JPH07236827A - 原料ガス供給方法及び装置 - Google Patents

原料ガス供給方法及び装置

Info

Publication number
JPH07236827A
JPH07236827A JP6052547A JP5254794A JPH07236827A JP H07236827 A JPH07236827 A JP H07236827A JP 6052547 A JP6052547 A JP 6052547A JP 5254794 A JP5254794 A JP 5254794A JP H07236827 A JPH07236827 A JP H07236827A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
material gas
gas
users
evaporation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6052547A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2959947B2 (ja
Inventor
Kiyoshi Yokogawa
清 横川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Quartz Products Co Ltd filed Critical Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Priority to JP6052547A priority Critical patent/JP2959947B2/ja
Priority to US08/378,380 priority patent/US5540059A/en
Priority to DE69516197T priority patent/DE69516197T2/de
Priority to EP95102843A priority patent/EP0669287B1/en
Publication of JPH07236827A publication Critical patent/JPH07236827A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2959947B2 publication Critical patent/JP2959947B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413—Reactant delivery systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00—Glass deposition burners
    • C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/81—Constructional details of the feed line, e.g. heating, insulation, material, manifolds, filters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00—Glass deposition burners
    • C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00—Glass deposition burners
    • C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
    • C03B2207/88—Controlling the pressure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Pipeline Systems (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 原料ガス取出口の圧力変動を制御して少なく
とも２ヶ所以上の複数ユーザーに任意の時間に任意量の
原料ガスの供給を互いに独立して供給する方法および装
置を提供すること。 【構成】 蒸発手段と、複数の原料ガス取出口を有する
原料ガス取出部と、主調圧手段と、原料ガス凝縮手段と
で構成した環流閉ル−プ回路内を蒸発手段で蒸発気化し
た原料ガスを循環させ、前記原料ガス取出部に設けた原
料ガス取出口から少なくとも２ヶ所以上の複数ユーザー
に任意の時間に任意量の原料ガスを互いに独立して供給
する方法及び前記各手段が前記順序で環流閉ル−プ回路
を形成している装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ用石英ガラ
ス母材の製造、半導体デバイスの製造等に用いる、原料
ガス供給方法、及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ファイバ用石英ガラス母材の製
造、半導体デバイスの製造等には各種の原料ガスが利用
され、その原料ガスは精密にコントロールされて供給す
るのが必須であった。一般的には供給ガス量の精度重視
の観点から、１つの設備に１つの原料供給設備を設け、
他の装置からの外乱を完全に防ぐ方法がとられている。
勿論、蒸発器に原料を注入するには個別に注入する場合
もあり、また集合配管により外部から自動注入する場合
もある。
【０００３】しかし、同一蒸発器から発生した原料ガス
を他の複数のユーザーで利用すると、各々のユーザーが
精密流量調節計、例えばマスフローコントローラー（以
下ＭＦＣという）を有していても、ユーザー側の遮断、
開閉により他のユーザーが影響を受け、精密な反応工程
にノイズが入ることになり、製品の特性に悪影響を及ぼ
す。したがって、高精度を目的とする反応系において蒸
発器以降は、複数のユーザーに各々独立した原料供給を
行っていない。しかも、精度上の問題から各ユーザー毎
に、例えばＭＦＣがあったとしても、製造バッチ間の条
件を一定にするため操作をマニュアル化し、反応中は同
一の蒸発器で同一のヒーター条件、同一の圧力で原料を
ユーザーに送るのが通例であり、ユーザー側での原料ガ
スの大幅な調節や遮断開閉が必要な場合には、蒸発器の
熱源、例えばヒータの電力調節や停止で対応するのが通
例である。もっとも、単一の蒸発器から複数のユーザー
に原料を供給する例も知られているが、この場合、ユー
ザーは２〜３ヶ所が限度があり、しかも各ユーザーの反
応のスタートからが完結するまで反応条件はほぼ一定
で、互いに独立に調節されたり遮断されることはなかっ
た。
【０００４】上記問題点に加え、近年、ハイテク産業の
拡大にともない、ガス設備の数量、種類が増大するに至
り、各装置毎に個別に原料供給装置を保有することは、
設備費の増大、設備スペースの確保困難、設備管理の困
難等の面から大きな問題となってきた。
【０００５】ハイテク産業、特に光ファイバ製造部門や
半導体製造部門では、利用される原料、その他のガスが
塩素、臭素、弗素等の腐食性化合物であったり、塩素、
フォスフィン、アルシン等で代表される有毒ガスであっ
たり、あるいは弗酸、塩酸、硝酸等のエッチングガス等
であったりして、その取扱いに危険を伴うことが多く、
これらガスの危険管理は精度管理と同等以上に重要とな
ってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状を踏ま
え、本発明者等は原料ガスの供給精度を低下させること
なく、しかも危険な原料ガスを管理が容易で集中化可能
な装置で供給分配する手段について鋭意研究した結果、
蒸発手段から発生した原料ガスの流れを止めないで閉ル
ープ内を環流させておき、その閉ループに複数の取出口
を設けることにより各ユーザーが個別に、独立に、任意
の時間に任意の量の原料ガスを取り出すことが可能とな
り、トラブルの多い原料蒸発手段の数を削減できること
を見出し、本発明を完成したものである。すなわち
【０００７】本発明は、単一の原料蒸発手段を用いて複
数のユーザーに任意の時間に任意量の原料ガスを互いに
独立して供給する、新規な原料ガス供給方法を提供する
ことを目的とする。
【０００８】また、本発明は、単一の原料蒸発手段を備
え複数のユーザーに任意の時間に任意量の原料ガスを互
いに独立して供給する原料ガス供給装置を提供すること
を目的とする。
【０００９】さらに、本発明は、コンパクトな装置で危
険なガス等を安全で、精度よく供給できる原料ガス供給
装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、単一蒸発手段で原料ガスを蒸発気化し、それを複
数の取出口を有する原料ガス取出部に供給し、各取出口
から取り出される原料ガスの取出量に基づくガス圧の変
動を原料ガス取出部の下流に設けた主調圧手段により制
御するとともに、余剰原料ガスを原料ガス凝縮手段に送
り液化させてのち、それを蒸発手段にフィードバックさ
せる環流閉ループ回路を形成し、原料ガス取出部のガス
圧を安定化しユーザーに任意の時間に任意量の原料ガス
量を、互いに独立して分配供給する方法及びそれを実施
するための原料ガス供給装置に係る。
【００１１】本発明の原料ガス供給方法は、単一の蒸発
手段からもたらされる原料ガスを、複数のユーザーに任
意時間に任意量精密に分配供給すること、換言すれば原
料ガスの圧力変動等に基づくユーザーへの分配供給ガス
量の変動をできるだけ抑制し安定して供給する方法であ
る。前記複数のユーザーとは、基本的には原料ガス取出
部に複数の原料ガス取出口（例えばｍケ）を設けること
であるが、これにとどまるものでなくこの各々の取出
口、例えば取出口（ｍ1）の先端にｎ1〜ｎ30（３〜３０
ヶ等）の末端ユーザーを並列に設ける場合も想定してい
る。この場合、各取出口（ｍ）の先端は、ほぼ同じタイ
ムスケジュールで作動するものが推奨されるので、タイ
ムスケジュールの異なった反応系（ｎ）では取出口を異
にした別の取出口とする方が便利である。原料ガス取出
部内の一次圧力が、原料ガス使用ユーザー数の増減で変
化すると、各ユーザーへの原料ガス供給量が変動するこ
とが多分に起こるので、本発明においては第一義的に前
記主調圧手段によって一次圧力を出来るだけ一定に保つ
ようにすることである。第二義的には原料ガス取出口経
路、末端ユーザー経路に原料ガス圧力、原料ガス流量等
を制御する手段を設けることである。例えば各取出口の
先端にはユーザー（ｎ）毎に（１８）を独立に、または
共通にまとめられたガス流量コントローラー（１５）を
設置する。
【００１２】上記原料ガス供給方法を実施する本発明の
原料ガス供給装置は、蒸発手段（２）と、複数の原料ガ
ス取出口（９）を有する原料ガス取出部（３）と、主調
圧手段（４）と、原料ガス凝縮手段（５）とを備え、前
記各手段が前記順序で環流閉ル−プ回路を形成する装置
である。前記蒸発手段（２）には、液体原料（８）を収
容する原料タンク（１）と、液体原料（８）を気化する
ための加熱源（１２）が備えられている。原料タンクの
大きさは、全ユーザーが原料ガスを同時に利用し、各々
が最大能力で運転しても十分供給可能な大きさに設計さ
れたものが必要である。しかしながら、ユーザーが互い
に独立で交互に利用する場合は長期にわたるので、これ
に対して十分対応できる容積を確保することは、無意味
である。こうした場合、外部から液体原料（８）を追加
注入可能な構造とし、その分だけ小容量が可能であり、
各種の供給方法も知られている。
【００１３】上記加熱源（１２）は一般的に制御性のよ
い電気エネルギーが利用されるが、液体原料（８）の必
要蒸気圧が確保されるだけの発熱容量と伝熱面積があ
り、更に原料ガスの利用度に応じてベースヒーターや幾
通りかの調節ヒーターに分けることが推奨される。蒸発
手段（２）は適当な保温材により、タンク内の温度が効
率よく保たれるように設計する。
【００１４】主調圧手段（４）は、蒸発手段（２）及び
ガスライン（１１）を含む原料ガス取出部（３）の一次
圧力と設定圧力とを比較し、圧力の変動に応じて過剰の
蒸気量を調節し、過剰分を原料ガス凝縮器（５）側へ放
出し、一次圧力を規定の変動内にコントロールする手段
であり、過剰の蒸気放出が長時間続く場合はヒーター
（１２）にその情報をフィードバックし、全体の蒸発量
を下げる。また、ユーザーがどこも作動していない時や
ユーザー側に異常が生じた場合は、プログラムに従って
ほぼ全閉にし、原料ガスの外部流出やライン内への空気
の漏れや逆流を防ぐため、閉ループ回路内を遮断するこ
とになる。
【００１５】原料ガス凝縮手段（５）は全てのユーザー
が停止しても全原料ガスが確実に凝縮液化できる冷却伝
熱面積を有し、水冷、または他の冷媒ライン（２１）で
熱交換を行う。原料ガス凝縮手段（５）から出た液体原
料は、レシーバータンク（６）に受け、これを直接蒸発
手段（２）にもどして再蒸発するが、レシーバータンク
（６）から原料貯蔵タンク（１）に一時的に戻すことも
可能である。また、全環流量が推定できるよう、主調圧
手段以降に検量器を置くのがよい。
【００１６】レシーバータンク（６）に受けた液体原料
は蒸発精製されているので、直接蒸発手段（２）にもど
した方が蒸発残渣の低減上好ましい。しかし、蒸発手段
（２）内の圧力（Ｐ1）とレシーバータンク（６）内の
圧力（Ｐ2）がＰ1＞Ｐ2となるため、逆流防止手段が必
要である。これには逆流防止器（２０）、または液体輸
送ポンプ（７）が利用され、さらに液体自体の高低落差
を利用する方法等も可能である。上記閉ループ回路内で
は主調圧手段（４）までは保温する。また、蒸発手段
（２）にもどる前に加熱する場合もあり、ここは保温す
るのがよい。蒸発手段（２）には突沸防止機構や、蒸発
時のミスト防止のためのミストセパレーター（１９）、
圧力変動緩和のための緩衝機構も設置可能であが、いず
れの場合でも高純度で腐食性のある原料を使用する場合
は、シンプルな形が望ましい。
【００１７】上記閉ループ回路において、主調圧手段
（４）の上流にユーザーへ原料ガスを分配するための原
料ガス取出口（９）を設ける。原料ガス取出口（９）は
蒸発手段に並列に取りつけるか、圧力損失を考慮して太
い取出用枝管を出すか、中径の枝管を複数個設けて原料
ガス取出口（９）とする。いずれにしても、互いに他の
ユーザーの影響を受けないように取出口付近の構造に留
意する。
【００１８】原料ガス取出口（９）を通り、ユーザーに
原料ガスを分配するには、例えばｍ ヶの原料ガス取出口
を設け、各々の原料ガス取出口に対し、更に例えばｎ1
〜ｎ30（３〜３０ヶ等）の末端ユーザーを並列に設ける
ことが可能である。各原料ガス取出口（ｍ）の先端は、
ほぼ同じタイムスケジュールで作動するものが推奨され
るので、タイムスケジュールの異なった反応系（ｎ）で
は原料ガス取出口（９）（ｍ）を異にした別の原料ガス
取出口とする方が便利である。
【００１９】各原料ガス取出口（９）の先にはユーザー
（ｎ）毎に、独立に（１８）を、または共通にまとめら
れたガス流量コントローラー（１５）が設置されてい
る。例えばｎが、３ヶのユーザーでは３ヶの例えばＭＦ
Ｃが設けられ、３０ヶのユーザーでは３０ヶのＭＦＣが
各々取付けてある。また、ｎが３ヶのユーザーでＭＦＣ
（１５）を共有し、このｍの組が１０グループで３０と
する場合などがあるが、各ユーザーの目標精度によって
異なるのは勿論である。
【００２０】原料ガス取出口（９）は作業時間毎に分か
れて例えば３〜１０個所程度設けることがよいが、原料
ガス取出口（９）の数は実際の反応グループ（ｍ）の数
と使用量により変える。全蒸発量（Ｖ）に対する取出口
でのユーザーのガス使用量（ｖ）の割合（ｖ／Ｖ）は安
定性の目安であり、ｖ／Ｖが小さい程、安定化する。し
かし、一方で原料ガス取出口（９）の数に対してｖ／Ｖ
の利用率が悪い場合は、過剰能力となり、設備コストが
かかる。また、故障トラブルの危険率を考慮して中位能
力のものを２系列以上備えることが望ましい。
【００２１】精度の高い原料ガスの供給を望む場合は、
ＭＦＣの許容圧力変動内であっても更に微妙な誤差変動
を抑える必要がある。この時は、一次圧力の変動が直接
ユーザーのＭＦＣに影響しないよう、二次圧力用の減圧
弁、流量調整器または遮断器の少なくとも１つが原料ガ
ス取出口（９）と末端ユーザー間に設けることが有効で
あるが、ユーザーのスタート、あるいは遮断がＭＦＣの
衝撃変動吸収可能な変動速度でゆっくり開閉することが
好ましい。これはコンピューター制御で十分可能であ
る。また、原料ガス取出口（９）から末端ユーザーまで
は保温されていることが必要である。
【００２２】本発明の原料ガス供給装置は、蒸発手段、
主調圧手段、原料ガス凝縮手段等の主回路を一体的に連
結したコンパクトなユニット装置とし、設置空間を最小
にしたり、ユニット化して取外し、改修、交換を容易に
することができる。また、ユーザー側（二次側）だけを
反応室に導入し、他の危険率の高い装置はユーティリテ
ィー室のような特別室、あるいは屋外に設置し改造、修
理を容易に行うことも可能である。
【００２３】近年、半導体関連事業では、密閉したクリ
ーンルームの温度管理、パーティクル管理が厳しいの
で、巨大な発熱源を密閉室に置くことは、管理を困難に
するだけでなく、腐食性ガスのリークや改修時の漏洩に
よる室内汚染、更には精密電子機器の安全装置の腐食性
等の原因となるので、この分野に広く利用されることが
期待される。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の装置を図１に従って更に詳細
に説明する。図において、原料タンク（１）に貯蔵され
た液体原料（８）は、窒素加圧管（図示せず）により加
圧され、導管（１３）を通り、開閉弁（１４）で供給量
をコントロールされながら蒸発器（２）に移送される。
開閉弁（１４）は、蒸発器（２）の液面検出器（１０）
からの信号を得て自動的に開閉され、蒸発器（２）の液
面が一定範囲であるように制御される。
【００２５】蒸発器（２）には液面変動に応じ、狭い範
囲で作動する制御用液面コントローラーと、液面の上
限、下限を規定したリミッターを設け、設定値に応じて
開閉弁（１４）が自動的に作動する。原料貯蔵タンク
（１）と蒸発器（２）までの間に、原料を温める加熱ヒ
ーターを設け、導管（１３）を常に保温する。蒸発器
（２）には、圧力計、防爆用安全弁、液抜孔を取付け、
全体を保温した。液体原料（８）は、蒸発器（２）にお
いてヒーター（１２）で加熱される。原料の熱効率を高
めるため保温材で送気管、取出口（９）、ユーザーまで
の送気管を覆った。
【００２６】加熱された液体原料（８）は、蒸発器
（２）内で蒸発気化し、送気管（１１）に送り出され
る。ヒーター（１２）はベースヒーター、コントロール
ヒーター、に分け、ユーザーでの使用量、原料液体の供
給量により、自動的に各々が制御できるよう設定した。
【００２７】蒸発気化した原料ガスは、飛沫防止用のデ
ミスター（１９）を経て、原料ガス取出部（３）に導か
れる。原料ガス取出部（３）には５本の原料ガス取出口
（９）があり、各々に遮断開閉弁（１５）が設けられ、
始動時は全て閉になっている。
【００２８】蒸発器（２）に設けた原料ガス圧力計が目
標圧力となるまでは、主調圧器（４）も閉じておく。蒸
発器（２）のヒーター（１２）により原料ガス圧が昇圧
を開始し、系内不活性ガス及び初溜をカットし目標圧力
をオーバーした時点から主調圧器（４）を作動させる。
検流器が全使用ガス量の８０％に達した時点で自動設定
値に切り替え、一次圧を設定値に合わせた。
【００２９】主調圧器（４）から流出した全ての原料ガ
スは、送気管を経て、原料ガス凝縮器（５）に送られ
る。原料ガス凝縮器（５）は、水冷（２１）により原料
ガスを冷却液化し、環流液体原料とする。冷却液体原料
は検流計を通り、一度レシーバータンク（６）に貯蔵さ
れる。前記液体原料は純度が高いので、優先的に蒸発器
（２）にもどす回路を作り、蒸発器内の液体原料が大き
い温度変化を起さないよう、液体輸送ポンプ（７）と蒸
発器（２）の間に加熱装置を設け、蒸発器（２）内の液
体え原料とほぼ同温度にした上で蒸発器（２）に戻し
た。蒸発器側の圧力が高いので、凝縮系への送流防止の
ため、送止弁（２０）を設ける。初溜については、夾雑
物を避けるため、ポンプの手前で外部液溜に送った。
【００３０】環流液体原料が全ユーザー使用量の約１．
５倍に達した時点で原料ガス取出口（９）の遮断開閉弁
（１５）を開き、ｍ1系ユーザー（１６）にガスの供給
を開始した。ｍ1系のユーザーは、更に細かい１０ヶ所
の末端ユーザー（ｎ1〜ｎ10）（１７）に分配し、各々
にＭＦＣ（１８）が設けられている。ｍ1系のユーザー
は反応の開始、停止が同時であり、今回は１０本の反応
バーナーにＭＦＣ（１８）を介して原料ガスを送った。
【００３１】ｍ1系のユーザーに原料ガスを徐々に流し
始めると同時に、一次圧力と設定圧力間に差圧を生ずる
ので、環流ガスの流量を主調圧器（４）で調節制御し、
圧力計が一定となるよう作動させた。この場合、開閉に
約１０秒の助走をつけて衝撃が伝わらないよう、コンピ
ューターにより制御した。
【００３２】次に、同じ方法でｍ2系をｍ1系と同様な手
法で平行して各々独立に作動させた。この場合バーナー
４本の作動であり、ｍ1系のＭＦＣにはほとんど影響は
出なかった。
【００３３】ｍ3系についても同様のテストを行った。
ｍ3系は、バーナー２０本を並列に並べて順に反応させ
たが、開閉時間３０秒で反応を行ったが全く他への圧力
変動は出なかった。
【００３４】ｍ1、ｍ2、ｍ3系の順次停止により、ユー
ザーへの原料ガス供給量（ｖ1）を急速に減少し、環流
量（ｖ2）が大幅に増加し、主調圧器の開度が５０％を
大きく超えた。しかし、全蒸発量（Ｖ＝ｖ1＋ｖ2）に対
し、５０％以上の環流比（＝環流量（ｖ2）／全蒸発量
（Ｖ）が０．５以上）では第一ベースヒーターの入力を
一段下げ、５０％以下になるようコンピューター制御を
かけ、ほぼその通りに環流量が小さくなった。
【００３５】各ガスコントローラーの指示計について、
記録計の出力をチャートに書かせ、ｍ1〜ｍ3についての
スタート、停止を調べたが、変動は見られなかった。ま
た、実際にも変動時の反応を光ファイバ用外付法で調
べ、バーナーの移動とターゲット上のＳｉＯ2堆積のイ
レギュラーを調べたが、全く異常は無く、異常に基づく
低密度スートの破壊は起きなかった。また、ＶＡＤ法で
のＧｅ／ＳｉＯ2の変動イレギュラーもでなかった。
【００３６】
【発明の効果】上記のように本発明の原料ガス供給方法
によれば、１つの原料ガス蒸発手段で複数のユーザーに
原料ガスを任意の時間、任意の量を他のユーザーに影響
することなく精度よく供給できる。また、それを実施す
る装置はコンパクト化が達成でき、しかも単一の蒸発器
で複数のユーザーに原料ガスを安定に供給できるので蒸
発器の故障や原料ガスの漏洩に基づくトラブルも少な
く、設置面積も小さくて済む。
【図面の簡単な説明】
【図１】原料ガス供給装置の全体構成図である。
【符号の説明】
１ 原料タンク ２ 蒸発器 ３ 原料ガス取出部 ４ 主調圧器 ５ 原料ガス凝縮器 ６ レシーバータンク ７ ポンプ ８ 液体原料 ９ 原料ガス取出口 １１ 送気管 １２ ヒーター １４ 開閉弁 １５ 遮断開閉弁 １６ ユーザー １７ 末端ユーザー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 原料ガスを複数のユーザーに精密に分配
    供給する方法において、蒸発手段と、原料ガス取出口を
    有する原料ガス取出部と、主調圧手段と、原料ガス凝縮
    手段とで構成した環流閉ル−プ回路に前記蒸発手段で蒸
    発気化した原料ガスを循環させ、回路外の少なくとも２
    ヶ所以上の複数ユーザーに任意の時間に任意量の原料ガ
    スの供給を互いに独立に前記原料ガス取出部の原料ガス
    取出口から行うことを特徴とする原料ガス供給方法。
  2. 【請求項２】 環流閉ル−プ回路の原料ガス取出部に複
    数の原料ガス取出口を設けここから取り出す原料ガス量
    に応じて前記原料ガス取出部より下流に設けた主調圧手
    段を作動させ、環流ガス量を変えることで原料ガス取出
    部の圧力変動を制御することを特徴とする請求項１記載
    の原料ガス供給方法。
  3. 【請求項３】 原料ガス取出口の先端に更に１ヶ所以上
    の複数のユーザー回路を設け、各々に減圧弁、流量調整
    器および遮断開閉器の少なくとも１つが連結されて原料
    ガス取出量を調節し、これに基づく原料ガス取出部での
    原料ガス圧力変動が最低になるように主調圧手段を作動
    させ制御することを特徴とする請求項１記載の原料ガス
    供給方法。
  4. 【請求項４】 蒸発手段の蒸発量の増減により原料ガス
    取出部内のガス圧力を調節することを特徴とする請求項
    １記載の原料ガス供給方法。
  5. 【請求項５】 蒸発手段（２）と、複数の原料ガス取出
    口（９）を有する原料ガス取出部（３）と、主調圧手段
    （４）と、原料ガス凝縮手段（５）とを備え、前記各手
    段が前記順序で環流閉ル−プ回路を形成することを特徴
    とする原料ガス供給装置。
  6. 【請求項６】 原料ガス取出口（９）に複数のユーザー
    （１６）を連結し、更にその各ユーザーに複数の末端ユ
    ーザー（１７）を連結し、これらの各末端ユーザー回路
    に原料ガス流量コントローラー（１５）又は（１８）を
    連結したことを特徴とする請求項５記載の原料ガス供給
    装置。
  7. 【請求項７】 環流閉ループ回路の原料ガス凝縮手段
    （５）の下流にレシーバータンク（６）を設け、更にそ
    の下流に逆流防止手段（２０）を設けたことを特徴とす
    る請求項５記載の原料ガス供給装置。
JP6052547A 1994-02-28 1994-02-28 原料ガス供給方法及び装置 Expired - Fee Related JP2959947B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6052547A JP2959947B2 (ja) 1994-02-28 1994-02-28 原料ガス供給方法及び装置
US08/378,380 US5540059A (en) 1994-02-28 1995-01-25 Method and apparatus for supplying gaseous raw material
DE69516197T DE69516197T2 (de) 1994-02-28 1995-02-28 Verfahren und Vorrichtung für die Versorgung mit gasförmigen Rohstoffen
EP95102843A EP0669287B1 (en) 1994-02-28 1995-02-28 Method and apparatus for supplying gaseous raw material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6052547A JP2959947B2 (ja) 1994-02-28 1994-02-28 原料ガス供給方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07236827A true JPH07236827A (ja) 1995-09-12
JP2959947B2 JP2959947B2 (ja) 1999-10-06

Family

ID=12917831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6052547A Expired - Fee Related JP2959947B2 (ja) 1994-02-28 1994-02-28 原料ガス供給方法及び装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5540059A (ja)
EP (1) EP0669287B1 (ja)
JP (1) JP2959947B2 (ja)
DE (1) DE69516197T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013046890A (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 Air Liquide Japan Ltd ガス供給システムおよびガス供給方法
US9303329B2 (en) 2013-11-11 2016-04-05 Tel Nexx, Inc. Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management
JP2016169432A (ja) * 2015-03-13 2016-09-23 株式会社堀場エステック 液体材料気化装置、液体材料気化システム

Families Citing this family (231)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1005541C2 (nl) * 1997-03-14 1998-09-18 Advanced Semiconductor Mat Werkwijze voor het koelen van een oven alsmede oven voorzien van een koelinrichting.
DE59710962D1 (de) * 1997-08-15 2003-12-11 Alstom Switzerland Ltd Rohrleitungssystem zur gesteuerten Verteilung eines strömenden Mediums sowie Verfahren zum Betrieb eines solchen Rohrleitungssystems
US6023933A (en) * 1997-11-04 2000-02-15 Air Products And Chemicals, Inc. Ultra high pressure gases
DE19932247C2 (de) * 1998-07-07 2001-02-01 Schott Glaswerke Verfahren und Anordnung zur Versorgung von Verbrauchsstellen mit Si-haltigem Rohstoff in Dampfform
FR2781868B1 (fr) * 1998-07-29 2000-09-15 Air Liquide Installation et procede de fourniture d'helium a plusieurs lignes de production
MY117066A (en) * 1998-10-22 2004-04-30 Exxon Production Research Co Process for removing a volatile component from natural gas
DE10244667B4 (de) * 2002-09-24 2005-11-17 Heraeus Tenevo Ag Vorrichtung und Verfahren für die Herstellung eines Rohlings aus synthetischem Quarzglas
US20070007879A1 (en) * 2005-07-11 2007-01-11 Bergman Thomas J Jr Low vapor pressure gas delivery system and apparatus
US20120151942A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-21 George James Zamiar Compact, high efficiency vessel blanketing system
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9261238B2 (en) * 2012-07-06 2016-02-16 Air Products And Chemicals, Inc. Method for dispensing a gas
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
WO2016111250A1 (ja) * 2015-01-08 2016-07-14 古河電気工業株式会社 気体分岐装置及びそれを用いたガラス微粒子堆積体の製造方法
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
NL2015161B1 (en) * 2015-07-13 2017-02-01 Draka Comteq Bv A method for preparing a primary preform by etching and collapsing a deposited tube.
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN118206272A (zh) * 2022-12-15 2024-06-18 信越化学工业株式会社 多孔玻璃基材制造系统和用于制造玻璃基材的方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2363200A (en) * 1941-08-06 1944-11-21 Linde Air Prod Co Apparatus for dispensing gas material
US3135099A (en) * 1961-12-08 1964-06-02 Air Reduction Vaporizing station for liquefied gas
US3241328A (en) * 1964-01-06 1966-03-22 Phillips Petroleum Co Cylinder loading with liquefiable gases
US3302418A (en) * 1965-07-06 1967-02-07 Chemetron Corp Method and apparatus for handling liquids
FR2379018A1 (fr) * 1976-12-23 1978-08-25 Air Liquide Procede et installation cryogeniques de distribution de gaz sous pression
US4582480A (en) * 1984-08-02 1986-04-15 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for vapor delivery control in optical preform manufacture
JPS61254242A (ja) * 1985-05-01 1986-11-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 原料供給装置
JPH01293130A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 原料ガス供給装置
JPH0263543A (ja) * 1988-08-31 1990-03-02 Nec Corp 液体蒸気原料供給装置
US5107906A (en) * 1989-10-02 1992-04-28 Swenson Paul F System for fast-filling compressed natural gas powered vehicles
JPH04342434A (ja) * 1991-05-17 1992-11-27 Fujikura Ltd 光ファイバ母材製造装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013046890A (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 Air Liquide Japan Ltd ガス供給システムおよびガス供給方法
US9303329B2 (en) 2013-11-11 2016-04-05 Tel Nexx, Inc. Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management
JP2016169432A (ja) * 2015-03-13 2016-09-23 株式会社堀場エステック 液体材料気化装置、液体材料気化システム

Also Published As

Publication number Publication date
EP0669287B1 (en) 2000-04-12
EP0669287A1 (en) 1995-08-30
JP2959947B2 (ja) 1999-10-06
DE69516197D1 (de) 2000-05-18
US5540059A (en) 1996-07-30
DE69516197T2 (de) 2000-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07236827A (ja) 原料ガス供給方法及び装置
US6363728B1 (en) System and method for controlled delivery of liquefied gases from a bulk source
KR100265017B1 (ko) 에피택셜 성장용 기체의 공급 방법 및 그의장치
EP2294022B1 (en) Apparatus and methods of control for coolant recycling
US5761911A (en) System and method for controlled delivery of liquified gases
EP2939726B1 (en) Carbon dioxide capturing system and method of operating same
KR100683011B1 (ko) 제어 특성을 포함하는 액화 가스의 제어 공급용 시스템 및방법
US20110225986A1 (en) Systems and methods for gas supply and usage
CN213936113U (zh) 一种等离子体处理装置气体供应系统
JP3214709B2 (ja) Ｌｎｇ貯蔵設備のｂｏｇ液化システム及びその装置
CN217736935U (zh) 一种气相二氧化硅生产蒸汽回收利用系统
SU1458663A1 (ru) Устройство управления установкой сжижения природного газа
JPS5992933A (ja) 原料ガス供給装置
JP3300898B2 (ja) 窒素製造装置及びその運転方法
TW202226326A (zh) 等離子體處理裝置氣體供應系統
JP7446569B2 (ja) 製品ガスの供給量調整装置およびそれを備える空気分離装置
Swetin et al. Cooling water systems for accelerator components at the Advanced Photon Source.
US20200116307A1 (en) Apparatus for controlling the ambient temperature vaporization of carbon dioxide
JP2008501903A (ja) フラットディスプレイパネル製造のためのｎｈ３の大流量配送システムおよび方法
KR102010067B1 (ko) 산업용 가스 제조 설비 및 방법
US20200119622A1 (en) Method for controlling the ambient temperature vaporization of carbon dioxide
US20060130896A1 (en) High reliability gas mixture back-up system
JPS61295249A (ja) 原料ガス供給装置
KR20230116155A (ko) 매니폴드의 압력 관리가 가능한 병렬식 칠러 시스템
JP2000202260A (ja) 液体の気化装置を含む流体混合装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090730

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees