JPH08107193A - Soi基板の製造方法 - Google Patents
Soi基板の製造方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 46
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27417894A JPH08107193A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Soi基板の製造方法 |
TW85100485A TW303483B (enrdf_load_stackoverflow) | 1994-09-30 | 1996-01-16 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27417894A JPH08107193A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Soi基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08107193A true JPH08107193A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17538129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27417894A Pending JPH08107193A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Soi基板の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08107193A (enrdf_load_stackoverflow) |
TW (1) | TW303483B (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007535158A (ja) * | 2004-04-27 | 2007-11-29 | エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | チップおよび関連する支持体を製作する方法 |
JP2011524083A (ja) * | 2008-09-02 | 2011-08-25 | エス.オー.アイ.テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ | 漸進トリミング法 |
US8535117B2 (en) | 2009-12-03 | 2013-09-17 | Ebara Corporation | Method and apparatus for polishing a substrate having a grinded back surface |
CN110854011A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-02-28 | 芯盟科技有限公司 | 堆叠键合晶圆的处理方法 |
JP2021145109A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | キオクシア株式会社 | 貼合装置および貼合方法 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP27417894A patent/JPH08107193A/ja active Pending
-
1996
- 1996-01-16 TW TW85100485A patent/TW303483B/zh active
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---|---|
TW303483B (enrdf_load_stackoverflow) | 1997-04-21 |
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