NL1005541C2 - Werkwijze voor het koelen van een oven alsmede oven voorzien van een koelinrichting. - Google Patents
Werkwijze voor het koelen van een oven alsmede oven voorzien van een koelinrichting. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1005541C2 NL1005541C2 NL1005541A NL1005541A NL1005541C2 NL 1005541 C2 NL1005541 C2 NL 1005541C2 NL 1005541 A NL1005541 A NL 1005541A NL 1005541 A NL1005541 A NL 1005541A NL 1005541 C2 NL1005541 C2 NL 1005541C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- gas
- cooling
- oven
- boundary wall
- valves
- Prior art date
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Heat Treatments In General, Especially Conveying And Cooling (AREA)
Description
Werkwijze voor het koelen van een oven alsmede oven voorzien van een koelinrichting.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor 5 het koelen van een inrichting, zoals een oven met langwerpige begren-zingswand, omvattende het langs die begrenzingswand leiden van een koelend gas, waarbij dat gas nabij een uiteinde van die begrenzingswand wordt toegevoerd en nabij het tegenoverliggende uiteinde wordt afgevoerd, waarbij tijdens het koelen de stroomrichting van dat koe-10 lende gas periodiek omgekeerd wordt.
Een dergelijke werkwijze is bekend uit het Amerikaanse octrooi-schrift 4.925.388. Daarin wordt een oven beschreven waarbij voor het afkoelen een gas hetzij van bovenaf hetzij van onderen af door de oven geleid wordt. De stroomrichting van het gas is wisselend en deze wis-15 selende beweging wordt door een aantal kleppen geregeld. Het gas beweegt in de ruimte tussen het verwarmingselement en de procesbuis en in de ruimte tussen het verwarmigselement en de op afstand daarvan aangebrachte isolatie. De lucht of ander gas, dat als koelmedium ge bruikt wordt, wordt via een ventilator afgevoerd.
20 Gebleken is dat de afvoer van dergelijke gassen in een afvoersys teem van een grotere installatie niet zonder grote bezwaren is. Immers, per definitie zijn deze gassen warm en daardoor kan schade aan een dergelijk afvoersysteem ontstaan, in het bijzonder indien dit opgebouwd is uit kunststofonderdelen. Bovendien kunnen schadelijke 25 stoffen in de gassen aanwezig zijn.
Het doel van de onderhavige uitvinding is dit nadeel te vermijden en in een werkwijze te voorzien waarin enerzijds een snelle en gelijkmatige afkoeling mogelijk is en anderzijds het gasafvoersysteem niet verder belast wordt.
30 Dit doel wordt bij een hierboven beschreven werkwijze verwezen lijkt doordat het koelende gas volgens een in hoofdzaak gesloten kringloop geleid wordt, waarin het verwarmde gas gekoeld wordt met een vloeistof-gaswarmtewisselaar.
In principe zou het mogelijk zijn het gas uitsluitend af te voeren 35 via de warmtewisselaar en in het gasafvoersysteem te leiden. D.w.z. in tegenstelling met hetgeen in conclusie 1 beschreven is, geen gesloten kringloop toe te passen. Het nadeel daarvan is echter dat voortdurend extra gas ingébracht moet worden en in het geval van lucht zal dit in 1005541 2 het algemeen uit de 'clean room' afkomstig zijn, d.w.z. op uitgebreide schaal gezuiverd is. Daardoor is een bijzonder grote reinigingsin-stallatie nodig voor lucht met alle daarmee samenhangende kosten. Bovendien is het onwenselijk periodiek lucht aan een clean room te 5 onttrekken of toe te voegen.
Indien volgens de uitvinding het gas in een gesloten kringloop met warmtewisselaar geleid wordt, is het niet noodzakelijk steeds vers gas zoals lucht toe te voeren. Bovendien is het daardoor mogelijk gebruik te maken van een gas met meer specifieke eigenschappen zoals stikstof. 10 Immers, in principe treedt geen verlies op van gas waardoor de extra kosten voor stikstof of ander gas gerechtvaardigd worden. Met de werkwijze volgens de uitvinding is het mogelijk een groter aantal wafers per uur te behandelen en zal de thermische belasting van elke wafer verminderd worden. Bovendien vindt een meer uniforme behandeling van 15 de wafers onderling plaats. Door de voorgestelde warmtewisselaar kan een zeer compacte constructie verkregen worden, zodat het oppervlak voor de installatie door de aanwezigheid van de warmtewisselaar niet vergroot zal worden.
Gebleken is dat door het met een zekere frequentie wisselen van de 20 stroomrichting van het koelende gas het mogelijk is de temperatuurgra-diënt over de oven zoveel mogelijk te beperken. Begrepen zal worden dat het warmste deel zich thans in het midden van de oven zal bevinden. Bovendien is gebleken dat de afkoelsnelheid in aanzienlijke mate verhoogd kan worden ten opzichte van constructies volgens de stand der 25 techniek.
Volgens een van voordeel zijnde uitvoering van de uitvinding ligt de omkeerfrequentie van de gasstroom tussen 2 en 600 seconden en meer in het bijzonder tussen 5 en 60 seconden. Op van voordeel zijnde wijze ligt de omkeerfrequentie tussen 10 en 20 seconden. Met de hierboven 30 beschreven constructie is het mogelijk een koelsnelheid nabij de wafers van ongeveer 50°C per minuut te bereiken.
De uitvinding heeft eveneens betrekking op een ovensamenstel, omvattende een oven voorzien van een koelinrichting voor het met gas koelen van de begrenzingswand van die oven, waarbij nabij die begren-35 zingswand een koelruimte voor gas aanwezig is, aan beide zijden uitmondend in een van afsluiters voorziene leiding, welke die afsluiters wisselkleppen omvatten, om afwisselend het gas in een richting langs die begrenzingswand en vervolgens in tegenovergestelde richting langs 1005541 3 die begrenzingswand te bewegen, waarbij die wisselkleppen met een gesloten keten verbonden zijn waarin een vloeistof-gas warmtewisselaar is aangebracht.
Volgens een van voordeel zijnde uitvoering van de uitvinding wordt 5 de toevoer/afvoer van gas in de buitenmantel van het ovensamenstel aangebracht, d.w.z. vindt via de wand en niet via de eindafsluitingen, zoals bodem of deksel, plaats. Daardoor kan een meer gelijkmatige stromingsverdeling verwezenlijkt worden. Immers, de beweging van het gas in de spleet tussen verwarmingselement en procesbuis is bijzonder 10 moeilijk regelbaar. Deze regeling is echter wel van belang om voldoende uniformiteit te waarborgen. Deze stromingsverdeling kan verder bevorderd worden door het gas via een aantal volgens een ring of andere regelmatige kromme langs de omtrek van de ovenwand aangebrachte openingen in te brengen resp. af te voeren. Deze openingen vormen een 15 restrictie voor de gasstroming en bepalen in feite de dosering van de gasstroming ter plaatse. Door deze openingen regelmatig over de wand te verdelen, kan een gelijkmatige verdeling van de gasstroming en zo warmteafvoer gewaarborgd worden.
Het is mogelijk elke wisselklep als enkele of als dubbele klep uit 20 te voeren, vooropgesteld dat de natuurlijke convectie wordt geëlimineerd .
De uitvinding zal hieronder nader aan de hand van een in de tekening afgebeeld uitvoeringsvoorbeeld verduidelijkt worden en daarbij toont: 25 Fig. 1 schematisch het principe van de werkwijze en inrichting volgens de uitvinding;
Fig. 2 temperatuurkrommen van een aantal wafers in een conventionele oven tijdens het afkoelen; en
Fig. 3 temperatuurkrommen op verschillende niveaus in een oven 30 volgens de uitvinding bij snel afkoelen.
De behandelingsoven volgens de uitvinding is in het geheel met 1 aangegeven en in een overigens schematisch afgebeelde behandelings-ruimte opgesteld. Deze oven bestaat uit een buitenmantel 7 bijvoorbeeld van isolerend materiaal waartegen een verwarmingselement 9 ligt. 35 Op afstand van dit schematisch getoonde element 9 is een procesbuis 5 van bijvoorbeid kwartsmateriaal of siliciumcarbide aangebracht waarin een boot 20 voorzien van wafers 21-25 opgenomen kan worden. Met 18 is het bovendeksel van de procesbuis aangegeven. Waferrek 20 wordt gedra- 1005541 4 gen door deksel 15 dat schematisch afgebeelde wijze omhoog en naar beneden bewogen kan worden om de boot 20 uit de procesbuis 5 te verwijderen. Tussen verwarmingselement 9 en procesbuis 5 is een spleet 6 aangebracht waardoor koelend gas zoals stikstof bewogen kan worden. In 5 buizenmantel 7 zijn twee reeksen van elk ongeveer zestien openingen 16 en 17 aangebracht. Daarop sluiten leidingen 3 respectievelijk 8 aan, die respectievelijk verbonden zijn met kleppen 12, 13 en 10, 11. Deze kleppen staan op hun beurt in verbinding met een gas-vloeistof warmtewisselaar 4 en een ventilator 2.
10 De hierboven beschreven constructie werkt als volgt. Tijdens het afkoelen van behandelde wafers wordt in een eerste bedrijfstoestand koel gas afkomstig uit leiding 8 door openingen 17 in de spleet 6 tussen procesbuis 5 en verwarmingselement 9 ingébracht. Dit beweegt volgens de ingetekende pijl naar beneden en verlaat verwarmd bij 16 de 15 oven en wordt via buis 3 en klep 12 naar warmtewisselaar 4 geleid. Na afgekoeld te zijn wordt dit door ventilator 2 naar afsluiter 11 geleid en in leiding 8 opnieuw toegevoerd aan de behandelingsoven.
Na enige tijd zoals typisch 20 seconden wordt door het wisselen van de kleppen, d.w.z. het sluiten van de kleppen 11 en 12 en het 20 openen van de kleppen 10 en 13. de stroomrichting omgekeerd. Dat wil zeggen, koelend gas beweegt vanaf leiding 3 en openingen 16 naar openingen 17 en leiding 8. Via leiding 8 gaat het gas door klep 10 naar warmtewisselaar 4 en via ventilator 2 en klep 13 weer naar leiding 3·
Indien de kleppen 10, 11, 12 en 13 gesloten zijn, zou de construc-25 tie volgens de stand der techniek verkregen worden. Voor de wafers 21-25 is een typische afkoelsnelheid in fig. 2 weergegeven voor een dergelijk geval.
Afhankelijk van de temperatuur van de oven zal het uittredende gas een hogere of lagere temperatuur hebben. Als voorbeeld wordt een waar-30 de voor het uittredende gas (lucht) van 300-400°C genoemd. Indien dit gas via een gebruikelijk uitlaatstelsel afgevoerd wordt, ontstaan daardoor twee problemen. Ten eerste kunnen geringe verontreinigingen, zoals asbestachtige deeltjes, of lekgas aanwezig zijn. Ten tweede vormt de verhoging in temperatuur vaak een ontoelaatbare belasting van 35 het afvoersysteem. Dit geldt in het bijzonder indien het afvoersysteem componenten omvat die niet tegen dergelijke hoge temperaturen kunnen, zoals kunststofonderdelen. In een dergelijk geval is een dergelijke afvoerinrichting uitgevoerd om te gaan koelen waardoor extra koude
100554T
5 lucht ingebracht wordt. Dit betekent dat het afvoersysteem verder vergroot dient te worden om voldoende capaciteit te hebben voor een dergelijke snelle afkoeling van een oven.
Om deze problemen te vermijden wordt thans voorgesteld de warm-5 tewisselaar 4 toe te passen. Deze is aangesloten op het vloeistof-koelsysteem van de productiefaciliteit. In het algemeen kan de daardoor gewonnen warmte nuttig hergebruikt worden. Tevens kan een kostbaar gas in de koelkringloop toegepast worden, omdat dit niet verbruikt wordt.
10 Door het in reeksen aanbrengen van de openingen 16 en 17 in de wand en het daardoor inbrengen van het koelende gas resp. lucht, kan een optimale stromingsverdeling verkregen worden. Daarbij wordt aangenomen dat de diameter van de openingen 16,17 de doorstroomde hoeveelheid bepaalt, d.w.z. de stromingsweerstand in spleet 6 veel geringer 15 is dan de stromingsweerstand door die openingen 16,17- Bij constructies volgens de stand der techniek wordt het gas eenvoudigweg van boven of beneden ingébracht en kan daardoor geen goede verdeling van het koelende medium over spleet 6 gewaarborgd worden waardoor de tem-peratuurverdeling niet meer uniform is.
20 In fig. 3 wordt de af koelsnelheid vein dezelfde wafers bij het elke 20 seconden omkeren van de gasstroom volgens de uitvinding getoond.
Vergelijking vein fig. 2 en 3 leert ten eerste dat de koelsnelheid vele malen toegenomen is zodat de verblijftijd in de oven en de tijd gedurende welke de wafers aan verhoogde temperatuur onderworpen zijn 25 aanzienlijk verkort wordt. Bovendien blijkt dat de spreiding van de temperatuur tussen de wafers 21 en 25 aanzienlijk beperkt is, zodat meer constante procesomstandigheden gewaarborgd kunnen worden.
Hoewel de uitvinding hierboven aan de hand van een voorkeursuitvoering beschreven is, dient begrepen te worden dat daaraan talrijke 30 wijzigingen aangebracht kunnen worden. Zo kunnen de gasinlaat- en gasuitlaatopeningen op andere positie in de hoogte van de oven aangebracht zijn of zelfs bij het bovendeksel uitmonden.
Deze en verdere varianten die voor degenen bekwaam in de stand der techniek voor de hand liggend zijn na het lezen van de voorgaande 35 beschrijving liggen binnen het bereik van de bijgevoegde conclusies.
1005541
Claims (10)
1. Werkwijze voor het koelen van een inrichting, zoals een oven met langwerpige begrenzingswand, omvattende het langs die begrenzings-wand (19) leiden van een koelend gas, waarbij dat gas nabij een uit- 5 einde van die begrenzingswand wordt toegevoerd en nabij het tegenoverliggende uiteinde wordt afgevoerd, waarbij tijdens het koelen de stroomrichting van dat koelende gas periodiek omgekeerd wordt, met het kenmerk, dat het koelende gas volgens een in hoofdzaak gesloten kringloop geleid wordt, waarin het verwarmde gas gekoeld wordt met een 10 vloeistof-gaswarmtewisselaar,
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de omkeerfrequentie ligt tussen 2 en 600 seconden,
3. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij de omkeerfrequentie ligt tussen 5 en 60 seconden.
4. Werkwijze volgens conclusie 3. waarbij die omkeerfrequentie ligt tussen 10 en 20 seconden.
5. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de koelsnelheid ongeveer 50°C/min is.
6. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij het 20 gas door die begrenzingswand gedoseerd toegevoerd/afgevoerd wordt.
7. Ovensamenstel, omvattende een oven (1) voorzien van een koelin-richting voor het met gas koelen van de begrenzingswand (19) van die oven, waarbij nabij die begrenzingswand een koelruimte (6) voor gas aanwezig is, aan beide zijden uitmondend in een van afsluiters (10-13) 25 voorziene leiding, welke die afsluiters (10-13) wisselkleppen omvatten, om afwisselend het gas in een richting langs die begrenzingswand en vervolgens in tegenovergestelde richting langs die begrenzingswand te bewegen, met het kenmerk, dat die wisselkleppen met een gesloten keten verbonden zijn waarin een vloeistof-gas warmtewisselaar (4) is 30 aangebracht.
8. Ovensamenstel volgens conclusie 7, waarbij de toevoer/afvoer van gas in de buitenmantel (7) vein dat ovensamenstel aangebracht is.
9· Ovensamenstel volgens conclusie 8, waarbij die toevoer/afvoer een langs de omtrek aangebrachte reeks openingen omvat.
10. Ovensamenstel volgens conclusie 9. waarbij stroomafwaarts van die warmtewisselaar (4) een ventilator (2) is aangebracht. ******** 1005541
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1005541A NL1005541C2 (nl) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Werkwijze voor het koelen van een oven alsmede oven voorzien van een koelinrichting. |
KR10-1999-7008246A KR100517418B1 (ko) | 1997-03-14 | 1998-03-16 | 냉각 장치를 구비한 노 및 그 노의 냉각 방법 |
JP10540385A JP2000512374A (ja) | 1997-03-14 | 1998-03-16 | 炉の冷却方法と冷却装置を備えた炉 |
DE69801315T DE69801315T2 (de) | 1997-03-14 | 1998-03-16 | Verfahren zur kühlung eines ofens und ofen mit einer kühleinrichtung |
AU65251/98A AU6525198A (en) | 1997-03-14 | 1998-03-16 | Method for cooling a furnace, and furnace provided with a cooling device |
US09/381,428 US6328561B1 (en) | 1997-03-14 | 1998-03-16 | Method for cooling a furnace, and furnace provided with a cooling device |
EP98911263A EP0970337B1 (en) | 1997-03-14 | 1998-03-16 | Method for cooling a furnace, and furnace provided with a cooling device |
PCT/NL1998/000151 WO1998041806A1 (en) | 1997-03-14 | 1998-03-16 | Method for cooling a furnace, and furnace provided with a cooling device |
TW087114413A TW365643B (en) | 1997-03-14 | 1998-08-31 | Method for cooling a furnace, and furnace provided with a cooling device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1005541A NL1005541C2 (nl) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Werkwijze voor het koelen van een oven alsmede oven voorzien van een koelinrichting. |
NL1005541 | 1997-03-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL1005541C2 true NL1005541C2 (nl) | 1998-09-18 |
Family
ID=19764606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL1005541A NL1005541C2 (nl) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Werkwijze voor het koelen van een oven alsmede oven voorzien van een koelinrichting. |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6328561B1 (nl) |
EP (1) | EP0970337B1 (nl) |
JP (1) | JP2000512374A (nl) |
KR (1) | KR100517418B1 (nl) |
AU (1) | AU6525198A (nl) |
DE (1) | DE69801315T2 (nl) |
NL (1) | NL1005541C2 (nl) |
TW (1) | TW365643B (nl) |
WO (1) | WO1998041806A1 (nl) |
Families Citing this family (227)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6572368B1 (en) * | 2002-08-20 | 2003-06-03 | Lectrotherm, Inc. | Method and apparatus for cooling a furnace |
DE10312650B3 (de) * | 2003-03-21 | 2004-09-30 | Ald Vacuum Technologies Ag | Wärmebehandlungsofen insbesondere Drucksinterofen |
JP3910151B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2007-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
US7780439B2 (en) * | 2004-11-17 | 2010-08-24 | Duncan Enterprises | Kilns for the processing ceramics and methods for using such kilns |
JP4607678B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、ヒータ及びヒータの製造方法 |
KR100826269B1 (ko) * | 2006-06-13 | 2008-04-29 | 삼성전기주식회사 | 복합 소성로 및 이에 채용되는 승하강 장치 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
CN105222597B (zh) * | 2015-09-30 | 2017-06-13 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种卧式扩散炉快速降温炉体 |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
CN111593319B (zh) | 2019-02-20 | 2023-05-30 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR102376461B1 (ko) * | 2020-03-24 | 2022-03-21 | 비엔지코리아(주) | 공랭식 냉각구조를 갖는 열분해장치 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
CN113426240B (zh) * | 2021-07-05 | 2022-08-12 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 | 一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1470144A (fr) * | 1965-02-27 | 1967-02-17 | Hoechst Ag | Procédé d'obtention de composés fluorés à partir de solutions provenant de l'attaque des phosphates bruts par des acides |
FR2610007A1 (fr) * | 1987-01-22 | 1988-07-29 | Bmi Fours Ind | Four industriel vertical a ventilation peripherique |
US4802441A (en) * | 1987-01-08 | 1989-02-07 | Btu Engineering Corporation | Double wall fast cool-down furnace |
US4925388A (en) * | 1987-08-26 | 1990-05-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for heat treating substrates capable of quick cooling |
US5097890A (en) * | 1988-06-16 | 1992-03-24 | Tel Sagami Limited | Heat treating apparatus with cooling fluid nozzles |
US5249960A (en) * | 1991-06-14 | 1993-10-05 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus |
WO1993024801A1 (de) * | 1992-06-03 | 1993-12-09 | Esec S.A. | Vorrichtung zur wärmebehandlung eines magazins für systemträger mit elektronischen bauelementen |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2257229A (en) | 1937-09-23 | 1941-09-30 | Libbey Owens Ford Glass Co | Furnace |
US2397810A (en) | 1944-11-30 | 1946-04-02 | Jay L Roof | Metal heating or melting furnace |
US3035824A (en) * | 1960-02-24 | 1962-05-22 | Midland Ross Corp | Furnace with cooled and recirculated atmosphere |
DE1800782B2 (de) | 1968-10-03 | 1977-02-24 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler, 6000 Frankfurt | Vakuumloetofen mit isothermem nutzraum |
US3918890A (en) | 1974-07-01 | 1975-11-11 | Libbey Owens Ford Co | Auxiliary operators for slide dampers |
DE3030697A1 (de) * | 1980-08-14 | 1982-03-18 | Hochtemperatur-Reaktorbau GmbH, 5000 Köln | Gasgekuehlter kernreaktor |
US4348174A (en) * | 1981-01-22 | 1982-09-07 | Hybrid Technology Corporation | Method and apparatus for vapor conservation and control |
JPS57137417A (en) | 1981-02-17 | 1982-08-25 | Michio Sugiyama | Semicontinuous vacuum heat treatment furnace and operating method |
US4351805A (en) | 1981-04-06 | 1982-09-28 | International Business Machines Corporation | Single gas flow elevated pressure reactor |
DE3134798A1 (de) * | 1981-09-02 | 1983-03-17 | Klöckner-Humboldt-Deutz AG, 5000 Köln | Brennanlage, insbesondere zur herstellung von zementklinker |
US4560348A (en) | 1984-05-24 | 1985-12-24 | Abar Ipsen Industries | Gas nozzle for a heat treating furnace |
JP2959947B2 (ja) * | 1994-02-28 | 1999-10-06 | 信越石英株式会社 | 原料ガス供給方法及び装置 |
-
1997
- 1997-03-14 NL NL1005541A patent/NL1005541C2/nl not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-03-16 JP JP10540385A patent/JP2000512374A/ja active Pending
- 1998-03-16 EP EP98911263A patent/EP0970337B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-16 AU AU65251/98A patent/AU6525198A/en not_active Abandoned
- 1998-03-16 DE DE69801315T patent/DE69801315T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-16 US US09/381,428 patent/US6328561B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-16 KR KR10-1999-7008246A patent/KR100517418B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-16 WO PCT/NL1998/000151 patent/WO1998041806A1/en active IP Right Grant
- 1998-08-31 TW TW087114413A patent/TW365643B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1470144A (fr) * | 1965-02-27 | 1967-02-17 | Hoechst Ag | Procédé d'obtention de composés fluorés à partir de solutions provenant de l'attaque des phosphates bruts par des acides |
US4802441A (en) * | 1987-01-08 | 1989-02-07 | Btu Engineering Corporation | Double wall fast cool-down furnace |
FR2610007A1 (fr) * | 1987-01-22 | 1988-07-29 | Bmi Fours Ind | Four industriel vertical a ventilation peripherique |
US4925388A (en) * | 1987-08-26 | 1990-05-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for heat treating substrates capable of quick cooling |
US5097890A (en) * | 1988-06-16 | 1992-03-24 | Tel Sagami Limited | Heat treating apparatus with cooling fluid nozzles |
US5249960A (en) * | 1991-06-14 | 1993-10-05 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus |
WO1993024801A1 (de) * | 1992-06-03 | 1993-12-09 | Esec S.A. | Vorrichtung zur wärmebehandlung eines magazins für systemträger mit elektronischen bauelementen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000076155A (ko) | 2000-12-26 |
US6328561B1 (en) | 2001-12-11 |
DE69801315T2 (de) | 2001-11-29 |
AU6525198A (en) | 1998-10-12 |
JP2000512374A (ja) | 2000-09-19 |
EP0970337A1 (en) | 2000-01-12 |
KR100517418B1 (ko) | 2005-09-29 |
EP0970337B1 (en) | 2001-08-08 |
WO1998041806A1 (en) | 1998-09-24 |
TW365643B (en) | 1999-08-01 |
DE69801315D1 (de) | 2001-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL1005541C2 (nl) | Werkwijze voor het koelen van een oven alsmede oven voorzien van een koelinrichting. | |
KR970060443A (ko) | 처리장치 | |
KR890016692A (ko) | 연속으로 통과하는 웨브재의 열처리 및/또는 건조장치 | |
US2030734A (en) | Furnace construction | |
CA1173091A (en) | Rotary retort heat treating furnace | |
US6531942B2 (en) | Method of cooling an induction coil | |
JP3274683B2 (ja) | 流下式加熱設備 | |
NL1010003C2 (nl) | Reactor voorzien van verwarming. | |
FI67726C (fi) | Anordning foer uppbaerande av foer behandling avsett material vid kontinuerligt arbetande vaermebehandlingsugnar | |
RU2106191C1 (ru) | Способ очистки отходящего воздуха в установках для упрочнения расплавов и устройство для его осуществления | |
US4928749A (en) | Heat exchange recovery method | |
BE1004383A3 (nl) | Wervelbed voor het afschrikken van staaldraad. | |
KR100344381B1 (ko) | 열간 압연강 로드를 냉각시키기 위한 장치 및 방법 | |
JPH0117072B2 (nl) | ||
US5345997A (en) | Cooling device | |
US4092143A (en) | Tunnel furnace for the thermal treatment of glass products | |
US3041056A (en) | Heat treating apparatus | |
FI102321B (fi) | Laite kaasun johtamiseksi sintrattavan materiaalin läpi | |
EP1224337B1 (en) | Apparatus for supporting material to be treated in continuously operated thermal treatment furnaces | |
SU1239489A1 (ru) | Устройство дл термообработки сыпучих материалов | |
RU98100484A (ru) | Устройство и способ для тепловой обработки потока нагнетаемого пищевого продукта | |
NL1013752C2 (nl) | Bandbehandelingsinstallatie. | |
SU1719514A1 (ru) | Способ нагрева приточного воздуха | |
SU846973A1 (ru) | Трубчатый холодильник металлур-гичЕСКиХ АгРЕгАТОВ | |
KR790001823B1 (ko) | 아연증기의 냉각방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD2B | A search report has been drawn up | ||
VD1 | Lapsed due to non-payment of the annual fee |
Effective date: 20011001 |