JPH0719065B2

JPH0719065B2 - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH0719065B2
Application number: JP17404686A
Authority: JP
Inventors: 隆雄滝口
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-07-23
Filing date: 1986-07-23
Publication date: 1995-03-06
Anticipated expiration: 2010-03-06
Also published as: JPS6329761A

Description

【発明の詳細な説明】発明の属する分野本発明は新規な電子写真感光体に関するものであり、更
に詳しくは特定の分子構造を有するジスアゾ顔料を光導
電層中に含有する電子写真感光体に関するものである。

従来技術の説明従来より、光導電性を示す顔料や染料については、数多
くの文献等で発表されている。

例えば、“RCA Review"Vol.23,P.413〜P.419（1962.9）
ではフタロシアニン顔料の光導電性についての発表がな
されており、またこのフタロシアニン顔料を用いた電子
写真感光体が米国特許第3,397,086号公報や米国特許第
3,816,118号公報等に示されている。その他に、電子写
真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国特許
4,315,983号公報、米国特許第4,327,169号公報や“Rese
ach Disclosure"20517（1981.5）に示されているピリリ
ウム系染料、米国特許第3,824,099号公報に示されてい
るスクエアリツク酸メチン染料、米国特許第3,898,084
号公報、米国特許第4,251,613号公報等に示されたジス
アゾ顔料等があげられる。

この様な有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容易
で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をもつ
ような化合物として合成することができ、このような有
機半導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光
体は、感色性が良くなるという利点を有しているが、感
度及び耐久性において実用できるものは、ごく僅かであ
る。

発明の目的本発明の目的は新規な光導電性材料を提供することにあ
る。

本発明のもう一つの別な目的は現在するすべての電子写
真プロセスにおいても使用可能であり実用的な高感度特
性と繰り返し使用における安定な電位特性を有する電子
写真感光体を提供することにある。

第２の別の目的は、可視域から近赤外、赤外領域にまた
がる広い分光感度を有する電子写真感光体を提供するこ
とにある。

発明の構成本発明は下記一般式（１）で示されるジスアゾ顔料を含
有する光導電性被膜から構成される。

一般式一般式（１）中のR₁,R₂は水素、置換基を有していても
よいアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基、ニトロ
基、シアノ基を示し具体的にはメチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、ｔ−ブチ
ル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フツ素、塩素、
ヨウ素、臭素、ニトロ、フリル、チオニル、ピロイル等
を示す。

R₁,R₂の示すアルキル基、アルコキシ基の置換基として
は、フツ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル等のアル
キル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フエノキシ
等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミ
ノ、ジベンジルアミノ、ジフエニルアミノ、モルホリ
ノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基等が挙げ
られる。

一般式（１）中のA₁,A₂はフエノール性OH基を有するカ
プラー残基を示し、A₁,A₂の示すカプラー残基のより好
ましい具体例としては一般式（２）〜（８）で示され
る。

一般式式（２）中Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
環、ジベンゾフラン環、ジベンゾナフトフラン環、ジフ
エニレンサルフアイト環等の多環芳香環ないしは、ヘテ
ロ環を形成するに必要な残基を示す。

Ｘの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。

式（２）中のR₃,R₄は水素、置換基を有していてもよい
アルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロ環基な
いしはR₃,R₄の結合する窒素原子とともに環状アミノ基
を示す。

アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等が、アラルキル基の具体例としてはベンジ
ル、フエネチル、ナフチルメチル等が、アリール基の具
体例としてはフエニル、ジフエニル、ナフチル、アンス
リル等が、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、
ジベンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾー
ル、チアゾール、ピリジン等があげられる。

一般式式（３），（４）中のR₅,R₆は水素、置換基を有してい
てもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基を示
す。R₅,R₆の具体例は前記R₃,R₄と同じ例によって示され
る。

式（２）〜（４）中の置換基R₃〜R₆の示すアルキル基、
アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ヘテロ環基
はさらに他の置換基例えばフツ素、塩素、ヨウ素、臭素
等のハロゲン基、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、フエノキシ等のアルコキシ基、ニトロ基、シ
アノ基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフエニ
ルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置
換アミノ基により置換されていてもよい。

一般式式（５），（６）中のＹは芳香族炭化水素の２価の基な
いしは窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
す。

芳香族炭化水素の２価の基としてはｏ−フエニレン等の
単環式芳香族炭化水素の２価の基、ｏ−ナフチレン、ペ
リナフチレン、1,2−アンスリレン、9,10−フエナンス
リレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の２価の基が挙げ
られる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基
としては、3,4−ピラゾールジイル基、2,3−ピリジンジ
イル基、4,5−ピリミジンジイル基、6,7−インダゾール
ジイル基、6,7−キノリンジイル基等の２価の基が挙げ
られる。

一般式式（７）中のR₇は置換基を有していてもよいアリール基
ないしはヘテロ環基を示し具体的にはフエニル、ナフチ
ル、アンスリル、ピレニル、ピリジル、チエニル、フリ
ル、カルバゾリル基を示す。

R₇の示すアリール基、ヘテロ環基の置換基としてはフツ
素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フエノキシ等のアル
コキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベ
ンジルアミノ、ジフエニルアミノ、モルホリノ、ピペリ
ジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基が挙げられる。

一般式式（８）中のR₈,R₉は置換基を有していてもよいアルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、ないしはヘテロ環基
を示し具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ベンジル、フエネチル、ナフチルメチル、フエニル、ナ
フチル、アンスリル、ジフエニル、カルバゾール、ジベ
ンゾフラン、ベンズイミダゾロン、ベンズチアゾール、
チアゾール、ピリジンを示す。

式（８）中のR₈,R₉の示すアルキル基、アリール基、ア
ラルキル基、ヘテロ環基の置換基としてはフツ素、塩
素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、フエノキシ等のアルコキシ
基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジル
アミノ、ジフエニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、
ピロリジノ等の置換アミノ基が挙げられる。

以下、本発明で用いるアゾ顔料の具体例を列挙する。

上記具体例で示されるジスアゾ顔料は本発明の特許請求
の範囲を限定するものではない。

これらジアゾ顔料は１種または２種以上組み合わせて用
いることが出来る。また、本発明において用いられるこ
れらの顔料は、例えば一般式（９）出示されるジアミンを常法により亜硝酸塩で処理してテトラゾニウム化し、
次いで一般式（２）〜（８）で示されるフエノール性OH
を有するカプラーをアルカリの存在下に水系カツプリン
グするか、または前記ジアミンのテトラジニウム塩をBF
₄塩，PF₆塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離した
後、適当な溶媒たとえばN,N−ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリの存在下に
カプラーとカツプリングすることにより容易に製造する
ことができる。次に本発明で用いるジスアゾ顔料の代表
的な合成例を下記に示す。

合成例（前記例示のジスアゾ顔料No.1の合成）500mlビ
ーカーに水180ml、濃塩酸37.4ml（0.44モル）を入れ、氷水浴で冷却しながら撹拌し液温を３℃とし
た。次に亜硝酸ソーダ9.5g（0.14モル）を水15mlに溶か
した液を液温０〜５℃の範囲にコントロールしながら25
分間で滴下し、滴下終了後同温度で更に30分間撹拌し
た。反応液にカーボンを加え、濾過してテトラゾ液を得
た。

次に3lビーカーに水1.5lを入れ、水酸化ナトリウム47.3
g（1.18モル）を溶解した後ナフトールAS（３−ヒドキ
シ−２−ナフトエ酸アニリド）36.3g（0.138モル）を添
加して溶解した。このカプラー溶液を６℃に冷却し、液
温を６〜10℃にコントロールしながら前述のテトラゾ化
液を30分間かけて撹拌下滴下して、その後２時間撹拌
し、更に一晩放置した。反応液を濾過後水洗いし、固形
分換算で51.5gの水ペーストを得た。次に900mlのN,N−
ジメチルホルムアミドを用い、室温で撹拌濾過を４回繰
り返した。その後900mlのMEKで２回撹拌濾過を繰り返し
た後減圧乾燥し、精製顔料42.6g（収率85.3％）を得
た。

融点＞300℃ 元素分析計算値（％）実験値Ｃ 70.67 70.62 Ｈ 3.69 3.65 Ｎ 10.99 10.97 以上代表的な顔料の合成法について述べたが、一般式
（１）で示される他のジスアゾ顔料も同様にして合成さ
れる。

前述のジスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従
って下述する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。

すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述
のジスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あ
るいは適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成す
ることにより電子写真感光体を調製することができる。

本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示すジアゾ顔料を含有し、且つ
発生した電荷キヤリアが電荷輸送層と界面ないしは導電
性基板との界面まで効率的に輸送されるために被膜層、
例えば５μ以下、好ましくは0.01〜１μの膜厚をもつ薄
膜層とすることが好ましい。このことは、入射光量の大
部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キヤリアを
生成すること、さらに発生した電荷キヤリアを再結合や
捕獲（トラツプ）により失活することなく電荷輸送層に
注入する必要があることに帰因している。

電荷発生層は、前述のジアゾ顔料を適当なバインダーに
分散させ、これを基体の上に塗工することによって形成
でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成することに
よって得ることができる。電荷発生層を塗工によって形
成する際に用いうるバインダーとしては広範な絶縁性樹
脂から選択でき、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの有機
光導電性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルベンゾールポリアリレート
（ビスフエノールＡとフタル酸の縮重合体など。）ポリ
カーボネート、ポリエステル、フエノキシ樹脂、ポリ酢
酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポ
リアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウ
レタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアル
コール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げ
ることができる。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重
量％以下、好ましくは40重量％以下が適している。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ヤリアを受け取るとともに、これの電荷キヤリアを表面
まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷輸
送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくまたそ
の下に積層されていてもよい。

電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸送
層における電荷キヤリアを輸送する物質（以下、単に電
荷輸送物質という）は、前述の電荷発生層が感応する電
磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好まし
い。ここで言う「電磁波」とは、γ線、Ｘ線、紫外線、
可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する
広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバーラツ
プする時には、両者で発生した電荷キヤリアが相互に捕
獲し合い、結果的には感度の低下の原因となる。

電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、テト
ラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,5,
7−テトラニトロ−９−フルオレノン、2,4,5,7−テトラ
ニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサントン
等の電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化
したもの等がある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバーゾール、N,N−ジフエニル
ヒドラジノ−３−メチリデン−10−エチルフエノチアジ
ン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N,N−ジフ
エニルヒドラゾン、Ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−
N,N−ジフエニルヒドラゾン、Ｐ−ジエチルベンズアル
デヒド−３−メチルベンズチアゾリノン−２−ヒドラゾ
ン等のヒドラゾン類、2,5−ビス（Ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）−1,3,4−オキサジアゾール、１−フエニル
−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジ
エチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル
（２）〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−〔ピ
リジル（３）〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１
−〔ピリジル（２）〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチ
リル、４−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）ピラゾリン、１−フエニル−３−（Ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−４−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラ
ゾリン類、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−
ジエチルアミノベンズオキサゾール、２−（Ｐ−ジエチ
ルアミノフエニル）−４−（Ｐ−ジメチルアミノフエニ
ル）−５−（２−クロロフエニル）オキサゾール等のオ
キサゾール系化合物、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−６−ジエチルアミノベンゾチアゾール等のチアゾ
ール系化合物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチル
フエニル）−フエニルメタン等のトリアリールメタン系
化合物、1,1−ビス（４−N,N−ジエチルアミノ−２−メ
チルフエニル）ヘプタン、1,1,2,2−テトラキス（４−
N,N−ジメチルアミノ−２−メチルフエニル）エタン等
のポリアリールアルカン類、トリフエニルアミン、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−
ビニルフエニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒ
ド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等が
ある。

これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルルアモルフアスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は、１種または２種以上組
合せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ポリアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマ
ー、アクリロニトリル−ブタジエンコポリマー、ポリビ
ニルブチラール、ポリピニルホルマール、ポリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの
有機光導電性ポリマーを挙げる事ができる。

電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５〜30μであるが、好ましい範囲は８〜20μであ
る。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前述し
た様な適当なコーテイング法を用いることができる。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニツケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを
真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチ
ツク（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、
ポリフツ化エチレンなど）、導電性粒子（例えば、カー
ボンブラツク、銀粒子など）を適当なバインダーととも
にプラスチツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラ
スチツクや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有する
プラスチツクなどを用いることができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキシメ
チル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化
アルミニウムなどによって形成できる。

下引層の膜厚は0.1〜５μ、好ましくは0.5〜３μが適当
である。

導電層・電荷輸送層・電荷発生層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があり帯電後露光すると、露光部では電荷発生層におい
て生成した電子は電荷輸送層に注入され、そのあと基盤
に達する。一方電荷発生層において生成した正孔は表面
に達し表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コン
トラストが生じる。この様にしてできた静電潜像を正荷
電性のトナーで現像すれば可視像が得られる。これを直
接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラスチツクフ
イルム等に転写後現像し定着することができる。また、
感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現像
し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法、
定着方法は従来のものや公知の方法のいずれを採用して
もよく、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷発生層が正孔輸送性物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入されその後基盤に達する。一方電荷発生層
において生成した電子は表面に達し表面電位の減衰が生
じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像時
には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷性トナ
ーを用いる必要がある。

本発明の別の具体例としては前述の一般式（１）で示さ
れるジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有
させた電子写真感光体を挙げることができる。この際前
述の電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
とトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯体化合物
を用いることができる。この例の電子写真感光体は前述
のジスアゾ顔料と電荷移動錯体化合物をテトラヒドロフ
ランに溶解されたポリエステル溶液中に分散させた後、
被膜形成させて調製できる。

いずれの感光体においても用いる顔料は一般式（１）で
示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも一種類の
顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても結晶質で
あってもよい。又、必要に応じて光吸収の異なる顔料を
組合せて使用し感光体の感度を高めたり、パンクロマチ
ツクな感光体を得るなどの目的で一般式（１）で示され
るジスアゾ顔料を２種類以上組合せたり、または公知の
染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用す
ることも可能である。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンターやCRTプリンター、LEDプ
リンター、液晶プリンター、レーザー製版等の電子写真
応用分野にも広く用いる事ができる。

以下、本発明を実施例によって説明する。

実施例１〜15 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン1
1.2％，アンモニア水1g,水222ml）をマイヤーバーで乾
燥後の膜厚が1.0μとなる様に塗布し乾燥した。

次に前記例示のジスアゾ顔料No1. 5gをエタノール95ml
にブチラール樹脂（ブチラール化度63モル％）2gを溶か
した液に加えサンドミルで２時間分散した。この分散液
を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜厚が0.5μ
となる様にマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生層を
形成した。次いで構造式のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹脂
（数平均分子量100000）5gをベンゼン70mlに溶解し、こ
れを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が12μとなる様にマ
イヤーバーで塗布し乾燥して電荷輸送層を形成し実施例
１の感光体を作成した。ジスアゾ顔料No.1に代えて第１
〜５表に示す他の例示顔料を用い実施例２〜15に対応す
る感光体を全く同様にして作成した。

この様にして作成した電子写真感光体を川口電機（株）
製静電複写紙試験装置Model SP-428を用いてスタテイツ
ク方式で−5KVでコロナ帯電し暗所で１秒間保持した後
照度2luxで露光し帯電特性を調べた。

帯電特性としては表面電位(V_O)と１秒間暗減衰させた時
の電位1/2に減衰するに必要な露光量（E1/2）を測定し
た。この結果を第２表に示す。

第１表の結果から本発明になる感光体はいずれも十分な
帯電能と充分な感度を有している事が判る。

実施例16〜20 実施例1,2,4,6,10,に用いた感光体を用い繰り返し使用
時の明部電位と暗部電位の変動を測定した。方法として
は−5.6KVのコロナ帯電器、露光光学系、現像器、転写
帯電器、除電露光光学系およびクリーナーを備えて電子
写真複写機のシリンダーに感光体を貼り付けたこの複写
機はシリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が得られ
る構成になっている。この複写機を用いて初期の明部電
位(V_L)と暗部電位(V_D)をそれぞれ−100V,−600V付近に
設定し5000回使用した後の明部電位(V_L)と暗部電位(V_D)
を測定したこの結果を第３表に示す。

実施例21 実施例１で作成した電荷発生層の上に、2,4,7−トリニ
トロ−９−フルオレノン5gとポリ−4,4′−ジオキシジ
フエニル−2,2′−プロパンカーボネート（分子量300,0
00）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶解して作成した塗
布液を乾燥後の塗工量が10g/m²となる様に塗布し、乾燥
した。

こうして作成した電子写真感光体を実施例１と同様の方
法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性は＋とし
た。この結果を第４表に示す。

第４表 V_O ：580ボルト E1/2： 3.4lux・sec 実施例22 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイルムのアル
ミ面上に膜厚0.5μのポリビニルアルコールの被膜を形
成した。次に実施例１で用いたジスアゾ顔料の分散液を
先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後の膜
厚が0.5μとなる様にマイヤーバーで塗布し乾燥して電
荷発生層を形成した。

次いで構造式のピラゾリン化合物5gとポリアリレート樹脂（ビスフエ
ノールＡとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体）5g
をテトラヒドロフラン70mlに溶かした液を電荷発生層の
上に乾燥後の膜厚が10μとなる様に塗布し乾燥して電荷
輸送層を形成した。こうして調製した感光体の帯電特性
および耐久特性を実施例１及び実施例16〜20と同様の方
法によって測定した。この結果を第５表に示す。

第５表の結果より感度も良く耐久使用時の電位安定性も
良好である。

実施例23 厚さ100μのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液
を塗布し乾燥して膜厚0.5μの下引層を形成した。

次に、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン5gとポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量300000）5gを
テトラヒドロフラン70mlに溶かして電荷移動錯体化合物
を形成した。この電荷移動錯体化合物と前記例示のジス
アゾ顔料No.3 1gをポリエステル樹脂（バイロン：東洋
紡製）5gをテトラヒドロフラン70mlに溶かした液に加え
分散した。この分散液を下引層の上に塗布し乾燥して12
μの感光体を作成した。

こうして調製した感光体の帯電特性を実施例１と同様の
方法によって測定した。この結果を第６表に示す。但し
帯電極性はとした。

第６表 V_O ：600V E1/2： 2.5lux・sec 実施例24 実施例23で用いたカゼイン層を施したアルミ基体のカゼ
イン層上に実施例１の電荷輸送層、電荷発生層を順次積
層し層構成を異にする以外は実施例１と全く同様にして
感光体を形成し実施例１と同様に帯電特性を測定した。
ただし帯電極性をとした。

この結果を第７表に示す。

第７表 V_O ：600V E1/2： 3.8lux・sec 実施例25 実施例11で用いた感光体を780nmに発振波長をもつ半導
体レーザーにより露光したところ780nmにおける分光感
度は1.4μJ/cm²（半減露光量）であった。

次にこの感光体をキヤノンLBP-CXのドラムに塗布し実写
テストを行なったところカブリのない良好な画像が得ら
れた。また、これは10000回繰り返しても変ることはな
かった。

実施例25 実施例25において例示化合物25に代えて18,19,24,26を
用いた他は、同様にしてドラム状の感光体を作成した。
それぞれの感光体の780nmにおける分光感度は第８表に
示す通りであった。

第８表例示化合物 18, 19, 24, 26 半減露光量（μJ/cm²）1.6 2.3 2.1 2.0 次に実施例25と同様にして実写テストを行なったところ
カブリのない画像が得られ、これは10000回繰り返して
も変化はなかった。

〈発明の効果〉本発明は特定のアゾ顔料を感光層に用いる事により当該
のアゾ顔料を含む感光層内部に於けるキヤリアー発生効
率ないしはキヤリアー輸送効率にいずれの一方ないしは
双方が良くなる事が推定され、高感度で耐久使用時に於
ける電位安定性のすぐれた感光体が得られる。また、半
導体レーザーの発振波長域においても高感度でカブリの
ない良好な画像を得ることができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基板上に光導電層を有する電子写真
感光体において、光導電層に一般式（１）で示されるジ
スアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光
体。ただし式中R₁,R₂は水素、アルキル基、アルコキシ基、
ハロゲン基、ニトロ基またはシアノ基を示し、R₁,R₂は
同じであっても異なっていてもよい。式中A₁,A₂はフエノール性OH基を有するカプラー残基を
示し、A₁,A₂は同じであっても異なっていてもよい。
【請求項２】一般式（１）中のA₁,A₂が下記一般式
（２）で示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子
写真感光体。一般式式（２）中Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環ないし
は、ヘテロ環を形成するに必要な残基を示す。式（２）中R₃およびR₄は水素、置換基を有していてもよ
いアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有し
ていてもよいヘテロ環基ないしはR₃,R₄の結合する窒素
原子とともに環状アミノ基を示す。
【請求項３】一般式（１）中のA₁,A₂が下記一般式
（３）で示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子
写真感光体。一般式式（３）中のR₅はアルキル基、アリール基、またはアラ
ルキル基で、これらの基は置換基を有していてもよい。
【請求項４】一般式（１）中のA₁,A₂が下記一般式
（４）で示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子
写真感光体。一般式式（４）中のR₆はアルキル基、アリール基、またはアラ
ルキル基で、これらの基は置換基を有していてもよい。
【請求項５】一般式（１）中のA₁,A₂が下記一般式
（５）で示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子
写真感光体。一般式式（５）中のＹは芳香族炭化水素の２価の基ないしは窒
素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。
【請求項６】一般式（１）中のA₁,A₂が下記一般式
（６）で示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子
写真感光体。一般式式（６）中のＹは芳香族炭化水素の２価の基ないしは窒
素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。
【請求項７】一般式（１）中のA₁,A₂が下記一般式
（７）で示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子
写真感光体。一般式式（７）中のR₇は置換基を有していても良いアリール基
ないしは置換基を有していても良いヘテロ環基を示し、
Ｘは一般式（２）中のＸと同じ意味を表わす。
【請求項８】一般式（１）中のA₁,A₂が下記一般式
（８）で示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子
写真感光体。一般式式（８）中のR₈,R₉はアルキル基、アリール基、アラル
キル基、またはヘテロ環基で、これらの基は置換基を有
していても良い。Ｘは一般式（２）中のＸと同じ意味を
表わす。