JPS6031777B2 - 原料ガス供給装置 - Google Patents
原料ガス供給装置Info
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- JPS6031777B2 JPS6031777B2 JP57201859A JP20185982A JPS6031777B2 JP S6031777 B2 JPS6031777 B2 JP S6031777B2 JP 57201859 A JP57201859 A JP 57201859A JP 20185982 A JP20185982 A JP 20185982A JP S6031777 B2 JPS6031777 B2 JP S6031777B2
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- gas
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
- C03B2207/89—Controlling the liquid level in or supply to the tank
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- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体、光フアイバ等の製造装置において反応
容器に原料ガスを供輪舎する原料ガス供ｖ給装置に関し
、長時間連続運転を可能としたものである。
容器に原料ガスを供輪舎する原料ガス供ｖ給装置に関し
、長時間連続運転を可能としたものである。
光フアィバは一般にＶＡＤ法、外付け法、内付け法等に
より製造される。
より製造される。
このなかでＶＡＤ法は原料ガスを燃焼させてガラス媒体
を生成し、このガラス媒体を回転する出発部材に堆積さ
せて棒状の多孔費母村を作り、更にこの多孔質母材を光
フアィバに紙糸する方法である。このようなＶＡＤ法で
は気化した原料、つまり原料ガスから光フアィバを製造
するので原料ガスをこの燃焼、堆積装置へ連続して供Ｖ
給する装置が設けられている。このような従来の原料ガ
ス供賭舎装置の一例を第１図に示す。同図に示すように
気密な原料タンクーには原料液２が収容されると共に該
タンク１の外周面にはヒータ３が装着されている。該タ
ンク１は製造装置の反応容器（図示省略）と配管５を介
して運通しており、該タンク１内で気化した原料ガスは
その飽和蒸気圧により配管５に導かれ上記反応容器へ供
Ｖ給されるようになっている。この配管５には流量制御
装置６及びトラップ７が介設されている。この流量制御
装置６としては質量流量計（マスフローコントローラ）
が広く用いられる。トラップ７は配管５内で凝縮した原
料液滴が流量制御装置６へ入り込むのを防いで流量制御
装置６の機能を保持する機器である。更に上記原料タン
クには窒素ガスを導入するための手動バルブ８が取り付
けられると共に原料タンク１、トラツプ７に配管５を着
脱するために配管５の接続端にはそれぞれ手動バルブ９
，１０，１１が取り付けられる一方、トラッブ７には溜
った原料液滴を抜き取るための手動バルブが取りつけら
れている。一方、上記流量制御装置６の入口側に窒素ガ
ス導入用の配管が接続されると共にこの配管にェア駆動
弁１４が介装される一方、該装置６の入口側の配管５に
もェア駆動弁１３が介装されている。従ってこれらェァ
駆動弁１３，１４を操作することで原料ガスの供給時と
非供給時とを切り替えて非供給時には窒素ガスを導入す
ることができるようになっている。また、このような配
管５、流量制御装置６、トラップ７等の機器はブース１
５内に収納され、該ブース内に熱風発生器１６が設けら
れている。従って、これら配管機器等を原料タンクーよ
りも高い温度に維持して原料ガスの再凝縮が防止される
ようになっている。上記構成の装置により原料ガスを供
Ｖ給するには次の様にして行う。
を生成し、このガラス媒体を回転する出発部材に堆積さ
せて棒状の多孔費母村を作り、更にこの多孔質母材を光
フアィバに紙糸する方法である。このようなＶＡＤ法で
は気化した原料、つまり原料ガスから光フアィバを製造
するので原料ガスをこの燃焼、堆積装置へ連続して供Ｖ
給する装置が設けられている。このような従来の原料ガ
ス供賭舎装置の一例を第１図に示す。同図に示すように
気密な原料タンクーには原料液２が収容されると共に該
タンク１の外周面にはヒータ３が装着されている。該タ
ンク１は製造装置の反応容器（図示省略）と配管５を介
して運通しており、該タンク１内で気化した原料ガスは
その飽和蒸気圧により配管５に導かれ上記反応容器へ供
Ｖ給されるようになっている。この配管５には流量制御
装置６及びトラップ７が介設されている。この流量制御
装置６としては質量流量計（マスフローコントローラ）
が広く用いられる。トラップ７は配管５内で凝縮した原
料液滴が流量制御装置６へ入り込むのを防いで流量制御
装置６の機能を保持する機器である。更に上記原料タン
クには窒素ガスを導入するための手動バルブ８が取り付
けられると共に原料タンク１、トラツプ７に配管５を着
脱するために配管５の接続端にはそれぞれ手動バルブ９
，１０，１１が取り付けられる一方、トラッブ７には溜
った原料液滴を抜き取るための手動バルブが取りつけら
れている。一方、上記流量制御装置６の入口側に窒素ガ
ス導入用の配管が接続されると共にこの配管にェア駆動
弁１４が介装される一方、該装置６の入口側の配管５に
もェア駆動弁１３が介装されている。従ってこれらェァ
駆動弁１３，１４を操作することで原料ガスの供給時と
非供給時とを切り替えて非供給時には窒素ガスを導入す
ることができるようになっている。また、このような配
管５、流量制御装置６、トラップ７等の機器はブース１
５内に収納され、該ブース内に熱風発生器１６が設けら
れている。従って、これら配管機器等を原料タンクーよ
りも高い温度に維持して原料ガスの再凝縮が防止される
ようになっている。上記構成の装置により原料ガスを供
Ｖ給するには次の様にして行う。
まず、流量制御装置６として質量流量計を使用する場合
には、この質量流量計が安定して動作するよう入口側と
出口側の差圧を０．５〜１．０ｋ９／仇程度に設定する
。例えば反応容器内の圧力が概略ｏｋ９／ｃ流の場合、
原料タンク１の圧力はｌｋ９／ふと設定する。次に原料
タンク１を加熱昇温してタンク内の飽和蒸気圧をｌｋ９
／泳まで上昇させ、原料タンクｌから反応容器へ原料ガ
スを供給する。尚、ヒータ２を温度制御するシステムと
しては電源熱電対、温度調節器からなる通常のシステム
が使用され、また熱風発生器の制御システムも同様とな
っている。しかし、このような従前の原料ガス供Ｖ給装
置では原料を連続して供給することができる最大時間は
原料タンク１の容量に依存し、一定の限界がある。
には、この質量流量計が安定して動作するよう入口側と
出口側の差圧を０．５〜１．０ｋ９／仇程度に設定する
。例えば反応容器内の圧力が概略ｏｋ９／ｃ流の場合、
原料タンク１の圧力はｌｋ９／ふと設定する。次に原料
タンク１を加熱昇温してタンク内の飽和蒸気圧をｌｋ９
／泳まで上昇させ、原料タンクｌから反応容器へ原料ガ
スを供給する。尚、ヒータ２を温度制御するシステムと
しては電源熱電対、温度調節器からなる通常のシステム
が使用され、また熱風発生器の制御システムも同様とな
っている。しかし、このような従前の原料ガス供Ｖ給装
置では原料を連続して供給することができる最大時間は
原料タンク１の容量に依存し、一定の限界がある。
例えば、ＶＡＤ法により表一１に示される条件で光フア
ィバを製造する場合には原料がＳｉｃそ４ 換算で【１
｝式に示される亀Ｐ／ｍｉｎの割合で消費され、この場
合に原料タンク１として常用されている容量５〆程度の
ものを使用すると、その最大連続供給時間は【２ｌ式に
示すように２虫時間となる。表一１滋／ｍｉｎ÷続〇ｘ
器。
ィバを製造する場合には原料がＳｉｃそ４ 換算で【１
｝式に示される亀Ｐ／ｍｉｎの割合で消費され、この場
合に原料タンク１として常用されている容量５〆程度の
ものを使用すると、その最大連続供給時間は【２ｌ式に
示すように２虫時間となる。表一１滋／ｍｉｎ÷続〇ｘ
器。
＝蝿／ｍｉｎ …．・．．・・‘１’６０００餌÷処Ｐ
／ｍｉｎ÷肌ｍｉｎ／ｈｏｕｒ＝２則ｏ川．・・（２１
ただし、容量５その原料タンクに充填される原料の重さ
を６ｋ９とした。
／ｍｉｎ÷肌ｍｉｎ／ｈｏｕｒ＝２則ｏ川．・・（２１
ただし、容量５その原料タンクに充填される原料の重さ
を６ｋ９とした。
このように従前の原料ガス供給装置は通常、最大連続供
Ｖ給時間が約１日に制限されるため次のような欠点が存
在する。■ 原料液を原料タンク１に充填する作業が、
１回／日の頻度で必要になり、作業が煩雑である。
Ｖ給時間が約１日に制限されるため次のような欠点が存
在する。■ 原料液を原料タンク１に充填する作業が、
１回／日の頻度で必要になり、作業が煩雑である。
■ １回の充填作業には０．５〜１．ｍ時間必要であり
、しかも充填後の立ち上がり時間も含めると２時間程度
は製造を再開することができず、製造効率が低下する。
、しかも充填後の立ち上がり時間も含めると２時間程度
は製造を再開することができず、製造効率が低下する。
このような問題を解決する最も簡単な手段は原料タンク
１の容量を例えば１０〆程度に大容量化することである
。ところが原料タンク１を大容量化すると次のような問
題が生じるため、実際的にはこのような手段を採用する
のは無理である。■ 原料タンクの昇温、冷却に手間ど
り、作業が迅速に進まない。＠ 原料液自体が有毒又は
腐触性の場合が多く、しかも原料と大気中の水分とか反
応して生ずるガスも有毒あるし、は腐触性の場合もある
ため、タンク１の容量が大型化すればするほどタンクが
破損した時の危険も増大する。
１の容量を例えば１０〆程度に大容量化することである
。ところが原料タンク１を大容量化すると次のような問
題が生じるため、実際的にはこのような手段を採用する
のは無理である。■ 原料タンクの昇温、冷却に手間ど
り、作業が迅速に進まない。＠ 原料液自体が有毒又は
腐触性の場合が多く、しかも原料と大気中の水分とか反
応して生ずるガスも有毒あるし、は腐触性の場合もある
ため、タンク１の容量が大型化すればするほどタンクが
破損した時の危険も増大する。
■ タンク内に原料液が滞留し加熱される時間が長くな
るので、種類によっては原料液が変質する虜がある。
るので、種類によっては原料液が変質する虜がある。
このように、原料タンク１を大型化すると新たな問題が
生じるため、このような手段は採用されず、従って原料
ガスの長時間連続供給は実現されなかつた。
生じるため、このような手段は採用されず、従って原料
ガスの長時間連続供給は実現されなかつた。
本発明は上述した従来技術に鑑み、原料液を補給するサ
ービスタンクを設けることにより長時間連続運転を可能
とした原料ガス供Ｖ給装置を提供することを目的とする
ものであって、その構成は原料液を収容する原料タンク
に加熱ヒータが装着されると共に該原料タンクに該タン
ク内に気化した原料ガスを、飽和蒸気圧を利用して反応
容器へ導く配管が俵続されてなる原料ガス供給装置にお
いて、原料液を貯溜するサービスタンクが補給管を介し
て上記原料タンクに蓮通されると共に該サービスタンク
から原料タンクに原料液を圧送する手段とが具えられる
ことを特徴とする。
ービスタンクを設けることにより長時間連続運転を可能
とした原料ガス供Ｖ給装置を提供することを目的とする
ものであって、その構成は原料液を収容する原料タンク
に加熱ヒータが装着されると共に該原料タンクに該タン
ク内に気化した原料ガスを、飽和蒸気圧を利用して反応
容器へ導く配管が俵続されてなる原料ガス供給装置にお
いて、原料液を貯溜するサービスタンクが補給管を介し
て上記原料タンクに蓮通されると共に該サービスタンク
から原料タンクに原料液を圧送する手段とが具えられる
ことを特徴とする。
以下、本発明の原料ガス供給装置を実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図に本発明の一実施例を示す。
同図に示すように気密な原料タンク１には原料液２が収
容されると共に該タンクの外周面にはヒータ３が装着さ
れてる。該原料タンク１の上面に配管５の一端が接続さ
れる一方、該配管５の他端は反応容器（図示省略）に接
続されており、原料タンク１内で気化した原料ガス４は
その飽和蒸気圧により配管５に導かれ、反応容器に供給
されるようになっている。この配管５には流量制御装置
６及びトラップ７が介装される。該流量制御装置６とし
ては質量流量計が広く使用される。トラップ７は配管５
内で凝縮した原料液滴が流量制御装置６へ入り込むのを
防いで該装置６の機能を保持する機器である。また上記
原料タンクー及びトラップ７に配管５を着脱するために
配管５の接続端にはそれぞれ手動バルブ９，１０，１１
が取り付けられる一方、トラップ７には溜った原料液滴
を抜き取るための手動バルブ１２が取り付けられている
。更に上記流量制御装置６の入口側に窒素ガス導入用の
配管が接続されると共にこの配管にェア駆動弁が介装さ
れる一方、該装置６の入口側の配管５にもェア駆動弁が
介装されている。従って、これらェア駆動弁１３，１４
を操作することで原料の供給隊と非供給時とを切り替え
て非供給時には窒素ガスを導入することができるように
なっている。またこのような配管５、流量制御装置６、
トラップ７等はすべてブース１５内に収納され、該ブー
ス１５内には熱風発生器１６が設けられている。従って
、これら配管、機器等を原料タンク１よりも高い温度に
維持して、原料ガス４の再凝縮を防止できるようになっ
ている。更に、本発明においては上記原料タンク１に原
料液を補給するサービスタンク２１が設けられている。
容されると共に該タンクの外周面にはヒータ３が装着さ
れてる。該原料タンク１の上面に配管５の一端が接続さ
れる一方、該配管５の他端は反応容器（図示省略）に接
続されており、原料タンク１内で気化した原料ガス４は
その飽和蒸気圧により配管５に導かれ、反応容器に供給
されるようになっている。この配管５には流量制御装置
６及びトラップ７が介装される。該流量制御装置６とし
ては質量流量計が広く使用される。トラップ７は配管５
内で凝縮した原料液滴が流量制御装置６へ入り込むのを
防いで該装置６の機能を保持する機器である。また上記
原料タンクー及びトラップ７に配管５を着脱するために
配管５の接続端にはそれぞれ手動バルブ９，１０，１１
が取り付けられる一方、トラップ７には溜った原料液滴
を抜き取るための手動バルブ１２が取り付けられている
。更に上記流量制御装置６の入口側に窒素ガス導入用の
配管が接続されると共にこの配管にェア駆動弁が介装さ
れる一方、該装置６の入口側の配管５にもェア駆動弁が
介装されている。従って、これらェア駆動弁１３，１４
を操作することで原料の供給隊と非供給時とを切り替え
て非供給時には窒素ガスを導入することができるように
なっている。またこのような配管５、流量制御装置６、
トラップ７等はすべてブース１５内に収納され、該ブー
ス１５内には熱風発生器１６が設けられている。従って
、これら配管、機器等を原料タンク１よりも高い温度に
維持して、原料ガス４の再凝縮を防止できるようになっ
ている。更に、本発明においては上記原料タンク１に原
料液を補給するサービスタンク２１が設けられている。
即ち気密なサービスタンク２１には原料液２が貯溜され
ると共に補給管２３の一端がサービスタンク上面から原
料液２の中まで差し込まれる一方、補給管２３の他端は
前記原料タンク上面から原料液２まで差し込まれている
。更にサービスタンク２１には高圧気体２２が封入され
、該気体２２の圧力と原料タンク１の蒸気圧との圧力差
により原料液２が補給管２３を通って原料タンク１へ圧
送されるようになっている。このように飽和蒸気圧を高
圧気体との圧力差により原料液を圧送する場合には、補
給管２３の一端をサービスタンク２１の原料液中まで差
し込む必要はあるが、必ずしも補給管２３の他端を原料
タンク１の原料液中まで差し込む必要はない。該補給管
２３にはェア駆動弁２４、流量制御弁２５及び逆止弁２
６が介袋されている。該流量制御弁は原料タンク１に補
給される原料液の流量を所定量に制御する弁であり、通
常ニードル弁あるいはメタリング弁が使用される。逆止
弁２６は原料液が逆流するのを防止する弁である。ヱア
駆動弁２４は補給管２３を開閉する弁であり、例えば原
料タンク１の液量を検知する手段を付設してこれとヱア
駆動弁２４を連動させれば自動的に原料液を補給するこ
とも可能である。また、ヱァ駆動弁２４を一定時間ごと
に開閉して原料タンクーに原料液を自動的に補給するよ
うにしても良い。尚、ェア駆動弁２４及び流量制御弁２
５に代えてこれらと同等の機能を有する自動可変流量制
御弁を設けることもでき、そうするとコンパクトになり
設計上有利である。上記構成を有する本発明の原料ガス
供孫合装置において、原料タンク１に原料液２を補給す
るには次のようにして行う。まずサービスタンク２１に
封入される高圧気体２２の圧力を原料タンク内の原料ガ
ス４の飽和蒸気圧よりも高く設定する。次いでェア駆動
弁２４により補給管２３を開く。するとサービスタンク
内の原料はこれらの差圧により補給管２３を通って原料
タンク１へ流れ込み、補給される。補給する量は流量制
御弁２５により任意に調節できる。また補給管２３には
逆止弁２６が介設されているので、誤って高圧気体２２
の圧力を飽和蒸気圧よりも低く設定しても原料液が逆流
することはない。このように本発明ではサービスタンク
２１から原料タンクーに原料液を圧送して補給する手段
を具えているため、原料ガス４の供給中、つまり原料タ
ンク内に飽和蒸気圧が生起している時でも原料液を補給
できる。
ると共に補給管２３の一端がサービスタンク上面から原
料液２の中まで差し込まれる一方、補給管２３の他端は
前記原料タンク上面から原料液２まで差し込まれている
。更にサービスタンク２１には高圧気体２２が封入され
、該気体２２の圧力と原料タンク１の蒸気圧との圧力差
により原料液２が補給管２３を通って原料タンク１へ圧
送されるようになっている。このように飽和蒸気圧を高
圧気体との圧力差により原料液を圧送する場合には、補
給管２３の一端をサービスタンク２１の原料液中まで差
し込む必要はあるが、必ずしも補給管２３の他端を原料
タンク１の原料液中まで差し込む必要はない。該補給管
２３にはェア駆動弁２４、流量制御弁２５及び逆止弁２
６が介袋されている。該流量制御弁は原料タンク１に補
給される原料液の流量を所定量に制御する弁であり、通
常ニードル弁あるいはメタリング弁が使用される。逆止
弁２６は原料液が逆流するのを防止する弁である。ヱア
駆動弁２４は補給管２３を開閉する弁であり、例えば原
料タンク１の液量を検知する手段を付設してこれとヱア
駆動弁２４を連動させれば自動的に原料液を補給するこ
とも可能である。また、ヱァ駆動弁２４を一定時間ごと
に開閉して原料タンクーに原料液を自動的に補給するよ
うにしても良い。尚、ェア駆動弁２４及び流量制御弁２
５に代えてこれらと同等の機能を有する自動可変流量制
御弁を設けることもでき、そうするとコンパクトになり
設計上有利である。上記構成を有する本発明の原料ガス
供孫合装置において、原料タンク１に原料液２を補給す
るには次のようにして行う。まずサービスタンク２１に
封入される高圧気体２２の圧力を原料タンク内の原料ガ
ス４の飽和蒸気圧よりも高く設定する。次いでェア駆動
弁２４により補給管２３を開く。するとサービスタンク
内の原料はこれらの差圧により補給管２３を通って原料
タンク１へ流れ込み、補給される。補給する量は流量制
御弁２５により任意に調節できる。また補給管２３には
逆止弁２６が介設されているので、誤って高圧気体２２
の圧力を飽和蒸気圧よりも低く設定しても原料液が逆流
することはない。このように本発明ではサービスタンク
２１から原料タンクーに原料液を圧送して補給する手段
を具えているため、原料ガス４の供給中、つまり原料タ
ンク内に飽和蒸気圧が生起している時でも原料液を補給
できる。
従って本発明装置では従前と異なり原料液を充填するた
めに運転を中断する必要がなく、長時間連続運転が可能
である。更に長時間連続運転が可能なため、従前問題で
あった■充填作業の煩雑、■製造効率の低下が解消され
、また本発明では原料タンクーを大型化する必要がなく
、前述した■■■の問題も生じることはない。更に、上
記実施例において、原料タンク１に液面検出器（２位置
検出）を設けて、この検出値に基づいてェァ駆動弁２４
を制御するようにすれば、原料タンク１に存在する原料
液を更に一定の量に維持することもできる。
めに運転を中断する必要がなく、長時間連続運転が可能
である。更に長時間連続運転が可能なため、従前問題で
あった■充填作業の煩雑、■製造効率の低下が解消され
、また本発明では原料タンクーを大型化する必要がなく
、前述した■■■の問題も生じることはない。更に、上
記実施例において、原料タンク１に液面検出器（２位置
検出）を設けて、この検出値に基づいてェァ駆動弁２４
を制御するようにすれば、原料タンク１に存在する原料
液を更に一定の量に維持することもできる。
尚、原料タンク１にサービスタンク２１から温度差のあ
る原料液を補給するので原料タンク１の液温が低下する
が、その温度低下は十分小さく通常の使用条件では全く
問題にならない。
る原料液を補給するので原料タンク１の液温が低下する
が、その温度低下は十分小さく通常の使用条件では全く
問題にならない。
例えば仮に原料タンク１の温度調整機能が動作しなかっ
たとして、原料タンク１内の１分間の温度変化を下表に
示す設定条件で試算すると次の様になる。上記表値に基
づいて計算すると、原料タンク１の原料液重量は下記川
に示すように２．２２ｋ９になり、更に温度変化を計算
すると下記｛ｏ｝に示すように０．１８ｑｏとなる。こ
のように１分間に０．１８３そ×１／２×１．４８ｋ９
／そ＝２．２ｋ９ ………（イ）８ぴ。−２．２２ｋ
９×８ぴＣ−も８×２ぴＣ＝〇．１８℃２．２２ｋ９十
心女 ・…・・（ロ）℃しか温度が低下
せず、何ら実用上の不具合はないと考えられる。また温
度低下を零にする必要性はないと考えられるものの、補
給用配管２３をテープヒータ等で加熱温調したり、補給
用配管２３をブース１５内に取り込めば、温度低下を更
に零に近づけることも可能である。以上、実施例に基づ
いて具体的に説明したように本発明は長時間連続運転が
可能であり、このため種々の利点を有する。
たとして、原料タンク１内の１分間の温度変化を下表に
示す設定条件で試算すると次の様になる。上記表値に基
づいて計算すると、原料タンク１の原料液重量は下記川
に示すように２．２２ｋ９になり、更に温度変化を計算
すると下記｛ｏ｝に示すように０．１８ｑｏとなる。こ
のように１分間に０．１８３そ×１／２×１．４８ｋ９
／そ＝２．２ｋ９ ………（イ）８ぴ。−２．２２ｋ
９×８ぴＣ−も８×２ぴＣ＝〇．１８℃２．２２ｋ９十
心女 ・…・・（ロ）℃しか温度が低下
せず、何ら実用上の不具合はないと考えられる。また温
度低下を零にする必要性はないと考えられるものの、補
給用配管２３をテープヒータ等で加熱温調したり、補給
用配管２３をブース１５内に取り込めば、温度低下を更
に零に近づけることも可能である。以上、実施例に基づ
いて具体的に説明したように本発明は長時間連続運転が
可能であり、このため種々の利点を有する。
第１図は従来の原料ガス供給装置の概略構成図、第２図
は本発明の原料ガス供Ｖ給装置の一実施例にかかる概略
構成図である。 図面中、１は原料タンク、２は原料液、３は加熱ヒータ
、４は原料ガス、５は配管、６は流量制御装置、７はト
ラップ、８〜１２は手動弁、１３，１４，２４はェア駆
動弁、１５はブース、１６は熱風発生器、２１‘まサー
ビスタンク、２２は高圧気体、２３は補給管、２５は流
量制御弁、２６は逆止弁である。 第１図 第２図
は本発明の原料ガス供Ｖ給装置の一実施例にかかる概略
構成図である。 図面中、１は原料タンク、２は原料液、３は加熱ヒータ
、４は原料ガス、５は配管、６は流量制御装置、７はト
ラップ、８〜１２は手動弁、１３，１４，２４はェア駆
動弁、１５はブース、１６は熱風発生器、２１‘まサー
ビスタンク、２２は高圧気体、２３は補給管、２５は流
量制御弁、２６は逆止弁である。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 原料液を収容する原料タンクに加熱ヒータが装着さ
れると共に該原料タンクに、該タンク内で気化した原料
ガスを、その飽和蒸気圧を利用して反応容器へ導く配管
が接続されてなる原料ガス供給装置において、原料液を
貯溜するサービスタンクが補給管を介して上記原料タン
クに連通されると共に該サービスタンクから原料タンク
に原料液を圧送する手段とが具えられることを特徴とす
る原料ガス供給装置。 ２ 特許請求の範囲第１項におけるサービスタンクから
原料タンクに原料液を圧送する手段として、上記サービ
スタンク内には原料タンク中の飽和蒸気圧よりも高圧な
気体が封入されると共に上記補給管には管路を開閉する
弁が具えられることを特徴とする原料ガス供給装置。 ３ 特許請求の範囲第１項において、原料タンクには原
料液の液量を検出する手段が具えられる一方、該手段と
連動して自動的にあるいは手動により管路を開閉する弁
が上記補給管に具えられることを特徴とする原料ガス供
給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201859A JPS6031777B2 (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 原料ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201859A JPS6031777B2 (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 原料ガス供給装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10487186A Division JPS61295249A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 原料ガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992933A JPS5992933A (ja) | 1984-05-29 |
| JPS6031777B2 true JPS6031777B2 (ja) | 1985-07-24 |
Family
ID=16448066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57201859A Expired JPS6031777B2 (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 原料ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031777B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6171832A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
| GB0718801D0 (en) * | 2007-09-25 | 2007-11-07 | P2I Ltd | Vapour delivery system |
| GB0802687D0 (en) * | 2008-02-14 | 2008-03-19 | P2I Ltd | Vapour delivery system |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144920A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Toshiba Ceramics Co | Production of quartz glass for photoconductive fiber |
| JPS5411406A (en) * | 1977-06-28 | 1979-01-27 | Toshiba Corp | Rotary machine |
| JPS553308A (en) * | 1978-06-13 | 1980-01-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Glass raw material feeder |
| JPS55116640A (en) * | 1979-03-01 | 1980-09-08 | Corning Glass Works | Evaporation device for forming optical fiber material |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604977Y2 (ja) * | 1980-05-16 | 1985-02-15 | 日本電信電話株式会社 | 光フアイバ母材製造用原料供給装置 |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57201859A patent/JPS6031777B2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144920A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Toshiba Ceramics Co | Production of quartz glass for photoconductive fiber |
| JPS5411406A (en) * | 1977-06-28 | 1979-01-27 | Toshiba Corp | Rotary machine |
| JPS553308A (en) * | 1978-06-13 | 1980-01-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Glass raw material feeder |
| JPS55116640A (en) * | 1979-03-01 | 1980-09-08 | Corning Glass Works | Evaporation device for forming optical fiber material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5992933A (ja) | 1984-05-29 |
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