoder som kallas Physical Vapour Deposition (PVD). Tid, temperatur, vakuumtrycknivà och placering väljs sà att skiktet får en tjocklek inom det ovan angivna tjockleksintervallet. Beläggningstiden beror av beläggningshastigheten som i sin tur beror av vilken processutrustning som används. Ett krav är att temperaturen ej överstiger 400°C. Ett lämpligt temperaturintevall är 90 till l80°C. Vakuumtrycket ska ej överstiga 5'l0ß torr. Ett lämpligt intervall är 104 till 10% torr. ”Target” eller annan materialkälla väljs sa att skiktet fàr den sammansättning som àsyftas. 10 15 20 25 30 35 527 949 5 Till jon- eller atomförflyttande metoder kan också räknas Chemical Vapour Deposition (CVD) där ÜOHGI eller at°mer tillförs i gasform.
Det har visat sig vid undersökning av skikten att Ytfinheten enligt definitionen (se exempelvis S Jacobsson och S Hogmark, Tribologi, Karleboserien, Liber Utbildning AB, Arlöv 1996, s. 16) Ra = 1/L med en undre gräns x = 0 och övre gräns x = L 'fl2(x)| dx för ett skikt som beläggs med en jon- eller atomförflyttande metod är mindre än 3 mikrometer, medan ett skikt som beläggs en annan metod, t ex med flamsprutning eller ljusbàgssprutning, har ytfinheten Ra större än 8 mikrometer.
En fördel med en jon- eller atomförflyttande metod är att den effektiva kontaktytan blir avsevärt större för ett skikt som belagts med en sàdan metod.
Skikttjockleken mäts som skillnaden mellan skiktets ytteryta, med hänsyn tagen till medelavvikelsen Ra, och skiktets undre ytan, anliggande mot varistorkroppen, med hänsyn tagen till medelavvikelsen Ra för denna yta.
Enligt en föredragen utföringsform av den angivna metoden utnyttjas ett snävare skikttjockleksintervall som ligger mellan 10 och 20 mikrometer vilket ger ytterligare förbättrade egenskaper och mindre spridning i prestanda.
Detta ändamål också kan nas genom en varistor enligt patentkrav ll.
Da metaller i allmänhet har god ledningsförmàga, och en viss formbarhet, sà är de lämpliga som elektrodmaterial för skiktet. Aluminium, eller legeringar därav, kan genom sin 10 15 20 25 30 35 527 949 6 goda elektriska och termiska ledningsförmàga med fördel användas.
I en föreslagen utföringsform av metoden slipas varistorkroppens yta innan beläggning av skiktet Utförs- Därigenom ökas ytterligare vidhäftningen mellan skiktet och varistorkroppens ändyta. Alternativa metoder till slipning. som ger liknande fördelaktiga resultat, är läppning, vàtkemisk etsning, torretsning/jonsputtering och laserbearbetning.
I ytterligare en föredragen utföringsform av metoden lämnas en område med bredden 0.01 millimeter till 6 millimeter, längs ändytans kant, obelagt. Det förhindrar strömförträngning i elektroden vid ändytans kant och ger en bättre strömhàllfasthet och högre energihàllfasthet för varistorn.
I ytterligare en utföringsform av metoden göres en avfasning av ändytans kant efter det att beläggning av skiktet utförts.
Avfasningen hindrar strömförträngning vid ändytans kant.
Avfasningen göres så att en vinkel uppstår mellan ändytan och den yta som utgör avfasningens yta. Vinkeln kan t GX ligga i intervallet ll0° till l65°. Avfasningen kan också utgöras av tvà eller flera delavfasningar eller göras helt avrundad.
I ytterligare en utföringsform av metoden kombineras en avfasning av ändytans kant med ett område, med bredden 0.01 millimeter till 6 millimeter, som har lämnats obelagt.
Den ovan beskrivna metoden kan användas för hela spänningsomràdet fràn t ex nagra mV till 800 kv eller mer.
Metoden kan användas i överspänningsskydd för elektronisk utrustning och datorer sàväl som i elektriska kraftnät. 10 15 20 25 30 35 527 949 7 En fördelaktig användning av uppfinningen är som spänningsskydd vid höga spänningar, över 50 kV toPPSPännln9f dà skiktets goda vidhäftningsegenskaper och låga Sprldnlng 1 prestanda är särskilt värdefulla.
En varistor enligt uppfinningen är särskilt användbar i ventilavledare.
FIGURBESKRIVNING Föreliggande uppfinning skall nu förklaras närmare med hjälp av olika utföringsformer och med hänvisning till bifogade ritningar.
Fig l är en perspektivskiss av en varistor enligt uppfinningen.
Fig 2 är ett axiellt tvärsnitt genom en varistor enligt en utföringsform av uppfinningen varvid skiktet ej täcker ändytan i en kantzon.
Fig 3 är ett axiellt tvärsnitt genom en varistor enligt ytterligare en utföringsform av uppfinningen varvid kanten mellan varistorns ändyta och dess mantelyta avfasats.
Fig 4a till 4d är axiella tvärsnitt med alternativa utföringsformer för omrâdet omkring kanten mellan ändytan och varistorkroppens mantelyta.
BESKRIVNING AV UTFÖRINGSEXEMPEL Figur l visar en varistor 1 enligt en utföringsform av uppfinningen. Varistorn innefattar en varistorkropp 2 med tvà parallella ändytor 3,4 tillverkad av ett material, som 10 15 20 25 30 35 527 949 8 innehàller en eller flera metalloxider, t ex zinkoxid, och tvà elektroderna anordnade pà varistorkroppens ändytor. Var och en av elektroderna innefattar ett skikt av elektrodmaterial 5,5, t ex aluminium, belagd pà ändytan medelst en jon- eller atomförflyttande metod, t ex magnetron sputtering. Detta skikt har i den här utföringsformen en tjocklek av ca. 15 mikrometer.
Varistorn 1 tillverkas genom att en varistorkropp 2 färdigställs genom sintring, vid ca. 1150 °C, av en Qen0m pressning formad pulverkropp, innehållande huvudsakligen zinkoxid och mindre mängder av andra metalloxider.
Varistorkroppens ändytor 3,4 förbehandlas genom slipning varefter elektroderna innefattande skikten 5,6 av aluminium, anbringas pá varistorkroppens ändytor genom magnetron sputtering. Beläggningen pàförs, i den här utföringsformen, under ca. 30 minuter vid en temperatur av ca. 125° och vid ett vakuumtryck av 5'10¿ torr.
Figur 2 visar en varistor 1 enligt en utföringsform av uppfinningen innefattande en cylindrisk varistorkropp 2 med tvà parallella ändytor 3,4 som belägges med skikten 5b,6b endast till en del, genom att delar av ändytorna täcks med masker. Enligt denna utföringsform förblir en omràde 7,8 av bredden d ca. 1 mm, utmed ändytans kant 9,10 obelagt.
Figur 3 visar en varistor 1 enligt en utföringsform av uppfinningen innefattande en cylindrisk varistorkropp 2 med tvà parallella ändytor 3,4 som belägges med skikten 5c,6c. Ändytorna har före beläggningen behandlats genom slipning.
Kanterna 12,13 mellan varistorns ändytor 14,15 och den cylindriska mantelytan 11 avfasades. Avfasningen 16,17 ästadkoms genom slipning. Vinklarna u och v är i bàda fallen 135°. 10 15 20 25 30 35 527 949 9 Figur 4a visar en varistor enligt en utföringSf°rm av uppfinningen innefattande en cylindrisk varistorkropp med tvà parallella ändytor som belägges med skikt. Denna utföringsform skiljer sig fràn den i figur 3 genom att den ena ändytan endast har belagts till en del dà ett omràde utmed ändytans kant täckts med en mask. Denna ändyta har efter beläggningen avfasats.
Den andra ändytan har helt belagts med ett skikt varefter kanten avfasats.
Figur 4b visar en varistor enligt en utföringsform av uppfinningen innefattande en cylindrisk varistorkropp med tvà parallella ändytor som belägges med skikt. Bàda ändytorna har endast belagts till en del då ett omràde utmed ändytornas kanter täckts med en mask. Denna utföringsform skiljer sig fràn den i figur 4a dels genom att endast den ena ändytan har avfasats dels genom att bàda ändytorna endast belagts till en del dà ett område utmed ändytornas kanter täckts med masker.
Figur 4c visar en varistor enligt en utföringsform av uppfinningen innefattande en cylindrisk varistorkropp med tva parallella ändytor som belägges med skikt. Den ena ändytan har endast belagts till en del dà ett omràde utmed ändytans kant täckts med en mask. Den andra ändytan har helt belagts med ett skikt varefter kanten avfasats.
Utföringsformen enligt figur 4c skiljer sig fràn den i figur 4a genom att kanten pà den ändyta som endast belagts till en del saknar avfasning.
Figur 4d visar en varistor enligt en utföringsform av uppfinningen innefattande en cylindrisk varistorkropp med tvà parallella ändytor som belägges med skikt. Bàda ändytorna har endast belagts till en del dà ett område utmed ändytornas kanter täckts med en mask. Bada ändytorna har efter beläggningen avfasats. Utföringsformen enligt figur 4d 10 15 20 25 30 35 527 949 10 skiljer sig fràn den i figur 4b genom att bàda ändytornas kanter har avfasats.
Den tekniska effekten av uppfinningen verifierades med följande experiment. Varistorer med diametern 62 mm och höjden 42,5 mm till ett antal av 18 framställdes i enlighet med uppfinningen varvid ändytorna efter att ha förbehandlats genom slipning helt belades med aluminium. I en kontrollgrupp, som också innefattade 18 varistorer, anbringades elektroderna av aluminium enligt känd teknik genom ljusbägssprutning. varistorerna utsattes för ett prov, som inleddes med tre strömimpulser under en minut varefter varistorerna kyldes ner till rumstemperatur. Efter detta utsattes de pà nytt för tre strömimpulser under en minut med àtföljande nedkylning till rumstemperatur. Proceduren upprepades till dess att varistorerna utsatts för 21 strömimpulser vardera. Strömmen i var och en av impulserna, som var och en av varistorerna utsattes för, var 770 A.
Samtliga varistorer, som tillverkats i enlighet med uppfinningen, och samtliga i kontrollgruppen klarade provet utan att skadas.
Efter provserien med strömimpulser pà nivàn 770 A genomfördes en andra serie enligt samma procedur men pà nivàn 1200 A. Även den andra provserien innefattade totalt 21 strömimpulser. Av varistorerna, som tillverkats i enlighet med uppfinningen, klarade 16 av 18 provet utan att skadas, medan i kontrollgruppen endast tvà av 18 förblev oskadade.
Slutsatsen är att de varistorer som tillverkades enligt uppfinningen har en betydligt förbättrad energihàllfasthet jämfört med dem som tillverkades enligt känd teknik.
Enligt en annan utföringsform av uppfinningen kan en varistor tillverkas genom att varistorkroppens ändytor förbehandlas genom torretsning/jonsputtering varefter elektroderna innefattande skikten av aluminium, anbringas pà 10 15 20 527 949 11 varistorkroppens ändytor genom DC (Gï0W DiSChêr9e) Sputtering.
Enligt ytterligare en annan utföringsform av uppfinningen kan en varistor tillverkas genom att varistorkroppens ändytor förbehandlas genom torretsning/jonsputtering varefter elektroderna innefattande skikten av aluminium, anbringas pà varistorkroppens ändyt0r QGHON Ion Beam Sputtering.
Enligt ytterligare en annan utföringsform av uppfinningen kan en varistor tillverkas genom att varistorkroppens ändytor förbehandlas genom vàtkemisk etsning varefter elektroderna innefattande skikten av aluminium, anbringas pà varistorkroppens ändytor genom RF (Radio FreqUeflCY) Sputtering.

Claims (14)

10 15 20 30 527 949 I2. PATENTKRAV
1. Metod att framställa en varistor (1) varvid metoden innefattar: en varistorkropp (2) med två ändytor (3,4) tillverkas baserat på en eller flera metalloxider, åtminstone ena ändytan hos varistorkroppen belâggs med ett skikt av elektrodmaterial, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda elektrodmaterial innehåller aluminium eller en legering därav och beläggning sker medelst en jon- eller atomförflyttande metod, varvid förhållanden under beläggningen anpassas så att skiktets tjocklek är inom intervallet 5 mikrometer till 30 mikrometer.
2. Metod enligt patentkrav 1, k ä n n e t e c k n a d av att förhållandena under beläggningen anpassas så att skiktets tjocklek är inom intervallet 10 mikrometer till 20 mikrometer.
3. Metod enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d av att nämda ändyta (3,4) före beläggningen med skiktet (5,6) förbehandlas för att öka vidhäftningen mellan skiktet och varistorkroppens ändyta.
4. Metod enligt patentkrav 3, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda ändyta (3,4) före beläggningen med skiktet (5,6) förbehandlas med slipning. 10 15 20 527 949
5. Metod enligt patentkrav 3, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda ändyta (3,4) före beläggningen med skiktet (5,6) förbehandlas med vátkemisk etsning.
6. Metod patentkrav 3, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda ändyta (3,4) före beläggningen med skiktet (5,6) förbehandlas med torretsning/jonsputtring.
7. Metod enligt nagot av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda ändyta (3,4) är omgiven av en kant, och att nämnda ändyta förhindras att beläggas med skikt så att ett omrâde (7,8), med bredden 0,01 till 6,0 m, utmed ändytans kant (9) förblir obelagt.
8. Metod enligt nagot av tidigare patentkrav, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda ändyta (3,4) är omgiven av en kant, varvid kanten avfasas (l6,l7) efter beläggningen av skiktet.
9. Varistor (1) innefattande en varistorkropp (2) med tva parallella ändytor (3,4) tillverkad av ett material, som innehåller en eller flera metalloxider, och åtminstone en elektrod utförd i ett elektriskt ledande elektrodmaterial anordnad pá någon av varistorkroppens ändytor (3,4), k ä n n e t e c k n a d av 10 15 20 5217 949 IH att nämnda elektrod innefattar ett skikt av aluminium eller en legering därav (5,6) belagd pá ândytan medelst en ÜOH" eller atomförflyttande metod varvid nämnda skikt (5,6) har en tjocklek inom intervallet 5 mikrometer till 30 mikrometer.
10. Varistor (1) enligt patentkrav 9, k ä n n e t e c k n a d av att nämda skikt (5,6) har en tjocklek inom intervallet 10 mikrometer till 20 mikrometer.
11. Varistor (1) enligt nagot av patentkraven 9 eller 10, k ä n n e t e c k n a d av att nämda ändyta (3,4) är omgiven av en kant som har en utbredning som är mindre än ändytans utbredning, varvid ändytan har ett omrâde som saknar beläggning med elektrodmaterial (7,8), utmed kanten, varvid detta obelagda område har bredden 0.01 m till 6 .O m.
12. Varistor (1) enligt nagot av patentkrav 9 till 11, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda ändyta (3,4) är omgiven av en avfasad kant (16,17).
13. Användning av en varistor enligt nagot av kraven 9 till 12, i en elektrisk skyddstillämpning där toppspänningen överstiger 50 kv.
14. Användning av en varistor enligt något av kraven 9 till 12, i en ventilavledare.
SE0403170A 2004-12-22 2004-12-22 Metod att framställa en varistor SE527949C2 (sv)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0403170A SE527949C2 (sv) 2004-12-22 2004-12-22 Metod att framställa en varistor
US11/793,607 US7525409B2 (en) 2004-12-22 2005-11-28 Method of manufacturing a varistor
EP05810948.9A EP1920445B1 (en) 2004-12-22 2005-11-28 A method of manufacturing a varistor
PCT/SE2005/001784 WO2006068570A1 (en) 2004-12-22 2005-11-28 A method of manufacturing a varistor
CN200580043738.5A CN101084559B (zh) 2004-12-22 2005-11-28 变阻器的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0403170A SE527949C2 (sv) 2004-12-22 2004-12-22 Metod att framställa en varistor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0403170D0 SE0403170D0 (sv) 2004-12-22
SE0403170L SE0403170L (sv) 2006-06-23
SE527949C2 true SE527949C2 (sv) 2006-07-18

Family

ID=34102118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0403170A SE527949C2 (sv) 2004-12-22 2004-12-22 Metod att framställa en varistor

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7525409B2 (sv)
EP (1) EP1920445B1 (sv)
CN (1) CN101084559B (sv)
SE (1) SE527949C2 (sv)
WO (1) WO2006068570A1 (sv)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009008463A1 (de) * 2009-02-09 2010-08-12 Siemens Aktiengesellschaft Überspannungsableiteranordnung
CN103280284B (zh) * 2013-04-28 2016-03-30 北京捷安通达科贸有限公司 电压限制型低压配电电涌保护器及其制造方法
WO2015072138A1 (ja) * 2013-11-13 2015-05-21 日本ケミコン株式会社 電子部品およびその製造方法
LU100140B1 (en) * 2017-03-15 2018-09-19 Abb Schweiz Ag Circuit Breaker having Semiconductor Switch Element and Energy Absorbing Device
CN114709038A (zh) * 2022-04-25 2022-07-05 西安石油大学 一种压敏电阻基体芯片、高能量型电涌保护器阀片及其制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2528090C2 (de) 1974-07-01 1985-06-05 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Mehrphasen-Stoßspannungsunterdrücker
US4371860A (en) * 1979-06-18 1983-02-01 General Electric Company Solderable varistor
US4296002A (en) * 1979-06-25 1981-10-20 Mcgraw-Edison Company Metal oxide varistor manufacture
CA1180779A (en) * 1981-09-25 1985-01-08 Elliott Philofsky Ceramic capacitor and method of making same
US4853199A (en) 1987-01-08 1989-08-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing crystalline complex perovskite compounds
WO1989010813A1 (en) * 1988-05-13 1989-11-16 Research Corporation Technologies, Inc. Ceramic electrode material and electrical devices formed therewith
JPH02296301A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Fuji Electric Co Ltd 電圧非直線抵抗素子の製造方法
JPH03268401A (ja) * 1990-03-19 1991-11-29 Tdk Corp 電圧非直線性抵抗素子
EP0572151A3 (en) * 1992-05-28 1995-01-18 Avx Corp Varistors with cathodically vaporized connections and method for depositing cathodically vaporized connections on varistors.
SE504075C2 (sv) * 1994-08-29 1996-11-04 Asea Brown Boveri Ventilavledare
JP3175500B2 (ja) * 1994-10-28 2001-06-11 株式会社日立製作所 電圧非直線抵抗体およびその製造方法
DE19701243A1 (de) * 1997-01-16 1998-07-23 Asea Brown Boveri Säulenförmig ausgebildeter, hochstromfester Widerstand, insbesondere Varistor auf der Basis eines Metalloxids, und Verfahren zur Herstellung eines solchen Widerstands
DE19820134A1 (de) * 1998-05-06 1999-11-11 Abb Research Ltd Varistor auf der Basis eines Metalloxids und Verfahren zur Herstellung eines solchen Varistors
US6211770B1 (en) * 1999-04-27 2001-04-03 Mcg Electronics, Inc. Metal oxide varistor module

Also Published As

Publication number Publication date
CN101084559A (zh) 2007-12-05
EP1920445A1 (en) 2008-05-14
SE0403170L (sv) 2006-06-23
WO2006068570A1 (en) 2006-06-29
US7525409B2 (en) 2009-04-28
EP1920445A4 (en) 2011-03-02
CN101084559B (zh) 2012-10-17
SE0403170D0 (sv) 2004-12-22
US20080129442A1 (en) 2008-06-05
EP1920445B1 (en) 2017-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102258598B1 (ko) 뚜껑들 및 노즐들 상에 희토류 옥사이드 기반 코팅들을 위한 이온 보조 증착
US20100053841A1 (en) Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity
US10612121B2 (en) Plasma resistant coating with tailorable coefficient of thermal expansion
KR20070085946A (ko) 캡슐화된 웨이퍼 처리 장치 및 그의 제조 방법
US7525409B2 (en) Method of manufacturing a varistor
US6175485B1 (en) Electrostatic chuck and method for fabricating the same
US6217722B1 (en) Process for producing Ti-Cr-Al-O thin film resistors
US12002648B2 (en) Interruption-ring in an x-ray tube
RU2522874C1 (ru) Способ защиты поверхности алюминия от коррозии
KR102208229B1 (ko) 정전기 척
Watanabe et al. Effect of additives on the electrostatic force of alumina electrostatic chucks
US6346872B1 (en) Method for producing a varistor based on a metal oxide and a varistor produced using this method
US10539178B2 (en) Vapor deposition bearing coating
Goebel High voltage breakdown limits of molybdenum and carbon-based grids for ion thrusters
RU2614320C2 (ru) Жаростойкое металлокерамическое покрытие и способ его нанесения
TWI636147B (zh) 複合靶材
CN219370999U (zh) 静电卡盘
RU2700592C1 (ru) Способ изготовления тонкопленочного резистора
TWI236084B (en) Method for manufacturing an electrostatic chuck
Öberg et al. New contacting solutions for high voltage ZnO varistors
KR20080008941A (ko) 고저항 세라믹 열용사 코팅 소재 및 이를 포함하는정전척의 제조방법
Yamasaki et al. Physical characteristics of alumina coating using atmospheric plasma spraying (APS) and low pressure plasma spraying (VPS)
Djugum et al. A fabrication process for CrN/TiAlN multi-layered strain gauges on mild steel
RU2509825C1 (ru) Способ нанесения покрытия для медных контактов электрокоммутирующих устройств
Stridh et al. New contacting solutions for high voltage ZnO varistors

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed