JPH07508685A - ウェーハの研磨装置 - Google Patents

ウェーハの研磨装置

Info

Publication number
JPH07508685A
JPH07508685A JP6501707A JP50170794A JPH07508685A JP H07508685 A JPH07508685 A JP H07508685A JP 6501707 A JP6501707 A JP 6501707A JP 50170794 A JP50170794 A JP 50170794A JP H07508685 A JPH07508685 A JP H07508685A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
polishing
carrier
wafer carrier
loading
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6501707A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2908025B2 (ja
Inventor
カールズラド,クリス・イー
ヴァン・ウェーコム,アンソニー・ジー
茂 小田桐
長橋 勲
Original Assignee
スピードファム・コーポレーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by スピードファム・コーポレーション filed Critical スピードファム・コーポレーション
Publication of JPH07508685A publication Critical patent/JPH07508685A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2908025B2 publication Critical patent/JP2908025B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • B24B37/345Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00Programme-control systems
    • G05B19/02Programme-control systems electric
    • G05B19/418Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41815Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the cooperation between machine tools, manipulators and conveyor or other workpiece supply system, workcell
    • G05B19/41825Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the cooperation between machine tools, manipulators and conveyor or other workpiece supply system, workcell machine tools and manipulators only, machining centre
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/37Measurements
    • G05B2219/37399Pressure
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45026Circuit board, pcb
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45199Polish
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45232CMP chemical mechanical polishing of wafer
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/49Nc machine tool, till multiple
    • G05B2219/49356Tool with constant force against workpiece during machining
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/49Nc machine tool, till multiple
    • G05B2219/49361Workpiece and tool have each own rotation speed
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/50Machine tool, machine tool null till machine tool work handling
    • G05B2219/50007Multiple polishing heads, oscillating and rotating
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/50Machine tool, machine tool null till machine tool work handling
    • G05B2219/50362Load unload with robot
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/50Machine tool, machine tool null till machine tool work handling
    • G05B2219/50371Index table holds same number of load and unload cups, alternative
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/50Machine tool, machine tool null till machine tool work handling
    • G05B2219/50381Load, unload workpiece while machining other one, dual table machine
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/50Machine tool, machine tool null till machine tool work handling
    • G05B2219/50388Integrated loader, shuttle transfer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ウェーハの研磨方法及び装置 発明の背景 本発明は、研磨方法及び装置に関し、より具体的には、高速度で、しかも半導体 の処理を行うクリーンルームの環境に適合可能な方法にて半導体材料のウェーハ を正確に研磨する方法及び装置に関する。
集積回路の製造は、高品質の半導体ウェーハを製造することがら開始される。
その製造に精密な加工を必要とすることがら、ウェーハの各々は、比較的高コス トである。集積回路の製造工程中、ウェーハの少な(とも−面は極めて平坦な面 であることが望まれる。がかる平坦面を得るためにウェーハを研磨することは公 知の技術である。
かかる研磨は、一般に、ウェーハの一側部をウェーハキャリヤ及びチャックの平 坦面に取り付ける段階と、そのウェーハを平坦な研磨面に押し付ける段階とを含 む。研磨面はウェーハの下方で動がし、また、ウェーハは、研磨動作を促進し得 るようにその垂直軸線の周りで前後に揺動させることが出来る。この研磨面は堅 固で平坦なテーブルに取り付けたパッドであり、このテーブルは、動作をさせる ために回転させ、また、その上に研磨材及び/又は化学スラリーが送出される。
このパッド、スラリーの複合機能及び構成要素の相対的動作は、ウェーハの表面 に複合した機械的及び化学的作用を生じさ也その結果、表面の凹凸が例えば0゜ 5μm以下に維持された非常に平坦な面がウェーハ上に形成される。
研磨は、典型的に、集積回路の製造前に行われ、その上に回路を製造することが 出来る平坦面が半導体上に形成される。集積回路の複雑さが増すに伴ない、導電 線の幅も著しく狭(なり、像形成工程の焦点及び深度は、基板の表面の凹凸によ る影響を受け易くなる。その結果、表面が改善されたウェーハの要望が増すに至 っている。更に、集積回路の製造工程中、例えば、導体及び絶縁体の層がウェー ハ上に形成され、その層の頂部に別の層が形成される。このため、単に集積回路 を製造する前ではなく、その集積回路を実際に製造する間に、ウェーハの表面を 「再度平担化」することが必要となっている。この再度平坦化の工程は、平坦化 (planarization)と称されている。幾つかの平坦化工程の連続す る一つの工程において、ウェーハは著しく高価なものとなる。半導体の加工コス トを考慮するならば、その一部を加工した一枚の8インチウェーハの価格は、平 坦化を行ったとき、$ 10.000以上にもなる。当然、各ウェーハの取り扱 いには細心の注意が必要とされる。
ウェーハの研磨速度は常に関心の対象であるが、平坦化が必要とされる連続的な 加工工程の1つであるとき、一層、重要なものとなる。従来の技術は、典型的に 、一枚又は二枚のウェーハを研磨するがら、ウェーハの装填及び排出のための相 当な待ち時間が必要となる。研磨装置の処理速度を速くするための方法及び装置 が必要とされている。
研磨するウェーハの価値が増す結果、平坦化方法の精度の必要性が著しく増大し た。1枚$100の価値のウェーハの研磨が不適切であることは、1枚が$10 .000のものを不適切に研磨する場合と全く事情が異なる。特に、高速度の製 造環境にて研磨を改善する方法及び装置がめられている。
これらの課題は本発明によって達成される。
発明の概要 本発明によるウェーハの研磨装置は、複数のウェーハ材料を研磨面に略同時に係 合させる複数のウェーハキャリヤを有する研磨組立体を備えている。該装置は、 研磨すべきウェーハを保持する割り出しテーブルと、研磨面と割り出しテーブル との間にて研磨組立体を動かす研磨装置とを備えている。割り出しテーブルにて 、研磨組立体の全てのウェーハキャリヤには、略同時にウェーハの装填が行われ る。
キャリヤに装填した後、研磨組立体は研磨面と停台状態となるように配置される 。
割り出しテーブルを装置内に組み込むことによって、ウェーハ上に同時に装填す ることに備えて、研磨前のウェーハを割り出しテーブルに装填し、効率上の利点 を得ることが可能となる。
割り出しテーブルは、研磨前のウェーハが装填されたとき、増分的に割り出しし て、ウェーハが多数ウェーハのカセットから引き出されたとき、一度に一枚ずつ その上に載せることが出来るようにする。研磨前のウェーハが装填カップまで動 くことは、研磨組立体が別の複数のウェーハを研磨する研磨ステーションにある 間に行われることが望ましい。研磨が完了すると、組立体は割り出しテーブルに 戻って、研磨すべき別の組みのウェーハを略同時に受け取る。
また、割り出しテーブルは、装填カップと同様の方法で使用されて、研磨後にそ の研磨したウェーハをウェーハキャリヤから略同時に排出する複数の排出カップ を備えことも出来る。次に、研磨組立体によって他のウェーハが研磨される間に 、排出カップからの研磨後のウェーハの排出を行うことが出来る。
研磨組立体、割り出しテーブル及び研磨面の整合状態は、装置内に安定的な骨組 みを提供することによって維持される。この目的のため、研磨組立体を動かす直 線状の軌道が研磨面と割り出しテーブルとの間を伸長している。この直線状の軌 道は、割り出しテーブルと研磨面との間で研磨組立体が制御された動きをするの を許容する一方で、安定的で堅固なフレームを提供する。
・また、該装置は、ウェーハが割り出しテーブルから排出されるときに、各ウェ ーハを洗浄する自動装置を備えることも出来る。かかる洗浄は、装置から排出し た研磨後のウェーハがクリーンルームの環境に適したものであることを確実にす る。
この装置は、工程の精度を保つために多くの別個のフィードバックループを処理 するコンピュータによって制御される。例えば、研磨圧力は、空気シリンダによ って各ウェーハキャリヤに付与され、また、その付与した圧力は各ウェーハキャ リヤの圧力センサによって検出される。各ウェーハキャリヤの揺動及び回転は、 別個のサーボモータによって行われ、その位置及び回転速度も検出される。操作 者の入力に基づいて、所望の圧力範囲及びウェーハキャリヤの動きの値が設定さ れる。次に、コンピュータは、センサによって読み取った実際の作動因子を読み 取り、空気圧力及びサーボモータを調節して、実際の因子を所望の範囲に保つ。
操作者は、使用中の各ウェーハキャリヤに対する作動因子を表示するデータを入 力する。このとき、これらの因子は、所望の範囲の基礎を形成し、これが次にコ ンピュータに別個に記憶される。操作者は、各ウェーハキャリヤに対して同−又 は異なる因子を設定可能であることが望ましい。各ウェーハキャリヤは、そのウ ェーハキャリヤに記憶させた因子に従ってコンピュータによつて制御されるから 、装置は、別個のウェーハキャリヤに対して異なる加工を行うことが出来る。
好適な実施例の各ウェーハキャリヤは、圧力を中心軸線に沿って伝達し、及び回 転力をその中心軸線の周りで伝達する、中心軸線を有する上方の力伝達部材を備 えている。ウェーハキャリヤの研磨部材は、研磨軸線を有する平坦な下面を備え ている。力伝達部材の中心軸線の周りで対称に配置された第一のレース部材と、 ウェーハキャリヤの研磨軸線の周りで対称に配置された第二のレース部材と、該 第−及び第二のレース部材の間に保持されたボール軸受とを有する力結合部材に よって、力伝達部材と研磨部材との間に圧力が結合されている。これらの第一の レース部材、ボール軸受、第二のレース部材は、協働して、力結合部材を通じて 圧力の力を研磨軸線上の一点に集中させる。更に、回転力は、研磨部材上の軸受 面に当接して回転力を結合する力伝達部材の外周の周りに配置された、複数のカ ム従動子によって伝達される。力伝達部材を研磨部材の円筒形の開口部内に挿入 した後、該力伝達部材は、カラーによって所定位置に弾性的に保持され、該カラ ーは、力伝達部材を研磨部材の円筒形の開口部内に保持して、ボール軸受に対す る圧力を維持する複数のばねを備えている。
研磨部材の下方の平坦面は、力伝達部材内への中央通路と連通ずる複数の貫通穴 を有している。この中空の通路は、可撓性手段によって密封され、略流体密の連 通路を提供する一方で、研磨部材と力伝達部材との相対的な動きを許容する。
また、該研磨部材は、該部材によって支持されたウェーハを更に支持するため、 その研磨面の周りに張出し部を備えている。好適な実施例において、この張出し 部は、その内面にねじを有する材料のリングを備えており、該リングは、研磨部 材の外面の周りのねじに係合する。形成されたこの張出し部の高さは、リング及 び研磨部材のねじが係合する深さを調節することによって、慎重に調節すること が出来る。リングの上にカラーを配置し、該カラーがリングに摩擦可能に係合し て、該リングの回転を防止して、非調節状態となるのを阻止し得るようにするこ とが望ましい。
添付図面において、同様の参照符号は同様の構成要素を示し、これらの図面にお いて、 図1は、本発明を具体化するウェーハ研磨装置の斜視図、図2は、その頂部を取 り除いた図1の装置の平面図、図3は、その割り出しテーブルに沿ったウェーハ 研磨装置の断面図、図4及び図5は、ウェーハ研磨工程の異なる部分を示す装置 の更なる平面図、図6a及び図6bは、ウェーハの装填状態を示す断面図、図7 a及び図7bは、ウェーハの排出状態を示す断面図、図8は、ウェーハ研磨組立 体及び装置内でのウェーハの動きを示す側面図、図9は、ウェーハ研磨組立体の 平面図、図10は、ウェーハ研磨組立体内に設けた研磨アーム組立体の断面図、 図11及び図12は、ウェーハ洗浄組立体の側面図及び平面図、図13は、ウェ ーハ研磨組立体の一部であるウェーハキャリヤの断面図、図14は、図13のウ ェーハキャリヤの一部である下方力伝達部材の斜視図、図15は、ウェーハ研磨 装置用の制御装置のブロック図、図16は、その研磨テーブルに沿ったウェーハ 研磨装置の断面図、図17乃至図22は、図1のウェーハ研磨装置の工程制御フ ロー図である。
好適な実施例の詳細な説明 図1は、本発明を具体化するウェーハ研磨装置100の斜視図である。ウェーハ 研磨装置100は、ウェーハ入力/出力モジュール101と、ウェーッ1処理モ ジュール102とを備えている。該ウェーハ研磨装置100の構造は、処理モジ ュール102をクラス1000のクリーンルーム環境内で隣接する壁を越えて配 置する一方、入力/出力モジュール101は、例えば、クラス10のクリーンル ーム環境内に配置可能であるようにしである。特別には図示しない手段により、 研磨装置内に空気流が発生され、クラス10のクリーンルームの環境が悪影響を 受けないようにその空気圧が調節される。
図2は、理解し易いように斜視図の頂部及び特定のその他の構造体は省略したウ ェーハ研磨装置100の平面図である。更に、図2において、入力/出力モジュ ール101及び処理モジュール102を分離する壁104が示しである。ウェー ハは多数ウェーハのカセットによって入力/出力モジュール101に供給され且 つ該モジュールから除去され、図1及び図2には、上記のカセットの内、2つの 入力カセット106.107及び2つ出力カセット108.109が示しである 。
カセット106乃至109は、25個以内の所定の直径のウェー71を略水平方 向に格納する当該技術分野で公知の型式のものである。本明細書において、8イ ンチのウェーハについて説明する。これらのカセット106乃至109の各々は 、閉じた側部分及び後方部分と、ウェーハの装填及び排出を行う開放した前面部 分とを備えている。また、入力/出力モジュール101は、3軸の装填ロボット 111を備えており、該ロボットは当該技術分野で公知の手段により、一度に一 枚ずつカセット106.107からウェーハを取り出し、そのウェーッ1を整合 装置113の上に置く。装填ロボット111は、例えば、ADEによるモデル3 51とし、また整合装置113は、例えば、ADEによるモデル428とするこ とが出来る。整合装置113は、ロボット111により該装置に呈示されたウェ ー71を中心法めし、ウェーハ上のバーコードを読み取り得るように該ウェー/ %を配置する。
ウェーハの整合後、整合されたウェーハの縁部を入カグマルy’Q15が把持す る。
処理モジュール102は、入力/出力装置101からウェーッ\を受け取り、ま たウェーハを該装置に供給するために使用される割り出しテーブル117を備え ている。割り出しテーブル117は、5つのウェーッ1排出カップ119乃至1 23と、5つのウェーハ装填カップ124乃至128とを有する回転可能な環状 リング118を備えている。排出カップ119乃至123は、割り出しテーブル 117の垂直中心軸線の周りで72°の増分角度位置に配置され、同様に、装填 カップ124乃至128も排出カップに対する交互の位置にて垂直軸線の周りで 72゜の増分角度位置に配置されている。このため、ウェー7%力・ツブは、回 転可能な部材118の周りで36°の増分角度位置に呈示され、また、装填及び 排出かノブは交互に配置されている。
割り出しテーブル117は、360°の角度を回転可能であり、主として、反時 計方向(図2)に36°の整数倍の角度で回転されて、ウェー/1カツプ119 乃至128を入力/出カニ程のために位置決めし、又ウェー/ ’を5つの群毎 に、研磨組立体132に対する装填及び排出を行う。時計方向への割り出しは全 て、本明細書に特に記載されている。図2には、割り出しテーブル117の2つ の位置が示しである。入力位置と称する一方の位置129は、テーブル117が 入力グリツバ115に隣接する入力カップを有するの位置である。図2において 、装填ウェーハカップ124は、入力位置129にある。出力位置と称する第二 の位置131は、テーブル117が出力グリッパ116に隣接する排出カップを 有するときの位置である。図2において、カップ120は、排出位置131にあ る。本実施例において、研磨組立体132に対するウェーッ\の装填及び排出は 、全て上記型式のウェーハカップが入力位置にあるときに行われる、即ち、組立 体132の装填機能は、装填カップが入力位置129にあるときに行われ、排出 機能は排出カップが入力位置129にあるときに行われる。ウェー/%7’7ツ ブの装填及び排出を行うため、入力位置129にてウェーハカップに係合する位 置の割り出しテーブル117の下方には、空気シリンダ159が配置されている 。同様に、更に4つの空気シリスタ159が入力位置から72°の増分角度にて 割り出しテーブル117の下方に配置されている。図3は、断面線3−3に沿っ た処理モジュール102の図であり、割り出しテーブル117及び特定の関連す る装置の断面図が示しである。
ウェーハが整合装置113により整合され、空の装填カップ124が入力位置1 29に呈示されると、入力グリッパ115が整合したウェー71を把持し、該つ 工−ハを垂直方向に180°回転させ、図4に示すように、新たに整合したウェ ー/%を入力カップ124内に配置する。カップ124がウェーッ1を受け取っ た後、交流サーボモータ131(図3)により駆動される割り出し駆動装置13 0の制御により、割り出しテーブル117を72°反時計方向に回転させ、例え ば128のような次に利用可能な装填カップを入力位置129に配置して、整合 したウェーハを受け取る。割り出しテーブルの駆動装置130は、コンピュータ 103の制御の下に作動して、その割り出し機能を果たす。装填カップの装填及 び割り出しテーブル117の割り出しを交互に行うことにより、5つの装填カッ プ124乃至128は全て装填されて、ウェーハが研磨を待ち、装填カップ12 4は、再度、入力位置124となる。以下に説明するように、5つの装填カップ が空になるまで、それ以上の入力操作は行われない。
この実施例において、ウェーハは、回転する研磨テーブル134と共に作動する 多数ヘッドのウェーハ研磨組立体により、一度に5つずつ研磨される。この多数 ヘッド研磨組立体132は、図1の切欠き図に示してあり、図2、図4及び図5 には、透明な十角形として示しである。この研磨組立体132の構造の詳細につ いては後で説明する。研磨組立体132は、5つのウェーハキャリヤ139乃至 143を備えており、各ウェーハを回転させ且つ各ウェーハを回転する研磨テー ブル134の上の2つの外周間で前後に揺動させると同時に、5つのウェーハを 回転する研磨テーブル134上に同時に押し出すことが出来る。図2、図4及び 図5において、ウェーハキャリヤ139乃至143は、外周を広(して黒円で示 しである。その間をウェーハキャリヤ139.143が揺動し得る2つの外周は 、図2に示した元の位置と、図4に示した最大の外方揺動位置とから成)ている 。ウェーハの研磨が完了し、又はウェーハキャリヤ139乃至143が空になっ たとき、これらのウェーハは、研磨テーブル134から上方に相当な距離まで持 ち上げる。ウェーハキャリヤ139乃至143が持ち上げられると、これらのつ 工−ハキャリャは元の揺動位置に戻る。
割り出しテーブルの装填カップ124乃至128の各々が研磨すべき1つのつ工 −ハを保持しているとき、これらのウェーハは、研磨が開始する前にウェーハキ ャリヤ139乃至143に搬送しなければならない。研磨組立体132が研磨テ ーブル134の上方の位置から割り出しテーブル117の上方の位置まで動くと きに、ウェーハキャリヤ139乃至143内へのウェーハの装填が開始する。図 3、図8に示すように、研磨組立体132は、回転する研磨テーブル134と割 り出しテーブル117との間で処理モジュール102の長さに沿って伸長する、 一対の搬送レール137により、処理モジュール102の主構造体板136に取 り付けられている。研磨組立体132は、T)IK軸受No、 H3R35CB 2UUのような4つの搬送線形軸受によりレール137に接続された搬送フレー ム144によってレール137に接続されている。レール137に沿った線形動 作は、交流サーボモータ165により駆動されるTHK N09BLK 323 2EZZのようなモータ被動の搬送ボールスクリューにより制御される。図5に は、研磨テーブル134からの線形動作が完了したとき、搬送ヘッド研磨組立体 132が割り出しテーブル117の上方にある位置が示しである。装填工程は、 5つのウェー71キヤリヤ139乃至143が環状リング118の中心に形成さ れたタブ133内に下降し、ブラシ146に対して回転したときに開始し、これ と同時に、複数のノズル147から水のような溶剤が噴霧される。次に、ウェー ハキャリヤ139乃至143はその最高の上方位置まで持ち上げられ、また、そ の最大の外方位置まで外方に揺動される。ウェーハキャリヤ139乃至143を 研磨組立体132の上に予め整合させ、割り出しテーブル117の回転を適正に 割り出すことにより、ウェー71キヤリヤ139乃至143の各々が割り出しテ ーブル117の一つのカップの上方になり且つ該カップと略垂直に整合する。装 填工程を行うべきとき、装填カップ124乃至128がウェーハキャリヤ139 乃至143と垂直に整合するようにテーブル117を位置決めする(図4)一方 、排出工程を行うべきとき(図5)、割り出しテーブル117は、排出カップ1 19乃至123とウヱーノ)キャリヤ139乃至143とを垂直方向に整合させ 得るように位置決めする。
本明細書において、ウェーハキャリヤ139乃至143は、丁度、研磨工程を完 了し、その各々が排出すべきウェーハを保持しているもとの仮定して説明する。
図4には、入力/出力モジュール101からウェーハを受け取った後の割り出し テーブル117の相対的位置が示しである。排出工程のため、排出カップをつ工 −ハキャリャ139乃至143に整合させるためには、割り出しテーブル117 は36°の割り出し角度だけ時計方向に割り出され、その結果、装填カップ及び 排出カップの位置は図5に示した位置となる。かかる適正な位置決めをしたとき 、排出ウェーハの操作は、排出カップ119.123とウェーハキャリヤ139 乃至143のそれぞれの一つとの間で略同時に行われる。かかる排出操作が完了 したとき、ウェーハキャリヤ139乃至143は、元の位置に戻り、再度、下降 して、ブラシ146及びノズル147により更に洗浄される。研磨のため、キャ リヤ139−143に新たなウェーハを装填するとき、これらのキャリヤは、再 度、持ち上げて、その最大位置まで揺動させ、又、割り出しテーブル117は3 6°の増分角度だけ反時計方向に回転させ、このため、装填カップ124乃至1 28はウェーハキャリヤ139乃至143と垂直方向に整合状態となる。かかる 整合状態が達成されたならば、キャリヤの装填操作を行って、5つのウェーハキ ャリヤを全て略同時に装填する。また、図5に示すように、装填及び排出操作中 の多数ヘッドの研磨組立体が割り出しテーブル117の上方で係合する一方、回 転研磨テーブル134は、研磨パッド処理装置149によって修復することが出 来る。
パッド処理装置149は、その下面に研磨材を有する回転ヘッド150から成っ ている。回転ヘッドは、研磨テーブル134を横断して前後に揺動して次の研磨 工程用の表面を用意する。表面処理部材149は、枢着点152にて支持された 揺動部材151上で回転ヘッド150を保持している。
−例としてのウェーハキャリヤ139に関するウェーハキャリヤの装填操作は、 図6a及び図6bに示しである。例えば装填カップ124のような各カップは、 可動インサート154と、該インサート用の支持部材155とから成っている。
支持部材155は、主として、カップインサート154が上方及び下方に移動す るのを許容する貫通孔を有する回転部材118の平坦な支持面から成っている。
このカップインサート154は、取り扱うウェーハに傷を付けないようデルリン (Delrin (登録商標))のような材料で形成され、ウェーハキャリヤ1 39の最下方点の外径よりも僅かに大きい最上部の内径と、ウェー71キヤリヤ 139の外径に略等しい下方内径とを有する斜面156を備えている。ウェーッ 1カップのこの斜面156は、装填及び排出操作中、ウェーハカップとウェーッ 1キャリヤの底部とを自然案内式に整合させる。また、装填カップ124乃至1 28の各々は、空気シリンダ159のピストン158に係合する底部材157を 備えている。この底部材157の厚さ、及びピストン158の移動は、次によう にしである。即ち、ピストンが図6bに示すように作動されたとき、カップイン サートは、ウェーハキャリヤ139の下面まで上方に駆動され、このため、カッ プインサート154によって保持されたウェーハがウェーハキャリヤ139の下 方の平坦面261と略接触するようにする。ピストン158がその上方の移動位 置にあるとき、ウェーハキャリヤ139の平坦な下面261の穴を通じて真空圧 が付与され、該ウェーハをその面に固着する。その後、空気シリンダ159を不 作動にし、カップインサート154をカップ支持部材155内に下降させる。カ ップインサート154を下降させる前に、各カップインサート154内のウェー ッ1がウェーッ1キャリヤ139に固着されていることを確認するため、真空試 験を行うことが望ましい。
図7a及び図7bには、−例としてのウェー71キヤリヤ139からウェーッ1 を排出する同様の工程が示しである。排出カップ120は、装填カップ124の カップインサート154と略同−の上方の特性及び寸法を有するカップインサー ト161を備えている。しかしながら、排出カップインサート161の底部材1 62は、空気シリンダ159のピストン158の頂部から僅かに離れた位置に配 置されている。この装填カップよりも間隔が僅かに広い結果、カップインサート 161はウェーハキャリヤ139の下方の僅かに下方の位置まで上方に動かされ る。
上方の位置にあるとき、ウェーハキャリヤ139の面261に対する真空が停止 し、ウェーハはウェーハキャリヤ139から分離することが可能となる。ウェー ハをキャリヤ139の面から付勢させるため、空気又は水のような確実な流体流 を提供することが望ましい。カップインサート161の設定位置によりウェーッ )はカップインサートにより捕獲される前に、符号163で示した僅かな距離だ け落下することが可能になる。この距離は、ウェーハがウェーッーキャリヤ13 9の面261から分離することを確実にする。ウェーッ)がウェー71キヤリヤ 139の面から実際に分離したことを確認するため、真空試験を行うことが出来 る。排出工程が完了したならば、空気シリンダ159を不作動にし、インサート 161は割り出しテーブル117の面155の上におけるその静止位置に復帰す る。
研磨済みのウェーハが排出カップ119乃至123の上に置かれ、研磨前のつ工 −ハがウェーハキャリヤ139乃至143内に装填された後、ウェーッー研磨組 立体132はレール137に沿って回転研磨テーブル134の上方の位置まで動 かす。図8には、側部レール137に沿った動きが側面図で示しである。図8に は、左側、即ち割り出し位置にある搬送フレーム144′が破線で示しである一 方、右側、即ち研磨位置にある搬送フレーム144が第二の実線で示しである。
この実施例では、かかる搬送フレームが一つしか示していないが、両方の線は、 研磨組立体132の線形の動作範囲を示すために示したものであることを理解す べきである。研磨位置にあるとき、搬送フレーム144によって保持された4つ の楔166が主板136に取り付けられた関係する支持部材168に形成された それぞれのスロット167に係合する。図8には、かかる楔が2つ示してあり、 その他の2つは搬送フレーム144の反対側に保持されている。楔166とスロ ット167とが係合すると、4つのソレノイド169が作動して、端部にローラ が設けられたレバーアーム171が回転して楔166と係合し、楔166とスロ ット167との間に堅固な取り付は関係を保つ。楔166及び支持部材168の 作用の結果、ウェーハキャリヤ139乃至143の圧力によりテーブル134に 対して付与される上向きの力は、軸受145ではなく、支持部材168によって 支承される。研磨組立体132は、コンピュータ103からの命令に応答して交 流サーボモータ165により駆動される搬送ボールスクリュー163の回転に応 答して、レール137に沿って動かされる。
ウェーハの研磨は、研磨組立体132のウェーハキャリヤ139乃至143の動 作と研磨及び/又は化学的スラリーの存在下で機能する研磨テーブル134の動 作との複合作用により行われる。図16には、研磨テーブル134を通る断面線 16−16に沿った処理モジュール102の断面図が示しである。研磨テーブル 134は、軸受部材281により主構造体板136の上方で中央シャフト282 の上に回転可能に支持されている。シャフト282は、板136を通って伸長し 、又、駆動ベルト283及びプーリー284によって研磨テーブルモータ280 の出力プーリー285に接続されている。モータ280は、当該技術分野で周知 の型式のインターフェース442の命令に応答して作動し、研磨テーブル134 の回転速度を正確に調節する。又、図16には、コンピュータ103の制御の下 で作動して、スラリーをスラリーポンプ223(図15)からテーブル134上 に分配する一対のスラリーノズル221が示しである。
テーブル134は、上面286を支持し且つ少な(とも一つの冷却流体チャンバ 293を形成する支持フレーム288によって支持されたディスク状の上面28 6を備えている。シャフト282は、その中心軸線に沿って中空の通路291を 備え、又、2つの流体通路を形成し得るようその内部に配置された管290を備 えている。一つの流体通路が管290内にあり、第二の通路は作動中、管290 と通路291の内面との間の環状スペース内にある。冷却流体は中央管290及 び接続部297を介して通路293内に送出される。通路293からの温水は管 290の周りの環状通路を通って流動し、接続部297を通じて熱交換器295 (図2)に戻される。流体ポンプ(図示せず)を備える熱交換器295は、作動 流体の循環及び冷却を続行して、研磨テーブル134を低い温度に維持する。
図9に平面図で示した研磨組立体132は、その各々が研磨組立体内に形成され た独立的な領域内にある5つの独立した研磨装置を備えている。組立体132の 構造体は、図9の平面図に示すように、中央の鋼製支持部材174により下方の 平行な鋼板十面体172から分離された上方の鋼板十面体170と、5つの領域 を形成する鋼板175とを備えている。支持部材174は、上方板170及び下 方板172に溶接されて、また、領域を形成する板175の各々は、一本の支持 部材174に及び上方板170並びに下方板172に溶接されている。輸動する 研磨アーム180は、研磨組立体132の各領域内に枢動可能に取り付けられて 、点176を通つる垂直軸線の周りを水平方向に揺動する。コンピュータ103 からの制御信号に応答して、揺動する研磨アーム180は、例えばウェーハキャ リヤ139のような一つのウェーハキャリヤの位置、回転する研磨テーブル13 4に対するその圧力及びウェーハキャリヤ139の回転速度を調節する。
一つの揺動型研磨アーム180の詳細が図10に示しである。研磨アーム180 は、上方の水平支持部材182が溶接された垂直の枢動柱181と、下方の水平 支持■ビーム183とを備えている。部材182及びIビーム183の自由端は 端部材184により接続されている。枢動柱181の上端は、上方板170の穴 を通って伸長する回転速度の減速装置186の回転面にボルト止めされている。
本実施例において、速度減速装置186は、ドージェン(Dojen)速度減速 装置シリーズ■、モデルNo、 04である。速度減速装置186の静止部分は 板170の上面にボルト止めされている。枢動柱181の下端はハウジング13 2の下方板172に取り付けられた軸受187及び軸受支持ピン188により支 持されている。交流サーボモータ190が速度減速装置186に接続され且つ該 速度減速装置を駆動する。サーボモータ190を時計方向又は反時計方向に回転 するように選択的に励起させることにより、枢動柱181により画成された垂直 軸線の周りを揺動する研磨アーム180は容易に制御可能となる。
研磨アーム180は、例えば、ウェーハキャリヤ139のような一つのウェーハ の機能を制御する装置を支持している。ウェーハキャリヤに加わる持ち上げ、下 降及び下向きの力は研磨アームの上方部材182の上面に取り付けられた複動空 気シリンダ192により制御される。例えば、SMCシリーズNCA 1とする ことの出来る空気シリンダ192は上方板170に形成された円弧状スロット1 95を通って伸長し、このため、アーム180の自由な揺動が妨害されることは ない。
空気シリンダ192の出力シャフト194はカップ状部材197に接続された円 形フランジ196に取り付けられている。カップ状部材197は、該カップ状部 材の円形穴199を通じて軸受カラー198を受け取る。フランジ196及びカ ップ状部材197の組み合わせ体は、軸受カラー198のフランジ付き頂部分よ りも寸法の大きい円筒形チャンバを形成し、このため、軸受カラー198の下方 から空気シリンダ192に横方向力が伝達されることはない。軸受カラー198 の底面は、センセチル(Sensetel)モデル410−ドセルのような力セ ンサ202の上面に取り付けられ、その底面は中空円筒形の力伝達部材204に 取り付けられる。力伝達部材204は、スラスト軸受208によりその下面が中 空のキャリヤ駆動シャフト206の外周に接続されている。中空の力伝達部材2 04の内部には、流体継手210があり、この継手は、力伝達部材204の穴2 09を介してキャリヤ駆動シャフト206の中空の中心部に流体接続部211を 通じて流体及び真空を連通させる。
キャリヤの駆動シャフト206は、ボールスプライン及び軸受組立体212によ り■ビーム183に支持されており、該組立体はシャフト206を横方向に動か ないように保持しているが、シャフトの回転のみならずその上方及び下方への動 きを許容する。組立体212は、トーリングトン(Torrington) 9 120にのような軸受216により所定位置に保持されたTHK LBST50 のようなボールスプラインカラー214を備えている。駆動シャフト206の下 端は、組立体132の板172の底部の円弧状スロット219を貫通して伸長す る円形のフランジ218に取り付けられている。円弧状スロット219は、円弧 状スロット195と略同−であり、シャフト206及びキャリヤ139の揺動を 許容するために設けられている。ボールスプライン214の頂部は、速度減速装 置222の出力シャフト227に取り付けられた歯車226により回転可能に駆 動される歯車224に接続されている。交流サーボモータ220がコンピュータ 103の制御の下、速度減速装置222、従ってシャフト206に回転力を付与 する。
図13は、シャフト206からの下向きの力及び回転力をウェーハキャリヤによ り保持されたウェーハまで均一に分配する構造としだウェーハキャリヤ139の 断面図である。ウェーハキャリヤ139は、フランジ218の下面119にボル ト止めした円形横断面の上方力伝達部材251を備えている。また、上方部材2 51は、図14に斜視図で示した下方力伝達部材253の円筒形の上方開口部に 受け入れられる。上方部材251の外径は、下方部材253の受け入れ円筒体の 内径よりも小さく、駆動シャフト206の軸線とウェーハキャリヤ139の回転 軸線との整合状態が変化することを許容する。上方部材251と下方部材253 との継手部分は、整合状態が変化したとき、キャリヤ139の平坦面261の全 体の圧力を均一に保つ軸受付きの遊動環を備えている。
下向きの圧力の力は、下方レース255により支持され且つリテーナ257によ り保持された複数のポール軸受258を含むボール軸受組立体により伝達される 。図13に示すように、下方レース255はその中央の垂直軸線の周りで下方力 部材253に取り付けられ、又、該下方レース255はボール軸受258を整合 させる溝260を備えている。圧力は、上方力伝達部材251の下面の垂直軸線 の周りに対称に取り付けられた上方レース256によりポール軸受258に加え られる。上方レース256の軸受接触面は、図示するような断面形状であり、下 方部材253の中央垂直軸線上の所定の点まで略等しい距離の半径Rを有する。
本実施例において、この所定の点は、ウェーハキャリヤ139の面を画成する面 261にあり、符号262で示しである。この形態は、加えられた圧力を面26 1の中心に集中させて、力を均一に分配する。レース255.256の形態は、 力の集中点を図示した位置から上方又は下方に移動させるように選択可能である が、力は垂直軸線に集中させることが最も望ましい。
上方部材251の円筒形が外周の周りで90°の間隔で取り付けられた4つのカ ム従動子263により、回転力は上方部材251から下方部材253に伝達され る。カム従動子263の外側リングは、下方部材253の直立の円筒形部分の周 りで90°の角度に離間されたスロット265(図14)内に配置されている。
自由度が得られるようにカム従動子263の外側リングの直径よりも僅かに幅を 広くしたスロットは、予想可能な所望の動作範囲を許容し得るように垂直方向に 十分な長さをしている。カム従動子263がスロット265の側面(軸受面)に 当接したときに、回転力は下方部材253に伝達される。上方部材251は、該 上方部材251を挿入した後、下方部材253に締結されたカラー267により 、下方部材253内に保持されている。ポール軸受258の圧力を保ち且つ部材 251.253間の自由度を許容するため、カラー267は、該カラー267か ら上方部材251に可撓性の下向けの圧力を保つ複数のばね269を備えている 。
下方部材253は、2つの部分に分けて製造され、このため、流体及び真空を面 261に連通させることが出来る。下方部材253の上方部分271は、中心穴 272に連通ずるようにフライス加工した複数の通路273を備えている。下方 部材253の面を画成する下方部分274は、面261とフライス加工した通路 273との間で流体及び真空を連通させ得るように穿孔した複数の穴275を備 えている。上方部材251とフランジ218との間には、キャビティ274が形 成されており、該キャビティは、その下面が可撓性ガスケット276により密封 されている。駆動部材206の中空中央部で連通された流体又は真空は、キャビ ティ274を介して、通路277、穴272、フライス加工した通路273及び 面部材274の穴275により、面261の穴に伝達される。また、ウェーハキ ャリヤ139は、面261の外側張出し部270を形成し得るように面部材27 4上に配置された、デルリンのようなプラスチック材料から成る中空の円筒形リ ング268を備えている。取り付けられたウェーハが面261の上で摺動しない ように保持するために張出し部270を使用し、又、この張出し部270の好適 な高さは、ウェーハの厚さ及びその他の工程因子に依存して異なる。図14に示 すように、下方部材253の外側フランジ262は、リング268の円筒形内面 のねじ264′に係合する、その外面に設けられるねじ264を備えている。
リング268をフランジ262の上にねじ込むことにより、リングを回転させる ことで張出し部270の高さの微調整が可能となる。張出し部270の所望の高 さが得られたならば、該張出し部には、下方部材253にボルト止めした保持リ ング266を摩擦可能に係合させる。保持リング266の周りには、罫書きマー ク259を配置し、張出し部270の高さを調節する間、このマークをリング2 68の基準線254と比較することが出来る。
研磨組立体132が研磨テーブル134にあるとき、例えば、研磨後のウェーハ を割り出しテーブル117の排出カップ119乃至123から出力ウェーハカセ ット108に移動させるウェーハの排出工程を行うことが出来る。このウェーハ の排出工程は、排出カップ120が排出位置131となる位置に割り出しテーブ ル117を配置することで開始される。排出位置にあるウェーハカップ117を 空気シリンダ160により持ち上げ、排出グリッパ116の縁部が排出カップ1 20内のウェーハ235を把持し、該カップを垂直方向に回転させ、該カップを ウェーハ洗浄装置230内に配置したときに、排出工程が開始する。ウェーハ洗 浄装置230は、図11の側面図及び図12の平面図に詳細に示しである。排出 ウェーハ235は、その各々がポール軸受を介して取り付けたキャップ233を 有する4つのスピンドル232の上にグリッパ116により配置される。これら のスピンドル232及びキャップ233は、排出ウェーハ235の外周を4つの 全てのキャップの棚状突起236上に支持し得るように配置される。次に、6つ の回転ブラシ238を有する洗浄組立体237をガイドシャフト240に沿って ウェーハ235に向は任意の方向に駆動して、ウェーハの上方及び下方の位置に 配置する。かかる位置決めのとき、洗浄組立体237の底部のブラシ保持部分2 41は空気シリンダ239により上方に動かされて、上方及び下方組みのブラシ 238の間でウェーハ235に係合する。次に、ブラシは、洗浄組立体237の 上方部材244の複数のノズル243及びウェーハ235の下方に取り付けられ た複数のノズル245により、脱イオン水が供給される間に、ステッパーモータ 247.246及びベルト(図示せず)により回転される。ブラシ238を非対 称に配置する結果、ウェーハ235は水中で回転し、それによりその面を洗浄す る。洗浄が終了する所定の時間の経過後、洗浄組立体237をその最左側の位置 に戻し、ウェーハ235は、エレベータ/アーム装置249により水洗浄組立体 230の上方の位置に持ち上げる。次に、エレベータ/アーム組立体249をガ イド部材248に沿って水スライド25o(図1)まで動がし、ここで、つ工− ハ235を排出ウェーハカセット108内への水流により摺動される。ウェーハ カセット108は、操作者が排出するまで水中に没していることが望ましい。
本明細書に記載した方法及び装置は、製造工程を制御し且つ検出するインテル( IN置)−486主プロセツサ、記憶装置及び適当な入力/出力インターフェー スを備えるコンピュータ103によって制御される。VMEバスシステムとする ことの出来るコンピュータ組立体、及びその製造工程へのインターフェースは、 当該技術分野で周知であるから、本明細書では詳細に説明しない。また、上述の サーボ及びステッパモータの各々は、関係する位置及び/又は速度センサを備え ており、モータ回転及び位置を閉ループにてフィードバック制御するときに、コ ンピュータ103がこのセンサを使用する。かかる位置及び速度センサも又当該 技術分野で周知である。更に、コンピュータ103は、ウェーハの全製造工種を 制御することの出来る工程管理マスターコンピュータ(図示せず)に連通可能で あるが、かかるマスターコンピュータ又は連通は、本発明の方法及び装置には不 要であり、このため、本明細書ではこれらについては記述していない。
図15は、コンピュータ103により行われる制御を示す本発明の装置の電気ブ ロック図である。殆んどの制御は、コンピュータ103から作動装置に母線45 0.450′を通じて命令を送り、及びコンピュータにより母線451.451 ′を介してセンサを点検して、命令された行為が正確に実行され、所望の結果を 得ることを保証することによって、閉フィードバックループにて行われる。図1 5において、例えば、空気シリンダ192のような各種の作動装置と、例えばセ ンサ202.407のような−又は複数のセンサとの間が破線で示しである。
これらの破線は、フィードバックループの構成部品である構成要素を関係付ける 。
例えば、−又は複数の空気シリンダ192を制御して、命令で指定された圧力を 加えるアナログ空気圧力制御装置401のインターフェースにコンピュータ10 3から命令を伝達することによってウェーハと研磨テーブル134との間に圧力 が維持される。例えば、キャリヤ139のような各キャリヤにより研磨テーブル に付与された実際の圧力は、次にインターフェース408を介して圧力センサ2 02から読み取り、コンピュータ103により空気圧力制御装置401調節命令 が送られて、圧力を所望のレベルに保つ。
図17乃至図22は、コンピュータ103により制御されるシステム100によ って実行するウェーハの研磨工程のフロー図である。ウェーハの研磨工程【よ、 フロー線図に示し且つ以下に詳細に説明する6つの基本的なルーチンを含む。こ れらの6つの基本的なルーチンは、開始、入力、出力、装填、排出及び研磨であ る。開始ルーチン(図17)は、新たな工程因子を入力するときに「電源オン」 にして行われる。入力ルーチンは、研磨前のウェーハを入力カセット106から 割り出しテーブル117に装填するときに使用される。この入力ルーチンは、入 力ウェーハが利用可能であるとき、割り出しテーブル117の装填カップ124 乃至128が利用可能であるとき、及び研磨組立体132が割り出しテーブルを 使用しないときに行うことが出来る。排出ルーチンは、研磨後のウェーハが排出 カップ119乃至123内で利用可能であるとき、排出カセット108が利用可 能であるとき、及び研磨組立体132が割り出しテーブル117を使用していな いときに行われる。装填ルーチン(図19)は、装填カップ124乃至128が 満杯であり、ウェーハキャリヤ139乃至143が空であるときに行われる。こ の装填ルーチンの直後に、図20の研磨ルーチンが行われる。図21の排出ルー チンがキャリヤ139乃至143が研磨後のウェーハを保持し、排出カップ11 9乃至123が空であるときに行われる。上記の説明から明らかであるように、 同時に−又は複数のルーチンを行うことが可能である。例えば、研磨ルーチン中 、研磨組立体132が割り出しテーブル117を必要としないとき、テーブル1 17の割り出しを調和させるならば、入力ルーチン及び出力ルーチンの双方を行 うことが可能である。
この工程は、操作者が装置を作動させ、ウェーハを有する少なくとも一つの入力 カセット106及び少なくとも一つ空の出力カセット108を入力/出力モジュ ール101内に挿入したときに開始ルーチン(図17)により開始される。コン ピュータ103は、周知の型式の内部初期化ルーチンを行い、又、段階303に てシステムを初期化することにより段階301にて「電源オン」に応答する。か かるシステムの初期化は、全てのセンサを読み取り、装置が作動可能であるか否 かを判断することを含む。次に、段階304が実行されて、操作者により工程因 子が入力される。
して機能し、工程因子の入力を可能にする。また、コンピュータのキーボードの ようなその他の入力装置を使用することも出来る。操作者が入力した工程因子は ウェーハキャリヤ139乃至143の各々に対する特定の研磨条件を特定する。
例えば、操作者は、ウェーハキャリヤ139乃至143の各々に、研磨テーブル 134に加えるべき圧力、ウェーハキャリヤの回転速度、研磨アーム180が付 与する揺動距離、及びかかる圧力を研磨テーブル上で維持する時間を入力するこ とが出来る。又、操作者は、段階304にて、研磨テーブル134の回転速度及 びテーブルに送出すべきスラリーの量を指定する。一つの研磨アーム180に指 定された因子は、その他のアームに指定される因子と異なるが、以下の実施例に おいて、5つのウェーハキャリヤ139乃至143は、全てが同一の工程因子に 従って機能するものと仮定する。コンピュータ103は、該コンピュータ内の異 なる記憶位置に各研磨アーム180の工程因子を記憶させる。コンピュータ10 3は、入力された工程因子を利用して、その工程の物理的因子を測定するセンサ からの実際に検出される値の範囲を設定する。
工程因子を設定し且つ記憶させたならば、段階305を実行し、5つのキャリヤ 139乃至143を全て持ち上げ、元の位置に揺動させ、研磨位置に動かす。
段階305は、空気圧力制御装置401を介して命令を伝達し、5つの空気シリ ンダ192の全てを制御し、その接続されたウェーハキャリヤ139乃至143 を持ち上げることにより行われる。この持ち上げの完了は、インターフェース4 08を介して5つのホール効果限界検出器407により点検する。元の位置への 揺動は、揺動装置のサーボインターフェース403に送られる揺動命令により行 われ、このインターフェースは、サーボモータ190に電力を付与して、キャリ ヤをその元の位置に回転させる。次に、インターフェース410を介してモータ 190のサーボ位置センサ409(各サーボモータ190に関係付けられたセン サ)を読み取ることにより点検する。次に、段階306を実行し、インターフェ ース442を介して研磨テーブルモータ280に命令を送り、工程因子にて設定 された回転速度を達成する。コンピュータ103は、インター7百−ス441を 介してモータ280の速度センサ440の出力を読み取り、研磨テーブル134 の実際の回転速度を調節する。最後に、研磨組立体132の位置をサーボモータ 165に関係付けられた位置センサ415から読み取り、研磨組立体が研磨位置 に無いときは、インターフェース417を介してサーボモータ165に命令を送 り、研磨組立体を所定位置に動かす。
装置100を既知の位置に配置した後、入力カセット108が入力/出力装置1 01内に装填させているかどうかを確認するため段階307を実行する。かかる 点検は、入力/出力装置101の光電気セルセンサ119をコンピュータ103 により読み取る段階を含めることが出来る。カセットが存在しない場合、警報又 はその他の通告を付与して、操作者による動作を励起させることが出来る。これ と選択的に、かかるカセットが存在する場合、工程は段階309にて入力ルーチ ン(図18)を入力し、このルーチンを実行して割り出しテーブル117を入力 /出力位置に配置し、この位置にて、装填カップ124は、入力グリッパ115 に隣接する入力位置129にある。段階309は割り出しサーボモータ131の 位置センサ421を読み取り、割り出しテーブル117の位置を特定する段階と 、例えば排出カップ119のような排出カップが入力位置129にある場合、サ ーボモータ131を36°だけ割り出すようにインターフェース423を介して 命令する段階とを含む。これと選択的に、既に装填カップ124が入力位置12 9内にあるとき、何らの割り出し動作も行われない。入力位置が設定されたなら ば、段階311にてロボット111に入力して、ウェーハを入力カセット106 から整合装置113に排出する命令が送られる。次に、整合装置113によりつ 工−ハの適正な整合状態をコンピュータ103により読み取って、ウェーハの動 作及び整合動作が良好に完了したか否かを判断することが出来る。
適正に整合したならば、段階313を実行し、入力位置129にある装填カップ 124を持ち上げ、段階315にて、整合したウェーハを装填カップ内に配置す るように入力グリッパ115に命令する。次に、段階317にて装填カップ12 4を下降させ、段階318にて、サーボモータ131に72°だけ割り出すよう に命令する。割り出し動作後、点検319を実行して、割り出しテーブル117 の上にあるウェーハの数が5つであることをコンピュータ103が表示するかど うかを確認する。その配置された数が5つ以下である場合、段階311にて再度 、ウェーハの入力ルーチンが開始する。
5つの装填カップ124乃至128が研磨するウェーッ\を収容しているとき、 段階321にてウェーハの装填ルーチン(図19)が開始し、その後、キャリヤ 139乃至143が上昇した元の位置となる。次に、段階323にて、研磨組立 体132の移動機能が開始し、この段階は、制御装置425をクランプして、楔 166を支持部材168からロック解除するコンピュータ103からの命令を含 み、その実行は、センサ426を読み取ることにより点検される。また、研磨組 立体の移動機能は、研磨組立体132を割り出しテーブルの位置まで動かすサー ボモータ165に対する命令を含み、この動作は、サーボモータ165の位置セ ンサ415を読み取ることにより点検する。
キャリヤ139乃至143が割り出しテーブル117の上に配置された後、これ らのキャリヤは、段階325にて、ノズル147から水が噴霧される間に、ブラ シ146に対して下降され且つ回転することにより洗浄が行われる。水の噴霧の 制御は、インターフェース429を介して命令を受け取る水弁制御装置428に より図15に示しである。段階327にて、キャリヤ139乃至143は、空気 シリンダ192に対する命令により持ち上げられ且つ5つのサーボモータ202 に対する命令によりその最大の外方位置まで揺動される。キャリヤ139乃至1 43が適正に持ち上げられ且つ揺動しているかどうかは、センサ407.409 を読み取ることにより点検する。
装填カップ124乃至128の位置は、段階328にて点検し、装填カップ12 4が入力位置129にあることを確認し、装填カップがこの位置にあるならば、 テーブルを36°だけ割り出す。装填カップ124乃至128が適正に配置され たならば、段階329にて、コンピュータ103からインターフェース430を 介して空気シリンダ制御装置431に命令を送ることにより、持ち上げられる。
複シリンダが適正に作動しているか否かを確認する。カップは持ち上げられたと きキャリヤと自然整合し、コンピュータ103は、真空制御インターフェース4 34に命令して、5つの流体弁435を制御して、真空弁438から流体結合人 力211(図10)へのホースを介してキャリヤ139乃至143の面261に 真空を付与する。付与された真空により、ウェーハはキャリヤ139乃至143 に固着され、段階333にて、装填カップは割り出しテーブル117まで下降さ れる。真空センサ436により真空レベルの点検を行い、工程を継続する前に、 各キャリヤ139乃至143に一つのウェーハが存在することを確認することが 望ましい。インターフェース437を介してコンピュータ103によりセンサ4 36の状態が読み取られる。次に、段階335にて、ウェー/\キャリヤ139 乃至143は元の位置まで揺動され、段階337にて、サーボモータ165は、 研磨組立体132を研磨位置まで動かす命令を受ける。
研磨位置に達したならば、制御装置425をクランプする命令を受けて研磨組立 体は所定位置にロックされ、段階341にて研磨ルーチン(図20)が開始する 。この研磨と同時に、装置100は入力ルーチンを実行し、研磨のために新たな ウェーハを準備し且つ/又は以下に説明する出力ルーチンを自由に実行して、研 磨済みのウェーハを割り出しテーブル117から排出する。
段階341にて、インターフェース441を介して速度センサ440を読み取る ことにより、研磨テーブルの回転速度を点検し、インターフェース442を介し て研磨テーブルモータ280に命令することでその回転速度が調節される。この 時点で、インターフェース405を介してサーボモータ220に命令が送られ( 段階343Lその入力因子内にて操作者が指定した速度でその回転を開始する。
又、キャリヤ139乃至143が下降され、所定の圧力にて回転する研磨テーブ ル134に押し付けられ、キャリヤ139乃至143の揺動距離及び速度が維持 される。研磨中、圧力センサ202、位置センサ409、及び回転センサ412 は、コンピュータ103により頻繁に読み取り、適正な調節命令を伝達して、全 ての動作及び力を入力因子内で操作者が指定したレベルに対して設定された範囲 内で慎重に維持することが望ましい。又、研磨テーブル134に送出されたスラ リーの量をスラリーインターフェースに伝達し、熱交換器295と連通ずるコン ピュータ103により研磨テーブルの温度を制御して、機密な研磨状態を維持す る。
研磨が開始し、ウェーハキャリヤ139乃至143が持ち上げられ(段階351 )だときに、タイミング段階349が開始し、その動作は、操作者が指定した時 間因子が達成されたときに、停止する。このとき、段階353で判断したように 、排出カップが利用可能であれば、工程フローは、段階355にて排出ルーチン (図21)に進む。
段階355にて、研磨組立体132は割り出しテーブルの位置まで動かされ、段 階357にてキャリヤが下降されて洗浄が行われ、又段階359にて持ち上げら れ且つその最大の外方位置まで揺動される。段階361にて、割り出しテーブル 117の位置がコンピュータ103により検出され、必要であれば、排出カップ 120が入力位置129となるようにテーブルを回転させる。排出カップが適正 な位置にあるとき、段階363にて、これらのカップは持ち上げられ、キャリヤ 139乃至143と整合され、また、真空制御装置434は、ウェーハがそのそ れぞれの排出カップ内に落下するのを許容し得るように、面261にて真空を停 止させるように命令を受ける。実際には、水のような圧力流体を真空装置に供給 し、ウェーハをそのそれぞれの面261がら付勢させることが必要であることが 分かる。装置へのかかる流体の導入は、図15において真空源434及び加圧水 供給源439に接続した状態で示した流体弁435をコンピュータ103で制御 して行われる。
ウェーハが排出カップ119乃至123内に落下したとき、段階367にて、こ れらのウェーハは割り出しテーブル117面まで下降する。次に、キャリヤ13 9乃至143が元の位置まで揺動しく段階369L下降し且つ洗浄され(段階3 71L水洗いが行われる(段階373)。次に、装填カップ124乃至128内 に研磨前のウェーハが存在するか否かを確認するため、段階375が実行される 。装填カップ内にウェーハが存在するとき、段階327にて開始する装填ルーチ ン(図19)が実行される。
研磨組立体132が研磨テーブルに復帰すると、研磨中のウェーハ及び研磨済み のウェーハが排出カップ119乃至123内に存在するか否がを問わず、段階3 81にてウェーハの出力ルーチン(図22)が開始される。段階381にて、割 り出しテーブルの位置が点検され且つ必要であれば、制御され、排出カップ12 0を排出カップの位置131内に配置する。次に、位置131にある排出カップ 120は、コンピュータ103がら空気シリンダの制御装置431に対する命令 に応答して、段階383にて排出空気シリンダ160により持ち上げられる。
次に、段階385にて、排出グリッパ116が排出位置131まで回転され、コ ンピュータ103の命令を受けてウェーハを把持し、上昇した排出カップから洗 浄ステーション230に戻り、ここで、段階387にて空気シリンダ制御装置4 31、水制御装置428及びステッパモータの制御装置445に対する命令の組 み合わせにより洗浄が行われる。タイマ一段階389で特定されたように洗浄が 終了すると、段階391にて、割り出しテーブル117の排出カップ119乃至 123内でより多(の研磨後のウェーハが利用可能であるか否かを確認するため の点検が行われ、その結果が是であれば、テーブルは72°割り出され、段階3 83にて入力ルーチンが継続する。排出カップ119乃至123の全てが空であ るならば、排出二種は終了する。
本発明の好適な実施例について説明したが、当業者には、請求の範囲に記載した 本発明の範囲から逸脱せずに各種の応用例及び変更が可能であることが明らかで あろう。
例えば、上記の実施例において、操作者が入力した同一の工程因子に従って一度 に5つのウェーハの装填、排出及び研磨が行われる。各研磨アームに対する工程 因子は、入力するとき、異なるものとなる場合がある。又、特定の少量のバッチ 工程又は試験目的のために、一度に研磨するウェーハの数を5以下とすることが 出来る。データの入力段階中、一部、例えば2つの研磨アームは休止しているも のと判断し、5つではな(3つのみのウェーハが割り出しテーブルに配置され、 装填、研磨及び排出が行われるようにしてもよい。
FIG、4 FIG、5 FIG、 6a FIG、6b FIG、 7a FIG、 7b 特表千7−508685 (11) FIG、 13 FIG、 +6 浄?tF(内容に変更なし) 浄書(内容に変更なし) 浄書(内容に変更なし) 浄7F(内容に変更なし) 浄書(内容に変更なし) 手続補正書 平成 6年12J]15−前

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.薄いウェーハ材料の面の研磨装置にして、研磨面と、 該研磨面に対してウェーハを研磨する複数のウェーハキャリヤを備える研磨組立 体手段と、 前記ウェーハキャリヤの数に等しい数の複数の装填手段を備え、該装填手段の各 々が研磨すべき一つのウェーハを保持する割り出し手段と、前記ウェーハキャリ ヤを前記装填手段の個々の一つひとつに隣接して位置決めする位置決め手段と、 前記装填手段により保持されたウェーハを前記ウェーハキャリヤの個々の一つひ とつと略同時に係合させる係合手段と、前記ウェーハキャリヤを前記研磨面に研 磨可能に係合するよう位置決めする位置決め手段とを備えることを特徴とする研 磨装置。
  2. 2.請求の範囲第1項に記載の装置にして、前記位置決め手段が、前記研磨組立 体手段を前記研磨面の位置から前記割り出し手段の位置まで動かす手段を備える ことを特徴とする装置。
  3. 3.請求の範囲第1項に記載の装置にして、前記位置決め手段が、前記ウェーハ キャリヤを前記装填手段の上方に位置決めする手段を備え、前記係合手段が、前 記装填手段を持ち上げて前記ウェーハキャリヤに係合させる持ち上げ手段を備え ることを特徴とする装置。
  4. 4.請求の範囲第2項に記載の装置にして、前記研磨組立体が前記研磨面に位置 決めされたとき、研磨すべきウェーハを前記複数の装填手段内に自動的に装填す る手段を備えることを特徴とする装置。
  5. 5.請求の範囲第4項に記載の装置にして、前記割り出し手段が前記装填手段を 所定の割り出し量だけその中心軸線の周りで回転させ得るように取り付けられ、 前記装填手段が、前記割り出し手段の回転と同期化して作用し、研磨すべきウェ ーハを一度に一つずつ前記装填手段内に装填する手段を備えることを特徴とする 装置。
  6. 6.請求の範囲第1項に記載の装置にして、前記割り出し手段が、前記ウェーハ キャリヤから複数の研磨後のウェーハを略同時に受け取る複数の排出手段を備え 、 研磨後のウェーハを前記排出手段から自動的に取り出す取り出し手段を備えるこ とを特徴とする装置。
  7. 7.薄いウェーハ材料の面の研磨装置にして、研磨面と、 該研磨面と研磨状態に接触する各々のウェーハを保持する複数のウェーハキャリ ヤを備える研磨組立体と、 前記ウェーハキャリヤの数に等しい数の複数の排出手段を備える割り出し手段と 、 前記研磨組立体を前記研磨面から前記割り出し手段まで動かす移動手段と、前記 ウェーハキャリヤにより保持されたウェーハを前記排出手段の個々の一つひとつ 内に略同時に配置する手段とを備えることを特徴とする研磨装置。
  8. 8.請求の範囲第7項に記載の装置にして、前記移動手段が、前記研磨組立体手 段を前記研磨面における位置から前記割り出し手段における位置まで直線状に動 かす手段を備えることを特徴とする装置。
  9. 9.請求の範囲第8項に記載の装置にして、前記研磨組立体が前記組立体に位置 決めされたとき、研磨後のウェーハを前記複数の排出手段から自動的に取り出す 取り出し手段を備えることを特徴とする装置。
  10. 10.請求の範囲第9項に記載の装置にして、前記取り出し手段が前記ウェーハ を一度に一つずつ前記排出手段から取り出すことを特徴とする装置。
  11. 11.請求の範囲第10項に記載の装置にして、前記割り出し手段が前記排出手 段を所定の割り出し量だけその中心軸線の周りで回転させ得るように取り付けら れ、前記取り出し手段が、前記割り出し手段の回転と同期化して作用し、前記ウ ェーハを一度に一つずつ取り出す手段を備えることを特徴とする装置。
  12. 12.請求の範囲第9項に記載の装置にして、ウェーハを自動的に取り出す前記 手段が、前記排出手段から取り出した後の該ウェーハを洗浄する手段を備えるこ とを特徴とする装置。
  13. 13.請求の範囲第12項に記載の装置にして、前記洗浄手段が、排出したウェ ーハを複数の回転ブラシの間で係合させる手段と、前記排出したウェーハに溶剤 、を噴霧する手段とを備えることを特徴とする装置。
  14. 14.請求の範囲第9項に記載の装置にして、前記取り出し手段が排出したウェ ーハを多数ウェーハのカセット内に配置する手段を備えることを特徴とする装置 。
  15. 15.請求の範囲第7項に記載の装置にして、前記ウェーハを取り出し手段内に 配置する前に、前記ウェーハキャリヤにより保持されたウェーハを洗浄する洗浄 手段を備えることを特徴とする装置。
  16. 16.薄いウェーハ材料の面を研磨するコンピュータ制御による装置にして、回 転する研磨面と、 該研磨面の回転速度を測定する手段と、薄いウェーハ材料をその面に固着するウ ェーハキャリヤと、該ウェーハキャリヤに固着されたウェーハを前記研磨面に押 し付ける空気シリンダ手段と、 前記ウェーハキヤリヤにより前記研磨面に加えられた圧力を測定する圧力検出手 段と、 前記ウェーハ材料が前記研磨面に押し付けられる間に前記ウェーハキャリヤを回 転させる手段と、 前記キャリヤの回転速度を測定する手段と、ウェーハキャリヤの圧力範囲、研磨 テーブルの回転速度及びウェーハキャリヤの回転速度を設定する手段と、 前記圧力検出手段、研磨面の回転速度を検出する前記手段、ウェーハキャリヤの 回転速度を検出する前記手段に応答して、前記圧力、研磨面の回転速度及びウェ ーハキャリヤの回転速度を前記設定手段により設定された範囲内に維持するコン ピュータ手段とを備えることを特徴とするコンピュータ制御による装置。
  17. 17.請求の範囲第16項に請載の装置にして、範囲を設定する前記手段が、操 作者の相互作用に応答して、ウェーハキャリヤの圧力、研磨面の回転速度及びウ ェーハキャリヤの回転速度を設定するデータ入力手段を備えることを特徴とする 装置。
  18. 18.請求の範囲第16項に記載の装置にして、前記ウェーハキャリヤを前記研 磨面の上で揺動させる手段と、 該ウェーハキャリヤの揺動距離及びその速度を測定する揺動測定手段とを備え、 前記コンピュータ手段が、該揺動測定手段に応答して、前記ウェーハキャリヤの 揺動を所定の範囲内に維持する手段を備えることを特徴とする装置。
  19. 19.薄いウェーハ材料の面を研磨する装置にして、研磨面と、 前記中心軸線に沿つて圧力の力を伝達し且つ前記中心軸線に沿つて回転力を伝達 する中心軸線を有する力伝達部材と、研磨部材であつて、前記研磨面と略平行で 平坦な下面を有し、該平坦な下面が該下面に対して直角な研磨軸線を有する研磨 部材を備えるウェーハキャリヤと、前記力伝達部材と前記ウェーハキャリヤとの 間に接続された圧力の力結合手段であつて、該力伝達部材の前記中心軸線の周り に対称に配置された第一のレース部材と、前記ウェーハキャリヤの研磨軸線の周 りに対称に配置された第二のレース部材と、前記第一のレース部材と前記第二の レース部材との間に保持されたポール軸受手段とを備え、前記第一のレース部材 、前記第二のレース部材及び前記ポール軸受手段が、協働して、前記圧力の力を 前記圧力の力結合手段を通じて前記研磨軸線の上の一点に集中させる圧力の力結 合手段と、前記中心軸線の周りに規則的な角度間隔にて前記カ伝達部材に接続さ れた複数のカム従動子手段を備える回転力伝達手段とを備え、前記ウェーハキャ リヤが、前記カム従動子手段に当接し、前記カ伝達部材からの回転力を前記ウェ ーハキヤリヤに結合する複数の軸受面と、前該力伝達部材と前記ウェーハキャリ ヤとの係合状態を弾性的に維持する手段とを備えることを特徴とする装置。
  20. 20.前記力伝達部材内に配置された流体連通路を備える請求の範囲第19項に 記載の装置にして、 前記力伝達部材の前記通路内の流体及び真空を前記ウェーハキャリヤの前記平坦 な下面に連通する手段と、 前記圧力の力結合手段を前記通路により運ばれた流体及び真空に露出しないよう に密封する可撓性手段とを備えることを特徴とする装置。
  21. 21.請求の範囲第19項に記載の装置にして、前記ウェーハキャリヤが、前記 平坦な下面に対して略直角に前記ウェーハキャリヤの円筒形面上の前記研磨軸線 と同軸状に配置された第一のねじ手段を備え、前記第一のねじ手段と螺合状態に 係合し得るようにその内面に設けられた第二のねじ手段を有する環状のウェーハ 支持手段を備えることを特徴とする装置。
  22. 22.請求の範囲第21項に記載の装置にして、前記ウェーハキヤリヤに接続さ れ、前記環状のウェーハ支持手段に摩擦可能に係合して該支持手段が前記研磨軸 線の周りで回転するのを阻止する手段を備えることを特徴とする装置。
  23. 23.薄いウェーハ材料の面を研磨する、コンピュータ制御に係る装置にして、 研磨面と、 複数のウェーハ材料と前記研摩面との間に圧力及び相対的動作を略同時に付与す る複数のウェーハキャリヤを備える研磨組立体と、前記ウェーハキャリヤの各々 に対する圧力及び相対的動作範囲を画成する工程の個々の因子を設定する手段と 、 前記工程の個々の因子に応答して、前記ウェーハキャリヤの各々を独立的に制御 し、前記工程因子に従つた圧力及び相対的動作を付与するコンピュータ手段とを 備えることを特徴とする装置。
JP6501707A 1992-06-15 1993-06-10 ウェーハの研磨装置 Expired - Lifetime JP2908025B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US898,876 1992-06-15
US07/898,876 US5329732A (en) 1992-06-15 1992-06-15 Wafer polishing method and apparatus
PCT/US1993/005541 WO1993025347A1 (en) 1992-06-15 1993-06-10 Wafer polishing method and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07508685A true JPH07508685A (ja) 1995-09-28
JP2908025B2 JP2908025B2 (ja) 1999-06-21

Family

ID=25410164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6501707A Expired - Lifetime JP2908025B2 (ja) 1992-06-15 1993-06-10 ウェーハの研磨装置

Country Status (6)

Country Link
US (3) US5329732A (ja)
JP (1) JP2908025B2 (ja)
KR (1) KR100217870B1 (ja)
DE (2) DE4345408C2 (ja)
TW (1) TW221795B (ja)
WO (1) WO1993025347A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999046084A1 (fr) * 1998-03-09 1999-09-16 Ebara Corporation Appareil de polissage
JP2001326201A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Ebara Corp ポリッシング装置

Families Citing this family (180)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5498199A (en) * 1992-06-15 1996-03-12 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
JP2598661Y2 (ja) * 1992-07-16 1999-08-16 信越半導体株式会社 回転割出式ウエーハ面取部研磨装置
JP2655975B2 (ja) * 1992-09-18 1997-09-24 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
EP0589434B1 (en) 1992-09-24 1998-04-08 Ebara Corporation Polishing apparatus
USRE38878E1 (en) 1992-09-24 2005-11-15 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5823853A (en) * 1996-07-18 1998-10-20 Speedfam Corporation Apparatus for the in-process detection of workpieces with a monochromatic light source
US5733171A (en) * 1996-07-18 1998-03-31 Speedfam Corporation Apparatus for the in-process detection of workpieces in a CMP environment
US5549502A (en) * 1992-12-04 1996-08-27 Fujikoshi Machinery Corp. Polishing apparatus
KR100241292B1 (ko) * 1993-08-05 2000-02-01 다카시마 히로시 반도체 처리 시스템 및 그 실어옮김기구를 위한 위치맞춤방법 및 장치
US5700180A (en) 1993-08-25 1997-12-23 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US5885138A (en) 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
US5679059A (en) * 1994-11-29 1997-10-21 Ebara Corporation Polishing aparatus and method
KR100390293B1 (ko) * 1993-09-21 2003-09-02 가부시끼가이샤 도시바 폴리싱장치
JP3326642B2 (ja) * 1993-11-09 2002-09-24 ソニー株式会社 基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置
US5938504A (en) 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US5653623A (en) * 1993-12-14 1997-08-05 Ebara Corporation Polishing apparatus with improved exhaust
US5733175A (en) 1994-04-25 1998-03-31 Leach; Michael A. Polishing a workpiece using equal velocity at all points overlapping a polisher
US5562524A (en) * 1994-05-04 1996-10-08 Gill, Jr.; Gerald L. Polishing apparatus
US5605487A (en) * 1994-05-13 1997-02-25 Memc Electric Materials, Inc. Semiconductor wafer polishing appartus and method
US5679060A (en) * 1994-07-14 1997-10-21 Silicon Technology Corporation Wafer grinding machine
US5727332A (en) * 1994-07-15 1998-03-17 Ontrak Systems, Inc. Contamination control in substrate processing system
US5607341A (en) 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
DE69512971T2 (de) 1994-08-09 2000-05-18 Ontrak Systems Inc., Milpitas Linear Poliergerät und Wafer Planarisierungsverfahren
US5597443A (en) * 1994-08-31 1997-01-28 Texas Instruments Incorporated Method and system for chemical mechanical polishing of semiconductor wafer
US5571044A (en) * 1994-10-11 1996-11-05 Ontrak Systems, Inc. Wafer holder for semiconductor wafer polishing machine
US5593344A (en) * 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
US5575707A (en) * 1994-10-11 1996-11-19 Ontrak Systems, Inc. Polishing pad cluster for polishing a semiconductor wafer
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
JP3483648B2 (ja) * 1995-03-24 2004-01-06 東芝機械株式会社 研磨装置
US5908530A (en) * 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US5554065A (en) * 1995-06-07 1996-09-10 Clover; Richmond B. Vertically stacked planarization machine
US6024630A (en) * 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
US5695392A (en) * 1995-08-09 1997-12-09 Speedfam Corporation Polishing device with improved handling of fluid polishing media
KR100487590B1 (ko) * 1995-08-21 2005-08-04 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
KR100440417B1 (ko) * 1995-10-23 2004-10-22 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 화학-기계적연마응용을위해패드컨디셔너와웨이퍼캐리어를통합시키는장치
US5804507A (en) * 1995-10-27 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Radially oscillating carousel processing system for chemical mechanical polishing
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US5685766A (en) * 1995-11-30 1997-11-11 Speedfam Corporation Polishing control method
JP2862073B2 (ja) * 1995-12-08 1999-02-24 日本電気株式会社 ウェハー研磨方法
JPH09174430A (ja) * 1995-12-27 1997-07-08 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハの研磨装置
DE69717510T2 (de) * 1996-01-24 2003-10-02 Lam Research Corp., Fremont Halbleiterscheiben-Polierkopf
EP0787561B1 (en) * 1996-02-05 2002-01-09 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5916012A (en) * 1996-04-26 1999-06-29 Lam Research Corporation Control of chemical-mechanical polishing rate across a substrate surface for a linear polisher
US5800248A (en) * 1996-04-26 1998-09-01 Ontrak Systems Inc. Control of chemical-mechanical polishing rate across a substrate surface
JPH09314457A (ja) * 1996-05-29 1997-12-09 Speedfam Co Ltd ドレッサ付き片面研磨装置
US5679055A (en) * 1996-05-31 1997-10-21 Memc Electronic Materials, Inc. Automated wafer lapping system
US5769691A (en) 1996-06-14 1998-06-23 Speedfam Corp Methods and apparatus for the chemical mechanical planarization of electronic devices
US5779203A (en) * 1996-06-28 1998-07-14 Edlinger; Erich Adjustable wafer cassette stand
US5899216A (en) * 1996-07-08 1999-05-04 Speedfam Corporation Apparatus for rinsing wafers in the context of a combined cleaning rinsing and drying system
TW387093B (en) * 1996-07-08 2000-04-11 Speedfam Ipec Corp Methods and apparatus for cleaning, rinsing, and drying wafers
US5950327A (en) * 1996-07-08 1999-09-14 Speedfam-Ipec Corporation Methods and apparatus for cleaning and drying wafers
US5842912A (en) * 1996-07-15 1998-12-01 Speedfam Corporation Apparatus for conditioning polishing pads utilizing brazed diamond technology
US5872633A (en) * 1996-07-26 1999-02-16 Speedfam Corporation Methods and apparatus for detecting removal of thin film layers during planarization
US5958148A (en) 1996-07-26 1999-09-28 Speedfam-Ipec Corporation Method for cleaning workpiece surfaces and monitoring probes during workpiece processing
US5741171A (en) * 1996-08-19 1998-04-21 Sagitta Engineering Solutions, Ltd. Precision polishing system
US5857893A (en) * 1996-10-02 1999-01-12 Speedfam Corporation Methods and apparatus for measuring and dispensing processing solutions to a CMP machine
US5722877A (en) * 1996-10-11 1998-03-03 Lam Research Corporation Technique for improving within-wafer non-uniformity of material removal for performing CMP
US5868896A (en) 1996-11-06 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical planarization machine and method for uniformly planarizing semiconductor wafers
US5882245A (en) * 1997-02-28 1999-03-16 Advanced Ceramics Research, Inc. Polymer carrier gears for polishing of flat objects
US5857899A (en) * 1997-04-04 1999-01-12 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing head with pad dressing element
US6244946B1 (en) 1997-04-08 2001-06-12 Lam Research Corporation Polishing head with removable subcarrier
US6425812B1 (en) 1997-04-08 2002-07-30 Lam Research Corporation Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology
US6116994A (en) * 1997-04-11 2000-09-12 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5928062A (en) * 1997-04-30 1999-07-27 International Business Machines Corporation Vertical polishing device and method
US5897425A (en) * 1997-04-30 1999-04-27 International Business Machines Corporation Vertical polishing tool and method
US6110025A (en) * 1997-05-07 2000-08-29 Obsidian, Inc. Containment ring for substrate carrier apparatus
US6111634A (en) * 1997-05-28 2000-08-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness using a multi-wavelength spectrometer during chemical-mechanical polishing
US6108091A (en) * 1997-05-28 2000-08-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness during chemical-mechanical polishing
US6146248A (en) 1997-05-28 2000-11-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ end-point detection and optimization of a chemical-mechanical polishing process using a linear polisher
US5967881A (en) * 1997-05-29 1999-10-19 Tucker; Thomas N. Chemical mechanical planarization tool having a linear polishing roller
US5938506A (en) * 1997-06-03 1999-08-17 Speedfam-Ipec Corporation Methods and apparatus for conditioning grinding stones
US6033521A (en) * 1997-06-04 2000-03-07 Speedfam-Ipec Corporation Tilt mechanism for wafer cassette
US6224465B1 (en) 1997-06-26 2001-05-01 Stuart L. Meyer Methods and apparatus for chemical mechanical planarization using a microreplicated surface
US6116990A (en) * 1997-07-25 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Adjustable low profile gimbal system for chemical mechanical polishing
US5975986A (en) * 1997-08-08 1999-11-02 Speedfam-Ipec Corporation Index table and drive mechanism for a chemical mechanical planarization machine
US6213853B1 (en) * 1997-09-10 2001-04-10 Speedfam-Ipec Corporation Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces
US5957763A (en) * 1997-09-19 1999-09-28 Speedfam Corporation Polishing apparatus with support columns supporting multiple platform members
EP0911114B1 (en) * 1997-10-20 2007-08-01 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6062961A (en) * 1997-11-05 2000-05-16 Aplex, Inc. Wafer polishing head drive
US5957764A (en) * 1997-11-05 1999-09-28 Aplex, Inc. Modular wafer polishing apparatus and method
EP0914905A3 (en) * 1997-11-05 2002-07-24 Aplex, Inc. Wafer polishing apparatus and method
US6146241A (en) * 1997-11-12 2000-11-14 Fujitsu Limited Apparatus for uniform chemical mechanical polishing by intermittent lifting and reversible rotation
JPH11179651A (ja) 1997-12-17 1999-07-06 Ebara Corp 基板保持装置及び該基板保持装置を備えたポリッシング装置
DE19756536A1 (de) * 1997-12-18 1999-07-01 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zum Polieren von scheibenförmigen Werkstücken und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US5972162A (en) * 1998-01-06 1999-10-26 Speedfam Corporation Wafer polishing with improved end point detection
JPH11204468A (ja) * 1998-01-09 1999-07-30 Speedfam Co Ltd 半導体ウエハの表面平坦化装置
KR100286980B1 (ko) * 1998-02-11 2001-04-16 윤종용 웨이퍼 연마 설비 및 웨이퍼 연마 방법
US6168683B1 (en) * 1998-02-24 2001-01-02 Speedfam-Ipec Corporation Apparatus and method for the face-up surface treatment of wafers
US6068539A (en) 1998-03-10 2000-05-30 Lam Research Corporation Wafer polishing device with movable window
DE19810553A1 (de) * 1998-03-11 1999-09-16 Dieffenbacher Gmbh Maschf Sicherheitseinrichtung für kontinuierlich arbeitende Pressen
WO1999048645A1 (en) * 1998-03-23 1999-09-30 Speedfam-Ipec Corporation Backing pad for workpiece carrier
US6132289A (en) * 1998-03-31 2000-10-17 Lam Research Corporation Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit
US6292708B1 (en) * 1998-06-11 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Distributed control system for a semiconductor wafer processing machine
US6113465A (en) * 1998-06-16 2000-09-05 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for improving die planarity and global uniformity of semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing context
JP3763975B2 (ja) 1998-07-21 2006-04-05 株式会社荏原製作所 トップリング制御装置及びポリッシング装置
US6325706B1 (en) 1998-10-29 2001-12-04 Lam Research Corporation Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection
US6186865B1 (en) 1998-10-29 2001-02-13 Lam Research Corporation Apparatus and method for performing end point detection on a linear planarization tool
US6863593B1 (en) * 1998-11-02 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing a substrate having a filler layer and a stop layer
US6464571B2 (en) * 1998-12-01 2002-10-15 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein
US7425250B2 (en) * 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
US6089961A (en) * 1998-12-07 2000-07-18 Speedfam-Ipec Corporation Wafer polishing carrier and ring extension therefor
US6269510B1 (en) 1999-01-04 2001-08-07 International Business Machines Corporation Post CMP clean brush with torque monitor
US6309279B1 (en) 1999-02-19 2001-10-30 Speedfam-Ipec Corporation Arrangements for wafer polishing
US6491570B1 (en) * 1999-02-25 2002-12-10 Applied Materials, Inc. Polishing media stabilizer
SG97860A1 (en) * 1999-03-05 2003-08-20 Ebara Corp Polishing apparatus
US6358128B1 (en) * 1999-03-05 2002-03-19 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6354922B1 (en) 1999-08-20 2002-03-12 Ebara Corporation Polishing apparatus
TW467795B (en) * 1999-03-15 2001-12-11 Mitsubishi Materials Corp Wafer transporting device, wafer polishing device and method for making wafers
US6224461B1 (en) 1999-03-29 2001-05-01 Lam Research Corporation Method and apparatus for stabilizing the process temperature during chemical mechanical polishing
DE10081456T1 (de) 1999-05-17 2001-09-27 Kashiwara Machine Mfg Vefahren und Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren
US6716086B1 (en) * 1999-06-14 2004-04-06 Applied Materials Inc. Edge contact loadcup
JP2001018161A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Ebara Corp 研磨装置
JP2001038615A (ja) 1999-07-26 2001-02-13 Ebara Corp ポリッシング装置
US6213855B1 (en) 1999-07-26 2001-04-10 Speedfam-Ipec Corporation Self-powered carrier for polishing or planarizing wafers
US6290584B1 (en) 1999-08-13 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements
US6343975B1 (en) 1999-10-05 2002-02-05 Peter Mok Chemical-mechanical polishing apparatus with circular motion pads
TW513337B (en) * 1999-12-09 2002-12-11 Applied Materials Inc Chemical mechanical planarization system
US6500266B1 (en) * 2000-01-18 2002-12-31 Applied Materials, Inc. Heater temperature uniformity qualification tool
DE10009656B4 (de) * 2000-02-24 2005-12-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
US6517424B2 (en) 2000-03-10 2003-02-11 Abrasive Technology, Inc. Protective coatings for CMP conditioning disk
JP3510177B2 (ja) 2000-03-23 2004-03-22 株式会社東京精密 ウェハ研磨装置
JP3556148B2 (ja) * 2000-03-23 2004-08-18 株式会社東京精密 ウェハ研磨装置
US6666756B1 (en) 2000-03-31 2003-12-23 Lam Research Corporation Wafer carrier head assembly
US6634930B1 (en) * 2000-08-09 2003-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd Method and apparatus for preventing metal corrosion during chemical mechanical polishing
US6561884B1 (en) 2000-08-29 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Web lift system for chemical mechanical planarization
DE10043213C1 (de) 2000-09-01 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Reinigen eines Wafers mittels Bürsten und DI-Wasser von nach dem Polieren zurückbleibender Schleifmittelsuspension
EP1193610B1 (en) 2000-09-29 2006-11-15 Ricoh Company, Ltd. Data processing apparatus and DMA data transfer method
US6923711B2 (en) 2000-10-17 2005-08-02 Speedfam-Ipec Corporation Multizone carrier with process monitoring system for chemical-mechanical planarization tool
US6805613B1 (en) 2000-10-17 2004-10-19 Speedfam-Ipec Corporation Multiprobe detection system for chemical-mechanical planarization tool
US6482072B1 (en) 2000-10-26 2002-11-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing and controlling delivery of a web of polishing material
US6905526B1 (en) 2000-11-07 2005-06-14 Planar Labs Corporation Fabrication of an ion exchange polish pad
US6623355B2 (en) 2000-11-07 2003-09-23 Micell Technologies, Inc. Methods, apparatus and slurries for chemical mechanical planarization
US6773337B1 (en) 2000-11-07 2004-08-10 Planar Labs Corporation Method and apparatus to recondition an ion exchange polish pad
US6722950B1 (en) 2000-11-07 2004-04-20 Planar Labs Corporation Method and apparatus for electrodialytic chemical mechanical polishing and deposition
US6592439B1 (en) 2000-11-10 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Platen for retaining polishing material
US6558562B2 (en) 2000-12-01 2003-05-06 Speedfam-Ipec Corporation Work piece wand and method for processing work pieces using a work piece handling wand
US6402602B1 (en) 2001-01-04 2002-06-11 Speedfam-Ipec Corporation Rotary union for semiconductor wafer applications
JP3433930B2 (ja) * 2001-02-16 2003-08-04 株式会社東京精密 ウェーハの平面加工装置及びその平面加工方法
TW472636U (en) * 2001-04-03 2002-01-11 Nanya Technology Corp Improvement for chemical mechanical polishing machine
US6503131B1 (en) 2001-08-16 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system
US6821794B2 (en) 2001-10-04 2004-11-23 Novellus Systems, Inc. Flexible snapshot in endpoint detection
KR100454120B1 (ko) * 2001-11-12 2004-10-26 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 장비의 슬러리 공급 장치 및 방법
US20030134576A1 (en) * 2002-01-17 2003-07-17 Saket Chadda Method for polishing copper on a workpiece surface
US20060255016A1 (en) * 2002-01-17 2006-11-16 Novellus Systems, Inc. Method for polishing copper on a workpiece surface
US20030182015A1 (en) * 2002-03-19 2003-09-25 Domaille Michael D. Polisher
US6875076B2 (en) 2002-06-17 2005-04-05 Accretech Usa, Inc. Polishing machine and method
KR100472959B1 (ko) * 2002-07-16 2005-03-10 삼성전자주식회사 언로딩구조가 개선된 반도체 웨이퍼의 표면평탄화설비
US7101253B2 (en) * 2002-08-27 2006-09-05 Applied Materials Inc. Load cup for chemical mechanical polishing
US6991514B1 (en) 2003-02-21 2006-01-31 Verity Instruments, Inc. Optical closed-loop control system for a CMP apparatus and method of manufacture thereof
US6892472B2 (en) * 2003-03-18 2005-05-17 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for cleaning and drying a workpiece
US7406549B2 (en) * 2003-08-01 2008-07-29 Intel Corporation Support for non-standard device containing operating system data
US7025660B2 (en) * 2003-08-15 2006-04-11 Lam Research Corporation Assembly and method for generating a hydrodynamic air bearing
US7044832B2 (en) * 2003-11-17 2006-05-16 Applied Materials Load cup for chemical mechanical polishing
US7648622B2 (en) * 2004-02-27 2010-01-19 Novellus Systems, Inc. System and method for electrochemical mechanical polishing
US20050230354A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Hardikar Vishwas V Method and composition of post-CMP wetting of thin films
US7153182B1 (en) 2004-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation System and method for in situ characterization and maintenance of polishing pad smoothness in chemical mechanical polishing
NL1027332C2 (nl) * 2004-10-25 2006-04-26 Meerpaal B V De Robotcel en werkwijze voor het opslaan van elementen in een robotcel.
JP4185062B2 (ja) * 2005-03-04 2008-11-19 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 加工用ステージ及び集束ビーム加工装置並びに集束ビーム加工方法
US20070281589A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Applied Materials, Inc. Rotational alignment mechanism for load cups
KR100790817B1 (ko) * 2006-12-06 2008-01-03 삼성전자주식회사 반도체 제조관리 시스템
US20110097977A1 (en) * 2009-08-07 2011-04-28 Abrasive Technology, Inc. Multiple-sided cmp pad conditioning disk
JP5619559B2 (ja) * 2010-10-12 2014-11-05 株式会社ディスコ 加工装置
CN102049730B (zh) * 2010-12-29 2012-02-15 清华大学 一种用于化学机械抛光设备的晶圆交换装置
US9604339B2 (en) 2012-10-29 2017-03-28 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder
US9199354B2 (en) 2012-10-29 2015-12-01 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder
US9233452B2 (en) 2012-10-29 2016-01-12 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder
US20140141696A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-22 Applied Materials, Inc. Polishing System with In-Sequence Sensor
JP2014179508A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US10520932B2 (en) 2014-07-03 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Transport system and method
US10562147B2 (en) 2016-08-31 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Polishing system with annular platen or polishing pad for substrate monitoring
KR101796728B1 (ko) * 2017-04-11 2017-11-10 주식회사 에스에스티 반도체 웨이퍼 연마장치 모니터링 시스템
US10926378B2 (en) 2017-07-08 2021-02-23 Wayne O. Duescher Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet
TW202120251A (zh) * 2019-07-17 2021-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板加工裝置、基板處理系統及基板處理方法
US11691241B1 (en) * 2019-08-05 2023-07-04 Keltech Engineering, Inc. Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier
KR102242410B1 (ko) * 2019-09-02 2021-04-19 에스케이실트론 주식회사 패들 장치 및 연마 장치
JP7362207B2 (ja) * 2019-10-03 2023-10-17 株式会社ディスコ 基板の研削方法
US11705354B2 (en) 2020-07-10 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Substrate handling systems
JP2022072570A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 株式会社荏原製作所 基板処理装置においてカセットからの基板の取り出しタイミングを決定する方法、装置、プログラム、および基板処理装置
CN112621551B (zh) * 2020-12-19 2021-10-08 华中科技大学 一种可快速定位的超精密晶圆磨削设备

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3128580A (en) * 1963-01-30 1964-04-14 Super Cut Composite lap for grinding and polishing machines
US3611654A (en) * 1969-09-30 1971-10-12 Alliance Tool & Die Corp Polishing machine or similar abrading apparatus
US3857123A (en) * 1970-10-21 1974-12-31 Monsanto Co Apparatus for waxless polishing of thin wafers
US4193226A (en) * 1977-09-21 1980-03-18 Kayex Corporation Polishing apparatus
US4141180A (en) * 1977-09-21 1979-02-27 Kayex Corporation Polishing apparatus
US4194324A (en) * 1978-01-16 1980-03-25 Siltec Corporation Semiconductor wafer polishing machine and wafer carrier therefor
JPS5542738A (en) * 1978-09-20 1980-03-26 Toshiba Corp Abrasive grain processing device
JPS58171255A (ja) 1982-03-29 1983-10-07 Toshiba Corp 両面鏡面研摩装置
JPS58223561A (ja) * 1982-06-16 1983-12-26 Disco Abrasive Sys Ltd ポリツシングマシン
JPS59227361A (ja) * 1983-06-07 1984-12-20 Supiide Fuamu Kk 平面研削装置
JPS6124446A (ja) 1984-07-13 1986-02-03 五洋紙工株式会社 ガスバリヤ−性複合材料及びその製造法
JPS61241060A (ja) * 1985-04-17 1986-10-27 Supiide Fuamu Kk 平面自動研磨装置
US4680893A (en) 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
JPS62136365A (ja) * 1985-12-04 1987-06-19 Toshiba Mach Co Ltd ポリシング装置
JPS62162464A (ja) 1986-01-07 1987-07-18 Hitachi Ltd ラツピング装置
JPS62218062A (ja) 1986-03-19 1987-09-25 Hamai Sangyo Kk ラツプ盤の加圧機構
JPS62251067A (ja) * 1986-04-21 1987-10-31 Toshiba Corp ラツピング装置
US4918870A (en) * 1986-05-16 1990-04-24 Siltec Corporation Floating subcarriers for wafer polishing apparatus
JPS63109975A (ja) * 1986-10-24 1988-05-14 Kobe Steel Ltd アルミニウム円板の鏡面仕上加工方法
DE3771857D1 (de) * 1986-12-08 1991-09-05 Sumitomo Electric Industries Flaechenschleifmaschine.
US4956944A (en) 1987-03-19 1990-09-18 Canon Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
US4811522A (en) * 1987-03-23 1989-03-14 Gill Jr Gerald L Counterbalanced polishing apparatus
JP2580169B2 (ja) 1987-05-27 1997-02-12 スピ−ドファム株式会社 加工圧制御機構付き平面研磨装置
US4887221A (en) 1987-09-25 1989-12-12 Sunnen Products Company Computer controlled honing machine using look up table data for automatic programming
DE3818159A1 (de) 1988-05-28 1989-11-30 Wolters Peter Fa Verfahren und vorrichtung zur steuerung des betriebs von hon- oder schleifmaschinen
US4873792A (en) 1988-06-01 1989-10-17 Buehler, Ltd. Polishing apparatus
US5095661A (en) * 1988-06-20 1992-03-17 Westech Systems, Inc. Apparatus for transporting wafer to and from polishing head
US4944119A (en) * 1988-06-20 1990-07-31 Westech Systems, Inc. Apparatus for transporting wafer to and from polishing head
JPH079896B2 (ja) 1988-10-06 1995-02-01 信越半導体株式会社 研磨装置
US4863395A (en) * 1989-01-17 1989-09-05 Robert Babuka Zero insertion force connector with component card
AU637087B2 (en) 1989-03-24 1993-05-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus for grinding semiconductor wafer
EP0411346A3 (en) 1989-07-31 1991-04-10 Diskus Werke Frankfurt Am Main Aktiengesellschaft Precision grinding machine for lapping, precision grinding or polishing
US5136817A (en) 1990-02-28 1992-08-11 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Automatic lapping apparatus for piezoelectric materials
JPH03270869A (ja) * 1990-03-20 1991-12-03 Seiko Electronic Components Ltd メカノケミカルポリッシング装置
US5140774A (en) 1991-10-31 1992-08-25 System Seiko Co., Ltd. Apparatus for polishing hard disk substrates

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999046084A1 (fr) * 1998-03-09 1999-09-16 Ebara Corporation Appareil de polissage
US6293855B1 (en) 1998-03-09 2001-09-25 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6929529B2 (en) 1998-03-09 2005-08-16 Ebara Corporation Polishing apparatus
US7063600B2 (en) 1998-03-09 2006-06-20 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP2001326201A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Ebara Corp ポリッシング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2908025B2 (ja) 1999-06-21
US5329732A (en) 1994-07-19
KR950702144A (ko) 1995-06-19
TW221795B (ja) 1994-03-21
DE4345407A1 (de) 1997-07-17
WO1993025347A1 (en) 1993-12-23
DE4345408A1 (de) 1997-07-17
DE4345408C2 (de) 1999-09-16
KR100217870B1 (ko) 1999-09-01
DE4345407C2 (de) 2002-01-24
USRE37622E1 (en) 2002-04-02
US5498196A (en) 1996-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07508685A (ja) ウェーハの研磨装置
US5498199A (en) Wafer polishing method and apparatus
US6878044B2 (en) Polishing apparatus
US6283827B1 (en) Non-contacting support for a wafer
JP4334642B2 (ja) 半導体ウェーハの研摩方法および装置
US6354922B1 (en) Polishing apparatus
US5934984A (en) Polishing apparatus
US6168683B1 (en) Apparatus and method for the face-up surface treatment of wafers
EP0850726A1 (en) Method and apparatus automatically changing a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
US6481951B1 (en) Multiple sided robot blade for semiconductor processing equipment
EP1738871B1 (en) Polishing apparatus
JP2005523579A (ja) 工作物を化学的機械研磨するための方法および装置
JPS61241060A (ja) 平面自動研磨装置
US6679755B1 (en) Chemical mechanical planarization system
JPH01140960A (ja) 平面研磨装置
JP2002321152A (ja) 研磨装置システム
JP2021045823A (ja) バイト切削装置、及び、チャックテーブルの清掃方法
JP2000077367A (ja) 複葉ウエハ用仮置台およびウエハのチャック方法