KR890007368A - 화합물 반도체 제조 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 화합물 반도체 제조장치에 대한 한 실시예를 블록도, 제5도는 본 발명의 제2실시에에 대한 개략적 블록도, 제6도는 제2실시예의 변형실시예를 도시한 개략적 블록도.
Claims (15)
- 캐리어기체(10)를 유도하여 유기금속화합물을 가화시키는 버블러(18)와, 기화된 유기금속화합물을 유도하여 기판(15)상에 반도체 결정을 기상성장시키는 반응관(14)을 구비하는 화합물 반도체 제조장치에 있어서, 상기 버블러(18)와 반응관(14)사이에 설치되어 기화된 유기금속화합물의 유속을 정밀하게 조절하는 제1장치와, 상기 버블러(18)의 출구측에서 기화된 유기금속화합물의 압력을 검출하는 제2장치와, 버블러(18)의 입구측에 설치되어 제2장치로 부터의 출력신호에 따라서 캐리어기체(10)의 유속을 조절하는 제3장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 제1항에 있어서, 제2장치는 기화된 유기금속화합물의 압력을 검출하는 압력센서(1)와 ; 압력센서(1)로부터의 출력신호가 기화된 유기금속화합물의 바람직한 압력을 나타내는 기준신호에 응동하는 신호처리회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 버블러(18)에 담겨진 유기금속화합물 온도를 일정하게 유지시켜주기 위한 장치를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 유입된 캐리어기체(10)를 이용하여 유기금속화합물을 기화시키는 버블러(18)와, 기화된 유기금속화합물을 유입시켜 기관(15)상에 반도체 결정을 기상성장시키는 용도로 이용되는 반응관(14)과, 기화된 상기 유기금속화합물을 배출시키기 위해 배기파이프(21)를 개재하여 반응관(14)의 출구와 연통접속되는 배기장치(23)를 구비하는 화합물 반도체 제조장치에 있어서, 배기가스의 압력에 응답하여 반응관(14)내의 기화된 유기금속화합물 압력을 일정하게 유지시켜 주는 장치를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 제4항에 있어서 상기 장치는 반응관(14)으로 부터 배출된 배기가스의 압력을 검출하는 장치와, 반응관(14)의 출구측에 인근한 부위에서 반응관(14)에 불활성기체를 공급하는 장치와, 상기 배기가스의 압력에 따라서 불활성 기체의 유속을 조절하는 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 제4항에 있어서, 상기 장치는 반응관(14)으로 부터 배출되는 배기가스의 유속을 조절하는 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 제5항에 있어서, 상기 장치는 반응관(14)으로 부터 배출되는 배기가스의 압력을 검출하기 위한 장치와, 반응과(14)의 출구측에 접속된 배기파이프(21)로 불활성기체를 공급하기 위한 장치와, 상기 배기가스의 압력에 따라서 불활성 기체의 유속을 조절하는 장치 등으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 기화된 유기금속화합물을 유도하여 서셉터(16)에 수반된 기판(15)상에 반도체결정을 기상성장시키는데 이용되는 반응관(14)을 구비하는 화합물 반도체 제조장치에 있어서, 반응관(14)은 수평형의 반응관이어서 기화된 유기금속화합물이 기판(15)에 수평방향으로 공급되고, 세셉터(16)의 상부면(43)은 수평면에 대해서 45℃보다 작은 각도로 경사져 있으며, 서셉터(16)의 상부면(43)에 직각인 중심축을 중심으로 상기 서셉터(16)를 회전시키는 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 제8항에 있어서, 서셉터(16)은 세셉터지지판(18)을 구비하는 서셉터호울러(19)와, 서셉터(16)의 저면과 서셉터지지판(18)사이에 삽입되는 탄소로 만든 회전자재의 이격기(17)에 의해서 반응관(14)내에 지지되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 제8항에 있어서, 반응관(14)내의 압력을 일정하게 유지시켜주는 장치를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 제10항에 있어서, 상기 일정압력 유지장치는 반응관(14)으로 부터 배출되는 배기가스의 압력을 검출하는 장치와, 반응관(14)의 출구측에 인근한 부위에서 반응관(14)에 불활성 기체를 공급하는 장치와, 상기 배기가스의 압력에 따라서 불활성 기체의 유속을 조절하는 장치 등으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 제10항에 있어서, 상기 일절압력 유지장치는 반응관(14)으로부터 배출되는 배기가스의 유속을 조절하는 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 제12항에 있어서, 상기 일정압력 유지장치는 반응관(14)으로 부터 배출되는 배기가스의 압력을 검출하는 장치와, 반응관(14)의 출구에 접속된 배기파이프(21)에 불활성기체를 공급하는 장치와, 배기가스의 압력에 따라서 불활성 기체의 유속을 조절하는 장치 등으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 캐리어기체(10)를 유입하여 유기금속화합물을 기화시키는 버블러(18)와, 기화된 유기금속화합물을 유입시켜 서셉터(16)에 수반된 기판(15)상에 반도체결정을 기상 성장시키는 반응관(14)을 구비하는 화합물 반도체 제조장치에 있어서, 상기 버블러(18)와 반응관(14)사이에 설치되어 기화된 유기금속화합물 유속을 정확히 조절하는 제1장치와, 버블러(18)의 출구측에서 기화된 유기금속화합물 압력을 검출하는 제2장치와, 버블러(18)의 입구측에 설치되어 상기 제2장치로 부터의 출력신호에 따라서 캐리어기체(10)의 유속을 조절하는 제3장치를 포함하고, 상기 반응관(14)은 수평형반응관 이어서 기화된 유기금속화합물이 기판(15)에 수평방향으로 공급되며, 상기 서셉터(16)의 상부면(43)은 수평면에 대하여 45℃보다 작은 각도로 경사져 있고, 서셉터(16)의 상부면(43)에 직각인 중심축을 주심으로 서셉터(16)를 회전시키는 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.
- 캐리어기체(10)를 유입시켜 유기금속화합물을 기화시키는 버블러(18)와, 기화된 유기금속화합물을 유입시켜, 기판(15)상에 반도체결정을 가상성장시키는 반응관(14)과, 반응관(14)내에서 기화된 유기금속화합물을 배출시키기 위해 배기파이프(21)를 개제하여 반응관(14)의 출구와 연통접속되는 배기장치(23)를 구비하는 화합물 반도체 제조장치에 있어서, 버블러(18)와 반응관(14)사이에 설치되어 기화된 유기금속화합물의 유속을 정밀하게 조절하는 제1장치와, 버블러(180의 출구측에서 기화된 유기금속화합물 압력을 검출하는 제2장치와, 버블러(18)의 입구측에 설치되어 제2장치로 부터의 출력신호에 따라서 캐리어기체(10)의 유속을 조절하는 제3장치와, 배기가스의 압력에 응답하여 반응관(14)내의 기화된 유기금속화합물 압력을 일정하게 유지시키고 제4장치 등을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 제조장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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