JPH0345592A - 液体の気化装置 - Google Patents
液体の気化装置Info
- Publication number
- JPH0345592A JPH0345592A JP18054389A JP18054389A JPH0345592A JP H0345592 A JPH0345592 A JP H0345592A JP 18054389 A JP18054389 A JP 18054389A JP 18054389 A JP18054389 A JP 18054389A JP H0345592 A JPH0345592 A JP H0345592A
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- Japan
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- liquid
- gas
- carrier gas
- vaporizer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、ソースガスをガス化して気相成長装置に供給
するために用いる液体の気化装置に関する。
するために用いる液体の気化装置に関する。
〔従来の技術１
第３図に示すように、気相成長による半導体製造装置に
おいて、従来、液体３の気化装置１は、キャリアガス２
吹込み型の気化装置ｌを用いたものである。
おいて、従来、液体３の気化装置１は、キャリアガス２
吹込み型の気化装置ｌを用いたものである。
気化装置１に吹き込まれたキャリアガス２は泡４Ｐ ｆ
ｒ ｎ−違法３中＆ｌ−界オる聞にその別の中の液体の
蒸気圧が高まる。これによって得られたキャリアガス中
の蒸気が気相成長装置ではソースガスとなり、配管５を
経て半導体製造装置（気相成長装置）に送られる。
ｒ ｎ−違法３中＆ｌ−界オる聞にその別の中の液体の
蒸気圧が高まる。これによって得られたキャリアガス中
の蒸気が気相成長装置ではソースガスとなり、配管５を
経て半導体製造装置（気相成長装置）に送られる。
蒸発が進むと気化装置ｌ中の液体３の液面高さが下がる
。キャリアガス２が液中で泡となっている期間（泡の寿
命）に対する最終的な泡中の液体の蒸気圧は第４図に示
すグラフのようになり、液体３の液面が下がると泡が液
中な上昇する時間が短くなり、したがって、泡４の寿命
が短くなり、キャリアガス中の液体の蒸気圧が減少し、
気化装置ｌから排出されるソースガスの濃度が減少する
。
。キャリアガス２が液中で泡となっている期間（泡の寿
命）に対する最終的な泡中の液体の蒸気圧は第４図に示
すグラフのようになり、液体３の液面が下がると泡が液
中な上昇する時間が短くなり、したがって、泡４の寿命
が短くなり、キャリアガス中の液体の蒸気圧が減少し、
気化装置ｌから排出されるソースガスの濃度が減少する
。
気相成長装置における膜の成長速度はソースガスの濃度
に依存するため、気化装置ｌの液面の高さが減少すると
成長速度も減少してしまい一定の成長速度が得られなく
なってしまう。
に依存するため、気化装置ｌの液面の高さが減少すると
成長速度も減少してしまい一定の成長速度が得られなく
なってしまう。
〔発明が解決しようとする課題］
肘えば、気相成長装置の膜の成長速度は気化装置１の取
替えバッチごとに第５図に示すようむ恋動を示して推移
する。本発明はこのような成長速度の低下（不均一化）
を防止した技術を提供することを目的とするものである
。
替えバッチごとに第５図に示すようむ恋動を示して推移
する。本発明はこのような成長速度の低下（不均一化）
を防止した技術を提供することを目的とするものである
。
〔課題を解決するための手段］
本発明は、第１図に示すように、キャリアガス吹込み型
液体気化装置１．１ａ、・・・を複数個直列に接続する
技術手段によって上記問題点を解決したものである。
液体気化装置１．１ａ、・・・を複数個直列に接続する
技術手段によって上記問題点を解決したものである。
［作用］
本発明ではキャリアガス吹込み型液体気化装置を複数直
列に接続することによって、例えば気化装置１、ｌａを
直列に接続することによって、２段目の気化装置１ａに
おいては、吹込まれるキャリアガスがすでに１段目の気
化装置ｌにおいである程度の液体の蒸気を含んだガスが
吹込まれる。
列に接続することによって、例えば気化装置１、ｌａを
直列に接続することによって、２段目の気化装置１ａに
おいては、吹込まれるキャリアガスがすでに１段目の気
化装置ｌにおいである程度の液体の蒸気を含んだガスが
吹込まれる。
したがって２段目の気化装置１ａ内の泡の寿命に対する
泡中の液体の蒸気圧のグラフは第６図のようになり、１
段目の気化装置の液面高さがソースガス濃度に及ぼす影
響は非常に小さくなる。
泡中の液体の蒸気圧のグラフは第６図のようになり、１
段目の気化装置の液面高さがソースガス濃度に及ぼす影
響は非常に小さくなる。
［実施例］
第１図に示すように、２段式の液体の気化装置１．１ａ
をシリコンエピタキシャル成長装置に用いた例を示す。
をシリコンエピタキシャル成長装置に用いた例を示す。
キャリアガスはＨ２、ソースガスとなる液体はＳ ｉ
ＨＣ２３である。第１段目の気化装置１の液面が下がっ
ても第２段目の気化装置１ａの液面が残っているので第
１段目の気化装置ｌの取替えバッチごとの成長速度の低
下は少なく、結局シリコンの成長速度の変動は第２図に
示すように非常に小さくなった。
ＨＣ２３である。第１段目の気化装置１の液面が下がっ
ても第２段目の気化装置１ａの液面が残っているので第
１段目の気化装置ｌの取替えバッチごとの成長速度の低
下は少なく、結局シリコンの成長速度の変動は第２図に
示すように非常に小さくなった。
液体の気化装置１の容器の大きさが１００℃、ソースガ
ス消費量４℃／ ｍ ｉ ｎの装置では、気化装置を単
独で用いた時の交換時間は約３００時間であった。実施
例の２段式としたところ、第２段目の交換時間は約４０
００時間となった。
ス消費量４℃／ ｍ ｉ ｎの装置では、気化装置を単
独で用いた時の交換時間は約３００時間であった。実施
例の２段式としたところ、第２段目の交換時間は約４０
００時間となった。
本発明の装置によれば、気相成長装置の成長速度の変動
を著しく減少させることができる。
を著しく減少させることができる。
第１図は本発明の実施例装置の模式図、第２図は成長速
度の変動を示すグラフ、第３図は従来の気化装置の模式
図、第４図は泡の寿命とキャリアガス中のソースガス蒸
気圧との関係を示すグラフ、第５図は成長速度の変動を
示すグラフ、第６図は第２段目の気化装置内の泡の寿命
と蒸気圧の関係を示すグラフである。 １、ｌａ・・・気化装置 ２・・・キャリアガス３・
・・液体 ４・・・泡５・・・出口配管
度の変動を示すグラフ、第３図は従来の気化装置の模式
図、第４図は泡の寿命とキャリアガス中のソースガス蒸
気圧との関係を示すグラフ、第５図は成長速度の変動を
示すグラフ、第６図は第２段目の気化装置内の泡の寿命
と蒸気圧の関係を示すグラフである。 １、ｌａ・・・気化装置 ２・・・キャリアガス３・
・・液体 ４・・・泡５・・・出口配管
Claims (1)
- １液体をガス化して気相成長装置に供給する気化装置に
おいて、キャリアガス吹込み型液体気化装置を複数直列
に接続したことを特徴とする液体の気化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18054389A JPH0345592A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 液体の気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18054389A JPH0345592A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 液体の気化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345592A true JPH0345592A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16085115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18054389A Pending JPH0345592A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 液体の気化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0345592A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5702532A (en) * | 1995-05-31 | 1997-12-30 | Hughes Aircraft Company | MOCVD reactor system for indium antimonide epitaxial material |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18054389A patent/JPH0345592A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5702532A (en) * | 1995-05-31 | 1997-12-30 | Hughes Aircraft Company | MOCVD reactor system for indium antimonide epitaxial material |
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