JPS5992933A - 原料ガス供給装置 - Google Patents
原料ガス供給装置Info
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- JPS5992933A JPS5992933A JP20185982A JP20185982A JPS5992933A JP S5992933 A JPS5992933 A JP S5992933A JP 20185982 A JP20185982 A JP 20185982A JP 20185982 A JP20185982 A JP 20185982A JP S5992933 A JPS5992933 A JP S5992933A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
- C03B2207/89—Controlling the liquid level in or supply to the tank
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体、元ファイバ等の製造装置において反応
容器に原料ガスを供給する原料ガス供給装置に関し、長
時間連続運転を可能としたものである。
容器に原料ガスを供給する原料ガス供給装置に関し、長
時間連続運転を可能としたものである。
光ファイバは一般に■０法、外付は法、同村は法等によ
り製造される。このなかでＷ■法は原料刀ス全燃焼させ
てガラス媒体を生成し、このガラス媒体を回転する出発
部材に堆積させて棒状の多孔質母材を作り、更にこの多
孔質母材を光ファイバに紡糸する方法である。このよう
に”Ｗ０法では気化した原料、つまり原料ガスから光フ
ァイバを製造するので原料カスをこの燃焼、堆積装置へ
連続して供給する装置が設けられている。
り製造される。このなかでＷ■法は原料刀ス全燃焼させ
てガラス媒体を生成し、このガラス媒体を回転する出発
部材に堆積させて棒状の多孔質母材を作り、更にこの多
孔質母材を光ファイバに紡糸する方法である。このよう
に”Ｗ０法では気化した原料、つまり原料ガスから光フ
ァイバを製造するので原料カスをこの燃焼、堆積装置へ
連続して供給する装置が設けられている。
このような従来の原料カス供給装置全第１図に示す。同
図に示すように気密な原料タンクｌには原料液２が収容
されると共に該タンク１の外周面にはヒータ３が装着さ
れている。該タンクｌは製造装置の反応容器（図示省略
）と配管５を介して連通しており、該タンク１内で気化
した原料ガスはその飽和蒸気圧により配管５に導かれ上
記反応容器へ供給されるようになっている。この配管５
には流量制御装置６及びトラップ７が介設されている。
図に示すように気密な原料タンクｌには原料液２が収容
されると共に該タンク１の外周面にはヒータ３が装着さ
れている。該タンクｌは製造装置の反応容器（図示省略
）と配管５を介して連通しており、該タンク１内で気化
した原料ガスはその飽和蒸気圧により配管５に導かれ上
記反応容器へ供給されるようになっている。この配管５
には流量制御装置６及びトラップ７が介設されている。
この流量制御装置６としては質量流量計（マスフローコ
ントローラ）が広（用いられる。トラップ７は配管５内
で凝縮した原料液滴が流量制御装置６へ入り込むのを防
いで流量制御装置６０機能を保持する機器である。更に
上記原料タンクには窒素カスを導入するための手動バル
ブ８が取り付けられると共に原料タンク１．）ラップ７
に配管５を着脱するために配管５の接続端にはそれぞれ
手動バルブ９，１０．１１が取り付けられる一方、トラ
ップ７には溜った原料液滴を抜き取るための手動バルブ
が取りつけられている。一方、上記流量制御装置６０入
ロ側に窒素カス導入用の配管が接続されると共にこの配
管にエア駆動弁１４が介装される一方、該装置６０入ロ
側の１Ｌａ５にもエア駆動弁１３が介装されている。従
ってこれらエア駆動弁１３．１４’ｉ調圧することで原
料カスの供給時と非供給時とを切り替えて非供給時には
窒素カスを導入することかできるようになっている。ま
た、このような配・１５、流量制御装置６、トラップ７
等の機器はブース１５内に収納され、該ブース内に熱風
発生器１６か設けられている。従って、これら配管機器
等を原料タンク１よりも高い温度に維持して原料カスの
再凝縮が防止されるようになっている。
ントローラ）が広（用いられる。トラップ７は配管５内
で凝縮した原料液滴が流量制御装置６へ入り込むのを防
いで流量制御装置６０機能を保持する機器である。更に
上記原料タンクには窒素カスを導入するための手動バル
ブ８が取り付けられると共に原料タンク１．）ラップ７
に配管５を着脱するために配管５の接続端にはそれぞれ
手動バルブ９，１０．１１が取り付けられる一方、トラ
ップ７には溜った原料液滴を抜き取るための手動バルブ
が取りつけられている。一方、上記流量制御装置６０入
ロ側に窒素カス導入用の配管が接続されると共にこの配
管にエア駆動弁１４が介装される一方、該装置６０入ロ
側の１Ｌａ５にもエア駆動弁１３が介装されている。従
ってこれらエア駆動弁１３．１４’ｉ調圧することで原
料カスの供給時と非供給時とを切り替えて非供給時には
窒素カスを導入することかできるようになっている。ま
た、このような配・１５、流量制御装置６、トラップ７
等の機器はブース１５内に収納され、該ブース内に熱風
発生器１６か設けられている。従って、これら配管機器
等を原料タンク１よりも高い温度に維持して原料カスの
再凝縮が防止されるようになっている。
上記構成の装置により原料カスを供給するには次の様に
して行う。まず、流量制御装置６として質量流量計を使
用する場合には、この質量流量計が安定して動作するよ
う人口側と山口側の差圧’ｋ ０．５〜１．０弔佃程度
に設定する。例えば反応容器内の圧力が概略Ｏｋｇ／ｃ
ｔ？ｔの場合、原料タンク１の圧力は１ ｋｇ／ｃｒＩ
Ｌと設定する。次に原料タンク１を加熱昇温してタンク
内の飽和蒸気圧を１ ｋｇ／Ｃｉまて上昇さぞ、原料タ
ンクｌかも反応容器へ原料カス全供給する。尚、ヒータ
２を温度制御する・／ステムとしては電源熱電対、温度
調節器からなる通常の／ステムが使用され、また熱に発
生器の制？＠システムも同様となっている。
して行う。まず、流量制御装置６として質量流量計を使
用する場合には、この質量流量計が安定して動作するよ
う人口側と山口側の差圧’ｋ ０．５〜１．０弔佃程度
に設定する。例えば反応容器内の圧力が概略Ｏｋｇ／ｃ
ｔ？ｔの場合、原料タンク１の圧力は１ ｋｇ／ｃｒＩ
Ｌと設定する。次に原料タンク１を加熱昇温してタンク
内の飽和蒸気圧を１ ｋｇ／Ｃｉまて上昇さぞ、原料タ
ンクｌかも反応容器へ原料カス全供給する。尚、ヒータ
２を温度制御する・／ステムとしては電源熱電対、温度
調節器からなる通常の／ステムが使用され、また熱に発
生器の制？＠システムも同様となっている。
しかし、このような従前の原料ガス供給装置では原料を
連続して供給することができる最大時間は原料タンクｌ
の容量に療存し、一定の限界がある。例えば、■中法に
より表＝１に示される栄件で光ファイバを製造する場合
には原料が５ｉｃ４換算で（１）式に示される４ ｇｒ
／ｍｉｎの割合で消費され、この場合に原料タンクｌと
して常用されている容量５１程度のものを使用すると、
その最大連続供給時間は（２）式に示すように２５時間
となる。
連続して供給することができる最大時間は原料タンクｌ
の容量に療存し、一定の限界がある。例えば、■中法に
より表＝１に示される栄件で光ファイバを製造する場合
には原料が５ｉｃ４換算で（１）式に示される４ ｇｒ
／ｍｉｎの割合で消費され、この場合に原料タンクｌと
して常用されている容量５１程度のものを使用すると、
その最大連続供給時間は（２）式に示すように２５時間
となる。
表−ｌ
ニア０ １７０
Ｉｇｒ／１ｎｘｎ Ｘ−＝４ ｇｒ／＋ｎｉｎ
−−−−（１）’１００ ６０ ６０００ｇｒ÷４ｇｒ／ｍｉｎ÷６０ｍ１ｎ／ｈｏｕｒ
＝ ２５ ｈＱｕｒ ・・・（２）ただし、容量５１
の原料タンクに充填される原料の重さに６ｋｇとした。
−−−−（１）’１００ ６０ ６０００ｇｒ÷４ｇｒ／ｍｉｎ÷６０ｍ１ｎ／ｈｏｕｒ
＝ ２５ ｈＱｕｒ ・・・（２）ただし、容量５１
の原料タンクに充填される原料の重さに６ｋｇとした。
このように従前の原料ガス供給装置は通常、最大連続供
給時間が約１日に制限されるため次のような欠点が存在
するつ■ 原料液を原料タンク１に充填する作業が、１
回７日の頻度で必要になり、作業が煩雑である。
給時間が約１日に制限されるため次のような欠点が存在
するつ■ 原料液を原料タンク１に充填する作業が、１
回７日の頻度で必要になり、作業が煩雑である。
■ １回の充填作業には０．５〜ｌ、０時間必要であり
、しかも充填後の立ち上がり時間もさめると２時間程度
は製造を再開することができず、製造効率が低下する。
、しかも充填後の立ち上がり時間もさめると２時間程度
は製造を再開することができず、製造効率が低下する。
このような問題を解決する最も簡単な手段は原料タンク
１の容量を例えば１０１程度に人容最化することである
。ところが原料タンクｌを大容量化すると次のような開
院が生じるため、実際的にはこのような手段を１採用す
るのは無理である。
１の容量を例えば１０１程度に人容最化することである
。ところが原料タンクｌを大容量化すると次のような開
院が生じるため、実際的にはこのような手段を１採用す
るのは無理である。
■ 原料タンクの昇温、冷却に手間どり、作業が迅速に
進まない。
進まない。
１８）原料液自体が有毒又は腐蝕性の場合が多（、しか
も原料と大気中の水分とか反応して生ずるカスも有毒あ
るいは腐蝕性の場合もあるため、タンク１の容量が大型
化すればするほどタンクが破損した時の危険も増大する
。
も原料と大気中の水分とか反応して生ずるカスも有毒あ
るいは腐蝕性の場合もあるため、タンク１の容量が大型
化すればするほどタンクが破損した時の危険も増大する
。
θ タンク内に原料液が滞留し加熱される時間が長（な
るので、種類によっては原料液が変質する虞がある。
るので、種類によっては原料液が変質する虞がある。
このように、原料タンク１を大型化すると新たな問題が
生じるため、このような手段は採用されず、従って原料
カスの長時間連続供給は実現されなかった。
生じるため、このような手段は採用されず、従って原料
カスの長時間連続供給は実現されなかった。
本発明は上述した従来技術に鑑み、原料液ヲ補給するサ
ービスタンクを設けることにより長時間連続運転を可能
とした原料カス供給装置を提供することを目的とするも
のであって、その構成は原料液を収容する原料タンクに
加熱ヒータが装着されると共に該原料タンクに、該タン
ク内で気化した原料カスを反応容器へ導（配管が接続さ
れてなる原料カス供給装置において、原料液を貯溜する
サービスタンクか補給管を介して上記原料タンクに連通
されると共に該サービスタンクから原料タンクに原料ｇ
を圧送する手段とが具えられることを％徴とする。
ービスタンクを設けることにより長時間連続運転を可能
とした原料カス供給装置を提供することを目的とするも
のであって、その構成は原料液を収容する原料タンクに
加熱ヒータが装着されると共に該原料タンクに、該タン
ク内で気化した原料カスを反応容器へ導（配管が接続さ
れてなる原料カス供給装置において、原料液を貯溜する
サービスタンクか補給管を介して上記原料タンクに連通
されると共に該サービスタンクから原料タンクに原料ｇ
を圧送する手段とが具えられることを％徴とする。
以下、本発明の原料カス供給装置を実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図に本発明の一実施例を示す。同図に示すように気
密な原料タンク１には原料液２か収容されると共に該タ
ンクの外周面にはヒータ３が装着されている。該原料タ
ンクｌの上面に配管５の一端が接続される一方、該配管
５の他端は反応容器（図示省略）に接続されており、原
料タンクｌ内で気化した原料ガス４はその飽和蒸気圧に
より配管５に導かれ、反応容器に供給されるようになっ
ている。この配管５には流量制御装置６及びトラップ７
が介装される。該流量制御装置６どしては質量流量計が
広（使用される。トラップ７は配管５内で凝縮した原料
敷部が流量制御装置６へ入り込むのを防いで該装置６０
機能を保持する機器である。また上記原料タンク１及び
トラップ７に配管５を着脱するために配管５の接続端に
はそれぞれ手動バルブ９．１０．１１が取り付けられる
一方、トラップ７には溜った原料ｉｚ’ｉｉき取るため
の手動パルプ１２が取り付けられている。更に上記流量
制御装置６の入口側に窒素ガス導入用の配管が接続され
ると共にこの配管にエア駆動弁が介装される一方、該装
置６０入ロ側の配管５にもエア駆動弁が介装されている
。従って、これらエア駆動弁１３．１４を調圧すること
で原料の供給時と非供給時とを切り替えて非供給時には
窒素ガスを導入することができるようになっている。ま
たこのような配管５、流量制御装置６、トラップ７等は
すべてブース１５内に収納され、該ブース１５内には熱
風発生器１６が設けらしている。従って、これら配管、
機器等を原料タンク１よりも高い温度に維持して、原料
ガス４の再凝縮を防止できるようになっているっ更に、
本発明においては上記原料タンク１に原料′Ｆｉ、を補
給するサービスタンク２１が設けられている。即ち気密
なサービスタンク２１には原料Ｗ２が貯溜されると共に
補給管２３の一端がサービスタンク上面から原料液２の
中まで差し込まれる一方、補給管２３の他端は前記原料
タンク上面から原料ｇ、２まで差し込ずれている。
密な原料タンク１には原料液２か収容されると共に該タ
ンクの外周面にはヒータ３が装着されている。該原料タ
ンクｌの上面に配管５の一端が接続される一方、該配管
５の他端は反応容器（図示省略）に接続されており、原
料タンクｌ内で気化した原料ガス４はその飽和蒸気圧に
より配管５に導かれ、反応容器に供給されるようになっ
ている。この配管５には流量制御装置６及びトラップ７
が介装される。該流量制御装置６どしては質量流量計が
広（使用される。トラップ７は配管５内で凝縮した原料
敷部が流量制御装置６へ入り込むのを防いで該装置６０
機能を保持する機器である。また上記原料タンク１及び
トラップ７に配管５を着脱するために配管５の接続端に
はそれぞれ手動バルブ９．１０．１１が取り付けられる
一方、トラップ７には溜った原料ｉｚ’ｉｉき取るため
の手動パルプ１２が取り付けられている。更に上記流量
制御装置６の入口側に窒素ガス導入用の配管が接続され
ると共にこの配管にエア駆動弁が介装される一方、該装
置６０入ロ側の配管５にもエア駆動弁が介装されている
。従って、これらエア駆動弁１３．１４を調圧すること
で原料の供給時と非供給時とを切り替えて非供給時には
窒素ガスを導入することができるようになっている。ま
たこのような配管５、流量制御装置６、トラップ７等は
すべてブース１５内に収納され、該ブース１５内には熱
風発生器１６が設けらしている。従って、これら配管、
機器等を原料タンク１よりも高い温度に維持して、原料
ガス４の再凝縮を防止できるようになっているっ更に、
本発明においては上記原料タンク１に原料′Ｆｉ、を補
給するサービスタンク２１が設けられている。即ち気密
なサービスタンク２１には原料Ｗ２が貯溜されると共に
補給管２３の一端がサービスタンク上面から原料液２の
中まで差し込まれる一方、補給管２３の他端は前記原料
タンク上面から原料ｇ、２まで差し込ずれている。
更にサービスタンク２１には高圧気体２２が封入され、
該気体２２の圧力と原料タンクｌの蒸気圧との圧力差に
より原料！２が補給管２３を通って原料タンク１へ圧送
されるようになっている。該補給管２３にはエア駆動弁
２４、流量制御弁２５及び逆止弁２６が介装されている
。
該気体２２の圧力と原料タンクｌの蒸気圧との圧力差に
より原料！２が補給管２３を通って原料タンク１へ圧送
されるようになっている。該補給管２３にはエア駆動弁
２４、流量制御弁２５及び逆止弁２６が介装されている
。
該流量制御弁は原料タンク１に補給される原料液の流量
を所定金に制御する弁であり、通常ニードル弁あるいは
メタリング弁が使用される。
を所定金に制御する弁であり、通常ニードル弁あるいは
メタリング弁が使用される。
逆止弁２６は原料液が逆流するのを防止する弁である。
エア駆動弁２４は補給管２３を開開する弁であり、例え
ば原料タンク１の’＋’ｌ ｊｔ ｋ検知する手段を付
設してこれとエア駆動弁２４を連動させれば自動的に原
料ｇ、ヲ補給することも可能である。尚、エア駆動弁２
４及び流量制御弁２５に代えてこれらと同等の機能を有
する自動可変流量制御弁ヲ設けることもでき、そうする
とコンパクトになり設計上有利である。
ば原料タンク１の’＋’ｌ ｊｔ ｋ検知する手段を付
設してこれとエア駆動弁２４を連動させれば自動的に原
料ｇ、ヲ補給することも可能である。尚、エア駆動弁２
４及び流量制御弁２５に代えてこれらと同等の機能を有
する自動可変流量制御弁ヲ設けることもでき、そうする
とコンパクトになり設計上有利である。
上記構成を有する本発明の原料カス供給装置において、
原料タンク１に原料液２を補給するには次のようにして
行う。まずサービスタンク２１に封入される高圧気体２
２の圧力を原料タンク内の原料ガス４の飽和蒸気屋より
も高（設定する。次いでエア駆動弁２４により補給管２
３を開（っするとサービスタンク内の原料はこれらの差
圧により補給管２３を通って原料タンク１へ流れ込み、
補給される。補給する量は流量制御弁２５により任意に
調節できる。また補給・冴２３には逆止弁２６が介設さ
れているので、誤って高圧気体２２の圧力を飽和蒸気圧
よりも低牟く設定しても原料液が逆流することはない。
原料タンク１に原料液２を補給するには次のようにして
行う。まずサービスタンク２１に封入される高圧気体２
２の圧力を原料タンク内の原料ガス４の飽和蒸気屋より
も高（設定する。次いでエア駆動弁２４により補給管２
３を開（っするとサービスタンク内の原料はこれらの差
圧により補給管２３を通って原料タンク１へ流れ込み、
補給される。補給する量は流量制御弁２５により任意に
調節できる。また補給・冴２３には逆止弁２６が介設さ
れているので、誤って高圧気体２２の圧力を飽和蒸気圧
よりも低牟く設定しても原料液が逆流することはない。
このように本発明ではサービスタンク２１から原料タン
クＩＫ原料散全圧送して補給する手段を具えているため
、原料カス４の供給中、つまり原料タンク内に飽和蒸気
圧が生起している時でも原料液を補給できる。従って本
発明装置では従前と異なり原料液を充横するために運転
を中断する必要がなく、長時間連続運転が可能である。
クＩＫ原料散全圧送して補給する手段を具えているため
、原料カス４の供給中、つまり原料タンク内に飽和蒸気
圧が生起している時でも原料液を補給できる。従って本
発明装置では従前と異なり原料液を充横するために運転
を中断する必要がなく、長時間連続運転が可能である。
更に長時間連続運転が可能なため、従前問題であった■
充填作業の煩雑、■′！Ｒ遣効率の低下が解消され、ま
た本発明では原料タンクｌを大型化する必要がなく、前
述した■＠・の間鴫も生じることはない。
充填作業の煩雑、■′！Ｒ遣効率の低下が解消され、ま
た本発明では原料タンクｌを大型化する必要がなく、前
述した■＠・の間鴫も生じることはない。
更に、上記実施例において、原料タンクｌに液面検出器
（２位置検出）を設けて、この検用値に基づいてエア駆
動弁２４を制御するようにすれば、原料タンクｌに存在
する原料液を更に一定の量に軸付１〜ることもできる。
（２位置検出）を設けて、この検用値に基づいてエア駆
動弁２４を制御するようにすれば、原料タンクｌに存在
する原料液を更に一定の量に軸付１〜ることもできる。
尚、原料タンク１にサービスタンク２１から温度差のあ
る原料液全補給するので原料タンク１の液温か低下する
が、その温度低下は十分小さく通常の使用条件では全く
問題にならない。例えば仮に原料タンクｌの温度Ａ歪機
能が動作しなかったとして、原料タンク１内の１分間の
温度変化を下表に示す設定条件で試算すると次のも）に
なる。
る原料液全補給するので原料タンク１の液温か低下する
が、その温度低下は十分小さく通常の使用条件では全く
問題にならない。例えば仮に原料タンクｌの温度Ａ歪機
能が動作しなかったとして、原料タンク１内の１分間の
温度変化を下表に示す設定条件で試算すると次のも）に
なる。
上記の表値に基ゆいて計算すると、原料タンク１の原料
ＷＮｔ、は下記（イ）に示すように２．２２ｋｇになり
、更に温度変化を計算すると下記（ロ）に示すヨウに０
，２℃となる。このように１分間に０．２３ｔＸ １／
２ Ｘ １．４８１４／ Ｌ＝２．２２Ｋｙ
” （（）（ロ） はないと考えられる。また温度低下を零にする必要性は
ないと考えられるものの、補給用配管２３をテープヒー
タ等で加熱温ルーしたり、補給用配管２３をブース１５
内に取り込めば、温度低下を更に零に近づけることも可
能である。
ＷＮｔ、は下記（イ）に示すように２．２２ｋｇになり
、更に温度変化を計算すると下記（ロ）に示すヨウに０
，２℃となる。このように１分間に０．２３ｔＸ １／
２ Ｘ １．４８１４／ Ｌ＝２．２２Ｋｙ
” （（）（ロ） はないと考えられる。また温度低下を零にする必要性は
ないと考えられるものの、補給用配管２３をテープヒー
タ等で加熱温ルーしたり、補給用配管２３をブース１５
内に取り込めば、温度低下を更に零に近づけることも可
能である。
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
は長時間連続運転が５Ｔ能であり、こＱ）ため種々の利
点を有する。
は長時間連続運転が５Ｔ能であり、こＱ）ため種々の利
点を有する。
第１図は従来の原料ガス供給装置の観略宿瓜図、第２図
は本発明の原料ガス供給装置の一実施例にかかる概略借
成図であるっ 図 面 中、 １は原料タンク、 ２は原料液、 ３は加熱ヒータ、 ４は原料ガス、 ５は配管、 ６は流量制御装置、 ） ７はトラップ、 ８〜１２は手動弁、 １３．１４．２４はエア駆動弁、 １５はブース、 １６は熱に発生器、 ２１はサービスタンク、 ２２は高圧気体、 ２３は＠給管、 ２５はＩＡ位制＃升、 ２６は逆止弁である。
は本発明の原料ガス供給装置の一実施例にかかる概略借
成図であるっ 図 面 中、 １は原料タンク、 ２は原料液、 ３は加熱ヒータ、 ４は原料ガス、 ５は配管、 ６は流量制御装置、 ） ７はトラップ、 ８〜１２は手動弁、 １３．１４．２４はエア駆動弁、 １５はブース、 １６は熱に発生器、 ２１はサービスタンク、 ２２は高圧気体、 ２３は＠給管、 ２５はＩＡ位制＃升、 ２６は逆止弁である。
Claims (1)
- 原料ｇ、ヲ収容する原料タンクに加熱ヒータが装着され
ると共に該原料タンクに、該タンク内で気化した原料ガ
スを反応容器へ導く配管が接続されてなる原料ガス供給
装置において、原料液を貯溜するサービスタンクが補給
管を介して上記原料タンクに連通されると共に該サービ
スタンクから原料タンクに原料液を圧送する手段とが具
えられること′ｆ、％徴とする原料ガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201859A JPS6031777B2 (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 原料ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201859A JPS6031777B2 (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 原料ガス供給装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10487186A Division JPS61295249A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 原料ガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992933A true JPS5992933A (ja) | 1984-05-29 |
| JPS6031777B2 JPS6031777B2 (ja) | 1985-07-24 |
Family
ID=16448066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57201859A Expired JPS6031777B2 (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 原料ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031777B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6171832A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
| WO2009040542A3 (en) * | 2007-09-25 | 2009-08-27 | P2I Limited | Vapour delivery system |
| WO2009101425A3 (en) * | 2008-02-14 | 2009-10-15 | P2I Limited | Vapour delivery system |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144920A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Toshiba Ceramics Co | Production of quartz glass for photoconductive fiber |
| JPS5411406A (en) * | 1977-06-28 | 1979-01-27 | Toshiba Corp | Rotary machine |
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| JPS55116640A (en) * | 1979-03-01 | 1980-09-08 | Corning Glass Works | Evaporation device for forming optical fiber material |
| JPS56170233U (ja) * | 1980-05-16 | 1981-12-16 |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57201859A patent/JPS6031777B2/ja not_active Expired
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| JPH0212142B2 (ja) * | 1984-09-17 | 1990-03-19 | Sumitomo Electric Industries | |
| WO2009040542A3 (en) * | 2007-09-25 | 2009-08-27 | P2I Limited | Vapour delivery system |
| GB2465932A (en) * | 2007-09-25 | 2010-06-09 | P2I Ltd | Vapour delivery system |
| GB2465932B (en) * | 2007-09-25 | 2013-03-27 | P2I Ltd | Plasma processing method |
| WO2009101425A3 (en) * | 2008-02-14 | 2009-10-15 | P2I Limited | Vapour delivery system |
| GB2469599A (en) * | 2008-02-14 | 2010-10-20 | P2I Ltd | Vapour delivery system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6031777B2 (ja) | 1985-07-24 |
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