JPH04342434A - 光ファイバ母材製造装置 - Google Patents
光ファイバ母材製造装置Info
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- JPH04342434A JPH04342434A JP14239791A JP14239791A JPH04342434A JP H04342434 A JPH04342434 A JP H04342434A JP 14239791 A JP14239791 A JP 14239791A JP 14239791 A JP14239791 A JP 14239791A JP H04342434 A JPH04342434 A JP H04342434A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
-
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- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、化学気相蒸着法によ
り石英系ガラスの光ファイバ用母材を製造する光ファイ
バ母材製造装置に関する。
り石英系ガラスの光ファイバ用母材を製造する光ファイ
バ母材製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学気相蒸着法による光ファイバ母材製
造装置では、火炎加水分解反応などにより石英系ガラス
（二酸化シリコン）の微粒子を合成し、これを堆積させ
て多孔質の光ファイバ母材を製造する。反応系へ供給す
る原料としては、四塩化シリコン（ＳｉＣｌ４）、四塩
化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）、四塩化チタン（ＴｉＣ
ｌ４）、四塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ４）などが用い
られ、これらが気体の状態で反応系に導かれる。これら
の原料ガスはその流量が測定され、流量制御されること
によって原料の供給量が調整される。
造装置では、火炎加水分解反応などにより石英系ガラス
（二酸化シリコン）の微粒子を合成し、これを堆積させ
て多孔質の光ファイバ母材を製造する。反応系へ供給す
る原料としては、四塩化シリコン（ＳｉＣｌ４）、四塩
化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）、四塩化チタン（ＴｉＣ
ｌ４）、四塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ４）などが用い
られ、これらが気体の状態で反応系に導かれる。これら
の原料ガスはその流量が測定され、流量制御されること
によって原料の供給量が調整される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の光ファイバ母材製造装置では、特性の安定
した光ファイバ母材を得ることができないという問題が
ある。すなわち、原料の供給量はその濃度と流量との積
であるにもかかわらず、流量のみ制御するだけでは濃度
変化に対応できず、結局、含有成分の濃度が安定した光
ファイバ母材を得ることができない。とくに、原料ガス
が他のキャリア等のガスにより希釈された状態で供給さ
れている系では濃度が変化するので問題である。
ような従来の光ファイバ母材製造装置では、特性の安定
した光ファイバ母材を得ることができないという問題が
ある。すなわち、原料の供給量はその濃度と流量との積
であるにもかかわらず、流量のみ制御するだけでは濃度
変化に対応できず、結局、含有成分の濃度が安定した光
ファイバ母材を得ることができない。とくに、原料ガス
が他のキャリア等のガスにより希釈された状態で供給さ
れている系では濃度が変化するので問題である。
【０００４】この発明は、上記に鑑み、特性の安定した
光ファイバ母材を得ることができるように改善した光フ
ァイバ母材製造装置を提供することを目的とする。
光ファイバ母材を得ることができるように改善した光フ
ァイバ母材製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明による光ファイバ母材製造装置においては
、化学反応によって石英系ガラスの微粒子を合成する反
応系に供給する原料ガスの流量を測定するとともに、そ
の原料ガスの濃度を測定し、この濃度と流量との積を算
出し、この積があらかじめ設定した値になるように、原
料ガスの供給系をフィードバック制御することが特徴と
なっており、これによって、反応系に送り込まれる原料
の供給量を一定とし、光ファイバ母材の含有成分の濃度
を安定化して、特性の安定した光ファイバ母材を得る。
め、この発明による光ファイバ母材製造装置においては
、化学反応によって石英系ガラスの微粒子を合成する反
応系に供給する原料ガスの流量を測定するとともに、そ
の原料ガスの濃度を測定し、この濃度と流量との積を算
出し、この積があらかじめ設定した値になるように、原
料ガスの供給系をフィードバック制御することが特徴と
なっており、これによって、反応系に送り込まれる原料
の供給量を一定とし、光ファイバ母材の含有成分の濃度
を安定化して、特性の安定した光ファイバ母材を得る。
【０００６】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら詳細に説明する。図１において、原料気化装
置１にヘリウムやアルゴンなどのキャリアガスが供給さ
れて原料が気化される。これにより所望の成分が含ませ
られたガスが得られ、これが分岐器２を経て反応系へと
送られる。原料気化装置１はたとえば液体の原料中にキ
ャリアガスを送って気泡を発生させてその気泡中の気体
に原料液の蒸気を飽和させる飽和器などからなる。反応
系は、たとえば酸水素火炎中に四塩化シリコンを導入し
て加水分解反応により石英系ガラス微粒子である二酸化
シリコン微粒子を生成するものからなる。
照しながら詳細に説明する。図１において、原料気化装
置１にヘリウムやアルゴンなどのキャリアガスが供給さ
れて原料が気化される。これにより所望の成分が含ませ
られたガスが得られ、これが分岐器２を経て反応系へと
送られる。原料気化装置１はたとえば液体の原料中にキ
ャリアガスを送って気泡を発生させてその気泡中の気体
に原料液の蒸気を飽和させる飽和器などからなる。反応
系は、たとえば酸水素火炎中に四塩化シリコンを導入し
て加水分解反応により石英系ガラス微粒子である二酸化
シリコン微粒子を生成するものからなる。
【０００７】この反応系に送られる原料ガスの流量は流
量計３によって測定される。また、分岐器２で分岐され
た原料ガスの流量も流量計４によって測定される。この
分岐された原料ガスはガス混合器６に送られ、希釈ガス
と混合される。この希釈ガスは、ヘリウム、アルゴン、
窒素などの適当なガスよりなり、流量計５でその流量が
測定されている。
量計３によって測定される。また、分岐器２で分岐され
た原料ガスの流量も流量計４によって測定される。この
分岐された原料ガスはガス混合器６に送られ、希釈ガス
と混合される。この希釈ガスは、ヘリウム、アルゴン、
窒素などの適当なガスよりなり、流量計５でその流量が
測定されている。
【０００８】このガス混合器６を経たガスは濃度測定器
７に送られて対象成分の濃度の測定が行われる。この濃
度測定器７はたとえば、紫外線吸収法によるものや赤外
線吸収法によるもの、あるいは質量分析法によるものな
ど適宜な濃度測定器を用いることができる。二種類以上
の濃度測定器を並列あるいは直列に接続して２種類以上
の対象成分を同時に測定するよう構成することも可能で
ある。
７に送られて対象成分の濃度の測定が行われる。この濃
度測定器７はたとえば、紫外線吸収法によるものや赤外
線吸収法によるもの、あるいは質量分析法によるものな
ど適宜な濃度測定器を用いることができる。二種類以上
の濃度測定器を並列あるいは直列に接続して２種類以上
の対象成分を同時に測定するよう構成することも可能で
ある。
【０００９】制御装置８には、流量計３、４、５で測定
された各々の流量データと、濃度測定器７で測定された
濃度データとが送られてきている。この制御装置８では
、まず流量計４、５で測定された流量データからガス混
合器６における希釈割合が求められ、この希釈割合を用
いることにより濃度測定器７からの濃度測定データから
、分岐器２によって分岐された原料ガスの濃度つまり反
応系に送られる原料ガスの濃度が算出される。つぎにこ
うして求めた原料ガス濃度と流量計３で測定した反応系
へ送る原料ガスの流量との積が求められる。そして、こ
の積が設定された一定の値となるように、原料気化装置
１のフィードバック制御が行われる。つまり、原料気化
装置１が上記のような飽和器である場合、キャリアガス
の流量と、飽和器の温度との、２つのファクターのうち
の一方または両方が制御される。
された各々の流量データと、濃度測定器７で測定された
濃度データとが送られてきている。この制御装置８では
、まず流量計４、５で測定された流量データからガス混
合器６における希釈割合が求められ、この希釈割合を用
いることにより濃度測定器７からの濃度測定データから
、分岐器２によって分岐された原料ガスの濃度つまり反
応系に送られる原料ガスの濃度が算出される。つぎにこ
うして求めた原料ガス濃度と流量計３で測定した反応系
へ送る原料ガスの流量との積が求められる。そして、こ
の積が設定された一定の値となるように、原料気化装置
１のフィードバック制御が行われる。つまり、原料気化
装置１が上記のような飽和器である場合、キャリアガス
の流量と、飽和器の温度との、２つのファクターのうち
の一方または両方が制御される。
【００１０】このようなフィードバックループにより、
反応系には、濃度と流量との積が常に等しくなるように
して原料ガスが供給されることになる。つまり、反応系
に対して安定した原料の供給が行われ、その結果、含有
成分の濃度が安定した光ファイバ母材を得ることができ
る。
反応系には、濃度と流量との積が常に等しくなるように
して原料ガスが供給されることになる。つまり、反応系
に対して安定した原料の供給が行われ、その結果、含有
成分の濃度が安定した光ファイバ母材を得ることができ
る。
【００１１】つぎにいくつかの具体例をあげて説明する
。まず、第１の具体例では、原料気化装置１として飽和
器を用い、その中に入れられた液体の四塩化ゲルマニウ
ムにアルゴンガスを導入してバブリングして四塩化ゲル
マニウムを気化した。この四塩化ゲルマニウムのガスを
原料ガスとして反応系に送った。その際、分岐器２で分
岐して一部をガス混合器６に導き、そこで希釈ガスとし
て用いたアルゴンガスにより希釈した。濃度測定器７と
して赤外線吸収計測器を用い、上記の希釈されたガスを
この赤外線吸収計測器に導き、光路となる部分に塩化ナ
トリウム窓を持つフローセルを用いて波数４５３（ｃｍ
−１）の赤外線の吸光度を連続的に測定した。希釈され
たガス中の四塩化ゲルマニウムの濃度Ａ（モル／リット
ル）は上記の測定された吸光度から、あらかじめ求めら
れている濃度と吸光度との関係を示す検量線を用いて求
めた。反応系へ供給する原料ガスの濃度Ｂ（モル／リッ
トル）は上記の濃度Ａを希釈率で除算することにより、
Ｂ＝Ａ×（ｑ＋ｒ）／ｑのように求められる。ここで、
ｑは分岐器２で分岐され流量計４で測定された原料ガス
の流量（リットル／分）であり、ｒは流量計５で測定さ
れた希釈ガスの流量（リットル／分）である。この濃度
Ｂと流量計３で測定された流量ｐ（リットル／分）とに
より、原料（四塩化ゲルマニウム）の供給量が、それら
の積Ｂ×ｐ（モル／分）として計算される。この原料の
供給量があらかじめ設定された値になるように原料気化
装置１をフィードバック制御した。この場合、原料気化
装置１は飽和器であるから、液の温度、あるいはキャリ
アガスとしてのアルゴンガスの流量の一方または両方を
制御した。これにより、特性の安定した光ファイバ母材
が得られた。
。まず、第１の具体例では、原料気化装置１として飽和
器を用い、その中に入れられた液体の四塩化ゲルマニウ
ムにアルゴンガスを導入してバブリングして四塩化ゲル
マニウムを気化した。この四塩化ゲルマニウムのガスを
原料ガスとして反応系に送った。その際、分岐器２で分
岐して一部をガス混合器６に導き、そこで希釈ガスとし
て用いたアルゴンガスにより希釈した。濃度測定器７と
して赤外線吸収計測器を用い、上記の希釈されたガスを
この赤外線吸収計測器に導き、光路となる部分に塩化ナ
トリウム窓を持つフローセルを用いて波数４５３（ｃｍ
−１）の赤外線の吸光度を連続的に測定した。希釈され
たガス中の四塩化ゲルマニウムの濃度Ａ（モル／リット
ル）は上記の測定された吸光度から、あらかじめ求めら
れている濃度と吸光度との関係を示す検量線を用いて求
めた。反応系へ供給する原料ガスの濃度Ｂ（モル／リッ
トル）は上記の濃度Ａを希釈率で除算することにより、
Ｂ＝Ａ×（ｑ＋ｒ）／ｑのように求められる。ここで、
ｑは分岐器２で分岐され流量計４で測定された原料ガス
の流量（リットル／分）であり、ｒは流量計５で測定さ
れた希釈ガスの流量（リットル／分）である。この濃度
Ｂと流量計３で測定された流量ｐ（リットル／分）とに
より、原料（四塩化ゲルマニウム）の供給量が、それら
の積Ｂ×ｐ（モル／分）として計算される。この原料の
供給量があらかじめ設定された値になるように原料気化
装置１をフィードバック制御した。この場合、原料気化
装置１は飽和器であるから、液の温度、あるいはキャリ
アガスとしてのアルゴンガスの流量の一方または両方を
制御した。これにより、特性の安定した光ファイバ母材
が得られた。
【００１２】なお、各原料の赤外線吸収計測器での測定
波数はつぎの表１に示す通りである。
波数はつぎの表１に示す通りである。
【表１】
【００１３】第２の具体例では、原料気化装置１として
飽和器を用い、その中に液体の四塩化チタンを入れてア
ルゴンガスをキャリアガスとして用いてバブリングし、
四塩化チタンの原料ガスを得てこれを反応系に送るとと
もに分岐器２で分岐してガス混合器６に送った。そして
アルゴンガスで混合、希釈した後、濃度測定器７として
用いた紫外線吸収計測器に送り、光路長０．５ｍｍの石
英製フローセルに導き、波長２８０ｎｍの紫外線の吸光
度を連続的に測定した。ここでは吸光度は０．２８１と
測定され、あらかじめ作成した検量線により試料中の四
塩化チタンの濃度Ａは８．９１×１０−４（モル／リッ
トル）と求められた。流量計４、５で測定された流量ｑ
、ｒはともに５．０×１０−３（リットル／分）であっ
たので、分岐された原料ガスの濃度Ｂは０．０１８（モ
ル／リットル）と求められた。一方流量計３で測定され
た流量ｐは０．１７（リットル／分）であったので、反
応系への原料（四塩化チタン）の供給量は０．００３１
（モル／分）と算出された。この値をモニターして飽和
器の温度を制御することにより原料ガスの供給量をコン
トロールして特性の安定した光ファイバ母材を得た。
飽和器を用い、その中に液体の四塩化チタンを入れてア
ルゴンガスをキャリアガスとして用いてバブリングし、
四塩化チタンの原料ガスを得てこれを反応系に送るとと
もに分岐器２で分岐してガス混合器６に送った。そして
アルゴンガスで混合、希釈した後、濃度測定器７として
用いた紫外線吸収計測器に送り、光路長０．５ｍｍの石
英製フローセルに導き、波長２８０ｎｍの紫外線の吸光
度を連続的に測定した。ここでは吸光度は０．２８１と
測定され、あらかじめ作成した検量線により試料中の四
塩化チタンの濃度Ａは８．９１×１０−４（モル／リッ
トル）と求められた。流量計４、５で測定された流量ｑ
、ｒはともに５．０×１０−３（リットル／分）であっ
たので、分岐された原料ガスの濃度Ｂは０．０１８（モ
ル／リットル）と求められた。一方流量計３で測定され
た流量ｐは０．１７（リットル／分）であったので、反
応系への原料（四塩化チタン）の供給量は０．００３１
（モル／分）と算出された。この値をモニターして飽和
器の温度を制御することにより原料ガスの供給量をコン
トロールして特性の安定した光ファイバ母材を得た。
【００１４】第３の具体例では、原料気化装置１として
用いた飽和器に四塩化シリコンと四塩化チタンとの混合
液体を入れ、これにアルゴンガスをバブリングして原料
ガスを得て、この原料ガスを反応系へ入れる前に分岐器
２で分岐し、分岐した一部の原料ガスをガス混合器６で
ヘリウムガスによって希釈し、濃度測定器７へ導いた。 ここでは濃度測定器７として質量分析計を用い、四塩化
シリコンと四塩化チタンとにそれぞれ特有のｍ／ｚ＝１
３５とｍ／ｚ＝１８１（ｍ；質量数、ｚ；電荷数）のフ
ラグメントイオン強度を連続的に測定した。四塩化シリ
コンと四塩化チタンのガス濃度は、あらかじめ求められ
ている濃度とフラグメントイオン強度との関係から求め
た。こうして求めた濃度をガス混合器６での希釈率で除
算することにより、反応系へ送る原料ガスの濃度を求め
た。希釈率は流量計４、５によって計測した流量ｑ、ｒ
により求められる。流量計３で測定した反応系への原料
ガス流量ｐに関するデータを制御装置８に送り、この制
御装置８により、上記の濃度と流量との積を計算するこ
とにより、反応系へ送る四塩化シリコンと四塩化チタン
の供給量（モル／分）をそれぞれ求め、この値が設定さ
れた値になるように原料気化装置１である飽和器の液温
及びキャリアガス流量をフィードバック制御した。これ
により、特性の安定した光ファイバ母材を製造すること
ができた。
用いた飽和器に四塩化シリコンと四塩化チタンとの混合
液体を入れ、これにアルゴンガスをバブリングして原料
ガスを得て、この原料ガスを反応系へ入れる前に分岐器
２で分岐し、分岐した一部の原料ガスをガス混合器６で
ヘリウムガスによって希釈し、濃度測定器７へ導いた。 ここでは濃度測定器７として質量分析計を用い、四塩化
シリコンと四塩化チタンとにそれぞれ特有のｍ／ｚ＝１
３５とｍ／ｚ＝１８１（ｍ；質量数、ｚ；電荷数）のフ
ラグメントイオン強度を連続的に測定した。四塩化シリ
コンと四塩化チタンのガス濃度は、あらかじめ求められ
ている濃度とフラグメントイオン強度との関係から求め
た。こうして求めた濃度をガス混合器６での希釈率で除
算することにより、反応系へ送る原料ガスの濃度を求め
た。希釈率は流量計４、５によって計測した流量ｑ、ｒ
により求められる。流量計３で測定した反応系への原料
ガス流量ｐに関するデータを制御装置８に送り、この制
御装置８により、上記の濃度と流量との積を計算するこ
とにより、反応系へ送る四塩化シリコンと四塩化チタン
の供給量（モル／分）をそれぞれ求め、この値が設定さ
れた値になるように原料気化装置１である飽和器の液温
及びキャリアガス流量をフィードバック制御した。これ
により、特性の安定した光ファイバ母材を製造すること
ができた。
【００１５】
【発明の効果】以上、実施例について説明したように、
この発明の光ファイバ母材製造装置によれば反応系に供
給する原料ガスの濃度と流量とを連続的に測定し、それ
らの積を原料供給系にフィードバックすることにより、
光ファイバ母材の含有成分の濃度を安定化させて、特性
の安定した光ファイバ母材を得ることができる。
この発明の光ファイバ母材製造装置によれば反応系に供
給する原料ガスの濃度と流量とを連続的に測定し、それ
らの積を原料供給系にフィードバックすることにより、
光ファイバ母材の含有成分の濃度を安定化させて、特性
の安定した光ファイバ母材を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例のブロック図。
１ 原料気化装置２
分岐器 ３、４、５ 流量計 ６ ガス混合器７
濃度測定器８ 制
御装置
分岐器 ３、４、５ 流量計 ６ ガス混合器７
濃度測定器８ 制
御装置
Claims (1)
- 【請求項１】 化学気相蒸着法により石英系ガラスを
合成する反応系と、この反応系に原料ガスを供給する原
料ガス供給系とを備える光ファイバ母材製造装置におい
て、上記反応系に導かれる原料ガスの濃度を測定する手
段と、該原料ガスの流量を測定する手段と、これら濃度
と流量の測定値の積が一定になるよう上記の原料ガス供
給系のフィードバック制御を行なう制御手段とを備える
ことを特徴とする光ファイバ母材製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14239791A JPH04342434A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 光ファイバ母材製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14239791A JPH04342434A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 光ファイバ母材製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342434A true JPH04342434A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=15314407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14239791A Pending JPH04342434A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 光ファイバ母材製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04342434A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5540059A (en) * | 1994-02-28 | 1996-07-30 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Method and apparatus for supplying gaseous raw material |
| EP0949212A1 (en) * | 1998-04-09 | 1999-10-13 | Lucent Technologies Inc. | Methods of and systems for vapor delivery control in optical preform manufacture |
| EP2468230A1 (en) | 2010-12-24 | 2012-06-27 | JNC Corporation | Method to change properties of a sheet and sheet obtained by this method |
| JP2021004786A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 住友金属鉱山株式会社 | 四塩化ケイ素の測定ユニット、四塩化ケイ素の品質評価方法、四塩化ケイ素の品質管理方法、炭化ケイ素基板の製造方法、および、炭化ケイ素基板製造装置 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP14239791A patent/JPH04342434A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5540059A (en) * | 1994-02-28 | 1996-07-30 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Method and apparatus for supplying gaseous raw material |
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| US6161398A (en) * | 1998-04-09 | 2000-12-19 | Lucent Technologies, Inc. | Methods of and systems for vapor delivery control in optical preform manufacture |
| EP2468230A1 (en) | 2010-12-24 | 2012-06-27 | JNC Corporation | Method to change properties of a sheet and sheet obtained by this method |
| US9439813B2 (en) | 2010-12-24 | 2016-09-13 | Jnc Corporation | Functional sheet |
| JP2021004786A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 住友金属鉱山株式会社 | 四塩化ケイ素の測定ユニット、四塩化ケイ素の品質評価方法、四塩化ケイ素の品質管理方法、炭化ケイ素基板の製造方法、および、炭化ケイ素基板製造装置 |
| JP2023052579A (ja) * | 2019-06-26 | 2023-04-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 四塩化ケイ素の測定ユニット、四塩化ケイ素の品質評価方法、四塩化ケイ素の品質管理方法、炭化ケイ素基板の製造方法、および、炭化ケイ素基板製造装置 |
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